Limitaciones de Amplicadores Operacionales

Manuel Toledo - INEL 5205 Instrumentacin o Agosto 20, 2008

Saturacin o
La salida mxima del amplicador es aproximadamente 80% 90% del voltaje de las fuentes a de potencia (ms o menos 13V si las fuentes son 15V ) a menos que sean del tipo raila to-rail. Estos ultimos pueden alcanzar voltajes muy cercanos a los de la fuente de potencia. En cualquier caso, la salida sufrir recorte una vez alcance el voltaje de saturacin en el lado a o positivo o negativo.

Corriente de corto circuito

El AO tiene un circuito de proteccin que limita la corriente a un valor mximo, llamado o a la corriente de corto circuito (short-circuit current, SCC). Si la corriente de salida que el AO suple o absorbe alcanza este valor, la magnitud el voltaje de salida deja de aumentar, limitando as la corriente al valor de este parmetro. a Ejemplo: Determine las resistencias ms peque a que puede ser usada en un amplicador a n sin inversin sencillo con ganancia de 4V /V de tal modo que no se supere la corriente de o corto circuito ISCC = 20mA cuando vO = 14V . El amplicador tiene una carga RL = 1k conectada a la salida.

Disipacin de potencia o
La operacin del AO requiere la extraccin de una cantidad de corriente IQ (llamada el o o quescient current en ingles), aun cuando la salida se mantenga en cero. Si vO = 0V , el AO disipa internamente una potencia igual a P = (VCC + VEE )IQ donde VCC y VEE representan los voltajes positivo y negativo de la fuente de potencia, respectivamente. Valores tipicos son VCC = +15V y VEE = 15V . Si la salida no es cero, una corriente iO debe ser provista a la carga y a la red de retroalimentacin. La misma debe ser extra de la fuente de potencia en adicin a IQ . Esta o da o corriente entrar o saldr del AO dependiendo de la polaridad de vO . a a Si vO > 0, iO sale del AO y la corriente de la fuente VCC se convierte en IQ + iO . La potencia disipada internamente es P = (VCC + VEE )IQ + (VCC vO )iO 1

Si vO < 0, iO entra al AO y la corriente de la fuente VEE se convierte en IQ + iO . La potencia disipada internamente es P = (VCC + VEE )IQ + (vO + VEE )iO Note que los voltajes del power supply son VCC y VEE (o sea, VEE es un voltaje positivo). Ejemplo: Determine la potencia disipada por el AO usado en el ejemplo anterior si vO = 14V e IQ = 1mA. Use VCC = VEE = 15V .

Ancho de banda
La mayor de los AO son compensados internamente para hacerlos incondicionalmente a estables. Esto signica que el circuito interno contiene componentes que hacen que exista un polo dominante que se encuentra a una frecuencia mucho mas baja que los dems polos. a Esta situacin se muestra en la siguiente gura: o
gain (dB) polo dominante a

1+R2/R1 fbw f f(Hz) polos de frecuencia alta

El diagrama muestra las siguientes cantidades: la ganancia de lazo abierto a, la ganancia1 de lazo cerrado del amplicador sin inversin 1 + R2 y la frecuencia de ganancia unitaria f . o R1 Este tipo de aparato se conoce como amplicador con producto ganancia-ancho de banda (GBP) constante. Como indica el termino, la reduccin en la ganancia del amplicador o (causada por el uso de retro-alimentacin negativa) esta acompa ada de un aumento similar o n en el ancho de banda, el cual puede ser calculado usando la formula fbw = f R1 f = 1 + R2 /R1 R1 + R2

Ejemplo: Calcule el ancho de banda de un amplicador con ganancia A = +100V /V y que utiliza el AO A741 con f = 1MHz. Amplicador con n etapas identicas Si se desea un GBP ms grande, se pueden usar varias etapas para obtener un amplicador a con la misma ganancia total. En el ejemplo anterior, la ganancia de +100V /V se puede obtener con dos etapas con ganancia de +10V /V . Sin embargo, en este caso el ancho de banda global no es igual al de cada etapa, pues a la frecuencia fbw cada etapa reduce la ganancia por 3dB y la atenuacin total es 6dB. o
1

Igual al reciproco de la funcin de transferencia de la red de retro-alimentacin, 1/. o o

Podemos obtener una formula para determinar el ancho de banda de un amplicador con n etapas idnticas partiendo de la respuesta de frecuencia de cada etapa, e Ai = Para n etapas la ganancia total es A0i 1 + (f /fbw )2
n

