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CURSO: CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO

DISCIPLINA: ARQUITETURA DE COMPUTADORES


TEMA 7: Sistema de Armazenamento-Memória-MP-Tecnologias de Memórias Eletrônicas

TEXTO PARA APOIO AO ESTUDO (estudo antes da atividade em sala)

Este tema completa o assunto e a descrição dos principais aspectos, características e parâmetros relativos ao
sistema de armazenamento de um computador ou sistema de memória.
No tema anterior, observou-se que o armazenamento de informações (dados ou instruções) em um computador se
realiza distribuído em mais de um dispositivo, isto é, não tem sido possível construir uma única memória, que
atenda aos requisitos de uma memória ideal:
- grande capacidade
- muita rapidez (baixos tempos de latência)
- baixo custo
- não volatilidade

Observou-se, ainda, que os projetistas e pesquisadores conseguiram criar, então, um sistema de armazenamento,
constituído de diferentes memórias, cada uma com características próprias, mas que, em conjunto, se comportam
de forma semelhante àquela memória ideal. Isto tem sido possível, graças a uma particularidade da execução dos
programas conhecido como Princípio da Localidade.

Este conjunto de dispositivos de armazenamento é conhecido como uma Hierarquia de Memória, tendo sido
mostrados alguns parâmetros de cada tipo.

Este Tema completa o assunto mostrando alguns aspectos da Organização e Funcionamento da Memória Principal
e concluindo com descrição dos diversos tipos de memórias eletrônicas (fabricadas apenas com elementos semi-
condutores).

MEMÓRIA PRINCIPAL
É a memória que o processador sempre endereça para acessar instruções ou dados. Como usualmente há
diversas outras memórias no sistema, é chamada principal por causa dessa especificação. Conforme observado,
quando foi descrito o princípio da localidade e a hierarquia de memórias, o processador endereça um dado na
MP, mas na maioria das vezes há uma cópia desse dado em memória mais rápida (cache) e assim, é esta cópia
que é transferida.

A memória Principal, como a conhecemos atualmente (exemplos mais recentes são as memórias DDR-3 e DDR-4) é
uma memória com tecnologia chamada DRAM, a qual foi inventada em 1968 por Robert Denning,, notável
engenheiro da IBM.

Logicamente, a organização das MP é bem simples, isto é, uma sequência ininterrupta de partes (usualmente
chamadas de “posição de memória”), cada uma identificada por um endereço, conforme mostrado na figura 4
do Texto do Tema 6.

No caso da memória principal (MP) ou real, as DRAM já mencionadas, cada “parte” é denominada célula, de
modo que a organização pode ser melhor descrita como: um conjunto de N células, estruturadas em sequência,
uma por uma, em ordem crescente de endereço, desde o endereço 0 até o endereço N -1. Todas as células tem
mesma largura (quantidade de bits), sendo essa largura um valor de M bits. A figura 1 mostra a organização
básica de uma MP, sendo constituída de uma sequência crescente de endereços (células) desde a célula (local
onde se armazena um dado ou parte de um dado) de endereço 0 até a de endereço N - 1

Figura 1 – organização básica de uma MP

N = quantidade de células ou posições de memória e E = largura de um endereço, sendo N = 2E

Uma memória principal (MP) que se interliga a um barramento com 16 linhas de endereços (valor de E), pode
ter um espaço máximo de endereçamento (capacidade da memória) de 64K endereços (valor de N). Já uma MP
com 24 linhas de endereço ( E = 24), terá um espaço máximo de endereçamento de 16M endereços (valor de N),
pois 224 = 16M. E outra MP, com E = 32 bits, tem um espaço de endereçamento de 4G endereços (4G = 232 )

Quando maior a largura de um endereço (maior quantidade de algarismos do número), maior será a
capacidade (espaço de endereçamento) de uma memória.

Atualmente, a quase totalidade das MP (há algumas exceções em computadores muito especificos) possui célula
(palavra) com 8 bits (1 Byte) de largura), de modo que é possível expressar o espaço de endereçamento da
memória (quantidade de endereços ou células) em termos de quantidade de bytes. Atualmente, a quase
totalidade das MP (há algumas exceções em computadores muito especificos) possui célula (palavra) com 8 bits
(1 Byte) de largura), de modo que é possível expressar o espaço de endereçamento da memória (quantidade de
endereços ou células) em termos de quantidade de bytes.

Figura 2- Exemplo do uso de endereço e célula (conteúdo)


A figura 2 mostra um trecho de memória contendo dois endereços, expressos em hexadecimal, endereço
257A e endereço 257B e armazenados neles, respectivamente, os valores (dados) 1F e 2C.

