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ANLISE DAS CARACTER CARACTERSTICAS ESTTICAS E DINMICAS DE UM MOSFET

Ana Paula C. de Mell Cleberton L. Cezar, Dion Lenon P. Feil, Jeferson Miranda, lo, Jonathan Behrens Junior S. Vieiro, Luiz R. Pavanatto Behrens,
Universidade Federal do Pampa Endereo: Av. Tiaraj, 810 - Fone/Fax: (55) 3426-1052 CEP: 97546-550 - Alegrete - RS - Brasil e-mail: {anamello.iju; dionlenonpf; jonathanbehrens21}@gmail.com anamello.iju; @gmail.com

Resumo O Transistor MOSFET um dispositivo semicondutor de extrema importncia no mundo da eletrnica digital e analgica. Este experimento nos permitiu observar mais atentamente como o MOSFET pode se comportar dentro de um circuito. Foram observadas as curvas de acionamento e bloqueio do transistor, mostrando como o mesmo pode se comportar como uma chave, que comutado de acordo com a frequncia da tenso aplicada ao gate, ou seja, uma chave de comutao rpida, eja, caractersticas estas, muito teis dentro da eletrnica de potncia. semicondutora, Palavras-Chave Chave semicondutora antiparalelo, Eletrnica de Potncia, MOSFET MOSFET. I. INTRODUO O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico), o tipo mais condutor comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digital como analgico. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado o respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura earam de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto tricas de glio, no formam bons xidos nas portas e portanto no e, so adequados para os MOSFETs. Pode-se observar na Fig., o smbolo de um MOSFET de , canal tipo n. Diodo

O terminal de porta uma camada de polissilcio (sliciopolicristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais porta (gate) e fonte (source), o eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Variando Variando-se a tenso entre a porta e a fonte se modula condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. TERICO II. DESENVOLVIMENTO TER A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes modos, dependendo das tenses aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos so: A)Regio de Corte: quando VGS<Vth: onde VGS a tenso entre a porta (gate) e a fonte (source) e Vth a Tenso de threshold (limiar) de conduo do dispositivo. O transistor permanece desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida. B)Regio de Triodo (ou regio linear): quando VGS >Vth e VDS< VGS - Vth onde VDS a tenso entre dreno e fonte. O transistor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tenso na porta. quando VGS >Vth e VDS > VGS C)Regio de Saturao: qua Vth O transistor fica ligado, e um canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na porta, uma parte do canal desligado. A criao dessa regio chamada de pinamento (pinch-off). A corrente de dreno agora relativamente off). independente da tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tens da porta. tenso Pode-se observar na figura a seguir os modos de seguir, operao de um MOSFET de Canal ti N. tipo

Fig.1. Smbolo esquemtico de um TECI (MOSFET) canal n. [6]

III. PROCEDIMENTOS EXPERI EXPERIMENTAIS 1. Identificao e Caractersticas Gerais 1.1 Descreveram-se o mtodo para determinao dos terminais do MOSFET com um multmetro, identificando identificando-os a seguir. Basta medir a resistncia entre os terminais do transistor. ncia Resistncia entre gate e source deve ser medida na escala mais alta do multmetro. Deve ser obtida resistncia infinita em ambas as tenses de polarizao. Resistncia de dreno para source apresenta baixos valores independentes da polaridade das pontas de prova [5]. 1.2 Montou-se o circuito representado na Figura 3.
Fig.2. Curvas Caractersticas ID VDS de um TECI (MOSFET) Canal n, Modo de Reforo.

O TECI muito importante no uso de fontes de alimentao chaveadas de baixa e mdia potncia. So usados extensivamente em outras vertentes, especialmente como amplificadores, nos circuitos analgicos, e como plificadores, interruptores eletrnicos, nos circuitos digitais. letrnicos, Uma caracterstica marcante deste dispositivo capacidade de operao em elevadas frequ de frequncias (superiores a MHz).

IF

A VS

470R 10W D G S

iG

A VG V

470R 1W

1k 1W

VGS

Fig. 3. Caractersticas Gerais (corrente reversa e caracterstica de gate) [1].

