Fontes Chaveadas - Cap.

Componentes Passivos Utilizados em Fontes Chaveadas

J. A. Pomilio

6. COMPONENTES CHAVEADAS
6.1 Capacitores

PASSIVOS

UTILIZADOS

EM

FONTES

Pode-se considerar o modelo para um capacitor mostrado na figura 6.1.a, na qual: C: capacitncia Rse: resistncia srie equivalente Lse: indutncia srie equivalente Deste circuito, pode-se afirmar que em baixas freqncias o capacitor tem seu comportamento determinado pela capacitncia. medida que aumenta a freqncia, no entanto, o elemento indutivo se torna mais significativo, sendo dominante em altas freqncias. Tal elemento decorrente, principalmente, das conexes do dispositivo. A resistncia se deve, basicamente, ao eletrlito (em capacitor eletroltico) e s conexes, variando significativamente com a temperatura. A figura 6.1 mostra o circuito equivalente e curvas tpicas para capacitores eletrolticos.

C Rse Lse a) Circuito equivalente de capacitor

C = 100 uF L = 100 nH

10 R = 1 ohm (T = -40 C)

R=.1 ohm (T=0 C) 100m

R = .01 ohm (T = 85 C)

1.0m 10Hz

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz 100MHz

Figura 6.1 b) Comportamento tpico da impedncia de capacitores A resistncia tem um efeito significativo em termos da ondulao da tenso observada nos terminais do componente, alm de ser responsvel pelas perdas (aquecimento) do dispositivo. Para uma certa variao de corrente I, a resistncia srie produz uma variao de tenso V=Rse.I, a qual pode ser muito maior que a variao determinada pela carga ou descarga da capacitncia. Muitas vezes em funo da resistncia Rse que se determina o capacitor a ser usado como filtro de sada de uma fonte, de modo a se obter a desejada variao de tenso.

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A figura 6.2 mostra a tenso de sada de um conversor abaixador de tenso, indicando claramente a predominncia da variao de tenso causada pela queda resistiva em Rse. Os valores utilizados foram obtidos do catlogo do fabricante (Icotron).

L + Rse E C Ro Vo
L=1mH C=220uF Rse=.45 ohm Ro=.5 ohm E=20V Vo=10V

10.04V

10.02V

10.00V

9.98V

9.96V

0s

0.2ms

0.4ms

0.6ms

0.8ms
Ondulao nos terminais do capacitor

1.0ms

Ondulao relativa capacitncia

Figura 6.2 Ondulao da tenso de sada e sobre a capacitncia C. Usa-se definir o "fator de perdas" do capacitor (tg ), o qual se relaciona com Rse pela seguinte expresso:
R se = tg 2fC (6.1)

Capacitores eletrolticos O capacitor eletroltico tem seu funcionamento baseado em fenmenos eletroqumicos. A principal caracterstica reside no fato que um dos eletrodos, o catodo, constitudo pelo prprio fludo condutor (eletrlito), e no por uma placa metlica. O outro eletrodo, o anodo, constitudo de uma folha de alumnio em cuja superfcie formada (por um processo eletroqumico) uma camada de xido de alumnio, a qual serve de dieltrico [6.1]. A principal vantagem destes capacitores a alta capacitncia especfica (F/m3). Isto se deve, principalmente espessura da camada de xido, tipicamente de 0,7 m (outros materiais dieltricos dificilmente tem espessura inferior a 6 m), mesmo para componentes para baixas tenses. A intensidade de campo permitida de aproximadamente 800 V/ m. O mtodo de bobinagem o mais empregado na fabricao dos componentes. A bobina contm, alm da folha do anodo, uma segunda folha de alumnio (chamada de folha do catodo) que tem, no mnimo, a mesma dimenso da folha do anodo.Esta segunda folha no oxidada e sua funo servir como uma grande rea supridora de corrente para o eletrlito.

