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FAMLIAS LGICAS Introduo O desenvolvimento da tecnologia dos circuitos integrados, possibilitando a colocao num nico invlucro de diversos componentes

j interligados, veio permitir um desenvolvimento muito rpido da eletrnica digital e consequentemente do projeto de sistemas digitais. Foi criada uma srie de circuitos integrados que continham numa nica pastilha as funes lgicas digitais mais usadas e de tal maneira projetadas que todas eram compatveis entre si a partir das quais os projetistas tiveram facilidade em encontrar todos os blocos para montar seus sistemas digitais. Estas sries de circuitos integrados formaram ento as famlias lgicas ou famlias digitais que consistem em um grupo de dispositivos compatveis com os mesmos nveis lgicos e tenses de alimentao, por isso voc pode conectar diretamente a sada de um dispositivo na entrada de outro se ambos forem da mesma famlia digital. Em virtude da massificao do uso de CIs, torna-se necessrio conhecer as caractersticas gerais desses circuitos e de algumas das famlias lgicas mais populares. Uma vez entendidas tais caractersticas, a preparao dos projetos de circuitos digitais melhorada. Para se conectar dispositivos de famlias diferentes, geralmente h a necessidade de uma interface entre ambas. As famlias lgicas mais comuns podem ser classificadas como: RTL DTL DCTL TTL ECL MOS PMOS NMOS CMOS Lgica resistor-transistor (obsoleta); Lgica diodo-transistor (obsoleta); Lgica transistor acoplamento direto; Lgica transistor-transistor (mais popular); Lgica emissor-acoplado; Metal Oxide Semiconductor: Lgica MOSFETs de canal-p (obsoleta); Lgica MOSFETs de canal-n Lgica MOSFETs Complementares;

Terminologia dos Circuitos Integrados Apesar do grande nmero de fabricantes de circuitos integrados, grande parte da nomenclatura e da terminologia empregadas nesta rea so quase padronizadas. Os termos mais usais sero definidos e discutidos a seguir. Parmetros de Tenso e Corrente

ALTO

BAIXO

VIH (mnimo) Tenso de Entrada Correspondente ao Nvel Lgico Alto. o nvel de tenso necessrio a representar o nvel lgico 1 na entrada de um circuito digital. Qualquer tenso abaixo deste nvel no ser considerada nvel lgico alto por um circuito digital; VIL (mximo) - Tenso de Entrada Correspondente ao Nvel Lgico Baixo. o nvel de tenso necessrio para representar o nvel lgico 0 na entrada de um circuito digital. Qualquer tenso acima deste nvel no ser considerada nvel lgico baixo por um circuito digital; VOH (mnimo) - Tenso de Sada Correspondente ao Nvel Lgico Alto. o nvel de tenso necessrio a representar o nvel lgico 1 na sada de um circuito digital. Tal parmetro normalmente especificado por seu valor mnimo; VOL (mximo) - Tenso de Sada Correspondente ao Nvel Lgico Baixo. o nvel de tenso necessrio a representar o nvel lgico 0 na sada de um circuito digital. Tal parmetro normalmente especificado por seu valor mximo; IIH (mnimo) Corrente de Entrada Correspondente ao Nvel Lgico Alto. Valor da corrente que circula na entrada de um circuito digital, quando um nvel lgico alto aplicado em tal entrada. IIL (mximo) Corrente de Entrada Correspondente ao Nvel Lgico Baixo. Valor da corrente que circula na entrada de um circuito digital, quando um nvel lgico baixo aplicado em tal entrada. IOH (mnimo) Corrente de Sada Correspondente ao Nvel Lgico Alto. Valor da corrente que circula na sada de um circuito digital, quando um nvel lgico alto gerado em tal circuito, respeitadas as limitaes para carregamento da sada. IOL (mximo) Corrente de Sada Correspondente ao Nvel Lgico Baixo. Valor da corrente que circula na sada de um circuito digital, quando um nvel lgico baixo gerado em tal circuito, respeitadas as limitaes para carregamento da sada. Fan-Out: Em geral, a sada de um circuito lgico projetada para alimentar vrias entradas de outros circuitos lgicos. O fan-out , tambm chamado fator de carga, definido como o nmero mximo de entradas de circuitos lgicos que uma sada pode alimentar de maneira confivel. Se tal nmero no for respeitado, os nveis de tenso na sada do circuito podero no respeitar as especificaes. Exemplo: Uma porta lgica com fan-out de 10 pode alimentar at 10 entradas lgicas padro. Para

determinar quantas entradas diferentes a sada de um CI pode alimentar, precisamos conhecer IOL (mx) e IOH (mx) de tal CI e as necessidades de corrente de cada entrada, IIL e IIH. Estas informaes esto sempre presentes nas especificaes do chip fornecidas pelo fabricante. Assim,