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO MOSFET PIO

A Figura 4 representa o circuito proposto montado em uma protoboard.

Quando uma tenso VGS>0 aplicada, o potencial positivo no gate, repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um valor limiar (VTH), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so co) atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual se torna possvel a passagem de corrente entre D e S. orrente Elevando VGS, mais portadores so atrados, ampliando o canal,reduzindo sua resistncia (RDS), permitindo o aumen aumento de ID. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de ID pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento,ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N N-. Um aumento de ID leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente. Obviamente o fenmeno bviamente tende a um ponto desequilbrio, no qual a corrente ID se equilbrio, mantm constante para qualquer VDS, car caracterizando a regio ativa do MOSFET. [4]

Fig. 4. Circuito proposto montado em uma protoboard ircuito protoboard.

1.3 Inicialmente verificou se: VS = 0 V e VGS = 0 V . ou-se 1.4 Ajustou-se VS = 30 V e mant manteve-se VGS = 0 V. 1.5 Mediu-se a corrente do dreno ( F). (I IF = 0 A Este valor justificado pelo fato de no haver tenso aplicada ao gate.

1.6 Verificou-se se VS = 30 V e se VGS = 0 V. Observo-se com o osciloscpio a tenso VDS. Lentamente, aumentou-se a tenso VGS at 18 V, anotando VDS e IF. Os resultados obtidos esto relacionados na tabela I.
Vds (V)

30 25 20 15 10 5 0 0

Tabela I IF e VDS em funo de VG. Medida 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VG [V] 0 1,27 2,55 3,75 5,11 6,25 7,38 8,69 9,86 12,5 VDS [V] 30 30 30 10 0 0 0 0 0 0 IF [mA] 0 0,03 0,03 42,3 63 63 62,9 62,9 62,9 62,9

10

12

14

Fig. 6. Curva do MOSFET VG

If .

A partir do momento que VG > VGS (TH) a tenso nos terminais comea a cair linearmente indicando o momento de passagem de corrente do dreno ao source, ou seja, o incio de conduo do transistor. 2. Inverteu-se a polaridade de VS.

Atravs dos dados obtidos na tabela I, ilustraram-se as curvas de VG x IF e VG x VDS no software Matlab, as quais esto demonstradas a seguir.
70 60 50 If (mA) 40 30 20 10 0 0 2 4 6 Vg (V) 8 10 12 14

Inverteu-se a polaridade de VS do circuito representado na figura 3 e variou-se lentamente a tenso VGS de 0 at o valor de 18 volts. Os resultados obtidos esto relacionados na tabela II. Tabela II IF e VDS em funo de VG. Medida 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Medida 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VG[V] 1 1,52 2,86 4,23 5,61 7,1 8,18 9,76 11,1 12,21 VDS[V] 0,06 0,06 0,08 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 IF [mA] -61,8 -61,9 -62,4 -62,7 -62,8 -62,8 -62,8 -62,8 -62,8 -62,7

Fig. 5. Curva do MOSFET VG

If .

Conforme a tenso VG aplicada a porta do transistor surge inicialmente uma depleo na regio do canal, com uma densidade que aumenta VG. Pode-se notar que para um VG muito grande surge um canal de inverso. Para que ocorra essa regio de inverso necessrio que VGS > VGS (TH) , onde VGS(TH) a tenso de threshold (tenso limiar de conduo do dispositivo), que tambm permite a passagem de IDS corrente de saturao (quanto maior for a tenso na porta, maior ser a capacidade de conduzir corrente). Como pode ser observado graficamente, enquanto VGS no atingir o valor de VGS (TH) no haver corrente no dreno. Aps atingir VGS (TH) a corrente do dreno aumenta rapidamente at atingir o valor da corrente de saturao IDS. Depois desse ponto o MOSFET fica polarizado, mesmo aumentando VGS a corrente ID no aumenta.

Atravs dos dados obtidos na tabela II, ilustraram-se as curvas de VG x IF e VG x VDS no software Matlab, as quais esto demonstradas a seguir.
-61.6 -61.8 -62 If (mA) -62.2 -62.4 -62.6 -62.8 -63 0 2 4 6 Vg (mV) 8 10 12 14

Fig.7: Curva MOSFET VG

If .