6.1.1

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Ambas folhas so separadas por camadas de papel, cujas funes so: armazenador de eletrlito (nos poros do papel absorvente) e separador das folhas metlicas (para evitar curtocircuito). Capacitores construdos como descrito s funcionam convenientemente quando se liga o potencial positivo ao anodo. A ligao inversa produz um processo eletroltico de deposio de xido sobre a folha do catodo. Neste processo ocorre gerao interna de calor e gs, que pode destruir o componente. Por outro lado, a capacitncia diminui, uma vez que aumentada a espessura do dieltrico. Assim, a aplicao tpica em tenses contnuas. Tenses alternadas, sobrepostas contnua, desde que no alterem a polaridade, podem ser utilizadas. Na verdade as polarizaes invertidas podem ocorrer at cerca de 2 V, que o potencial no qual se inicia o processo de deposio de xido. Existem capacitores eletrolticos bipolares que, por construo, j tem ambas folhas de alumnio oxidadas. Obviamente, a capacitncia especfica menor. Como aplicaes tpicas em fontes chaveadas pode-se citar: Filtros de entrada: usa-se capacitor eletroltico de alumnio, com alto produto capacitncia x tenso (CV) e baixas perdas. Filtros de sada: capacitor eletroltico de alumnio, com baixo Rse e Lse, especiais para operao em altas freqncias. Outra caracterstica importante dos capacitores refere-se sua confiabilidade. Os fabricantes especificam seus componentes em funo de sua expectativa de vida, sendo os de alta confiabilidade aqueles que apresentam a maior durabilidade. Esta varivel determinada, para os capacitores eletrolticos de alumnio, pela qualidade dos materiais utilizados na fabricao. Em geral, a um aumento de temperatura corresponde uma reduo na vida do capacitor eletroltico, de acordo com a expresso: BT = Bo 2
T To

(6.2)

BT o tempo de vida esperado. Bo o tempo de vida de referncia, T a temperatura do capacitor, To a temperatura de referncia (To=40C). o intervalo de temperatura de meiavida ( 10 K) [6.2]. O fator de perdas diminui com o aumento da temperatura e aumenta com a elevao da freqncia de operao. Os valores so indicados, geralmente para 120Hz e 85C. Para os capacitores eletrolticos especiais para operao em alta freqncia (srie HFC da Siemens, por exemplo), os valores especificados so para 100kHz e 85C. Quanto Rse, ela tambm varia com estes parmetros, mas, usualmente, diminui com a elevao da freqncia, devido ao aumento da viscosidade do eletrlito, o que aumenta a mobilidade inica [6.3]. R se = R s (Tc ) + D 2fC (6.3)

Rs so as perdas hmicas do eletrlito, folhas e contatos. O segundo termo da equao representa as perdas no dieltrico. D o fator de dissipao (D 0,013, f a freqncia (Hz) e C a capacitncia (F). Rs normalmente tem um coeficiente negativo com a temperatura (1 a 2% por C em torna da temperatura ambiente)

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Como as perdas no capacitor esto diretamente relacionadas com a corrente RMS por ele, a uma variao de Rse corresponde uma mudana na mxima corrente admissvel. Assim, se a freqncia de operao de um capacitor eletroltico comum for acima de 2kHz, admite-se uma corrente 40% maior do que a especificada para 120Hz (devido reduo de Rse). Para uma temperatura ambiente de 40C, admite-se uma corrente 220% maior do que a especificada para 85C, o que se justifica pela maior facilidade de troca de calor com o ambiente. Por todos estes fenmenos, o valor equivalente do capacitor sofre profundas alteraes, podendo, em ltima anlise, ser obtido para cada freqncia e temperatura, das curvas de impedncia mostradas anteriormente. Em geral, capacitores para uso em CC sofrem menores variaes do que aqueles para uso em CA.