Se o fan-out para o nvel BAIXO for diferente do fan-out para o nvel ALTO, como ocorre em alguns casos, devemos escolher o menor dos dois. Obs.: O Fan-In indica a quantidade mxima de sadas que podemos ligar a uma entrada. Retardo de Propagao: Um sinal lgico sempre sofre retardo em sua passagem atravs de um circuito. Os dois tempos correspondentes aos retardos de propagao so definidos como: tPLH: tempo de retardo correspondente passagem do nvel lgico 0 para o nvel lgico 1 (baixo para alto). tPHL: tempo de retardo correspondente passagem do nvel lgico 1 para o nvel lgico 0 (alto para baixo). A figura a seguir ilustra tais retardos de propagao para um circuito NOR. Observe que tPHL o tempo necessrio para que a sada do NOR passe do nvel alto para o nvel baixo, em resposta a uma entrada alto. Ele medido a partir da metade dos pontos de transio dos sinais de entrada e de sada. O parmetro tPHL corresponde ao tempo que a sada leva para responder a uma entrada no nvel baixo.

Em geral tPLH e tPHL possuem valores diferentes, variando tambm em funo das condies de carregamento a que o circuito est submetido. Tais valores so usados para compararem as velocidades de operao dos circuitos lgicos. Exemplo: Um circuito com retardo de propagao em torno de 10ns mais rpido do que um circuito com retardo da ordem de 20 ns.

Exigncias para alimentao: Cada CI precisa de uma determinada quantidade de potncia eltrica para operar. Tal potncia suprida por uma ou mais fontes de tenso, conectadas aos pinos de alimentao do chip. Normalmente, s necessrio operar um nico pino para alimentao do chip, denominado Vcc para a famlia TTL e Vdd para os dispositivos MOS (descritos posteriormente). A quantidade de potncia que um CI precisa para funcionar determinada pela corrente Icc que ele puxa da fonte que fornece Vcc , sendo seu valor numrico obtido pelo produto Icc x Vcc . Para muitos CIs, o consumo de corrente vai variar, dependendo dos nveis lgicos dos circuitos dos chips. Exemplo: Considere um chip NAND, em que todas as sadas esto no nvel lgico alto. Neste caso, a corrente que sai da fonte Vcc chamada de Icch. Considere o mesmo chip NAND, com todas as suas sadas no nvel lgico baixo. Neste caso, a corrente que sai da fonte Vcc denominada Iccl . Em geral, Icch e Iccl tm valores diferentes, sendo o valor mdio de tais correntes

utilizado para calcular a potncia mdia consumida pelo circuito integrado PD (mdia) = ICC (mdia) x VCC Produto Velocidade-Potncia: Historicamente, as famlias de circuitos integrados tm como caractersticas marcantes a sua velocidade de operao e a potncia consumida. Em geral, o projeto de tais circuitos busca um retardo de propagao baixo (alta velocidade de operao) e valores baixos de potncia dissipada. Um meio comum de medir e comparar a performance global de uma famlia de circuitos integrados atravs do produto velocidade-potncia (speed-power), obtido atravs da multiplicao do retardo de propagao pela potncia dissipada. Exemplo: Suponha uma determinada famlia de circuitos integrados que tenha um retardo mdio de propagao de 10 ns, e uma potncia dissipada mdia de 5mW. O produto velocidade-potncia 50pJ. Fica claro que, quanto mais baixo for o valor deste produto, melhor ser o desempenho global da famlia em questo. Imunidade ao Rudo: Picos de corrente eltrica e campos magnticos podem induzir tenses nas conexes existentes entre os circuitos lgicos. Tais sinais, indesejados e esprios, so denominados rudo. A imunidade ao rudo de um circuito lgico refere-se capacidade deste circuito tolerar tenses geradas por rudo em suas entradas, sem alterar o seu funcionamento. A quantidade medida de imunidade ao rudo denominada margem de rudo. A margem de rudo para o nvel alto, VNH, definida como: VNH = VOH (mnimo) VIH (mnimo) A margem de rudo para o nvel baixo, VNL, definida como: VNL = VIL (mximo) VOL (mximo)