O MOSFET apresenta internamente um diodo conectado em antiparalelo (mantm um caminho para a corrente). Dessa forma, aplicando uma tenso negativa VS ao circuito, a juno p-n do MOSFET resulta em um diodo em antiparalelo com sentido de conduo source-dreno. Assim, uma tenso negativa source-dreno polariza diretamente este diodo que capaz de conduzir at a corrente nominal do MOSFET. Observa-se na figura 7 que a conduo do diodo antiparalelo ocorre at aproximadamente 4,1 volts, devido ao fato da tenso limiar de conduo do MOSFET ser no mximo 4 volts. Acima desta tenso o MOSFET entra em conduo ocasionando o bloqueio do diodo anti-paralelo.

A figura a seguir apresenta o grfico gerado a partir dos dados da tabela III, para D x IF:
80 60 If (mA) 40 20 0 0

0.2

0.4 D

0.6

0.8

Fig. 9. Curva do MOSFET D


1.2 1.1 1 Vds (V) 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0 2 4 6 Vg (V) 8 10 12 14

I .

Fig. 8: Curva do MOSFET VG

VDS .

A razo cclica (dutycycle) utilizada para descrever a frao de tempo em que um sistema est em estado de ativo, ou seja, a proporo de tempo durante o qual um componente, dispositivo ou sistema esta em operao, uma razo entre o tempo de durao da onda no seu semi-ciclo positivo e o perodo total da onda. Assim, a tenso mdia aplicada ao gate (VGS) diretamente proporcional razo cclica. Ento, de acordo com a seo Principio de funcionamento de um mosfet (visto na seo: Desenvolvimento Terico) o valor da corrente IF aumenta proporcionalmente ao valor da razo cclica. A figura a seguir apresenta o grfico gerado a partir dos dados da tabela III, para D x VDS:
30 25 20 Vds (V) 15 10 5 0 0

Analisando as curvas obtidas, conclui-se que, como a corrente se manteve constante, pela lei de ohm a tenso VDS tambm se manter constante como pode ser observado na figura 7, considerando que a temperatura da chave neste caso no varia (resistncia de conduo da chave constante). 3. Reconectou-se VS com a polaridade original.Substituise VGS por uma onda quadrada com amplitude de 18 V, sem offset e freqncia de 10 kHz.Variou-se a razo cclica entre 0 e 1, medindo VDS e IF. Os dados obtidos so apresentados na tabela III. Tabela IIIIFe VDS em funo de VG. Medida D VDS [V] IF [mA] 1 0,0835 26,61 7,61 2 0,177 23,98 13,09 3 0,2668 21,17 18,98 4 0,3538 18,67 24,22 5 0,4442 16,26 29,3 6 0,5158 14,09 33,84 7 0,6051 11,64 39,01 8 0,7 09,39 43,8 9 0,83 6,32 50,3 0,9558 1,633 60,2 10

0.2

0.4 D

0.6

0.8

Fig. 10. Curva do MOSFET D x VDS

A anlise realizada anteriormente (curva D x IF) deve ser estendida, tambm, para este caso, porm aqui temos que a tenso inversamente proporcional razo cclica. Isto, por que enquanto o MOSFET no ativado ele age como um circuito aberto entre os terminais dreno-source, ou seja, inicialmente a tenso aplicada entre o dreno e fonte a mesma tenso da entrada (VS). O MOSFET, neste caso, se comporta como uma chave que comuta de acordo com a frequncia da tenso aplicada no gate-source.

3.4 Capturou-se as formas de onda de VDS e IF no bloqueio e no acionamento do MOSFET. As formas de onda de VDS no bloqueio e no acionamento do MOSFET podem ser visualizadas nas figuras 11 e 12, respectivamente.

As figuras 13 e 14 mostram as formas de onda de IF no acionamento e no bloqueio do MOSFET.

Fig. 13 Forma de onda de IF no acionamento do MOSFET.

Fig. 11. Forma de onda de VDS no bloqueio do MOSFET.