Capacitores de filme plstico metalizado Seu dieltrico um filme plstico (polister ou polipropileno) em cuja superfcie depositada, por vaporizao, uma camada fina de alumnio com espessura de 0,02 a 0,05m. Na fabricao do capacitor pode-se bobinar ou dispor o conjunto armaduras/dieltrico em camadas. Atravs da realizao de contato das superfcies laterais dos capacitores com metal vaporizado obtm-se bom contato entre as armaduras e os terminais. Este mtodo tambm assegura baixa indutncia e baixas perdas. Estes capacitores tm como caracterstica a propriedade de auto-regenerao. No caso de uma sobre-tenso que perfure o dieltrico, a camada de alumnio existente ao redor do furo submetida a elevada temperatura, transformando-se em xido de alumnio (isolante), desfazendo o curto-circuito. O tempo necessrio para ocorrer a regenerao menor que 10s. A constante dieltrica dos filmes plsticos dependente da freqncia e a capacitncia apresenta um decrscimo com o aumento da freqncia (tipicamente de 3% a 1MHz, do valor a 1kHz). A variao com a temperatura reversvel, a capacitncia se altera, tipicamente, poucos porcento numa faixa de 100oC. Com tenses alternadas (senoidais ou no) de alta freqncia, certos cuidados precisam ser tomados, uma vez que o componente pode estar submetido a elevados picos de corrente, causando problemas para os contatos e aumentado sua temperatura. Os manuais fornecem bacos que permitem determinar, para uma dada aplicao (componente, freqncia, forma da tenso alternada: pulso, senide, trapzio, dente-de-serra), a amplitude da tenso que o componente suporta. Fornece ainda a taxa de subida da tenso (V/s) e o valor caracterstico do pulso (Ko [V2/ s]). O valor Ko da aplicao, bem como o dv/dt, devem ser inferiores ao especificado. O fator de perdas depende principalmente das perdas no dieltrico (que variam com a temperatura e freqncia). As resistncias dos contatos e armaduras so de valores relativamente menores e praticamente constantes. A indutncia prpria depende da bobina e das indutncias dos terminais. A freqncia de ressonncia est, tipicamente, entre 1 e 10 MHz. Em circuitos pulsados, quando o capacitor fica sujeito a valores elevados de dv/dt (como nos circuitos amaciadores) deve-se usar componentes com dieltrico de polipropileno, especiais para regime de pulsos. Os capacitores de polipropileno so tambm utilizados nos filtros de interferncia eletromagntica (IEM), fazendo a conexo da entrada do conversor com a fonte de alimentao. Os de tipo X so usados para conexo entre os terminais de alimentao, e os de tipo Y so usados para ligar cada condutor de alimentao ao terra. Para proteo do usurio, estes componentes so de altssima confiabilidade.

6.1.2

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6.2

Componentes magnticos

As caractersticas ideais de um componente magntico so: resistncia nula, capacitncia parasita nula, densidade de fluxo magntico (B) no-saturvel (eventualmente pode-se desejar corrente de magnetizao e indutncia de disperso nulas). O desejo de no-saturao conduz a um elemento com ncleo de ar, o que implica num nmero elevado de espiras, com fio fino e, assim, elevada resistncia e capacitncia parasita. O uso de fios com maior seco transversal leva a enrolamentos muito grandes e pesados. necessrio, assim, o uso de algum ncleo magntico permitindo, com nmero razovel de espiras e volume aceitvel, obter-se a indutncia desejada, com reduzido fluxo disperso. O correto dimensionamento de um elemento magntico, seja ele um indutor ou um transformador no um trabalho simples e seu sucesso depende em grande parte da quantidade e qualidade das informaes disponveis a respeito do ncleo a ser utilizado. Diferentes autores e diferentes fabricantes indicam diferentes formas de dimensionamento destes elementos. No entanto, a prpria forma construtiva pode alterar significativamente o desempenho do dispositivo, especialmente em termos das indutncias de disperso e capacitncias parasitas. A principal caracterstica de um material ferromagntico a ser usado na construo de um elemento magntico utilizado em uma fonte chaveada a capacidade de trabalhar em freqncia elevada sem apresentar elevadas perdas, o que significa possuir um lao de histerese com pequena rea. Desejveis so o maior valor possvel de densidade de fluxo magntico, Bmax, bem como uma elevada permeabilidade. Alm disso, a resistividade do ncleo deve ser elevada a fim de reduzir as perdas relativas s correntes induzidas no prprio ncleo.

