Tecnolgico de Estudios Superiores de Cuautitln Izcalli Organismo Pblico Descentralizado del Estado de Mxico DIRECCIN ACADMICA DIVISIN DE INGENIERA

ELECTRNICA ASIGNATURA: PROFESOR: RESUMEN UNIDAD I y U2 BLANCA GISELA DE LA PEA VALENCIA SEMESTRE: 2011-1

De acuerdo con el modelo clsico de Bohr, el tomo tiene una estructura tipo planetaria con los electrones en rbita a varias distancias alrededor del ncleo central. El ncleo de de un tomo se compone de protones y neutrones. Los protones tienen una carga positiva y los neutrones no tienen carga. El nmero de protones es el nmero atmico del tomo. Los electrones tienen una carga negativa y giran alrededor del ncleo a distancias que dependen de su nivel de energa. Un tomo tiene bandas discretas de energa llamadas capas en las cuales orbitan los electrones. La estructura atmica permite un cierto nmero mximo de electrones en cada capa definido por la ecuacin Ne = 2n2, siendo n el nmero de la capa. En su estado natural, todos los tomos son neutros porque tienen igual nmero de protones y electrones. La capa o banda ms externa de un tomo se llama capa de valencia y los electrones que orbitan en esta banda se llaman electrones de valencia. Estos electrones tienen el ms alto nivel de energa de todos aquellos presentes en el tomo. Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa de una fuente externa, tal como calor, puede saltar de la banda de valencia y escaparse del tomo. El electrn libre existir en la capa de conduccin. La diferencia de energa entre la banda de energa y la banda de conduccin se llama banda prohibida. sta es la cantidad de energa que un electrn de valencia debe tener para saltar de la banda de valencia a la banda de conduccin (1.1 eV para el silicio, 0.67 eV para el germanio y 1.43 eV arseniuro de galio). Los materiales aislantes tienen muy pocos electrones libres y no conducen corriente en absoluto en circunstancias normales. Los materiales que son conductores tienen muy pocos electrones libres y conducen corriente muy bien. Los materiales semiconductores se encuentran entre los conductores y los aislantes en cuanto a su capacidad para conducir corriente. Los tomos de los materiales semiconductores tienen cuatro tomos de valencia. El silicio es el material semiconductor ms ampliamente utilizado. El trmino intrnseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnologa actual. Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo ya que presentan un nivel incrementado de conductividad con la aplicacin de calor.

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Tecnolgico de Estudios Superiores de Cuautitln Izcalli Organismo Pblico Descentralizado del Estado de Mxico DIRECCIN ACADMICA Los tomos de los materiales semiconductores estn enlazados en una configuracin simtrica para formar un material slido llamado cristal. Los enlaces que mantienen unido a un cristal se llaman enlaces covalentes y se refuerza por compartir electrones. Los electrones de valencia que logran escaparse de un tomo padre se llaman electrones de conduccin o electrones libres. Tienen ms energa que los electrones presentes en la banda de valencia y estn libres para andar a la deriva por todo el material. Cuando un electrn se escapa y se libera, deja un hueco en la banda de valencia que crea lo que se llama par pares electrn-hueco. Estos pares electrn-hueco son trmicamente producidos porque el electrn ha adquirido suficiente energa de una fuente calorfica externa para escaparse de su tomo. A la larga, un electrn libre pierde energa y regresa a un hueco. Esto se llama recombinacin. Los pares de pares electrn-hueco continuamente estn siendo generados trmicamente de tal forma que siempre hay electrones libres en el material. Cuando se aplica un voltaje a travs del semiconductor, los electrones libres producidos trmicamente se desplazan hacia el extremo positivo y forman la corriente. sta es un tipo de corriente y se llama corriente de electrones. Otro tipo de corriente es la corriente de huecos. Esta ocurre a medida que los electrones de valencia se desplazan de hueco en hueco con lo que se crea, en realidad, un movimiento de huecos en la direccin opuesta. Se crea un semiconductor tipo n agregando tomos de impureza que tienen cinco electrones de valencia. Estas impurezas son tomos pentavalentes (antimonio, arsnico y fsforo). A estos tomos se le conocen como tomos donadores. Se crea un semiconductor tipo p agregando tomos de impureza con slo tres electrones de valencia. Estas impurezas son tomos trivalentes (boro, galio e indio). A este tipo de tomos se le conocen como tomos aceptores. El proceso de agregar impurezas pentavalentes o trivalentes a un semiconductor se llama dopado. Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrnseco. Los portadores mayoritarios de un semiconductor tipo n son electrones libres adquiridos mediante el proceso de dopado y los portadores minoritarios son huecos libres producidos por pares de pares electrn-hueco generados trmicamente. En el material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario. La partida de un electrn de valencia, debido a la energa que adquiere por una fuente calorfica, deja a un tomo previamente neutro con un exceso de carga positiva (ms protones que electrones). Al proceso de perder un electrn de valencia se conoce como ionizacin y el tomo cargado positivamente resultante se conoce como in positivo. Si un tomo neutro captura a un electrn libre se forma un in negativo. Se forma una unin pn cuando una parte del material se dopa con impurezas tipo n y otra parte de l se dopa con impurezas tipo p.

