Microwave and RF Design Networks. Volume 3-1-48.en - PT

Traduzido do Inglês para o Português - www.onlinedoctranslator.
com
Volume 3
MICROONDAS
E DESIGN RF
REDES
Michael Steer Terceira edição

Microondas e Design RF
Redes
Volume 3
Terceira edição
Michael Steer
Microondas e Design RF
Redes
Volume 3
Terceira edição
Michael Steer
c
direito autoral © 2019 por MB Steer
Citação: Steer, Michael. Microondas e Design RF: Redes. Volume 3. (Terceira edição), NC
State University, 2019. doi: https // doi.org / 10.5149 / 9781469656953 Steer
Este trabalho está licenciado sob uma licença Creative Commons Atribuição-
NãoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0). Para ver uma cópia da licença, visite
http://creativecommons.org/licenses.
ISBN 978-1-4696-5694-6 (brochura) ISBN

978-1-4696-5695-3 (e-book de acesso aberto)
Publicado pela NC State University
Distribuído pela University of North Carolina Press

www.uncpress.org
Imprimindo: 1
Para
Alison
Prefácio
A série de livros Microondas e Design RF é um tratamento abrangente de

radiofrequência (RF) e design de micro-ondas com uma abordagem moderna de
“sistemas primeiro”. Uma forte ênfase no design permeia a série com extensos
estudos de caso e exemplos de design. O design é orientado para comunicações
celulares e design de microstrip para que as lições aprendidas possam ser aplicadas
a tarefas de design do mundo real. Os livros da série Microwave and RF Design são:
• Microondas e Design RF: Sistemas de Rádio, Volume 1

• Projeto de microondas e RF: linhas de transmissão, volume 2
• Microondas e Design RF: Redes, Volume 3
• Microondas e Design RF: Módulos, Volume 4
• Projeto de micro-ondas e RF: amplificadores e osciladores, volume 5
O comprimento e o formato de cada um são adequados para impressão e encadernação automáticas.
Justificativa
A filosofia central por trás da abordagem popular desta série é que o aluno ou
engenheiro praticante desenvolverá uma apreciação completa de RF e
engenharia de microondas e ganhará as habilidades práticas para executar
decisões de projeto em nível de sistema. Agora, mais do que nunca, as
empresas precisam de engenheiros com uma apreciação arraigada de
sistemas e armados com as habilidades para tomar decisões de sistema. Um
dos maiores desafios enfrentados pela engenharia de RF e microondas é o
nível crescente de abstração necessário para criar sistemas inovadores de
microondas e RF. Esta série de livros é organizada de forma que o leitor
compreenda o impacto que as decisões em nível de sistema têm no design de
componentes e subsistemas. Ao mesmo tempo, os recursos de tecnologias,
componentes e subsistemas impactam o design do sistema.
Público
A série de livros foi originalmente desenvolvida para três cursos na North Carolina State
University. Uma é uma turma de graduação do último ano, outra uma turma introdutória
de pós-graduação e a terceira uma turma de pós-graduação avançada. Os livros da série
são usados como textos complementares em duas outras classes. Existem extensos
estudos de caso, exemplos e problemas de fim de capítulo que variam de problemas
simples e profundos que exigem horas para resolver. Um livro complementar,
Fundamentos de Microondas e Design de RF, é mais adequado para uma classe de
graduação, embora haja uma ligação direta entre o material deste livro e a série, que
pode então ser usada como um texto de referência ao longo da carreira. Acredito que
seja completamente compreensível para alunos de nível sênior, onde um curso de
engenharia de microondas / RF é oferecido. A série de livros é um texto abrangente de RF
e microondas e referência, com índice detalhado, apêndices e referências cruzadas por
toda parte. Os engenheiros em exercício encontrarão na série de livros uma cartilha de
sistemas valiosa, uma atualização conforme necessário e um
vi PREFÁCIO
ferramenta de referência no campo. Além disso, pode servir como um recurso valioso e
acessível para aqueles fora da engenharia de circuitos de RF que precisam entender como
podem trabalhar com engenheiros de hardware de RF.
Organização
Este livro é um volume em uma série de cinco volumes sobre RF e design de micro-
ondas. O primeiro volume da série,Projeto de microondas e RF: sistemas de rádio,
aborda sistemas de rádio principalmente seguindo a evolução do rádio celular. Um
aspecto central da engenharia de microondas são os efeitos distribuídos considerados no
segundo volume desta série de livros,Projeto de microondas e RF: linhas de transmissão.
Aqui, as linhas de transmissão são tratadas como suportando ondas de tensão e corrente
que se deslocam para frente e para trás e estão relacionadas a efeitos eletromagnéticos.
O terceiro volume,Microondas e Design RF: Redes, cobre a teoria da rede de microondas,
que é a teoria que descreve o fluxo de potência e pode ser usada com efeitos de linha de
transmissão. Tópicos abordados emMicroondas e Design RF: Módulos, se concentra no
projeto de circuitos e sistemas de micro-ondas usando módulos que apresentam um
grande número de módulos diferentes. Módulos é apenas outro termo para uma rede,
mas a implicação é que ela é empacotada e geralmente está disponível no mercado.
Outros tópicos que são importantes no projeto do sistema usando módulos são
considerados, incluindo ruído, distorção e faixa dinâmica. A maioria dos projetistas de
microondas e RF constroem sistemas usando módulos desenvolvidos por outros
engenheiros especializados no desenvolvimento dos módulos. Exemplos são os módulos
de filtro e amplificador que, uma vez projetados, podem ser usados em muitos sistemas
diferentes. Grande parte do projeto de micro-ondas trata de maximizar a faixa dinâmica,
minimizar o ruído e minimizar o consumo de energia CC. O quinto volume desta série,
Projeto de microondas e RF: amplificadores e osciladores, considera o projeto do
amplificador e do oscilador e desenvolve as habilidades necessárias para desenvolver os
módulos.
Volume 1: Microondas e Design RF: Sistemas de Rádio
O primeiro livro da série cobre sistemas RF. Ele descreve os conceitos do sistema e
fornece conhecimento abrangente de sistemas de RF e microondas. A ênfase está em
compreender como os sistemas são criados a partir de muitas tecnologias e conceitos
diferentes. O leitor obtém informações valiosas sobre como diferentes tecnologias
podem ser negociadas para atender aos requisitos do sistema. Não acredito que esta
apresentação de sistemas esteja disponível em qualquer outro lugar de forma tão
compacta.
Volume 2: Microondas e Design RF: Linhas de Transmissão
Este livro começa com um capítulo sobre a teoria das linhas de transmissão
e apresenta os conceitos de ondas que se propagam para a frente e para
trás. Muitos exemplos são incluídos de técnicas avançadas para analisar e
projetar redes de linhas de transmissão. Isso é seguido por um capítulo
sobre linhas de transmissão planas com linhas de microfita usadas
principalmente em exemplos de projeto. Os exemplos de design ilustram
algumas das decisões de design menos quantificáveis que devem ser
tomadas. O próximo capítulo descreve os efeitos da linha de transmissão
dependente da frequência e descreve as opções de projeto que devem ser
tomadas para evitar a multimodificação. O capítulo final deste volume trata
das linhas acopladas. É mostrado como projetar redes de linha acoplada
que exploram esse efeito distribuído para realizar novas funcionalidades
de circuito e como projetar redes que minimizam os efeitos negativos.
PREFÁCIO vii
em torno de efeitos indesejáveis. O projeto detalhado de um acoplador direcional é

usado para ilustrar o uso de linhas acopladas. Equivalentes de rede de linhas acopladas
são introduzidos como blocos de construção fundamentais que são usados
posteriormente na síntese de filtros de linha acoplada. O texto, exemplos e problemas
apresentam os requisitos de design muitas vezes ocultos de design para mitigar efeitos
parasitas e modos indesejados de operação.
Volume 3: Microondas e Design RF: Redes

O Volume 3 concentra-se em redes de microondas com descrições baseadas em S
parâmetros e ABCD matrizes e a representação de reflexão e transmissão de
informações em gráficos polares chamados de gráficos de Smith. A medição de
microondas e a tecnologia de calibração são examinadas. Uma amostra da ampla
variedade de elementos de microondas com base em linhas de transmissão é
apresentada. É mostrado como muitos deles têm equivalentes de elemento concentrado
e como elementos concentrados e linhas de transmissão podem ser combinados como
um compromisso entre o alto desempenho das estruturas de linha de transmissão e a
compactação dos elementos concentrados. Este volume conclui com um tratamento
aprofundado de correspondência para transferência de potência máxima. Ambas as
combinações de elementos agregados e elementos distribuídos são apresentadas.
Volume 4: Microondas e Design RF: Módulos

O Volume 4 concentra-se no projeto de sistemas baseados em módulos de microondas. O livro considera a ampla variedade de módulos de
RF, incluindo amplificadores, osciladores locais, interruptores, circuladores, isoladores, detectores de fase, multiplicadores e divisores de
frequência, loops com bloqueio de fase e sintetizadores digitais diretos. O uso de módulos tem se tornado cada vez mais importante na
engenharia de RF e microondas. Uma ampla variedade de módulos passivos e ativos está disponível e os sistemas de alto desempenho podem
ser realizados de forma econômica e com desempenho estelar usando módulos prontos para uso interconectados usando linhas de
transmissão planas. Os fornecedores de módulos são incentivados pelo mercado a desenvolver módulos competitivos que podem ser usados
em uma ampla variedade de aplicações. A grande maioria dos engenheiros de RF e micro-ondas desenvolve módulos ou usa módulos para
realizar sistemas de RF. Os sistemas também devem se preocupar com ruído e distorção, incluindo distorção que se origina em elementos
supostamente lineares. Algo tão simples como uma terminação pode produzir distorção chamada distorção de intermodulação passiva.
Técnicas de projeto são apresentadas para projetar sistemas em cascata enquanto gerencia ruído e distorção. Os filtros também são módulos
e a teoria geral dos filtros é abordada e o projeto dos filtros de linha acoplados paralelos é apresentado em detalhes. O design do filtro é
apresentado como uma mistura de arte e ciência. Essa combinação e os processos de pensamento envolvidos são enfatizados por meio do
projeto de um filtro integrado ao longo deste capítulo. Algo tão simples como uma terminação pode produzir distorção chamada distorção de
intermodulação passiva. Técnicas de projeto são apresentadas para projetar sistemas em cascata enquanto gerencia ruído e distorção. Os
filtros também são módulos e a teoria geral dos filtros é abordada e o projeto dos filtros de linha acoplados paralelos é apresentado em
detalhes. O design do filtro é apresentado como uma mistura de arte e ciência. Essa combinação e os processos de pensamento envolvidos
são enfatizados por meio do projeto de um filtro integrado ao longo deste capítulo. Algo tão simples como uma terminação pode produzir
distorção chamada distorção de intermodulação passiva. Técnicas de projeto são apresentadas para projetar sistemas em cascata enquanto
gerencia ruído e distorção. Os filtros também são módulos e a teoria geral dos filtros é abordada e o projeto dos filtros de linha acoplados
paralelos é apresentado em detalhes. O design do filtro é apresentado como uma mistura de arte e ciência. Essa combinação e os processos
de pensamento envolvidos são enfatizados por meio do projeto de um filtro integrado ao longo deste capítulo.
Volume 5: Microondas e Design RF: Amplificadores e Osciladores

O quinto volume apresenta o design de amplificadores e osciladores de uma forma que
permite o desenvolvimento de designs de última geração. São apresentadas estratégias
detalhadas para amplificadores e osciladores controlados por tensão. O projeto de
amplificadores e osciladores de micro-ondas da concorrência é particularmente desafiador,
pois muitos compromissos são necessários no projeto e as decisões de projeto não podem ser
reduzidas a um fluxo estereotipado. São apresentados estudos de caso muito detalhados e,
embora alguns possam parecer bastante complicados, eles correspondem ao nível de
sofisticação necessário para desenvolver projetos competitivos.
viii PREFÁCIO
Estudos de caso
Um recurso importante desta série de livros é o uso de estudos de caso do mundo

