Diodo Ideal

Figure 3.1 The ideal diode: (a) diode circuit symbol; (b) iv characteristic; (c) equivalent circuit in the reverse direction; (d) equivalent circuit in the forward direction.

Diodo Ideal

Tenso de sada:

Figure 3.3 (a) Rectifier circuit. (b) Input waveform. (c) Equivalent circuit when vI 0. (d) Equivalent circuit when vI (e) Output waveform.

0.

Diodo Ideal

Funo de transferncia:

Tenso no diodo:

Diodo Ideal
Exemplo:

Figure 3.4 Circuit and waveforms for Example 3.1.

Diodo Ideal
Portas Lgicas:

Figure 3.5 Diode logic gates: (a) OR gate; (b) AND gate (in a positive-logic system).

Caractersticas Eltricas dos Diodos

i = I s e v / nVT 1
Figure 3.8 The diode iv relationship with some scales expanded and others compressed in order to reveal details.

Caractersticas Eltricas dos Diodos

i = I s e v / nVT 1
Is: corrente de saturao: VT: tenso trmica:
VT = kT q

10 15 A

k= 1.38 10 23 J/K: const. Boltzmann T: temperatura em Kelvin q: carga do eltron n: depende da estrutura fsica do diodo: 1<n<2 n 1 para circuitos integrados n 2 para componentes discretos

Caractersticas Eltricas dos Diodos

i = I s e v / nVT 1
Regio de Polarizao Direta Regio de Polarizao Reversa Regio de Ruptura

i I s e v / nVT

i I s

Se VZ< 5V: Ruptura Zener O campo eltrico reverso quebra ligaes covalentes, formando a corrente reversa. Se VZ>7V: Efeito Avalanche Portadores minoritrios colidem com tomos quebrando ligaes covalentes. O processo se repete provocando o efeito avalanche.

Caractersticas Eltricas dos Diodos

Dependncia com a temperatura:

Figure 3.9 Illustrating the temperature dependence of the diode forward characteristic. At a constant current, the voltage drop decreases by approximately 2 mV for every 1C increase in temperature.

Operao Fsica dos Diodos

Figure 3.39 Simplified physical structure of the junction diode. (Actual geometries are given in Appendix A.)

Operao Fsica dos Diodos

Silcio intrnseco:
Ionizao trmica:

n = p = ni ni2 = BT 3e EG / kT
B = 5.4 1031 ( silicio) T : temp. Kelvin EG = 1.12 eV ( silicio) k = 8.62 10 5 eV / K = 1.38 10 23 J / K (const. Boltzman)
T = 300 K ni = 1.5 1010 port. / cm3

Figure 3.40 Two-dimensional representation of the silicon crystal. The circles represent the inner core of silicon atoms, with +4 indicating its positive charge of +4q, which is neutralized by the charge of the four valence electrons. Observe how the covalent bonds are formed by sharing of the valence electrons. At 0 K, all bonds are intact and no free electrons are available for current conduction.

Operao Fsica dos Diodos

Correntes:
de difuso de deriva

Correntes de Difuso: fluxo de portadores de uma regio de maior concentrao para uma de menor concentrao.
dp dx dn J n = qDn dx J p = qD p

Dp e Dn: constantes de difuso, ou difusibilidades Dp=12cm2/s Dn=34cm2/s

Correntes de Deriva: fluxo de portadores devido a um campo eltrico externo. p e n: mobilidades

J p = qp p E J n = qn n E
Dn

Dp

= VT =

kT q

Relao de Einstein VT=25mV

Operao Fsica dos Diodos

Silcio dopado: tipo n (Ex. P)
ND: concentrao de tomos doadores Equilbrio trmico:

nno N D nno pno = ni2 pno = ni2 ND

Figure 3.43 A silicon crystal doped by a pentavalent element. Each dopant atom donates a free electron and is thus called a donor. The doped semiconductor becomes n type.

Operao Fsica dos Diodos

Silcio dopado: tipo p (Ex. B)
NA: concentrao de tomos aceitadores Equilbrio trmico:

p po N A n po p po = ni2 n po = ni2 NA

Figure 3.44 A silicon crystal doped with a trivalent impurity. Each dopant atom gives rise to a hole, and the semiconductor becomes p type.