Obs.: Estritamente falando, as margens de rudo definidas so chamadas de margens de rudo dc. Tal termo pode parecer no apropriado quando se trata de definir rudo, que geralmente um sinal ac. Ocorre que, nos circuitos integrados atuais, em que a velocidade de operao extremamente alta, um pulso de 1ms de durao considerado longo e pode ser tratado como um pulso dc, levando-se em conta que o circuito responder normalmente a tal pulso. Nveis de Integrao de Circuitos: Os cinco nveis de integrao de circuitos so mostrados a seguir. Nvel de Integrao Nmero de Portas: Integrao em Pequena Escala (SSI) Menos de 12; Integrao em Mdia Escala (MSI) 12 a 90; Integrao em Grande Escala (LSI) 100 a 9.999; Integrao em Muito Grande Escala 10.000 a 99.999; (VLSI) Integrao Ultra Grande Escala (ULSI) 100.000 ou mais. Encapsulamento de CIs:

Encapsulamentos mais comuns para CIs: (a) DIP (dual-in-line package) de 24 pinos; (b) envoltrio de cermica flexvel de 14 pinos; (c) envoltrio montado sobre a superfcie (surface-mount). O envoltrio de cermica flexvel uma embalagem hermeticamente fechada construda com uma cermica no-condutora, o que torna o chip totalmente imune aos efeitos da umidade. Estes envoltrios so usados em circuitos destinados a aplicaes militares, que devem funcionar em condies ambientais extremas, totalmente desfavorveis. O envoltrio montado na superfcie a tcnica de encapsulamento mais moderna, muito similar ao DIP, exceto pelo fato de seus pinos terminarem dobrados em ngulos retos, de maneira a poderem ser soldados ou colados diretamente na superfcie da placa de circuito impresso. Em geral, so menores que os DIPs. Os CIs montados na superfcie tambm tm a vantagem de

poderem ser mais facilmente manipulados pelos equipamentos automticos de montagem de placas de circuito. Outros Termos Utilizados em Circuitos Integrados: Buffer/Driver: Circuito projetado para fornecer uma corrente de sada alta e/ou tenso tambm alta se comparadas aos parmetros normalmente associados aos circuitos lgicos comuns; CIs bipolares: Circuitos Digitais integrados nos quais transistores PNP ou NPN so os principais formadores do circuito; CIs Unipolares: Circuitos Integrados digitais nos quais um transistor unipolar por efeito de campo (MOSFET) o principal elemento para a construo dos circuitos; Dispositivo Lgico Programvel (PLD): Circuito integrado que contm um grande nmero de funes lgicas interconectadas. O usurio pode programar o CI para uma funo especfica, abrindo as conexes apropriadas; Entrada flutuante ou em flutuao: Sinal em alta impedncia, apresentado como entrada de um circuito digital. Atua como se estivesse logicamente desconectado ao circuito; Lgica absorvedora de corrente: Famlia lgica na qual a sada de um circuito lgico drena corrente da entrada de um outro circuito lgico; Lgica acoplada pelo emissor (ECL): Tambm conhecida como lgica em modo de corrente; Lgica fornecedora de corrente: Famlia lgica na qual a sada de um circuito lgico fornece corrente para a entrada de um outro circuito lgico; Sada a coletor aberto: Tipo de estrutura de sada de alguns circuitos TTL (Transistor-Transistor Logic), no qual s usado um transistor com seu coletor em flutuao; Sada de trs estados (tristate): Tipo de estrutura que permite que uma sada seja colocada em um dos trs estados: alto, baixo ou alta impedncia; Sada totem-pole: Termo usado para descrever a forma na qual dois transistores bipolares so ligados na sada de alguns circuitos TTL; Resistor de pull-up: Assegura em uma entrada (que pode ser compartilhada) de uma porta lgica o nvel lgico 1; Resistor de pull-down: Assegura em uma entrada (que pode ser compartilhada) de uma porta lgica o nvel lgico 0; Spike: Mudana momentnea e espria em um nvel de tenso; Strobing: Tcnica utilizada para eliminao de spikes; Substrato: Pedao de material semicondutor, onde so colocados os componentes eletro-eletrnicos de um circuito integrado; Transientes de corrente: Picos de corrente gerados pela sada totem-pole de um circuito TTL. Causados quando ambos os transistores conduzem simultaneamente; Unasserted : Termo usado para descrever o estado de um sinal lgico, sinnimo de inativo;

Comparao entre as famlias: Famlia Potncia (mW) DTL 10 RTL 10 DCTL Baixa TTL 10 TTL (F) 4 TTL (S) 13 TTL (LS) 2 ECL 500 MOS 10 CMOS 10 Tempo de Imunidade a Atraso (ns) rudo (V) 30 0,8 12 alta baixa 33 1 2,7 1 3 1 10 1 3 baixa 300 alta 60 alta Fan Out 7 5 2 10 10 10 10 20 50

