Tema VII.

Leccin 16

Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores El diodo de potencia

16.1 Construccin y encapsulado 16.2 Caractersticas estticas 16.2.1 Curvas caractersticas 16.2.2 Estados de bloqueo y conduccin 16.2.3 Clculo de prdidas 16.3 Caractersticas dinmicas 16.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa 16.3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa 16.3.3 Clculo de prdidas

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia 16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia 16.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos 16.4.3 Diodos Schotkky 16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales 16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

CARACTERSTICAS DESEABLES: CARACTERSTICAS DESEABLES: --Corriente elevada con baja cada de tensin Corriente elevada con baja cada de tensin --Tensin inversa elevada con mnimas fugas Tensin inversa elevada con mnimas fugas

COMPARACIN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Tipo Tipo Mercurio Mercurio Selenio Selenio Germanio Germanio Silicio Silicio Oxido de Oxido de cobre cobre Cada de Cada de tensin tensin directa (V) directa (V) 15 aa19 15 19 11 0,5 0,5 11 0,6 0,6 Corriente Corriente de fugas de fugas baja baja alta alta baja baja muy baja muy baja alta alta Tensin Intensidad Temp. Densidad Tensin Intensidad Temp. Densidad inversa interna directa de corriente inversa interna directa de corriente mx. (C) mx. (V) (A/cm22) mx. (C) mx. (V) mx. (A) mx. (A) (A/cm) 400 400 150 150 120 120 200 200 70 70 20.000 20.000 50 50 800 800 3.500 3.500 30 30 5.000 5.000 50 50 200 200 1.000 1.000 10 10 4.000 4.000 11 100 100 100 100 11

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16.1 Construccin y encapsulado

ENCAPSULADOS DO - 5
- Aislamiento - Conexin Elctrica - Disipacin trmica

Terminal de cobre (nodo) Soldaduras Au-Si Cierre aislante

Cierre metlico Base de cobre (ctodo) P N

Pastilla semiconductora

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16.1 Construccin y encapsulado

DO 200AC Grandes corrientes (3500 5000 A)
Base de cobre (nodo) Pastilla semiconductora Cierre metlico Cierre cermico Soldaduras Base de cobre (ctodo)

P N

Cierre metlico

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16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:
Vd rd VF

id tg = 1/rd VRRM IR
VR

Vd

VAK

Diodo real

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16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

id

Vd = 0 rd = 0 VAK
Diodo ideal

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin:
DIODO IDEAL
Ve V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS V

DIODO REAL
Vd rd
Ve V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS V-Vd -rdid

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin. Parmetros:
Intensidad media nominal (IFAV): Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente). Intensidad de pico repetitivo (IFRM ): Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula. Intensidad de pico nico (IFSM ): Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo:

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

Ve V VS

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Tensin inversa de pico nico (VRSM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms. Tensin de ruptura (VR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
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16.2 Caractersticas estticas

Clculo de prdidas:
id

Pdis =

1 T

v F (t) i d (t) dt
VF id

2 Pdis = VddIdm+rd(Idef))2 Pdis = V Idm+rd(Idef

Vd:: Vd Idm:: Idm rr :: dd Idef:: I

def

Tensin umbral. Tensin umbral. Corriente media. Corriente media. Resistencia dinmica. Resistencia dinmica. Corriente eficaz. Corriente eficaz.

Vd

rd

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16.3 Caractersticas dinmicas

Entrada de conduccin: Recuperacin directa
Diodo Ideal: Cierre
t

Diodo Real:

id did/dt Id

VF

Id
VFP t

Vd

-VR trd

tt ::tiempo de recuperacin directa rd tiempo de recuperacin directa

rd

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16.3 Caractersticas dinmicas

Salida de conduccin: Recuperacin inversa
Pico de corriente de recuperacin Inversa:
id Id Qrr=Irrtrr/2

Irr = t a

did dt

Tiempo de recuperacin inversa:

Irr

t rr = t a + t b
ta = tiempo de almacenamiento. tb = tiempo de cada. Carga de Almacenamiento:
ta VF trr tb

Q rr =
t rr = 2 Q rr di d dt

1 t rr Irr 2
Irr = 2 Q rr di d dt

Vrr

VR

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16.3 Caractersticas dinmicas

Clculo de prdidas:
Las prdidas de entrada en conduccin son muy pequeas ( trd << trr) y suelen despreciarse!
id Id Qrr=Irrtrr/2

Irr trr

Pdis

1 = T

v F (t) i d (t) dt

VF

Pdis = QrrVRfSS Pdis = QrrVRf

ff ::Frec. de conmutacin. S Frec. de conmutacin. S Observar la dependencia de las prdidas con la frecuencia de conmutacin.
VR t

(aproximacin de la salida de conduccin)

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV::1A 6000 A I 1A 6000 A

FAV

VRRM::400 3600 V VRRM 400 3600 V VFmax::1,2V (a IFAVmax)) VFmax 1,2V (a IFAVmax tt ::10 s rr 10 s rr Aplicaciones: --Rectificadores de Red. Aplicaciones: Rectificadores de Red. --Baja frecuencia (50Hz). Baja frecuencia (50Hz).

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):
IFAV::30A 200 A I 30A 200 A
FAV

VRRM::400 1500 V VRRM 400 1500 V VFmax::1,2V (a IFAVmax)) VFmax 1,2V (a IFAVmax tt ::0,1 --10 s rr 0,1 10 s rr Aplicaciones: --Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz). Aplicaciones: Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz). --Inversores. Inversores. --UPS. UPS. --Accionamiento de motores CA. Accionamiento de motores CA.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:
IFAV::1A 120 A I 1A 120 A
FAV

VRRM::15 150 V VRRM 15 150 V VFmax::0,7V (a IFAVmax)) VFmax 0,7V (a IFAVmax tt ::5 ns rr 5 ns rr Aplicaciones: --Fuentes conmutadas. Aplicaciones: Fuentes conmutadas. --Convertidores. Convertidores. --Diodos de libre circulacin. Diodos de libre circulacin. --Cargadores de bateras. Cargadores de bateras.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):
IFAV::0,45A 2 A I 0,45A 2 A
FAV

VR::7,5kV 18kV VR 7,5kV 18kV VRRM::20V 100V VRRM 20V 100V tt ::150 ns rr 150 ns rr Aplicaciones: --Aplicaciones de alta tensin. Aplicaciones: Aplicaciones de alta tensin.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):
IFAV::50A 7000 A I 50A 7000 A
FAV

VRRM::400V 2500V VRRM 400V 2500V VF::2V VF 2V tt :10 s rr :10 s rr Aplicaciones: --Aplicaciones de alta corriente. Aplicaciones: Aplicaciones de alta corriente.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

nodo 200V 60A Ctodo (roscado) Schottky 120A 150V

DO - 5

Rectificador 1500V 168A 1.8V

Encapsulado cermico 600V/6000A

Alta Tensin 40.000V 0.45A 32V (VF) 32

Fast 1500V 168A 1.8V

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16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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