Com o que se observa dos elementos mostrados na figura, pode-se efetuar as seguintes considerações:

• Endereço e conteúdo são dois números completamente diferentes e com objetivos diferentes, embora
sempre estejam associados entre si para uma determinada transferência (quando o processador vai
executar uma operação de leitura ou escrita, por exemplo). Assim, o número 257B e 2C são
completamente diferentes em valor, mas associados à mesma posição física da memória e operam
associados em um acesso. Por exemplo, em uma leitura, o processador informa ao controle da memória
o endereço 257B (os bits serão transferidos eletricamente do processador para o controle por uns fios
condutores, chamados Barramento de Endereço (ver capítulo 19) e, pouco depois, o valor 2C, em bits, é
enviado da memória para o processador, por outros fios específicos, chamados Barramento de Dados .

• O número que representa o endereço, no caso um valor com 4 algarismos em base 16, os quais
correspondem a um valor binário de 16 algarismos ou bits, 0010 0101 0111 1011 é igual em largura para
TODAS as células dessa memória, conforme já mencionado diversas vezes. E este valor de 16 algarismos
expressa, também, o limite máximo de células. No caso, a quantidade máxima de células (espaço de
endereçamento) é:

64K = 216 ou 65 536 células.

O fabricante do processador é que define a largura de cada endereço e, assim, os fabricantes de memória,
de placa mãe e de chipset que desejarem operar com este processador devem projetar seus dispositivos
de acordo.

TECNOLOGIAS DE MEMÓRIAS DE SEMICONDUTORES


Memórias podem ser classificadas em dois grupos, segundo sua necessidade de energia para funcionar:

VOLÁTEIS - Requerem energia para manter os dados armazenados.


Ex: Registradores, RAM

NÃO VOLÁTEIS - Não necessitam de energia para manter os dados.


Ex: HD, Pendrive

As memórias voláteis foram se desenvolvendo, segundo dois tipos de projeto, fabricação e uso:

DRAM - dynamic random access memory ou memória dinâmica, de acesso aleatório ou randômico.
SRAM - static random acess memory ou memória estática, de acesso aleatório ou randômico

DRAM
➢ Cada bit é constituido por 1 capacitor e 1 transistor.
➢ O capacitor serve para representar o valor do bit e o transistor para ser usado nas leituras/escritas.
➢ Como o capacitor se descarrega, é preciso recarregar periódicamente (gasta tempo).

SRAM
➢ Cada bit é constituído de 5 a 7 transistores. Não requer recarregamento, sendo, por isso, mais rápidas.
Mas ocupam mais espaço e são mais caras.

Pode se observar dessas definições, que as DRAM são mais baratas, embora mais lentas que as SRAM e, assim,
suas aplicações são diferentes, conforme pode se observar do quadro a seguir.

COMPARAÇÃO ENTRE MEMÓRIAS DRAM E SRAM

CARACTERÍSTICAS DRAM SRAM

Tecnologia de Fabricação p/ bit 1 capacitor + 1 5 a 7


transistor transistores

Recarregamento? SIM NÃO

Ciclo de Memória (CM) CM = TA + TR CM = TA

Espaço físico p/bit menor maior

Custo por bit baixo Maior

Aplicação Memória principal Cache, celular

As memórias DRAM, apesar de lentas (comparadas com a SRAM), foram evoluindo de modo a compensar esta
“lentidão” (quando se menciona lentidão, refere-se a ter 25 a 80 nanosegs de tempo e não os 5 a 15 das cache,
mas a MP (RAM) é muitíssimo rápida se comparada a outros dispositivos como pendrives, SSDs e sobretudo os
HDs).

A evolução das DRAM podem ser categorizadas em dois tipos: ASSÍNCRONAS (inicialmente) e SÍNCRONAS (mais
recentes).

DRAM assíncronas – A operação da memória não era sincronizada com o relógio do sistema. Após iniciar uma
operação, o processador tinha que esperar o término da mesma para retornar seu trabalho.

DRAM síncronas – A operação da memória é sincronizada com o relógio do sistema. Deste modo, o processador
pode iniciar uma operação (num ciclo) e prosseguir em outras tarefas (ciclos subsequentes) enquanto a memória
processa a solicitação. No ciclo adequado o processador apanha o dado disponível. Nessas memórias a velocidade é
informada em MHz, como nos relógios.

São muito mais rápidas que as assíncronas.

Inicialmente chamava-se apenas SDRAM (DRAM síncrona).

Depois, surgiu a Rambus DRAM ou RDRAM.

A RDRAM usa os dois lados do ciclo de relógio para transferência, obtendo o dobro da taxa de envio de bytes em
relação a SDRAM. Na prática, uma RDRAM com freqüência real de trabalho de 200 MHz, na verdade opera com 400
MHz, pois utiliza o lado de subida e o lado de descida de cada pulso para enviar um dado.
Em seguida surgiram as DDR (double data rate ou taxa dobrada de dados).

Funcionam de modo semelhante (taxa dobrada) às RDRAM, embora com características mais simples. É também
uma SDRAM (síncrona).