Materiais Os materiais mais utilizados so ferrites, as quais possuem valores relativamente reduzidos de Bmax (entre 0,3T e 0,5T), apresentando, porm, baixas perdas em alta freqncia e facilidades de manuseio e escolha, em funo dos diversos tipos de ncleos disponveis. As ferrites so constitudas por uma mistura de xido de ferro (Fe2O3) com algum xido de um metal bivalente (NiO, MnO, ZnO, MgO, CuO, BaO, CoO). Possuem resistividade muito maior do que os materiais metlicos (da ordem de 100k.cm) o que implica em perdas por correntes de Foucault desprezveis quando operando com um campo magntico alternado. Algumas aplicaes em que no se pode admitir distoro no campo magntico deve-se utilizar ncleo de ar, com o inevitvel valor elevado do fluxo disperso. Ncleos de ferro laminado so utilizados apenas em baixa freqncia por apresentarem lao de histerese muito largo, embora possuam um Bmax de cerca de 1,5T. Um terceiro tipo de material so os aglomerados de ferro (iron powder) [6.4] que so constitudos por minsculas partculas de compostos de ferro, aglomerados entre si, mas que apresentam um entreferro distribudo ao longo de todo comprimento magntico. um material adequando para aplicaes em que devem coexistir campos de baixa freqncia (60Hz) e de alta freqncia, garantindo, ao mesmo tempo, que o ncleo no sature e no apresente elevadas perdas.

6.2.1

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6.2.2

Formatos de ncleos Os ncleos de tipo "pot core" (e seus derivados tipos RM, PM, EP, cube core, etc.) so geralmente usados na construo de indutores e transformadores para pequenas e mdias potncias, com baixa disperso, devido sua forma fechada.

Figura 6.3 Ncleos de ferrite da Thornton Inpec [6.5] Os ncleos EE e EI apresentam valores mais elevados de Bmax, sendo mais usados em aplicaes de potncia mais elevada. Apresentam valores maiores de fluxo disperso. J os ncleos tipo U e UI so utilizados em transformadores de alta tenso, devido possibilidade de alocar-se cada enrolamento numa das pernas, facilitando a isolao, custa de um maior fluxo disperso. Tanto os ncleos E como os ncleos tipo U podem ser associados, criando maiores seces transversais, possibilitando a obteno de transformadores para potncia na faixa dos quilowatts. Finalmente, os ncleos toroidais so usados em aplicaes nas quais o fluxo disperso deve ser mnimo, permitindo obter-se indutores muito compactos. So usados especialmente em transformadores de pulso e filtros de IEM [6.6].

Histerese, saturao e fluxo residual A figura 6.4 mostra a relao entre B (densidade de fluxo magntico [G] ou [T=Wb/m2]) e H (campo magntico [A.esp/m]) quando uma tenso alternada aplicada ao enrolamento que magnetiza o ncleo. B proporcional ao fluxo magntico [Wb] e H proporcional corrente que circula pelo enrolamento. Nota-se que o caminho seguido quando o fluxo (ou B) cresce no o mesmo seguido quando o fluxo diminui. Este comportamento chamado histerese. Quando H=0, a densidade de fluxo no zero, tendo um valor + Br, chamada magnetizao remanente, ou densidade de fluxo residual. Quando B=0, o campo magntico no nulo, mas vale + Hc, parmetro chamado fora coerciva do material. A inclinao B/H a permeabilidade incremental do material, i, a qual tende a 0 (permeabilidade do vcuo) quando B tende para seu valor mximo, Bmax, que caracteriza a saturao do ncleo. Na maior parte das aplicaes, a operao na regio de saturao evitada. A razo para isso que, na saturao, ocorre uma drstica reduo na indutncia com a conseqente
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6.2.3

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grande elevao de corrente (associada a H) para pequenas variaes de tenso (associada a B). Para um transformador, a saturao significa ainda uma reduo no fator de acoplamento entre os enrolamentos, uma vez que o ncleo perde sua caracterstica de menor relutncia em relao ao ar.
B(G)
5.0K
Bmax

Br -Hc -3.0 -2.0 -1.0 0.0 Hc -Br 1.0 2.0 3.0

H (A.esp/m)

