Laser DFB (Tese)

Modelação e Caracterização de um
Díodo Laser de Retroacção Distribuída (DFB)
José Maria Bastardo de Miranda Boavida
Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em
Engenharia Electrónica
Júri
Presidente: Prof. João José Lopes da Costa Freire
Orientador: Prof. Carlos Alberto Ferreira Fernandes
Co-orientador: Prof. José Augusto Nunes Vicente Passos Morgado
Vogal: Prof. António Luís Campos da Silva Topa
Setembro de 2009
Dissertação de mestrado sob orientação de
Doutor Carlos Alberto Ferreira Fernandes

e
Doutor José Augusto Nunes Vicente Passos Morgado
i
AGRADECIMENTOS
Agradecimentos
Uma tese de mestrado, embora realizada por uma pessoa singular, depende fundamentalmente do apoio
que o seu autor tem à sua disposição, seja este apoio técnico ou apoio psicológico. Por isso, é meu dever
agradecer, em primeiro lugar, ao Professor Carlos Alberto Ferreira Fernandes e ao Professor José Augusto
Nunes Vicente Passos Morgado, pois foi com eles que iniciei as minhas actividades de investigação no âmbito
dos lasers de semicondutor. Com os seus apoios senti-me extremamente motivado para trabalhar nesta área
e fui capaz de alcançar um resultado que, de outro modo, não teria sido possível.
Com as discussões que tive com o Professor Carlos Alberto Ferreira Fernandes, foi-me possível ter um
entendimento profundo da física de semicondutores e quais as teorias por detrás da modelação de lasers de
retroacção distribuída.
Por outro lado, as sessões de discussão que tive com o Professor José Augusto Nunes Vicente Passos
Morgado incutiram-me um grande sentido prático, de saber como devo proceder para rapidamente produzir
os resultados necessários.
Cumpre-me fazer uma especial referência ao Instituto de Telecomunicações por todo o suporte às ac-
tividades de investigação, nomeadamente à participação em conferências internacionais.
Gostaria ainda de agradecer à Academia da Força Aérea pelo facto de ter sido possível utilizar o labo-
ratório de electro-ópticos para realizar a parte experimental desta tese.
Para finalizar, fica a consideração que tenho pela minha família, que é um elemento bastante encorajador
no dia-a-dia, directa ou indirectamente.
iii
RESUMO
Resumo
O objectivo deste trabalho é o estudo de lasers de semicondutor com retroacção distribuída (DFB), no
contexto da sua utilização como fonte emissora de luz em sistemas de comunicação óptica (OCS) de elevado
débito binário, especialmente importante em situações que utilizem modulação directa (DM) do emissor.
Há duas fases envolvidas neste trabalho. A primeira consiste na compreensão e modelação dos disposi-
tivos em análise, utilizando a teoria das ondas acopladas e o método de matriz de transferência (TMM). A
segunda consiste na optimização de novas estruturas DFB de modo a alcançar desempenhos muito superiores
àqueles já reportados noutras obras existentes na literatura.
Os resultados obtidos são sistematicamente validados por comparação com resultados reportados na
literatura e, em certa medida, através da inclusão de algumas medições experimentais.
Conseguem-se estruturas DFB capazes de manter valores de relação de supressão de modos laterais tão
elevados quanto 50 dB, mantendo uma estabilidade elevada relativamente ao comprimento de onda emitido,
assim como uma boa eficiência de conversão electro-óptica.
Palavras-chave: Laser, métodos matriciais, retroacção distribuída, semicondutor.
v
SUMMARY
Summary
The aim of this work is the study of semiconductor lasers with distributed feedback (DFB), namely their
usage as the light source in high bit rate optical communication systems (OCS). This is specially important
in situations where direct modulation (DM) of the emitter is used.
There are two stages involved in this work. The first one is the study and modelling of the desired
devices, through the coupled waves theory and the transfer matrix method (TMM). The second one is the
optimization of new DFB structures, in order to achieve a performance far superior to the ones already
reported in the literature.
The obtained results are systematically validated by comparing with results taken from literature and,
to a certain extent, by the inclusion of some experimental measures.
In the end, DFB structures are achieved, which are capable of maintaining side mode suppression ratio
values as high as 50 dB, with very stable emitted wavelength, as well as good efficiency in the electro-optical
conversion.
Key-words: Laser, matricial methods, distributed feedback, semiconductor.
vii
Conteúdo
Agradecimentos iii
Resumo v
Summary vii
Conteúdo ix
Lista de Símbolos xiii
Glossário de Siglas e Acrónimos xv
Lista de Tabelas xvii
Lista de Figuras xix
1. Introdução 1
1.1. As Comunicações Ópticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. O LED e o LASER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Laser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4. Materiais a Utilizar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.5. Queima Espacial de Buracos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.6. Indicadores de Desempenho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Estado da Arte 5
2.1. O laser DFB Convencional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Laser PAR-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3. Laser MPS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.4. Laser DCC-DFB e Laser MPS-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.5. Laser CPM-DFB e Laser CPM-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.6. Laser GLTG-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.7. Laser CG-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.8. Estrutura Transversal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
ix
CONTEÚDO
3. Teoria das Ondas Acopladas Aplicada a Lasers a Semicondutor com Realimentação Dis-
tribuída 11
3.1. Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.2. Teoria das ondas acopladas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.3. Soluções para o sistema de equações das ondas acopladas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
4. Método da Matriz de Transferência em Regime de Limiar 23

4.1. Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
4.2. Matriz de uma Sub-Secção . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
4.3. Matriz de uma Mudança de Fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.4. Matriz das Facetas Reflectoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.5. Condição de Oscilação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5. Resultados do TMM em Regime de Limiar 31

5.1. Estruturas Conhecidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.1.1. Reprodução dos Resultados de H. Ghafouri-Shiraz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.1.2. Reprodução dos Resultados de T. Fessant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5.1.3. Conjecturas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.2. Estruturas Optimizadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.2.1. 1PS-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.2.2. 3PS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.2.3. CPM-2DCC-DFB Assimétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.2.4. CPM-3DCC-DFB Simétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.2.5. HR-AR-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.3. Resumo dos desempenhos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
6. TMM Acima do Limiar 43

6.1. Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6.1.1. Análise do Modo Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6.1.2. Análise do Modo Secundário . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
7. Resultados do TMM Acima do Limiar 47

7.1. Estruturas Conhecidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
7.1.1. Reprodução dos Resultados de H. Ghafouri-Shiraz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
7.1.2. Reprodução dos Resultados de T. Fessant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
7.1.3. Resumo dos desempenhos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
7.2. Estruturas Optimizadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.2.1. 1PS-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.2.2. 3PS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.2.3. CPM-2DCC-DFB Assimétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
x
CONTEÚDO
7.2.4. CPM-3DCC-DFB Simétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

7.2.5. HR-AR-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.2.6. Resumo dos desempenhos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
8. Resultados Experimentais 57
9. Conclusões 59
9.1. Sumário e conclusões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
9.2. Trabalho futuro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Bibliografia 61
A. Expressão aproximada para a constante de propagação complexa k(z), na presença de

um guia de ondas de Bragg de primeira ordem 63
B. Determinação das equações acopladas do laser 67
C. Método de Newton-Raphson para a determinação numérica de zeros de funções com-

plexas 71
xi
LISTA DE SÍMBOLOS
Lista de Símbolos
Símbolo Significado físico
K Coeficiente de acoplamento da corrugação
Λ Período da corrugação
θ Mudança de fase na corrugação
r̂ Reflectividade numa faceta
r Módulo da reflectividade numa faceta
ϕ Argumento da reflectividade numa faceta
Ω Resíduo de fase
α Ganho de campo de um modo oscilante do laser
δ Dessintonia associada a um modo oscilante do laser
S Selectividade modal da estrutura
F Factor associado à uniformidade do campo eléctrico
E Campo eléctrico na cavidade do laser
ER Campo eléctrico a deslocar-se para a direita
ES Campo eléctrico a deslocar-se para a esquerda
k Constante de propagação
f Frequência
λ Comprimento de onda
λΛ Comprimento de onda de Bragg
λ0 Comprimento de onda na transparência
λth Comprimento de onda no limiar
N Densidade de portadores
Continua na página seguinte
xiii
LISTA DE SÍMBOLOS
Símbolo Significado físico
N0 Densidade de portadores na transparência
Nth Densidade de portadores no limiar
n Índice de refracção
n0 Índice de refracção na transparência
nth Índice de refracção no limiar
S Densidade de fotões
g Ganho do material
A Taxa de emissão espontânea
B Coeficiente de recombinação molecular
C Coeficiente de recombinação de Auger
A0 Ganho diferencial
A1 Curvatura do ganho
A2 Pico diferencial do comprimento de onda
αloss Perdas internas
d n/d N Índice de refracção diferencial
ng Índice de refracção de grupo
vg Velocidade de grupo
c Velocidade da luz em espaço livre
ε Coeficiente de ganho não-linear
Lcav Comprimento da cavidade
d Espessura da zona activa
w Largura da zona activa
Γ Factor de confinamento óptico
xiv
GLOSSÁRIO DE SIGLAS E ACRÓNIMOS
Glossário de Siglas e Acrónimos
Sig./Acr. Designação em Inglês Designação em Português Pág.
Amplified Spontaneous
ASE Emissão espontânea amplificada 2
Emission
BL Bulk Laser Laser maciço 9
Corrugação com período

CG Chirped Grating 8
modulado continuamente
Corrugação com período
CPM Corrugation Pitch Modulated 8
variável
DBR Distributed Bragg Reflector Reflector de Bragg distribuído 12
Distributed Coupling Coeficiente de acoplamento

DCC 7
Coefficient distribuído
DFB Distributed Feedback Retroacção distribuída 3
DM Direct Modulation Modulação directa 2
EM External Modulation Modulação externa 2
FP Fabry Perot Fabry Perot 2
Gaussian Like Coeficiente de acoplamento

GLTG 8
Tapered Grating com distribuição Gaussiana
Light Amplification by Amplificação da luz por
LASER Stimulated Emission emissão estimulada 2
of Radiation de radiação
LED Light Emitting Diode Díodo emissor de luz 2
MPS Multiple Phase Shifts Mudanças de fase múltiplas 6
MQW Multiple Quantum Well Poços quânticos múltiplos 9
Optical Communication Sistema de comunicação

OCS 1
System óptica
Phase Adjustment Região de ajuste
PAR 6
Region de fase
Continua na página seguinte
xv
GLOSSÁRIO DE SIGLAS E ACRÓNIMOS
Sig./Acr. Designação em Inglês Designação em Português Pág.
QW Quantum Well Poço quântico 9
Quarterly Wavelength Mudança de fase de um

QWS 6
Shifted quarto de comprimento de onda
SHB Spatial Hole Burning Queima espacial de buracos 4
Razão de supressão dos

SMSR Side Mode Supression Ratio 3
modos laterais
Método da matriz de
TMM Transfer Matrix Method 23
transferência
Vertical Cavity
VCSEL Lasers de cavidade vertical 59
Surface-Emitting Lasers
xvi
Lista de Tabelas
5.1. Indicadores de desempenho para diversas estruturas laser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
6.1. Sumário dos parâmetros do laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
xvii
Lista de Figuras
1.1. Atenuação na fibra óptica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.2. Largura dos espectros do LED, Laser FP e Laser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Cavidades do Laser FP e do Laser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4. Estrutura de um laser DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1. Esquema simplificado da estrutura DFB convencional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.2. Funcionamento Multimodal e Monomodal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3. Esquema simplificado da estrutura PAR-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.4. Esquema simplificado da estrutura DFB com uma mudança de fase. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.5. Esquema simplificado de uma estrutura DCC-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.6. Esquema simplificado de uma estrutura CPM-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.7. Esquema simplificado de uma estrutura GLTG-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.8. Esquema simplificado de uma estrutura CG-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.1. Propagação do campo eléctrico num guia de ondas periódico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.2. Esquema simplificado da estrutura DFB com reflectividades nas extremidades. . . . . . . . . . . . . 20
4.1. Esquema simplificado para uma secção uniforme de um DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

4.2. Esquema simplificado para uma mudança de fase num DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.3. Esquema das ondas de campo eléctrico adjacentes à faceta esquerda. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
5.1. Variações nas soluções da estrutura com a variação da fase na faceta direita. . . . . . . . . . . . . . 32
5.2. Influência das mudanças de fase no desempenho das estruturas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.3. Influência do perfil DCC no desempenho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5.4. Distribuição do campo eléctrico para algumas estruturas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.5. Influência do perfil CPM nos 4 modos principais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.6. Distribuição do campo eléctrico para algumas estruturas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.7. Esquema simplificado da estrutura 1PS-DCC-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.8. Resultados no limiar para a estrutura 1PS-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.9. Esquema simplificado da estrutura 3PS-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.10. Resultados no limiar para a estrutura 3PS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
xix
LISTA DE FIGURAS
5.11. Esquema simplificado da estrutura CPM-2DCC-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

5.12. Resultados no limiar para a estrutura CPM-2DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.13. Esquema simplificado da estrutura CPM-3DCC-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.14. Resultados no limiar para a estrutura CPM-3DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.15. Esquema simplificado da estrutura HR-AR-DCC-DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.16. Resultados no limiar para a estrutura HR-AR-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.17. Variação do desempenho com a fase da faceta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
7.1. Distribuições de portadores e fotões para o QWS-DCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

7.2. Distribuições do índice de refracção e do campo eléctrico para o QWS-DCC . . . . . . . . . . 48
7.3. Resultados acima do limiar para a estrutura QWS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
7.4. Evolução do comprimento de onda para diversas estruturas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
7.5. Distribuições de portadores e fotões para o CPM-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
7.6. Espectro da estrutura CPM-DCC-DFB para duas correntes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
7.7. SMSR e curva de potência para estruturas conhecidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
7.8. Distribuições de fotões para o 1PS-DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.9. Espectro da estrutura 1PS-DCC-DFB para duas correntes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.10. Resultados acima do limiar para o 3PS-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.11. Resultados acima do limiar para o CPM-2DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.12. Resultados acima do limiar para o CPM-3DCC-DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.13. Espectro da estrutura HR-AR-DCC-DFB para duas correntes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.14. Selectividade e Flatness para estruturas optimizadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.15. SMSR e curva de potência para estruturas optimizadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
8.1. Montagem realizada no laboratório. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

8.2. Característica P (I) experimental. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
8.3. Dados retirados da característica P (I) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
xx
Capítulo 1
Introdução
1.1 As Comunicações Ópticas
A crescente procura por comunicações de banda larga tem sido responsável pelo rápido desenvolvimento
dos sistemas de comunicação óptica (OCS), que se apresentam como a rede de nova geração. Nesta rede,
o meio de transmissão é a fibra óptica, que consiste num filamento de vidro ou de material polimérico,
com uma excelente capacidade para transmissão de ondas electromagnéticas. Um dos objectivos principais
na comunicação óptica é a rapidez na transmissão de dados, que está limitada pela dispersão do sinal. A
dispersão intermodal foi solucionada com a transição de fibras multimodais para fibras monomodais. A
dispersão cromática, associada à correlação entre o comprimento de onda e o índice de refracção da fibra
e à largura espectral da fonte óptica, foi minimizada através da utilização de fibras com um dado perfil
de refracção ou de fibras com dispersão deslocada, para além da utilização de fontes ópticas de elevada
coerência.
2
Atenuação − dB/km
0.5
0.25
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Comprimento de onda − µm
Figura 1.1 – Atenuação na fibra óptica baseada em silício, em função do comprimento de onda (de acordo
com [1, pág. 3]).
Verifica-se experimentalmente que a fibra óptica tem uma atenuação variável com o comprimento de
onda usado, sendo que a menor atenuação acontece no comprimento de onda de 1.55 µm (Fig. 1.1). Embora
este seja o comprimento de onda com menor atenuação, o comprimento de onda com menor dispersão
acontece na vizinhança de 1.3 µm.
1
Capítulo 1 - INTRODUÇÃO
No contexto das comunicações ópticas existem dois tipos de modulação da onda electromagnética emi-
tida. O primeiro, mais fácil de implementar, consiste em emitir constantemente uma determinada intensidade
luminosa e usar um dispositivo óptico regulável para controlar a intensidade transmitida - modulação ex-
terna (EM). A segunda hipótese - modulação directa (DM) - baseia-se no princípio de que o laser traduz
directamente as variações de corrente eléctrica em variações na intensidade luminosa emitida, assegurando
que o espectro é sempre coerente, com uma baixa largura de linha centrada na mesma frequência.
1.2 O LED e o LASER

Ao longo do tempo, têm sido propostas várias alternativas que podem ser usadas para esta emissão de
luz. Inicialmente, a custo reduzido, considerou-se o uso de díodos emissores de luz (LED). Estes têm algumas
vantagens, nomeadamente o facto de serem componentes pouco dispendiosos. No entanto, o seu espectro
de emissão espontânea amplificada (ASE) tem uma largura de aproximadamente 100 nm, o que dificulta o
funcionamento monomodal (Fig. 1.2), sendo por isso desaconselhados no contexto das comunicações ópticas.
3 a 6 nm
50 a 100 nm 300 a 600 GHz <0.01 nm
5 a 10 THz <100 MHz
(a) (b) (c)
Figura 1.2 – Representação da largura dos espectros para

(a) LED (b) Laser FP (c) Laser DFB (ver sub-secção 1.3)
O próximo passo na evolução da fonte luminosa foi o uso de díodos de amplificação de luz por emissão
estimulada de radiação (LASER) que, ao invés de basearem o seu funcionamento em emissão espontânea,
usam sobretudo a emissão estimulada. Na emissão estimulada, os fotões já existentes definem qual será
a frequência dos novos fotões emitidos, tornando a fonte luminosa coerente. Entre os vários lasers de
semicondutor usados actualmente, um dos primeiros a ser utilizado foi o laser Fabry-Perot (FP). Um laser
FP representa um grande avanço relativamente a um LED mas ainda apresenta limitações, nomeadamente
pelo facto de permitir a coexistência de vários modos ressonantes na cavidade do laser, resultando um
espectro multimodal. Conforme demonstrado em [1, pág. 42], um laser FP constitui uma cavidade ressoante
para todas as frequências fm que respeitem:
m·c
fm = (1.1)
2 · ng · Lcav
onde m é um inteiro arbitrário, c é a velocidade da luz no vazio, ng é a velocidade de grupo e Lcav o
2
comprimento da cavidade. Estas frequências encontram-se separadas por
c
∆f = (1.2)
2 · ng · Lcav
cujo valor é suficientemente reduzido, conduzindo a que mais do que um modo esteja inserido dentro da
curva de ganho do material do laser, o que pode provocar a oscilação de vários modos distintos.
1.3 Laser DFB