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Tecnolgico de Estudios Superiores de Cuautitln Izcalli Organismo Pblico Descentralizado del Estado de Mxico DIRECCIN ACADMICA En el momento en que los materiales se unen, los electrones y los huecos excedentes de los iones se combinan provocando una carencia de portadores libres en la regin cercana a la unin. Las nicas partculas que quedan en esta regin son los iones positivos y negativos. Estos iones forman una regin de empobrecimiento (barrera de potencial, regin de carga espacial, potencial de barrera, zona de deplexin). Por lo tanto se dice que la regin de empobrecimiento se forma por ionizacin. El valor del potencial de barrera es por lo general de 0.7V para el silicio, 0.3V para el germanio y 1.2V para el arseniuro de galio. Existe corriente a travs de un dispositivo de unin pn slo cuando est polarizado en directa (terminal positiva de la fuente a la regin p y terminal negativa de la fuente a la regin n). Idealmente no hay corriente cuando no hay polarizacin (estado de equilibrio que se da una vez formada la barrera de potencial). Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de una unin pn, el flujo neto de carga en una direccin es cero. Cuando se polariza en inversa tampoco existe corriente, aunque en realidad se presenta una corriente muy pequea en esta condicin debido a los portadores minoritarios generados trmicamente, que generalmente se desprecia, y se conoce como corriente de inversa de saturacin, IR IS. La corriente superficial de fuga es una pequea corriente que circula sobre la superficie del cristal, causada por impurezas en la superficie del cristal e imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente es directamente proporcional a la tensin inversa. La resistencia superficial de fugas se determina por: RSL = VR / ISL. Al dispositivo de unin pn ms comn se le conoce con el nombre de diodo que quiere decir dipolo (dos polos). La ecuacin de Shockley ID = IS( determina las caractersticas generales de un diodo semiconductor. La situacin de avalancha ocurre en un diodo polarizado en inversa si el voltaje de polarizacin es igual o excede el voltaje de ruptura. El voltaje de ruptura con polarizacin en inversa para un diodo es generalmente mayor de 50V. El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la regin Zener se llama voltaje de pico inverso (VPI PIV). A una temperatura fija, la corriente de saturacin en inversa de un diodo se incrementa con un incremento de la polarizacin en inversa aplicada. La corriente de polarizacin en inversa se incrementa con rapidez con el voltaje de ruptura de polarizacin en inversa. Un diodo conduce corriente cuando est polarizado en directa y la bloquea cuando est polarizado en inversa. La curva caracterstica V-I muestra la corriente a travs de un diodo como una funcin del voltaje a travs de l. La temperatura de la unin es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la unin pn.
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Tecnolgico de Estudios Superiores de Cuautitln Izcalli Organismo Pblico Descentralizado del Estado de Mxico DIRECCIN ACADMICA La barrera de potencial depende de la temperatura de unin, hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la unin. Se calcula con la relacin: V = (-2 mV/C) T. Cuanto mayor es la temperatura en la unin, mayor es la corriente inversa de saturacin. IS se duplica por cada aumento de 10C de la temperatura expresado por: IS = 100% para incremento de 10C. Para cambios menores de 10C, se utiliza la regla: IS = 7% por C.
La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo produce un punto de operacin en la curva caracterstica que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en ese punto de operacin Q (quiescente, que significa fijo o invariable)se conoce como resistencia esttica o resistencia de cd dada por la ecuacin: RD = VD / ID. Cuanto mayor sea la corriente a travs de un diodo, menor ser el nivel de resistencia de cd. Si se aplica una entrada senoidal en un circuito que contiene un diodo semiconductor, la entrada variable mover el punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia debajo de acuerdo a los cambios en la seal. La resistencia dinmica o resistencia de ca, se define por la ecuacin: rD = Vd / Id. Se deber hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo ms pequeo posible y equidistante a ambos lados del punto Q. Cuanto ms bajo est el punto de operacin (menor corriente o menor voltaje), ms alta es la resistencia de ca. La resistencia dinmica se calcula matemticamente con la ecuacin: rD = 26 mV / ID. Si la seal de ca produce una amplia variacin, la resistencia asociada con el dispositivo se llama resistencia de ca promedio, dada por la frmula: .

Al igual que con los niveles de resistencia de cd y ca, cunto ms bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para determinar la resistencia promedio, ms alto ser el nivel de resistencia. Un circuito equivalente es una combinacin de elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las caractersticas terminales reales de un dispositivo o sistema en una regin de operacin particular. El modelo ideal representa al diodo como un interruptor cerrado con polarizacin en directa y como interruptor abierto en polarizacin inversa. El modelo prctico representa al diodo como un interruptor en serie con el potencial de barrera representado por una fuente de voltaje. El modelo completo incluye la resistencia dinmica de polarizacin en directa en serie con el modelo prctico de polarizacin en directa y la resistencia de polarizacin en inversa en paralelo con el interruptor abierto con polarizacin en inversa. Todo dispositivo electrnico es sensible a la frecuencia de una seal. En la regin de polarizacin en inversa el diodo presenta la capacitancia de transicin o de regin de empobrecimiento (CT), en tanto que en la regin de polarizacin en directa tiene la capacitancia de almacenamiento o difusin (CD). El tiempo de recuperacin en inversa trr es la suma de los intervalos ts (tiempo de almacenamiento), y tt (intervalo de transicin). ts es el tiempo requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto, y en tt el nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el estado de no conduccin.

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