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Universidad Nacional de Asunción

Facultad de Ingeniería

Laboratorio de Física de los Semiconductores

Experiencia Nro.9:

Universidad Nacional de Asunción Facultad de Ingeniería Laboratorio de Física de los Semiconductores Experiencia Nro.9: transistor

transistor en emisor comun

Integrantes:

Valentín Ruiz Díaz Franco Isidro Alejandro Villordo Pedro Sebastián Genez Grance

Luque-Paraguay Año 2011

Experiencia N9 transistor

OBJETIVOS

Trazado de las características de salida del transistor.

 

Trazado de las características de entrada del transistor.

Calculo

de

la

resistencia

de

entrada,

resistencia

de

salida

y

coeficiente de amplificación de corriente utilizando las características del transistor. Estudio del método de trazado de las características de salida mediante el trazador de curvas.

M ATERIALES UTILIZADOS

Tablero experimental N.1 y sus componentes asociados.

Dos fuentes de alimentación c.c. de 0-36 V.

Fuente de alimentación de c.a. de 6.3V(50Hz) no conectado a

tierra .

1 diodo zener y 1 capacitor.

Multímetro analógico y digital.

Osciloscopio con dos puntas de prueba.

Cables.

Décadas de resistencia.

Un protoboard

Generador de señales.

MARCO TEÓRICO

Características de entrada y salida

La entrada del circuito en emisor común esta entre la base y el emisor Por lo tanto la característica de entrada describe la corriente de entrada Ib en función de la tensión de entrada Vbe con la tensión de salida Vce, constante. Las curvas características de entrada para diferentes tensiones de salida se muestran en la figura 4.2

MARCO TEÓRICO Características de entrada y salida La entrada del circuito en emisor común esta entre

Como puede verse en la figura 4.2 cuando el colector esta conectado al emisor Vce = 0 y la juntura base – emisor esta directamente polarizada, la curva de entrada describe la característica de un diodo directamente polarizado.

La salida del circuito en emisor común esta entre el colector y el emisor. Por lo tanto la característica de salida mostrara la dependencia de la corriente de colector Ic con la tensión colector – emisor Vce, cuando la corriente de base s mantiene constante (Ib = cte.).

En la figura 4.3 se ven las características de salida de un diodo NPN de silicio.

La salida del circuito en emisor común esta entre el colector y el emisor. Por lo

Zonas de operación de un transistor

Las regiones de operación de un transistor se dividen generalmente en 3 zonas: zona activa, zona de corte y zona de saturación. Estas 3 zonas están señaladas, en la figura 4.4, sobre las características de salida del transistor.

Zona activa Como se ve en la figura 4.4, la zona activa del transistor es aquella

Zona activa

Como se ve en la figura 4.4, la zona activa del transistor es aquella parte de la característica en la que la corriente de base es mayor a cero Ib>0 y la tensión colector – emisor es mayor que unas décimas de voltios. El transistor estará en la zona activa siempre que su juntura base – emisor este directamente polarizada y su juntura base – colector inversamente polarizada. En esta zona la corriente de salida depende principalmente de la corriente de base mientras que depende muy poco de Vce. Si deseamos construir un amplificador lineal sin distorsión, el transistor debe operar en esta zona. De la figura 4.1, podemos escribir la siguiente ecuación:

Ib = Ie + Ic También tenemos

(4-1)

 

Ic =

.Ie + Ic0

 

(4-2)

Que da:

 

Ie = (Ic – Ic0)/

 

(4-3)

Sustituyendo la ecuación 4.3 en la ecuación 4.1 y resolviendo para Ic tenemos:

 

Ic =

/ (1-

) .Ib + Ico/(1-

)

(4-4)

Y sabiendo que

=

) sustituimos y obtenemos:

 

Ic =

.Ib + (

 

/ (1- + 1).Ic0

(4-5)

Normalmente podemos despreciar el termino en el que la figura Ic0, puesto que es

muy pequeño comparando con

.Ib y entonces podemos escribir, para la zona activa:

Ic =

.Ib

(4-6)

El factor de amplificación

no es constante para diferentes transistores del mismo

tipo, por lo tanto, existe un intervalo de valores que

puede tomar. Para un transistor

particular,

depende de la corriente de colector Ic y de la temperatura.