Na figura 11 pode-se observar a forma de onda da tenso VDS (tenso entre Dreno e Source) no momento de bloqueio do MOSFET, ou seja, quando VGS (tenso entre gate e source) menor que Vth (Tenso de threshold de conduo do dispositivo), onde o transistor passa de seu estado de conduo para o de no conduo. A partir desse momento a tenso VDS igual tenso VS, neste caso aproximadamente 18V.

Analogamente a VDS, a forma de onda de IF no momento de acionamento do MOSFET, que mostrada na figura 13, se d quando VGS>Vth, ou seja, momento em que o transistor acionado e a tenso VDS aproximadamente 0 V. Neste momento, a corrente passa de zero para um valor mximo, o que caracteriza a circulao de corrente. Isso se deve ao fato de o transistor entrar em conduo.

Fig. 14: Forma de onda de IF no bloqueio do MOSFET.

Fig. 12. Forma de onda de VDS no acionamento do MOSFET.

Na figura acima mostrado a forma de onda da tenso VDS no momento de acionamento do MOSFET, ou seja, momento em que VGS>Vth, onde o transistor passa a conduzir novamente. A partir desse momento a tenso VDS, passa novamente a ser de 0V.

A figura 14 apresenta a forma de onda de IF no momento de bloqueio do MOSFET, o qual se d quando VGS<Vth, ou seja, momento em que o transistor bloqueado e a tenso VDS igual tenso VS. Neste momento, a corrente passa de seu valor mximo para aproximadamente zero ampres. Isso se deve ao fato de o transistor no estar conduzindo. OBS: As formas de onda de corrente (IF) foram obtidas medindo-se a tenso sobre o resistor de 470 /10W de acordo com a lei de ohm.

IV. CONCLUSO O MOSFET possui uma tenso mnima para seu funcionamento, chamada tenso de limiar, a partir dela possvel obter uma camada entre o dixido de silcio e o substrato permitindo assim um fluxo de eltrons (corrente de dreno) entre a fonte e o dreno. O que pode ser observado no experimento que devido a sua tenso de limiar, o MOSFET ideal para ser usado como um dispositivo de chaveamento. Quando a tenso da porta maior do que a tenso de limiar, o dispositivo conduz. Outro fator importante quando se aplica uma tenso negativa VS ao circuito, em que a juno p-n do MOSFET resulta em um diodo em antiparalelo com sentido de conduo source-dreno. Assim, uma tenso negativa sourcedreno polariza diretamente este diodo que capaz de conduzir corrente. Tambm pode ser observado que a razo cclica a proporo de tempo durante o qual um componente, dispositivo ou sistema esta em operao, uma razo entre o tempo de durao da onda no seu semi-ciclo positivo e o perodo total da onda. Dessa forma, a tenso mdia aplicada ao gate (VGS) diretamente proporcional razo cclica. V. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS [1] Notas de aula laboratrio de eletrotcnica, Unipampa Centro de Tecnologia de Alegrete. [2] Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8 ed. Rio de Janeiro RJ, Prentice/Hall do Brasil, 2004 [3] SEDRA SMITH, Microeletrnica. 5 ed. So Paulo Pearson Prentice Hall, 2007. [4] http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpo t/cap 1.pdf Acesso em 6/4/2011. [5] http://www.daeln.ct.utfpr.edu.br/arquivos/el07f__aula_06_-_fet.pdf Acesso em 6/4/2011. [6] http://pt.wikipedia.org/wiki/MOSFET Acesso em 6/4/2011. http://www.ee.pucrs.br/~fdosreis/ftp/LabPot/experiencia1 .pdf Acesso em 6/4/2011. [7] http://www.joinville.udesc.br/portal/professores/cassiano/mat eriais/EPOII___Capitulo_1.pdf Acesso em 6/4/2011. [8] www.ccs.unicamp.br/cursos/fee107/download/cap06.pdf Acesso em 6/4/2011. [9] http://www.dee.feb.unesp.br/~alceu/Grupo06.pdf Acesso em 7/4/2011. [10] http://www.lsi.usp.br/~bariatto/fatec/ds2/aula9mosfet_curvas.pdf Acesso em 7/4/2011. [11] http://docentes.fam.ulusiada.pt/~d1095/CapI_EII_0506.p df Acesso em 7/4/2011.