Análise de Pequenos Sinais

Disciplina: Eletrônica I

Prof. Denis Alves

Universidade Federal Rural de Pernambuco UFRPE

Modelos Para Pequenos Sinais
Da analise anterior observamos que
as tensões e correntes do
amplificador são compostas de duas
componentes: Componente CC e
uma componente de sinal:
𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐
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Como estamos interessado em
obter um modelo para pequenos
sinais podemos eliminar as fontes
CC
Note que: 𝑉𝐶𝐶 𝑒 𝑉𝐵𝐸 são substituídos
por um curto circuito
Eletrônica I 2
Modelo Para Pequenos Sinais
Modelo 𝜋-Hibrido do TBJ para pequeno sinais

𝛽
𝑟𝜋 =
𝑔𝑚
𝑖𝑐 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒
𝑣𝑏𝑒 = 𝑟𝜋 𝑖𝑏
𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑖𝑏
𝛽 𝛽
𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑖𝑏 ∴ 𝐶𝑜𝑚𝑜 𝑟𝜋 =
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝛽𝑖𝑏

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Modelos Para Pequenos Sinais
Embora o modelo 𝜋-híbrido possa ser utilizado para realizar a análise de
pequenos sinais de qualquer circuito de transistor, há situações em que um
modelo alternativo, que é mais conveniente. Este modelo é conhecido como
modelo T.
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑐 → 𝑖𝑏 = 𝑖𝑒 − 𝑖𝑐
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑏 = − 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 → 𝑖𝑏 = 1 − 𝑔𝑚 𝑟𝑒
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑣𝑏𝑒 𝛽
𝑖𝑏 = 1−𝛼 ∴𝛼 =
𝑟𝑒 𝛽+1
𝑣𝑏𝑒 𝛽
𝑖𝑏 = 1−
𝑟𝑒 𝛽+1
Modelo anterior 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑏 = ∴ 𝑟 = 𝛽 + 1 𝑟𝑒
(𝛽 + 1)𝑟𝑒 𝜋

𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑏 =
𝑟𝜋

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Modelos Para Pequenos Sinais
Embora o modelo 𝜋-híbrido possa ser utilizado para realizar a
análise de pequenos sinais de qualquer circuito de transistor, há
situações em que um modelo alternativo, que é mais
conveniente. Este modelo é conhecido como modelo T.

𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑖𝑒 𝑟𝑒 ∴ 𝑣𝑏𝑒 = 𝑖𝑒 𝑟𝑒
𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑟𝑒 𝑖𝑒
𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝛼𝑖𝑒

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Modelos Para Pequenos Sinais
Exemplo: Considere o circuito da figura abaixo. Calcule o
ganho de tensão (𝐴𝑣 = 𝑣0 /𝑣𝑖 ). Suponha 𝛽 = 100.
1. Determinar o ponto de operação CC do TBJ e em
particular a correte CC de coletor (𝐼𝐶 );
2. Calcule os valores dos parâmetros do modelo para
𝐼 𝛽 𝑉
pequeno sinais: 𝑔𝑚 = 𝑐 , 𝑟𝜋 = , 𝑟𝑒 = 𝑇 =
𝑉𝑇 𝑔𝑚 𝐼𝐸
𝛼/𝑔𝑚
3. Elimine as fontes CC substituindo cada fonte cc de
tensão por um circuito curto circuito e cada fonte
de corrente por um circuito aberto
4. Substituia o TBJ por um dos seus modelos
equivalentes. Neste exemplo, usaremos o modelo 𝜋
5. Analise o circuito resultante para determinar as
grandezas de interesse (neste exemplo, o ganho de
tensão).

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Modelos Para Pequenos Sinais
Determinando o ponto de operação CC do TBJ e os parâmetros
Considerando o TBJ na região ativa (amplificador), temos
𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 ∴ 𝑉𝐸 = 0 𝑒 𝑉𝐵 = 0,7
3−0,7
.3 − 100 × 103 𝐼𝐵 − 0,7 = 0 ∴ 𝐼𝐵 = 105 → 𝐼𝐵 = 0,023 𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝑏 → 𝐼𝐶 = 2,3 𝑚𝐴
𝑉𝑐 = 10 − 3 × 2,3 = 3,1𝑉 (𝑉𝐶𝐵 > 0,4 Reg. Ativa )

Parâmetros:
2,3 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = 92𝑚𝐴/𝑉
25 𝑚𝑉
100
𝑟𝜋 = = 1,09 𝑘Ω
0,092

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Modelos Para Pequenos Sinais
Análise do circuito para pequenos sinais

𝑟𝜋
𝑣0 = −𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 × 𝑅𝑐 ∴ 𝑣𝑏𝑒 = 𝑣𝑖
𝑅𝐵𝐵 + 𝑟𝜋
𝑟𝜋
𝑣0 = −𝑔𝑚 𝑣𝑖 × 𝑅𝑐
𝑅𝐵𝐵 + 𝑟𝜋
𝑟𝜋
𝑣0 = −𝑔𝑚 𝑣𝑖 × 𝑅𝑐
𝑅𝐵𝐵 + 𝑟𝜋
𝑣0 1,09𝑘
𝐴𝑣 = = −92𝑚 × 3𝑘 = −2,98 𝑉/𝑉
𝑣𝑖 100𝑘 + 1,09𝑘

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Modelos Para Pequenos Sinais
Incluindo a dependência de ic – O Efeito Early

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Modelos Para Pequenos Sinais
Para um dado valor de 𝑣𝐵𝐸 aumenta-se a tensão 𝑣𝐶𝐸 , aumentam-se
a tensão na polarização reversa sobre a junção JCB, aumentando a
região de depleção
Por sua vez, isso resulta na diminuição da largura efetiva da base
(W)
Como se sabe, 𝐼𝑠 é inversamente proporcional a W e, portanto 𝐼𝑠 e
𝑖𝑐 aumentarão. Esse é o chamado efeito Early.
𝐴𝐸 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑖2
𝐼𝑠 = 𝑖𝑐 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑣𝑏𝑒/𝑉𝑇
𝑁𝐴 𝑊

Para incluir essa dependência linear de 𝑖𝑐 com 𝑉𝐶𝐸 , a corrente de

𝑉𝐶𝐸
𝑖𝑐 é acrescida de um fator (1 + )
𝑉𝐴
𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐶𝐸
𝑖𝑐 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 1+
𝑉𝐴

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Modelos Para Pequenos Sinais
A inclinação diferente de zero da retas 𝑖𝑐 − 𝑉𝐶𝐸 indica que a
resistência de saída vista pelo coletor não é infinita, ela é finita e
vale: 𝑣𝑏𝑒
𝐼𝑐 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇

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Modelos Para Pequenos Sinais
Modelo 𝜋

Modelo T

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Referências
1. Adel S. Sedra; Kenneth C. Smith, Microeletrônica. 5. ed. Porto Alegre:
Pearson Prentice Hall, 2007.
2. BEHZAD, R. Fundamentos de Microeletrônica, 2. ed.: Grupo GEN, 2017.
(Disponível no site Minha Biblioteca/UFRPE)

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