Um avanço tecnológico na área de lasers de semicondutor consistiu na substituição de lasers Fabry-Perot
por lasers de retroacção distribuída (DFB). Num laser DFB não é estritamente necessário o uso de facetas
reflectoras na cavidade do laser, uma vez que a reflexão é realizada ao longo de toda a cavidade, de modo
distribuído, devido a uma variação periódica no índice de refracção na zona activa - Fig. 1.3.
(a) (b)
Figura 1.3 – Esquema simplificado das cavidades de lasers (a) Fabry-Perot. (b) DFB sem facetas reflectoras.
Com esta tecnologia, após uma boa optimização da estrutura em questão, consegue-se um espectro
bastante puro, no sentido em que é praticamente monocromático (Fig. 1.2(c)), com uma baixa largura de
linha e com uma boa relação de supressão dos modos secundários, designado na literatura anglo-saxónica
por Side Mode Supression Ratio (SMSR).
Há, no entanto, várias questões a considerar na construção de um laser DFB (Fig. 1.3(b)). A primeira
fase consiste em assegurar o seu bom funcionamento em regime próximo da corrente de limiar, em que se
pretende que o modo principal se destaque dos restantes e que a distribuição do campo eléctrico no interior
da cavidade seja tão uniforme quanto possível. Só assim se garante que, na segunda fase (acima da corrente
de limiar), sejam minimizados os problemas de correntes do fenómeno conhecido como queima espacial dos
buracos (SHB), abordado na sub-secção 1.5.
1.4 Materiais a Utilizar

No processo de fabrico de um laser usa-se a junção de dois ou mais compostos semicondutores para
assegurar a emissão de luz num determinado comprimento de onda. Enquanto que na zona activa se utiliza
um composto quaternário InGaAsP, na zona não activa utiliza-se o composto binário InP.
O material da família InGaAsP é implementado com um esquema (x)(1-x)(y)(1-y). É a conjunção
de dois factores que determina o valor a atribuir aos conteúdos de cada um dos elementos no composto
quaternário (x, y):
3
Contacto p
Buffer p-InP
Guia de onda InGaAsP
Zona activa InGaAsP

Buffer n-InP
Substrato n-InP
Contacto n
Figura 1.4 – Estrutura de um laser DFB.
• A correcta adaptação do material InGaAsP ao material InP, de modo a estabelecer uma boa interface,
para não afectar o comportamento electro-óptico do conjunto;
• O comprimento de onda que se pretende emitir, directamente dependente da altura da banda proibida
do material da zona activa.
Em particular, para um laser DFB, uma estrutura típica está representada na Fig. 1.4.
1.5 Queima Espacial de Buracos

Quando a distribuição do campo eléctrico é não-uniforme no limiar, esta não-uniformidade tende a
intensificar-se com o aumento da corrente. De acordo com as equações de taxa, onde existirem mais fotões,
existirão menos portadores e o índice de refracção será maior. Isto acontece porque os electrões se recombi-
narão mais frequentemente com os buracos.
As variações associadas a uma distribuição não uniforme de n(z), N (z) e S(z) são traduzidas por
alterações nos modos de funcionamento do laser, afectando o comprimento de onda emitido [2]. Tal fenómeno
designa-se por queima espacial de buracos, referido na literatura anglo-saxónica por spatial hole burning
(SHB).
1.6 Indicadores de Desempenho

Ao longo deste documento, as principais variáveis associadas a um determinado laser que indicam o seu
desempenho serão as seguintes:
• Selectividade (S) - Diferença entre o ganho necessário para a oscilação do modo principal e o ganho
necessário para a oscilação do modo secundário predominante. Estes ganhos encontram-se normalizados
pelo comprimento da cavidade;
• Flatness (F) - Medida da uniformidade da distribuição do campo eléctrico na cavidade do laser;
• SMSR - Diferença, medida em dB, entre a potência de emissão no comprimento de onda do modo
principal e a potência máxima de emissão no comprimento de onda do modos secundário predominante.
———————Fim de capítulo———————
4
Capítulo 2
Estado da Arte
2.1 O laser DFB Convencional

O laser DFB convencional corresponde à estrutura mais simples de um laser DFB, em que a sua cor-
rugação não é modificada, verificando-se apenas uma variação periódica do índice de refracção (Fig. 2.1).
Neste caso, considera-se as facetas anti reflectoras (AR).
Λ
r1 = 0
r2 = 0
K
z

Lcav
0 1
Figura 2.1 – Esquema simplificado da estrutura DFB convencional.
(a) (b)
Figura 2.2 – Funcionamento

(a) Multimodal (b) Monomodal
O laser DFB convencional tem a desvantagem de permitir a ressonância de dois modos simétricos,
conforme ilustrado na Fig. 2.2(a), que é uma representação do espectro emitido. A curva de ganho da
estrutura laser irá permitir a oscilação simultânea de dois modos. A situação ideal é aquela em que existe
um único modo principal com dessintonia nula, conforme ilustrado na Fig. 2.2(b). De modo a resolver este
problema do modo duplo, é necessário usar um tipo de estrutura que, de algum modo, insira uma mudança
5
Capítulo 2 - ESTADO DA ARTE
de fase. Isto pode ser solucionado de diferentes maneiras, nomeadamente aquelas que correspondem às
apresentadas nas secções 2.2, 2.3, 2.5 e 2.7.
2.2 Laser PAR-DFB

Com o objectivo de introduzir uma região na cavidade do laser onde se dá uma mudança de fase através
da variação da largura da zona activa, surgem as estruturas Phase Adjustment Region (PAR). Este tipo de
configuração da cavidade está esquematizada na Fig. 2.3, onde a zona central é mais larga que a zona lateral.
w1 w2
z

Lcav
0 1
Figura 2.3 – Esquema simplificado da estrutura PAR-DFB.
Exemplos da implementação desta técnica encontram-se explicitados nas Refs. [1, pág. 89] e [3].
2.3 Laser MPS-DFB

Quando se introduzem mudanças de fase na corrugação (Fig. 2.4), surgem as estruturas designadas por
Multiple Phase-Shift (MPS).
Λ
r2 = 0
r1 = 0
z

Lcav
0 θP 1
Figura 2.4 – Esquema simplificado da estrutura DFB com uma mudança de fase.
Entre as várias combinações possíveis, a mais popular é a Quarterly Wavelength Shift (QWS), que
consiste na introdução de uma mudança de fase de 90◦ . O espectro obtido é, neste caso, sempre simétrico e
com um modo com dessintonia nula. Variações acentuadas na selectividade podem ser obtidas por variação da
posição do PS. Será máxima quando esta se encontrar exactamente a meio da cavidade (estrutura simétrica).
No entanto, verifica-se uma diminuição da selectividade com a assimetria, perdendo-se mesmo a possibilidade
de propagação em modo único se a descontinuidade se aproximar demasiado das facetas, tornando-se o
espectro degenerado. O QWS-DFB é proposto em [1, pág. 95] como uma estrutura que apresenta um bom
6
valor de selectividade mas um mau valor de flatness, resultando então que tem um bom SMSR na situação
de limiar mas degradando-se rapidamente devido ao elevado efeito SHB.
Outra estrutura também proposta em [1, pág. 96] é o 3PS-DFB, que se apresenta como uma tentativa
de repartir mais a mudança de fase, para tornar o campo eléctrico mais uniforme, relativamente ao QWS-
DFB. O SMSR não é tão alto no limiar mas tem maior estabilidade, pois não há tanta queima espacial dos
buracos. Uma alternativa a este laser 3PS-DFB é a estrutura assimétrica proposta em [4], que apresenta
uma selectividade superior e um flatness inferior à estrutura 3PS-DFB simétrica de [1, pág. 96].
2.4 Laser DCC-DFB e Laser MPS-DCC-DFB
Quando uma corrugação tem um coeficiente de acoplamento com amplitude variável (Fig. 2.5) designa-se
por estrutura Distributed Coupling Coefficient (DCC).
Λ Kc
r1 = 0
r2 = 0
Ks Ks
z

Lcav
0 K P1 K P2 1
Figura 2.5 – Esquema simplificado de uma estrutura DCC-DFB.
O valor médio do seu coeficiente de acoplamento K av é definido através de:
n
X Li
K av = Ki · , (2.1)
i=1
L
onde n é o número de subsecções da cavidade, Ki é o coeficiente de acoplamento médio de cada subsecção

da cavidade e Li o comprimento de cada seubsecção.
Estas estruturas têm como principal vantagem a capacidade de aumentar a selectividade de um laser
e, nalgumas estruturas como o QWS-DCC-DFB têm a capacidade de tornar a distribuição do campo mais
uniforme, reduzindo o efeito SHB acima do limiar. Geralmente, estas estruturas nunca surgem isoladas
como DCC-DFB pois não apresentam grandes vantagens deste modo. No entanto, podem-se alcançar bons
resultados ao realizar a combinação MPS-DCC-DFB.
Em [1] há duas estruturas importantes propostas, o QWS-DCC-DFB e o 3PS-DCC-DFB, que represen-
tam melhorias face às estruturas QWS-DFB e 3PS-DFB. Em [5] é proposta uma estrutura 1PS-DCC-DFB
que permite atingir excelentes valores de selectividade e flatness, usando apenas uma mudança de fase, asso-
ciada a uma estrutura DCC, optimizada assimetricamente. Em [6] é proposto um trabalho de optimização
que permite alcançar resultados ainda melhores ainda que à custa de uma estrutura mais complicada.
7
2.5 Laser CPM-DFB e Laser CPM-DCC-DFB
Ao introduzir variações no período da corrugação (Fig. 2.6) surgem as estruturas designadas por Cor-
rugation Pitch Modulated (CPM).
Λs Λc Λs
r2 = 0
r1 = 0
z

Lcav
0 ΛP 1 ΛP 2 1
Figura 2.6 – Esquema simplificado de uma estrutura CPM-DFB.
A existência de uma subsecção com um período diferente funciona, em certa medida, como um PS
distribuído. Ou seja, é possível simultaneamente manter uma boa selectividade e não introduzir uma des-
continuidade acentuada na distribuição do campo eléctrico. Em [7] são propostas duas estruturas, uma
CPM-DFB e uma CPM-DCC-DFB. A segunda apresenta um desempenho bastante superior. Em [8] e [9]
são apresentados análises detalhadas relativamente à possibilidade de optimizar outras estruturas CPM.
2.6 Laser GLTG-DFB
Ao invés de utilizar variações discretas de K, também se pode propor variações contínuas, de acordo com
um determinado perfil. A Fig. 2.7 representa um exemplo de perfil de variação do coeficiente de acoplamento
na corrugação. A estrutura é designada por Gaussian-Like Tapered Grating (GLTG), explorada em [10].
Λ
r2 = 0
r1 = 0
z

Lcav
0 1
Figura 2.7 – Esquema simplificado de uma estrutura GLTG-DFB.
2.7 Laser CG-DFB
Do mesmo modo que um GLTG-DFB varia continuamente K de acordo com um perfil, existem estru-
turas designadas por Chirped Grating (CG)-DFB que variam Λ de acordo com um perfil. Esta técnica é
estudada em [11]. A Fig. 2.8 representa um esquema de perfil desta variação.
8
r1 = 0
r2 = 0
K
z

Lcav
0 1
Figura 2.8 – Esquema simplificado de uma estrutura CG-DFB.
2.8 Estrutura Transversal

Independentemente do tipo de corrugação usada, um laser DFB também pode sofrer alterações diversas
na sua estrutura no plano transversal à cavidade. A luz emitida pelo laser deve estar confinada à zona
onde coexiste com os portadores, designada por zona activa, e que fornece o ganho óptico para a emissão
estimulada. As dimensões da zona activa num plano transversal são responsáveis pelo aparecimento de
modos transversais e laterais, conforme se trata do campo perpendicular à junção (y) ou paralela à junção
(x) do plano transversal xy à cavidade óptica de dimensão Lcav na direcção z. Nos lasers de hetero-junção
(simples ou múltiplas), o confinamento do campo ocorre devido às diferenças entre os índices de refracção das
diferentes zonas (designado por lasers de confinamento por índice de refracção). Por outro lado, na direcção
x, existe também um confinamento lateral que pode estar associado quer a variações do índice de refracção,
quer a variações do ganho óptico (estrutura guiada por ganho).
O desenho da estrutura é fundamental no confinamento lateral, podendo afectar seriamente o factor de
confinamento e as correntes ditas de fugas. Quanto à direcção de injecção de corrente (direcção y), a opção
mais clássica consiste em dimensões suficientemente longas para que os efeitos resultantes da quantificação
não se façam sentir. As propriedades são sobretudo associadas aos materiais utilizados e os lasers são
designados por lasers maciços (na designação anglo-saxónica Bulk Laser (BL)). Podem, no entanto, ser
introduzidas quantificações importantes, nomeadamente:
• Numa única direcção, tornando o sistema 2D. São designados por lasers de poços quânticos - quantum
well (QW). Correspondem a zonas activas de dimensões inferiores a 100 Å. Nas estruturas de múltiplos
poços quânticos (MQW), as suas propriedades dependem, por exemplo, do número de poços quânticos,
da distância entre eles e da dimensão dos poços;
• Em duas direcções, tornando o sistema 1D. São designados por lasers de fios quânticos (quantum dash);
• Em três direcções, tornando o sistema 0D. São designados por lasers de pontos quânticos (quantum
dot ).
O nível de quantificação afecta as funções densidade de estados em energia e, portanto, os ritmos de

emissão/absorção associados aos processos electro-ópticos. As propriedades dos lasers, tais como as correntes
de limiar serão fortemente afectadas. No entanto, não serão objectivo de análise do presente trabalho,
excepto, quando muito, na definição dos parâmetros de entrada do modelo utilizado na análise da parte
longitudinal do laser (cavidade ressonante).
9
10
Capítulo 3
Teoria das Ondas Acopladas Aplicada a

Lasers a Semicondutor com
Realimentação Distribuída
3.1 Introdução
Para que numa determinada estrutura ocorra o fenómeno laser torna-se necessária a ocorrência de três
condições simultâneas: a existência duma fonte bombeadora capaz de fornecer a energia necessária para pro-
mover a condição de inversão de população (esta condição é caracterizada pelo facto da densidade da popula-
ção nos estados excitados ser superior à dos estados não-excitados [12, págs. 182–183]), uma região activa que
forneça o ganho óptico necessário para cobrir as perdas, e finalmente um mecanismo de realimentação óptica
de modo a ser possível ocorrer o fenómeno de emissão estimulada
[13, págs. 495–503], [12, págs. 159–164].
No caso particular de um laser a semicondutor convencional, a fonte bombeadora é a corrente eléctrica
que injecta portadores numa região activa constituída por uma hetero-estrutura confinada numa cavidade de
Fabry-Perot (FP). Esta cavidade está limitada longitudinalmente por duas faces que apresentam um certo
valor de reflectividade [13, págs. 619 – 638]. A hetero-estrutura p-n, também vulgarmente designada por
hetero-junção p-n, consiste numa junção p-n em que os lados p e n são feitos de materiais semicondutores
diferentes. O objectivo da sua utilização consiste em garantir, através da redução dos comprimentos de
difusão dos portadores relativamente às homo-junções p-n (junção p-n em que os lados p e n da junção
são feitos do mesmo material semicondutor), uma redução substancial do valor da corrente que é necessário
injectar no laser de forma a ter-se a condição de inversão de população. Este valor de corrente é designado
por corrente de limiar [13, págs. 617–619], [12, págs. 181–189]. A corrente de limiar é uma das principais
figuras de mérito da tecnologia de lasers a semicondutor. De facto, uma corrente de limiar reduzida significa
uma reduzida potência de perdas através da dissipação de calor, tornando possível a operação de lasers de
semicondutor sem controlo de temperatura, a temperaturas relativamente perto das condições da tempera-
tura ambiente [13, págs. 617–619], [14, págs. 79–131]. Conforme referido no capítulo anterior, a corrente
de limiar depende fortemente do tipo de estrutura transversal e longitudinal do laser.
A cavidade FP oferece, como será visto, condições para a propagação de um número infinito de modos
ópticos longitudinais, caracterizados por frequências discretas separadas de um certo valor [14, págs. 28–
11
Capítulo 3 - TEORIA DAS ONDAS ACOPLADAS APLICADA A LASERS A SEMICONDUTOR COM REALIMENTAÇÃO
DISTRIBUÍDA
31], [15, págs. 30–33]. Em virtude do facto das faces reflectoras da cavidade FP terem o mesmo valor de
reflectividade para todos os modos ópticos longitudinais, resulta que o espectro do ganho óptico é o único
mecanismo capaz de providenciar, na estrutura assim constituída, alguma discriminação entre todos os
modos ópticos longitudinais. No entanto, dado que a largura espectral do ganho óptico é, usualmente, muito
superior ao espaçamento entre os modos ópticos longitudinais da cavidade FP, o laser assim constituído
emite vários modos, sendo a potência associada a cada um deles determinada pelo ganho da cavidade à
frequência correspondente ao modo em causa [15, págs. 33–34]. Este laser é designado vulgarmente por laser
multimodo. Ao modo, relativamente ao qual está associada a maior potência, designa-se por modo principal .
Os restantes designam-se por modos secundários. A grandeza que dá a medida da pureza espectral de um
laser é a razão de supressão dos modos laterais (SMSR). Neste tipo de lasers a potência associada aos modos
secundários aumenta significativamente quando o laser é modulado directamente, limitando severamente a
máxima distância de transmissão aquando da sua utilização em sistemas de transmissão com dispersão de
velocidade de grupo.
Idealmente o espectro emitido por um laser deveria ser o mais estreito possível, o que em termos práticos
significaria que apenas um único modo longitudinal teria condições para oscilar, conduzindo assim a valores
ideais de SMSR ≈ ∞. Para aumentar a pureza espectral dos lasers construídos com base em cavidades FP,
várias técnicas e estruturas têm sido desenvolvidas, nomeadamente, lasers com cavidades externas, lasers
com cavidades acopladas, introdução na cavidade do laser de mecanismos de realimentação distribuída e
lasers de cavidade vertical [14, págs. 281–292], [15, pág. 245]. Este capítulo debruça-se, apenas, sobre o
estudo de alguns aspectos teóricos básicos, relacionados com a introdução de mecanismos de realimentação
distribuída em cavidades FP.
Com a introdução na cavidade do laser de mecanismos de realimentação distribuída, foram desenvolvidos
dois tipos de lasers: lasers DFB e lasers com reflector de Bragg distribuído (DBR). Nestes lasers faz-se variar
periodicamente a espessura da cavidade óptica do laser, através da impressão de uma rugosidade ao longo de
parte de secções desta, produzindo-se assim uma variação periódica, ou do índice de refracção, ou do ganho
por unidade de comprimento da cavidade, ou de ambos, cujo efeito resulta num efeito de realimentação
distribuída. Esta estrutura periódica, vulgarmente designada por guia de ondas periódico de Bragg, actua
como um filtro óptico passa-banda, originando que só as componentes na frequência, situadas na vizinhança
de uma frequência característica desta estrutura periódica, designada por frequência de Bragg, possam ser
coerentemente reforçadas durante o processo oscilatório que se desenvolve no interior da cavidade FP. As
frequências relativamente afastadas da frequência de Bragg são eliminadas como resultado da ocorrência de
interferência destrutiva [1, pág. 32]. Assume-se daqui para a frente, que o guia de ondas periódico de Bragg
tem um período espacial constante, Λ.
Quando o guia de ondas periódico de Bragg é impresso fora da região activa da cavidade do laser, isto
é, na zona onde já não existe injecção de portadores (zona passiva), o laser é designado por laser DBR.
Quando, por outro lado, é impresso ao longo de toda a região activa da cavidade do laser, este é designado
por laser DFB [14, págs. 285–288],[15, págs. 319–321], [12, págs. 196–197]. Estes dois tipos de lasers têm
características estáticas e dinâmicas semelhantes, sendo as suas estruturas monolíticas, o que conduz a
uma excelente robustez mecânica. No entanto, dado que nos lasers DBR as regiões da cavidade óptica do
12
DISTRIBUÍDA
laser responsáveis pelo ganho e selectividade na frequência são distintas, torna-se possível controlar o seu
processo de fabricação de forma independente, sendo possível assim optimizar as características do laser,
nomeadamente em termos de selectividade na frequência, conduzindo a excelentes características espectrais,
um pouco superiores às dos lasers DFB [14, pág. 287]. Por outro lado, ao exigir-se nos lasers DBR um
acoplamento quase perfeito entre os guias de ondas formados pela região activa e a rugosidade impressa
na região passiva, torna o seu processo de fabrico mais caro e complexo relativamente ao dos lasers DFB,
fazendo com que estes últimos sejam os mais utilizados, hoje em dia, em termos comerciais [14, pág. 287], [16,
pág. 25]. Este facto faz com que este capítulo se debruce mais especificamente sobre os laser DFB, sendo
no entanto toda a análise apresentada, directamente aplicável a lasers DBR. Valores de SMSR da ordem de
30 a 35 dB têm sido reportados em regime estacionário, para estes tipos de lasers, mantendo-se o seu valor
elevado, mesmo quando o laser é modulado directamente [15, págs. 351–354].
3.2 Teoria das ondas acopladas