1 T = 10000 G
-Bmax

-5.0K

Figura 6.4 Curva de histerese tpica. O dimensionamento de um elemento magntico feito, via de regra, em situaes de regime permanente, ou seja, considerando-se que a tenso mdia nos terminais do dispositivo nula e a densidade de campo magntico excursiona entre os valores simtricos de B. O problema da saturao agravado nas situaes transitrias, especialmente no incio de operao do dispositivo (start-up). Partindo-se de uma situao em que B=0, no primeiro semi-ciclo de funcionamento tem-se a possibilidade de variar o fluxo em apenas metade da excurso necessria. A soluo, bvia, de projetar o elemento para suportar o dobro de variao de fluxo, no muito razovel por aumentar demasiadamente (4 vezes) o volume do componente. A melhor soluo controlar eletronicamente a partida do conversor (soft-start). O problema de start-up agravado quando Br tem valor elevado. Suponhamos que o circuito foi desenergizado quando se estava no ponto A da curva B x H (figura 6.4). A corrente ir a zero e tem-se B=Br. O reincio de operao a partir deste ponto leva a resultados ainda piores do que uma partida com B=0. A figura 6.5 mostra a trajetria no curva B x H e as formas de onda de tenso e corrente em um transformador a partir de sua energizao. Note que, com fase inicial nula na tenso, a corrente apresenta um deslocamento CC devido resposta do circuito RL, o que leva a um aprofundamento na regio de saturao. Com o passar do tempo este nvel CC se anula e as variveis passam a ter uma excurso simtrica em relao ao zero. No entanto, os instantes iniciais podem ser danosos para o dispositivo pois a saturao profunda, ao reduzir a indutncia, pode aumentar em demasia a corrente, alm dos limites dos componentes. Este deslocamento CC no ocorre se a tenso aplicada partir de um ngulo de 90. No entanto, isto nem sempre fcil de ser ajustado. A soluo normalmente empregada em fontes chaveadas est indicada na figura 6.6. Trata-se de uma partida suave, em que a tenso aplicada ao transformador aumentada gradualmente. Note que a excurso no plano B x H se torna simtrica, assim como a corrente.

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Figura 6.5 Transitrio de energizao de transformador.

Figura 6.6 Transitrio de energizao de transformao com partida suave. A magnetizao remanente pode ser atenuada pela incluso de um entreferro no ncleo. Para uma dada fora magneto motriz (Fmm=N.i) tem-se:
Hg g + Hm l c = N i B = 0 Hg = c H m (6.4) (6.5)

Hm e Hg so as intensidades do campo magntico no ncleo e no entreferro, respectivamente. l c o comprimento do circuito magntico (no ncleo) e g o comprimento do entreferro. o a permeabilidade do ar e c a permeabilidade do ncleo. A densidade do campo magntico (B) mantm-se constante ao longo de todo caminho magntico (desconsiderando a disperso). O valor de campo magntico para o qual se atinge o limite de saturao estabelecido em projeto :

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Hm =

N i Bm g lc 0 l c

(6.6)

Nota-se na figura 6.7 que a introduo do entreferro faz com que Hm seja atingido para valores maiores de corrente. O efeito sobre a curva B x Ni mostrado na figura 6.7.b. A indutncia incremental se reduz, mas linearizada. O valor de Br tambm se reduz. Bmax no se altera por ser uma caracterstica do material. O fluxo magntico proporcional a B, enquanto a corrente proporcional a H. Assim, a curva de magnetizao que relaciona com i, cuja inclinao a indutncia do elemento magntico, tem o mesmo comportamento da curva B x H. Em sntese, a presena do entreferro leva a uma diminuio da indutncia, manuteno de um valor constante, independente da corrente, e aumenta o valor da corrente na qual ocorre a saturao.

Figura 6.7. a) Curva de histerese tpica de ferrite. b) Curva de histerese em indutor com entreferro de 0,1mm

6.2.4

Perdas nos elementos magnticos

6.2.4.1 Perdas no ncleo Estas perdas so devidas s correntes induzidas no ncleo (correntes de Foucault) e histerese do material magntico. As perdas por histerese so o resultado da energia consumida para girar a orientao dos domnios magnticos dentro do material. Esta energia corresponde rea interna do lao de histerese. Seu valor por ciclo e por unidade de volume do material :
r r E = H dB
(6.7)

Os materiais atualmente disponveis no conduzem simultaneamente a boas solues para ambas perdas. Quando se obtm uma curva B-H estreita (como em materiais com mangans e zinco), a resistividade baixa. Em ferrites base de nquel tem-se elevada resistividade, mas um lao de histerese consideravelmente maior.
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Em materiais de baixa resistividade faz-se a laminao do ncleo a fim de elevar a resistncia. As lminas devem ser isoladas entre si, o que ocorre, via de regra, pela prpria oxidao do material ou pelo uso de verniz. Ncleos laminados podem ser utilizados em freqncias at 20 kHz. Acima deste valor deve-se utilizar cermicas (ferrites) ou ncleos de p de ferro. As perdas no ncleo podem ser expressas por: R fe = L (a B f + c f + e f 2 ) Rfe: resistncia equivalente para as perdas totais no ncleo : permeabilidade L: indutncia a: coeficiente de perdas por histerese (dado de catlogo) c: coeficiente de perdas residuais (dado de catlogo) e: coeficiente de perdas por correntes de Foucault (dado de catlogo) B: fluxo mximo de trabalho (especificao do projeto) f: freqncia Como as perdas por histerese dependem de B, usualmente utiliza-se um valor relativamente baixo para este parmetro (50% de Bmax para os circuitos MLP e 15% para os ressonantes). As perdas devido s correntes induzidas crescem com o quadrado da freqncia, o que leva necessidade do uso de materiais com elevada resistividade volumtrica, como as ferrites. (6.8)

6.2.4.2 Perdas nos enrolamentos As perdas nos enrolamentos no so devidas unicamente resistncia dos fios de cobre utilizados, mas, principalmente, ao efeito pelicular ("skin effect"). O efeito pelicular devido presena de componentes de corrente em alta freqncia, que produzem um elevado campo eltrico no interior do condutor, o qual normal superfcie do fio. Isto "empurra" a corrente do centro para a periferia do condutor, reduzindo a rea por onde, efetivamente, passa a corrente, elevando a resistncia do caminho e as perdas. A expresso para o efeito pelicular, para um condutor de cobre, pode ser aproximada por:
= 4,35 10 3 f (6.9)

: dimenso dentro da qual, para uma dada freqncia, no ocorre reduo significativa na superfcie condutora (em metros) Por exemplo, para 20kHz, = 0,47 mm, ou seja, um fio com dimetro de 0,94 mm pode ser usado para conduzir uma corrente a 20kHz sem ter sua rea condutora significativamente reduzida pelo efeito pelicular. Relembre-se aqui que as correntes no so, via de regra, senoidais, de modo que deve ser considerado um certo fator de folga para acomodar as perdas devidas s componentes harmnicas. A figura 6.8 mostra, para cada freqncia, qual condutor (de cobre) pode ser usado de maneira evitar o aumento das perdas pelo efeito pelicular.

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A maneira usual de se contornar este problema o uso de "fio Litz", o qual um cabo composto por diversos fios (isolados entre si) de dimetro adequado freqncia de operao, cuja seco transversal total permita uma densidade de corrente suficientemente baixa para no causar perdas elevadas (em geral inferior a 3 A/mm2). Outra possibilidade o uso de fitas de cobre com espessura inferior a 2. Como, geralmente, estas fitas no so isoladas, deve-se tomar cuidados adicionais com este aspecto. Um outro aspecto que deve ser lembrado refere-se induo de corrente nos condutores prximos s regies do ncleo nas quais ocorre um estrangulamento do fluxo magntico com uma conseqente disperso local pelo ar. bvio que este problema mais grave se for utilizado um enrolamento com fita metlica, a qual apresenta uma resistncia menor do que um cabo Litz de rea equivalente (em virtude da isolao entre cada fio).
Dimetro do fio em mm
10

0.1

1000

1 10

4 f(Hz)

5 1 10

6 1 10

Figura 6.8 Dimetro de fio que deve ser usado em funo da freqncia. Em um transformador, caso se faa uso de condutores slidos, de cabos Litz e fitas, a colocao de cada um no ncleo deve seguir a seguinte ordem: cabo Litz mais prximo ao ncleo (e, assim, mais susceptvel ao fluxo disperso), metade do enrolamento do primrio, os secundrios com fita, e a segunda metade do primrio. Note-se que a posio do secundrio enrolado com fio Litz no contido pelo primrio, leva a um aumento do fluxo de disperso, com os inconvenientes j citados. A figura 6.9 mostra o arranjo recomendado [6.7].
Fitas de isolao Ncleo Fio Litz Secundrios

