L.

EEC | 3º ANO
L.EEC024 | ELETRÓNICA 2 | 2021/2022 — 1S

Justifique devidamente todas as questões e faça as aproximações que julgar adequadas.

1. Considere o amplificador da figura 1. Os transístores MOSFET apresentam
+5 V +5 V +5 V
os seguintes parâmetros: 𝐾! = 𝐾" = 1⁄2 ∙ 𝑘 # ∙ (W/L)×% = 200 µA/V2 ,
|𝑉& | = 1 V. O transístor BJT (PNP) possui 𝛽 = 100. Recorde que no
+5 V
MOSFET +5 V
(canal n) 𝑖' = 𝐾(𝑣() − 𝑉& )* e para o BJT 𝑟+ = 𝛽⁄𝑔, . Admita
+5 V RB
⇥1
M1
que, por um qualquer meio não representado na figura, o circuito estabiliza 40 kΩ

⇥1 a tensão ⇥4 com 𝑉- = 0 V.
⇥1 dc na saída (vi + VP )
Q1
MB M3
a) [5] Dimensione
M2 a tensão de polarização 𝑉. , determine a corrente de vo
coletor 𝐼/% de Q1 e a tensão 𝑉'% vno
o dreno de M1. Justifique devidamente. RL
M2 10 kΩ
RL M M3
(1) 𝐼0 = (10 − 𝑉()0 )⁄40k = 10 200µ
kΩ ∙ (𝑉()0 − 1)* ; 𝑉()0 = 2 V (a outra B

RB solução, 𝑉()0 = − 1Q ⁄18 V < 𝑉& , não tem significado físico). Então: 𝐼0 = ⇥1 ⇥1 ⇥5

200 µA. Por efeito de espelho (ignorando a modulação de canal), 𝐼* = 𝐼0 5V 5V 5V

M
e 𝐼% = 𝐼* 1 (transístor em série). Para que tal aconteça, e assumindo Fig. 1
⇥1
(vi + VP ) saturação: 𝑉. = 5 − 𝑉)(% = 3 V (os transístores possuem as mesmas características e 𝐼% = 𝐼0 , logo o mesmo 𝑉)( que
5V o de M5BVse ignorarmos
5 V a modulação do canal).

(2) Assumindo 0 V na saída, 𝑉'%,* = 0 + 𝑉02 = 0,7 V. Por efeito de espelho de corrente MB–M3, 𝐼3 = 5 ∙ 𝐼0 =
1 mA ≈ 𝐼/ (a corrente em 𝑅4 é nula porque se assumiu 𝑉- = 0 V). +5 V +5 V +5 V

+5 V b) +5 +5 V da figura 1 admita 𝑔,5% = 500 µA/V, 𝑔,6% = 50 mA/V, 𝑟75%,5* = 200 kΩ e 𝑟753 = 50 kΩ.
[5]V Para o circuito
Considere 𝑟76% → ∞. ⇥1
RD1 RD2 RB M1
2,5 kΩ 2,5 kΩ
i. Desenhe o esquema para sinal simplificado, substituindo as cargas ativas pela respetiva resistência
(vi + VP )
equivalente,
M3 mas mantendo os restantes transístores sem substituir pelo seu equivalente. Q1

vi v
M1 M2 vo
RL
M2 50 kΩ
MB M3
Q1
RSS R vo ⇥1 ⇥1 ⇥4
2 kΩ M D3
5 kΩ
1
ro1 //ro2
5V 5V 5V
100 kΩ RL //ro3
vi
5V 5V 8,3 kΩ

vi +

ii. Calcule o ganho 𝐴8 = 𝑣7 ⁄𝑣9 .

V ,5% (𝑟7% //𝑟7* )𝑣9 ; 𝑣7 = (𝛽 + 1)𝑖; (𝑅4 //𝑟73 ); 𝑖; = 𝑣:% ⁄M(𝛽 + 1)(𝑅4 //𝑟73 )N ≈
𝑣:% =+5−𝑔 R
V +5 V
50
𝑣:% ⁄M𝑟+ + (𝛽 + 1)(𝑅4 //𝑟73 )N, então, 𝑣7 ≈ 𝑣:% . Finalmente, 𝑣7 ≈ −𝑔,5% (𝑟7% //𝑟7* )𝑣9 ⟺ 𝑣7 ⁄𝑣9 ≈ −50 V/V. RF 1
RD1 RD2
5 kΩ 5 kΩ
250 kΩ
vs
M3