Partindo das equações de Maxwell é possível mostrar que num laser a semicondutor, onde existe confi-
namento lateral e transversal do campo eléctrico que oscila na sua cavidade, a propagação do campo eléctrico
ocorre longitudinalmente segundo o eixo dos z, regendo-se esta pela seguinte equação
d2 E(z) 2
+ k (z) · E(z) = 0 , (3.1)
d z2
vulgarmente designada por equação escalar das ondas, em que E(z) é a amplitude complexa do campo
eléctrico, e k(z) é a constante de propagação complexa da onda associada a E(z) (em termos físicos k(z)
relaciona-se com as variações de fase e de ganho de amplitude da onda associada a E(z), por unidade de
comprimento percorrida por esta no interior da cavidade do laser). k(z) é dado por
k(z) = β(z) +  · g u (z) , (3.2)
em que β(z) é a constante de propagação de fase de E(z) (em termos físicos β(z) representa a variação de fase
de E(z) por unidade de comprimento percorrida por este na cavidade), e g u (z) o ganho de amplitude de E(z)
por unidade de comprimento percorrida por este na cavidade. A possibilidade da existência de um guia de
ondas periódico de Bragg na cavidade do laser, faz com que, tanto o índice de refracção, e consequentemente
β(z), como g u (z) possam ser dependentes de z e, de acordo com (3.2), também k(z).
Ao admitir-se a existência, ao longo da cavidade do laser, do guia de ondas periódico de Bragg, a
constante de propagação de fase β(z) é dada por
△ 2π · f
β(z) = (3.3)
cΛ (z)
em que f é a frequência e cΛ (z) é a velocidade de propagação de E(z) no guia de ondas periódico de Bragg.
Atendendo a que
1
cΛ (z) = p , (3.4)
µ(z) · ε(z)
13
DISTRIBUÍDA
resulta, substituindo (3.4) em (3.3)
2π · f p
β(z) = = 2π · f · µ(z) · ε(z) , (3.5)
1
p
µ(z) · ε(z)
em que µ(z) e ε(z) são, respectivamente, a permeabilidade magnética e a constante de permitividade do meio
onde se propaga E(z), e que se assumem, à partida, variáveis com z devido à existência do guia de ondas
periódico de Bragg. No entanto, devido ao facto de ser possível considerar, relativamente ao material de
semicondutor que constitui a cavidade do laser, a seguinte aproximação
µ(z) ≈ µ0 , (3.6)
em que µ0 é a permeabilidade magnética do vazio, resulta, substituindo (3.6) em (3.5), e depois de algum
desenvolvimento p
p µ0 · ε(z)
β(z) ≈ 2π · f · µ0 · ε0 · √ ≈ k0 · n(z) , (3.7)
µ0 · ε0
em que k0 definido como
△ p
k0 = 2π · f · µ0 · ε0 , (3.8)
representa a constante de propagação de fase de E(z) (em termos físicos k0 representa a variação de fase do
E(z) por unidade de comprimento percorrida por este em espaço livre), quando este se propaga em espaço
livre, e n(z) dado por s
p
µ0 · ε(z) ε(z)
n(z) ≈ √ = , (3.9)
µ0 · ε0 ε0
o índice de refracção do meio onde se propaga E(z).

Ao admitir-se que o guia de ondas periódico de Bragg é uma estrutura periódica de período espacial Λ,
assume-se que esta induz variações periódicas, de período Λ, em n(z) e g u (z). Admite-se ainda que é possível
aproximar estas variações periódicas pelo desenvolvimento em série de Fourier de n(z) e g u (z), aproveitando
apenas os dois primeiros termos deste desenvolvimento. É de notar que o facto do comprimento da cavidade
do laser — da ordem das várias centenas de µm — ser muito superior ao período espacial Λ, do guia de
ondas periódico de Bragg — da ordem de vários nm — faz com que seja possível admitir que a estrutura
periódica correspondente ao guia de ondas periódico de Bragg tem um comprimento infinito relativamente
ao seu período e, por isso, admite um desenvolvimento em série de Fourier. Quando é possível fazer esta
aproximação, designa-se o guia de ondas periódico de Bragg por guia de ondas de primeira ordem. Resulta
z
n(z) ≈ n0 + ∆ n · cos 2 π · + ΩΛ (3.10a)
Λ
z
g u (z) ≈ g u0 + ∆ g u · cos 2 π · + ΩΛ + θΛ , (3.10b)
Λ
em que n0 e g u0 são os valores médios de n(z) e g u (z), respectivamente, ∆ n e ∆ g u são as amplitudes dos
termos de modulação de n(z) e g u (z), respectivamente, ΩΛ é a fase das variações periódicas de n(z) para
z = 0 µm, e θΛ é a diferença relativa de fases entre as perturbações de n(z) e g u (z). Daqui em diante, g u0
passará a ser designado por α.
14
DISTRIBUÍDA
A existência do guia de ondas periódico de Bragg com período espacial Λ impõe, à partida, limitações
nos valores que β(z) pode assumir. Para entender, em termos físicos, as restrições daí decorrentes, considere-
se a evolução de E(z) na estrutura longitudinal de período Λ, representada na figura 3.1, onde se representa
apenas um período do guia de ondas periódico de Bragg, assumindo nesta estrutura g u (z) = 1 m−1 .
E(z) E(z)
y
..
.
ΦΛ D ΦΛ
Λ
ΦΛ ΦΛ
ΦΛ ΦΛ
A C z
B
..
.
Figura 3.1 – Propagação de E(z) num guia de ondas periódico e Bragg com período espacial Λ, assumindo-se
confinamento lateral e transversal de E(z), e g u (z) = 1 m−1 .
De forma intuitiva é possível antever que por cada intervalo periódico de comprimento Λ, E(z) “sente” a
mesma variação do índice de refracção. Consequentemente, a onda que se propaga ao longo do guia de ondas
periódico de Bragg, gerará uma onda reflectida com a mesma direcção relativamente ao eixo longitudinal da
cavidade, por cada vez que incidir na superfície de separação de dois períodos consecutivos deste guia. Se o
guia de ondas periódico de Bragg for constituído por NΛ períodos gerar-se-ão, assim, NΛ ondas reflectidas.
Consequentemente, para que E(z) tenha condições para oscilar, todas as NΛ ondas reflectidas terão que
interferir construtivamente entre elas, isto é, a diferença de fase entre duas ondas reflectidas nas superficies
de separação de dois períodos consecutivos do guia de ondas periódico de Bragg terá que ser um múltiplo de
2π. De acordo com a figura 3.1, ter-se-á assim que ter
h i
β(z) · AB + BC = β(z) · 2Λ · sin (ΦΛ ) = 2mπ : m = 1; 2; 3 ... . (3.11)
Assumindo ΦΛ = π/2 e, como se referiu anteriormente, que o guia de ondas é um guia de primeira ordem,
resulta na expressão (3.11), m = 1. Resulta, assim, β(z) = π/Λ, conclui-se que, nas condições anteriores,
a constante de propagação de E(z) não depende de z, mas tão só e apenas do período espacial Λ do guia
de ondas periódico de Bragg. Nestas condições passa a designar-se a constante de propagação de E(z) por
constante de propagação de Bragg, tendo-se
△ π
βΛ = . (3.12)
Λ
Em termos físicos βΛ representa o valor na vizinhança relativamente ao qual, se deve encontrar a

constante de propagação β(z) associada a um determinado campo E(z), de modo a que este se possa
propagar na estrutura definida nas condições da figura 3.1.
Atendendo a que o significado físico associado à constante de fase de um campo pode ser visto como a
15
DISTRIBUÍDA
variação de fase desse campo por unidade de comprimento propagado, é possível escrever
2π
λEstrut = . (3.13)
βΛ
Substituindo (3.12) em (3.13), resulta facilmente
λEstrut = 2 Λ . (3.14)
Associado a λEstrut é possível pensar que se encontra um oscilador de frequência

c/n0
fΛ = . (3.15)
λEstrut
Substituindo (3.14) em (3.15), resulta

c
fΛ = . (3.16)
2 Λ n0
É comum designar fΛ por frequência de Bragg. Se o oscilador de frequência fΛ oscilar, não na estrutura
anteriormente definida, mas no vazio, então o comprimento de onda que lhe está associado é dado por
c
λΛ = (3.17)
fΛ
em que c é a velocidade da luz no vazio. Substituindo (3.15) em (3.17), resulta
λΛ = 2 Λ n0 . (3.18)
É comum designar-se λΛ por comprimento de onda de Bragg.

Para encontrar uma solução E(z), que satisfaça a equação (3.1), importa tentar escrever uma expressão
aproximada para k(z), tendo em conta, para além da expressão (3.2), as características do guia de ondas
periódico de Bragg dadas por (3.10).
Assumindo as seguintes condições
g u (z) ≪ β(z) ; ∆ n ≪ n0 ; ∆ gu ≪ α , (3.19)
mostra-se no Apêndice A (pág. 63) que é possível considerar a seguinte aproximação

2
k (z) ≈ β 2 (z) +  · 2 β(z) · α+
h i h i
(3.20)
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ .
em que KR←S e KS←R são os designados factores de acoplamento associados ao guia de ondas periódico de
Bragg, sendo definidos como
△ π ·∆n ∆ gu
(3.21)

KR←S = + · · exp −  · θΛ
λ0 2
△ π ·∆n ∆ gu
(3.22)

KS←R = + · · exp  · θΛ ,
λ0 2
em que
△ 2π
λ0 = . (3.23)
k0
16
DISTRIBUÍDA
Adiante será dado um significado físico a estas grandezas. É comum escrever os factores de acoplamento na
forma
(3.24)

KR←S = KR +  · KI · exp −  · θΛ ; KS←R = KR +  · KI · exp  · θΛ
em que
△ π·∆n △ ∆ gu
KR = ; KI = . (3.25)
λ0 2
Da expressão (3.25) concluí-se que KR inclui todas as contribuições das perturbações do índice de
refracção da cavidade do laser para os factores de acoplamento. Por outro lado KI inclui todas as con-
tribuições das perturbações do ganho por unidade de comprimento da cavidade do laser para os factores de
acoplamento.
[ exp( · x)+exp(− · x)]
Substituindo a expressão (3.20) na expressão (3.1), tendo-se em conta a relação cos(x) = 2 ,
resulta a seguinte equação
(
d2 E(z)
+ β 2 (z) +  · 2 · β(z) · α+
dz
) (3.26)
h i h i
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ · E(z) = 0 .
A resolução da equação (3.26) conduz assim a uma solução E(z) onde, para além de se fazerem sentir
os efeitos do confinamento lateral e transversal de E(z) na cavidade do laser, se fazem sentir, também, os
efeitos da presença nesta, do guia de ondas periódico de Bragg impresso ao longo do seu comprimento.
Supondo a cavidade do laser sem a presença do guia de ondas periódico de Bragg, então KR←S =
KS←R = 0 m−1 , e a equação (3.26) reduz-se a (note-se que, de acordo com (3.25), se tem neste caso ∆ n = 0
e ∆ g u = 0 m−1 e, consequentemente, de acordo com (3.21) e (3.22), KR←S = KS←R = 0 m−1 )
d2 E(z) h 2 i
+ β +  · 2 · β · α · E(z) = 0 , (3.27)
d z2
Por outro lado, atendendo à primeira aproximação de (3.19), resulta

2
β 2 +  · 2 · β · α ≈ β 2 +  · 2 · β · α + α2 ≈ β +  · α . (3.28)
Substituindo (3.28) em (3.27), resulta
d2 E(z) 2
2
+ β +  · α · E(z) = 0 , (3.29)
dz
Sendo a equação (3.29) uma equação diferencial linear de coeficientes constante, admite uma solução do
tipo [17, págs. 216-222]
(3.30)

E(z) = A(z) · exp −  · β · z + B(z) · exp  · β · z ,
em que A(z) e B(z) são constantes complexas arbitrárias, a determinar através das condições fronteira
impostas nas extremidades da cavidade.
Do exposto anteriormente é possível tecer os seguinte argumentos. Quando se considera a presença do
guia de ondas periódico de Bragg na cavidade do laser, a solução E(z) deve ser, por um lado, formalmente
17
DISTRIBUÍDA
idêntica à expressão (3.30) com β substituído por β(z) e, por outro, β(z) deve situar-se na vizinhança de
βΛ , isto é,
(3.31)

β(z) − βΛ ≪ βΛ ,
pois como se viu anteriormente, só nestas condições E(z) tem condições para se propagar no guia de ondas
periódico de Bragg.
Define-se o factor de dessintonia de Bragg como
△
δ = β(z) − βΛ . (3.32)
Tendo em atenção as expressões (3.31) e (3.32) resulta, facilmente, ser possível escrever a expressão (3.30)
como

E(z) = A(z) · exp −  · δ · z · exp −  · βΛ · z +
(3.33)
+ B(z) · exp  · δ · z · exp  · βΛ · z .
Adoptando as seguintes definições
△ △
(3.34)

R(z) = A(z) · exp −  · δ · z ; S(z) = B(z) · exp  · δ · z ,
resulta, substituindo (3.34) em (3.33)
(3.35)

E(z) = R(z) · exp −  · βΛ · z + S(z) · exp  · βΛ · z .
A expressão (3.35) mostra que uma solução geral da equação (3.26) é constituída pela soma de duas
componentes. A componente em R(z) representa uma onda que se propaga no sentido crescente do eixo dos
z. Por seu lado, a componente em S(z) representa uma onda que se propaga no sentido decrescente do eixo
dos z.
Substituindo a expressão (3.35) na equação (3.26), mostra-se no Apêndice B (pág. 67) que
d R(z)
(3.36a)

− + α −  · δ · R(z) =  · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ
dz
d S(z)
(3.36b)

+ α −  · δ · S(z) =  · KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ .
dz
O sistema (3.36) é conhecido por sistema de equações de ondas acopladas.

Concluí-se, assim, que a partir da equação escalar das ondas (3.1), foi possível estabelecer o sistema
de equações de ondas acopladas (3.36), que rege a propagação de E(z) na cavidade óptica do laser onde
existe confinamento lateral e transversal, assumindo a presença de um guia periódico de Bragg, com período
espacial Λ. Estas equações são válidas para o caso das perturbações induzidas no índice de refracção e ganho
por unidade de comprimento da cavidade serem de amplitude pequena.
O sistema de equações 3.36 para além de traduzir de forma matemática, e muito claramente, o significado
físico subjacente ao conceito de realimentação distribuída, permite evidenciar inequivocamente o significado
físico das grandezas KR←S e KS←R .
18
DISTRIBUÍDA
De facto, as equações 3.36 mostram que, num laser com realimentação distribuída, existe um acopla-
mento (entende-se por acoplamento entre campos eléctricos, as transferências de energia que se dão entre
campos eléctricos) contínuo, ao longo da cavidade, entre o campo eléctrico que se propaga no sentido cres-
cente do eixo dos z, R(z) , e o campo eléctrico que se propaga no sentido decrescente do eixo dos z, S(z) .

A equação (3.36a) mostra, assim, que KR←S mede o acoplamento que S(z) induz em R(z), e daí designar-se
por Forward Coupling Coefficient. Por seu lado a equação (3.36b) mostra que KS←R mede o acoplamento
que R(z) induz em S(z), e daí designar-se por Backward Coupling Coefficient.
3.3 Soluções para o sistema de equações das ondas acopladas

Importa agora, a partir do sistema de equações acopladas (3.36), responder à seguinte questão: Para um
determinado guia de ondas periódico de Bragg, caracterizado por βΛ , com, eventualmente, facetas nas suas
extremidades com factores de reflectividade de amplitude r1 e r2 quais os valores de δ e os correspondentes
valores exigidos para α, que são soluções de (3.36)?
Para responder à pergunta anterior, e por uma questão de facilidade de tratamento do problema, sem
perda de generalidade, vai assumir-se, daqui para a frente, que θΛ = 0. Nestas circunstâncias resulta de (3.24)
KR←S = KS←R = KR +  · KI , (3.37)
e de (3.10) e (3.12),
(3.38a)

n(z) ≈ n0 + ∆ n · cos ΨΛ (z)
(3.38b)

g u (z) ≈ α + ∆ g u · cos ΨΛ (z) ,
em que
△
ΨΛ (z) = 2 βΛ · z + ΩΛ (3.39)
representa a fase da corrugação do guia periódico de Bragg na coordenada z.

Nestas circunstâncias os dois factores de acoplamento são iguais resultando, nestas circunstâncias, passar
a ser possível falar apenas do factor de acoplamento do guia de ondas periódico de Bragg, que passara a ser
designado por K.
K = K +  · KI . (3.40)
De acordo com (3.35), a solução do sistema de equações (3.36) poderá ser escrita na forma
(3.41)

R(z) = R1 · exp γ · z + R2 · exp − γ · z
(3.42)

S(z) = S 1 · exp γ · z + S 2 · exp − γ · z ,
h i
E(z) = R1 · exp γ · z + R2 · exp − γ · z · exp −  · βΛ · z +
(3.43)
h i
+ S 1 · exp γ · z + S 2 · exp − γ · z · exp  · βΛ · z ,
19
DISTRIBUÍDA
em que as constantes R1 , R2 , S 1 , S 2 e γ, são constantes complexas a serem determinadas com base

nas condições fronteira impostas nas facetas do laser. No entanto, independentemente do tipo de fac-
etas utilizadas, é possível mostrar que, de modo a solução (3.43) ser uma solução não-trivial, isto é,
R1 = R2 = S 1 = S 2 = 0, ter-se-á que verificar a seguinte condição
2 2
γ2 = α −  · δ +K , (3.44)
conhecida por equação da dispersão.