Evoluo das arquiteturas para implementao de portas lgicas Durante muito tempo, os circuitos construdos a partir da lgebra booleana foram implementados utilizando-se dispositivos eletromecnicos como, por exemplo, os rels. Portanto, o nvel de tenso correspondente a um nvel lgico, poderia assumir qualquer valor dependendo apenas das caractersticas do projeto. A partir do surgimento do transistor, procurou-se padronizar os sinais eltricos correspondentes aos nveis lgicos. Esta padronizao ocasionou o surgimento das famlias de componentes digitais com caractersticas bastante distintas. Existem vrias tecnologias e topologias disponveis para a implementao de portas lgicas digitais. As famlias lgicas diferem basicamente pelo componente principal utilizado por cada uma em seus circuitos. As famlias TTL (Transistor-Transistor Logic) e ECL (Emitter Coupled Logic) usam transistores bipolares como seu principal componente, enquanto as famlias PMOS, NMOS e CMOS usam os transistores unipolares MOSFET (transistor de efeito de campo construdo segundo a tcnica MOS - Metal Oxide Semicondutor) como seu elemento principal de circuito. Atualmente a Famlia TTL e a CMOS so as mais usadas, sendo empregadas em uma grande quantidade de equipamentos digitais e tambm nos computadores e perifricos. Apesar da tecnologia dominante atualmente ser a tecnologia CMOS, quer devido ao seu baixo custo quer devido grande densidade de portas lgicas que permite integrar por unidade de rea, existem tecnologias alternativas que tambm apresentam algumas vantagens e so usadas correntemente em circuitos comerciais. As principais tecnologias utilizadas so: CMOS;

Bipolar (TJB); BiCMOS; Arseneto de Glio (GaAs). A tecnologia bipolar foi a tecnologia precursora dos circuitos digitais (nomeadamente atravs das famlias RTL e DTL) e pode ser vantajosa em termos de velocidade face s tecnologias baseadas em transistores MOS. No entanto, uma soluo mais cara, mais complexa, pior em termos de consumo de potncia e no permite a implementao de sistemas de larga escala devido rea que uma porta lgica ocupa. As principais variantes atuais da tecnologia bipolar so as famlias TTL e ECL respectivamente vocacionadas para circuitos lgicos genricos e de muito alta velocidade. A tecnologia BiCMOS combina as vantagens dos circuitos bipolares e CMOS mas partilha tambm algumas das desvantagens da tecnologia bipolar, como o custo, rea, e o seu campo de utilizao bastante limitado, sendo por vezes uma boa opo em circuitos mistos (analgicos e digitais). A tecnologia de GaAs permite a realizao de circuitos de muito alta freqncia (acima de 10 GHz), no entanto a densidade que possvel obter e o seu elevado custo de fabricao limitam a sua utilizao prtica a circuitos muito especficos para os quais seja virtualmente impossvel quaisquer das outras tecnologias disponveis. Finalmente, a famlia MOS tem algumas variantes: - as portas lgicas CMOS (lgica complementar); - o Pseudo-NMOS; - a lgica dinmica. As portas CMOS so a escolha de eleio para a grande generalidade dos circuitos digitais (e sempre que possvel para circuitos mistos), sendo a tecnologia base para todos os microprocessadores, e demais dispositivos da eletrnica de consumo. As topologias Pseudo-NMOS so semelhantes topologia complementar CMOS, dado que a estrutura dos transistores NMOS igual, mas em vez de utilizar o circuito dual PMOS, utiliza um nico transistor como carga ativa. O espao ocupado potencialmente menor e pode tornar-se uma opo atraente em circuitos muito complexos, mas usualmente relegada para segundo plano. A lgica dinmica utilizada para a implementao de memrias dinmicas (DRAM) dado que permite uma densidade de integrao muito superior a qualquer outra, nomeadamente face s memrias estticas implementadas com portas CMOS comuns (SRAM). A figura seguinte representa uma estrutura hierrquica das vrias famlias lgicas descritas, bem como das principais topologias ou variantes oferecidas tendo como base as tecnologias utilizadas atualmente.

Resistor-Transistor Logic (RTL) A topologia RTL Resistor Transistor Logic pode ser considerada como uma das arquiteturas base para a realizao de portas digitais. A figura seguinte representa uma porta lgica NOT.

Porta lgica NOT em tecnologia RTL.