real de designs de ponta. Alguns dos estudos de caso são projetos feitos em meu
grupo de pesquisa para demonstrar técnicas de projeto que resultam em
desempenho de ponta. Os estudos de caso e as pessoas responsáveis por ajudar a
desenvolvê-los são os seguintes.
1. Transmissor de rádio definido por software.
2. Design de conversor descendente de alta faixa dinâmica. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Alan Victor.
3. Projeto de um filtro combline Chebyshev de terceira ordem. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Wael Fathelbab.
4. Projeto de um filtro bandstop. Este estudo de caso foi desenvolvido com Wael
Fathelbab.
5. Ressonador ajustável com uma pilha de diodo varactor. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Alan Victor.
6. Análise de um receptor de 15 GHz. Este estudo de caso foi desenvolvido com
Alan Victor.
7. Arquitetura do transceptor. Este estudo de caso foi desenvolvido com Alan
Victor.
8. Projeto de amplificador linear de banda estreita. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Dane Collins e National Instruments Corporation.
9. Projeto de amplificador de banda larga. Este estudo de caso foi desenvolvido com
Dane Collins e National Instruments Corporation.
10. Polarização distribuída de amplificadores diferenciais. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Wael Fathelbab.
11. Análise de um amplificador distribuído. Este estudo de caso foi desenvolvido
com Ratan Bhatia, Jason Gerber, Tony Kwan e Rowan Gilmore.
12. Projeto de um amplificador de potência WiMAX. Este estudo de caso foi
desenvolvido com Dane Collins e National Instruments Corporation.
13. Oscilador de reflexão. Este estudo de caso foi desenvolvido com Dane Collins e
National Instruments Corporation.
14. Projeto de um VCO de banda C. Este estudo de caso foi desenvolvido com Alan
Victor.
15. Análise de ruído de fase do oscilador. Este estudo de caso foi desenvolvido
com Dane Collins e National Instruments Corporation.
Muitos desses estudos de caso estão disponíveis como vídeos legendados do YouTube
e instrutores qualificados podem solicitar vídeos de resolução mais alta do autor.
Estruturas do Curso
Com base na adoção da primeira e da segunda edições nas universidades, vários cursos
universitários diferentes foram desenvolvidos usando várias partes do que originalmente
era um livro muito grande. O livro apóia o ensino de duas ou três classes com cursos que
variam de acordo com a seleção de volumes e capítulos. Uma aula de microondas padrão
seguindo o formato de textos de microondas anteriores pode ser ensinada usando o
segundo e o terceiro volumes. Esse curso se beneficiará do forte sabor do design prático
e do tratamento moderno da tecnologia de medição, gráficos de Smith e redes
correspondentes. A propagação e o projeto da linha de transmissão são apresentados no
contexto da tecnologia de microfita, fornecendo uma habilidade imediatamente útil. As
sutilezas da multimodificação também são apresentadas no contexto das linhas de
microfita. Em tal
PREFÁCIO ix
uma aula, o primeiro volume sobre sistemas de micro-ondas pode ser designado para
autoaprendizagem.
Outra abordagem é ministrar um curso que enfoque os efeitos da linha de
transmissão, incluindo filtros de linha acoplada paralela e design de módulo. Essa classe
se concentraria nos Volumes 2, 3 e 4. Um curso de design de filtro se concentraria no uso
do Volume 4 no design de módulo. Um curso sobre projeto de amplificador e oscilador
usaria o Volume 5. Este curso é apoiado por um grande número de estudos de caso que
apresentam conceitos de projeto que de outra forma seriam difíceis de colocar no fluxo
do livro.
Outra opção adequada para uma classe de graduação ou pós-graduação introdutória
é ministrar uma classe que permita aos engenheiros desenvolver sistemas de RF e
microondas. Esta classe usa partes dos Volumes 2, 3 e 4. Essa classe omite o projeto
detalhado do filtro, amplificador e oscilador.
A filosofia fundamental por trás da série de livros é que o impacto mais amplo do
material deve ser apresentado primeiro. Os sistemas devem ser discutidos com
antecedência e não deixados como uma reflexão tardia para o capítulo final de um livro,
a última aula do semestre ou o último curso de um currículo.
A série de livros foi escrita para que todos os engenheiros elétricos pudessem
obter uma apreciação da engenharia de hardware de RF e microondas. O corpo do
texto pode ser coberto sem grande confiança nesta teoria eletromagnética, mas
está lá para aqueles que desejam para ensino ou revisão do leitor. O livro é rico em
informações detalhadas e também serve como referência técnica.
O Engenheiro de Sistemas
Os sistemas são desenvolvidos começando com requisitos difusos para componentes e

subsistemas. Assim como os requisitos do sistema fornecem ímpeto para desenvolver
novas tecnologias básicas, o desenvolvimento de novas tecnologias fornece novos
recursos que impulsionam a inovação e novos sistemas. Os novos recursos podem surgir
de desenvolvimentos feitos em suporte a outros sistemas. Às vezes, o acaso leva a novos
recursos. A criação de sistemas inovadores de micro-ondas e RF que atendam às
necessidades do mercado ou forneçam novas oportunidades é o desafio mais
empolgante no projeto de RF. Os engenheiros que podem conceituar e arquitetar novos
sistemas de RF têm grande demanda. Este livro começou como um esforço para treinar
engenheiros de sistemas de RF e como um recurso de sistemas de RF para engenheiros
em atividade. Muitos engenheiros de sistemas de RF começaram suas carreiras quando
os sistemas eram simples. Hoje, avaliar um sistema requer níveis mais altos de abstração
do que no passado, mas também requer conhecimento detalhado ou a habilidade de
acessar conhecimento detalhado e especialização. Então, o que torna um engenheiro de
sistemas? Não há uma resposta simples, mas muitas respostas parciais. Sabemos que os
engenheiros de sistema têm grande confiança técnica e amplo apreço por tecnologias.
Eles são amplos em seu conhecimento de uma grande faixa de tecnologias e também
profundos em algumas áreas, às vezes chamadas de modelo “T”. Um livro ou curso não
fará um engenheiro de sistemas. É claro que deve haver um conjunto diversificado de
experiências. Esta série de livros cumpre o papel de fomentar a abstração de alto nível da
engenharia de RF e também habilidades de design detalhado para realizar RF e módulos
de microondas eficazes. Minha esperança é que este livro forneça a base necessária para
a próxima geração de engenheiros de sistemas de RF, enfatizando os princípios do
sistema imediatamente, seguidos pelas tecnologias básicas de RF. As tecnologias
essenciais são, portanto, abordadas no contexto dos sistemas em que são usadas.
x PREFÁCIO
Materiais Suplementares
Os materiais suplementares disponíveis para instrutores qualificados que adotam o

livro incluem slides do PowerPoint e soluções para os problemas de final de
capítulo. Os pedidos devem ser dirigidos ao autor. O acesso a downloads dos livros,
material adicional e vídeos do YouTube de muitos estudos de caso estão disponíveis
emhttps://www.lib.ncsu.edu/do/open-education
Agradecimentos
Escrever este livro foi uma grande tarefa e estou em dívida com as muitas
pessoas que ajudaram ao longo do caminho. Em primeiro lugar, gostaria
de agradecer aos mais de 1.200 alunos de graduação em engenharia
elétrica que usaram rascunhos e as duas primeiras edições na NC State.
Agradeço aos muitos instrutores e alunos que forneceram feedback.
Agradeço particularmente ao Dr. Wael Fathelbab, um especialista em
filtros, que co-escreveu uma versão inicial do capítulo sobre filtros. O
professor Andreas Cangellaris ajudou no desenvolvimento da estrutura
inicial do livro. Muitas pessoas revisaram o livro e deram sugestões.
Agradeço os contributos sobre a estrutura do manuscrito: Professores
Mark Wharton e Nuno Carvalho da Universidade de Aveiro, Professores Ed
Delp e Saul Gelfand da Purdue University, Professora Lynn Carpenter da
Pennsylvania State University,
Muitas pessoas ajudaram na produção deste livro. Na primeira edição, fui

assistido pela Sra. Claire Sideri, Sra. Susan Manning e o Sr. Robert Lawless que
ajudaram no layout e na produção. O editor, mestre de tarefas e coordenador-
chefe, Sr. Dudley Kay, forneceu foco e tremenda assistência no
desenvolvimento da primeira e da segunda edições do livro, coletando
feedback de muitos instrutores e revisores. Agradeço à Instituição de
Engenharia e Tecnologia, que adquiriu a editora original, por me devolver os
direitos autorais. Este livro de acesso aberto foi facilitado por John McLeod e
Samuel Dalzell, da University of North Carolina Press, e por Micah Vandergrift e
William Cross, das bibliotecas da NC State University. Os e-books de acesso
aberto são hospedados pelas bibliotecas da NC State University.
O livro foi produzido usando LaTeX e fontes de acesso aberto, a arte de linha foi
desenhada usando xfig e inkscape, e as imagens foram editadas no gimp. Portanto,
obrigado aos muitos voluntários que desenvolveram esses pacotes.
Minha família, Mary, Cormac, Fiona e Killian, graciosamente suportou minha ausência
por inúmeras noites e fins de semana, muito mais do que eu jamais poderia ter
imaginado. Eu realmente agradeço a eles. Agradeço também a meu patrocinador
acadêmico, Dr. Ross Lampe, Jr., cujo apoio à universidade e sua missão me permitiu
buscar empreendimentos de alto risco e alta recompensa, incluindo este livro.
Michael Steer
Universidade Estadual da Carolina do Norte
Raleigh, Carolina do Norte
mbs@ncsu.edu
Lista de Marcas Registradas
3GPP©R é uma marca registrada do European Telecommunications

Standards Institute.
802©R é uma marca registrada do Institute of Electrical & Electronics
Engineers.
APC-7©R é uma marca registrada da Amphenol Corporation.
AT&T©R é uma marca registrada da AT&T Intellectual Property II, LP
AWR©R é uma marca registrada da National Instruments Corporation.
AWRDE© R é uma marca comercial da National Instruments Corporation.
Bluetooth©R é uma marca registrada do Bluetooth Special Interest Group.
GSM©R é uma marca registrada da GSM MOU Association.
Mathcad©R é uma marca registrada da Parametric Technology Corporation.
MATLAB© R é uma marca registrada da The MathWorks, Inc.
NEC©R é uma marca registrada da NEC Corporation.
OFDMA© R é uma marca registrada da Runcom Technologies Ltd.
Qualcomm©R é uma marca registrada da Qualcomm Inc. é uma
Teflon©R marca registrada da EI du Pont de Nemours. é uma
RFMD©R marca registrada da RF Micro Devices, Inc.
SONETO© R é uma marca comercial da Sonnet Corporation.
Smith é uma marca registrada do Institute of Electrical and Electronics
Engineers.
Touchstone©R é uma marca registrada da Agilent Corporation.
Wi-fi©R é uma marca registrada da Wi-Fi Alliance.
WiMAX© R é uma marca registrada do WiMAX Forum.
Todas as outras marcas registradas são propriedades de seus respectivos proprietários.

Conteúdo
Prefácio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . v
1 Introdução às Redes RF e Microondas . . . . . . . . . . . . 1

1,1 Introdução às redes de micro-ondas. . . . . . . . . . . . . . Esboço 1
1,2 do livro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1,3 Referências . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Análise de rede de micro-ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Redes de duas 5
2,2 portas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 6
Reciprocidade, simetria, passividade e linearidade. . . . 6
2.2.2 Parâmetros baseados na tensão e corrente totais. . . . 7
2.2.3 Conexão em série de redes de duas portas. . . . . . . . 10
2.2.4 Conexão paralela de redes de duas portas. . . . . . . 11
2.2.5 Conexão série-paralela de redes de duas portas. . .ABCD 11
2.2.6 Caracterização de matriz de redes de duas portas 12
2,3 Parâmetros de dispersão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.3.1 Coeficiente de reflexão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Coeficiente de 14
2.3.2 reflexão com impedância de referência complexa 15 Duas
2.3.3 portasS Parâmetros. . . . . . . . . . . . . . . . . . Coeficiente de reflexão 16
2.3.4 de entrada de uma rede terminada de duas
18
portas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Avaliação dos parâmetros
2.3.5 de espalhamento das propriedades de um elemento de duas 19
2.3.6 portas em termos de parâmetros S. . . Transferência de 21
2.3.7 dispersão ouT Parâmetros. . . . . . . . . . . 21
2,4 Parâmetros de dispersão generalizados. . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4.1 o N-Rede de portas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ondas de 22
energia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parâmetros de
2.4.2 23
dispersão em termos deuma e b ondas. . . Normalizado e
2.4.3 25
GeneralizadoS Parâmetros. . . . . . . Alteração da
2.4.4 26
impedância de referência. . . . . . . . . . . . . Passividade em
2.4.5 26
termos de parâmetros de dispersão. . . . . .
2.4.6 27
Representação da matriz de impedância. . . . . . . . . . . .
2.4.7 28
Representação da matriz de admissão. . . . . . . . . . .
2.4.8 29
2,5 Matrizes de parâmetros de dispersão de duas portas 30
2,6 comuns. . . . .T ou Parâmetros de espalhamento de cadeia de
redes de duas portas em 31
cascata. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.1 Rede Terminada 35
2,7 de Duas Portas. . . . . . . . . . . . . . Relacionamentos de duas portas 35
Mudança
de parâmetro no plano .de
de dispersão. . . referência.
. . . . . . 2.7.1 . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.7.2 Conversão entreS e ABCD Parâmetros. . . . 36
2,8 Perda de retorno, perda de substituição e perda de inserção. . . . . . . 37
2.8.1 Perda de retorno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Perda 37
2.8.2 de substituição e perda de inserção. . . . . . . . . . 38
xiv CONTEÚDO
2.8.3 Medição da perda de inserção. . . . . . . . . . . . . . Perda 39

2.8.4 mínima do transdutor, atenuação intrínseca. . . 41
2,9 ........
Resumo dos parâmetros de espalhamento e dos acopladores 42
2,10 direcionais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.11 Referências. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.12 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.12.1 Exercícios por Seção. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Respostas 47
2.12.2 aos exercícios selecionados. . . . . . . . . . . . . . 48
3 Análise Gráfica de Rede . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

3,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Gráfico de fluxo 49
3,2 do sinal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 49
SFG Representation of Mathematical Relations. . . . 50
3.2.2 Representação SFG de parâmetros de espalhamento. . . . . . 50
3.2.3 Simplificação e redução de SFGs. . . . . . . . . . SFG Model of a 50
3.2.4 Source. . . . . . . . . . . . . . . . . . Regra de 54
3.2.5 Mason. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.2.6 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3,3 Representações polares de parâmetros de dispersão. . . . . . . . . 3.3.1 57
Mudança de planos de referência como uma rotação de 58
3.3.2 parâmetro S. . Gráfico polar do coeficiente de 58
3.3.3 reflexão. . . . . . . . . . . . Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3,4 Smith Chart. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 60
Gráfico de Impedância de Smith. . . . . . . . . . . . . . . . . . Tabela 61
3.4.2 de admissão de Smith ................. 64
3.4.3 Gráfico Combinado de Smith .................. 65
3.4.4 Manipulações de gráfico de Smith. . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.4.5 Um gráfico de admissão alternativo. . . . . . . . . . . . 76
3.4.6 Gráfico de Smith expandido. . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.4.7 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3,5 Linhas de Transmissão e Cartas Smith .............. 77
3.5.1 Transformada Bilinear. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Alteração da 77
3.5.2 impedância de referência como um locus do coeficiente de 78
3.5.3 reflexão da transformação bilinear. . . . . . . . . . . . . . . 80
3.5.4 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3,6 Resumo .............................. 81
3,7 Referências . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3,8 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.8.1 82
Exercícios por Seção. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Respostas 87
4 medições de microondas ....................... 89

