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COLGIO DO INSTITUTO BATISTA AMERICANO

PROF. ABIMAILTON PRATTI DA SILVA


Rua Mariana N. 70 Retiro VoIta Redonda -
TeIefone: (24) 33381279
Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II
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INDICE
INTRODUCO 7
1.0 APLICACO DO TRANSISTOR COMO CHAVE 7
2.0 PRO1ETOS DE CIRCUITOS DE POLARIZACO 9
2.1 PRO1ETO DE UM CIRCUITO DE POLARIZACO FIXADA COM RE 9
2.2 PRO1ETO DE UM CIRCUITO POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO 10
3.0 AMPLIFICADORES 12
3.1 CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DE DESVIO 12
3.2 FORMAS DE ONDA NO TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 13
3.2.1 AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM 13
3.2.2 GANHO DE CORRENTE (Ai) 14
3.2.3 GANHO DE TENSO (Av) 14
3.2.4 GANHO DE POTNCIA (Ap) 14
3.2.5 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 14
3.3 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM (OU SEGUIDOR DE EMISSOR) 15
3.3.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) 15
3.3.2 GANHO DE TENSO (Av) 15
3.3.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) 15
3.3.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 16
3.4 AMPLIFICADOR BASE COMUM 16
3.4.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) 17
3.4.2 GANHO DE TENSO (Av) 17
3.4.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) 17
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3.4.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 17
3.4.5 COMPARACO ENTRE OS CIRCUITOS AMPLIFICADORES 17
4.0 CONFIGURACO DARLINGTON 17
5.0 FONTE DE TENSO ESTABILIZADA 18
5.1 REGULADOR SRIE 19
5.1 .1 REVISANDO AS CARACTERISTICAS DA CURVA DO ZENER 19
5.2 ANLISE DO CIRCUITO REGULADOR SRIE 20
5.2.1 INTERPRETANDO O CIRCUITO REGULADOR SRIE 20
5.2.2 LIMITACES DO REGULADOR SRIE 20
6.0 REGULADORES DE TENSO EM CI COM TRS TERMINAIS 23
6.1 78XX - REGULADOR DE TENSO POSITIVA 24
6.2 79XX - REGULAGOR DE TENSO NEGATIVA 24
6.3 CIS REGULADORES DE TENSO POSITIVA SRIE 78XX 25
6.4 CIS REGULADORES DE TENSO NEGATIVA SRIE 79XX 25
7.0 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (TEC ou FET) 26
7.1 SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 27
7.2 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 27
7.2.1 CARACTERISTICA DRENO-FONTE 28
7.2.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERNCIA 29
7.3 PARAMETROS DO FET 30
7.3.1 IDSS - CORRENTE DE SATURACO DRENO-FONTE 30
7.3.2 Vp VGSoff - TENSO DE CORTE (ESTRANGULAMENTO) PORTA-FONTE 30
7.3.3 BVGSS - TENSO DE RUPTURA FONTE-PORTA 30
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7.3.4 gm gfs - TRANSCONDUTANCIA DE TRANSFERNCIA DIRETA EM FONTE
COMUM 31
7.3.5 rds(on) - RESISTNCIA DRENO-FONTE PARA O DISPOSITIVO LIGADO 31
7.4 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) 31
7.4.1 POLARIZACO FIXADA 31
7.4.2 AUTOPOLARIZACO 32
7.4.3 POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO 35
8.0 MOSFET (SEMICONDUTOR FET DE OXIDO METALLICO) 37
8.1 MODO TIPO DEPLECO 37
8.2 MODO TIPO INTENSIFICACO ( ENRIQUECIMENTO) 38
8.2.1 SIMBOLOGIA DO MOSFET DO MOSFET TIPO DEPLECO 38
8.3 CURVAS DE DRENO 38
8.4 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA 39
8.5 MOSFET DO TIPO INTENSIFICACO 40
8.5.1 TENSO DE LIMIAR 41
8.5.2 CURVAS DE DRENO 41
8.5.3 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA 41
8.5.4 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO INTENSIFICACO 42
8.6 APLICACES DO MOSFET 43
8.6.1 MOSFET COMO CHAVE 43
APNDICE 1 - IDENTIFICACO DE TERMINAIS E TESTE DE TRANSISTORES 45
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INTRODUCO
Todo o desenvolvimento alcancado pelo homem no seculo XX tem uma
intima relaco com o desenvolvimento dos dispositivos eletrnicos. Hoie, qualquer
Iato ocorrido em algum canto do mundo pode ser noticiado no mesmo instante para
todo o planeta. Podemos assistir ao vivo iogos de Iutebol, shows de musica,
conversar com parentes e amigos distantes.
O lado negativo desses recursos tecnologicos so as guerras, que esto
escoradas em aparatos eletrnicos.
Cada vez mais as maquinas podem ser controladas ou programadas para
substituir o homem no seu trabalho. Na industria e no comercio damos o nome a
este processo de automaco, o que tem acabado com muitos postos de trabalho,
gerando muito desemprego. Se a tecnologia tem este aspecto negativo, Iaz-se
necessario que a humanidade tenha uma presenca critica a Irente desse
desenvolvimento. No basta Iicar olhando as possibilidades tecnologicas, e
importante perceber que todo este processo deve ser humanizado.
Mas no se tem so o lado negativo, a eletrnica deve de Iato substituir o
homem, nos locais de riscos e perigosos, deve liberar o homem dos trabalhos
diIiceis e repetitivos, a eletrnica pode ainda: Salvar vidas diagnosticando
doencas; desenvolver metodos de cura; na educaco e cultura contribuir com
engrandecimento do homem; e no lazer tonar as pessoas mais Ielizes.
Ao ampliar seu universo cultural, e a capacidade de ver o outro homem , a
eletrnica pode ser um grande instrumento na busca da compreenso, da paz e da
Iraternidade. Portanto ter dominio da tecnica implica, em saber usa-la, em beneIicio
de todos.
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1.0 APLICACO DO TRANSISTOR COMO CHAVE
Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCEsat de aproximadamente
0,3 V e um determinado valor minimo de | (entre 10 e 50), para garantir a saturaco. A corrente
de coletor de saturaco Icsat depende do resistor acoplado ao coletor ou da corrente imposta pelo
proieto.
MALHA DE ENTRADA MALHA DE SAIDA
VI VRB VBE VCC VRC VCE
VI IBRB VBE VRC VCC - VCE
IBRB VI VBE ICRC VCC - VCE
RB (VI VBE) / IBsat RC (VCC VCEsat) / ICsat
- No exemplo a seguir desejamos acionar o LED quando a chave S estiver na posico
ON, e desaciona-lo quando estiver na posico OFF .