Assuma-se, agora, e de acordo com a figura 3.2, a existência, nas extremidades da cavidade do laser, de
facetas reflectoras, com factores de reflectividade r̂1 e r̂2 .
r̂2
r̂1
z − z1

Lcav
0 1
Figura 3.2 – Esquema simplificado da estrutura DFB com reflectividades nas extremidades.
Por outro lado, assuma-se também que a cavidade tem comprimento L. As condições fronteira nas
facetas do laser exigem que se verifiquem as duas seguintes condições
(3.45a)

R(z1 ) · exp −  · βΛ · z1 = r̂1 · S(z1 ) · exp  · βΛ · z1
(3.45b)

S(z2 ) · exp  · βΛ · z2 = r̂2 · R(z2 ) · exp −  · βΛ · z2 .
A equação da dispersão (3.44) e as condições fronteira (3.45), impõem que se verifique a seguinte equação
− · K C · Lcav · sinh (γ · Lcav )

γ · Lcav = ·
D
(3.46)
h i
.5

· r̂1 + r̂2 · 1 − r̂1 · r̂2 · cosh (γ · Lcav ) ± (1 + r̂1 · r̂2 ) · ,
em que
△ 2 2
· sinh2 γ · Lcav + 1 − r̂1 · r̂2 (3.47)

= r̂1 − r̂2
△ 2
− 4 r̂1 · r̂2 · cosh2 γ · Lcav (3.48)

D = 1 + r̂1 · r̂2
h i
(3.49)

r̂1 = r1 · exp  · 2 βΛ · z1 + ΩΛ = r1 · exp ΨΛ1
h i
(3.50)

r̂2 = r2 · exp −  · 2 βΛ · z2 + ΩΛ = r2 · exp ΨΛ2 ,
em que ΨΛ1 representa a fase da corrugação do guia de ondas periódico de Bragg para z = z1 , e ΨΛ2
representa o valor simétrico da fase da corrugação do guia de ondas periódico de Bragg para z = z2 .
20
DISTRIBUÍDA
A equação (3.46) governa a característica de limiar do laser DFB. Esta característica é determinada
pelos seguintes factores: o factor de acoplamento K que, de acordo com (3.38) depende das características
da corrugação, do comprimento da cavidade do laser Lcav , e dos factores de reflectividade complexos r̂1 e
r̂2 , das facetas. Resolvida a equação (3.46) em ordem a γ, torna-se possível determinar δ e α relativamente
aos modos que podem oscilar na cavidade.
Na maior parte das vezes com interesse prático, equação (3.46) só pode ser resolvida através da utilização
de métodos numéricos. Para isso a equação (3.46), pode ser escrita na forma
2 2
· sinh2 γ · Lcav · 1 − r̂12 · 1 − r̂22 +

γ · Lcav · D + K · Lcav
(3.51)
 · 2 K · Lcav · r̂12 + r̂22 · 1 − r̂12 · r̂22 · γ · Lcav · sinh γ · Lcav · cosh γ · Lcav = 0

.
Encontra-se descrito no Apêndice C (pág. 71) um método possível de resolução para este tipo de
equações, o método de Newton.
21
Capítulo 4
Método da Matriz de Transferência em

Regime de Limiar
4.1 Introdução
Conforme exemplificado no capítulo anterior surge a necessidade de obter um modelo flexível capaz de
traduzir diversas modificações na estrutura de um laser e avaliar o seu funcionamento. Neste capítulo é
introduzido o método da matriz de transferência (TMM), que se baseia em dividir a cavidade de um laser
nas suas diversas secções, definidas pelos seus parâmetros estruturais.
4.2 Matriz de uma Sub-Secção
O ponto de partida para obter a formulação matricial que descreve a cavidade de um laser de semicon-
dutor consiste em determinar a matriz T (zm+1 /zm ) que descreve uma secção uniforme (ver Fig. 4.1).
E R (zm ) E R (zm+1 )
Λm
E S (zm ) E S (zm+1 )
Ωm
Km
z
zm zm+1
Figura 4.1 – Esquema simplificado para uma secção uniforme de uma estrutura laser DFB unidimensional,
situada entre z = zm e z = zm+1 .
Na Fig. 4.1, Λm é o período da corrugação nesta secção, K m é o coeficiente de acoplamento nesta secção
e Ωm é o resíduo de fase à esquerda da secção, definida por:
m−1
X
π
Ω m = Ω1 + 2 · · Lk ; 2≤m≤M . (4.1)
Λk
k=1
Das equações dos modos acoplados (3.36), tiram-se:
E(z) = E R (z) + E S (z) = R(z) · exp (− · βm · z) + S(z) · exp ( · βm · z) , (4.2)
23
Capítulo 4 - MÉTODO DA MATRIZ DE TRANSFERÊNCIA EM REGIME DE LIMIAR

R(z) = R1m · exp (γ m · z) + R2m · exp (−γ m · z)

. (4.3)
S(z) = S 1 · exp (γ · z) + S 2 · exp (−γ · z)

m m m m
Por outro lado, deduz-se também:


S 1m = ρ · exp ( · Ωm ) · R1m

m
, (4.4)
R2 = ρ · exp (− · Ωm ) · S 2

m m m
 · Km
ρm = . (4.5)
α −  · δm + γ m
Substituindo (4.4) em (4.3), resulta:


R(z) = R1m · exp (γ m · z) + ρm · S 2m · exp (− · Ωm ) · exp (−γ m · z)

. (4.6)
S(z) = ρ · R1 · exp ( · Ωm ) · exp (γ · z) + S 2 · exp (−γ · z)

m m m m m
Supondo que os limites desta corrugação se situam entre as posições zm e zm+1 , resulta de (4.6) que:
R(zm ) = R1m · exp (γ m · zm ) + ρm · S 2m · exp (− · Ωm ) · exp (−γ m · zm ) (4.7a)
S(zm ) = ρm · R1m · exp ( · Ωm ) · exp (γ m · zm ) + S 2m · exp (−γ m · zm ) (4.7b)
(4.7c)

R(zm+1 ) = R1m+1 · exp γ m+1 · zm+1 + ρm+1 · S 2m+1 · exp (− · Ωm+1 ) · exp −γ m+1 · zm+1
(4.7d)

S(zm+1 ) = ρm+1 · R1m+1 · exp ( · Ωm+1 ) · exp γ m+1 · zm+1 + S 2m+1 · exp −γ m+1 · zm+1
Utilizando (4.7a) e (4.7b), é possível escrever R1 e S 1 como:
ρm · S(zm ) · exp (− · Ωm ) − R(zm )

R1 = (4.8a)
ρm2 − 1 · exp (γ m · zm )

ρm · R(zm ) · exp ( · Ωm ) − S(zm )

S2 = (4.8b)
ρm2 − 1 · exp (−γ m · zm )

Substituindo (4.8a) e (4.8b) em (4.7c) e (4.7d), resulta:
ρm · S(zm ) · exp (− · Ωm ) − R(zm )

R(zm+1 ) = 2
· exp γ m · zm+1
ρm − 1 · exp (γ m · zm )
ρm · R(zm ) · exp ( · Ωm ) − S(zm )
+ ρm · · exp (− · Ωm ) · exp (−γ m · zm+1 ) (4.9a)
ρm2 − 1 · exp (−γ m · zm )

ρm · S(zm ) · exp (− · Ωm ) − R(zm )

S(zm+1 ) = ρm · · exp ( · Ωm ) · exp (γ m · zm+1 )
ρm2 − 1 · exp (γ m · zm )

ρm · R(zm ) · exp ( · Ωm ) − S(zm )

(4.9b)

+ 2
· exp −γ m · zm+1
ρm − 1 · exp (−γ m · zm )
24
Para simplificar a notação em uso, definem-se as variáveis:
ξm = exp (γ m · (zm+1 − zm )) (4.10a)
ζm = exp ( · βm · (zm+1 − zm )) (4.10b)
Desenvolvendo (4.9a) e (4.9b), tendo em conta (4.10a), é possível obter:

−1

ξm − ρm2 · ξm
−1 ρm · ξm − ξm · exp (− · Ωm )
R(zm+1 ) = 2 · R(zm ) − · S(zm ) (4.11a)
1 − ρm 1 − ρm2
−1

ρ · ξm − ξm · exp ( · Ωm ) ρ 2 · ξm − ξm−1
S(zm+1 ) = m 2 · R(zm ) − m 2 · S(zm ) (4.11b)
1 − ρm 1 − ρm
Ao substituir (4.11a) e (4.11b) em (4.2), considerando (4.10b), é possível estabelecer a relação:

−1
ξm − ρm2 · ξm

−1 ρm · ξm − ξm · exp (− · Ωm ) −1
E R (zm+1 ) = 2
−1
· ζm · E R (zm ) − · ζm · E S (zm ) (4.12a)
1 − ρm 1 − ρm2
−1

ρ · ξm − ξm · exp ( · Ωm ) ρ 2 · ξm − ξm
−1
E S (zm+1 ) = m 2 · ζm · E R (zm ) − m 2 · ζm · E S (zm ) (4.12b)
1 − ρm 1 − ρm
Faz então sentido associar as ondas eléctricas à entrada e à saída da corrugação, através da relação
matricial        
E R (zm+1 ) E R (zm ) t t12 E R (zm )
  = T (zm+1 /zm ) ·   =  11 ·  , (4.13)
E S (zm+1 ) E S (zm ) t21 t22 E S (zm )
onde os elementos t11 , t12 , t21 e t22 são extraídos de (4.12):

ξm − ρm2 · ξm
−1
−1
· ζm
t11 = 2 (4.14a)
1 − ρm
−1
−1
−ρm ξm − ξm · ζm · exp (− · Ωm )
t12 = (4.14b)
1 − ρm2
−1

ρm ξm − ξm · ζm · exp ( · Ωm )
t21 = (4.14c)
1 − ρm2
2 −1

ρm · ξm − ξm · ζm
t22 = − 2 (4.14d)
1 − ρm
4.3 Matriz de uma Mudança de Fase

Surge também a necessidade de modelar uma mudança de fase na corrugação da cavidade do laser.
Vai assumir-se que esta provoca descontinuidades muito pequenas e desprezíveis no campo, pelo que
existe apenas descontinuidade na fase. As equações que traduzem esta mudança de fase (cujo valor é
representado por θ) são:
+ −
E R (zm ) = E R (zm ) · exp ( · θ) (4.15a)
+
E S (zm −
) = E S (zm ) · exp (− · θ) (4.15b)
25
− +
E R (zm ) E R (zm )
− +
E S (zm ) E S (zm )
z
zm
Figura 4.2 – Esquema simplificado para uma mudança de fase θ situada em z = zm na corrugação de uma
estrutura DFB.
Passando à forma matricial, pode escrever-se:

     
+ −
E R (zm ) exp ( · θ) 0 E R (zm )
 = ·  (4.16)
+ −
E S (zm ) 0 exp (− · θ) E S (zm )
4.4 Matriz das Facetas Reflectoras
A incerteza no comprimento da corrugação em relação ao número de períodos da corrugação traduz-se

numa incerteza no valor do desvio de fase associado à reflexão na faceta. O coeficiente de reflexão será assim
definido por um número complexo r̂1 e r̂2 , respectivamente à esquerda e à direita, onde:
r̂1 = r1 · exp ( · ϕ1 ) (4.17a)
r̂2 = r2 · exp ( · ϕ2 ) (4.17b)
ϕ1 corresponde ao comprimento extra para o lado da faceta esquerda que excede o comprimento de uma
corrugação com um número inteiro de períodos. ϕ2 tem o significado idêntico para o lado da faceta direita.
Obviamente com uma corrugação com um comprimento que é exactamente um número inteiro de períodos,
ϕ1 = ϕ2 = 0.
E R 0+

E R 0−
r1
E S 0+

E S 0−
Figura 4.3 – Esquema das ondas de campo eléctrico adjacentes à faceta esquerda.
Consideremos então a influência das facetas quando a fase ainda é nula. Para a faceta da esquerda em
26
z = 0:
E R 0+ = E R 0− · t1 + r1 · E S 0+ (4.18a)

E S 0− = E S 0+ · t1 − r1 · E R 0− (4.18b)

Escrevendo (4.18b) de outra forma,
1 r1
E S 0+ = · E S 0− + · E R 0− (4.19)

t1 t1
Substituindo (4.19) em (4.18a), obtém-se:
r2

r1
0+ = E R 0− · t1 + 1 + · E S 0− (4.20)

ER
t1 t1
Assumindo que t21 + r12 = 1, e passando (4.19) e (4.20) à forma matricial, obtém-se:
     
E R (0+ ) 1 1 r1 E R (0− )
 = · ·  (4.21)
+
E S (0 ) t 1 r1 1 −
E S (0 )
Conclui-se então que a matriz associada à faceta esquerda com coeficiente de reflexão r1 (ignorando a
fase) é a matriz:  
h i 1 1 r1
M r1 = ·  (4.22)
t1 r1 1
Nota-se, mais uma vez, que o determinante é unitário:

r2 1
Mr1 = − 21 + 2 = 1 (4.23)

t1 t1
Resta construir a matriz que traduz a fase associada à reflectividade da faceta esquerda. Conforme visto
no sub-capítulo 4.3, a matriz de uma mudança de fase θ é dada por
 
h i exp ( · θ) 0
Mθ =   . (4.24)
0 exp (− · θ)
Considerando a faceta reflectora como uma sucessão de uma reflectividade com argumento zero e de uma
mudança de fase, pode definir-se uma matriz que relaciona o campo antes e depois da faceta reflectora,
utilizando (4.22) e (4.24):
     
E R (0+ ) 1 exp ( · θ) r1 · exp ( · θ) E R (0− )
 = · ·  . (4.25)
+
E S (0 ) t1 r1 · exp (− · θ) exp (− · θ) E S (0− )
Mas, na condição de ressonância, as ondas que viajam para o interior da cavidade são nulas
27
(E R (0− ) = E S (L+
cav ) = 0), o que implica:
1
E R 0+ = · r1 · exp ( · θ) · E S 0− (4.26a)

t1
1
E S 0+ = · exp (− · θ) (4.26b)

t1
de onde se tira que:

E R (0+ )
= r1 · exp (2 ·  · θ) (4.27)
E S (0+ )
Tendo em conta a definição da reflectividade r̂1 dada por (4.17a), percebe-se que a fase ϕ1 associada a uma
faceta reflectora está relacionada com uma mudança de fase θ através de 2 · θ = ϕ1 .Logo, a matriz associada
à fase ϕ1 é dada por:  
exp  · ϕ21

h i 0
M ϕ1 =   (4.28)
0 exp − · ϕ21
De modo semelhante, pode ser demonstrado que as matrizes de transferência associadas à faceta direita são:
 
h i 1  1 −r2
M r2 = ·  (4.29a)
t2 −r2 1
 
exp  · ϕ22

h i 0
M ϕ2 =   (4.29b)
0 exp − · ϕ22
4.5 Condição de Oscilação

Os campos em ambas as extremidades da cavidade estão relacionados pelo produto matricial
   
E R (Lcav ) E R (0)
  = TTotal ·   , (4.30)
E S (Lcav ) E S (0)
onde
1
Y
TTotal = T(zm+1 /zm ) . (4.31)
m=M
A formulação de matrizes de transferência para estruturas DFB modificadas é directa, desde que essas
modificações possam ser traduzidas no formalismo matricial.
A condição de oscilação corresponde à anulação das ondas incidentes e é determinada pela seguinte
imposição
tTotal
22 (α, δ) = 0 , (4.32)
onde tTotal
22 é o quarto elemento da matriz TTotal , dada por (4.31). As soluções são o ganho do modo, α, e
a sua dessintonia, δ, e estão relacionadas com os modos que são permitidos propagar dentro da cavidade.
Para o modo principal, estes valores são, respectivamente, o ganho de limiar, αth , e a dessintonia de limiar,
28
δth . Para uma corrugação com uma difracção de Bragg de primeira ordem, o ganho e a dessintonia do modo
podem ser expressos, respectivamente, por [1, pág. 151]
Γ g(z) − αloss
α(z) = (4.33)
2
e
2π 2 π ng π
δ(z) = n(z) − · (λ − λΛ ) − , (4.34)
λ λ λΛ Λ(z)
onde Γ é o factor de confinamento óptico, αloss são as perdas totais, n é o índice de refracção, λΛ é o
comprimento de onda de Bragg, λ é o comprimento de onda do laser, ng é o índice efectivo de grupo e g é
o ganho do material, dado por [1, pág. 151]
2

g(z) = A0 · (N (z) − N0 ) − A1 · λ − λ0 − A2 N (z) − N0 . (4.35)
Em (4.35), N é a concentração de portadores, A0 é o ganho diferencial, N0 é a concentração de portadores

na transparência (g = 0), λ0 é o comprimento de onda de pico na transparência e A1 e A2 são parâmetros
usados no modelo parabólico assumido para o ganho do material. Usando a aproximação de primeira ordem
para o índice efectivo n, obtém-se [1, pág. 151]
∂n
n(z) = n0 + Γ N (z) , (4.36)
∂N
onde n0 é o índice efectivo quando a injecção de portadores é nula e ∂n/∂N é o índice diferencial. A
concentração de fotões (S) e N estão relacionados através da equação de taxa para regime estático [1,
pág. 152]
I vg g(z) S(z)
= A N (z) + B N 2 (z) + C N 3 (z) + , (4.37)
q Vact 1 + ε S(z)
onde I é a corrente injectada, q é o módulo da carga do electrão, Vact é o volume da região activa, A é a taxa
de emissão espontânea, B é o coeficiente de emissão espontânea radiativa, C é o coeficiente de recombinação
de Auger, ε é um coeficiente não-linear para contabilizar efeitos de saturação e vg = c/ng é a velocidade de
grupo, com c sendo a velocidade da luz no vazio.
Numa cavidade de um laser DFB puramente acoplada através do índice de refracção, que é o caso nas
estruturas estudadas neste trabalho, a interacção mútua entre as ondas acopladas E R (z) e E S (z) pode ser
desprezado na variação do quociente da potência total [1, pág. 59], [18]. Como tal, a densidade local de
fotões dentro da cavidade pode ser expressa como [1, pág. 152]
2 ε0 n(z) ng λ 2 h 2 2 i
S(z) ≈ · c0 E R (z) + E S (z) , (4.38)
hc
onde ε0 é a permitividade do espaço livre, h é a constante de Planck e c0 um coeficiente adimensional que

permite a determinação do campo eléctrico total no regime acima do limiar, tendo em consideração que a
normalização
E R (0)2 + E S (0)2 = 1 (4.39)

foi imposta. A equação (4.39) e as condições fronteira impostas na faceta esquerda permitem o cálculo das
duas ondas, E R (z) e E S (z), em z = 0. O uso do TMM permite o cálculo do perfil do campo eléctrico
29
longitudinal. A potência de saída na faceta direita pode ser determinada como [1, pág. 152]
dw hc
P = · vg · · S(Lcav ) , (4.40)
Γ λ
onde d e w são a espessura e a largura da zona activa, respectivamente.