O comportamento desta porta relativamente simples, quando a tenso de entrada tem o nvel lgico alto o transistor est diretamente polarizado e a resistncia Rc dimensionada para que o transistor esteja na zona de saturao, pelo que a tenso de sada aproximadamente 0.2V o que corresponde ao nvel lgico baixo. Quando o nvel lgico de entrada baixo o transistor est cortado e portanto iC igual a zero o que implica que a tenso de sada vO seja VCC - nvel lgico alto. Estes dois comportamentos, juntamente com a zona intermdia em que o transistor est na zona ativa, so visveis na caracterstica vo(vi) representada na figura seguinte:

Caracterstica vo(vi) de um inversor RTL.

relativamente simples implementar uma porta lgica NAND que porta lgica universal, dado que qualquer outra pode ser implementada a partir desta com base na porta lgica NOT, basta para isso acrescentar um segundo ramo de entrada tal como apresentado na figura seguinte.

Porta lgica NAND em tecnologia RTL.

Quando ambos os transistores esto conduzindo, ou seja, quando ambas as tenses de entrada correspondem ao nvel lgico alto, h corrente na resistncia Rc e o nvel lgico de sada baixo. Quando qualquer dos dois transistor estiver cortado iC = 0, a tenso de sada igual a VCC e o nvel lgico na sada alto, bastando para isso que uma das tenses de entrada seja baixo. Diode-Transistor Logic (DTL)

A topologia DTL Diode Transistor Logic visvel na figura seguinte, apresenta tem um comportamento algo porta lgica NAND usada em lgica RTL.

Porta lgica NAND em tecnologia DTL.

Neste caso, s quando ambos os diodos de entrada D1 e D2 esto cortados, que o transistor tem a juno base-emissor polarizada diretamente e impe o nvel lgico baixo na sada. Caso qualquer dos dois diodos D1 e D2 esteja em conduo, a tenso no n X no suficiente para polarizar o transistor - que fica cortado e portanto iC = 0 pelo que a tenso de sada igual a VCC e o nvel lgico na sada alto. Basta portanto que uma das tenses de entrada seja baixo para que a corrente do nvel lgico de sada seja alto.

Transistor-Transistor Logic (TTL) TTL significa Transistor-Transistor Logic (Lgica Transistor-Transistor). A tenso de alimentao se restringe a 5V contnuos, tendo, porm, uma faixa de tenso correspondente aos nveis lgicos 0 e 1. A figura a seguir mostra as faixas de tenso correspondentes aos nveis lgicos de entrada de um circuito integrado da famlia TTL.

Observa-se, na figura, que existe uma faixa de tenso entre 0,8V e 2V na qual o componente TTL no reconhece os nveis lgicos 0 e 1, devendo, portanto, ser evitada em projetos de circuitos digitais. A figura a seguir mostra as faixas de tenso correspondentes aos nveis lgicos de sada de um circuito integrado da famlia TTL.

A figura a seguir apresenta um exemplo de um circuito eltrico (porta lgica que implementa a funo AND), utilizando a tecnologia TTL.

Observao: Quando no desejamos utilizar uma determinada entrada de um circuito TTL, podemos proceder de uma das formas apresentadas no exemplo da figura a seguir.

Na figura (a) a entrada est desconectada (em flutuao), que age exatamente como se o nvel lgico 1 estivesse aplicado a ela. Isto significa que, em qualquer CI TTL, todas as entradas sero 1 se no estiverem conectadas a nenhuma fonte de sinal lgico em relao ao terra. Quando uma entrada estiver aberta, diz-se que a mesma est em flutuao. Quando no desejamos utilizar uma entrada essa no a melhor opo, pois as entradas desconectadas agiro como uma antena, captando sinais esprios que podem fazer com que o circuito opere indevidamente. Uma tcnica mais adequada apresenta na figura (b), em que tal entrada conectada a uma tenso de +5V, atravs de um resistor de 1KW, forando o nvel lgico 1 nessa entrada. O resistor serve apenas para proteger a entrada, em caso de correntes elevadas serem geradas, em funo de picos de tenso na fonte de energia. Uma terceira tcnica mostrada na figura (c), em que a entrada no usada conectada a uma das entradas utilizadas. Isto aceitvel, caso o circuito que estiver alimentando a entrada B no venha a ter seu fan-out excedido com a conexo da entrada no utilizada. A famlia TTL foi originalmente desenvolvida pela TEXAS Instruments, mas hoje, muitos fabricantes de semicondutores produzem seus componentes. Esta famlia principalmente reconhecida pelo fato de Ter duas sries que comeam pelos nmeros 54 para os componentes de uso militar e 74 para os componentes de uso comercial. Os Cis da srie TTL 74-padro oferecem uma combinao de velocidade e potncias consumidas adequadas a um grande nmero de aplicaes. Entre os Cis desta srie, podemos encontrar uma ampla variedade de portas lgicas, flip-flops, construdos segundo a tecnologia SSI, alm de registradores de deslocamento, contadores, decodificadores, memrias e circuitos aritmticos, construdos com a tecnologia MSI. Especificaes do fabricante: Para ilustrar as caractersticas da srie-padro TTL, vamos utilizar o CI 7400, um NAND qudruplo. Vrias outras sries TTL foram desenvolvidas depois do aparecimento da srie 74-padro. Estas outras sries fornecem uma ampla variedade de escolha dos parmetros de velocidade e potncia consumida. Dentre essas sries destacam-se:

- TTL 74L de Baixa Potncia: adequada para o uso em aplicaes nas quais a dissipao de potncia um problema mais crtico do que a velocidade de operao. Exemplo de aplicao: Circuitos que operam a baixas freqncias, alimentados por baterias, como as calculadoras eletrnicas. Esta srie tornou-se obsoleta com o desenvolvimento das sries 74LS, 74ALS e CMOS, que oferecem chips com baixo consumo de potncia, operando a velocidades bem mais altas que as dos dispositivos 74L. Por isso a srie 74L no recomendada para ser usada no projeto de novos circuitos; - TTL 74H de Alta Velocidade: apresenta um aumento da velocidade em relao a srie 74L, porm esse aumento conseguido custa do aumento da potncia consumida pelos dispositivos da srie. A srie 74H tambm ficou obsoleta com o desenvolvimento da srie TTL Schottky; - TTL 74S Schottky: reduz o retardo de armazenamento, com o uso do diodo Schottky. Opera com o dobro da velocidade da 74H, consumindo mais ou menos a mesma potncia; - TTL 74LS Schottky de Baixa Potncia (LS-TTL): uma verso da 74S, que apresenta CIs com consumo de potncia mais baixo e com velocidade tambm mais baixa. Tais caractersticas colocaram a srie 74LS como a principal srie de toda a famlia TTL, sendo atualmente usada em todos os novos projetos em que a velocidade um fator preponderante. Esta posio de liderana tende a ser perdida pouco a pouco pela nova srie 74ALS; - TTL 74AS Schottky Avanada (AS-TTL): a srie TTL mais rpida, e com o produto velocidade potncia significativamente mais baixo que o da srie 74S. A srie 74AS tem outras vantagens sobre as demais, incluindo a necessidade de correntes de entrada extremamente baixas, o que resulta em fan-outs maiores que os da srie 74S. Em funo de tais vantagens, a srie 74AS est aos poucos tomando o lugar antes ocupado por dispositivos da srie 74S, em todas as aplicaes nas quais so necessrios componentes de alta velocidade de operao. Como o custo dos dispositivos 74AS continua a cair, e como muito mais funes lgicas esto disponveis nesta srie, no h a menor dvida de que a srie 74S torna-se- obsoleta num curto prazo de tempo. - TTL Schottky Avanada de Baixa Potncia (74ALS-TTL): oferece uma sensvel melhora em relao 74LS no que diz respeito velocidade de operao e potncia consumida. Esta srie tem o mais baixo produto velocidade-potncia de todas as sries TTL, e est muito prxima de ter a mais baixa dissipao de potncia por porta lgica. Pelo exposto, poderemos ter, a mdio prazo, os dispositivos da srie 74ALS substituindo os da srie 74LS como os mais utilizados da famlia TTL. Caractersticas Tpicas da Srie TTL:

Compatibilidade entre as subfamlias: Um ponto importante que deve ser levado em conta quando trabalhamos com a famlia Padro (Standard) e as subfamlias TTL a possibilidade de interligarmos os diversos tipos. Isto realmente ocorre, j que todos os circuitos integrados da famlia TTL e tambm das subfamlias so alimentados com 5V. Devemos observar, e com muito cuidado, que as correntes que circulam nas entradas e sadas dos componentes das diversas subfamlias so completamente diferentes. A figura seguinte representa uma implementao simplificada de uma porta lgica NAND realizada em lgica TTL.

Porta lgica NAND em tecnologia TTL.

A anlise da porta lgica NAND da famlia TTL um pouco mais complicada, mas tambm aqui o transistor de sada Q3 s est em conduo quando ambas as junes de Q1 esto polarizadas inversamente. Quando a tenso na base de Q3 no suficiente para o polarizar diretamente, este fica cortado e portanto a sua corrente de coletor nula pelo que o nvel lgico na sada High. Caso contrrio, o transistor Q3 conduz e o nvel lgico de sada Low. A figura seguinte representa a caracterstica v o(vi) de uma porta lgica TTL, que corresponde porta anterior sem um dos emissores do transistor Q1.