4,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Medição de 89
4,2 parâmetros de dispersão. . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Vector Network 89
Analyzer. . . . . . . . . . . . . . . . . 89
4,3 Calibração. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 93
Calibração de uma porta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
4.3.2 Desincorporação. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Calibração 96
4.3.3 de duas portas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquemas de 96
4.3.4 calibração baseados na linha de transmissão. . . . . 99
4.3.5 Calibração através da linha. . . . . . . . . . . . . . . . . 100
CONTEÚDO xv
4.3.6 Calibração de duas camadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

4,4 Extração de Parâmetros de Linha de Transmissão. . . . . . . . . . . 107
4.4.1 Resumo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . determinandoZ0 109
4,5 de uma linha do gráfico de Smith. . . . . . . . 109
4,6 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4,7 Referências . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4,8 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.8.1 112
Exercícios por Seção. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Respostas 113
5 componentes passivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

5,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Q Fator 115
5,2 ............................... 115
5.2.1 116
Definição. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Q de Elementos
5.2.2 Lumped. . . . . . . . . . . . . . . . . . CarregadoQ 117
5.2.3 Fator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resumo das 118
5.2.4 propriedades deQ . . . . . . . . . . . . 118
5,3 Elementos integrados de volume. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3.1 118
Capacitores on-chip. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Indutores 119
5.3.2 planares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5,4 Terminais e atenuadores de ................... 121
5,5 componentes de montagem em .................. 122
superfícieRescisões.
5.5.1 ....................... 122
5.5.2 Atenuadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
5,6 Stubs e descontinuidades da linha de transmissão. . . . . . . . . . 127
5.6.1 Abrir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.6.2 Descontinuidades. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
5.6.3 Transformador de impedância. . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
5,6.4 Stub radial planar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Stub 129
5,6.5 Transformations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
5,7 Ressonadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7.1 131
Ressonadores Dielétricos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transformador 132
5,8 magnético. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.8.1 Propriedades de 132
um transformador magnético. . . . . . . . . . Híbridos 133
5,9 ............................... 135
5.9.1 Quadrature Hybrid. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180◦ 136
5,9,2 Híbrido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transformador 136
5.9.3 magnético híbrido. . . . . . . . . . . . . . 137
5,10 Baluns . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Marchand 139
5.10.1 Balun. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
5.11 Combinadores e divisores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.11.1 Wilkinson Combiner and Divider. . . . . . . . . . . . Chireix 141
5.11.2 Combiner. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.12 Transmissor de linha de transmissão. . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.12.1 Transmission Line Transformer as Balun. . . . . . . Transformador 145
5,12,2 de impedância 4: 1 em altas frequências. . . . Transformador de 145
5.12.3 impedância 4: 1 em baixas frequências. . . . Transformador 147
5,12,4 híbrido usado como combinador. . . . . . . . Transformador 148
5,12,5 híbrido usado como divisor de energia. . . . . Combinador 149
5.12.6 Híbrido de Banda Larga. . . . . . . . . . . . . . 149
5.13 Híbridos baseados em linha de transmissão . . . . . . . . . . . . . . . . 150
xvi CONTEÚDO
5.13.1 Híbridos de ramal baseados em linhas de transmissão. . 150

5,13,2 Híbridos de elemento volumoso. . . . . . . . . . . . . . . . 152
5,14 Resumo .............................. 153
5.15 Referências. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
5.16 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
6 Combinação de impedância .......................... 159

6,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Redes 159
6,2 Correspondentes ........................ 159
6.2.1 Correspondência para reflexão zero ou para transferência
máxima de energia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tipos de 160
6.2.2 redes correspondentes. . . . . . . . . . . . . . . 160
6.2.3 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
6,3 Redes de Transformação de Impedância . . . . . . . . . . . . . . . 162
6.3.1 O transformador ideal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Elemento 162
6.3.2 Reativo Série A. . . . . . . . . . . . . . . . . Um elemento 162
6.3.3 reativo paralelo. . . . . . . . . . . . . . . . 164
6,4 The L Matching Network ..................... 164
6.4.1 Equações de projeto para RS < Reu . . . . . . . . . . . . . .L 166
6.4.2 Network Design for RS > Reu . . . . . . . . . . . . . 167
6,5 Lidando com fontes e cargas complexas ........... 168
6.5.1 Correspondência. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
6,6 Multielement Matching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
6.6.1 Conceito de design para manipulação de largura de 171
6.6.2 banda. . . . . Redes de combinação de três 172
6.6.3 elementos. . . . . . . . . . . A rede Pi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
6.6.4 Rede CorrespondenteQ Revisitado. . . . . . . . . . . . . The T 176
6.6.5 Network. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Banda larga (baixaQ) 177
6.6.6 Coincidindo . . . . . . . . . . . . . . 177
6,7 Correspondência de impedância usando gráficos de Smith. . . . . . . . . . . . 179
6.7.1 Correspondência de dois elementos. . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
6,8 Combinação Distribuída . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
6.8.1 Stub Matching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
6,8.2 Correspondência distribuída com concentração híbrida. . . . . . . . . 187
6,9 Opções de correspondência usando o gráfico de Smith. . . . . . . . . . . . 187
6.9.1 Localizando os pontos de projeto. . . . . . . . . . . . . . . . 187
6.9.2 Opções de design. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Design 1, 189
6.9.3 design híbrido. . . . . . . . . . . . . . . . . Projeto 1 com um 189
6.9.4 esboço de circuito aberto. . . . . . . . . Design 2, Design 192
6,9.5 de elemento volumoso. . . . . . . . . . . Projeto 3, 193
6.9.6 correspondência de linha única. . . . . . . . . . . . . . 195
6,9,7 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
6,10 Resumo .............................. 197
6.11 Referências. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
6.12 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
7 Correspondência de banda larga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .205

CONTEÚDO xvii
7,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Limites de Fano- 205

7,2 Bode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ConstanteQ 206
7,3 Circles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transformador de linha 207
7,4 de transmissão de impedância escalonada. . . . . . 7.4.1 209
Transformador de um quarto de onda usando meios 209
7.4.2 geométricos. . Projeto baseado na teoria de pequenas reflexões ... 210
7.4.3 Transformador de impedância escalonado maximamente plano ... 211
7.4.4 Transformador de impedância escalonado com resposta de
Chebyshev. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Projeto de 213
7.4.5 transformador de impedância escalonado. . . . . . . . 216
7.4.6 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
7,5 Transformadores Tapered Matching ................. 217
7.5.1 Teoria da pequena reflexão e linhas cônicas. . . . . . . 217
Conicidade linear. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5.2 218
Afilamento exponencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Cone
7.5.3 218
Klopfenstein. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Cone
7.5.4 219
Klopfenstein simplificado. . . . . . . . . . . . . . .
7.5.5 220
Comparação de transformadores de impedância de
7.5.6
linha de transmissão. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
7.5.7 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
7,6 Combinando uma carga Série RC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.6.1 225
Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Combinando 228
7.6.2 usando linhas de transmissão em cascata e constante
Q Circles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Correspondência de 229
7,7 banda larga com cargas reativas. . . . . . . . . . . . . 7.7.1 231
Compatibilidade de banda larga com uma carga de série 231
7.7.2 RC. . . . . . . . Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
7,8 Resumo .............................. 234
7,9 Referências . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
7.10 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
7,10,2 aos exercícios selecionados. . . . . . . . . . . . . . 236
Índice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .237
CAPÍTULO 1
Introdução às Redes RF e
Microondas
1,1 Introdução às redes de micro-ondas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1,2 esboço do livro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1,3 Referências. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1 Introdução às redes de micro-ondas

Em frequências de micro-ondas, um plano de aterramento nem sempre pode ser
definido como circuitos são grandes o suficiente para que um "aterramento" em uma
parte do circuito não seja o mesmo que um "aterramento" em outra parte espacialmente
separada do circuito. Se fossem o mesmo “terreno”, então as cargas precisariam ser
capazes de se redistribuir instantaneamente e isso não é possível por causa da
velocidade finita de causalidade (ou seja, a velocidade da luz). Uma das consequências
disso é que a voltagem e a corrente ocorrem como ondas de voltagem e corrente para a
frente e para trás nas linhas de transmissão, ou em redes de micro-ondas como
voltagem incidente e refletida e ondas de corrente em interfaces entre diferentes partes
de um circuito. Em qualquer ponto, a soma da onda de voltagem que viaja para a frente
(ou incidente) e a onda de voltagem que viaja para trás (ou refletida) é a voltagem total
usada com circuitos de baixa frequência. Uma descrição semelhante se aplica às
correntes. Uma onda de voltagem está diretamente relacionada ao movimento da força
ou ao que chamamos de ondas de força. Por causa disso, os parâmetros convencionais
do circuito, oy e z parâmetros definidos quando há um único aterramento, mostram-se
inadequados para descrever sinais em circuitos de micro-ondas. Parâmetros de
dispersão ouS parâmetros, são os parâmetros de rede mais convenientes para usar com
circuitos de micro-ondas, uma vez que descrevem ordenadamente as propriedades das
ondas viajantes de tensão e corrente. Um outro atributo é que oS os parâmetros se
relacionam diretamente ao fluxo de potência.
Nos primeiros dias da engenharia elétrica, todos os circuitos eram chamados de redes.
Esse uso permanece com circuitos de micro-ondas, mas é mais comumente usado com
circuitos que operam em frequências de micro-ondas, mas apenas os terminais externos
são apresentados e os detalhes internos muitas vezes ocultos. O uso do termo rede
também transmite um lembrete sutil de que não existe necessariamente uma base
universal.S os parâmetros são definidos mesmo quando não há um aterramento
universal.
A maioria dos projetos de RF e micro-ondas se preocupa com o movimento da potência do
sinal e com a minimização da potência do ruído para manter uma alta relação sinal-ruído em
um circuito. Isso maximiza o desempenho da comunicação, radar e
2 DIRIGIR DESIGN DE MICROONDAS E RF, REDES
sistemas de sensores. Assim, maximizar a transferência de potência é fundamental e a técnica de

design que faz isso é chamada de correspondência.
1.2 Esboço do livro

Capítulo 2 apresenta a análise de rede de microondas e, em particular Sparâmetros e
outros parâmetros que são úteis no projeto. Uma das características de um projetista de
microondas é que eles funcionam muito bem com informações gráficas sobre uma rede.
A exibição visual é a maneira mais rápida de transmitir informações ao cérebro humano.
Um ser humano reconhece os padrões muito bem, por isso não é surpreendente que os
métodos de projeto de microondas tenham evoluído para fazer uso extensivo de meios
gráficos de representação de informações de rede e de estratégias de projeto baseadas
em manipulações gráficas. Os métodos gráficos para representar a descrição de redes de
micro-ondas são considerados no terceiro capítulo deste livro, Capítulo 3, intitulado
Análise Gráfica de Rede. O gráfico de Smith muito importante é descrito aqui.
Conhecimento prático deS os parâmetros e os gráficos de Smith são as duas maiores
'barreiras à entrada' no projeto de microondas. Eles são os dois tópicos principais que
devem ser compreendidos e absorvidos antes que alguém possa se tornar um projetista
de micro-ondas competente ou até mesmo conversar com outros engenheiros sobre
projetos de micro-ondas. Não existe uma maneira mais simples de descrever o
desempenho pretendido ou real de um projeto de circuito de micro-ondas.
O quarto capítulo, Capítulo 4, discute as medições de microondas e como as

informações sobre uma rede podem ser interpretadas a partir da exibição gráfica
das informações medidas ou de uma solução de projeto esboçada em um gráfico
de Smith. O gráfico de Smith é o bloco de desenho do "verso do envelope" do
engenheiro de micro-ondas.
O Capítulo 5 apresenta muitos novos elementos de micro-ondas e raramente têm um
analógico abaixo das frequências de micro-ondas. Esses elementos de circuito exploram
efeitos distribuídos, ou seja, efeitos de linha de transmissão. Às vezes, existem alguns
análogos de baixa frequência, mas estes foram desenvolvidos primeiro concebendo o
elemento de micro-ondas e, em seguida, substituindo as linhas de transmissão por suas
LC circuitos equivalentes. Este capítulo apresenta stubs de linha de transmissão, híbridos
(que são circuitos de quatro portas que direcionam a potência do sinal), baluns (que
interagem com circuitos balanceados e não balanceados) e combinadores e divisores de
potência.
Os dois capítulos finais deste livro, Capítulo 6 sobre casamento de impedância,
isto é, correspondência para transferência de potência máxima e o Capítulo 7 sobre
correspondência de banda larga tratam do projeto de redes de correspondência de
impedância, do gerenciamento da largura de banda dessas redes e da descrição do
desempenho dos elementos do circuito de micro-ondas.
Este livro é o terceiro volume de uma série sobre design de microondas e RF. O
primeiro volume da série aborda sistemas de rádio [1], principalmente seguindo a
evolução do rádio celular. Um aspecto central da engenharia de microondas são os
efeitos distribuídos considerados no segundo volume de sua série de livros [2].
Aqui, as linhas de transmissão são tratadas como suportando ondas de tensão e
corrente que se deslocam para frente e para trás e estão relacionadas a efeitos
eletromagnéticos. O quarto volume [3] concentra-se no projeto de circuitos e
sistemas de microondas usando módulos que apresentam um grande número de
módulos diferentes. Módulos é apenas outro termo para uma rede, mas a
implicação é que ela é empacotada e muitas vezes está disponível off-the-
INTRODUÇÃO ÀS REDES DE RF E MICROONDAS 3
prateleira. Outros tópicos neste capítulo que são importantes no projeto do sistema usando
módulos são considerados, incluindo métricas para descrever ruído, distorção e faixa dinâmica.
A maioria dos projetistas de microondas e RF constroem sistemas usando módulos
desenvolvidos por outros engenheiros especializados no desenvolvimento dos módulos.
Exemplos são módulos de filtro e chip de amplificador que, uma vez projetados, podem ser
usados em muitos sistemas diferentes. Grande parte do projeto de micro-ondas trata de
maximizar a faixa dinâmica, minimizar o ruído e minimizar o consumo de energia CC. O quinto
volume desta série [4] considera o projeto do amplificador e do oscilador e desenvolve as
habilidades necessárias para desenvolver os módulos.
Os livros da série Microwave and RF Design são:
• Projeto de microondas e RF: sistemas de rádio