Das soluções da condição de oscilação (4.32), αth e δth são determinados. Usando as equações (4.33)–
(4.36), a concentração de portadores no limiar (Nth ), o índice de refracção no limiar (nth ), o comprimento de
onda no limiar (λth ) e λ0 são sucessivamente calculados. A corrente de limiar (Ith ) é obtida de (4.37), assu-
mindo que S é desprezável no limiar. Nestas condições, a dependência com z descrita nas eqs. (4.33), (4.35)
e (4.36) é também desprezada. A mesma afirmação é válida para eq. (4.34), excepto para estruturas CPM
onde uma dependência com z está incluída em Λ(z).
30
Capítulo 5
Resultados do TMM em Regime de

Limiar
5.1 Estruturas Conhecidas

A análise de estruturas conhecidas tem essencialmente três objectivos:
• Validar o modelo matemático implementado, comparando os resultados obtidos neste estudo com
resultados disponíveis na literatura;
• Confirmar algumas ideias abordadas no estado da arte (Cap. 2), como por exemplo quais as estruturas
que apresentam uma boa margem de ganho ou uma distribuição uniforme do campo eléctrico;
• Tentar conjecturar relações de causa-efeito entre as alterações estruturais de uma cavidade de um laser
com o seu desempenho.
Este último objectivo será um bom ponto de partida para a optimização de novas estruturas. Depois
desta validação por simulação, resta apenas efectuar algumas validações experimentais para atribuir ainda
mais confiança ao modelo.
5.1.1 Reprodução dos Resultados de H. Ghafouri-Shiraz
Nesta sub-secção são apresentados alguns resultados minuciosos para validar o modelo. Os resultados
mais gerais e importantes, ou seja, valores de S e F para as estruturas propostas por H. Ghafouri-Shiraz,
estão incluídos na Tabela. 5.1 da sub-secção 5.3.
Efeitos das Facetas Reflectoras
Os resultados apresentados na Fig. 3.4 da Ref. [1, pág. 88] encontram-se reproduzidos na Fig. 5.1,
não apresentando qualquer divergência. Correspondem a uma estrutura DFB convencional com facetas
reflectoras, com r1 = 0.0343, r2 = 0.535, ϕ1 = π rad e ϕ2 variável. Estes resultados asseguram a validade do
modelo implementado, no âmbito do efeito que as variações nas facetas reflectoras provocam no desempenho
da estrutura laser.
31
Capítulo 5 - RESULTADOS DO TMM EM REGIME DE LIMIAR
3.0
× = −π/2 rad rs × K · Lcav = 1.0
rs
+ +
2.5
= 0 rad rs × + rs ×rs ×
rs
rs
+
rs
+ = π/2 rad + rs
×
rs
×
+ + K · Lcav = 0.5
rs
rs
rs = π rad rs
×
rs
rs
2.0 + + rs
× K · Lcav = 2.0
α · Lcav
+ +
× + rs × + rs ×
rs
×
rs
rs
rs
× + rs × rs + rs × rs
+ rs K · Lcav = 3.0
rs
rs
rs
1.5 + rs × ×
rs
× +
rs
rs
+ rs
rs
rs
+ ×
rs
+ rs
rs
+ rs × +
rs
rs + K · Lcav = 4.0
rs
× + rs +
rs
rs
+ rs × + × +
rs
rs
+ rs
rs
× ×
+ rs rs×× ×
rs
rs
rs
rs
+ rs +
rs
rs
rs
+ rs × +
rs
rs
rs
+
rs
× ×
rs
1.0 + rs × × rs rs
rs
rs
+ × + × +
rs
rs
rs
rs
+
rs
+rs rs
× rs
× ×
rs
×rs
rs
rs
+rs
rs
0.5 + × rs
rs
+rs ×rs × +
rs
× ×
rs
0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15
δ · Lcav
Figura 5.1 – Variações nas soluções da estrutura com a variação da fase na faceta direita.
Os valores das fases associadas às facetas reflectoras são responsáveis por translações dos modos os-
cilantes da estrutura laser, podendo influenciar o seu desempenho a um nível bastante importante.
Efeitos das Mudanças de Fase
Os resultados apresentados na Fig. 5.3 e na Fig. 5.4 da Ref. [1, págs. 126, 127] encontram-se reproduzidos
na Fig. 5.2(a) e Fig. 5.2(b), respectivamente. Estes resultados demonstram o tipo de modificações no
desempenho que uma estrutura 3PS-DFB pode sofrer conforme as alterações às suas fases e respectivas
posições.
4 3.0
K Lcav = 1.0
+ = π/2 rad
cb = 2 π/5 rad 2.5 K Lcav = 1.5
3 bc
+ bc = 3 π/5 rad bc + K Lcav = 2.0
rs
rs
rs
+ + K Lcav = 2.5
rs
bc 2.0
rs
αth · Lcav
α · Lcav
2 bc
1.5
rs
+ bc bc +
bc + 1.0
rs
rs
+ +
rs
1 bc
rs
0.5
0 0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav Posição θP
(a) (b)
Figura 5.2 – Influência das mudanças de fase no desempenho das estruturas.
O efeito de uma mudança de fase assemelha-se, em certa medida, ao efeito da fase residual numa
faceta reflectora, provocando translações dos modos oscilantes na cavidade de uma estrutura DFB. Um
fase adequada torna o espectro monomodal e obtém-se uma boa selectividade, enquanto que uma fase não
adequada pode degenerar o espectro.
Neste caso, quanto maior for o coeficiente de acoplamento médio, menor será o ganho de limiar. Em
32
relação à posição da mudança de fase, não há conclusões importantes a retirar.
Perfil do Coeficiente de Acoplamento
Os resultados apresentados na Fig. 5.17 da Ref. [1, pág. 137] encontram-se reproduzidos na Fig. 5.3(a),
não apresentando qualquer divergência. Os resultados apresentados na Fig. 5.18 da Ref. [1, pág. 138]
encontram-se reproduzidos na Fig. 5.3(b), não apresentando qualquer divergência. Estes resultados asse-
guram a validade do modelo implementado, no âmbito da variação dos coeficientes de acoplamento, bem
como as suas posições delimitadoras.
3.0 0.15 1.5

K ratio = 0.75
2.5 S K ratio = 1.0
0.12 1.2
α Lcav K ratio = 1.5
2.0 K ratio = 2.0
S e α Lcav
0.09 0.9
1.5
S
F
0.06 0.6
1.0
0.03 0.3
0.5
0.0 0.00 0.0

0 1 2 3 4 5 6 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Coeficiente de acoplamento K1 CP
(a) (b)
Figura 5.3 – Influência das variações estruturais no desempenho das estruturas:

(a) Evolução da selectividade e do ganho de limiar com a variação do perfil DCC. (b) Evolução
de F e S com a variação do perfil DCC.
As ideias a retirar da Fig. 5.3(a) são que existe um aumento da selectividade (comportamento desejado)
e do ganho de limiar (comportamento indesejado) com a diminuição do coeficiente de acoplamento.
As ideias a retirar da Fig. 5.3(b) não são tão simples de formular, por isso cada estrutura deverá ter
uma dependência característica entre o seu desempenho e a posição onde o coeficiente de acoplamento varia.
Distribuição dos Campos Eléctricos
Os resultados apresentados na Ref. [1, págs. 132, 146] encontram-se reproduzidos na Fig. 5.4, não
apresentando qualquer divergência. Estes resultados asseguram a validade do modelo implementado, no
âmbito do cálculo das distribuições do campo eléctrico no interior da cavidade.
As estruturas com três mudanças de fase são aquelas que obtêm uma distribuição mais uniforme do
campo eléctrico.
5.1.2 Reprodução dos Resultados de T. Fessant
Nesta sub-secção são apresentados mais alguns resultados para efeitos de validação do modelo. Os
resultados mais gerais e importantes, ou seja, valores de S e F para as estruturas propostas por T. Fessant,
33
3.0
2.5 DFB Convencional

QWS-DFB
2.0 3PS-DFB
QWS-DCC-DFB
1.5
E
3PS-DCC-DFB
1.0
0.5
0.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
z/Lcav
Figura 5.4 – Distribuição do campo eléctrico no interior das cavidades das estruturas referenciadas.
estão incluídos na Tabela. 5.1 da sub-secção 5.3.
Soluções dos Modos Oscilantes
Os resultados apresentados na Fig. 2 e na Fig. 3 da Ref. [7] encontram-se reproduzidos na Fig. 5.5(a) e
Fig. 5.5(b), respectivamente. Estes resultados ilustram a evolução dos diferentes modos possíveis na estrutura
DFB, conforme se varia o perfil CPM da estrutura em análise, através da variação relativa no período central
da corrugação.
Em termos de dessintonia, há uma tendência generalizada para um deslocamento para valores mais
baixos com o aumento da variação relativa do período da corrugação. Existe um certo paralelismo entre o
efeito de uma mudança de fase localizada e uma mudança de fase distribuída através da inclusão de um perfil
CPM - quando devidamente colocadas, permitem tornar um espectro multimodal num espectro monomodal.
Em termos de ganho, não há uma regra assim tão simples, observando-se uma subida para alguns
modos e uma descida para outros modos. Como resultado, a selectividade é máxima aproximadamente em
∆Λ = 0.7 × 10−3 . Esta ordem de grandeza é usada como ponto de partida na optimização de estruturas
CPM ao longo da dissertação.
Distribuição dos Campos Eléctricos
Os resultados apresentados nas Fig. 10 da Ref. [7] encontram-se reproduzidos na Fig. 5.6, não apre-
sentando qualquer divergência. A estrutura CPM-DCC-DFB é aquela que apresenta uma distribuição de
campo eléctrico mais uniforme, ao contrário da estrutura QWS-DFB que apresenta a menor uniformidade.
Embora a substituição de uma mudança de fase localizada por uma mudança de fase distribuída já
seja vantajosa, o melhor resultado é aquele que combina uma mudança de fase distribuída com um perfil de
coeficiente de acoplamento variável. Estes resultados reforçam o interesse de combinar um perfil CPM com
um perfil DCC, de modo a obter os melhores resultados possíveis.
34
6 3.5
Mo d
o +2
Modo −2
3.0
2
Mo d
o +1 Modo −1
2.5
δS Lcav
α Lcav
-2
Mo d 2.0 Modo +2
o −1
-6
Mo d 1.5
o −2 Modo +1
-10 1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
×103 ×103

∆Λ ∆Λ
(a) (b)
Figura 5.5 – Influência da variação relativa de período, para os 4 modos principais, de (a) dessintonia (b)
ganho.
5 QWS-DFB
CPM-DFB
4 CPM-DCC-DFB
3
E
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
z/Lcav
Figura 5.6 – Distribuição do campo eléctrico no interior das cavidades das estruturas referenciadas.
5.1.3 Conjecturas
Estes resultados estão em conformidade com as afirmações feitas no levantamento do estado da arte
(Cap. 2). A introdução de uma mudança de fase, seja localizada ou distribuída, é essencial para obter alguma
margem de ganho entre o modo principal e o modo secundário. Quando esta mudança é localizada, porém,
obtém-se uma distribuição do campo eléctrico pouco uniforme. Este problema pode ser corrigido através
do uso de várias mudanças de fase localizadas (piora a selectividade) ou de uma única mudança de fase
distribuída (melhora a selectividade, embora à custa de um processo de fabrico mais complexo).
5.2 Estruturas Optimizadas
Nesta secção são propostas diferentes abordagens para obter estruturas com valores óptimos de S e F,
primeiro impondo as restrições estruturais e depois alterando os valores de determinadas variáveis de decisão,
de forma a alcançar os melhores resultados possíveis.
35
5.2.1 1PS-DCC-DFB
A estrutura designada por 1PS-DCC-DFB (ver Fig. 5.7) consiste numa corrugação com coeficiente de
z
acoplamento variável, com valores K s e K c , cujos posições delimitadoras são definidas por Lcav = KP1 e
z z
Lcav = KP2 . Tem um único período Λ e uma mudança de fase com valor θ localizada em Lcav = θP = 0.5.
Λ Λ Λ Λ
r2 = 0
r1 = 0
Ks Kc Kc Ks
z

Lcav
0 K P1 θP = 0.5 K P2 1
Figura 5.7 – Esquema simplificado da estrutura 1PS-DCC-DFB.
No final da optimização, os seguintes valores finais são definidos: K av Lcav = 1.7, KP1 = 0.24,
KP2 = 0.797, K ratio = 7 e θ = 129◦ . Esta solução corresponde a uma estrutura 1PS-DCC-DFB descrita por
(ver Fig. 5.7): KP1 = 0.24, KP2 = 0.797, K s · Lcav = 0.39, K c · Lcav = 2.74 e θ = 129◦ .
Esta estrutura encontra-se estudada em Refs. [5] e [19].
6 3.0
5
+ + 2.5
4 + + 2.0
+ + + +
α · Lcav
3 1.5
E
2 1.0
1
+ 0.5
0 0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 5.8 – Resultados no limiar para a estrutura 1PS-DCC-DFB:

(a) Soluções (δ, α) (b) Distribuição do campo eléctrico.
De acordo com os resultados da Fig. 5.8(a), esta estrutura, no limiar, tem S = 1.85 e αth · Lcav = 1.50.
Por outro lado, é possível deduzir a partir da Fig. 5.8(b) que esta estrutura, no limiar, tem F = 0.019.
5.2.2 3PS-DFB
A estrutura designada por 3PS-DFB (ver Fig. 5.9) consiste numa corrugação com coeficiente de acopla-
mento constante e tem um único período Λ. Existem três mudanças de fase com valores θ1 , θ2 e θ3 localizadas
em θP1 , θP2 = 0.5 e θP3 respectivamente.
36
θ1 θ2 θ3
Λ
r1 = 0
r2 = 0
z
L
0 θP 1 θP2 = 0.5 θP 3 1
Figura 5.9 – Esquema simplificado da estrutura 3PS-DFB.
No final da optimização, os seguintes valores finais são definidos: K av Lcav = 1.7, θ2 = 60◦ , θP1 = 0.127,
θ1 = 110.7◦, θP3 = 0.64 e θ3 = 100◦ .
6 3.0
5 2.5
4 2.0
α · Lcav
3 1.5
E
+ +
2
+ ++ ++ + 1.0
1 + 0.5
0 0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 5.10 – Resultados no limiar para a estrutura 3PS-DFB:

De acordo com os resultados da Fig. 5.10(a), esta estrutura tem, no limiar, S = 0.77 e αth · Lcav = 1.19.
Esta estrutura encontra-se estudada em Ref. [20] e Ref. [21].
5.2.3 CPM-2DCC-DFB Assimétrico
A estrutura designada por CPM-2DCC-DFB assimétrica (ver Fig. 5.11) consiste numa corrugação com
coeficiente de acoplamento variável, com valores K s e K c , cujos posições delimitadoras são definidas por
z z
Lcav = KP1 e Lcav = KP2 . Tem dois períodos Λs e Λc , cujas posições delimitadores são definidas por
z
Lcav = ΛP1 e z
Lcav = ΛP2 .
No final da optimização, os seguintes valores finais são definidos: K ratio = 8.5, K av Lcav = 1.7, KP1 =
0.2190, KP2 = 0.8235, ∆Λ = 9.5625 × 10−4 , ΛP1 = 0.4225 e ΛP2 = 0.6075. Esta solução corresponde a uma
estrutura CPM-2DCC-DFB descrita por (ver Fig. 5.11): Λs = 227.039 nm, Λc = 227.256 nm, K s Lcav = 0.307
e K c Lcav = 2.611.
37
Λs Λs Λc Λs Λs
r2 = 0
r1 = 0
Ks Kc Kc Kc Ks
z

Lcav
0 K P1 ΛP 1 ΛP 2 K P2 1
Figura 5.11 – Esquema simplificado da estrutura CPM-2DCC-DFB.

6 3.0
5
+ 2.5
+ +
4
+ + + 2.0
+
α · Lcav
3 1.5
E
2 1.0
1
+ 0.5
0 0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 5.12 – Resultados no limiar para a estrutura CPM-2DCC-DFB:

Esta estrutura encontra-se estudada em Ref. [22] e Ref. [23].
5.2.4 CPM-3DCC-DFB Simétrico
Numa tentativa de melhorar ainda mais a selectividade, considere-se a hipótese de alisar a distribuição
do coeficiente de acoplamento na cavidade de uma estrutura. Surge agora uma estrutura com 3 coeficientes
de acoplamento, em vez de apenas 2. A estrutura designada por CPM-3DCC-DFB simétrica (ver Fig. 5.13)
consiste numa corrugação com coeficiente de acoplamento variável, com valores K s , K sc e K c , cujos posições
z z z z
delimitadoras são definidas por Lcav = KP1a , Lcav = KP1b , Lcav = KP2a e Lcav = KP2b . Tem dois períodos
z z
Λs e Λc , cujas posições delimitadores são definidas por Lcav = ΛP1 e Lcav = ΛP2 . A condição de simetria
impõe que KP1a = 1 − KP2a , KP1b = 1 − KP2b e ΛP1 = 1 − ΛP2 .
No final da optimização, os seguintes valores finais são obtidos: K ratio = 10.0, K av Lcav = 1.7, KP1a =
0.1578, KP1b = 0.2362, ΛP1 = 0.4014 e ∆Λ = 9.8571 × 10−4 .
Esta estrutura encontra-se estudada em Refs. [24] e [25]. Do mesmo modo que é possível usar este perfil
sofisticado DCC numa estrutura CPM, é também possível usá-lo numa estrutura com uma mudança de fase
localizada, tal como é feito em Ref. [26].
38
Λs Λs Λc Λs Λs
r1 = 0
r2 = 0
Ks K sc Kc Kc Kc K sc Ks
z

Lcav
0 KP1a KP1b ΛP 1 ΛP 2 KP2b KP2a 1
Figura 5.13 – Esquema simplificado da estrutura CPM-3DCC-DFB.
6 3.0
+
5 2.5
4 + + + + + + 2.0
α · Lcav
3 1.5
E
2 1.0
1
+ 0.5
0 0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 5.14 – Resultados no limiar para a estrutura CPM-3DCC-DFB:

5.2.5 HR-AR-DCC-DFB
A estrutura designada por HR-AR-DCC-DFB (ver Fig. 5.15) consiste numa corrugação com coeficiente
de acoplamento variável, com valores K s e K c , cujos posições delimitadoras são definidas por z
Lcav = KP1
z
e Lcav = KP2 . Assume-se também que KP1 = 1 − KP2 . Tem um único período Λ. Esta estrutura pretende
atingir uma boa eficiência de potência, tendo uma faceta reflectora (HR) com fase ϕ1 e uma faceta não
reflectora (AR).
Λ
r1 = 1
r2 = 0
Ks Kc Ks
z

Lcav
0 K P1 K P2 1
Figura 5.15 – Esquema simplificado da estrutura HR-AR-DCC-DFB.
No final da optimização, os seguintes valores finais são obtidos: KP1 = 0.28, K ratio = 10.0, K av Lcav =
0.645 e ϕ1 = π/2.
39
6 3.0
5 2.5
4 2.0
α · Lcav
3 1.5
E
2 + + 1.0
+ + + +
1 0.5
0
+
0.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ · Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 5.16 – Resultados no limiar para a estrutura HR-AR-DCC-DFB:

Estes resultados são bastante dependentes da fase ϕ1 associada à faceta da esquerda cuja reflectividade
é não-nula. De acordo com o referido na secção 4.4, sabe-se que não é possível impor a fase desejada e, por
isso, é necessário estudar as variações do desempenho com a variação desta fase,que pode ser qualquer valor
no domínio [0, 2π]. A Fig. 5.17 demonstra que, em 50 % dos casos, se garante um bom desempenho nesta
estrutura.
1.2 0.01400
1.0 0.01316
S
0.8 0.01233
0.6 0.01150
0 π/4 π/2 3 π/4 π
ϕ1 – rad
Figura 5.17 – Variação de S e de F com ϕ1 .
Esta estrutura encontra-se estudada em Ref. [27].
5.3 Resumo dos desempenhos