Caracterstica vo(vi) de um inversor TTL.

Famlia MOS A tecnologia MOS (Metal Oxide Semiconductor) tem seu nome extrado do fato de sua estrutura bsica ser formada por um eletrodo de metal conectado a uma camada de xido isolante que, por sua vez, depositada sobre um substrato de silcio. Os transistores construdos na tcnica MOS so transistores por efeito de campo (field-effect transistor) chamados por conseguinte de MOSFETs. As principais vantagens do MOSFET residem nos fatos de ser relativamente simples, de ter um custo de fabricao bem baixo, ser pequeno e consumir muito pouca potncia. Alm disso, o MOS ocupa muito menos espao no chip do que os transistores bipolares (aproximadamente, 50 vezes menos espao). Um outro aspecto muito importante sobre a tecnologia MOS o fato de seus CIS no usarem resistores na sua construo. Os resistores tomam parte da rea de chip ocupada pelos CIs bipolares. A alta densidade de integrao dos CIs MOS permite a

construo de sistemas de alta confiabilidade, em virtude da reduo no nmero de conexes externas necessrias implementao de determinada funo lgica. A principal desvantagem da tcnica MOS a velocidade de operao relativamente baixa de seus componentes, se comparada com as apresentadas por componentes das famlias bipolares. As famlias MOS so mais lentas na operao, requerem muito menos potncia, tm uma margem de rudo melhor, uma faixa de tenso maior, e um fan-out tambm maior (o fan-out da famlia CMOS completamente ilimitado, sendo restrito apenas por atrasos e consideraes sobre o tempo de subida). Alm disso, requer menos espao. Obs.: A lgica MOS especialmente susceptvel a danos causados pela eletricidade esttica, enquanto que as famlias bipolares no so to afetadas. A descarga eletrosttica responsvel pela perda de milhes de dlares, devido a danos causados por ela em equipamentos eletrnicos. Alguns procedimentos so adotados para evitar esse problema, por exemplo, deve-se conectar terra o chassi de todos os instrumentos de testes, o operador deve se conectar terra atravs de uma pulseira especial, no deixar desconectada nenhuma entrada de qualquer CI que no esteja sendo utilizado, etc. Lgica CMOS CMOS significa Complementary Metal Oxide Semiconductor (Semicondutor de xido-Metal Complementar), usa tanto FETs canal-N quanto canal-P no mesmo circuito, de forma a aproveitar as vantagens de ambas as famlias lgicas. As caractersticas principais desta famlia so: reduzido consumo de corrente (baixa potncia); alta imunidade a rudos; uma faixa de alimentao que se estende de 3V a 15V ou 18V dependendo do modelo processo de fabricao do CMOS mais simples que do TTL, possuindo tambm uma densidade de integrao maior, porm so mais lentos do que os TTL, apesar da nova srie CMOS de alta velocidade competir em p de igualdade com as sries TTL 74 e 74LS. A famlia CMOS possui, tambm, uma determinada faixa de tenso para representar os nveis lgicos de entrada e de sada, porm estes valores dependem da tenso de alimentao e da temperatura ambiente. A figura a seguir, ilustra o exemplo de um circuito implementado utilizando a tecnologia CMOS (NOT CMOS bsico).

Caractersticas das sries CMOS - 4000/14000: foram as primeiras sries da famlia CMOS, so bastante utilizadas, apesar do aparecimento de novas sries, pelo fato de implementarem diversas funes ainda no disponveis nas novas sries; - 74C: compatvel, pino a pino e funo por funo, com os dispositivos TTL de mesmo nmero. A performance desta srie quase idntica da srie 4000; - 74HC (CMOS de Alta Velocidade): verso melhorada da 74C, o principal melhoramento o tempo de comutao (em torno de 10 vezes maior), bem como a capacidade de suportar altas correntes na sada. A velocidade dos dispositivos desta srie compatvel com a velocidade dos dispositivos da srie TTL 74LS; - 74HCT: CMOS de alta velocidade. A principal diferena entre esta srie e a 74HC o fato de ela ser desenvolvida para ser compatvel em termos de tenses com dispositivos da famlia TTL. Ou seja, os dispositivos 74HCT podem ser alimentados diretamente por sadas de dispositivos TTL; Compatibilidade: Ao contrrio da famlia TTL, que produzida com as mesmas caractersticas eltricas por todos os fabricantes, a CMOS, embora padronizada em sua numerao, apresenta grandes variaes na capacidade de sada e velocidade de operao, de um fabricante para outro. Algumas vezes, at as funes so diferentes e incompatveis, com o que deve-se ter muito cuidado. O quadro a seguir compara as caractersticas tpicas das principais sries de circuitos integrados das famlias CMOS e TTL.