1/2 primrio

Figura 6.9 Arranjo de enrolamentos em transformador de alta freqncia

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Modelo para um transformador Um modelo de parmetros concentrados pode ser usado para anlise de um transformador, incluindo seus elementos parasitas e no-idealidades, associados a um transformador ideal. A figura 6.10.a mostra um circuito de parmetros concentrados para modelagem de transformadores. Rp e Rs so as resistncias dos enrolamentos de primrio e secundrio, respectivamente. Lp e Ls representam as indutncias de disperso. Lm a indutncia de magnetizao do primrio, enquanto Rfe representa as perdas no ncleo por causa da histerese e das corrente de Foucault. Cp e Cs so as capacitncias existentes entre espiras de cada enrolamento, enquanto Cps indica a capacitncia entre os enrolamentos. Na verdade estas capacitncias so elementos distribudos e o modelo vlido apenas dentro de certos limites de freqncia, acima do qual deixa de representar adequadamente o dispositivo. Este modelo no inclui os efeitos da saturao (o que daria uma caracterstica no-linear s indutncias), uma vez que o projeto do transformador deve evitar a operao nos limites da saturao. Para os transformadores de alta tenso, nos quais o nmero de espiras do secundrio elevado, a capacitncia Cs pode assumir valores muito significativos, especialmente quando refletida ao primrio. J a capacitncia entre enrolamentos produz um caminho de baixa impedncia entre primrio e secundrio, em altas freqncias, fazendo um acoplamento muito danoso, especialmente em termos de interferncia eletro-magntica. A resposta em freqncia de um transformador, obtida por simulao do modelo estudado (com os parmetros estimados a partir de resultados experimentais de um transformador de alta freqncia e alta tenso) mostrada na figura 6.10.b. Em baixas freqncias e efeito dominante o da indutncia de magnetizao. medida que se eleva a freqncia, a reatncia das capacitncias dos enrolamentos vai se tornando mais importante, chegando-se a uma ressonncia paralela entre estas capacitncias e Lm, com o fator de qualidade dado principalmente por Rfe. Em freqncias ainda mais altas surge o efeito da indutncia de disperso, que produzir uma ressonncia srie com as capacitncias dos enrolamentos e se tornar dominante aps tal freqncia. Cps Lp Rp Rs Ls
Lm

6.2.5

Cp Rfe

Cs

a)

1:N IDEAL

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90d

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Fase

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-90d 10k

Mdulo

Rp=.01 Lp=1uH Rfe=10k Cp=10pF Lm=100uH Cps=10pF N=40 Cs=100pF Ls=10uH Rs=1

b)

10m 1.0kHz

10kHz

100kHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

Figura 6.10 .a) Modelo de parmetros concentrados para transformador b) Impedncia, vista pelo primrio, de transformador

6.2.6

A posio dos enrolamentos A forma construtiva dos enrolamentos muito significativa para a determinao dos valores da indutncia de disperso e das capacitncias. Para obter uma pequena disperso de fluxo deve-se colocar os enrolamentos numa disposio que permita ao fluxo produzido por um deles enlaar de maneira mais efetiva as espiras do outro. Por exemplo, a disposio mostrada na figura 6.11, com todo o secundrio colocado sobre o primrio, apresenta um maior fluxo disperso do que um arranjo no qual o primrio enrolado entre 2 segmentos do secundrio. Outra possibilidade fazer um enrolamento bifilar, mas isto s possvel quando ambos condutores tiverem dimetros semelhantes, e quando no for necessria uma maior isolao entre os enrolamentos. Se, por um lado este arranjo reduz a disperso, por outro aumenta a capacitncia entre os enrolamentos. A reduo da capacitncia entre enrolamentos pode ser obtida pela colocao de um filme ou fita entre cada enrolamento. Uma fita metlica pode ser usada ainda como uma blindagem eletrosttica, o que pode ser til para efeito de reduo de interferncia eletromagntica. Obviamente a fita no pode se constituir numa espira em curto, devendo ser adequadamente isolada.
Primrio Primrio

NCLEO

NCLEO

Isolamento

Secundrio Figura 6.11 Posies de enrolamentos em transformador.