A tabela 5.1 resume o desempenho em regime de limiar para diversas estruturas já conhecidas, ou
optimizadas neste trabalho.
De todas estas estruturas, aquela que apresenta um melhor valor de F é a estrutura assimétrica op-
timizada 3PS-DFB. Isto indica que será aquela com um espectro mais estável, sem grandes oscilações no
comprimento de onda emitido pelo modo principal. No entanto, o seu valor de S não é dos melhores, o que
indica que o valor de SMSR também não será dos melhores.
40
Estrutura laser S F αth · Lcav δth · Lcav
QWS-DFB de [1] 0.73 0.301 0.70 0
QWS-DCC-DFB de [1] 1.69 0.168 0.93 0
3PS-DFB de [1] 0.33 0.012 0.98 0.91
3PS-DCC-DFB de [1] 0.49 0.016 1.54 0.35
CPM-DCC-DFB de [7] 0.99 0.019 1.28 0.84
Assim. 1PS-DCC-DFB 1.85 0.019 1.50 2.24
Assim. 3PS-DFB 0.77 0.008 1.19 −3.71
Assim. CPM-2DCC-DFB 2.18 0.017 1.42 1.70
Sim. CPM-3DCC-DFB 2.54 0.019 1.48 1.53
Opt. HR-AR-DCC-DFB 1.17 0.014 0.59 0
Tabela 5.1 – S, F, αth · Lcav , e δth · Lcav para diversas estruturas laser.
A estrutura que apresenta uma maior selectividade no limiar é a CPM-3DCC-DFB, o que é um indicador
de que esta estrutura terá um bom SMSR no limiar. Pelo facto de ter uma boa uniformidade do campo
eléctrico, tudo indica que terá também uma boa estabilidade do SMSR no regime acima do limiar.
A estrutura HR-AR-DCC-DFB não é a melhor em termos de S e F, apesar de apresentar valores que
superam o critério de estabilidade de SLM. No entanto, uma análise acima do limiar realizada no capítulo 7
demonstra que esta estrutura está associada a uma boa eficiência na curva da potência emitida vs corrente
de polarização.
41
Capítulo 6
TMM Acima do Limiar
6.1 Introdução
No regime acima do limiar, S(z) é suficientemente grande para induzir não-uniformidades acentuadas
em N (z) e n(z). Embora o efeito SHB possa ser minimizado por um desenho adequado da estrutura DFB,
a interdependência entre S(z), N (z) e n(z) induz não-uniformidades longitudinais importantes na cavidade,
o que força a divisão de cada secção em várias sub-secções, de modo a assegurar a correcta modelação das
características acima do limiar. De acordo com Ref. [1, pág. 153], para uma cavidade com Lcav = 500 µm,
um total de M = 5000 sub-secções são necessárias.
Neste trabalho, o procedimento numérico para os cálculos acima do limiar aproxima-se bastante do
método desenvolvido em Refs. [1, pág. 149], [7]. No entanto, de modo a assegurar uma convergência rápida,
uma estratégia mais adequada que as restantes apresentadas na literatura é agora proposta, encontrando-se
detalhadamente explicada a seguir.
6.1.1 Análise do Modo Laser
Para cada corrente de polarização I, os cálculos acima do limiar relacionados com o modo laser são os
seguintes:

i) i)
(i) Grelhas (G × G) sucessivas são criadas no plano (c0 , λ). A grelha (i) é centrada em c0c , λc e
i) i) i) i)
é delimitada pela região definida pelos limites c0min , c0max , λmin e λmax . Repare-se que, de acordo
1)
com (4.39), c0c é numericamente igual a
p
h c (I − Ith ) / (2 q Vact vg g th ε0 nth ng λth ).
Para a grelha inicial (i = 1)
λ1)
c = λth (6.1)
s
h c (I − Ith )
1)
2 q Vact vg g th ε0 nth ng λth
c0c = q (6.2)
E R (0)2 + E S (0)2

1) 1) 1) 1) 1) 1)
c0min = c0c − ∆c0 ; c0max = c0c + ∆c0 (6.3)
43
Capítulo 6 - TMM ACIMA DO LIMIAR
1)
λmin = λ1)
c − ∆λ
1)
; λ1) 1)
max = λc + ∆λ
1)
, (6.4)
1) △ 1) △
onde ∆c0 = c0c /10 e ∆λ1) = 0.1 nm parecem adequados para a maioria das estruturas DFB, quando
1)
G ≈ 10. Contudo, um reajustamento de ∆c0 e ∆λ1) pode ocasionalmente ser necessário de modo a
prevenir uma eventual convergência para um mínimo local. Isto é um aspecto crucial da análise proposta,
pois uma escolha inadequada poderia impedir a convergência numérica;

i) i)
(ii) Para cada um dos G2 pares da i-ésima grelha c0k , λl com k ; l = 1 . . . G, as equações (4.35) – (4.38)
são resolvidas de modo auto consistente, com o objectivo de determinar o ganho do material, a densidade
de portadores, a densidade de fotões e o índice de refracção para cada uma das j secções, respectivamente,
g j , Nj , Sj e nj , com 1 ≤ j ≤ M ;
(iii) As equações (4.33) e (4.34) são resolvidas de modo a determinar o ganho e a dessintonia do modo laser
para a j-ésima sub-secção, respectivamente, αj and δj . A matriz de transferência da j-ésima sub-secção,
T (zj+1 /zj ), é então calculada;
(iv) Usando o TMM, as duas ondas à saída da j-ésima sub-secção, E Rj e E Sj , são obtidas. Para a
M -ésima sub-secção, a discrepância encontrada entre esses valores e as condições fronteira à direita do

i) i) i)
laser é representado por εkl . Este valor é calculado e armazenado para cada par c0k , λl da i-ésima

i)
grelha. O erro associado com a i-ésima grelha é dado por εi) = min εkl ;

i+1) i) i+1) i)
(v) Sempre que εi) = εi−1) , o par central continua o mesmo c0c = c0c , λc = λc , mas novos limites
são requeridos para a grelha seguinte. As discretizações c0 e λ devem ser reduzidas, por exemplo para:

i+1) i) i)
∆c0 = ∆c0 /10 e ∆λi+1) = ∆λi) /10. Sempre que εi) < εi−1) , o par associado a min εkl é escolhido

i+1) i+1)
como o próximo par central c0c , λc , enquanto as discretizações de c0 e λ continuam as mesmas.

1) 1)
Para i = 1, εi−1) é tomado como o erro associado ao par central c0c , λc .

i+1) i+1)
Para cada um dos G2 pares c0k , λl , os passos (i-v) são repetidos até que εi+1) ≤ εmin , onde εmin
é um valor de erro pré-estabelecido (menos que 10−14 , conforme indicado em Ref. [1, pág. 156]).
Como o ganho αj e a dessintonia δj são dependentes de z, as características do laser para cada corrente
de polarização são associadas com o seu valor médio ao longo da cavidade, dados por
M M
1 X 1 X
αav (I) = αj (I) ; δav (I)= δj (I) . (6.5)
M j=1 M j=1
É importante reparar que a análise sequencial (i)-(v) assume a propagação de um modo único. Esta
aproximação é uma boa regra, uma vez que a análise em questão se destina a estruturas DFB que deverão
assegurar um bom SLM. De outro modo, outras estratégias deveriam ser adoptadas.
Ao estudar a influência de I nas características laser, uma redução considerável no tempo de computação
1)
pode ser atingida se, para cada corrente subsequente, em vez de usar (6.1), λc for tomado como a solução
encontrada para a corrente prévia.
44
6.1.2 Análise do Modo Secundário
Os perfis de S(z), N (z) e n(z) são estabelecidos para cada I pelos modos laser obtidos na secção 6.1.1.
No limiar, estas distribuições são praticamente uniformes ao longo da cavidade, assumindo os valores 0, Nth
e nth , respectivamente. O ganho αside e a dessintonia δside associados com o modo secundário, no limiar, são
estabelecidos. Na aproximação que considera um modo único, o uso de (4.34) leva a:
2 π λΛ (nth + ng )
λR (δside ) = , (6.6)
π λΛ
δside λΛ + 2 π ng +
Λav
onde Λav é o período médio da corrugação, dado por
M
P
Lm · Λm
m=1
Λav = . (6.7)
Lcav
Esta afirmação implica que λR (δside ) seria o comprimento de onda no limiar se δside correspondesse ao modo
laser. Por outro lado, contabilizando o ganho do modo secundário, eq. (4.33) impõe que
2 αside = Γ g side − αloss , (6.8)
onde g side é obtido de (4.35), assumindo N (z) = Nth e λ = λ1 (αside ). Este seria o comprimento de onda na
aproximação de modo único se αside correspondesse ao ganho de limiar. Será designado por comprimento de
onda efectivo do modo secundário. Analogamente, para o modo laser, é obtido
2 αth = Γ g th − αloss , (6.9)
onde g th = A0 Nth − N0 . De seguida, das equações (6.8) e (6.9), pode ser demonstrado que

λ1 (αside ) = λth + j λI (αside ) , (6.10)
onde s
2 αside − αth
λI (αside ) = . (6.11)
A1 Γ
Uma grelha (G × G) é criada no plano (λI , λR ) num modo semelhante aquele que foi feito para o

1) 1) 1) 1)
plano (c0 , λ), na sub-secção 6.1.1. A grelha inicial é centrada em λIc , λRc , onde λIc e λRc são dados,
1) 1) 1) 1)
respectivamente, por (6.11) e (6.6). Os limites da grelha inicial são definidos por λIc ± ∆λI e λRc ± ∆λR .
1) 1)
G = 10, ∆λI ≈ 0.01 nm e ∆λR ≈ 0.1 nm são razoáveis para a maioria das estruturas DFB mas, como
anteriormente, um reajuste pode ocasionalmente ser necessário para evitar a convergência para outros modos.
1) 1)
Usualmente ∆λI é uma ordem de grandeza mais baixo que ∆λR porque a diferença entre os ganhos associado
aos diferentes modos é aproximadamente uma ordem de grandeza mais baixa que a diferença entre as suas
dessintonias. Sucessivas grelhas (G × G) são definidas no plano do comprimento de onda, centrando a i-ésima

i) i) i) i) i) i)
grelha em λIc , λRc e definindo os limites dados por λIc ± ∆λI e λRc ± ∆λR .

i) i)
Então, para cada par (k, l) da i-ésima grelha, i.e. λIk , λRl , o ganho e a dessintonia para cada uma
das j (j = 1, . . . , M ) sub-secções da cavidade são obtidos para uma corrente I através de, respectivamente,
2 A Γ
i) i) 1
αside (I) = αj (I) + λIk , (6.12)
klj 2
45
i) 2π 2 π ng
i)
π
δside (I) = i)
nj (I) − i)
· λR − λΛ − . (6.13)
klj
λRl λRl λΛ
l
Λ j
Nas eqs. (6.12) e (6.13), αj (I) e nj (I) são, respectivamente, o ganho do modo laser e o índice de refracção
associados com a j-ésima sub-secção para uma corrente de polarização I, calculados na sub-secção 6.1.1.
Além disso, Λj é o período da corrugação da j-ésima sub-secção.
De modo semelhante à sub-secção 6.1.1, os passos (iii)–(v) são sequencialmente seguidos. A análise do
modo secundário é mais rápida que a análise do modo laser pois o passo (ii) descrito na sub-secção 6.1.1 não
é necessário.
Para este processo, todos os parâmetros fixos do laser estão resumidos na Tabela 6.1. Estes são geral-
mente aceites como valores fidedignos para o modelo [1].
Tabela 6.1 – Sumário dos parâmetros do laser
Parâmetro do laser Valor
Parâmetros do material
Taxa de emissão espontânea, A 2.5 × 108 s−1

1.0 × 10−16 m3 · s−1
C. r. bimolecular, B
Coeficiente de recombinação de Auger, C 3.0 × 10−41 m6 · s−1
Ganho diferencial, A0 2.70 × 10−20 m2
Curvatura do ganho, A1 1.50 × 1019 m−3
Pico do comprimento de onda diferencial, A2 2.70 × 10−32 m4
Perdas internas, αloss 4.0 × 103 m−1
Índice efectivo com injecção nula, n0 3.41351524
Densidade de portadores na transparência, N0 1.23 × 1024 m−3
Índice diferencial, d n/d N −1.8 × 10−26 m3
Velocidade de grupo, vg 8.33 × 107 m · s−1
Coeficiente de ganho não linear, ε 1.5 × 10−23 m3
Parâmetros estruturais
Largura da camada activa, w 1.5 µm
Espessura da camada activa, d 0.12 µm
Comprimento da cavidade, Lcav 500 µm
Factor de confinamento óptico, Γ 0.35
46
Capítulo 7
Resultados do TMM Acima do Limiar
7.1 Estruturas Conhecidas

Esta secção tem como principal finalidade a validação da implementação do TMM acima do limiar.
São apresentados resultados que ilustram a influência do efeito SHB nas diversas características do laser,
mostrando qual é o problema induzido por este efeito nas estruturas menos sofisticadas, e de que modo
as estruturas optimizadas conseguem minimizar este problema. As principais variáveis analisadas, com a
evolução de corrente de polarização, são os modos do laser, o espectro, o comprimento de onda do modo
principal, a selectividade, a uniformidade do campo eléctrico, o SMSR, e a potência emitida.
7.1.1 Reprodução dos Resultados de H. Ghafouri-Shiraz
O Efeito SHB nas Diversas Distribuições
Os resultados apresentados na Fig. 6.12 e Fig. 6.13 da Ref. [1, págs. 164, 165] encontram-se reproduzidos
nas Fig. 7.1(a) e Fig. 7.1(b), respectivamente.
3.5 6
I = 1.5 Ith I = 1.5 Ith
5
3.2 I = 2.0 Ith I = 2.0 Ith
– m−3
– m−3
I = 3.0 Ith I = 3.0 Ith

4
2.9 I = 4.0 Ith I = 4.0 Ith

3
N ×10−24
S ×10−21
2.6
2
2.3
1
2.0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
z/Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 7.1 – Distribuições de (a) portadores e (b) fotões para a estrutura QWS-DCC.
Este conjunto de resultados ilustra a interação entre portadores e fotões ao longo da cavidade da estru-
tura laser QWS-DCC-DFB, não havendo divergências entre os resultados apresentados. Verifica-se a relação
47
Capítulo 7 - RESULTADOS DO TMM ACIMA DO LIMIAR
inversa entre a concentração de portadores e a concentração de fotões.

Os resultados apresentados na Fig. 6.14 e Fig. 6.15 da Ref. [1, pág. 166] encontram-se reproduzidos nas
Fig. 7.2(a) e Fig. 7.2(b), respectivamente.
3.404 2.5
I = 1.5 Ith I = 1.5 Ith

2.0
Campo normalizado E
I = 2.0 Ith I = 2.0 Ith
3.402
I = 3.0 Ith I = 3.0 Ith
I = 4.0 Ith 1.5 I = 4.0 Ith
3.400
n
1.0
3.398
0.5
3.396 0.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
z/Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 7.2 – Distribuições (a) do índice de refracção e (b) do campo eléctrico normalizado para a estrutura
QWS-DCC.
Este conjunto de resultados ilustra as alterações que o índice de refracção provoca na distribuição do
campo eléctrico da estrutura laser QWS-DCC-DFB, não havendo divergências entre os resultados apresen-
tados. Onde o campo eléctrico tem mais intensidade, maior é o índice de refracção.
O Efeito SHB no Espectro do Laser
Os resultados apresentados na Fig. 7.2 da Ref. [1, pág. 175] encontram-se reproduzidos na Fig. 7.3(a),
sendo que o ponto indica a situação de limiar. De igual modo, os resultados apresentados na Fig. 7.13 da
Ref. [1, pág. 183] encontram-se reproduzidos na Fig. 7.3(b).
3.0 80
70 2 Ith
2.5
5 Ith
60
(10 log) − a.u.
2.0 Modo (-1)

50
α · Lcav
1.5 Modo (+1)

b b
40
Modo laser
1.0
30
b
0.5
20
0 10
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 1545 1545.5 1546 1546.5 1547 1547.5 1548
δ · Lcav λ − nm
(a) (b)
Figura 7.3 – Resultados acima do limiar para a estrutura QWS-DFB:

(a)Plano (δ · Lcav , α · Lcav ) (b) Espectro de emissão espontânea.
48
Este conjunto de resultados ilustra o comportamento do laser QWS acima do limiar, não havendo
divergências.
Os resultados apresentados na Fig. 7.12 da Ref. [1, pág. 181] encontram-se reproduzidos na Fig. 7.4.
Este conjunto de resultados ilustra a evolução do comprimento de onda de diversos lasers DFB, não havendo
divergências. Nota-se uma tendência de deslocação para a esquerda no espectro de qualquer laser analisado,
aproximando o comprimento de onda de emissão da cor azul, ainda que esta deslocação seja muito reduzida.
1547.2
ut
QWS-DFB
1547.0 bc
3PS-DFB
ut
ut rs
ut QWS-DCC-DFB
ut
λ − nm
ut ut
bc
1546.8 bc
bc
bc bc bc
rs rs rs rs rs rs
1546.6
1546.4
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
I/Ith
Figura 7.4 – Evolução do comprimento de onda para diversas estruturas.
Tudo indica que o modelo desenvolvido é totalmente compatível com o modelo utilizado por H. Ghafouri-
Shiraz na produção dos seus resultados apresentados em Ref. [1].
7.1.2 Reprodução dos Resultados de T. Fessant
O Efeito SHB nas Diversas Distribuições
Os resultados apresentados na Fig. 16 e na Fig. 13 da Ref. [7] encontram-se reproduzidos na Fig. 7.5(a)
e Fig. 7.5(b), respectivamente.
3.5 6
I = 1.5 Ith I = 1.5 Ith
5
3.2 I = 2.0 Ith I = 2.0 Ith
– m−3
– m−3
I = 3.0 Ith I = 3.0 Ith

4
2.9 I = 4.0 Ith I = 4.0 Ith

3
N ×10−24
S ×10−21
2.6
2
2.3
1
2.0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
z/Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 7.5 – Distribuições de (a) portadores e (b) fotões para a estrutura CPM-DCC-DFB.
49
Estes resultados ilustram a interacção entre os fotões e os portadores presentes na cavidade da estrutura,
salientando que um aumento de S provoca uma diminuição de N , e vice-versa, tal como na subsecção 7.1.1.
O Efeito SHB no Espectro do Laser
Os resultados apresentados na Fig. 19 da Ref. [7] encontram-se reproduzidos na Fig. 7.6. A forma do
espectro não apresenta divergências mas há uma grande diferença no eixo do comprimento de onda. Tudo
indica que seja uma gralha da Ref. [7], pois esses valores apresentados são bastante invulgares.
80
70 1.5 Ith
5 Ith
60
(10 log) − a.u.
50
40
30
20
10
1545 1545.5 1546 1546.5 1547 1547.5 1548
λ − nm
Figura 7.6 – Espectro da estrutura CPM-DCC-DFB para duas correntes.
Mais uma vez, é possível observar a tendência generalizada do espectro de um laser para se deslocar
para a esquerda com o aumento da corrente, aproximando-se do comprimento de onda azul.
7.1.3 Resumo dos desempenhos
A Fig. 7.7 representa as evoluções de SMSR (I/Ith ) e P (I) para as diversas estruturas conhecidas.
48 rs 18 qp
rs rsbc
rs
rs rs rs
ut
QWS-DFB +ut
43 15 bc
QWS-DCC-DFB
bc
+
bc
+ 3PS-DFB qp
SMSR − dB
bc
12 ut
P − mW
qp
38 bc
qpbc qpbc qpbc
3PS-DCC-DFB rs
ut qp qp
rs
qp
9 CPM-DCC-DFB +bc
33 qp
ut
+ ut
6 rs
28 + ut +bc
+ +ut + 3 rs
qp ut
+ +
ut bc
ut
ut
23 0 +rsqpbcut +
ut bc rs qp
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0 20 40 60 80 100