• Projeto de microondas e RF: linhas de transmissão
• Microondas e Design RF: Redes
• Microondas e Design RF: Módulos
• Projeto de microondas e RF: amplificadores e osciladores
1.3 Referências
[1] M. Steer, Projeto de microondas e RF, sistemas [3] ——, Módulos, design de microondas e RF, 3ª
de rádio, 3ª ed. North Carolina State University, ed. North Carolina State University, 2019.
2019.
[2] ——, Projeto de microondas e RF, linhas de [4] ——, Projeto de microondas e RF, amplificadores e
transmissão, 3ª ed. North Carolina State osciladores, 3ª ed. North Carolina State University,
University, 2019. 2019.
CAPÍTULO 2
Análise de rede de micro-ondas
2,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Redes de

2,2 duas portas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Parâmetros de
2,3 dispersão. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Parâmetros de dispersão
2,4 generalizados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 Matrizes de parâmetros de
2,5 dispersão de duas portas comuns. . . . . . . . . . 30T ou Parâmetros de dispersão de
2,6 cadeia de duas portas em cascata. . . . . . 31 Relacionamentos de duas portas de
2,7 parâmetro de dispersão. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 Perda de retorno e perda de
2,8 inserção. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 Parâmetros de dispersão e linhas
2,9 acopladas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2,10 Resumo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2,11 Referências. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2,12 Exercícios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.1 Introdução
Os circuitos analógicos em frequências de até algumas dezenas de megahertz são
caracterizados por admitâncias, impedâncias, tensões e correntes. Acima dessas
frequências, não é possível medir a tensão, corrente ou impedância diretamente. Uma
razão para isso é que o equipamento de medição é separado do dispositivo por
comprimentos de linha de transmissão que são eletricamente longos (ou seja, pelo
menos uma fração apreciável de um comprimento de onda). É melhor usar grandezas
como reflexão de tensão e coeficientes de transmissão que podem ser facilmente
medidos e estão relacionadas ao fluxo de potência. Da mesma forma, no projeto de
circuitos RF e de micro-ondas, a potência dos sinais e do ruído é sempre de interesse.
Assim, há uma predisposição para focar em parâmetros de medição que estão
relacionados à reflexão e transmissão de potência.
Parâmetros de dispersão, S parâmetros, incorporam os efeitos de
reflexão e transmissão. Como será visto, é fácil convertê-los em
parâmetros de rede mais familiares, como parâmetros de admitância e
impedância. Neste capítuloS parâmetros serão definidos e relacionados
aos parâmetros de impedância e admitância, então será demonstrado que
o uso de S parâmetros ajudam no projeto e interpretação de circuitos de
RF.S parâmetros tornaram-se os parâmetros mais importantes para
engenheiros de RF e microondas e muitas metodologias de projeto foram
desenvolvidas em torno deles.
Figura 2-1: UMA

dois-
porta rede: (uma)
porta tensões; e
(b) com transmis-
linhas de ação nos
portos. (uma) (b)
Este capítulo apresenta a teoria do circuito de microondas que é baseada na

representação de estruturas distribuídas que são muito grandes para serem
consideradas adimensionais, por circuitos de elementos concentrados. As origens da
teoria do circuito de microondas foram nas décadas de 1940, 1950 e 1960 [1-3] com
extensões para redes com linhas de transmissão com perdas [4, 5].
2.2 Redes de duas portas

Muitas das técnicas empregadas na análise de circuitos exigem que a tensão em cada
terminal de um circuito seja referenciada a um ponto comum, como o aterramento. Em
circuitos de micro-ondas, geralmente é difícil fazer isso. Lembre-se de que com linhas de
transmissão não é possível estabelecer um ponto de aterramento comum. Porém, com
linhas de transmissão (e elementos de circuito que utilizam efeitos distribuídos) foi visto
que para cada corrente de sinal existe uma corrente de retorno de sinal. Assim, em
frequências de rádio e para circuitos que são distribuídos, as portas são usadas,
conforme mostrado na Figura2-1(a), que definem as tensões e correntes para o que é
conhecido como uma rede de duas portas, ou apenas duas portas.1 A rede na figura 2-1
(a) tem quatro terminais e duas portas. Uma tensão de porta é definida como a diferença
de tensão entre um par de terminais com um dos terminais do par se tornando o
terminal de referência. A corrente que entra na rede no terminal superior da Porta 1 éeu1
e há uma corrente igual saindo do terminal de referência. Esse arranjo claramente faz
sentido quando as linhas de transmissão são conectadas às portas 1 e 2, como na Figura
2-1(b). Com as linhas de transmissão nas portas 1 e 2, haverá tensões das ondas viajantes
e, nas portas, os componentes das ondas viajantes se somam para dar a tensão total da
porta. Ao lidar com circuitos não distribuídos, é preferível usar as tensões e correntes
totais da porta -V1, eu1, V2, e eu2, mostrado na Figura 2-1(uma). No entanto, com
elementos distribuídos, é preferível lidar com tensões de deslocamento e
correntes—V1+, V -1 , V +2 , e V - 2, mostrado na figura 2-1(b). RF e microondas

o design requer necessariamente a alternância entre as duas formas.
2.2.1 Reciprocidade, Simetria, Passividade e Linearidade

Reciprocidade, simetria, passividade e linearidade são propriedades
fundamentais das redes. Uma rede é linear se a resposta (tensões e correntes)
é linearmente dependente do nível do inversor e a superposição também se
aplica. Portanto, se as duas portas mostradas na Figura2-1(a) é linear, as
correntes eu1 e eu2 são funções lineares de V1 e V2. Um exemplo de rede linear
seria aquela com resistores e capacitores. Uma rede com diodo seria um
exemplo de rede não linear.
1 Mesmo quando o termo "duas portas" é usado sozinho, o hífen é usado, pois se refere a um
rede de duas portas.
ANÁLISE DA REDE DE MICROONDAS 7
Baseado em porta Global terrestre
(a) Com base em porta z parametros (b) z parâmetros com terreno global
(c) Com base em porta y parametros (d) y parâmetros com terreno global
(c) Com base em porta h parametros (d) h parâmetros com terreno global
Figura 2-2: o z-, y-, e h- circuitos equivalentes de parâmetro para representações de aterramento globais e
baseadas em portas. As imitâncias são mostradas como impedâncias.
Uma rede passiva não possui fontes internas de energia e, portanto, uma rede com
uma bateria embutida não é uma rede passiva. Uma porta simétrica de duas portas
possui as mesmas características em cada uma das portas. Um exemplo de rede
simétrica é uma linha de transmissão com seção transversal uniforme.
Uma porta recíproca de duas portas tem uma resposta na Porta 2 de uma excitação na
Porta 1 que é a mesma que a resposta na Porta 1 para a mesma excitação na Porta 2.
Como um exemplo, considere a duas portas na Figura 2-1(a) com V2 = 0. Se a rede for
recíproca, então a proporção eu2/ V1 com V2 = 0 será o mesmo que a proporçãoeu1/ V2
com V1 = 0. A maioria das redes com resistores, capacitores e linhas de transmissão, por
exemplo, são recíprocas. Um amplificador de transistor não é recíproco, como ganho,
análogo à relaçãoV2/ V1, está em apenas uma direção (ou unidirecional).
2.2.2 Parâmetros baseados na tensão e corrente total

Aqui, impedância baseada em porta (z), admissãoy), e híbrido (h) parâmetros serão
descritos. Estes são semelhantes aos mais convencionaisz, y, eh parâmetros
definidos em relação a um terreno comum ou global. As representações
contrastantes do circuito dos parâmetros são mostradas na Figura2-2.
Parâmetros de impedância
Em primeiro lugar, os parâmetros de impedância com base na porta serão considerados com
base nas tensões e correntes totais da porta, conforme definido para as duas portas na Figura
2-1. Esses parâmetros também são chamados de parâmetros de impedância de porta ou
apenas parâmetros de impedância quando o contexto é entendido como portas.
Parâmetros de impedância baseados em porta, ou z parâmetros, são definidos como
Figura 2-3: Equivalência de circuito

do z e y parâmetros para uma rede
recíproca (em (b) os elementos são
admitâncias). (uma) z parametros (b) y parametros
(a) Conexão em série (b) Conexão paralela ou shunt
Figura 2-4: Conexão de um elemento de dois terminais a um de duas portas.
V1 = z11eu1 + z12eu2 (2.1) V2 = z21eu1 + z22eu2, (2.2)
ou em forma de matriz como V = ZI. (2,3)
O subscrito duplo em um parâmetro é ordenado de forma que o primeiro se refira à

saída e o segundo se refira à entrada, então zeu j relaciona a saída de tensão na
porta eu para a entrada atual no porto j. Se a rede for recíproca, então z12 = z21, mas
esse tipo simples de relacionamento não se aplica a todos os parâmetros de rede. A
equivalência de circuito recíproco doz parâmetros é mostrado na Figura 2-3(uma).
Será visto que oz parâmetros são parâmetros convenientes para usar quando um
elemento está em série com uma das portas, como então a operação necessária
para desenvolver o z os parâmetros da rede maior são apenas acréscimos.
Figura 2-4(a) mostra a conexão em série de um elemento de dois terminais com uma
porta de duas portas designada como rede A. z parâmetros da rede A são
[ ]
z(UMA) z(UMA)
11 12 , (2,4)
ZUMA = z(UMA) z(UMA)
21 22
de modo a V 11 eu1 + z(UMA)

1 (A) = z(UMA) 12 eu2 (2,5) V2 = z(UMA) 22 eu2.
21 eu1 + z(UMA) (2,6)
Agora V1 = zI1 + V (A)1= zI1 + z(UMA) 11 eu1 + z(UMA)

12 eu2, (2,7)
então o z parâmetros de toda a rede podem ser escritos como

[ ]
z 0
Z= + Z.UMA (2.8)
0 0
EXEMPLO 2.1 Thevenin equivalente a uma fonte com duas portas
Qual é o circuito equivalente de Thevenin da

rede de duas portas terminada na fonte à
direita.
Circuito original Equivalente de Thevenin

Solução:
Equação (2.12) por Z12
Do circuito original
(Z22 + Zeu) V1 = (Z22 + Zeu) Z11eu1
V1 =Z11eu1 + Z12eu2 (2,9)
+ (Z22 + Zeu) Z12eu2 (2,13)
V2 =Z21eu1 + Z22eu2 (2,10)
Z12E = Z12Z21eu1 + Z12(Z22 + Zeu)EU2 (2.14)
V2 =E - eu2Zeu (2.11)
Subtraindo a Equação (2.14) da Equação (2.13)
Substituindo a Equação (2.11) na Equação (2.10)
E = Z21eu1 + (Z22 + Zeu)EU2 (2,12) (Z22 + Zeu) V1 - Z12E = [(Z22 + Zeu) Z11-]eu1
( )
Z12E Z 12Z21
Multiplicando a Equação (2,9) por (Z22 + Zeu) e V1 = + Z11 - eu1 (2,15)
Z22 + Z eu Z22 + Zeu
Para o circuito equivalente de Thevenin V1 = Eº + eu1Zº e entao
( )
Z12Z21 Z12E
Zº = Z11 - e Eº = (2.16)
Z22 + Zeu Z22 + Zeu
Parâmetros de admissão
Quando um elemento está em shunt com parâmetros de admitância baseados em porta de

duas portas, ou y parâmetros, são os mais convenientes de usar. Estes são definidos como
eu1 = y11V1 + y12V2 (2,17) eu2 =y21V1 + y22V2, (2,18)
ou em forma de matriz como I = YV. (2,19)
Agora, para reciprocidade, y12 = y21 e a equivalência de circuito do y parâmetros