As DDR vem evoluindo em taxa de transferência (aumentadas) e voltagem de alimentação (reduzidas), sendo
numeradas DDR 2, DDR 3, DDR 4.
Enquanto as DDR tranferem 2 bits por pulso de relógio (por fio), as DDR 2 transferem 4 e as DDR 3 transferem 8
bits.
A DDR usava 2,5V, a DDR 2 opera com 1,8V, a DDR 3 com 1,5V e a DDR4 com 1,2V. Com isso consome menos
energia e dissipa menos calor.
As DDR3 podem chegar a 8G enquanto as DDR podem ter até 16GB
Há, também, um outro tipo de SDRAM, chamada de ESDRAM – Enhanced SDRAM.
Ela possui uma pequena quantidade de SRAM junto com a DRAM, aumentando desempenho, pois age como uma
cache dentro do chip da DRAM.

Memórias Não Voláteis

Memórias não voláteis (inicialmente chamadas de ROM) são também memórias de semicondutores fabricadas para
atingir dois objetivos:

a) ter desempenho semelhante ao das memórias R/W de semicondutores (o seu desempenho não é igual, pois
possuem menor velocidade de acesso, mas pode-se dizer que é semelhante);

b) não ser volátil (característica essencial para que o computador possua memórias rápidas e permanentes);

Todo sistema de computação utiliza uma parte do espaço de endereçamento da memória principal com memórias
do tipo ROM. Os microcomputadores do tipo PC, por exemplo, vêm da fábrica com um conjunto de rotinas básicas
do sistema operacional armazenadas em ROM, denominadas em conjunto como BIOS – Basic lnput Output System,
ou Sistema Básico de Entrada e Saída.

Outra aplicação importante das ROM é o armazenamento de microprogramas em memória de controle (ROM) (ver
capítulo 12), e também em sistemas de controle de processos (processadores embutidos), como sistemas de
injeção eletrônica de automóveis, fornos de microondas e outros eletrodomésticos controlados por computadores,
assim como em jogos eletrônicos (videogames).

As memórias do tipo ROM também sofreram uma evolução tecnológica ao longo do tempo, principalmente para
torná-las mais práticas e comercialmente aceitáveis, sem perder a sua principal característica de serem memórias
somente para leitura por parte dos programas aplicativos (embora, com sua evolução, elas possuam tipos que
permitem a troca do seu conteúdo, sempre através de processos especiais e nunca por um simples programa
aplicativo).

Na verdade, o termo ROM já não exprime o uso da memória, pois todas as memórias voláteis atuais permitem
leitura e escrita, mas o termo permaneceu, com EPROM (uma R/W) e EEPROM e Flash.

A evolução das memórias não voláteis desde as primeiras ROM, inicia por esta mesma, usualmente chamada de
Mask-ROM

Mask ROM

Nesta mask-ROM, o conjunto de bits (programa especificado pelo usuário) é inserido no interior dos
elementos da pastilha durante o processo de fabricação. Chama-se a isso em inglês de processo hardwired, pois
cada bit (seja 0 ou 1 conforme o programa) é criado já na célula apropriada. Após o término da fabricação, a
pastilha ROM está completa, com o programa armazenado, e nada poderá alterar o valor de qualquer de seus bits.

É fabricada em lotes.

PROM

Para atenuar o problema do custo fixo da máscara (matriz), desenvolveu-se uma variação daquele tipo de memória
ROM pura, denominado PROM (Programmable Read Only Memory), ROM programável. Na realidade, não se trata
propriamente de ser programável, porque não é possível a reutilização da PROM (como também não se reutiliza a
ROM). Nela, como nas ROM puras, somente é possível gravar os bits desejados uma única vez, porém com a
diferença de que a gravação dos bits é posterior à fase de fabricação da pastilha, embora deva ser realizada por
dispositivo especial.

Gravadas individualmente. Porém somente uma gravação.

EPROM

A EPROM pode ser utilizada diversas vezes, porque os dados nela armazenados podem ser apagados ao se iluminar
a pastilha com luz ultravioleta (ver Fig. 4.19), a qual incide em uma janela de vidro, montada na parte superior da
pastilha. O processo de apagamento, que é completo (todo o conteúdo da memória é apagado), dura em média
cerca de 20 a 25 minutos.

Uma vez apagada, a pastilha pode ser reutilizada através de novo processo de “queima” de novos bits. Após esse
passo, a janela de vidro costuma ser coberta para evitar um apagamento acidental.

EEPROM

O outro tipo, EEPROM ou EAROM, desenvolvido posteriormente, introduziu uma característica mais versátil e
prática no processo de reutilização das ROM: a programação (escrita dos bits), o apagamento e a reprogramação
são efetuados através de controle do processador, isto é, por software. Uma grande vantagem deste tipo de
memória é o fato de as operações poderem ser realizadas especificamente sobre um byte ou bytes determinados

AS INFORMAÇÕES CONTIDAS NESTE MATERIAL DE APOIO AO ESTUDO FORAM EXTRAÍDAS DAS SEGUINTES
PUBLICAÇÕES:
MONTEIRO, M. Introdução à organização de computadores. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2007.
STALLINGS, W. Arquitetura e organização de computadores. 8. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2010.

TANENBAUM, A. S. Organização estruturada de computadores. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2007.


Null, Linda - Computer Organization and Architecture
Textos na Internet

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