Operao Fsica dos Diodos

Juno pn na condio de circuito aberto

Barreira de potencial:

N N Vo = VT ln A 2 D n i

Silcio: 0.6-0.8 V

Figure 3.45 (a) The pn junction with no applied voltage (open-circuited terminals). (b) The potential distribution along an axis perpendicular to the junction.

Operao Fsica dos Diodos

Juno pn na condio de polarizao inversa

aumento da regio de depleo maior barreira de potencial

Figure 3.46 The pn junction excited by a constant-current source I in the reverse direction. To avoid breakdown, I is kept smaller than IS. Note that the depletion layer widens and the barrier voltage increases by VR volts, which appears between the terminals as a reverse voltage.

Operao Fsica dos Diodos

Ruptura da Juno: efeitos zener e avalanche
Ruptura Zener: o campo eltrico na regio de depleo aumenta at quebrar as ligaes covalentes (Vz). Os eltrons e lacunas gerados so acelerados pelo E, gerando uma corrente inversa. Ruptura por Avalanche: portadores minoritrios cruzam a regio de depleo acelerados pelo E, colidem com com tomos, quebrando ligaes covalentes. Os portadores liberados so tambm acelerados pelo E, e geram mais portadores.

Vz < 5 V Vz > 7 V 5 V < Vz < 7 V

Efeito zener Efeito avalanche combinao

Operao Fsica dos Diodos

Juno pn na condio de polarizao direta

diminuio da regio de depleo menor barreira de potencial

i = I s e v /VT 1

Figure 3.49 The pn junction excited by a constant-current source supplying a current I in the forward direction. The depletion layer narrows and the barrier voltage decreases by V volts, which appears as an external voltage in the forward direction.

Operao Fsica dos Diodos

Distribuio de portadores minoritrios:

pn(x): port. minorit. na regio n np(x): port. minorit. na regio p recombinao

Figure 3.50 Minority-carrier distribution in a forward-biased pn junction. It is assumed that the p region is more heavily doped than the n region; NA @ ND.

Operao Fsica dos Diodos

Corrente de lacunas da juno para a regio n:
Lei da juno:

pn ( xn ) = pno eV / VT
( x xn ) / L p

Lp: comprimento de difuso de lacunas na regio n

pn ( x) = pno + [ pn ( xn ) pno ]e

Corrente de difuso de lacunas:

J p = qD p

dp qD p [ pn ( xn ) pno ]e ( x xn ) / L p = dx Lp qD p Lp pno eV / VT 1 e

Jp =

( x xn ) / L p

Corrente de lacunas injetadas na regio n:

Jp =

qD p Lp

pno eV /VT 1

Operao Fsica dos Diodos

Corrente de eltrons injetados na regio p:
Jn = qDn n po eV / VT 1 Ln

Ln: comprimento de difuso de eltrons na regio p

Corrente total:

I = (J p + J n )A

A: rea da seo transversal da juno

qD p qD I = A pno + n n po eV / VT 1 L Ln p

]
Dp Dn V / VT e I = Aqni2 1 + L N p D Ln N A

pno =

ni2 ND

n po =

ni2 NA

Operao Fsica dos Diodos

Corrente total:
Chamando:

Dp Dn V / VT e I = Aqni2 1 + L N p D Ln N A

Dp Dn I s = Aqni2 + L N p D Ln N A

I = I s eV / VT 1

n: parametro de correo (efeitos no lineares): 1-2

I = I s eV / nVT 1

Anlise de Circuitos com Diodos

1. Soluo numrica iterativa

2. Soluo grfica

Modelos de grandes sinais

Diodo Ideal i

Queda de tenso constante

circuito equivalente:

Modelos de grandes sinais

Aproximo linear

Modelos de grandes sinais

Modelos para pequenos sinais

Diodos Zener

Circuitos Retificadores

Retificador de Meia Onda

Funo de transferncia:

Sada:

Retificador de Onda Completa

Funo de transferncia:

Sada:

Retificador em Ponte

Sada:

Retificador de Pico de Meia Onda

Retificador de Pico de Onda Completa

Circuitos Limitadores

Circuitos Limitadores

Circuitos Limitadores
Exemplo:

Grampeador ou Restaurador de CC
Sada:

Dobrador de Tenso

Sada: