Eletrônica Industrial

Diodos de Potência
William de Sousa Barreto
2022

Apostila do curso de Eletrotécnica no Ambiente Virtual de Aprendizagem adotado pelo IFF.

 Diodos de Potência

Introdução

Os materiais semicondutores são aqueles que possuem nível de

condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor.
Condutor: material que permite a passagem de elétrons.
Isolante: material que impede a passagem de elétrons.
Uma possibilidade para se permitir a passagem de elétrons por um
material qualquer é pelo aumento da temperatura. Quanto maior a temperatura,
maior o movimento dos elétrons da última camada, se destacando e se tornando
elétrons livres.
Outra possibilidade de se fazer isso é introduzindo impurezas na estrutura
química, tornando-o um semicondutor contaminado (a isso se dá o nome de
dopagem), conforme mostra a Figura 1. Essas impurezas são inseridas de forma
uniforme e controlada (um por um milhão, por exemplo). Assim, o semicondutor
apresentará novas características.

Figura 1 – Dopagem do silício.

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 O material ativo mais comum para a construção do diodo é o silício, um
material semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja
resistência decresce com o aumento da temperatura.
O silício tem quatro elétrons na última órbita em sua estrutura atômica. Se
a ele for acrescido um elemento penta valente, com cinco elétrons na última
órbita, haverá um elétron livre na estrutura do cristal. O elétron livre possibilita
um grande aumento na condução e, como o elétron é uma carga negativa, esse
material é conhecido como semicondutor tipo N.
Se ao silício for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com
três elétrons na sua última órbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura
cristalina, que pode receber um elétron. Esse vazio pode ser considerado uma
carga positiva, conhecida como lacuna, e possibilita um grande aumento na
condução; esse material dopado é conhecido como semicondutor tipo P.
O grau de dopagem (adição de impurezas) é da ordem de 107 átomos.
Em semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente é de elétrons e
a minoria é de lacunas. O contrário aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo
da dopagem, a condutividade do semicondutor tipo N ou P é aumentada muito
se comparada ao silício puro.

O diodo

A Figura 2 mostra que, devido ao fenômeno da difusão, assim que a

junção PN é formada, uma migração de portadores de um cristal para o outro
ocorre, ou seja, elétrons do material tipo N irão se deslocar para o material tipo
P, e as lacunas farão o caminho contrário. Ao longo do tempo, a concentração
de íons em torno do ponto de junção entre os dois cristais irá aumentar.
Devido a isso, cria-se um campo elétrico no ponto de junção, o qual age
no sentido de impedir a migração de portadores. Em um determinado momento,
a força desse campo elétrico é forte o suficiente para impedir que qualquer
portador atinja a região em torno da junção, gerando, portanto, uma região
depleta de portadores: a região de depleção, ou camada de depleção.

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 Figura 2 – Junção PN.

Para que novos portadores possam ultrapassar a região de depleção,

estes deverão possuir energia suficiente para vencer a força exercida pelo
campo elétrico formado na junção.
A largura da camada de depleção e a intensidade da barreira de potencial
podem variar devido a fatores construtivos do dispositivo, material semicondutor
utilizado e principalmente pela temperatura do material.
Imediatamente após a formação da junção, uma diferença de potencial
positiva é gerada entre os lados N e P. Essa barreira de potencial previne a
continuação do transporte de portadores através da junção PN não polarizada.
A tensão VB proporcionada pela barreira de potencial na junção, depende do
material utilizado na sua fabricação. Valores aproximados para o germânio e
silício são VB = 0,3 V e VB = 0,7 V, respectivamente.
Não é possível medir diretamente o valor de VB aplicando-se um
voltímetro conectado aos terminais dos materiais P e N, porque essa tensão
existe apenas em uma pequena região próxima à junção.
A região de depleção de uma junção PN é uma região onde existem
poucos portadores de carga, tendo assim alta resistividade.

Polarização do diodo

O diodo é o mais simples dos semicondutores. Ele permite que a corrente

flua em uma das direções, mas impede que flua na outra, isso devido a junção
4
dos cristais dopados de silício N (catodo) e P (anodo), como apresenta a Figura
3.

Figura 3 – Polarização de um diodo.

Na Figura 3, se ligarmos o termina positivo da bateria no terminal N do

diodo, os elétrons serão atraídos ao terminal da bateria bem como as lacunas do
cristal P serão atraídas para o terminal negativo da bateria. Sendo assim a
corrente não fluirá pelo diodo.
Porém, se invertemos a conexão da bateria, teremos corrente fluindo, já
que os elétrons livres no cristal tipo N serão repelidos pelo terminal negativo da
bateria e as lacunas do cristal P serão repelidas pelo polo positivo da bateria,
sendo ambos empurrados para a junção entre os cristais. Nesse momento, os
elétrons livres e as lacunas se encontram. Os elétrons livres preenchem as
lacunas. Sendo assim, os elétrons livres e as lacunas deixam de existir e novas
lacunas e elétrons são empurrados para a junção, fazendo assim que flua
corrente pela junção. Por si só, o movimento dos elétrons entre os cristais cria
uma diferença de potencial que para os diodos de silício é de 0,7 V. Em diodos
de potência, esta tensão necessária gira em torno de 1 a 2 V.
A Figura 4 mostra a simbologia utilizada em eletrônica para o diodo.

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 Figura 4 – Simbologia do diodo.

O diodo é esquematicamente representado por um triangulo e um traço.

Em um diodo real, o catodo é representado por um traço desenhado no
encapsulamento.

Diodos de potência

Os diodos de potência desempenham um papel importante nos circuitos

de eletrônica de potência. São utilizados principalmente em retificadores não-
controlados, efetuando a conversão de tensões AC para DC fixas, e como diodos
de retorno, a fim de fornecer uma passagem para o fluxo de corrente em cargas
indutivas.
São similares em função aos de junção PN; entretanto, têm uma
capacidade muito maior de potência, tensão e corrente.
Diodos de potência são caracterizados por uma maior área (para permitir
maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tensões mais
elevadas). A Figura 5 mostra a estrutura interna de um diodo de potência.

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 Figura 5 – Estrutura interna de um diodo de potência.

A estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente de um

diodo comum. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem (N-). O
papel desta região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas,
pois tornará menor o campo elétrico na região de transição (que será mais larga,
para manter o equilíbrio de carga). A região de depleção no lado N fica confinada
na região N-.
Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma
significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais
significativa quanto maior for a tensão suportável pelo componente.
No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um
capacitor, cuja carga é aquela presente na própria região de transição. A tensão
de breakdown depende da dopagem da região N-.
Na condução não existe essa carga. No entanto, devido à alta dopagem
da camada P+, por difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além
disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N -,
fazendo com que elétrons venham da região N + para manter a neutralidade de
carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual terá que ser
removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado
do diodo.
O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na verdade, muito
diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na Figura 6. Suponha-
se que se aplica uma tensão vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva.

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 Figura 6 – Formas de onda típicas de comutação do diodo de potência.

Durante t1, remove-se a carga acumulada na região de transição. Como

ainda não houve significativa injeção de portadores, a resistência da região N- é
elevada, produzindo um pico de tensão. Durante t2 tem-se a chegada dos
portadores e a redução da tensão para cerca de 1V. Estes tempos são,
tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga presente na região N- deve ser removida antes
que se possa reiniciar a formação da barreira de potencial na junção. Enquanto
houver portadores transitando, o diodo se mantém em condução. A redução em
Von se deve à diminuição da queda ôhmica. Quando a corrente atinge seu pico
negativo é que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, então, o
bloqueio do diodo. A taxa de variação da corrente, associada às indutâncias do
circuito, provoca uma sobretensão negativa.
O tempo t4 é o necessário para o armazenamento de cargas na região de
depleção. O tempo t5 serve para o armazenamento de cargas no material

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semicondutor. A soma desses dois tempos é o trr, ou tempo de recuperação
reversa.
A Figura 7 mostra o gráfico de funcionamento de um diodo de potência,
que é bem similar ao gráfico de um diodo comum.

Figura 7 – Gráfico VxI de um diodo de potência.

Principais valores nominais para os diodos

Tensão de pico inversa (PIV)

O valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse voltage – PIV) é
a tensão inversa máxima que pode ser ligada nos terminais do diodo sem
ruptura. Se for excedido a PIV nominal, o diodo começa a conduzir na direção
inversa e pode ser danificado no mesmo instante. Os valores nominais da PIV
são de dezenas a milhares de volts, dependendo do tipo do diodo. Os valores
nominais da PIV são também chamados de tensão de pico reversa (PRV) ou
tensão de ruptura (VBR).

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 Corrente direta média máxima (IF(AV)MAX)
A corrente direta média máxima é a corrente máxima que um diodo pode
aguentar com segurança quando estiver diretamente polarizado. Os diodos de
potência estão disponíveis com valores nominais que vão desde alguns poucos
a centenas de ampères.
Tempo de recuperação reverso (trr)
O tempo de recuperação reverso de um diodo é bastante significativo em
aplicações de chaveamento em alta velocidade. Um diodo real não passa, em
um único instante, do estado de condução para o estado de não-condução.
Nesse momento, uma corrente inversa flui por breve período, e o diodo não
desliga até que a corrente inversa caia a zero.
O intervalo durante o qual a corrente inversa flui é denominado de tempo
de recuperação reverso. Durante este período, são removidos os portadores de
carga armazenados na junção quando a condução direta cessou.
No entanto, consultando datasheets encontramos outras especificações
de tensão que são igualmente importantes quando pretendemos trabalhar com
estes componentes. As principais são:
VRRM = Tensão inversa máxima repetitiva (Maximum Repetitive Reverse
Voltage) – é a tensão máxima que o diodo pode suportar no sentido inverso na
forma de pulsos repetidos.
VR ou VDC = Tensão máxima contínua no sentido inverso (Maximum DC
Reverse Voltage) que o diodo pode suportar quando polarizado no sentido
inverso.
VF = Tensão Máxima no sentido Direto (Maximum Forward Voltage) – é a
tensão que aparece num diodo quando ele conduz uma determinada corrente,
especificada no datasheet. Num diodo ideal, essa tensão é nula, mas conforme
estudamos nos diodos comuns, ocorre sempre uma queda de tensão na
condução que costuma-se adotar como valor típico nos diodos de silício de 0,7
V. Num cálculo mais exato, entretanto, ela depende da corrente.
IFSM ou If(surge) = Corrente máxima de pico ou surto no sentido direto –
(Maximum (peak or surge) forward current - é o pico máximo de corrente que o
diodo é capaz de conduzir quando polarizado no sentido direto. Este parâmetro
é limitado pela capacidade de dissipação da junção, sendo normalmente muito

10
alto devido à inércia térmica. Demora um certo tempo para o calor gerado se
propagar.
PD = Dissipação máxima de potência (Maximum Total Dissipation) – é a
capacidade de dissipação de potência do diodo em watts (W). Como esta
grandeza é dada por P = V x I, ela pode ser calculada pela corrente conduzida
multiplicada pela tensão direta.
TSTG = Faixa de temperaturas de armazenamento (Storage Temperature
Range) – é a faixa de temperaturas em que o diodo pode ser guardado (sem
estar em funcionamento).
Tj = Temperatura máxima da junção (Maximum Operating Temperature)
ou máxima temperatura de funcionamento. Na maioria dos casos é o mesmo
valor da temperatura de armazenamento.
Rth = Resistência Térmica (Thermal Resistance) é a diferença de
temperatura que ocorre entre a junção e o meio exterior (ar) ou entre a junção e
os terminais para uma determinada dissipação. Esta especificação é dada em
graus Celsius por Watt (ºC/W ). Seu valor seria zero se o invólucro do diodo fosse
um condutor perfeito, mas na prática não é. Esta especificação é importante no
dimensionamento de dissipadores de calor.
IR = Corrente inversa (ou reversa) máxima (Maximum Reverse Current) –
é a corrente que circula pelo diodo quando ele é polarizado com a tensão inversa
máxima (DC), Também encontramos esta corrente indicada como “corrente de
fuga” (leakage current). Num diodo ideal ela deve ser nula, mas na prática
depende de diversos fatores, sendo o principal, a temperatura.
CJ = Capacitância típica da Junção (Typical Junction Capacitance) – é a
capacitância intrínseca que aparece entre as junções devido à região de
depleção que age como um dielétrico. Trata-se de uma capacitância muito baixa,
da ordem de picofarads.

Tipos de diodos de potência

Dependendo das características de recuperação e das técnicas de

fabricação, os diodos de potência são classificados em três categorias, que são:
os genéricos, de recuperação rápida e Schottky. As características e suas
limitações, descritas em seu datasheet, restringem suas aplicações. Os diodos
11
genéricos têm tempo de recuperação relativamente alto, quando comparados
com os de rápida recuperação e os Schottky.
Os diodos retificadores genéricos são utilizados em aplicações de baixa
velocidade, cujo tempo de recuperação reverso não é limitante. Um exemplo de
aplicação são os retificadores que trabalham na frequência de rede.
Os diodos de recuperação rápida têm tempo de recuperação reverso
baixo. São usados em conversores CC/CA e CC/CC, cuja recuperação rápida é
determinante.
Os diodos Schottky têm tempo de recuperação reverso baixo. O
armazenamento de cargas em sua junção é eliminado, ou minimizado, fazendo-
se uma barreira de potencial com um contato entre um metal e um semicondutor.
Uma camada de metal é depositada em uma fina camada de silício do tipo N.
Normalmente esses diodos não suportam tensões reversas altas.
Resumindo:

Diodos padrão ou genéricos

• Usados em retificadores e conversores de baixa frequência (até 1kHz)
• trr da ordem de 25μs
• Correntes de 1A a milhares de amperes e tensão reversa de 50V a 5kV

Diodos de recuperação rápida

• trr baixo, da ordem de 5μs
• Corrente de 1A a centenas de amperes e tensão reversa de 50V a 3kV.

Diodos Schottky
• Com junção metal-semicondutor
• Queda de tensão no sentido direto pequena
• Maior corrente de fuga
• Tensão reversa até 100V e correntes de 1 a 300A

A Figura 8 mostra um comparativo entre os tipos de diodos de potência e

suas configurações físicas. Já a Figura 9 apresenta duas configurações
possíveis para um diodo de potência, uma com o anodo na rosca e outra com
catodo na rosca.
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 Figura 8 – Comparativo entre tipos de diodo e configurações físicas.

Figura 9 – Diodo com anodo na rosca e diodo com catodo na rosca.

Como exemplos, a Figura 10 apresenta o datasheet do diodo de potência

SKN 240 e SKR 240 e a Figura 11 o datasheet do diodo Schottky 1N5817.

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Figura 10 – Datasheet do diodo de potência SKN e SKR 240.

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 Figura 11 – Datasheet do diodo Schottky 1N5817.

Proteção do diodo

Sobretensão
Quando diretamente polarizado, a tensão sobre o diodo é relativamente
baixa (por volta de 1V) e, portanto, não há problemas. No entanto, quando
inversamente polarizado, o diodo funciona como uma chave aberta. Nesse caso,
se a tensão aplicada exceder a tensão de ruptura, ele passa a conduzir
bruscamente, resultando em uma alta corrente. Unindo a alta corrente com a alta
tensão nos terminais, é bem provável que a temperatura de junção exceda o
valor máximo e ele seja danificado.
Na prática, seleciona-se um diodo com tensão de pico inversa 20% maior
que o esperado em condições normais de operação.

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 Sobrecorrente
Se a corrente nominal do diodo é excedida, a temperatura da junção é
elevada acima do limite suportado e o dispositivo é danificado. Para proteger o
diodo utiliza-se um fusível para assegurar que a corrente no diodo não exceda o
valor nominal.
Transitórios
Os transitórios podem submeter o diodo a tensões maiores que a nominal.
A proteção pode ser realizada com um circuito RC série (snubber – Figura 12)
conectado em paralelo com o diodo. Este artifício reduz a taxa de variação da
tensão, suavizando o pico de tensão gerado pelo transitório.

Figura 12 – Circuito snubber.

Análise de circuitos com diodo

Diodos em circuitos DC

A análise de circuitos com diodos requer, em primeiro lugar, a verificação

do estado do diodo (ligado ou desligado). Ele pode ser substituído por um circuito
chave equivalente. Entretanto, em alguns circuitos pode não ser tão fácil
descobrir que tipo de chave equivalente deve ser utilizada (em circuitos com mais
de uma fonte ou mais de um diodo em série, por exemplo).
Nesses circuitos, o ideal seria substituir, mentalmente, o(s) diodo(s) por
um elemento resistivo e então observar a direção da corrente resultante, em

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decorrência da tensão aplicada. Se a corrente resultante estiver na mesma
direção da flecha no símbolo, então o diodo se achará ligado.
Considerando o circuito mostrado na Figura 13, vamos calcular os valores
da corrente do diodo (ID), a tensão do diodo (VD) e a tensão no resistor (VR).