M1 M2 vo

RSS RD3
+5 V 3,5 kΩ 5 kΩ
+5 V +5 V
(continua)
5V 5V
⇥1
RB
M1
40 kΩ
(vi + VP )
Q1

VÍTOR GRADE TAVARES / CÂNDIDO DUARTE vo | PÁG. 1

RL
M2 10 kΩ
MB M3
 L.EEC | 3º ANO
L.EEC024 | ELETRÓNICA 2 | 2021/2022 — 1S

2. Considere o amplificador da figura. Admita para os MOSFETs que 𝑟75*,3,< = 100 kΩ, 𝑟75= = 50 kΩ e 𝑔,53,< =
500 µA/V. Para o BJT assuma β = 200, 𝑔,>% = 40 mA/V (e 𝑟+>% = β⁄𝑔,>% ). Desenhe o equivalente para sinal,
simplificado, do circuito e calcule o respetivo ganho 𝑣7 ⁄𝑣9 .
+5V
+5V +5V
1:2
M5 M6
M4
T1
RG vo
RB M3 RD1
80k vi + 150k 3V 57k
RE
5k
-5V
CS
M1 M2 -5V

-5V -5V

ro4
isc
Ri4 Ro2
i3 v1 i4 M4
v2 T1
RG vo
M3 ro3 ro6 Ro4 Rb1
vi + 150k RD1 RE
57k 5k

Determinando o equivalente de Norton no nó correspondente a 𝑣* teremos 𝑣* = −𝑖?@ ∙ 𝑅7* .

%
Com o nó 𝑣* à massa, temos 𝑅9< ≅ A = 2kΩ ≪ 𝑟73 //𝑟7= ≅ 33kΩ, então 𝑖?@ = 𝑖< ≅ 𝑖3 = 𝑔,3 ∙ 𝑣9 .
!"

Com 𝑣9 = 0V, 𝑅7* = 𝑅7< //𝑅'% //𝑅;% ≅ 𝑅'% = 57 kΩ porque: 𝑅7< ≅ (𝑟73 //𝑟7= ) ∙ (𝑔,< ∙ 𝑟7< ) = 1,7MΩ; 𝑅;% =
𝑟+ + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅2 ≅ 1MΩ e 𝑅7< //𝑅;% ≫ 𝑅'% .

𝑣* = −𝑖?@ ∙ 𝑅7* ≅ −𝑔,3 ∙ 𝑅'% ∙ 𝑣9 ≅ −28,5 ∙ 𝑣9 .

B# E 8*
T1 é um coletor comum. 𝑣7 = C ∙ 𝑣* , onde 𝑟D>% = A ≪ 𝑅2 , portanto: 8)
≅1
$%&'(# !%)

𝑣F = −28,5 ∙ 1 ∙ 𝑣9 ; 𝑣7 ⁄𝑣9 = −28,5

(continua)

VÍTOR GRADE TAVARES / CÂNDIDO DUARTE | PÁG. 2

 vi (t) R1 5V
8 k⌦
1 2 mA

8V 10 V

L.EEC | 3º ANO
L.EEC024 | ELETRÓNICA 2 | 2021/2022 — 1S

3. Considere os amplificadores da figura 2. Todos os transístores são iguais e estão a operar na região de saturação.
Admita que no PFE 𝑉7 = 2,5 V. 𝐾!×% = 𝐾"×% = 1⁄2 ∙ 𝑘 # ∙ (W/L)×% = 800 µA/V2 , e |𝑉& | = 0,5 V

a) Determine as correntes dc nos transístores e tensões nos nós.

+5 V +5 V +5 V
b) Desenhe o esquema equivalente para sinal simplificado (tal ⇥1 ⇥1
+ como na 1-b)-i).
+ + M4 M3

c) Calcule o ganho, resistência de entrada e saída.

d) Retire o curto-circuito entre os terminais A e B, e ligue o M2
200 µA
transístor M1a entre os nós A e B. Calcule o novo ganho. B ⇥2

A
Building Blocks 1 vo (t)
RF
M1 B
200 k⌦
vi (t) RGG ⇥1
2 M⌦ 2V M1a
1V ⇥1
A
M5 M6
⇥1 ⇥2

v i+

RB

VÍTOR GRADE TAVARES / CÂNDIDO DUARTE | PÁG. 3