A0i 1 + (f /fbw )2

A0 (1 + (f /fbw )2 )n/2

donde An = A0 , la ganancia d.c. deseada. Notando que 0i f fbw = n A0 y que a la frecuencia fBW (el ancho de banda del amplicador de n etapas) la ganancia total es igual a A0 / 2, tenemos que 2 n A0 fBW n = 2 1+ f y f 21/n 1 fBW = n A0 de donde fBW es el ancho banda del amplicador de n etapas, A0 es la ganancia del amplin cador de n etapas, y A0 es la ganancia de cada etapa. Ejemplo: Determine el ancho de banda de un amplicador con A = 500V /V si se usan (i) una etapa, (ii) dos etapas, y (iii) tres etapas sin inversin. Asuma que se utiliza el AO o A741. Etapas con inversin o La descripcin anterior se reere a n etapas sin inversin. Si se utilizan etapas con o o inversin, el ancho de banda debe calcularse usando 1 + R2 /R1 aunque la ganancia de cada o o etapa es R2 /R1 . Las formulas aplican sin modicacin pero el GBP es inferior. Ejemplo: Determine el ancho de banda de un amplicador si se usan (i) una etapa, (ii) dos etapas, y (iii) tres etapas con inversin para obtener una ganancia total con magnitud o igual a 500V /V . Asuma que se utiliza el AO A741.

Razn de cambio mxima (Slew-rate) o a

La respuesta de escaln de un amplicador de GBP constante debe ser o v(t) = Vm 1 et/
1 pues act a como un sistema de primer orden. En esta expresin = 2fbw . Sin embargo, u o debido a limitaciones del circuito interno del AO, si el escaln supera un tama o particular, o n una respuesta de pendiente constante preceder a la respuesta exponencial, tal como muestra a en la siguiente gura.

Volts gain*vI Vm vO (exponential response) vO(slew-rate limited) tr t

La razn mxima a la que puede cambiar el voltaje de salida se conoce comoslew-rate o a (SR). Si la se al requiere un cambio ms rapido, la se al se distorsiona y la razn de cambio n a n o se limita al slew-rate. Ejemplos de se ales limitadas de este modo son los siguientes: n
Volts vO

S.R.

vI t

Volts

vO S.R. t vI

Para determinar el tamao mximo del escaln que ser libre de este tipo de distorsin, n a o a o observe que Vm t/ dv(t) = e dt es mximo en t = 0. Por tanto, si a Vm < SR la salida no ser limitada por el SR. Esta formula se puede expresar como a Vm SR 2fbw

donde Vm representa el tamao del escaln en la salida del amplicador y fbw es el ancho de n o banda del amplicador. En el case de una se al senoidal de frecuencia f , n v(t) = Vm sin (2f t) dv(t) = 2f Vm cos (2f t) dt y tambien es mxima en t = 0 asi que para tener una se al libre de distorsin, a n o 2f Vm SR 4 la razn de cambio es o

Esta condicin se puede expresar como o f o como Vm SR 2Vm SR 2f

Ejemplo: Calcule fmax si Vm = 10V y SR = 0.5V /s.

Corrientes de polarizacin o
El funcionamiento de AO que utilizan transistores bipolares requiere que exista corriente en los terminales de entrada del aparato. La corriente de polarizacin o bias current se dene o como el promedio de la corriente que entra o sale de los terminales Ip + In 2 La diferencia entre las corrientes que entran a los terminales se llama corriente de oset y se dene como IOS =| Ip In | IB = Debido a que es causada por errores aleatorios en la fabricacin del circuito integrado, no o es posible conocer el signo de IOS de antemano. T picamente, IOS es un orden de magnitud menor que IB . Table 1: Parametros de Varios AO Modelo tipo 741C bjt OP-77 bjt LM308 super-beta OP-07 cancelacin o LF356 biFET AD549 biFET OPA129 biFET TLC279 CMOS IB IOS 80nA 20nA 1.2nA 0.3nA 1nA 1nA 0.4nA 30pA 3pA menor a 100fA menor a 100fA 0.7pA 0.1pA

La tabla 1 muestra valores2 de IB e IOS para varios AO de uso comn. Puede observarse u la amplia de valores que pueden obtenerse de los distintos aparatos.
Adems, se muestra la tecnolog usada para reducir IB , que puede describirse como sigue: super-beta a a usa una base muy delgada para producir transistores con una muy grande; cancelacin incluye un circuito o interno adicional que provee la corriente de polarizacin, haciendo que desde afuera el aparato aparente tener o IB = 0; en este caso, IOS e IB acaban siendo del mismo orden de magnitud; biFET y biMOS utilizan JFETs y MOSFETs, respectivamente, en la entrada del circuito, y transistores bipolares en el resto; CMOS usa CMOS FETS en todo el circuito.
2