é mostrado na Figura 2-3(b). Considere a conexão shunt de um elemento
mostrado na Figura2-4(b) onde o y parâmetros da rede A são
[ ]
y(UMA) y(UMA)
11 12 = Z-1UMA . (2,20)
YUMA = y(UMA) y(UMA)
21 22
As tensões e correntes da porta estão relacionadas da seguinte forma
eu(UMA) = y(UMA)
1 11 V1 + y(UMA) 12 V2 e 21 V1 + y(UMA)
eu2 = y(UMA) 22 V2 (2.21)
1 = (y + y(UMA)11 )V1 + y(UMA)

eu1 = yV1 + eu(UMA) 12 V2. (2.22)
Assim, o y parâmetros de toda a rede são

[ ]
y 0
Y= + Y UMA (2.23)
0 0
(uma) (b)
Figura 2-6: Exemplo de uma conexão em

série de redes de duas portas: (a) um
amplificador; e (b) seus componentes
Figura 2-5: Conexão em série de duas redes de duas portas. representados como redes de duas portas.
Parâmetros híbridos
Às vezes é mais conveniente usar parâmetros híbridos, ou h parâmetros,

definidos por
V1 = h11eu1 + h12V2 e eu2 = h21eu1 + h22V2, (2,24)
ou em forma de matriz como

[ ] [ ]
V1 eu1
=H . (2,25)
eu2 V2
Esses parâmetros são convenientes para uso com circuitos de transistor, pois descrevem
uma fonte de corrente controlada por tensão que é um modelo simples de um transistor.
A escolha de quais parâmetros de rede usar depende da conveniência, mas como será
visto ao longo deste texto, alguns parâmetros naturalmente descrevem uma
característica particular desejada em um projeto. Por exemplo, com a Porta 1 sendo a
porta de entrada de um amplificador e a Porta 2 sendo a porta de saída,h21 descreve o
ganho atual do amplificador.
2.2.3 Conexão em série de redes de duas portas

Uma conexão em série de duas portas é mostrada na Figura 2-5. Um exemplo de
quando a conexão em série ocorre é mostrado na Figura2-6, que é o esquema de
uma configuração de amplificador de transistor com um indutor na perna de
origem. O transistor e o indutor podem, cada um, ser representados como dois
portos de modo que o circuito da Figura2-6(a) é a conexão em série de dois dois
portos, como mostrado na Figura 2-6(b). A seguir, os parâmetros de duas portas do
circuito completo são desenvolvidos usando as descrições dos parâmetros de duas
portas das duas portas componentes. O procedimento com qualquer interconexão
é anotar as relações entre as tensões e correntes das redes constituintes. Quais
parâmetros de rede usar requerem a identificação do caminho aritmético que
requer o menor número de operações.
A álgebra simples relaciona os vários parâmetros totais de tensão e corrente.
Da Figura2-5,
Figura 2-7: Conexão paralela

de redes de duas portas.
(B) V (B) A) V (B)

+ , V2 = V ( 2 + ,
eu(UMA) eu(UMA)
= eu1(B) = eu1, V1 = V 1
(UMA)
1 2 = eu2 = eu2, 1 2
que em forma de matriz se
torna[] [ ][ ][ ] [ ][ ]
V (A) z(UMA ) z(UMA) eu(UMA) V (B) z(B) z(B) eu(B)
1 = 11 12 1 ; 1 = 11 12 1
V (A) z(UMA) A) (B) z(B) B) (B)
z22 eu2 V2 z22 eu2
(UMA)
2 21 ( 21 (
(2.26)
ou [ ] [ ]
V1 eu1
= (ZUMA + ZB) . (2,27)
V2 eu2
Assim, a matriz de impedância da conexão em série de duas portas é
Z = ZUMA + ZB. (2.28)
2.2.4 Conexão Paralela de Redes de Duas Portas

Os parâmetros de admissão são mais convenientemente combinados para obter os
parâmetros gerais da conexão paralela de duas portas da Figura 2-7. A tensão e a
corrente totais estão relacionadas por
V (A) A) eu(B)
1 = V (B)
1 = V1 (2,29) eu1 = eu1
( + 1 (2,31)
V (A) ) A) eu(B)
2 = V (B
2 = V2 (2,30) eu2 = eu2
( + 2 (2,32)
e [ ] [ ][ ]
y(UMA) A) V (A)
y12
eu(UMA)
1 11 ( 1
= y(UMA) A) V (A) (2,33)
y22
eu(UMA)
2 ( 2
[ ] [ 21 ][ ]
eu(B) y(B ) y(B) V (B)
1 = 11 12 1 . (2.34)
eu(B) y(B) y(B) V (B)
2 21 22 2
Então, o geral y relação de parâmetro é

[] [ ]
eu1 V1
= (YUMA + YB) . (2,35)
eu2 V2
Figura 2-8 é um exemplo de subcircuitos que podem ser representados como duas
portas que são conectadas em paralelo.
2.2.5 Conexão Série-Paralela de Redes de Duas Portas

Uma abordagem semelhante à da subseção anterior é seguida no
desenvolvimento dos parâmetros gerais da rede da conexão série-paralela de
Figura 2-8: Exemplo de conexão paralela de duas

portas: (a) um amplificador de realimentação; e (b) seus
componentes representados como redes de duas portas
A e B. (uma) (b)
Figura 2-9: Conexão série-paralela de

duas portas.
Figura 2-10: Cas-

cade de duas portas
redes.
duas portas mostradas na Figura 2-9. Agora,

) A) V (B)
+
eu(UMA)
1 = eu1(B = eu1 (2,36) V1 = V ( 1 1 (2,38)
V (A) A) eu(B)
2 = V (B)
2 = V2 (2,37) eu2 = eu2
( + 2 , (2,39)
e assim, usando parâmetros híbridos,
[] [ ][ ]
V (A) h(UMA) A)
eu
(UMA)
1 = 11 h12 1 ( (2,40)
A)
h21 V2
eu(UMA) (UMA) (UMA)
2 ( h22
[ ] [ ][ ]
V (B) h(B) h(B) eu(B)
1 = 11 12 1 . (2,41)
eu(B) h(B) h(B) (B)
2 21 22 V2
Colocando isso de forma compacta:
[ ] [ ]
V1 eu1
= (H UMA + HB) . (2,42)
eu2 V2
2.2.6 ABCD Caracterização de matriz de redes de duas portas

ABCD parâmetros são os melhores parâmetros para usar ao colocar dois ports em
cascata, como na Figura 2-10, e as relações totais de tensão e corrente são
necessárias. Primeiro, considere a Figura2-11, que coloca as tensões e correntes
Figura 2-11: Rede de duas portas com definições de tensão e

corrente em cascata.
em forma de cascata com as variáveis de entrada em termos das variáveis de saída:

[] [ ][ ]
Vuma UMA
B Vb .
= (2,43)
euuma C D eub
A relação de reciprocidade do ABCD parâmetros não é tão simples quanto para o z
e y parâmetros. Para ver isso, primeiro expresseABCD parâmetros em termos de z
parâmetros. Observe que a corrente na porta 2 está na direção oposta à definição
usual da corrente de duas portas mostrada na Figura2-1(uma). Então
Vuma = V1 (2,44) Vb = V2 (2,47)

euuma = eu1 (2,45) eub = -eu2 (2,48)
Vuma = z11euuma - z12eub (2,46) Vb = z21euuma - z22eub. (2,49)
z22 I + 1
Da Equação (2.49), euuma = b V,b (2,50)
z21 z21
e substituindo isso na Equação (2.46) produz
( )
z z
Vuma = 11 V b+ z11 22 - z 12 eub. (2,51)
z21 z21
Comparar as Equações (2.50) e (2.51) com a Equação (2.43) leva a
A = z11/ z21 B = ∆z/ z21

(2,52)
C = 1 /z21 D = z22/ z21,
Onde ∆z = z11z22 - z12z21. (2,53)
Reorganizando,
z11 = A / C z12 = (AD - BC) / C z22
(2,54)
z21 = 1 /C = D / C.
Agora, a condição de reciprocidade em termos de ABCD parâmetros podem ser

isto
determinados. Paraz parâmetros, z12 = z21 para reciprocidade; Equação é, de
(2.54), para
uma rede recíproca,
AD - BC 1
= e AD - BC = 1 (2,55)
C C
Assim, para uma rede de duas portas ser recíproca, AD - BC = 1 A utilidade
desses parâmetros é que o ABCD matriz da conexão em cascata de Nduas
portas na figura 2-10 é igual ao produto do ABCD matrizes das duas portas
individuais:
[ ] [ ][ ] [ ]
UMAB UMAB
11 UMAB
22 UMANB N
= ··· . (2,56)
C D C1 D1 C2 D2 CN DN
Veja a Tabela 2-1 para o ABCD parâmetros de várias redes de duas portas.
Tabela 2-1: ABCD parâmetros de várias duas portas. A linha de transmissão não tem perdas com uma
constante de propagação de β. (βℓ e θ são comprimentos elétricos de linhas de transmissão em radianos.)
Impedância em série, z Admissão de shunt, y

A=1 B=z A=1 B=0
C=0 D=1 C=y D=1
Transfo rmer, proporção n:1
Linha de transmissão, comprimento ℓ, Z0 = 1 /Y0
A = cos (βℓ) B = -Z0 sin (βℓ) D
A=n B=0
C = -Y0 sin (βℓ) = cos (βℓ)
C=0 D = 1 /n
Rede Pi Rede Tee
A = 1 + y2/ y3 B = 1 /y3 A = 1 + z1/ z3
C = y1 + y2 + y1y2/ y3 B = z1 + z2 + z1z2/ z3
D = 1 + y1/ y3 C = 1 /z3 D = 1 + z2/ z3
Stub em curto em série, comprimento elétrico θ Stub aberto em série, comprimento elétrico θ
A=1 B = -Z0 tan θ A=1 B = −-Z0/ (tan θ)D

C=0 D=1 C=0 =1
Stub em curto do shunt, comprimento elétrico θ Tubo aberto de shunt, comprimento elétrico θ
A=1 B=0 A=1 B=0

C = −- / (Z0 tan θ) D=1 C = - tan θ /Z0 D=1
2.3 Parâmetros de dispersão

Medição direta do z, y, h, e ABCD parâmetros requer que as portas sejam terminadas em
curto-circuito ou circuitos abertos. Para circuitos ativos, tais terminações podem resultar
em comportamento indesejado, incluindo oscilação ou destruição. Além disso, em RF é
difícil realizar uma boa abertura ou curto. Como os circuitos de RF são projetados com
muita atenção às condições máximas de transferência de potência, as terminações
resistivas são preferidas, pois estão mais próximas das condições reais de operação.
Assim, o efeito dos erros de medição terá menos impacto do que quando a extração de
parâmetros depende de aberturas e curtos imperfeitos. A essência dos parâmetros de
espalhamento (ouS parametros2) é que eles relacionam ondas que se deslocam para
frente e para trás em uma linha de transmissão, portantoS os parâmetros estão
relacionados ao fluxo de potência.
A discussão de S parâmetros começa considerando o coeficiente de
reflexão, que é o S parâmetro de uma rede de uma porta.
2.3.1 Coeficiente de Reflexão

O coeficiente de reflexão, Γ, de uma carga, como na Figura 2-12, pode ser determinado
medindo separadamente as tensões de deslocamento para a frente e para trás na linha
de transmissão:
V -(x)
Γ (x) = . (2,57)
V +(x)
2 Por razões históricas, um "S" maiúsculo é usado quando se refere a S parâmetros. Para a maioria dos outros
parâmetros de rede, letras minúsculas são usadas (por exemplo, z parâmetros para parâmetros de impedância).
Figura 2-12: Linha de transmissão de

impedância característica Z0 e
comprimento ℓ terminou em uma
carga de impedância Zeu.
Figura 2-13: Uma fonte equivalente Thevenin com

gerador Vg e impedância da fonte Zg terminou em uma
cargaZeu.
Γ na carga está relacionado com a impedância Zeu por
Zeu - Z0 ,
Γ (0) = (2,58)
Zeu + Z0
Onde Z0 é a impedância característica da linha de transmissão de conexão. Isso também
pode ser escrito como
Y0 - Yeu ,
Γ (0) = (2,59)
Y0 + Yeu
Onde Y0 = 1 /Z0 e Yeu = 1 /Zeu.
2.3.2 Coeficiente de reflexão com impedância de referência

complexa
Aqui, o coeficiente de reflexão de Zeu na figura 2-13 será desenvolvido com
relação à impedância de referência complexa Zg. A tensão total e a corrente na
carga são
Z eu Vg
V=V (2,60) e I= . (2,61)
g Zg + Zeu Zg + Zeu
Para desenvolver o coeficiente de reflexão, primeiro defina ondas equivalentes
que se deslocam para frente e para trás. Isso pode ser feito imaginando que
entre o gerador e a carga existe uma linha de transmissão de impedância
característicaZg que tem comprimento infinitesimal. A tensão incidente e as
ondas de corrente (V +, EU+) são a tensão e a corrente totais obtidas quando o
erator é conjugado com a carga (ou seja, Zeu = Z∗ g) Então, as equações de
a tensão e a corrente que se deslocam para a frente tornam-se3
Z∗g eu+= Vg 1
V + = Vg Zg + Z∗ = VZgg
∗2R {Z} g (2.62) . (2,63)
g 2R {Zg}
Agora volte a considerar a carga real, Zeu. A tensão e corrente refletidas (V -,
EU-) são obtidos calculando a tensão e a corrente reais na fonte usando as
relações
V = V ++ V - (2,64) Eu = eu+ + eu- (2,65)
3 Aqui ℜ é o operador real, que produz a parte real de um número complexo.

para determinar os componentes que se deslocam para trás. Nas Equações (2.64) e
(2.65), os componentes de deslocamento para a frente são aqueles nas Equações (2.62) e
(2.63). Da Equação (2.62),
Zg + Z∗ g ,
Vg = V + (2,66)
Z∗g
e das Equações (2.60), (2.64) e (2.66),

[ ]
Z eu Z g+ Z∗ g Z eu
V -= V - V += V - V += - 1 V+
g Zg + Zeu Zg∗ Zg + Zeu
[ ]
Z gZeu + Z∗gZL - Z∗ gZg - Z∗ gZeu
= V+
Z∗g (Zg + Zeu)
( )
Zeu - Z∗g Zg V + = ΓV V +. Zg
= ︸∗ (2,67)
Zeu + Z g
︸︷︷
ΓV
(
Zeu - Z∗g) Zg eu+ = Γeu eu+. Z
de forma similar eu- = - ∗ (2,68)
Zeu + Zg
︸︷︷ g︸
Γeu
ΓV é o coeficiente de reflexão da tensão, que geralmente é denotado apenas

como Γ, enquanto Γeu é o coeficiente de reflexão atual. É claro que ΓV = 0 = Γeu
quando Zeu = Z∗g e ΓV = −Γeu = (Zeu - Rg) / (Zeu + Rg) quando Zg é puramente
resistivo (ou seja, quando Zg = Rg) Geralmente, os coeficientes de reflexão são
definidos usando um puramente resistivoZg. Esta se torna a resistência de
referência, que é mais comumente referida como impedância de referência,Z0, ou,
se a mesma impedância de referência for usada, a impedância do sistema.
2.3.3 Duas portas S Parâmetros

Duas portas S parâmetros são definidos em termos de ondas viajantes em linhas de
transmissão com impedância característica real Z0 conectado a cada uma das portas da
rede, consulte a Figura 2-1(b):
V1- = S11V + 1+ S12V + 2 (2,69) V2- = S21V + 1+ S22V + 2 , (2,70)

Onde Seu j são o indivíduo S parâmetros. Na forma de matriz, as equações
acima tornam-se
[ ] [ ][ ] [ ]
V1- S 11 S 12 V1+ V1+
= =S . (2,71)
V2- S 21 S22 V2+ V2+
Individual S parâmetros são determinados medindo as ondas que se

deslocam para a frente e para trás com cargas Zeu = Z0 nos portos. Para a saída
linha a carga não pode refletir a potência e assim V + 2 = 0, então
∣
V1- ∣∣
S11 = . (2,72)
V1+ ∣ ∣
V 2+=0
Os três parâmetros restantes são determinados de forma semelhante e assim S22 é encontrado como
∣
V2- ∣∣
S22 = (2,73)
V2+ ∣ ∣
V 1+ = 0
e o parâmetro de transmissão como

∣
V2- ∣ ∣
S21 = ∣ . (2,74)
V1+ ∣
V 2+ = 0
S21 também é chamado de coeficiente de transmissão, T. Na direção inversa,

∣
V1- ∣∣
S12 = . (2,75)
V2+ ∣ ∣
V 1+ = 0
No acima Z0 é referido como o impedância de normalização ou equivalentemente o

impedância de referência. Em algumas circunstânciasZREF é usado para denotar a
impedância de referência para evitar possível confusão com uma impedância de linha de
transmissão que não é a mesma que a impedância de referência. oS parâmetros aqui
também são chamados de normalizados S parâmetros, e o Sos parâmetros são
normalizados para a mesma impedância de referência em cada porta. Ligando para eles
normalizado S parametros também carrega o significado adicional de que o S os
parâmetros são referenciados a uma impedância real.
As relações entre as duas portas S parâmetros e os parâmetros de rede
comuns são fornecidos na Tabela 2-2. É interessante notar queS21/ S12 = z21/ z12
= y21/ y12 = h21/ h12. Ou seja, a proporção dos parâmetros direto para reverso
(pelo menos paraS, z, y, e h parâmetros) são iguais e esta relação é uma para
um dispositivo recíproco. UmS parâmetro é uma relação de tensão, então
quando é expressa em decibéis Seu j|dB = 20 log (Seu j)
Uma rede recíproca tem S12 = S21. Se a energia da unidade flui em dois
porta (com portas terminadas na impedância de referência), uma fração, |
S11|2, é refletido e uma outra fração, |S21|2, é transmitido pela rede.
EXEMPLO 2.2 Duas portas S Parâmetros
O que são as S parâmetros de um atenuador de 30 dB?
Solução:
Um atenuador é mostrado com uma impedância do

sistema de Z0. Um atenuador ideal não tem reflexão em
cada uma das duas portas quando o atenuador está
embutido em sua impedância de sistema. Portanto Γno = 0
= ΓFora. Uma vez que não há reflexo da carga ou da fonte,
isso implica queS11 = 0 = S22.
Uma vez que este é um atenuador de 30 dB, a potência entregue à impedância de carga Z0 está
30 dB abaixo da potência disponível na fonte, portanto S21 = -30 dB = 0,0316. O atenuador é
recíproco e assim S12 = S21. Assim, oS parâmetros do atenuador são
[ ]
0 0,0316
S= . (2,76)
0,0316 0
Observe que a impedância de referência não precisa ser conhecida para desenvolver o S parâmetros.
Tabela 2-2: Duas portas S gráfico de conversão de parâmetros. oz, y, e h parâmetros são normalizados paraZ0.
Z′, Y ′, e H′ são os parâmetros reais. ParaABCD conversão de parâmetros, consulte a Seção 2.7.2.
S Em termos de S
z Z′11 = z11Z0 Z′12 = z12Z0 Z′21 = z21Z0 Z′22 = z22Z0

δz = (1 + z11) (1 + z22) - z12z21 δS = (1 - S11) (1 - S22) - S12S21
S11 = [(z11 - 1) (z22 + 1) - z12z21] / δz z11 = [(1 + S11) (1 - S22) + S12S21] / δS
S12 = 2z12/ δz z12 = 2S12/ δS
S21 = 2z21/ δz z21 = 2S21/ δS
S22 = [(z11 + 1) (z22 - 1) - z12z21] / δz z22 = [(1 - S11) (1 + S22) + S12S21] / δS
y Y 11′ = y11/ Z0 Y 12′ = y12/ Z0 Y 21′ = y21/ Z0 Y 22′ = y22/ Z0
δy = (1 + y11) (1 + y22) - y12y21 δS = (1 + S11) (1 + S22) - S12S21
S11 = [(1 - y11) (1 + y22) + y12y21] / δy y11 = [(1 - S11) (1 + S22) + S12S21] / δS
S12 = -2y12/ δy y12 = -2S12/ δS
S21 = -2y21/ δy y21 = -2S21/ δS
S22 = [(1 + y11) (1 - y22) + y12y21] / δy y22 = [(1 + S11) (1 - S22) + S12S21] / δS
h H′11 = h11Z0 H′12 = h12 H′21 = h21 H′22 = h22/ Z0
δh = (1 + h11) (1 + h22) - h12h21 δS = (1 - S11) (1 + S22) + S12S21
S11 = [(h11 - 1) (h22 + 1) - h12h21] / δh h11 = [(1 + S11) (1 + S22) - S12S21] / δS
S12 = 2h12/ δh h12 = 2S12/ δS
S21 = -2h21/ δh h21 = -2S21/ δS
S22 = [(1 + h11) (1 - h22) + h12h21] / δh h22 = [(1 - S11) (1 - S22) - S12S21] / δS
Figura 2-14: Uma rede terminada de duas portas com

linhas de transmissão de comprimento infinitesimal nas
portas.
2.3.4 Coeficiente de reflexão de entrada de uma rede terminada de

duas portas
Duas portas são mostradas na Figura 2-14 que termina na Porta 2 em uma carga com um
coeficiente de reflexão Γeu. As linhas em cada uma das portas são de comprimento
infinitesimal (ou seja,ℓ1 → 0 e ℓ2 → 0) e são usados para facilitar a visualização da
separação da tensão em componentes que se deslocam para frente e para trás. O
objetivo nesta seção é desenvolver uma fórmula para a reflexão de entrada
coeficiente Γno = V -1 /V +1 . Para o circuito na Figura 2-14 três equações podem
Ser desenvolvido:
V1- = S11V +1 + S12V 2+ (2,77)

V2- = S21V +1 + S22V 2+ (2,78)
V2+ = ΓeuV 2- , ou seja, V2- = V +2 / Γeu. (2,79)
Observe que V2- é

a onda de tensão que sai das duas portas, mas incide em
a carga Γeu. O objetivo aqui é eliminarV + 2 e V - 2 . Substituindo Equação
Figura 2-15: Elemento de derivação em forma de duas portas.
(2.79) na Equação (2.78) leva a
V2+/ Γeu = S21V + 1 + S22V 2+ (2,80)

( )
1 - S22Γeu
V2+ = S21 V1+ (2,81)
Γeu
( )
S 21 Γeu
V2+= V1+. (2,82)
1 - S 22Γeu
Agora, substituindo a Equação (2.82) na Equação (2.77), obtém-se

()
S21Γeu
V1- = S11V + 1 + S12 1 - S22Γeu V1+ (2,83)
e entao
S12S21Γeu .
Γno = S11 + (2,84)
1 - S22Γeu
2.3.5 Avaliação dos parâmetros de espalhamento de um elemento

Os parâmetros de dispersão podem ser derivados analiticamente para várias configurações de
circuito e, nesta seção, o procedimento é ilustrado para o elemento de derivação da Figura
2-15. O procedimento para encontrarS11 é combinar a porta 2 para que
V2+ = 0, então S11 é o coeficiente de reflexão na Porta 1:
Y0 - Yno ,
S11 = (2,85)
Y0 + Yno
Onde Yno = Y0 + Y, desde a terminação correspondente na Porta 2 (ou seja, Y0 = 1 /Z0)

desvia a admissão Y Assim
Y0 - Y0 - Y -Y
S11 = = . (2,86)
2Y0 + Y 2Y0 + Y
Pela simetria das duas portas,
S22 = S11. (2,87)
S21 é avaliada determinando a onda transmitida, V - 2, com a saída

linha combinada para que, novamente, uma admissão, Y0, é colocado na porta 2 e V + 2 = 0
Depois de alguma manipulação algébrica,
S21 = 2Y0/ (Y + 2Y0) (2,88)
é obtido. Uma vez que esta é claramente uma rede recíproca,S12 = S21 e todos os quatro S
parâmetros são obtidos. Um procedimento semelhante de aplicação seletiva de cargas
combinadas é usado para obter oS parâmetros de outras redes.
EXEMPLO 2.3 Cálculo do S Parâmetros de uma rede de duas portas
Derive as duas portas 50 Ω

Parâmetros S do circuito resistivo à
direita.
Solução:
Cálculo de S11. Isso envolve a terminação da Porta
2 na impedância de referência do sistema, 50 Ω, e
então calcular a impedância de entrada da rede
aumentada. Isso é então convertido em um
coeficiente de reflexão, que aqui éS11. O circuito de
cálculo está à direita. Agora
ZNO = 100 [25 $ (50 50)] Ω = 100 50 Ω = 33,33 Ω, (2,89)
Onde indica o cálculo da conexão paralela e $ indica o cálculo da conexão em série. Assim
ZNO - Z0 33,33 - 50
S11 = ΓNO = = = −0,2. (2,90)
ZNO + Z0 33,33 + 50
Cálculo de S21. Isso envolve a terminação da Porta 2 na impedância de referência do sistema, 50 Ω,e,
em seguida, calculando a onda de tensão progressiva na Porta 1 e a onda de tensão viajando reversa
na Porta 2. Observe que a onda de tensão viajando reversa na Porta 2 está deixando a porta dupla.
Uma vez que não há onda refletida da terminação

na porta 2, a tensão total na porta 2 é apenas V -2 . o
o circuito de cálculo está à direita.
V1
V1 = V +1 + V - 1= V+ 1 (1 + S11) → V + 1 = = 1,25V 1. (2,91)
1+S 11
A tensão na porta 1 é
V1 = eu1ZNO = 33,33eu1 → V +1 = 1,25 · 33,33eu1 = 41,66eu1. (2,92)
A próxima etapa é encontrar uma expressão para eu2:
V1 = eu1ZNO = 33,33eu1 = eu2(25 $ 50 50) = 50eu2. (2,93)
Reorganizando, 33,33
eu2 = eu1 50 = 0,6667EU1. (2,94)
Agora V2- = V2 = eu2(50 50) = 25eu2 = 16,67eu1. (2,95)
V- 16,67
2= = 0,4.
Então
S21 = (2,96)
V1+ 41,66
Cálculo de S12. A duas portas é uma rede recíproca (como são todas as redes com apenas R,
L, e C elementos) e assim S12 = S21.
Cálculo de S22. Usando um procedimento

semelhante ao usado para encontrar S11, o
circuito para o cálculo está à direita:
ZNO = 50 [25 $ (100 50)] Ω = 50 (25 $ 33,33) = 50 58,33 = 26,92 Ω. (2,97)
Portanto 26,92 - 50
S22 = ΓNO = = −0,3. (2,98)
26,92 + 50
Coletando o indivíduo S parâmetros:

[ ]
- 0,2 0,4
S= . (2,99)
0,4 - 0,3
2.3.6 Propriedades de uma porta de duas portas em termos de parâmetros S
As propriedades de maior interesse são se a rede de duas portas é sem perdas,

passiva ou recíproca.
Se uma rede não tiver perdas, toda a entrada de energia para a rede deve deixar
a rede. O incidente de energia na Porta 1 de uma rede é
∣ ∣∣2
∣ +
∣1 ∣
P+1 = ∣ 2V1 ∣ (2.100)
∣ Z0 ∣
e a energia que sai da porta 1 é