Zona de corte

En la configuración de emisor común el corte del transistor se define como la situación en la que la corriente de perdida Ic0, con la corriente de emisor igual a cero (Ie =

0).

De la ecuación 4.5 puede verse que una base en circuito abierto Ib = 0 no es suficiente

por el corte, puesto que Ic = (

+ 1)Ic0. En otras palabras, para que el transistor se

encuentre en la zona de corte es necesario que:

Ib = -Ic = -Ic0

(4-7)

Para obtener esto, una pequeña polarización inversa debe ser aplicada a través de la juntura base – emisor. Puede verse que una polaridad de 0 V para un transistor de silicio y 0,1 V para un transistor de germanio serán normalmente suficientes para provocar el corte.

Zona de saturación

En la zona de saturación, las dos junturas del transistor, base – emisor y base – colector, están directamente polarizadas. En este caso, la tensión de salida es muy pequeña (Vce alrededor de 0,3V). En saturación la corriente de salida es casi completamente independiente del transistor y de la corriente de entrada Ib, y queda determinada por la tensión de alimentación Vcc y la

carga RL. Por lo tanto, en el circuito que se ve en la figura 4.1 la corriente de salida Ic en saturación será:

Ic = Vcc/RL

(4-8)

Resistencias de entrada y salida (Ren y Rsal)

  • a) Resistencia de entrada Ren

Ren es la resistencia que ve una fuente conectada a los terminales de entrada. Ren puede definirse como la razón entre el cambio de tensión de entrada y el cambio de la corriente de entrada. Cuando la tensión de salida se mantiene constante. Para un circuito emisor común:

Ic = .Ib (4-6) El factor de amplificación no es constante para diferentes transistores del mismo

Esta resistencia puede calcularse de las características de entrada. El valor de Ren es

del orden de varios K

.

  • b) Resistencia de salida Rsal

Rsal es la resistencia que ve el circuito conectado a los terminales de salida. Rsal puede definirse como la razón entre el cambio de tensión de tensión de salida y el cambio

de corriente de salida, cuando la corriente de entrada es mantenida constante. Para un circuito emisor común podemos escribir:

de corriente de salida, cuando la corriente de entrada es mantenida constante. Para un circuito emisor

Esta resistencia puede calcularse de las características de salida. La resistencia de salida es relativamente alta, del orden de decenas o cientos de K

.

DESARROLLO DEL EXPERIMENTO

Característica de salida

Parámetro

0

20

50

80

100

120

150

Ib(microA)

VCE (V)

micro

mili

IC (mA)

 

0,5

0

  • 0.32 1.2

 

2

2

3.15

3.4

1

0.1

  • 0.34 1.2

 

2.05

2.59

3.2

3.45

2

0.2

  • 0.35 1.2

 

2.05

2.6

3.21

3.8

4

0.4

  • 0.34 1.2

 

2.76

2.6

3.25

3.81

6

0.6

  • 0.34 1.2

 
  • 2.7 2.62

 

3.35

3.65

8

0.8

  • 0.35 1.1

 
  • 2.7 2.65

 

3.4

3.90

Característica de entrada

Ib (microA)

0

1

3

5

10

15

20

50

Parametro

               

VCE (V)

O

0

0.4

0.51

0.56

0.57

0.609

0.611

0.604

O,5

0.058

0.452

0.58

 

0.665

  • 0.633 0.679

0.66

 

0.71

1

0.05

0.457

0.552

 
  • 0.633 0.668

0.658

 

0.68

0.709

5

0.055

0.457

   
  • 0.56 0.666

0.657

  • 0.633 0.679

 

0.705

10

0.063

 
  • 0.46 0.63

 
  • 0.54 0.66

0.655

 

0.675

0.703

15

0.059

 
  • 0.38 0.73

 
  • 0.58 0.66

0.652

 

0.670

0.706

ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS

Característica de salida del transistor

Característica de entrada del transistor

Utilizando las características trazadas encuentre

  • A. Ib=20

Vce =2 V

A

para los siguientes puntos:

  • B. Ib = 10

Vce = 8 V

A

Utilizando las características trazadas, calcule la resistencia de salida Ro del resistor en los puntos indicados en el parrafo 3.