En adicin al valor de IB especicado en la tabla, es importante considerar las variaciones o del parmetro con temperatura. La misma puede resumirse como sigue: a en AO que utilizan transistores bipolares, la IB disminuye a medida que la temperatura aumenta, debido a que la de los transistores aumenta con T ; en AO construidos con JFETs, IB se duplica cada vez que la temperatura aumenta por 10 C, seg n la formula u IB (T ) = IB (T0 ) 2(T T0 )/10 en circuitos basados en MOSFETs, la dependencia es similar a aquellos basados en JFETs debido a la presencia de diodos usados para proteccin contra descargas de o electricidad esttica. a

Error debido a IB
Considere el siguiente diagrama,
i R1 R1 R2 i R2 In + RX EO AO ideal

Ip

donde por conveniencia las corrientes de polarizacin se representan como fuentes externas o a un AO ideal. Los terminales de entrada estn virtualmente conectados, y a vn = vp = Ip Rx IR1 = El error causado por las corrientes es EO = Ip Rx + In Rx Ip R2 R1 Rx Ip R1

Para reducir este error, podemos (i) reducir el tamao de R2 (y consecuentemente el de R1 n para mantener la misma ganancia), o (ii) escoger Rx = R1 || R2 de tal modo que el error debido a IB , que usualmente es el componente ms importante, se a cancele. En tal caso, el error restante es EO = IOS R2 donde se a incluido la incertidumbre en el signo del error. 6

Ejemplo: Para el A741, IB = 80nA e IOS = 20nA. Determine el error en el voltaje de salida si R1 = 22k, R2 = 2.2M, y (a) despreciamos IOS y Rx = 0; Respuesta: EO = 2.2 106 80 109 = 176mV

(b) Rx = 22k 2.2M = 21782; Respuesta: EO = IOS R2 = 20nA 2.2M = 44mV

Nivel (Oset) en el voltaje de entrada, VOS

Debido a imperfecciones en le construccin del AO, aun si conectamos ambas entradas a o tierra vO = vog = 0V . Este error se representa como un voltaje de oset en la entrada, VOS = vog a

donde vog representa el voltaje que se mide en la salida cuando las entradas estn conectadas a a tierra, y a es la ganancia de lazo abierto. El VOS usualmente se representa como una fuente d.c. conectada a la entrada + del AO, y es amplicado igual que cualquier seal conectada n a dicho punto. El valor de VOS no es constante, y cambia linealmente con temperatura. Coecientes t picos son: 5mV / C (741) y 0.1mV /C (OP-77). Ademas, la presencia de un voltaje comn a las dos entradas (llamado voltaje de modo u comn, o vCM ) produce un cambio dado por u 1 dVOS = dvCM CMRR donde el common-mode rejection ratio (CMRR) es un parmetro que se reduce a medida a que la frecuencia de la se al com n aumenta, haciendo que VOS aumente con la frecuencia n u de vCM . Tambin variaciones en el voltaje de la fuente de potencia afectan el valor de VOS , de e acuerdo a la formula dVOS 1 = dVS P SRR donde P SRR representa un parmetro llamado el power-supply rejection ratio. a Por ultimo, la se al de salida vO producen cambios en la entrada diferencial del AO que n afectan VOS , VOS = vO . a Todas estas variaciones pueden combinarse en la siguiente expresin3 o VOS = VOS0 + T C T +
3

Vs vout vp + + CMRR P MRR a

He usado vp en el lugar de vCM , pues ambos son aproximadamente iguales.

Cancelacin del error debido a VOS y a IOS o

Si el error producido por VOS e IOS excede los limites impuestos por la aplicacin, es necesario o corregirlo a adiendo un voltaje externo que cancela el error. Esto implica que cada circuito n tiene que ser ajustado en el campo, pues solo se conocen los valores limites del error y no su valor o polaridad. Algunos AO tienen terminales especiales que permiten la correccin del o error d.c producido por VOS e IOS , y en este caso las publicaciones asociadas deben presentar su uso correcto. Los siguientes diagramas muestran alternativas que pueden usarse cuando dichos terminales no estn disponibles: a
vi R1 vO + +VCC Rx RB RC RA -VEE vi -VEE R2 +VCC RC RB R1 vO + Rx R2

RA

invertidor

no-invertidor Circuitos para anular el error dc