Figura 13 – Circuito com diodo alimentado em CC.

Uma vez que a corrente estabelecida pela fonte flui na direção da seta, o
diodo está ligado e pode ser substituído por uma chave fechada.
Tensão do diodo: VD = 0 V
Tensão no resistor: VR = VS – VD = 20 – 0 = 20 V
Corrente do diodo: ID = VR / R = 20 / 100 = 0,2 A
Se invertermos o diodo, a direção da corrente é agora oposta à seta. O
diodo está desligado e pode ser substituído por uma chave aberta.
Corrente do diodo: ID = 0 A
Tensão no resistor: VR = ID x R = 0 V
Tensão do diodo: VD = VS – VR = 20 – 0 = 20 V

Na Figura 14 é apresentado o exemplo de um circuito com duas fontes.

Nele podemos calcular a corrente (I) e as tensões V0, V1 e V2.

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 Figura 14 – Circuito com duas fontes.

As duas fontes ajudam uma à outra no circuito fechado; o diodo está

ligado e pode, assim, ser substituído por uma chave fechada.
Aplicando a lei de Kirchhoff das tensões (KVL), temos:
VS1 – V1 – V2 + VS2 = 0
VS1 – I(R1) – I(R2) + VS2 = 0
Determinando I nesse sistema de equações, temos:
𝑉𝑆1 + 𝑉𝑆2 25
𝐼= = = 3,5 𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2 7𝑘
V1 = I x R1 = 17,5 V
V2 = I x R2 = 7 V
V0 = V2 – VS2 = 7 – 5 = 2 V

Diodos em circuitos AC

Os circuitos AC têm uma tensão que varia com o tempo. Portanto, pode
haver instantes em que a tensão AC polariza o diodo diretamente e outros em
que o polariza inversamente. A análise do circuito pode ser feita separadamente
para os semiciclos positivo e negativo. Deve-se observar, no entanto, quando a
polaridade da tensão no diodo é direta ou inversa. O diodo pode então ser
substituído por um circuito-chave equivalente.
A Figura 15 mostra o circuito com um diodo e uma fonte de tensão AC.

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 Figura 15 – Diodo em um circuito AC.

Durante o semiciclo positivo, o anodo é mais positivo do que o catodo e,

portanto, o diodo está diretamente polarizado. Podemos substituí-lo por uma
chave fechada. Durante o semiciclo negativo, o anodo é mais negativo do que o
catodo e, portanto, o diodo está inversamente polarizado. Podemos substituí-lo
por uma chave aberta.
Durante o semiciclo positivo, a tensão nos terminais do diodo é zero e a
no resistor é a mesma da fonte. Durante o semiciclo negativo, o diodo está
inversamente polarizado e, portanto, a tensão no resistor é zero e a no diodo é
a mesma da fonte. As formas de onda de VR e VD são mostradas na Figura 16.

Figura 16 – Formas de onda de VD e VR do circuito na Figura 14.

19
Perdas no diodo

A perda total em um diodo é a soma das perdas no estado ligado, no

estado desligado e no chaveamento:
PT = PON + POFF + PSW
Onde:
𝑡𝑂𝑁
𝑃𝑂𝑁 = 𝑉𝐹 × 𝐼𝐹 ×
𝑇
𝑡𝑂𝐹𝐹
𝑃𝑂𝐹𝐹 = 𝑉𝑅 × 𝐼𝑅 ×
𝑇
𝑃𝑆𝑊 = 𝑃𝑆𝑊(𝑂𝑁) + 𝑃𝑆𝑊(𝑂𝐹𝐹)
1
𝑃𝑆𝑊(𝑂𝑁) = × 𝑉𝐹(𝑀𝐴𝑋) × 𝐼𝐹(𝑀𝐴𝑋) × 𝑡𝐹 × 𝑓
6
1
𝑃𝑆𝑊(𝑂𝐹𝐹) = × 𝑉𝐹(𝑀𝐴𝑋) × 𝐼𝐹(𝑀𝐴𝑋) × 𝑡𝑅 × 𝑓
6
Nessas equações,
VF = tensão direta
IF = corrente direta
VR = tensão inversa
IR = corrente de fuga inversa
tON = tempo de condução do diodo
tOFF = tempo em que o diodo está inversamente polarizado
tF = tempo de chaveamento na direção direta
tR = tempo de chaveamento na direção inversa

Teste de um diodo

Um ohmímetro pode ser fácil e seguramente utilizado para o teste de

diodos de potência. Ligue o ohmímetro de tal modo que ele polarize diretamente
o diodo; nesse caso, deve-se ter uma leitura de baixa resistência. A leitura efetiva
dependerá do fluxo de corrente que passa pelo diodo, a qual é fornecida pela
pilha elétrica interna do ohmímetro. Quando há inversão nos terminais do
ohmímetro, deve-se obter uma resistência bem mais alta ou mesmo uma leitura

20
de circuito aberto. A leitura de alta resistência em ambos os casos sugere que o
diodo está aberto, enquanto a leitura de baixa resistência sugere que ele está
em curto.

Operação de diodos em série e em paralelo

A potência máxima que pode ser controlada por um único diodo é

determinada por sua tensão inversa nominal e por sua corrente direta nominal.
Em aplicações de alta potência, um único diodo pode não ser suficiente para
suportar a capacidade de potência. Para incrementar essa capacidade, os
diodos podem ser ligados em série, a fim de aumentar a tensão máxima nominal,
ou em paralelo, para aumentar a corrente máxima nominal. Um arranjo de diodos
em série-paralelo pode ser utilizado para aplicações de alta tensão e de alta
corrente.

Conexão de diodos em série

Em aplicações de alta tensão, a tensão inversa máxima de um único diodo

pode não ser suficiente. A conexão de dois ou mais diodos em série (ver Figura
17) é então utilizada para aumentar o valor nominal.

Figura 17 – Conexão de diodos em série.

Entretanto, a tensão inversa pode não ficar igualmente dividida entre os

dois diodos: os terminais daquele que tem a corrente de fuga mais baixa podem

21
ficar com uma tensão inversa excessiva. Mesmo que usemos o mesmo tipo de
diodo, as características V-I podem não ser idênticas, como é ilustrado na Figura
18. A corrente nominal dos diodos em série é a mesma da corrente de cada um
dos diodos. Na direção inversa, ambos têm a mesma corrente de fuga inversa,
mas tensões inversas diferentes. Nesse caso, o diodo D1 pode exceder seu valor
nominal de tensão inversa.

Figura 18 – Características V-I de dois diodos.

O compartilhamento forçado de tensão pode ser obtido com a ligação de

resistores de compartilhamento de tensão, de valores apropriados, em paralelo
com cada um dos diodos ligados em série. As Figuras 19 e 20 mostram o efeito
da colocação de resistores em paralelo com os diodos. Para ter eficiência, a
corrente nos resistores deve ser muito maior do que a corrente de fuga dos
diodos. Os resistores compartilhadores consumirão potência durante a operação
com polarização inversa. Sendo assim, é importante utilizar as resistências de
valores mais elevados possíveis.

22
 Figura 19 – Conexão de diodos em série com resistores adicionados.

Figura 20 – Características V-I de dois diodos após a divisão igual de tensão.

Além disso, pode ocorrer uma tensão inversa excessiva em um dos

diodos, por causa dos tempos diferentes de recuperação reversa. Um capacitor
conectado em paralelo com cada diodo (ver Figura 21) protegerá o diodo dos
transitórios de tensão. O valor do resistor de compartilhamento de tensão pode
ser obtido como segue:
A fonte de tensão é:
𝑉𝑆 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2
23
 A fonte de corrente é:
𝑉𝐷1 𝑉𝐷2
𝐼𝑆 = + 𝐼𝐷1 = + 𝐼𝐷2
𝑅1 𝑅2
Determinando o valor de R, quando R = R1 = R2:
𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2
𝑅=
𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷1

Figura 21 – Conexão de diodos em série com resistores e capacitores adicionados.

A potência dissipada em R é:
2 2
𝑃𝑅 = 𝐼𝑅1 × 𝑅 + 𝐼𝑅2 ×𝑅

Conexão de diodos em paralelo

Se a corrente na carga for maior do que a corrente nominal de um diodo

único, então dois ou mais diodos podem ser ligados em paralelo (ver Figura 22),
com o objetivo de conseguir uma corrente nominal direta mais alta.

Figura 22 – Conexão de diodos em paralelo.

24
 Os diodos ligados em paralelo não compartilham igualmente a corrente
por causa das características diferentes de polarização direta. O diodo com
queda de tensão direta mais baixa tentará conduzir uma corrente mais alta e
poderá sofrer superaquecimento. A Figura 23 mostra as características V-I de
estado ligado dos dois diodos. Se ambos forem ligados em paralelo a uma
determinada tensão, uma corrente diferente fluirá em cada um deles. O fluxo
total de corrente é a soma de ID1 e ID2. A corrente nominal do par não é a soma
das correntes nominais máximas para cada um, mas um valor que pode ser
maior do que o nominal para um dos dois diodos isoladamente.

Figura 23 – Características V-I de dois diodos.

Diodos em paralelo podem ser forçados a compartilhar corrente quando

um resistor muito pequeno é ligado em série com cada um deles. Na Figura 24,
o resistor R de compartilhamento de corrente estabelece valores de ID1 e ID2
quase iguais. Embora o compartilhamento de corrente seja bastante eficaz, a
perda de potência nos resistores é muito grande. Além disso, o artifício provoca
um aumento na tensão nos terminais da combinação dos diodos. A menos que
o uso de um arranjo em paralelo se torne absolutamente necessário, é melhor
utilizar um dispositivo com um valor nominal adequado de corrente.

25
 Figura 24 – Conexão de diodos em paralelo com resistores adicionados.

O valor do resistor de compartilhamento de corrente pode ser obtido como

segue:
A tensão na combinação dos diodos é:
𝑉 = 𝑉𝐷1 + 𝐼𝐷1 × 𝑅1 = 𝑉𝐷2 + 𝐼𝐷2 × 𝑅2
Determinando o valor de R, quando R = R1 = R2:
𝑉𝐷2 − 𝑉𝐷1
𝑅=
𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2
A potência dissipada em R é:
2 2
𝑃𝑅 = 𝐼𝐷1 × 𝑅 + 𝐼𝐷2 ×𝑅

26
Exercícios

1 - Diferencie um diodo de potência de um diodo comum?

2 - O que é corrente de fuga dos diodos?
3 - O que é o tempo de recuperação reversa?
4 - O que é a corrente de recuperação reversa?
5 - Quais são as principais diferenças entre os diodos de potência comuns e os
Schottky?
6 - Se for necessário trabalhar com uma tensão acima do normal para um
determinado diodo, qual é a solução ideal?
7 - Dois diodos com tensões nominais de 800 V e correntes de fuga inversas de
1 mA estão conectados em série em uma fonte AC cujo valor de pico é VS(max) =
980 V. As características reversas são mostradas na Figura abaixo. Determine:

a) a tensão inversa no diodo.

b) o valor do resistor de compartilhamento de tensão, de tal modo que a tensão
em qualquer diodo não ultrapasse 55% de VS(max).
c) a corrente total da fonte e a perda de potência nos resistores.

27
8 - Dois diodos, com características mostradas na Figura 23, são ligados em
paralelo. A corrente total em ambos é de 50 A. Para garantir o compartilhamento
de corrente, dois resistores são ligados em série. Determine:
a) a resistência do resistor de compartilhamento de corrente, de tal modo que a
corrente que passa através de qualquer um dos dois diodos não ultrapasse 55%
do valor de I.
b) a perda total de potência nos resistores.
c) a tensão nos terminais da combinação de diodos (V).
9 - Dois diodos são conectados em série, com as características da Figura
abaixo, para dividir uma tensão total de 5 KV. As correntes de fuga reversas dos
dois diodos são ID1 = 30 mA e ID2 = 35 mA.
a) Encontrar as tensões dos diodos se as resistências de divisão de tensão forem
iguais a R1 = R2 = R = 100 KΩ.
b) Supondo R1 = 100 KΩ, encontrar a resistência de divisão de tensão R2 para
que as tensões dos diodos sejam iguais (VD1 = VD2 = VS ÷ 2).
10 - Dois diodos são conectados em paralelo e a queda de tensão direta sobre
cada diodo é de 1,5 V. Utilize a curva característica V-I da Figura abaixo e
determine as correntes diretas através de cada diodo.

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Bibliografia

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