Caractersticas do transistor (BC548) Caractersticas do LED
VBE 0,7 V VD 1,5 V
VCEsat 0,3V ID 25 mA
| = 20
ICmax 200 mA
VCE max 80 V
Os resistores de polarizaco devero ser calculados, considerando a regio de saturaco,
isto e, quando a chave estiver na posico ON .
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MALHA DE SAIDA
VRC VCC VCEsat VD
ICRC VCC VCEsat VD
ICsat ID
RC (VCC VCEsat VD)/ ICsat RC (9 0,3 1,5)/ 25 x 10
-3
288 O
Valor comercial adotado : 270 O
Potncia de RC : P
RC
RC . ICsat
2
270 x (25 x 10
3
)
2
168,75 mW(1/4 W)
MALHA DE ENTRADA
VRB VI VBE sat
IBRB VI - VBEsat
CALCULANDO RB:
IBsat ICsat / |sat 25 x 10
3
/ 20 1,25 mA
RB VI VBEsat / IBsat (9V 0,7V)/ 1,25 x 10
3
6640 O
Valor comercial adotado : 6K8 O
POTNCIA DE RB:
P
RB
RB . IBsat
2
6,8 x 10
3
x (1,25 x 10
3
)
2
10,625 mW (1/8 W)
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2.0 PRO1ETOS DE CIRCUITOS DE POLARIZACO
2.1 PRO1ETO DE UM CIRCUITO DE POLARIZACO FIXADA COM RE
A Ionte de tenso e o ponto de operaco sero escolhidos a partir das inIormaces do
Iabricante do transistor usado.
Como regra de proieto o valor de VE, e 10 de VCC
VE VCC . 0.1
RE VE / IE
RC (VCC VCE VE) / IC
IB = IC / |
RB (VCC VBE VE) / IB
- No exemplo abaixo determinaremos os valores de RB, RC, RE, considerando que o
transistor utilizado o 2N 4401 com | = 150 e a corrente IC igual a 2 mA .
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VE VCC . 0.1 20V . 0,1 2V
RE VE / IE 2V . 2mA 1K O
RC (VCC VCE VE) / IC (20V 10V 2V)/ 2mA 4K O
O valor comercial utilizado e 3K9 O
IB = IC / | = 2mA/150 13,33 uA
RB (VCC VBE VE) / IB (20V 0,7V 2V)/ 13,33 uA 1,3M O
2.2 PRO1ETO DE UM CIRCUITO POLARIZADO POR DIVISOR DE TENSO
Como regra de proieto o valor de VE, e 10 de VCC
VE VCC . 0.1
RE VE / IE
Posicionando o ponto Q, no meio da linha de carga, consideramos que VCE 0,5.VCC e
os 0,4.VCC restantes aparecem em RC, portanto:
RC 4.RE
Neste proieto podemos estabelecer duas condices para a polarizaco:
1. ESTABILIZADA: R2 0,01. | RE
2. FIRME: R2 0,1. | RE
E por ultimo:
R1 (V1/V2) . R2
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- No exemplo abaixo determinaremos os valores de RE, RC, R2 e R1, considerando que o
transistor de silcio utilizado tem |cc variando de 80 a 400, e a corrente IC igual a
5 mA .
VE 0,1 .VCC 0,1 . 20 V 2 V
RE 2V/ 5mA 400 O - valor comercial utilizado e 390 O.
RC 4 (390) 1560 O - valor comercial utilizado e 1,6K O.
Para um divisor de tenso estabilizado temos:
R2 0,01.(80).(390) 312O - valor comercial utilizado e 300 O.
Observe que utilizamos o menor valor de | na Iormula acima.
V2 VB VE VBE 2V 0,7V 2,7 V
V1 VCC V2 20V 2,7 17,3 V
R1 (V1/V2) /R2 (17,3V/ 2,7V). 300 O = 1922 O - valor comercial utilizado e 2K O.
Para um divisor de tenso firme temos:
R2 0,1.(80).(390) 3120O - valor comercial utilizado e 3K O.
R1 (V1/V2) /R2 (17,3V/ 2,7V). 3000 O = 19220 O - valor comercial utilizado e 2K O.
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3.0 AMPLIFICADORES
3.1 CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DE DESVIO
Antes de iniciarmos ao estudo das Iormas de onda nos ampliIicadores a transistor,
Iaremos um breve estudo da aplicaco dos capacitores neste circuitos.
O capacitor para um 'sinal contnuo, se comporta como uma chave aberta, no
permitindo a passagem de corrente.
O capacitor para um sinal alternado, se comporta como uma chave fechada,
permitindo a passagem de corrente.
Os capacitores permitem a passagem do sinal ca e bloqueiam o sinal cc.
O capacitor de acoplamento e o que esta Iaz a passagem de um sinal ca de uma Ionte ca
para o ampliIicador e do ampliIicador para a carga.
O capacitor de desvio e o que Iaz a passagem de um sinal ca, do ampliIicador para o
terra.
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3.2 FORMAS DE ONDA NO TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
3.2.1 AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM
Vamos mostrar uso do transistor para ampliIicar um sinal e Iaremos a comparaco dos
ganhos nas trs conIiguraces. Nos exemplos que seguem atribuiremos valores para as correntes
de base e do coletor, a partir de um sinal de 100 mV (de pico a pico) aplicado a entrada dos
circuitos utilizados.
DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS:
VCC VRC VCE VCE IC.RC VCE Vout Vce VCC ic x RC
Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce)
Para ic 2 mA Vout 20V 2mA x 3KO 14V
Para ic 3 mA Vout 20V 3mA x 3KO 11V
Para ic 4 mA Vout 20V 4mA x 3KO 8V
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Observamos que quando a corrente ic aumenta a tenso de saida (Vout) diminui, o que Iaz com
que o sinal de saida (Vout) esteia Iora de Iase, 180 em relaco ao sinal de entrada (Vin), para
esta conIiguraco.
3.2.2 GANHO DE CORRENTE (Ai)
Ai AIout 2mA 1mA 50
AIin 40uA 20uA
3.2.3 GANHO DE TENSO (Av)
Av AVout 6 V 3 V 60
AVin 100 mV 50 mV
3.2.4 GANHO DE POTNCIA (Ap)
Ap Ai . Av 50 x 60 3000
3.2.5 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin)
Rin AVin 100 mV 50 mV 2500O
AIin 40uA 20uA
3.3 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM (OU SEGUIDOR DE EMISSOR)
DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS:
VCC VRC VCE VRE VCE IC.RC VCE IE.RE Vout Vre ie x RE
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Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce)
Para ic 2,04 mA Vout 2,04mA x 1KO 2,04V
Para ic 3,06 mA Vout 3,06mA x 1KO 3,06V
Para ic 4,08 mA Vout 4,08mA x 1KO 4,08V
DA EQUACO DA MALHA DE ENTRADA TEMOS:
Vin 2,04mA x 1KO + 0,7 V 2,74V
Vin 3,06mA x 1KO + 0,7 V 3,76V
Vin 4,08mA x 1KO + 0,7 V 4,78V
3.3.1 GANHO DE CORRENTE (Ai)
Ai AIout 2,04mA 1,02mA 51
AIin 40uA 20uA
3.3.2 GANHO DE TENSO (Av)
Av AVout 2.04 V 1,02 V 1
AVin 2,04 V 1,02 V
3.3.3 GANHO DE POTNCIA (Ap)
Ap Ai . Av 51 x 1 51
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3.3.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin)
Rin AVin 2,04 V 1,02 V 51000O
AIin 40uA 20uA
3.4 AMPLIFICADOR BASE COMUM
DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS:
VCC VRC VCB VCB VCC -IC.RC Vout Vcb VCC ic x RC
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Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce)
Para ic 2 mA Vout 20V 2mA x 3KO 14V
Para ic 3 mA Vout 20V 3mA x 3KO 11V
Para ic 4 mA Vout 20V 4mA x 3KO 8V
3.4.1 GANHO DE CORRENTE (Ai)
Ai AIout 2 mA 1 mA 0,98 ~ 1
AIin 2,04mA 1,02mA
3.4.2 GANHO DE TENSO (Av)
Av AVout 6 V 3 V 60
AVin 100 mV 50 mV
3.4.3 GANHO DE POTNCIA (Ap)
Ap Ai . Av 0,98 x 60 58,8 ~ 60
3.4.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin)
Rin AVin 100 mV 50 mV 49O
AIin 2,04 mA 1,02 mA
3.5.5 COMPARACO ENTRE OS CIRCUITOS AMPLIFICADORES
GANHO DE
CORRENTE
GANHO DE
TENSO
GANHO DE
POTNCIA
RESISTNCIA
DE ENTRADA
EMISSOR
COMUM
50 60 3000
2500O
COLETOR
COMUM
51 1 51
51000O
BASE
COMUM
1 60 60
49O
4.0 CONFIGURACO DARLINGTON
A conIiguraco DARLINGTON e uma Iorma de acoplamento direto entre dois
transistores, muito utilizada. Um unico transistor no geral oIerece um baixo ganho de corrente e
quando necessitamos de um ganho elevado, lancamos mo de um circuito com as caracteristicas
apresentadas na conIiguraco DARLINGTON .
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Trata-se de dois transistores T1 e T2, respectivamente com |1 e |2. ligados em cascata,
sendo o primeiro na conIiguraco seguidor de emissor.
Analisando o circuito , tem-se no coletor de T2 :
IC IC1 IC2 |1. IB + |2 . IB2 (I)
Mas IB2 IE1 IB IC1 (II)
Substituindo-se (II) em (I) :
IC |1. IB + |2 .( IB IC1) |1. IB + |2 . IB |2 .IC1
IC |1. IB + |2 . IB |2 . |1. IB IC |1 + |2 |2 . |1
IB
Chamamos IC de ganho de corrente total |T e considerando que |2 . |1 >> |1 + |2 ,
IB
tem-se : |T IC |1 . |2
IB
Portanto, necessariamente, o transistor T2 tem que possuir uma potncia maior que T1.
Comercialmente, so encontrados transistores na conIiguraco DARLINGTON em um unico
encapsulamento.
5.0 FONTE DE TENSO ESTABILIZADA
Uma outra aplicaco para os transistores e na construco de Iontes de tenso estabilizadas.
Uma Ionte ideal e aquela que mantem a tenso de saida constante, independentemente da
corrente solicitada pela carga.
Na pratica isto acontece dentro de uma Iaixa de valores de correntes na saida. Veremos no
proximo item o regulador de tenso tipo SERIE a transistor mais simples possivel.
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5.1 REGULADOR SRIE
O circuito mostrado nas figuras 1-a e 1-b e um regulador para tenso de saida positiva
e um para tenso de saida negativa.
O diodo zener garante a estabilidade, isto e atua como elemento de reIerncia de tenso.
O transistor e utilizado como elemento de controle, e nos permite ampliar a Iaixa de valores de
correntes de saida, sem sobrecarregar o diodo zener. R e um resistor limitador de corrente para o
diodo zener.
5.1.1 REVISANDO AS CARACTERISTICAS DA CURVA DO ZENER
Na regio direta ele comeca a conduzir em torno de 0,7 V, da mesma Iorma que um diodo
comum. Na regio de Iuga (entre zero e a ruptura), apresenta uma Iuga ou corrente reversa. Na
regio de ruptura ou de avalanche, apresenta um ioelho muito acentuado, com um aumento de
corrente praticamente vertical, onde observamos que a tenso e praticamente constante,
aproximadamente igual a VZ.
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5.2 ANLISE DO CIRCUITO REGULADOR SRIE
5.2.1 INTERPRETANDO O CIRCUITO
VL VZ VBE
VZ ~~ VBE, logo VL ~ VZ, e como VZ e constante, VL constante.
Caso Vin se altere teremos:
Vin VR VZ VR VCB , logo Vin VCB VZ e VCE VCB VBE
Se Vin aumenta, como VZ constante VCB tambem aumentara , provocando um aumento
em VCE de modo a suprir a variaco da entrada mantendo VL constante:
VL Vin VCE e se Vin | (aumenta) ; VCE | (aumenta) VL constante
Se Vin diminuir, como VZ constante, VCB tambem diminuira , provocando uma
diminuico de VCE de modo a suprir a variaco da entrada mantendo VL constante:
VL Vin VCE e se Vin | (diminui) ; VCE | ( diminui) VL constante
5.2.2 LIMITACES NO CIRCUITO REGULADOR SRIE
TENSO MINIMA DE ENTRADA
Vin VR VZ VR R. IR
IR IZ IB logo Vin R . (IZ IB) VZ
Vin min VZ R (IZmin IBmax)
Observamos que abaixo deste valor, o zener perdera suas caracteristicas de estabilizaco.
TENSO MXIMA DE ENTRADA
Vin R . (IZ IB) VZ
Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ onde IZmax PZmax / VZ
Calculamos ento um maximo valor para IL que estara limitado por IZmin. Para
proietarmos um regulador serie devemos considerar os parmetros ILmax , VL e Vin,
desenvolvendo nosso proieto, considerando as piores condices de Iuncionamento do circuito.
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Quando a tenso de entrada Ior maxima, teremos a seguinte condico:
Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ ( I )
Na pior condico, RL (circuito aberto),
IBmin 0 Vinmax R . IZmax VZ
Quando a tenso de entrada Ior minima, teremos a seguinte condico:
Vin min VZ R (IZmin IBmax) ( II )
Da expresso ( I ), tiramos :
IZmax (Vinmax VZ) / R ( III )
Da expresso ( II ), tiramos :
(IZmin IBmax) (Vin min - VZ) / R ( IV )
Dividindo a expresso ( III ) por ( IV ) temos:
Izmax (Vinmax VZ)
(IZmin IBmax) (Vinmin - VZ)
Izmax (Vinmax VZ) .(IZmin IBmax) ( V )
(Vinmin - VZ)
- No exemplo abaixo projetaremos um regulador srie com as seguintes caractersticas:
VL 5V; ILmax 1A ; Vin 10V 10
Para escolhermos o transistor devemos considerar as seguintes caracteristicas:
VCBO ~ Vinmax
ICmax ~ ILmax (melhor condico)
PDmax ~ (Vinmax VL) . ICmax
O transistor escolhido Ioi o BD329 cuio as caracteristicas so:
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VCBOmax 32 V; Icmax 3 A; PDmax 15W; | min 20 utilizaremos
este valor de |, que e menor que o valor indicado no manual, garantindo um perIeito
Iuncionamento do circuito.
VeriIicaremos agora a potncia dissipada pelo coletor do transistor:
PDmax (Vinmax VL) . ICmax
ICmax ICmax IBmax
IEmax Ilmax
ICmax ILmax IBmax IBmax ICmax
| min
ICmax ILmax ICmax ICmax ICmax ILmax (colocando ICmax em evidncia):
| min | min
ICmax ( 1 1 ) ILmax ICmax ILmax .
| min ( 1 1 )
| min
substituindo os valores temos: ICmx 1 952,30 mA
( 1 1 )
20
PDmx (11 5) x 952,30 x 10
-3
5,7138 W
A potncia que o transistor ira dissipar esta bem abaixo da especiIicada, o que nos permite
utilizar o transistor.
A proxima etapa e a escolha do diodo O ZENER escolhido Ioi o BZX87/C5V6 com as
seguintes caracteristicas: PZmax 1,3 mW; IZmax 232 mA; IZmin 50 mA e VZ 5,6 V.
Escolhemos este ZENER, porque apresenta uma tenso de regulaco VZ 5,6 V, e o
transistor de silicio que apresenta VBE 0,7 V, para eIeito de calculos podemos considerar
VBE 0,6 V, o que Iaz VL 5 V.
VeriIicamos agora se o zener escolhido e adequado:
IBmax ICmax / | min. 952,30 mA / 20 47,60 mA
IZmx (Vinmax VZ) .(IZmin IBmax) (11V 5,6 V) x (50 mA x 47,6 mA) 155 mA
(Vinmin VZ) ( 9 V 5,6 V)
A corrente que o zener ira suportar esta bem abaixo da especiIicada, o que nos permite utilizar o
zener escolhido com boa margem de seguranca.
Passamos agora para o calculo de R, para o caso da maxima tenso de entrada:
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Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ na pior condico, teremos RL (circuito aberto), o que
resulta em IBmin 0 .
Vinmax R . IZmax VZ R Vinmax VZ 11 V 5,6 V 23,3 O
IZmax 232 mA
Utilizaremos um resistor maior que o calculado, para no colocar em risco o diodo zener, logo:
R > 23,3 O.
Para o caso da minima tenso de entrada:
R Vinmax VZ 11 V 5,6 V 34,83 O
IBmax IZmin 47,6 mA 50 mA
Utilizaremos um resistor menor que o valor calculado (34,83 O), para que seia garantido o valor
minimo de IZ logo R < 34,83 O .
O valor de R a ser escolhido, devera estar entre : 23,3 O < R < 34,83 O (33 O)
Calculamos a seguir a potncia dissipada pelo resistor R .
P (V
2
)/ R V Vinmax VZ 11V 5,6V 5,4 V R adotado 33 O
P (V
2
)/ R (5,4)
2
/ 33 O 0,88 W (1W)
Em muitos casos, utilizamos dissipadores de potncia nos transistores, o que requer calculos
especiIicos para dimensionamento do radiador a ser utilizado.
Podemos ainda utilizar um transistor na configuraco Darlington, que nos permite trabalhar
maiores valores de potncia.
6.0 REGULADORES DE TENSO EM CI COM TRS TERMINAIS
Deixaremos de abordar nesta apostila os reguladores com amplificador de erro e os
amplificadores diferenciais. Abordaremos agora os REGULADORES DA SRIE 78 e 79,
que utilizam CI de trs terminais pela Iacilidade e praticidade de seu uso.
Os reguladores de tenso em CI, so dispositivos com somente trs pinos: Um para a
entrada de tenso no regulada, um para a tenso de saida regulada e um para o terra. Estes
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dispositivos podem Iornecer corrente de carga de 100 mA a mais de 3 A. So baratos e
extremamente Iaceis de usar. Alem de um par de capacitores de passagem, esses CI`s no
necessitam de componentes externos.
Para uma unidade CI particular, as especiIicaces do dispositivo ou uma Iaixa de tenso
sobre a qual a tenso de entrada pode variar para manter a tenso de saida regulada, (Vo), para
uma Iaixa de corrente de carga, (Io), deve ser mantida uma tenso de entrada suIiciente, para
manter a queda de tenso nos terminais do CI.
6.1 78XX - REGULADOR DE TENSO POSITIVA
Um grupo de reguladores de tenso positiva Iixada e a srie 78, que produz tenses
Iixadas entre 5 V e 24 V e na srie 79, so disponiveis os reguladores de tenses negativas.
Os capacitores conectados na entrada ou saida para terra, aiudam a manter a tenso dc, e
Iiltrar qualquer variaco de tenso de Ireqncia alta. Os valores tipicos de passagem so
fornecidos na folha de dados do dispositivo.
6.2 79XX - REGULADOR DE TENSO NEGATIVA
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25
6.3 CIS REGULADORES DE TENSO POSITIVA SRIE 78XX
NUMERO DO CI TENSO POSITIVA REGULADA Vin MINIMO
7805 5 V 7,3 V
7806 6 V 8,35 V
7808 8 V 10,5 V
7810 10 V 12,5 V
7812 12V 14,6 V
7815 15 V 17,7 V
7818 18 V 21,0 V
7824 24 V 27,1 V
6.4 CIS REGULADORES DE TENSO NEGATIVA SRIE 79XX
NUMERO DO CI TENSO NEGATIVA REGULADA Vin MINIMO
7905 - 5 V - 7,3 V
7906 - 6 V - 8,4 V
7908 - 8 V - 10,5 V
7910 - 10 V - 11,5 V
7912 - 12V - 14,6 V
7915 - 15 V - 17,7 V
7918 - 18 V - 20,8 V
7924 - 24 V - 27,1 V
- Exemplo: Projetar uma fonte de tenso de 15 V, utilizando CI da srie 78, que opere
com uma corrente de 0,5 A.
A tenso de secundario e 18 Vrms, que passando para valor de pico teremos:
VS (mx.) VEE . 2 18 . 2 25,45 V
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26
Como ia sabemos o valor da tenso de pico no secundario e a corrente e 0,5 A
determinaremos o valor do capacitor C1 utilizando a regra dos 10 .
C Icc 0,5 A 0,0016371 E (2200uF)
I x Vond 120Hz x 2,545 V
Com o valor de capacitor calculado (2200uE), calculamos agora o valor da ondulaco:
Vond Icc 0,5 A 1,893 V
I x C 120 x 2200uE
Com a tenso de ondulaco, determinaremos o valor da tenso nos terminais do capacitor, vamos
considerar a situaco mais critica, descontaremos 10 da ondulaco:
Vcc VS Vond/2 25,45 V 1,893/2 V 24,50 V
Vin(mn) Vcc1 - 2VD 23,55 V 1,4 V 23,10 V
O valor minimo necessario para que o CI Iaca a regulaco e 17,7 V, o que nos permitira usar sem
problemas este CI.
7.0 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (TEC ou FET)
Um transistor de iunco bipolar (TJB) e um dispositivo de corrente controlada. O
transistor de Ieito de campo (TEC ou EET) e unipolar. Ele opera como dispositivo de tenso
controlada.
O EET possui trs terminais:
1. FONTE (source) Neste terminal que e Iornecida a corrente.
2. DRENO (drain) Neste terminal que e drenado a corrente.
3. GATE (porta) Neste terminal e Ieito o controle do transistor.
A estrutura Iisica de um EET mostrado nas figuras 23-a e 23-b e construido com uma
barra de material tipo N com um par de regies tipo P diIundidas em seu interior, para um
transistor de canal N.
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27
7.1 SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
7.2 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
A tenso da Ionte VDD, produz uma tenso nos terminais dreno-Ionte, VDS, que resulta
na corrente ID, do dreno para a Ionte (pelo sentido convencional). Esta corrente passa pelo canal
Iormado pela porta tipo P. A tenso entre a porta e a Ionte, VGS, e determinada pela Ionte de
tenso VGG. Como esta tenso porta-Ionte polariza a iunco porta-Ionte inversamente, no
havera corrente na porta. O eIeito da tenso da porta e a criaco de uma regio de depleco no
canal, reduzindo desta Iorma a largura do mesmo para aumentar a resistncia dreno-Ionte.,
resultando em uma corrente de dreno menor.
No primeiro instante vamos considerar a operaco do dispositivo com VGS 0 V, para
em seguida aumentarmos esta tenso de polarizaco inversa (tornado-a mais negativa para um
dispositivo de canal N). A Figura 25 mostra que a corrente de dreno atraves do material N
produz uma queda de tenso ao longo do canal, que e mais positiva no dreno. Este potencial de
polarizaco inversa nos terminais da iunco P-N produz a regio de depleco mostrada na Figura
2-a .
ConIorme a tenso VDD aumenta, a corrente ID aumenta, resultando em uma regio de
depleco maior, e portanto uma resistncia maior do dreno para a Ionte. O aumento da regio de
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28
depleco pode ser Ieito ate que todo o canal seia abrangido, conIorme mostra a Figura 2-b . A
partir dai, qualquer aumento em VDD resultara em aumento apenas da tenso nos terminais da
regio de depleco, sendo que a queda de tenso do ponto de depleco D para o terra permanece
constante, e portanto a corrente ID tambem permanece constante. Esta operaco esta descrita pela
curva caracteristica para VGS 0 V. Nesta curva podemos notar que o aumento de VDS produz
o aumento de ID ate que a regio de depleco esteia totalmente Iormada atraves do canal, apos o
qual a corrente satura e permanece constante para aumentos de VDS. Este valor da corrente de
dreno, com VGS 0V, e um parmetro importante usado para especiIicar a operaco do EET e e
reIerido por IDSS, corrente do dreno para a Ionte com a porta-Ionte curto circuitada (shorted)
(VGS 0 V).
7.2.1 CARACTERISTICA DRENO-FONTE
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29
Aumentando VGS (mais negativo para um dispositivo de canal N) o canal produzira uma regio
de depleco, de Iorma que a corrente de saturaco sera menor, conIorme mostra a curva de
VGS -1V da Figura 27. Vemos portanto que a tenso da porta age como controle, reduzindo a
corrente de dreno (para uma tenso VDS especiIica). Para um EET de canal P, a corrente de
dreno diminui a partir do valor IDSS quando VGS Iica mais positivo.
Aumentando-se VGS, com o nivel da corrente de dreno baixo, chega-se a um valor apos o
qual no mais havera corrente de dreno, independentemente da tenso VDS. Esta tenso de
estrangulamento porta-Ionte, Vp |ou VGSoII| tambem e um parmetro importante usado para
especiIicar a operaco do EET. As caracteristicas de dreno-Ionte mostram que para o EET canal
N, Vp e uma tenso negativa, e para um EET de canal P, Vp e positiva, figuras 28-a e 28-b .
7.2.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERNCIA
Uma outra Iorma de caracteristica do dispositivo e a caracteristica de transIerncia, que e
um graIico da corrente de dreno ID em Iunco da tenso porta-Ionte, VGS, para um valor
constante da tenso dreno-Ionte, VDS. A caracteristica de transIerncia pode ser obtida
diretamente a partir de medidas da operaco do dispositivo ou desenhada a partir de medidas da
operaco do dispositivo ou desenhada a partir das caracteristicas de dreno, conIorme mostrado na
figura 29. Dois valores importantes da curva de transferncia so os valores de IDSS e de Jp,
que a partir destes pontos, utilizando a equaco abaixo podemos tracar a curva.
ID IDSS [1 - (VGS/ Vp)]
2
A caracteristica de dreno mostra que ocorre a saturaco da corrente quando se veriIica o
estrangulamento do cana, e este ocorre em valores to menores de VDS quanto mais negativo Ior
VGS. Normalmente o EET e polarizado para operar apos o estrangulamento na regio de
saturaco da corrente.
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30
- Exemplo: Determinar a corrente de dreno de um FET canal N com tenso de
estrangulamento Vp - 4 V e corrente de saturaco dreno-fonte IDSS 12 mA para as
seguintes tenses porta-fonte:
Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 12 mA | 1 (0/ -4)|
2
12 mA
Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 12 mA | 1 (-2/ -4)|
2
3 mA
7.3 PARAMETROS DO FET
Os Iabricantes especiIicam varios parmetros do EET. Abordaremos os mais importantes
em nossos estudos:
7.3.1 IDSS - CORRENTE DE SATURACO DRENO-FONTE
A corrente na qual o canal e estrangulado quando os terminais de porta e Ionte esto
curto-circuitados (VGS 0) . Para um dispositivo de pequenos sinais, esta corrente e tipicamente
de miliamperes (mA) .
7.3.2 Vp VGSoff - TENSO DE CORTE (ESTRANGULAMENTO) PORTA-FONTE
A tenso porta-Ionte para a qual o canal dreno-Ionte e estrangulado, resultando em
praticamente nenhuma corrente de dreno.
7.3.3 BVGSS - TENSO DE RUPTURA FONTE-PORTA
A tenso de uma ruptura de uma iunco Ionte-porta, e medida em uma corrente
especiIicada com os terminais dreno-Ionte curto-circuitados. O valor da tenso de ruptura indica
um valor limite de tenso nos terminais porta-Ionte, que deve ser usado na escolha da tenso de
dreno.
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31
7.3.4 gm gfs - TRANSCONDUTANCIA DE TRANSFERNCIA DIRETA EM FONTE
COMUM
A transcondutncia e medida com os terminais dreno-Ionte curto-circuitados. uma
indicaco da amplificaco ac do FE1.
gm e medido em Siemens (S), com valores tipicos de 1mS a 10 mS ou (1000 uS a
10.000 uS)
gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))|
gm0 2 IDSS / ' VGS(oII) ' 2 IDSS / ' Vp '
gm0 e o parmetro de ganho ac maximo do EET e ocorre para a polarizaco VGS 0 V.
Para qualquer outra condico de polarizaco, o valor de gm e menor .
- Exemplo: Calcular a transcondutncia (gm) de um FET com tenso de estrangulamento
Vp -4 V e corrente de saturaco dreno-fonte IDss 12 mA nos seguintes pontos de
polarizaco:
gm0 2 IDSS / ' VGS(oII) ' 2 (12 mA) / ' - 4V ' 6 mS 6000 uS
Para VGS 0 V gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))| gm 6 mS |1 (0 V/ - 4V)| 6000 uS
Para VGS -1,5 V gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))| gm 6 mS |1 (1,5 V/ - 4V)| 3750 uS
7.3.5 rds(on) - RESISTNCIA DRENO-FONTE PARA O DISPOSITIVO LIGADO
A resistncia dreno-Ionte para o dispositivo ligado, medida com uma tenso porta-Ionte e
uma corrente de dreno especiIicadas, e importante quando se usa o EET como chave.
7.4 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET)
7.4.1 POLARIZACO FIXADA
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32
As caracteristicas de dreno do EET mostra que IDss 2 mA e Vp -4 V. como a tenso
porta-Ionte e Iixada pela bateria VGG, escolhemos pela curva, VGS -2 V para polarizaco do
circuito. Para determinar graIicamente o ponto de polarizaco tracamos a reta de carga. A reta e
obtida a partir de dois pontos:
Um ponto esta no eixo de VDS, onde VDS VDD.
O outro ponto esta no eixo ID, onde ID VDD/RD.
ConIorme a interseco da reta de carga com a curva de dreno, ocorre em
aproximadamente em VDS 7,9 V e ID 0,5 mA.
O ponto de polarizaco pode tambem ser determinado a partir das caracteristicas de
transIerncia. Para VGS -2V temos ID 0,5 mA. Podemos ento calcular VDS e de ID:
Para ID 0,5 mA VDS VDD ID.RD 12V (0,5 mA).(8,2KO) 7,9 V
Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 2 mA |1 ( -2 /- 4)|
2
0,5 mA
7.4.2 AUTOPOLARIZACO
Como a porta tem polarizaco reversa Ilui uma corrente desprezivel (proxima de zero)
atraves de RG, Iaz com que: VG 0 V;
a tenso da Ionte ao terra e VS ID.RS;
e a tenso da porta para a Ionte e : VGS VG VS 0 ID. RS ~ VGS ID.RS
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33
- Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo
que utiliza um FET com Vp -4 V, IDSS 10 mA:
Nosso primeiro passo e desenhar a caracteristica de transIerncia do EET usando os valores
de Vp e IDss:
Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 10 mA |1 ( 0 /- 4)|
2
10 mA
Para VGS -1 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 10 mA |1 ( -1 /- 4)|
2
5,62 mA
Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 10 mA |1 ( -2 /- 4)|
2
2,50 mA
Para VGS -3 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 10 mA |1 ( -3 /- 4)|
2
0,625 mA
Para VGS -4 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 10 mA |1 ( -4 /- 4)|
2
0 mA
Com os valores de ID e de VGS, desenhamos a curva de transIerncia e desenhamos a linha
de autopolarizaco para RS 1,5 KO. Escolhendo ID 3mA, teremos:
VGS - ID RS - (3mA).( 1,5 KO) - 4,5 V
A linha de autopolarizaco intercepta a curva de transIerncia em VGS - 2,4 V e
ID 1,6 mA.
Na autopolarizaco usamos somente uma
Ionte de alimentaco, e consiste em usar a tenso
do resistor RS para produzir a tenso reversa da
porta-Ionte.
Esta e uma Iorma de realimentaco, se a
corrente de dreno aumentar , a queda de tenso
atraves de RS aumentara, porque ID.RS aumenta.
Isto Iaz com que aumente a tenso reversa da
porta-Ionte, que Iaz o canal estreitar-se mais e
reduz a corrente de dreno.
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34
Determinamos agora VDS:
VDD VRD VDS VRS
VDS VDD ID.RD IS.RS
Como ID IS
VDS VDD ID. (RD RS)
VDS 24 V 1,6 mA ( 6,2 OK 1,5O K ) 11,68 V
7.4.3 POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO
Neste circuito a tenso da porta e diIerente de 0 (zero) Volt e produz uma estabilidade de
polarizaco maior do que a dos circuitos anteriores.
O valor de VG e obtido a partir do divisor de tenso:
VG R2. VDD
R2 R1
Portanto VGS e igual a: VGS VGG ID.RS
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35
- Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo
que utiliza um FET com Vp -4 V, IDss 8 mA:
Nosso primeiro passo e desenhar a curva de transIerncia do EET usando os valores dados de
Vp e IDss:
Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 8 mA |1 ( 0 /- 4)|
2
8,0 mA
Para VGS -1 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 8 mA |1 ( -1 /- 4)|
2
4,5 mA
Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 8 mA |1 ( -2 /- 4)|
2
2,0 mA
Para VGS -3 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 8 mA |1 ( -3 /- 4)|
2
0,5 mA
Para VGS -4 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
ID 8 mA |1 ( -4 /- 4)|
2
0 mA
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36
VG R2. VDD 270 K .16 V 1,903 V ~ 2,0 V
R2 R1 2M 270 K
Tracando a linha de polarizaco, podemos obter o ponto de polarizaco a partir da interseco
da reta com a curva de transIerncia, onde encontramos os valores quiescentes de: ID 2,5 mA e
VGS -1,75 V.
Calculamos ento : VD VDD ID.RD 16V 2,5 mA. (2,4KO ) 10 V
VS ID.RD 2,5 mA (1,5KO ) 3,75 V
VDS VD VS 10V 3,75V 6,25 V
VGS VG VS 1,965 3,75 V -1,785 V ( aproximadamente igual ao
valor do graIico).
8.0 MOSFET (SEMICONDUTOR FET DE OXIDO METALLICO)
Pode-se construir um EET com o terminal da porta isolado do canal. O MOS EET pode
Iuncionar por depleco ou por induco.
8.1 MODO TIPO DEPLECO
A figura 38 mostra um MOSEET de canal N. Os eletrons Iluem atraves do material N. a
regio P e chamada de substrato, ela reduz Iisicamente o percurso condutor Iormando um canal
estreito. Os eletrons que Iluem da Ionte para o dreno tem que passar atraves desse canal estreito.
E depositada uma camada Iina de dioxido de silicio (o mesmo que vidro, que e
isolante ) (SiO
2
) do lado esquerdo do canal. Em um MOSEET a porta e metalica, e pelo Iato da
porta ser isolada, a iunco PN que existia no EET Ioi eliminada no MOSEET.
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37
A fig. 39 mostra um MOSEET polarizada. Os eletrons Iluem atraves do canal estreito a
esquerda do substrato P. A tenso da porta pode controlar a largura do canal . Quanto mais
negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno, ate que a tenso da porta seia
suIicientemente negativa para cortar a corrente de dreno.
8.2 MODO TIPO INTENSIFICACO ( ENRIQUECIMENTO)
Como a porta de um MOSEET e isolada do canal, podemos aplicar uma tenso positiva a
porta, como mostra a figura 4. A tenso positiva da porta aumenta o numero de eletrons livres
que Iluem atraves do canal. Quanto mais positiva a tenso da porta, maior a conduco da Ionte ao
dreno.
O Iuncionamento do MOSEET com uma tenso positiva da porta depende da
intensiIicaco da condutividade do canal. Por esta razo, a operaco com porta positiva e
chamada modo intensiIicaco.
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38
8.2.1 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO DEPLECO
8.3 CURVAS DE DRENO
A figura 42 mostra curvas do dreno tipicas de um MOSEET canal N, iuntamente com
uma linha de carga cc para um circuito de Ionte-comum. Observamos que as curvas de cima tem
um VGS positivo e as curvas de baixo tem um VGS negativo. A curva abaixo de todas e VGS
(desligado), e ao longo dela a corrente de dreno e aproximadamente zero. Quando VGS se situa
entre 0 (zero) e VGS (desligado), temos o modo de operaco de depleco, e quando VGS maior
que 0 (zero) resulta no modo de operaco intensiIicaco.
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39
8.4 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA
A figura 43 representa a curva de transcondutncia de um MOSEET. IDss ainda
representa a corrente de dreno com a porta em curto. A curva agora se estende para a direita da
origem. A relaco entre a corrente do dreno e a tenso da porta-Ionte ainda e parabolica, o que
nos permite usar a equaco:
ID IDSS [1 - (VGS/ Vp)]
2
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40
- Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo
que utiliza um MOSFET de depleco canal N com VGS(off) - 4,0V, IDss 12 mA:
Como VG 0V aplicamos em VGS VG VS 0 ID.RS - ID.150O para desenharmos
a reta de RS.
Ao tracarmos a reta RS encontramos graIicamente os valores quiescentes de VGS -1V com
ID 6,75 mA.
Matematicamente aplicamos VGS -1V em ID IDSS |1 (VGS/ Vp)|
2
aIim de
conIirmarmos o valor de ID 6,75 mA .
A tenso VDS e determinada por:
VDS VDD ID.RD ID.RS VDD ID.( RS RD) 20V 6,75 mA. (1,5KO 150O)
8,86V
8.5 MOSFET DO TIPO INTENSIFICACO
A figura 4-a mostra um MOSEET do tipo INTENSIEICACO de canal N. O substrato
estende-se por toda a parte do dioxido de silicio e Iisicamente, no temos mais um canal N entre a
Ionte e o dreno.
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41
Na figura 4-b temos um MOSEET intensiIicaco polarizado. Quando VGS 0 V, a
alimentaco VDD tenta Iorcar os eletrons livres da Ionte para o dreno, mas a corrente e zero. O
MOSEET intensiIicaco, por esta razo e tambem conhecido como MOSEET normalmente
desligado.
A porta e o substrato tipo P so como duas placas de um capacitor separadas por um
dieletrico. Quando a porta e positiva, ela induz cargas negativas no substrato P. Em outras
palavras, a porta positiva atrai os eletrons livres da Ionte para o canto esquerdo inIerior da regio
P. Quando a porta Ior suIicientemente positiva, ela pode atrair eletrons livres suIicientes para
Iormar uma camada Iina de eletrons entre a Ionte e o dreno. Esta camada de eletrons livres e
chamada camada de inverso tipo A.
8.5.1 TENSO DE LIMIAR
O VGS minimo que cria a camada de inverso tipo N e chamado tenso de limiar
VGS (limiar). Quando VGS e menor do que VGS(limiar), Ilui uma corrente zero da Ionte para o
dreno. Mas quando VGS Ior maior que VGS(limiar), uma camada de inverso tipo N ligara a
Ionte ao dreno e obteremos uma corrente.
8.5.2 CURVAS DE DRENO
A curva mais baixa e a curva de VGS(limiar). Quando VGS Ior menor do que
VGS(limiar), a corrente do dreno sera extremamente pequena. Quando VGS Ior maior do que
VGS (limiar), Ilui uma corrente do dreno signiIicativa, cuia intensidade depende do valor de
VGS.