I/Ith I − mA
(a) (b)
Figura 7.7 – Resultados acima do limiar para as estruturas conhecidas:

(a) SMSR (I/Ith ). (b) P (I). A legenda de (b) aplica-se em (a).
A estrutura CPM-DCC-DFB da Ref. [7] apresenta uma clara vantagem em SMSR em relação às diversas
estruturas da Ref. [1]. A estrutura mais vulgar, QWS-DFB, é aquela que mais rapidamente deteriora o seu
50
SMSR com o aumento da corrente, sendo por isso a menos aconselhável a usar como emissor de luz num OCS.
Nota-se ainda que a inclusão de um perfil DCC tem tendência a melhorar o desempenho das estruturas DFB,
verificando-se uma melhoria do QWS-DFB para o QWS-DCC-DFB assim como uma melhoria do 3PS-DFB
para o 3PS-DCC-DFB.
As suas curvas de potência estática são todas semelhantes, não existindo uma estrutura que se destaque
por ter um excelente desempenho nesta categoria.
7.2 Estruturas Optimizadas

Depois de se ter obtido um conjunto interessante de estruturas optimizadas (ver secção 5.2 (pág. 35)) e
de se ter validado a implementação do TMM acima do limiar (ver secção 7.1), resta avaliar o desempenho
deste conjunto de estruturas optimizadas acima do limiar. Depois de analisadas individualmente, as diversas
estruturas optimizadas são comparadas na subsecção 7.2.6.
7.2.1 1PS-DCC-DFB
Esta estrutura, embora apresente bons resultados em regime de limiar (ver Tabela 5.1 (pág. 41)), sofre
de alguns problemas acima do limiar, conforme ilustrado na Fig. 7.8(a). Há fortes não linearidades na relação
entre o funcionamento do laser e a evolução da corrente. Por esse motivo, adaptou-se esta estrutura de modo
a tornar simétrico o seu perfil do coeficiente de acoplamento. Depois desta adaptação, a distribuição de
fotões com a corrente passou a ser aquela que se encontra ilustrada na Fig. 7.8(b).
6 6
I = 1.5 Ith I = 1.5 Ith
5 5
I = 3.2259− Ith I = 3 Ith
– m−3
– m−3
I = 3.2259+ Ith I = 5 Ith

4 4
I = 5 Ith

3 3
S ×10−21
S ×10−21
2 2
1 1
0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
z/Lcav z/Lcav
(a) (b)
Figura 7.8 – Distribuições de S (z) para (a) Estrutura optimizada assimétrica e (b) Estrutura optimizada
simétrica.
Este fenómeno de não-linearidade ainda não tinha sido observado nos casos anteriores pois os autores
H. Ghafouri-Shiraz e T. Fessant trabalham sempre com estruturas cujo perfil do coeficiente de acoplamento
é simétrico. No entanto, uma análise da literatura mais extensa permite confirmar que estruturas DCC
assimétricas com um grande quociente entre os diversos coeficientes de acoplamento apresenta normalmente
51
uma pequena descontinuidade na curva da potência emitida, em função da corrente de polarização [28,
pág. 164].
O espectro da estrutura (versão simétrica) encontra-se representado na Fig. 7.9. Esta figura demonstra
que esta estrutura laser ainda tem um desempenho adequado acima do limiar, mesmo tendo em conta que
a estrutura assimétrica era o melhor caso no limiar.
80
70 1.5 Ith
5 Ith
60
(10 log) − a.u.
50
40
30
20
10
1545 1545.5 1546 1546.5 1547 1547.5 1548
λ − nm
Figura 7.9 – Espectro da estrutura 1PS-DCC-DFB para duas correntes.
7.2.2 3PS-DFB
A Fig. 7.10(a) representa a distribuições de S (z) e N (z) para I = 4 · Ith , onde se exemplifica a existência
do fenómeno SHB nesta estrutura.
O espectro desta estrutura laser encontra-se representado na Fig. 7.10(b). Embora esta estrutura tam-
bém seja assimétrica, não é assimétrica no perfil do coeficiente de acoplamento, por isso não apresenta
descontinuidades no seu funcionamento com o aumento da corrente de polarização.
4.0 3.0 80
70 1.5 Ith
3.5 2.8 5 Ith
N ×10−24
– m−3
60
(10 log) − a.u.
3.0 2.6 50

S ×10−21
2.5 2.4 40
– m−3
30
2.0 2.2
20
1.5 2.0 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1545.5 1546 1546.5 1547 1547.5 1548
z/Lcav λ − nm
(a) (b)
Figura 7.10 – (a) S (z) e N (z) e (b) espectro para a estrutura 3PS-DFB assimétrica.
Este é um espectro muito estável, tendo uma diferença desprezável entre o espectro observado para a
52
corrente I = 1.5 Ith e o espectro observado para a corrente I = 5 Ith . Para esta gama de correntes, verifica-se
também um bom SMSR.
7.2.3 CPM-2DCC-DFB Assimétrico
Esta estrutura, tal como a estrutura 1PS-DCC-DFB assimétrico, tem a peculiaridade de possuir um
perfil de coeficiente de acoplamento assimétrico, sendo portanto esperados alguns problemas de linearidade
do seu funcionamento com a corrente de polarização. A Fig. 7.11(a) representa a evolução do perfil da
distribuição dos fotões no interior da cavidade com o aumento da corrente. Verifica-se uma descontinuidade
bem visível para a corrente I = 2.68 Ith .
Verifica-se também uma grande instabilidade no espectro emitido por este laser, conforme se pode
observar na Fig. 7.11(b). Apesar de ser instável, não deixa de possuir um bom valor de SMSR ao longo da
gama de correntes analisada na figura. No entanto, a variação do comprimento de onda é prejudicial por si
só, provocando diferentes velocidades de propagação da luz conforme a corrente de polarização.
6 80
I = 1.5 Ith 1.5 Ith
5 70
I = 2.68− Ith 5 Ith
– m−3
I = 2.68+ Ith 60
(10 log) − a.u.
4
I = 4 Ith
50

3
S ×10−21
40
2
30
1 20
0 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1545 1545.5 1546 1546.5 1547 1547.5 1548
λ − nm
z/Lcav
(a) (b)
Figura 7.11 – (a) S (z) e (b) espectro para a estrutura CPM-2DCC-DFB assimétrica.
Tal como foi feito na estrutura 1PS-DCC-DFB assimétrica, seria possível tornar esta estrutura simétrica
para contornar os problemas da não linearidade.
7.2.4 CPM-3DCC-DFB Simétrico
A Fig. 7.12(a) representa a distribuições de S (z) e N (z) para I = 4 · Ith , exemplificando o fenómeno SHB
nesta estrutura. É uma distribuição simétrica, com uma relação inversa entre a concentração de portadores
e a concentração de fotões, como seria de esperar.
A Fig. 7.12(b) representa o espectro desta estrutura, para duas correntes. Verifica-se ser um espectro
bastante estável, com um SMSR bastante elevado.
7.2.5 HR-AR-DCC-DFB
A Fig. 7.13 representa o espectro desta estrutura, para duas correntes.
53
4.0 3.0 80
70 1.5 Ith
3.5 2.8 5 Ith
N ×10−24
– m−3
60
(10 log) − a.u.

3.0 2.6 50

S ×10−21

2.5 2.4 40
– m−3
30
2.0 2.2
20
1.5 2.0 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1545.5 1545 1546.5 1546 1547.5 1547
z/Lcav λ − nm
(a) (b)
Figura 7.12 – (a) S (z) e N (z) e (b) espectro para a estrutura CPM-3DCC-DFB simétrica.
70
1.5 Ith
(10 log) − a.u.
60
5 Ith
50
40
30
20
10
1546 1546.5 1547 1547.5 1548
λ − nm
Figura 7.13 – Espectro de emissão espontânea para o laser HR-AR-DCC-DFB, para duas correntes, para ϕ1 = π/2.
Embora o SMSR desta estrutura não seja tão elevado como o verificado noutras outras, é importante
referir que um dos principais objectivos no fabrico desta estrutura seria a elevada eficiência de conversão
entre a corrente de polarização e a potência emitida, grandeza analisada na subsecção 7.2.6 e comparada
com a eficiência de conversão das outras estruturas.
Ainda assim, é possível dizer que o espectro desta estrutura tem um elevado valor de SMSR, assim como
um estável comprimento de onda de emissão.
7.2.6 Resumo dos desempenhos
A Fig. 7.14(a) representa a evolução de S (I/Ith )para as diversas estruturas optimizadas. Neste con-
texto, a estrutura CPM-3DCC-DFB simétrica apresenta o melhor desempenho, chegando a verificar-se uma
ligeira subida do valor de S com o valor da corrente. Contudo, todas as estruturas cumprem o requisito
S ≥ 0.5, aconselhado para um bom funcionamento em modo único.
A Fig. 7.14(b) representa a evolução de F (I/Ith ) para as diversas estruturas optimizadas. Destaca-se
uma perturbação de F nos dois casos em que o perfil do coeficiente de acoplamento é assimétrico. Com
excepção destas perturbações, todos os valores de F se encontram dentro do valor requerido F ≤ 0.05.
54
3.0 0.10 rs
ut ut ut
ut rs 1PS-DCC
ut ut
2.5 bc 3PS
0.08 qp
qp qp CPM-2DCC
qp
2.0 qp
qp ut CPM-3DCC
rs
rs
qp
0.06 + HRAR-DCC rs
qp qp qp
qp rs
1.5 rs
S
F
rs rs rs
rs rs
rs
+ rs 0.04 qp
1.0 qp
bc +bc +bc rs rs
ut ut ut
+bc +bc +bc 0.02 utrs
utqp utqp qp
0.5 qp
+bc +bc +bc +bc +bc +bc
0 0
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
I/Ith I/Ith
(a) (b)
Figura 7.14 – Resultados acima do limiar para as estruturas optimizadas: (a) S (I/Ith ) e (b) F (I/Ith ). A
legenda de (b) também se aplica a (a).
A Fig. 7.15(a) representa a evolução de SMSR (I/Ith ) para as diversas estruturas optimizadas. As
estruturas com um perfil do coeficiente de acoplamento assimétrico têm descontinuidades acentuadas nesta
característica, nomeadamente a estrutura 1PS-DCC-DFB. Em termos gerais, a estrutura com um melhor
desempenho de SMSR é a CPM-3DCC-DFB.
A Fig. 7.15(b) representa a evolução de P (I) para as diversas estruturas optimizadas. A estrutura com
melhor eficiência de conversão é a HR-AR-DCC-DFB, como seria expectável pelo facto de ter uma faceta
inteiramente reflectora.
52 30
rs rs rs 1PS-DCC
50 ut rs
25 bc 3PS
+
ut
rsqp ut qp qp CPM-2DCC
qp utqp
rs ut
48 ut
SMSR − dB
qp qp qp 20 ut CPM-3DCC rs
qp
P − mW
qp
+ HRAR-DCC + ut
bc
rs rs
46 15
+bc bc bc +
qp
ut
bc qp
bc bc bc
44 + 10 qp
rs
+ +rs
42
+ + + bc qp
ut
5 rs
+ bc qp ut rs
rs
bc qp ut rs
40 0 +rsqpbcut +
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0 20 40 60 80 100
I/Ith I − mA
(a) (b)
Figura 7.15 – Resultados acima do limiar para as estruturas optimizadas: (a) SMSR (I/Ith ) e (b) P (I). A
legenda de (b) também se aplica a (a).
De acordo com o requisito primordial a exigir destacam-se essencialmente, após toda esta análise, duas
estruturas. Se o requisito mais importante for a manutenção de um elevado valor de SMSR, aconselha-se
a estrutura CPM-3DCC-DFB. Por outro lado, se o requisito mais importante for uma elevada eficiência de
conversão da corrente de polarização em potência óptica, aconselha-se a estrutura HR-AR-DCC-DFB.
55
56
Capítulo 8
Resultados Experimentais
Com o objectivo de validar o modelo desenvolvido, utilizou-se o equipamento disponível no laboratório

de electro-ópticos na Academia da Força Aérea. Inicialmente, os objectivos eram:
• Medir a característica P (I) de um laser DFB disponível, para diferentes temperaturas;
• Registar o espectro emitido por aquele laser DFB, para diferentes correntes de polarização e avaliar a
evolução de SMSR em função da corrente de polarização.
Devido a dificuldades técnicas temporárias no equipamento laboratorial, apenas o primeiro objectivo foi
possível de executar, não existindo qualquer tipo de observação do espectro emitido.
A Fig. 8.1 esquematiza a montagem realizada, de forma a avaliar a característica P (I).
Conversor Medidor
Controlador DFB Óptico-Eléctrico de Potência
Figura 8.1 – Montagem realizada no laboratório.
O controlador permite definir qual a corrente de polarização do laser DFB em uso, para além da
temperatura de funcionamento imposta ao laser DFB. Depois de seleccionar estas duas variáveis, o laser
DFB emite um feixe óptico no comprimento de onda de 1.55 µm através de fibra óptica até ao conversor
óptico-eléctrico, que por sua vez envia um sinal eléctrico com potência proporcional ao sinal óptico, até
ao medidor de potência. Esta montagem permite avaliar a potência emitida pelo laser, correspondente a
diferentes correntes de polarização e a diferentes temperaturas de funcionamento.
Os dispositivos utilizados foram os seguintes:
• Controlador: ILX Lightwave LDC-3900
• Laser DFB: MQW-DFB CM2540701
• Medidor de Potência: Anritsu
A Fig. 8.2 representa os resultados obtidos para a característica P (I) do laser, utilizando a montagem
da Fig. 8.1.
57
Capítulo 8 - RESULTADOS EXPERIMENTAIS
6
T = 25 ◦ C
5
bc
T = 35 ◦ C bc
bc
T = 45 ◦ C
4
bc
bc
bc
P − mW
bc
bc
bc
3 bc
bc
bc
bc bc
bc
2 bc
bc
bc
bc
bc
bc
1
bc
bc
bc
bc
bc
bc
bc
0
bc
bc
bc
bc bc
bc
0 10 20 30 40 50 60
I − mA
Figura 8.2 – Característica P (I) para diversas temperaturas, medida experimentalmente.
A Fig. 8.3(a) apresenta os valores para o declive da característica P (I), com a evolução da temperatura.
Estes valores correspondem à eficiência de conversão electro-óptica do laser DFB. A Fig. 8.3(b) apresenta os
valores para a corrente de limiar extrapolados dos dados experimentais, com a evolução da temperatura.
115 19
ut 18 ut
110
Eficiência − mW/A
17
Ith − A
105
16
ut
ut
100 15
14
95 ut ut
13
90 12
20 25 30 35 40 45 50 20 25 30 35 40 45 50
T − ◦C T − ◦C
(a) (b)
Figura 8.3 – Dados retirados da característica P (I): (a) Eficiência de conversão electro-óptica. (b) Corrente
de limiar.
É possível observar uma diminuição da eficiência de conversão electro-óptica, assim como um aumento
da corrente de limiar, com o aumento da temperatura.
58
Capítulo 9
Conclusões
9.1 Sumário e conclusões

Neste trabalho foi realizada uma análise detalhada do comportamento de estruturas laser DFB, uti-
lizando a teoria das ondas acopladas, acompanhada de uma modelação que permite executar simulações dos
seus funcionamentos.
Para os casos não convencionais foi implementado um método baseado no TMM, cuja eficiência computa-
cional foi bastante incrementada relativamente ao TMM tradicional. Este método facilita a implementação
de qualquer estrutura DFB num modelo equivalente, mais simples de simular.
Uma quantidade considerável de resultados, já conhecidos na literatura, foram reproduzidos, de forma a
validar o simulador implementado. Por outro lado, estes resultados serviram também para avaliar a influência
das diversas alterações estruturais no desempenho dos lasers DFB em análise.
Depois de validado o correcto funcionamento do simulador, este foi utilizado para optimizar algumas
estruturas DFB inovadoras, e que superam o desempenho de qualquer uma das outras previamente apresen-
tadas na literatura.
Este trabalho culminou assim no desenvolvimento de um pacote de software bastante versátil capaz de
simular o desempenho de diversas estruturas laser DFB, na situação de limiar e em regime estático acima
do limiar.
9.2 Trabalho futuro

Após a realização desta dissertação, surgem diversos caminhos futuros interessantes de investigação:
• Dotar o simulador desenvolvido com capacidade para modelação do comportamento dinâmico de lasers
DFB, permitindo obter a sua resposta a uma sequência de bits, de modo a ser possível avaliar o impacto
do SHB no desempenho de OCS;
• O simulador desenvolvido apenas permitiu modelar lasers DFB maciços. Importaria dotá-lo com
capacidade para modelar lasers com poços quânticos, linhas quânticas ou pontos quânticos;
• Finalmente, seria interessante tentar ainda aplicar o conhecimento adquirido na modelação de outro
tipo de lasers, nomeadamente os lasers de cavidade vertical (VCSEL).
59
Capítulo 9 - CONCLUSÕES
O equipamento laboratorial de electro-ópticos disponível na Academia da Força Aérea será um ponto

de apoio fundamental no trabalho a desenvolver futuramente, nomeadamente:
• Para validação experimental dos simuladores desenvolvidos, quer no regime estacionário ou no regime
dinâmico;
• Para caracterização dos emissores de luz;
• Para extracção de determinados parâmetros que são utilizados como entradas dos modelos teóricos
desenvolvidos e das suas dependências com, por exemplo, a temperatura, os materiais utilizados e a
estrutura.
60
BIBLIOGRAFIA
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[25] J. Boavida, J. Morgado, e C. F. Fernandes, “Optimisation of a corrugation-pitch-modulated DFB laser structure with
inhomogeneous coupling coefficient for stable single longitudinal mode operation,” The European Phys. J. - Appl. Phys.,
submetido para publicação.
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Electromagnetics Research Symposium a ser realizada em Xi’an, China.
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wavelength tolerance,” Out. 2009, aceite para apresentação na 22a IEEE Lasers and Electro Optics Society Annual Meeting
a ser realizada em Antalya-Belek, Turquia.
[28] M. Fukuda, Optical Semiconducor Devices, 1st ed., K. Chang, Ed. Nova York, EUA: John Wiley, 1998.
61
Apêndice A
Expressão aproximada para a constante

de propagação complexa k(z), na
presença de um guia de ondas de Bragg
de primeira ordem
Partindo da expressão (3.2) (pág. 13), que a seguir se repete
k(z) = β(z) +  · g u (z) , (A.1)
resulta
2 2
k (z) = β(z) +  · g u (z) = β 2 (z) +  · 2 g u (z) · β(z) + g 2u (z) . (A.2)