∣ ∣∣2
∣ -
∣1 ∣
P-1 = ∣ 2V1 ∣ . (2.101)
∣ Z0 ∣
Isso pode ser repetido para a Porta 2 e o fator 1 2/ Z0 aparece em todas as expressões.
Então, cancelando este fator, a condição para a rede ser sem perdas é
| S11|2 + |S21|2 = 1 e |S12|2 + |S22|2 = 1 (2.102)
Para que uma rede seja passiva, não pode sair mais energia da rede do que entra nela.
Portanto, a condição para a passividade é
| S11|2 + |S21|2 ≤ 1 e |S12|2 + |S22|2 ≤ 1 (2.103)
A reciprocidade requer que S21 = S12.
2.3.7 Transferência de dispersão ou T Parâmetros

S parâmetros relacionam ondas refletidas a ondas incidentes, misturando assim as
quantidades nas portas de entrada e saída. No entanto, ao lidar com redes em cascata, é
preferível relacionar as ondas viajantes nas portas de entrada às portas de saída. Esses
parâmetros são chamados de transferência de espalhamento (ouST)parâmetros, que
para uma rede de duas portas são definidos por
[] [ S
][ ]
V1- ST 11 T 12 V2+
= S V -, (2.104)
V1+ ST 21 T 22 2
Onde
[ S
]
T 11 ST 12
ST = . (2.105)
ST 21 ST 22
Figura 2-16: N-rede portuária

com ondas de tensão e corrente
viajando.
As duas portas ST parâmetros e S parâmetros são relacionados por

[ S
] [ ]
ST 11 T 12 - (S1 S1 22 - 1 S 2S21) / S21 (S11/ S21)
S = (2.106)
ST 21 T 22 - (S22/ S21) (1 /S21)
e
[ ] [ ]
S -1 S T-1 S
S 11 S12 T 12 S T 22 ( ST 11 -
S
T 12 22 T 21)
= ST-1 ST-1 S . (2,10 7)
S21 S22 22 - 22 T 21
Muitas vezes o ST parâmetros são chamados T parâmetros, mas existem pelo

menos dois tipos de T parâmetros, por isso é necessário ser específico. (Outra
forma será introduzida na Seção 2.6.) Se as redes A e B tiverem parâmetrosSTUMA e
STB, então o ST parâmetros da rede em cascata são
ST = STUMA · STB. (2.108)
Existem duas formas de espalhamento T parâmetros. Aqui, os parâmetros de

transferência de espalhamento são designados como oST parâmetros, mas
frequentemente T por conta própria é usado. A outra forma mais comum são os
parâmetros de espalhamento da cadeia que serão considerados na Seção 2.6.
2.4 Parâmetros de dispersão generalizados

Os parâmetros de espalhamento até agora são conhecidos como normalizados S
parâmetros porque eles têm a mesma impedância de referência em cada porta. No
entanto, a qualificação 'normalizado' não é usada, a menos que seja necessário
distingui-los de uma forma mais geral deS parâmetros. Nesta seção generalizadoS
parâmetros que têm impedâncias de referência diferentes em cada uma das portas
são considerados. Eles são particularmente úteis no projeto de amplificadores, mas
também são úteis em medições onde a impedância do sistema de um projeto pode
não ser a mesma que a impedância de referência do sistema de medição. Por
exemplo, um RFIC pode ter uma impedância de sistema de100 Ω, mas o sistema de
medição tem uma impedância de referência de 50 Ω.
2.4.1 O N-Port Network

o N-A rede de portas é uma generalização de duas portas, como você deve ter
adivinhado. Uma rede com muitas portas é mostrada na Figura2-16. Novamente,
cada porta consiste em um par de terminais, um dos quais é a referência de tensão.
Cada porta possui correntes iguais e opostas nos dois terminais. As tensões
incidente e refletida em qualquer porta podem ser relacionadas entre si usando o
relação de matriz de parâmetro de espalhamento de tensão:

- - - - -
V1- S11 S12 ... S1N V1+
- - - - S21 S22 ... S2N -- V2
+ -
- V2 - - -
-. -=- - -, (2.109)
- .. - - ...
... - ... -
+
VN- SN1 SN2 ... SNN VN
ou em forma compacta, V- = SV+ . (2.110)
como Observe que

Veu-
Seu j = . (2.111)
Vj +
V k+=0 para k =j
Em palavras, Seu j é encontrado dirigindo no Porto j com uma onda incidente de voltagem
Vj +e medindo a onda refletida V - eu no porto eu, com todas as portas exceto
j terminado em uma carga correspondente. Os coeficientes de reflexão e transmissão também
podem ser definidos usando a relação acima, desde que as portas sejam terminadas em cargas
correspondentes:
• Sii : coeficiente de reflexão visto olhando para o porto eu

• Seu j : coeficiente de transmissão de j para eu.
2.4.2 Ondas de energia

o S os parâmetros usados até agora têm a mesma impedância de referência em cada
porta. Eles podem ser generalizados de forma que as impedâncias de referência em cada
porta possam ser diferentes. Eles são úteis se o sistema real que está sendo considerado
tem diferentes condições de carregamento nos portos. GeneralizadoS parâmetros,
denotados aqui como GS, são definidas em termos das chamadas ondas de potência raiz,
que por sua vez são definidas usando ondas de voltagem que se deslocam para frente e
para trás. Considere oN-rede de portas da Figura 2-16, onde o na porta tem uma linha de
transmissão de referência de impedância característica Z0n, que pode ter comprimento
infinitesimal. A linha de transmissão nona porta serve para separar a tensão de
-
deslocamento para frente e para trás (V + n e Vn ) e atual (eu+ n
e eu- n ) ondas.
A matriz de impedância característica de referência Z0 é uma matriz diagonal, Z0
= diag (Z01 . . .Z0n . . .Z0N), e as ondas de energia raiz no no porto, uman ebn, são
definidos por
+
uman = Vn / ℜ {Z0n} e bn = V -n / ℜ {Z0n}, (2.112)
e mostrado na Figura 2-17 e muitas vezes são chamados apenas de poder wav√ es. A unidade de
a uma e b valores é a potência raiz, ou seja, no sistema de unidades SI, W. In matrix
forma
-
a = Z-1/2
0 V+ = Y1/2 0 V+, b = Z-1/2
0 V= Y1/2 0 V,- (2.113)
- 1/2b,
V+ = Z1/2 0 a = Y-1 0 / 2uma, V- = Z1/2 0 b = Y0 (2.114)
Onde
a = [uma1 . . .uman . . .umaN] b = [b1 . . .bn . . .bN]T, (2.115)
T,V+ = [V + 1 . . . Vn+ . . . VN+ ] T, V- = [V - 1. . .V - n . . .V - N ] T, (2.116)
Figura 2-17:
N-portos definidor
a uma e b ondas de
energia de raiz: (a) portas
de dois terminais; e (b)
portos por conta própria. (uma) (b)
e a matriz de admitância característica é Y0 = Z-1 0 . As ondas de energia são

interpretado como descrevendo o fluxo de energia:
√
√1 |uman|
2
= ort n
potência incidente em P
√1 |b
√
e 2 n|
= energia saindo do porto n. (2.117)
Ou seja, por exemplo, a potência incidente (ou disponível) no Porto n, referenciado

para Z0n, é 12 |uman|2 e a potência refletida no porto é 1 2 |bn|2. Daí o poder
entregue pelo no porto é 1 2 (|bn|2 - |uman|2)
Após alguma manipulação, pode ser mostrado que em cada linha de referência as ondas de
energia podem ser relacionadas com as tensões e correntes totais como
V + Z0eu V - Z∗eu
0
= √
uma e b= √ , (2.118)
2 ℜ {Z0} 2 ℜ {Z0}
Onde V e eu são vetores de tensão total e corrente total. Agora, generalizadoS

parâmetros podem ser formalmente definidos como
b = GSá, (2.119)
G
portanto Y01/2 V- = GSY1/2 0 V+, e entao V- = Y-1/2 0 0 V+ . Isso reduz
SY1/2
para V- = GSV+ quando todas as linhas de transmissão de referência têm a mesma
impedância característica. No entanto, quando as portas têm impedâncias de referência
diferentes,SV é usado para parâmetros de espalhamento de tensão e Seu para parâmetros
de espalhamento atuais, onde V- = SV V+ e eu- = Seueu+.
As seguintes relações de conversão também podem ser derivadas:
1
Seu = ℜ {Z0}- 1 2G Sℜ {Z0} 2 (2.120)
1
SV = Z0ℜ {Z0}-1 2G Sℜ {Z0} 2 {Z∗ 0}-1, (2.121)
1 √√ √
Onde ℜ {Z0} 2 = diag { ℜ {Z01}, ℜ {Z02},. . . , ℜ {Z0n}}
Lembre-se disso GS é em termos de uma e b, Seu é em termos de eu- e eu+, e SV
é em termos de V- e V+ . Quando as impedâncias da porta e as resistências de referência são
reais, as Equações (2.120) e (2.121) assumem as formas mais simples
1
Seu = -R-1 o
2G
SR2 0 = - S, G (2.122)
SV = R0 R-2 G 1
SR0 R0
1
2
∗ -1 = R0 (R∗
-1 G
S = GS, (2.123)
0 0)
1 √ √ √
Onde R0 2 = diag { R01, R02,. . . , R0n}, com R0n sendo a referência
resistência no nª porta. Além disso, se as resistências de referência em cada porta são as
mesmas, todas as várias definições de parâmetros de espalhamento tornam-se
equivalente (ou seja, SV = -Seu = GS = S), Onde S é o normalizado Smatriz de

parâmetros, também chamada de normalizada S matriz de parâmetros.
A condição de reciprocidade para generalizada S parâmetros é GS12 =
GS21Z01/ Z02.
EXEMPLO 2.4 Parâmetros de dispersão generalizados de uma conexão direta
Desenvolva os parâmetros de
espalhamento generalizados de
uma conexão direta com uma
impedância de referência Z01
na porta 1 e uma impedância (uma) (b) (c)
de referência Z02 na porta 2.
Solução:
A conexão direta é mostrada em (a) e em (b) é a configuração para determinar S11 Como
V2+= 0 = uma2 uma vez que a porta 2 é terminada em Z02. Então
GS Z02 - Z01 GS Z01 - Z02
11 = Γno = e similarmente 22 = = -GS11 (2.124)
Z02 + Z01 Z02 + Z01
A Figura (b) é usada para determinar S21 como aqui V 2+ = 0 = uma2
√ √
V2- = b2 ℜ {Z02} = V1 = V + 1+ V- 1= V+ 1 (1 + S11) = uma1 ℜ {Z01} (2.125)
Assim,
∣ √ √
GS21 = b2 ∣∣ ℜ {Z01} ℜ {Z02}
=√ (1 + GS11) e também GS12 = √ (1 + GS22) (2.126 )
uma ∣ 2 =0
1 uma ℜ {Z02} ℜ {Z01}
A matriz de parâmetro de espalhamento generalizado do meio é

[ √ ]
1 √Z02 - Z01 2Z01 ℜ {Z02} /ℜ {Z01}
GS = (2.127)
Z01 + Z02 2Z02 ℜ {Z01} /ℜ {Z02} Z01 - Z02
[ √ ]
1 Z√02 - Z01 2 Z01Z02
e de verdade Z01 e Z02 GS = (2.128)
Z01 + Z02 2 Z01Z02 Z01 - Z02
Para normalizado S parâmetros, as impedâncias de referência nas portas são as mesmas, ou

seja, Z01 =Z0 = Z02, e o normalizado S parâmetros do meio são (como esperado)
[ ]
0 1
S = NS = . (2.129)
1 0
2.4.3 Parâmetros de dispersão em termos de uma e b ondas

Anteriormente S os parâmetros foram definidos em termos de ondas de tensão de
deslocamento para frente e para trás, consulte a Seção 2.3.3 e a Equação (2.71). Essa definição
é adequada se apenas uma impedância de referência for usada em todo. Uma forma mais
geral deS parâmetros usa o uma e b ondas de energia raiz. Isso ainda é válido se apenas uma
impedância de referência for usada, mas eles também podem ser usados quando as portas
têm impedâncias de referência diferentes. Esta definição mais geral
para uma rede de duas portas, em relação à Figura 2-18, é
[] [ ][ ]
b1 S11 S12 uma1
= . (2.130)
b2 S21 S22 uma2
Mesmo que as impedâncias de referência nas portas 1 e 2 sejam diferentes. Se a
impedância das referências for a mesma e real, o caso usual, o espalhamento
os parâmetros são idênticos quando usados para relacionar as ondas de tensão viajando
como a seguir:
[ ] [ ][ ]
V1- S 11 S 12 V1+
= . (2.131)
V2- S 21 S22 V2+
2.4.4 Normalizado e Generalizado S Parâmetros