8.5.3 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA
O vertice da parabola situa-se em VGS(limiar). Por isso , a equaco para a parabola e
diIerente da anterior:
ID K[ VGS - VGS(limiar)]
2
K e uma constante que depende do transistor
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42
8.5.4 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO INTENSIFICACO
- Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo
que utiliza um MOSFET de induco canal N com VGS(limiar) 3,0V.
A curva caracteristica do transistor Ioi desenhada usando a equaco:
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43
ID K| VGS VGS(limiar)|
2
0,3 mA/V
2
(VGS 3)
2
VGS VDS VDD ID.RD 20 V (2K O ).ID
VGS VDS 7,6 V ID 6,2 mA
8.6 APLICACES DO MOSFET
O MOSEET e muito utilizado na Iabricaco de circuitos integrados de portas lgicas,
registradores e memrias, e outros. O MOSEET e um dispositivo que dissipa baixa potncia e
possibilita a integraco em larga escala.
8.6.1 MOSFET COMO CHAVE
- Se Vin VGS 0, o transistor corta, pois VGS VGS(limiar), portanto, VS VDS VDD
- Se Vin VGS VDD, para um valor adequado de RD, o transistor satura, portanto,
VS VDS(sat) ~ 0 V.
Este circuito Iunciona como um inversor, e para a implementaco de circuitos logicos utiliza-
se, o MOSEET como chave.
- No exemplo do circuito (figura 5) representando uma porta inversora utilizando
apenas MOSFET - canal N.
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TABELA VERDADE
A Y A Y
0 V VDD 0 1
VDD 0 V
ou
1 0
- No exemplo abaixo temos um circuito representando uma porta NAND utilizando
apenas MOSFET - canal N.
A B Y A B Y
0 V 0 V VDD 0 0 1
0 V VDD VDD 0 1 1
VDD 0 V VDD 1 0 1
VDD VDD 0 V
OU
1 1 0
Este circuito e semelhante ao circuito
inversor mostrado anteriormente. Q1 Eunciona
como chave e Q2 como resistor de carga (RD).
Como porta e dreno esto em curto-circuitados em
Q2, VDS2 VGS2. Este transistor esta sempre
conduzindo, garantindo a condico de VGS2 ~
VGS(limiar). Apesar da relaco VDS2 / IDS2 no
ser linear, Q2 cumpre seu obietivo, que e limitar a
corrente ID1, Iuncionando como resistor.
Neste circuito Q1 e Q2 Iuncionam como chave e Q3 como
resistor de carga. A analise deste circuito e analoga a da porta
inversora, com a condico de que a saida Y e igual a 0 V
somente quando os dois transistores estiverem saturados.
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45
APENDICE 1
IDENTIFICACO DE TERMINAIS E TESTE DE
TRANSISTORES
IDENTIFICACO DE TERMINAIS DE TRANSISTORES
Com esta prova, podemos identiIicar os terminais de emissor (E), coletor (C), e a base (B)
de transistores de uso geral, RE e comutaco de pequena, media e grande potncias com boa
preciso. A prova tambem permite estabelecer se o transistor e NPN ou PNP .
PROCEDIMENTO:
a) Coloque o multimetro na escala baixa de resistncias : OHMS x 1 ou OHMS x 10, se
Ior analogico. Use a escala de 200 ou 2000 Ohms se Ior digital.
b) Zere o multimetro se Ior analogico.
c) Meca as resistncias diretas e inversas entre os terminais , dois a dois, de Iorma
combinada, ate encontrar um par em que tanto a resistncia direta como a inversa
seiam altas. So 6 medidas realizadas.
d) O terminal que no e usado nesta medida e certamente a base (B).
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46
e) Depois, meca a resistncia direta entre o terminal de base e os outros dois terminais.
A resistncia menor sera medida entre a base e o emissor de acordo com a Iigura .
I) Para saber se o transistor e NPN ou PNP, veriIique se na baixa resistncia , entre a
base e o emissor, e a ponta vermelha ou preta que esta na base. Se Ior vermelha, o
transistor e NPN, e se Ior preta, e PNP.
Para os multimetros digitais com a funco de prova dos transistores, a
combinaco dos terminais serve para a identificaco. J ligando o transistor
suspeito de diversas formas at que o multimetro indique um ganho para o
componente. Quando isso ocorrer, possivel sua ligaco no soquete estar certa e a
identificaco dos terminais pode ser feita.
g) Meca as resistncias diretas e inversas entre os terminais , dois a dois, de Iorma
combinada, ate encontrar um par em que tanto a resistncia direta como a inversa
seiam altas. So 6 medidas realizadas.
h) O terminal que no e usado nesta medida e certamente a base (B).
i) Depois, meca a resistncia direta entre o terminal de base e os outros dois terminais. A
resistncia menor sera medida entre a base e o emissor de acordo com a Iigura .
i) Para saber se o transistor e NPN ou PNP, veriIique se na baixa resistncia , entre a
base e o emissor, e a ponta vermelha ou preta que esta na base. Se Ior vermelha, o
transistor e NPN, e se Ior preta, e PNP.
TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES
PROVA DE 1UNCO
PROCEDIMENTO:
a) Coloque o multimetro na escala mais baixa de resistncias: OHMS x 1 ou OHMS x
10, se Ior analogico. Se Ior digital use as escalas de 200 ou de 2000 OHMS.
b) Zere o instrumento se Ior analogico.
c) Eaca as seguintes medidas:
Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II
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Resistncia direta coletor-emissor
Resistncia reversa coletor-emissor
Resistncia direta base-coletor
Resistncia reversa base-emissor
Resistncia reversa base-coletor
SatisIeitas estas medidas, o transistor estara com as iunces em bom estado. Para
transistores NPN e PNP, as polaridades das pontas de prova so diIerentes.
1UNCO MEDIDA CONDICO
Coletor - Emissor Direta e reversa altas Bom
Coletor - Emissor Direta e reversa baixas Curto
Coletor - Base Direta baixa e reversa alta Bom
Coletor - Base Direta e reversa baixas Curto
Coletor - Base Direta e reversa altas Aberto
Base Emissor Direta baixa e reversa alta Bom
Base Emissor Direta e reversa baixas Curto
Base Emissor Direta e reversa altas Aberto
PROVA DE 1UNCO
PROCEDIMENTO:
a) Repita os procedimentos a e b do item 8.2.1.
b) Meca a resistncia entre coletor e emissor . Se a leitura Ior maior que 10 MO o
transistor esta em boa condico. Se a leitura estiver entre 1MO e 10 MO o transistor
esta com fuga. Se a leitura estiver abaixo de 1MO o transistor esta com muita fuga.