Utilizando las características trazadas calcule la resistencia de entrada Ri en los puntos indicados.

Problemas

  • 1. ¿Existe corriente de colector con la base del transistor abierta? Justifique.

  • 2. Defina la magnitud beta y explique su importancia.

  • 3. Defina la magnitud alfa y explique su importancia.

  • 4. Dibuje el circuito del transistor PNP en conexión emisor común.

  • 5. ¿Esta limitada la corriente máxima de colector que se puede hacer circular durante el experimento? Justifique.

1

Problemas 1. ¿Existe corriente de colector con la base del transistor abierta? Justifique. 2. Defina la

Si el emisor estuviese en circuito abierto Ie=0 y también seria igual a la Ipc. En este caso, la base y el colector actuarían como un diodo inversamente polarizado y la corriente de colector Ic seria igual a la corriente inversa de saturación Ico. Si Ie no es igual a cero se

observa en la figura que

Ic = Ico - Ipc

La beta dc de un transistor redefine como la relación entre la corriente continua del colector y la corriente continua de la base

La beta dc de un transistor redefine como la relación entre la corriente continua del colector

La beta continua se conoce también como la ganancia de corriente por que una pequeña corriente de base produce una corrinte mucho mayor de colector La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y a llevado a todo tipo de aplicaciones para transistores de baja potencia por debajo de un watt la ganancia de corriente es típicamente de 100 a 300, los transistores de alta podenca por encima de un watt normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y 100.

3

La ganancia de corriente para señales grandes de un transistor en base común se define como la relación del incremento de la corriente de colector a la variación desde cero (corte) a Ie de corriente, cambiada de signo es decir

α= - (Ic-Ico)/ Ie

 

los valores típicos de α varían entre 0.9 y 0.995 α no es constante sino que varia con la corriente de emisor Ie, la

tensión de colector Vcb y la temperatura del estudio de las corrientes en el transistor s se deduce si esta esta en región activa es decir el emisor directamente polarizado y el colector en polarización inversa la corriente de colector viene dada

 

por la ecuación

Ic=- αIe+Ico

4

transistor PNP emisor común

La beta dc de un transistor redefine como la relación entre la corriente continua del colector

CONCLUSION

Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como vimos en este experimento y investigando por libros concernientes del tema . ellas son emisor la zona central base y la zona superior es el colector los transistores es un dispositivo npn o pnp que son diodos en paralelo Y que el emisor esta fuertemente dopado mucho mas que el colector y que la base físicamente el colector es la zona mas grande. Que una ves polarizado el transistor los electrones libres de la zona n se difunden a través de la unión y se recombinan con los huecos del lado p el resultado son las zonas de deplexion Como el emisor es que es la fuente de electrones su corriente es la mayor de las tre. Casi todos los electrones del emisor en un tiipo npn circulas hacia colector por tanto la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor es decir Ie

La curva de entrada es como la curva

de un diodo normal a de Ib en

función da la Vbe tomando como parámetro Vce. Y que la curva característica de salida también es la curva característica de un diodo de Ic en funcion de Vce tomando como

parámetro Ib T como ya se vio un transistor es un dispositivo electrónico con el cual

con una pequeña Ib se logra un salida Ic mayor

es decir

se logra un

ana amplificación de la corriente de ahí que se lo utiliza como un

dispositivo de implicación .

BIBLIOGRAFIA

Dispositivo electrónico (Millman)

Guía de trabajo proporcionada por el profesor

Teoria de Circuitos : Robert Boylestad