Admitindo na expressão (A.2), a primeira aproximação de (3.19) (pág. 16), que a seguir se repete
g u (z) ≪ β(z) , (A.3)
resulta facilmente
2
k (z) ≈ β 2 (z) +  · 2 g u (z) · β(z) . (A.4)
Substituindo na expressão (A.4) a expressão (3.7) (pág. 14), resulta
2
k (z) ≈ k02 · n2 (z) +  · 2 k0 · g u (z) · n(z) . (A.5)
Finalmente, substituindo na expressão (A.5) as expressões (3.10) (pág. 14), e tendo em conta a definição (3.12)
(pág. 15), resulta
2
h i2
k (z) ≈ k02 · n0 + ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +
h i h i (A.6)
+  · 2 k0 · g u0 + ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ · n0 + ∆ n · cos 2 π · βΛ · z + ΩΛ .
Desenvolvendo os produtos da expressão (A.6), e desprezando os termos de ordem superior, resulta
63
Apêndice A – Expressão aproximada para a constante de propagação complexa k(z), na presença de um guia de ondas de
Bragg de primeira ordem
facilmente
2
k (z) ≈ k02 · n20 + 2 n0 · k02 · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +  · 2 k0 · g u0 · n0 +

+  · 2 k0 · g u0 · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +  · 2 k0 · n0 · ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ =
(A.7)
2
= k0 · n0 +  · 2 k0 · n0 · g u0 + 2 k0 k0 · n0 +  · g u0 · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +

+  · 2 k0 · n0 · ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ .
Atendendo à segunda aproximação de (3.19) (pág. 16), é possível escrever
n0 ≈ n(z) . (A.8)
Atendendo à expressão (A.8) e tendo em conta a expressão (3.7) (pág. 14), que a seguir se repete
β(z) ≈ k0 · n(z) , (A.9)
resulta facilmente
k0 · n0 ≈ k0 · n(z) ≈ β(z) . (A.10)
Substituindo a expressão (A.10) na expressão (A.7), resulta
2
k (z) ≈ β 2 (z) +  · 2 β(z) · g u0 + 2 k0 β(z) +  · g u0 · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +

(A.11)
+  · 2 β(z) · ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ .
Atendendo à primeira aproximação de (3.19) (pág. 16) na expressão (A.11), resulta
2
k (z) ≈ β 2 (z) +  · 2 β(z) · g u0 + Σ2−k(z) . (A.12)
em que
△
Σ2−k(z) = 2 k0 · β(z) · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +
(A.13)
+  · 2 β(z) · ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ .
Considere-se agora a simplificação de Σ2−k(z) . Partindo da definição (A.13), resulta
h i
(A.14)

Σ2−k(z) = 2 β(z) k0 · ∆ n · cos 2 βΛ · z + ΩΛ +  · ∆ g u · cos 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ .
Da expressão (3.23) (pág. 16), resulta

2π
k0 = . (A.15)
λ0
64
Apêndice A – Expressão aproximada para a constante de propagação complexa k(z), na presença de um guia de ondas de
Bragg de primeira ordem
Σ2−k(z) = 2 β(z) ·
(
2π 1 h i
· ∆ n · · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ + exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ +
λ0 2
)
1 h i
+  · ∆ g u · · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ + exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + θΛ =
2
(A.16)
= 2 β(z) ·
(
π·∆n ∆ gu
· + · · exp  · θΛ · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ +
λ0 2
)
π·∆n ∆ gu h i
+ + · · exp −  · θΛ · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ .
λ0 2
Adoptando as seguintes definições
△ π·∆n ∆ gu
(A.17)

KR←S = + · · exp −  · θΛ
λ0 2
△ π·∆n ∆ gu
(A.18)

KS←R = + · · exp  · θΛ ,
λ0 2
resulta, substituindo as expressões (A.17) e (A.18) na expressão (A.16)
Σ2−k(z) = 2 β(z) ·

h i
(A.19)
· KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ .

2
k (z) ≈ β 2 (z) +  · 2 β(z) · g u0 +
h i h i
(A.20)
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ .
65
Apêndice B
Determinação das equações acopladas do

laser
Partido da expressão (3.35) (pág. 18) que a seguir se repete
(B.1)

E(z) = R(z) · exp −  · βΛ · z + S(z) · exp  · βΛ · z ,
resulta facilmente
!
d2 E(z) d2 R(z) d R(z) 2

= −  2 βΛ · − βΛ · R(z) · exp −  · βΛ · z +
d z2 d z2 dz
! (B.2)
2
d S(z) d S(z)
− βΛ2 · S(z)

+ +  2 βΛ · · exp  · βΛ · z .
d z2 dz
Partindo da equação (3.26) (pág. 17) que a seguir se repete,
(
d2 E(z)
+ β 2 (z) +  · 2 · β(z) · g u0 +
dz
) (B.3)
h i h i
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ · E(z) = 0 .
resulta
d2 E(z)
+ Σ4−E(z) = 0 , (B.4)
dz
em que
(
△
Σ4−E(z) = β 2 (z) +  · 2 · β(z) · g u0 +
) (B.5)
h i h i
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ · E(z) .
67
Apêndice B – Determinação das equações acopladas do laser
Substituindo (B.1) em (B.5), resulta
(
△
Σ4−E(z) = β 2 (z) +  · 2 · β(z) · g u0 +
)
(B.6)
h i h i
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ ·
h i
· R(z) · exp −  · βΛ · z + S(z) · exp  · βΛ · z .
Desenvolvendo a expressão (B.6), resulta
△
h i h i
Σ4−E(z) = β 2 (z) +  · 2 · β(z) · g u0 · R(z) · exp −  · βΛ · z + S(z) · exp  · βΛ · z +

h
i h i
+ 2 β(z) · KR←S · exp −  · 2 βΛ · z + ΩΛ + KS←R · exp  · 2 βΛ · z + ΩΛ ·
h i
· R(z) · exp −  · βΛ · z + S(z) · exp  · βΛ · z =
h i
= β 2 (z) · R(z) +  · 2 β(z) · g u0 · R(z) · exp −  · βΛ · z +

(B.7)
h i
+ β 2 (z) · S(z) +  · 2 β(z) · g u0 · S(z) · exp  · βΛ · z +

h
+ 2 · β(z) · KR←S · R(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · 3 βΛ · z +

+ KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · βΛ · z +

+ KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ · exp  · βΛ · z +
i
+ KS←R · S(z) · exp  · ΩΛ · exp  · 3 βΛ · z .
Da expressão (B.7), resulta
h i
Σ4−E(z) = β 2 (z) · R(z) +  · 2 β(z) · g u0 · R(z) + 2 β(z) · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · βΛ · z +

h i
+ β 2 (z) · S(z) +  · 2 β(z) · g u0 · S(z) + 2 β(z) · KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ · exp  · βΛ · z +

+ 2 β(z) · KR←S · R(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · 3 βΛ · z +

+ 2 β(z) · KS←R · S(z) · exp  · ΩΛ · exp  · 3 βΛ · z . (B.8)
Substituindo as expressões (B.3) e (B.8) na expressão (B.4), resulta
68

β 2 (z) · R(z) +  · 2 β(z) · g u0 · R(z)+ 2 β(z) · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ +

d2 R(z)

d R(z) 2

+ 2
−  2 β Λ · − β Λ · R(z) · exp −  · βΛ · z +
dz dz

+ β 2 (z) · S(z) +  · 2 β(z) · g u0 · S(z)+ 2 β(z) · KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ +

(B.9)
2

d S(z) d S(z) 2

+ +  2 βΛ · − βΛ · S(z) · exp  · βΛ · z +
d z2 dz

+ 2 β(z) · KR←S · R(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · 3 βΛ · z +

+ 2 β(z) · KS←R · S(z) · exp  · ΩΛ · exp  · 3 βΛ · z = 0 .
Assumindo que R(z) e S(z) são termos de variação lenta no espaço, resulta
2 2
d R(z)
≪ d R(z) ≪ R(z)
d S(z)
≪ d S(z) ≪ S(z) (B.10)

d z2 dz ;
d z2 dz .
Com base na aproximação (B.10) resulta ser possível desprezar os termos d2 R(z)/d z 2 e d2 S(z)/d z 2 ,
na expressão (B.9). Por outro lado
Tendo em conta estas aproximações na expressão (B.9) resulta, depois de algum desenvolvimento al-
gébrico
(
d R(z) h 2 i
−  2 βΛ · + β (z) − βΛ2 · R(z) +  · 2 β(z) · g u0 · R(z)+
dz
)

+2 β(z) · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · βΛ · z +
( (B.11)
d S(z) h 2 i
 2 βΛ · + β (z) − βΛ2 · S(z) +  · 2 β(z) · g u0 · S(z)+
dz
)

+2 β(z) · KS←R · S(z) · exp  · ΩΛ · exp  · βΛ · z = 0 .
Dividindo ambos os termos da equação (B.11) por  · 2 βΛ resulta, depois de algum desenvolvimento

algébrico
(
d R(z) β 2 (z) − βΛ2
− − · · R(z) + g u0 · R(z)−
dz 2 βΛ
)

− · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · βΛ · z +
( (B.12)
d S(z) β 2 (z) − βΛ2
− · · S(z) + g u0 · S(z)−
dz 2 βΛ
)

− · KS←R · S(z) · exp  · ΩΛ · exp  · βΛ · z = 0 .
69
Por outro lado, tem-se

β 2 (z) − βΛ2 β(z) − βΛ · β(z) + βΛ
= . (B.13)
2 βΛ 2 βΛ
Atendendo à aproximação (3.31) (pág. 18), que a seguir se repete
(B.14)

β(z) − βΛ ≪ βΛ ,
resulta que
β(z) ≈ βΛ . (B.15)
Substituindo (B.15) na expressão (B.13), resulta

β 2 (z) − βΛ2 β(z) − βΛ · 2 βΛ
(B.16)

≈ = β(z) − βΛ .
2 βΛ 2 βΛ
Atendendo à definição (3.32) (pág. 18), resulta
β 2 (z) − βΛ2
≈δ . (B.17)
2 βΛ
Substituindo a expressão (B.17) na expressão (B.12) resulta, depois de algum desenvolvimento algébrico
( )
d R(z)
− + g u0 −  · δ · R(z) −  · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ · exp −  · βΛ · z +
dz
( )
d S(z) (B.18)
+ g u0 −  · δ · S(z) −  · KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ · exp  · βΛ · z =
dz
=0 .
Uma vez que a igualdade (B.18) deve ser válida para qualquer valor da variável z, ter-se-á que verificar
d R(z)
(B.19a)

− + g u0 −  · δ · R(z) =  · KR←S · S(z) · exp −  · ΩΛ
dz
d S(z)
(B.19b)

+ g u0 −  · δ · S(z) =  · KS←R · R(z) · exp  · ΩΛ .
dz
70
Apêndice C
Método de Newton-Raphson para a

determinação numérica de zeros de
funções complexas
Considere-se a seguinte equação

W (z) = 0 , (C.1)
em que W (z) é uma função complexa arbitrária da variável complexa z. Assume-se que W (z) é uma função
analítica, isto é, é possível calcular d W (z)/d z na vizinhança de z.
Generaliza-se, neste apêndice, o método de Newton-Raphson usualmente utilizado para resolver equações
não-lineares de variável real, com vista à sua utilização na resolução numérica da equação (C.1).
Partindo da equação (C.1), é sempre possível escrevê-la na forma
W (z) = U (z) +  · V (z) , (C.2)
em que U (z) e V (z) são funções reais que designam, respectivamente, a parte real e a parte imaginária de
W (z).
Tendo em atenção que é possível escrever z na forma
z = x + ·y , (C.3)
em que x e y designam, respectivamente, a parte real e a parte imaginária de z, resulta que a resolução da
equação (C.1), se resume na resolução do sistema de equações dado por
U (x, y) = 0 (C.4a)
V (x, y) = 0 . (C.4b)
Desenvolvendo as funções U (x, y) e V (x, y) em série de Taylor, em torno de uma aproximação inicial
(x0 , y0 ) para as raízes de (C.4), resulta

∂ U (x, y) ∂ U (x, y)
U (x1 , y1 ) = U (x0 , y0 ) + · (x1 − x0 ) + · (y1 − y0 ) (C.5a)
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
71
Apêndice C – Método de Newton-Raphson para a determinação numérica de zeros de funções complexas

∂ V (x, y) ∂ V (x, y)
V (x1 , y1 ) = V (x0 , y0 ) + · (x1 − x0 ) + · (y1 − y0 ) , (C.5b)
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
em que x1 e y1 são valores em torno de, respectivamente, x0 e y0 , assumindo-se que
U (x1 , y1 ) ≈ 0 ; V (x1 , y1 )≈ 0 . (C.6)
Substituindo (C.6) no sistema (C.5), resulta o seguinte sistema de equações, nas incógnitas x1 e y1

∂ U (x, y) ∂ U (x, y)
· x1 + · y1 =
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
" #
∂ U (x, y) ∂ U (x, y)
= −U (x0 , y0 ) + · x0 + · y0 (C.7a)
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0

∂ V (x, y) ∂ V (x, y)
· x1 + · y1 =
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
" #
∂ V (x, y) ∂ V (x, y)
= −V (x0 , y0 ) + · x0 + · y0 . (C.7b)
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
Resolvendo o sistema (C.7), em ordem a x1 e y1 resulta facilmente

∂ U (x, y) ∂ V (x, y)
V (x0 , y0 ) · − U (x0 , y0 ) ·
∂ x x0 ,y0 ∂ x x0 ,y0
x1 = x0 + (C.8)
∆Newt

∂ V (x, y) ∂ U (x, y)
U (x0 , y0 ) · − V (x0 , y0 ) ·
∂ x x0 ,y0 ∂ x x0 ,y0
y1 = y0 + , (C.9)
∆Newt
em que

∂ U (x, y) ∂ V (x, y) ∂ V (x, y) ∂ U (x, y)
∆Newt = · − · . (C.10)
∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0 ∂ x x0 ,y0 ∂ y x0 ,y0
Para aplicação do método de Taylor, e de acordo com (C.7) e (C.10), põe-se assim o problema de
como calcular U (x, y), V (x, y), ∂ U (x, y)/∂ x, ∂ U (x, y)/∂ y, ∂ V (x, y)/∂ x e ∂ U (x, y)/∂ y, a partir de W (z)
e d W (z)/d z.
Tendo em conta (C.2), resulta de forma imediata
h i h i
U (x, y) = ℜ W (z) ; V (x, y) = ℑ W (z) . (C.11)
Tendo em conta (C.2), tem-se

d W (z) d U (z) d V (z)
= + · . (C.12)
dz dz dz
Por outro lado, tendo em conta (C.3) e (C.12), resulta
d U (z) ∂ z d U (z) d W (z)

∂ U (x, y)
= · = =ℜ (C.13a)
∂x dz ∂x dz dz
d V (z) ∂ z d V (z) d W (z)

∂ V (x, y)
= · = =ℑ , (C.13b)
∂x dz ∂x dz dz
72
Apêndice C – Método de Newton-Raphson para a determinação numérica de zeros de funções complexas
Por outro lado, tendo em conta (C.3) e (C.12), tem-se também
∂ U (x, y) d U (z) ∂ z d U (z) d U (z) ∂ U (x, y)

= · = · ⇒ = − · (C.14a)
∂y dz ∂y dz dz ∂y
∂ V (x, y) d V (z) ∂ z d V (z) d V (z) ∂ V (x, y)

= · = · ⇒ = − · . (C.14b)
∂x dz ∂y dz dz ∂y
Substituindo as relações (C.14) na expressão (C.12), resulta
d W (z) ∂ V (x, y) ∂ U (x, y)

= − · . (C.15)
dz ∂y ∂y
Da expressão (C.15), resulta facilmente
d W (z) d W (z)

∂ V (x, y) ∂ U (x, y)
=ℜ ; = −ℑ . (C.16)
∂y dz ∂y dz
Em resumo, tendo em atenção as expressões (C.11), (C.13) e (C.16), resulta
h i h i
U (x, y) = ℜ W (z) ; V (x, y) = ℑ W (z) (C.17)
d W (z) d W (z)

∂ U (x, y) ∂ V (x, y)
=ℜ ; =ℑ (C.18)
∂x dz ∂x dz
d W (z) d W (z)

∂ V (x, y) ∂ U (x, y)
=ℜ ; = −ℑ . (C.19)
∂y dz ∂y dz
É de notar que, de acordo com as expressões (C.18) e (C.19), resultam as seguintes igualdades
∂ U (x, y) ∂ V (x, y) ∂ U (x, y) ∂ V (x, y)

= ; =− ,
∂x ∂y ∂y ∂x
conhecidas por equações de Cauchy-Riemann, e que resultam do facto de se ter assumido que a função W (z)
é analítica. Por outro lado, poderia mostrar-se que se as equações anteriores se verificarem, então resulta
daí que a função W (z) terá que ser analítica.
73

Laser DFB (Tese)

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Modelação e Caracterização de um

Díodo Laser de Retroacção Distribuída (DFB)

José Maria Bastardo de Miranda Boavida

Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em

Orientador: Prof. Carlos Alberto Ferreira Fernandes

Co-orientador: Prof. José Augusto Nunes Vicente Passos Morgado

Vogal: Prof. António Luís Campos da Silva Topa

Doutor Carlos Alberto Ferreira Fernandes

tividades de investigação, nomeadamente à participação em conferências internacionais.

ratório de electro-ópticos para realizar a parte experimental desta tese.

no dia-a-dia, directa ou indirectamente.

àqueles já reportados noutras obras existentes na literatura.

literatura e, em certa medida, através da inclusão de algumas medições experimentais.

assim como uma boa eficiência de conversão electro-óptica.

Palavras-chave: Laser, métodos matriciais, retroacção distribuída, semicondutor.

in situations where direct modulation (DM) of the emitter is used.

reported in the literature.

to a certain extent, by the inclusion of some experimental measures.

Key-words: Laser, matricial methods, distributed feedback, semiconductor.

Lista de Símbolos xiii

Glossário de Siglas e Acrónimos xv

Lista de Tabelas xvii

Lista de Figuras xix

4. Método da Matriz de Transferência em Regime de Limiar 23

5. Resultados do TMM em Regime de Limiar 31

6. TMM Acima do Limiar 43

7. Resultados do TMM Acima do Limiar 47

7.2.4. CPM-3DCC-DFB Simétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

A. Expressão aproximada para a constante de propagação complexa k(z), na presença de

B. Determinação das equações acopladas do laser 67

C. Método de Newton-Raphson para a determinação numérica de zeros de funções com-

Símbolo Significado físico

K Coeficiente de acoplamento da corrugação

θ Mudança de fase na corrugação

r̂ Reflectividade numa faceta

r Módulo da reflectividade numa faceta

ϕ Argumento da reflectividade numa faceta

α Ganho de campo de um modo oscilante do laser

δ Dessintonia associada a um modo oscilante do laser

S Selectividade modal da estrutura

F Factor associado à uniformidade do campo eléctrico

E Campo eléctrico na cavidade do laser

ER Campo eléctrico a deslocar-se para a direita

ES Campo eléctrico a deslocar-se para a esquerda

λΛ Comprimento de onda de Bragg

λ0 Comprimento de onda na transparência

λth Comprimento de onda no limiar

Símbolo Significado físico

N0 Densidade de portadores na transparência

Nth Densidade de portadores no limiar

n0 Índice de refracção na transparência

nth Índice de refracção no limiar

A Taxa de emissão espontânea

B Coeficiente de recombinação molecular

C Coeficiente de recombinação de Auger

A2 Pico diferencial do comprimento de onda

αloss Perdas internas

d n/d N Índice de refracção diferencial

ng Índice de refracção de grupo

c Velocidade da luz em espaço livre

ε Coeficiente de ganho não-linear

Lcav Comprimento da cavidade

d Espessura da zona activa