S parâmetros medidos em relação a uma resistência de referência comum são
referidos como normalizados S parâmetros. Em quase todos os casos, medidoS
parâmetros são normalizados para 50 Ω, Como 50 Ω cabos e componentes são
usados em sistemas de medição. Em outras palavras,Z01 = Z02 = . . =Z0N = R0 (= 50 Ω).
Generalizado S parâmetros podem ser usados para simplificar o processo de
design de dispositivos como amplificadores. Por exemplo, muitas vezes é
conveniente usar as impedâncias de entrada e saída de um amplificador como as
impedâncias de normalização. Além disso, muitas vezes é desejável ser capaz de
converter entre medidasS parâmetros (normalizados para 50 Ω) e generalizado S
parâmetros. DeixarNS ser o medido (normalizado) S matriz de parâmetros. (Então
NS é o convencional S matriz de parâmetros.) O desenvolvimento é tedioso, mas
pode-se mostrar que o generalizado S parâmetros são
GS = (D∗)-1(NS - Γ∗) (U - Γ NS)-1D, (2.132)
Onde você é a matriz unitária (U = diag (1, 1,..., 1)), R0 é a impedância de

referência do normalizado S parâmetros, NS, e D é uma matriz diagonal
com elementos
√
Dii = |1 - Γ∗ eu |-1(1 - Γeu) 1 - | Γeu|2 (2.133)
Γeu = (Z0eu - R0) (Z0eu + R0)-1 i = 1, 2,. . . ,N, (2.134)
e Γ é uma matriz diagonal com elementos Γeu. Z0eu é a impedância do sistema na porta eu
para o qual o generalizado S os parâmetros devem ser consultados.
2.4.5 Alteração da impedância de referência

O resultado na seção acima pode ser usado para alterar os parâmetros de espalhamento
referenciados a uma impedância real R1 (ou seja, R1S) aos parâmetros de espalhamento
referenciados a R2 (ou seja, R2S). Observe que R1S e R2S são os convencionais ou
normalizados S parâmetros. Os elementos nas Equações (2.133) e (2.134) tornam-se
√ √
Dii = D = |1 - ΓR2|-1(1 - ΓR2) ΓR2 = ( 1 - | ΓR2|2 = 1 - | ΓR2| 2 (2.135)
R2 - R1) (R2 + R1)-1, (2.136)
e | ΓR2| <1 Então a Equação (2.132) torna-se
R2S = D-1(R1S - Γ) (U - ΓR1S)-1D = (R1S - Γ) (U - ΓR1S)-1 (2.137)
Figura 2-18: Definição de S parâmetros em termos de uma e b raiz

ondas de energia. uma1 = V + 1 /ℜ {Z01}, b1 = V - 1 /ℜ {Z01}, uma2 =
V2+/ℜ {Z02}, b2 = V - 2 /ℜ {Z02} A potência do incidente na porta 1 (2) é |uma1|2
) A energia que sai da porta 1 (2) é |b1|2 (|b2 2)
(|uma22
Desde a D é uma matriz diagonal com todas as entradas diagonais iguais. Então, por um duplo
[ R2S R2
]
R2S = 11 S12
R2S R2
21 S22
[ R1S RS
1 12
][ ]-1
11 - Γ R2 1 - Γ R2 R1 S11 - ΓR2 R1
S12
= R1S21 R1S22 - ΓR2 R1S22 .
- ΓR2 R1 S21 1 - ΓR2
(2.138)
EXEMPLO 2.5 Mudança de impedância de referência
Um atenuador tem o 50 Ω S parâmetros:

[ ]
0 0,3162
50S = . (2.139)
0,3162 0
O que são as S parâmetros referenciados a 75 Ω?

Solução:
A conversão usa a Equação (2.138) com R1 = 50 Ω e R2 = 75 Ω.
Então Γ75 = (75 - 50) / (75 + 50) = 0,2. Assim, o S parâmetros referenciados a 75 Ω estão
[ 50 50
][ 50 50
]
S 11 - Γ75 S12 1 - Γ75 S11 -Γ 75 S12
75S = 50S 50 50S22
21 S22 - Γ75 - Γ 50
75 S21 1 - Γ75
[ ][ ]
- 0,2 0,3162 1 - 0,2 · 0,3162
=
0,3162 - 0,2 - 0,2 · 0,3162 1
[ ][ ][ ]
- 0,2 0,3162 1 0,06324 - 0,18 0,3036
= = . (2.140)
0,3162 - 0,2 0,06324 1 0,3036 - 0,18
2.4.6 Passividade em termos de parâmetros de dispersão

Considere um N-porto caracterizado por sua matriz de dispersão generalizada
S. A potência média dissipada no N-porto é
1 ∑N ( )
2
P= (|umaeu| - |beu |2) = 12 uma∗Ta - b∗Tb, (2.141)
2 i =1
]
e entao P = 1 2uma∗T [ U - (S∗)TS uma. (2.142)
Acima, o conjugado, uma∗, da matriz uma é obtido de uma tomando o

conjugado complexo de cada elemento. Para um passivoN-porta,
U - (S∗)TS ≥ 0 para todos os reais ω, (2.143)
Isso também pode ser escrito em forma de resumo como
∑N
SkjS∗ kj = Pj. (2.144)
k =1
Pj = 1 para todos j se a rede estiver sem perdas. Para uma rede ser passivaPj ≤ 1 para
todos j. Examinando o S parâmetros podem ser determinados rapidamente
se uma rede é sem perdas, com perdas ou talvez tenha ganho.
Para um sem perdas N-porta, U - S∗TS = 0 (2.145)
Reorganizando, tomando a transposição de ambos os lados e observando que vocêT = você
S∗ST = VOCÊ. (2.146)
Isso é conhecido como condição unitária. Ou seja, para um sem perdasN-porta
-1
S ∗= ST . (2.147)
O resultado importante aqui é que, para uma rede sem perdas (essas são as condições
unitárias)
N
S kjSkj∗= 1 (2.148)
k =1
N
SkiSkj∗ = 0 para eu não é igual a j. (2.149)
k =1
2.4.7 Representação da Matriz de Impedância

Nesta secção N-porta S parâmetros estão relacionados a N-porta z parâmetros. A
relação básica de tensão e corrente em qualquer porta usando impedâncias é
- - - - -
V1 z11 z12 ... z1N eu1
- V2 - - z21 z22 ... z2N -- eu2--
- - -
- - =- ... - -, (2.150)
- ... - - ... - ... -
VN zN1 zN2 ... zNN euN
ou em forma compacta como V = ZI . (2.151)
Z é recíproco se zeu j = zji. oz parâmetros definidos aqui são mais formalmente chamados de
baseados em porta z parâmetros, já que as variáveis de tensão e corrente são grandezas de
porta.
Relacionando z e S parâmetros começa relacionando a tensão total e a
corrente no no plano terminal para as ondas de tensão e corrente viajando. Da
Figura2-16,
Vn = V +n + V - n , e eun = eun+ - eu-n , (2.152)
e em forma vetorial
V = V + + V- Eu = eu+ + eu-
(2.153)
V+ = Z∗ 0eu+ V- = -Z0eu-,
Onde Z0 = diag (Z01, Z02,. . . , Z0N) (e z0n pode ser complexo). Após alguma
manipulação algébrica, as seguintes relações são obtidas:
SV = [U + ZZ-1 -1 0 ] [Z (Z∗ 0)-1 - VOCÊ] (2.154)

Z = [U + SV ] [Z∗ -10- Z-1 0 (SV )]-1. (2.155)
Observe que SV é a matriz de parâmetro de espalhamento de tensão. Eles estão

relacionados à matriz de parâmetro de espalhamento generalizado pela Equação (2.123).
Para normalizadoS parâmetros, a mesma impedância de referência real é usada em
todas as portas (Z0n = Z0, n = 1,. . . ,N), então as Equações (2.154) e (2.155) tornam-se
S = [Z + Z0VOCÊ]-1 [Z - Z0VOCÊ] e Z = Z0 [U + S] [U - S]-1 . (2.156)
2.4.8 Representação da Matriz de Admissão

Nesta secção, N-porta S parâmetros estão relacionados a N-porta y parâmetros. As correntes e
tensões estão relacionadas como
- - - - -
eu1 y11 y12 ... y1N V1
- eu2- - y21 y22 ... y2N -- V2 --
- - -
- -=- - - , (2.157)
- ... - - ...
... - ... -
euN yN1 yN2 ... yNN VN

ou em forma compacta, o baseado em porta y parâmetros são
I = YV. (2.158)
Usando uma abordagem semelhante à da subseção anterior, a relação entre S e y

parâmetros podem ser desenvolvidos. O desenvolvimento será feito de forma
ligeiramente diferente e este desenvolvimento é aplicável a parâmetros de
espalhamento generalizados. Primeiro, considere a relação da tensão total da porta
V = [V1 . . .Vn . . .VN]T e atual I = [eu1 . . .eun . . .euN]T para ondas de tensão e corrente
que se deslocam para a frente e para trás:
V = V+ + V- e Eu = eu+ + eu-, (2.159)
Onde eu+ = Y0V+ = Y1/2 0 uma e eu- = -Y0V- = -Y1/2 0 b. (Cada elemento
do Y0, Y0n = 1 /Z0n e pode ser complexo.) Usando ondas viajantes, a Equação
(2.158) torna-se
eu+ + eu- = Y (V+ + V-)Y0(V (2.160)

+- V-) = Y (V+ + V-) (2.161)
Y0(1 - Y-1/2SY
0 1/2 0 )V+ = S (1 + Y-1/2SY1/2
0 0 ) V+, (2.162)
e então o porto y parâmetros em termos de parâmetros de espalhamento

generalizados são
2
Y = Y0(1 - Y-1/2GSY
0 1/2 0) (1 + Y-1/2G0 SY1 0/ )-1. (2.163)
Alternativamente, a Equação (2.161) pode ser reorganizada como
(Y0 + S) V- = (Y0 - S) V+ (2.164)

V- = (Y0 + Y)-1(Y0 - S) V+ (2.165)
Y-1/2
0 b = (Y0 + Y)-1(Y0 - S) S-1/2uma. 0 (2.166)
Comparando isso com a definição de generalizado S parâmetros na Equação

(2.119) leva a
GS = Y1/20 (Y0 + Y)-1(Y0 - S) S-1/2. 0 (2.167)

Microwave and RF Design Networks. Volume 3-1-48.en - PT

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Microwave and RF Design Networks. Volume 3-1-48.en - PT

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Traduzido do Inglês para o Português - www.onlinedoctranslator.

Michael Steer Terceira edição

ISBN 978-1-4696-5694-6 (brochura) ISBN

Publicado pela NC State University

Distribuído pela University of North Carolina Press

A série de livros Microondas e Design RF é um tratamento abrangente de

• Microondas e Design RF: Sistemas de Rádio, Volume 1

O comprimento e o formato de cada um são adequados para impressão e encadernação automáticas.

Volume 1: Microondas e Design RF: Sistemas de Rádio

Volume 2: Microondas e Design RF: Linhas de Transmissão

em torno de efeitos indesejáveis. O projeto detalhado de um acoplador direcional é

Volume 3: Microondas e Design RF: Redes

Volume 4: Microondas e Design RF: Módulos

Volume 5: Microondas e Design RF: Amplificadores e Osciladores

Um recurso importante desta série de livros é o uso de estudos de caso do mundo

Os sistemas são desenvolvidos começando com requisitos difusos para componentes e

Os materiais suplementares disponíveis para instrutores qualificados que adotam o

Muitas pessoas ajudaram na produção deste livro. Na primeira edição, fui

3GPP©R é uma marca registrada do European Telecommunications

Todas as outras marcas registradas são propriedades de seus respectivos proprietários.

1 Introdução às Redes RF e Microondas . . . . . . . . . . . . 1

2 Análise de rede de micro-ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.8.3 Medição da perda de inserção. . . . . . . . . . . . . . Perda 39

3 Análise Gráfica de Rede . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

4 medições de microondas ....................... 89

4.3.6 Calibração de duas camadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

5 componentes passivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

5.13.1 Híbridos de ramal baseados em linhas de transmissão. . 150

6 Combinação de impedância .......................... 159

7 Correspondência de banda larga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .205

7,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Limites de Fano- 205

1,1 Introdução às redes de micro-ondas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1 Introdução às redes de micro-ondas

sistemas de sensores. Assim, maximizar a transferência de potência é fundamental e a técnica de

1.2 Esboço do livro

O quarto capítulo, Capítulo 4, discute as medições de microondas e como as

• Projeto de microondas e RF: sistemas de rádio

Análise de rede de micro-ondas

2,1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Redes de

Figura 2-1: UMA

Este capítulo apresenta a teoria do circuito de microondas que é baseada na

2.2 Redes de duas portas

correntes—V1+, V -1 , V +2 , e V - 2, mostrado na figura 2-1(b). RF e microondas

2.2.1 Reciprocidade, Simetria, Passividade e Linearidade

Baseado em porta Global terrestre

2.2.2 Parâmetros baseados na tensão e corrente total

Figura 2-3: Equivalência de circuito

(a) Conexão em série (b) Conexão paralela ou shunt

Figura 2-4: Conexão de um elemento de dois terminais a um de duas portas.

V1 = z11eu1 + z12eu2 (2.1) V2 = z21eu1 + z22eu2, (2.2)

ou em forma de matriz como V = ZI. (2,3)

O subscrito duplo em um parâmetro é ordenado de forma que o primeiro se refira à

de modo a V 11 eu1 + z(UMA)

Agora V1 = zI1 + V (A)1= zI1 + z(UMA) 11 eu1 + z(UMA)

então o z parâmetros de toda a rede podem ser escritos como

EXEMPLO 2.1 Thevenin equivalente a uma fonte com duas portas

Qual é o circuito equivalente de Thevenin da

Circuito original Equivalente de Thevenin

Quando um elemento está em shunt com parâmetros de admitância baseados em porta de

eu1 = y11V1 + y12V2 (2,17) eu2 =y21V1 + y22V2, (2,18)

ou em forma de matriz como I = YV. (2,19)

Agora, para reciprocidade, y12 = y21 e a equivalência de circuito do y parâmetros

As tensões e correntes da porta estão relacionadas da seguinte forma