Interfaceando: Mesmo tendo uma faixa de tenses ampla e caractersticas diferentes dos circuitos integrados, existe a possibilidade de interfacear circuitos TTL e CMOS, desde que sejam tomados cuidados no que se refere a compatibilidade. A partir do exposto, verifica-se que existem vantagens e desvantagens no uso dos circuitos CMOS em lugar dos TTL, mas os fabricantes conseguem pouco a pouco eliminar as diferenas existentes entre as duas famlias com o desenvolvimento de tecnologias de fabricao, aumentando ainda mais a velocidade e reduzindo o consumo. De uma forma geral, podemos dizer que existem aplicaes em que mais vantajoso usar um tipo e aplicaes em que o outro tipo melhor. A lgica CMOS Complementary MOS tem um anlise simples e pode ser facilmente entendida pelo estudo do inversor CMOS, representado na figura.

Porta lgica NOT em tecnologia CMOS.

Quando a tenso no n de entrada A tem uma tenso de entrada igual a VDD nvel lgico alto - o transistor NMOS est na zona ativa pelo que a sua resistncia equivalente baixa, enquanto que o transistor PMOS est cortado e portanto tem uma resistncia equivalente muito elevada (pode considerar-se infinita), sendo assim a tenso no n de sada Y puxada para 0V. Por outro lado, quando a tenso de entrada 0V o transistor PMOS est na zona ativa - resistncia equivalente

baixa e o transistor NMOS est cortado, e portanto a tenso no n de sada Y puxada para VDD. A caracterstica vo(vi) correspondente, representada na figura seguinte, bastante abrupta e tem boas gamas de definio dos nveis lgicos como se referiu anteriormente. Uma das grandes vantagens da lgica CMOS que o consumo esttico nulo pois quer o sinal esteja alto quer esteja baixo um dos transistores est cortado e portanto no h corrente. Assim, s h consumo na zona intermdia da caracterstica, que corresponde zona em que acontecem as comutaes.

Caracterstica vo(vi) de um inversor em tecnologia CMOS.

Para implementar uma porta lgica NAND a partir da porta lgica NOT, necessrio acrescentar um segundo ramo de entrada NMOS em srie tal como foi feito para a porta lgica RTL, e um ramo PMOS em paralelo tal apresentado na figura seguinte. A complementaridade destes dois acrscimos tambm referida como circuito dual, e d o nome famlia lgica. Este raciocnio pode ser tambm aplicado para construir outro tipo de porta, nomeadamente a porta lgica NOR (que tambm uma porta lgica universal).

Porta lgica NAND em tecnologia CMOS.

Elementos de memria Latch SR O elemento bsico de memria do qual derivam a generalidade dos flip-flops e consequentemente as mquinas estado sncronas, o Latch SR, representado na figura seguinte. A implementao deste bloco em tecnologia CMOS pode ser conseguida com o circuito representado na figura seguinte, em que quando a fase f est no estado alto permite o carregamento dos dados (caso contrrio mantido o valor lgico anterior). Pode implementar-se um flip-flop D a partir deste latch acrescentando uma porta lgica NOT entre o n S e o n R.

Representao esquemtica de um latch SR.

Latch SR em tecnologia CMOS.

Memria Esttica (SRAM) Um bloco de memria esttica tem por base exatamente o circuito anterior, e consiste num conjunto imenso de clulas iguais representada na figura seguinte, dispostas numa matriz de colunas e linhas, em que cada uma destas clulas capaz de memorizar 1 bit.

Clula de memria esttica de 1 bit.

Na realidade, a necessidade de mais memria torna esta implementao demasiado dispendiosa em termos de rea para implementar uma memria de

dimenso razovel, como as que so usadas atualmente nos computadores pessoais. Memria Dinmica (DRAM) A figura seguinte representa uma forma alternativa de realizar blocos de memria. Consiste num nico transistor e funciona com base num endereamento de linha e coluna em que cada bit de dados armazenado na memria mantido custa da capacidade CS.

Clula base de uma DRAM.

Naturalmente, correntes de fuga associadas a esta capacidade obrigam que se faam ciclos de refresh para garantir que os dados no so perdidos. Assim todos os bits de memria so dinamicamente acedidos periodicamente. A figura seguinte representa uma DRAM.

Matriz de memria implementada em lgica dinmica (DRAM).