Secundrio

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6.2.6.1 Regulao Cruzada Em transformadores com mais de um secundrio, normalmente a realimentao para efeitos de controle feita a partir do secundrio que fornece a maior potncia. esta sada que determinar se o ciclo de trabalho deve aumentar ou diminuir, a fim de manter estvel a tenso de sada. As demais sadas sofrero alterao de sua tenso em virtude da mudana na largura do pulso. Por exemplo, consideremos uma fonte que fornea +5V, +12V e -12V, com a sada de +5V sendo utilizada para efeito de realimentao. A figura 6.12 mostra as caractersticas de regulao (normalizadas). Um aumento na carga desta sada provoca uma queda maior nas resistncias dos enrolamentos (primrio e secundrio +5V), produzindo uma reduo na tenso de 5V, o que leva o circuito de controle a aumentar a largura do pulso a fim de recuperar a tenso esperada (caso A). Supondo que no tenha havido variao significativa nas cargas conectadas s sadas de +12V e -12V, suas tenses sero aumentadas indevidamente (caso B). De maneira oposta, se ocorrer um aumento na carga de uma das sadas no realimentadas, o circuito de controle no se dar conta da alterao, no alterando o ciclo de trabalho e, assim, no corrigindo a tenso (caso C). Tais variaes podem, facilmente ultrapassar 20%, podendo colocar em risco as cargas alimentadas pela fonte. As medidas relativas aos enrolamentos e que podem minimizar estes fenmenos referem-se tambm a buscar o mximo acoplamento possvel entre todos os enrolamentos. A melhor maneira de se obter este acoplamentos se fazer um cabo com todos os fios dos enrolamentos de sada, enrolando-os juntos no ncleo (desde que a isolao propiciada pelo verniz dos fios seja suficiente para a aplicao especfica). Isto permite que a variao de carga em uma das sadas afete a tenso nas demais, de modo a que o circuito de controle perceba a perturbao. A figura 6.13 mostra diferentes arranjos, e a tabela 6.I d os resultados experimentais [6.8].
Tenso de sada (normalizada) B A C Sada realimentada

100

120

Potncia de sada (%)

Figura 6.12 Tenses de sada normalizadas para fonte com mltiplas sadas. Caso este tipo de enrolamento no seja possvel, deve-se buscar a melhor disposio relativa dos enrolamentos, como mostrado nas figuras abaixo.

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T1 Primrio

T2 Secundrio 1

T3 T4 Secundrio 2

Figura 6.13 Diferentes arranjos de enrolamentos em transformador com mltiplas sadas. TABELA 6.I Resultados de variao da tenso da sada no realimentada (secundrio 2, 12 V) com a variao da carga na sada realimentada (Vo1 = 5 V e Ro2 = 7,8 )
T1 (V) 18,20 17,97 17,78 17,59 17,41 17,20 17,13 16,85 13,36 T2 (V) 17,20 16,97 16,75 16,45 16,19 15,97 15,74 15,55 12,14 T3 (V) 16,40 16,26 16,15 15,96 15,76 15,61 15,51 15,36 12,27 T4 (V) 16,30 16,15 16,00 15,85 15,70 15,55 15,45 15,30 12,26 R01() 0,44 0,50 0,56 0,65 0,77 0,96 1,27 1,83 3,5

6.3

Supercapacitores

Um capacitor tradicional acumula energia no campo eltrico criado pela separao das cargas eltricas. Este campo existe no dieltrico que se torna polarizado. A capacitncia proporcional permissividade do material e rea das placas, sendo inversamente proporcional distncias entre as placas. J em um supercapacitor no h um dieltrico, mas um eletrlito. A principal diferena a grande rea propiciada por materiais porosos, aliada pequena distncia entre as cargas, que da ordem de nanmetros. Com um eletrlito aquoso, a tenso por capacitor de cerca de 1 V, enquanto para um eletrlito orgnico este valor cresce para 2,5 V. A obteno de tenso elevada feita pela associao em srie de capacitores [6.9]. Hermann Helmholtzi, em 1853, descreveu que quando uma tenso aplicada entre dois eletrodos de carbono, imersos em um fluido condutor, no h circulao de corrente at que uma certa tenso limiar seja atingida. Ao se iniciar a conduo h tambm a formao de gs devido reao qumica na superfcie dos eletrodos. Abaixo desta tenso limiar o dispositivo se comporta como um capacitor [6.10 e 6.11]. Diferentemente de uma bateria, no h acmulo de energia qumica. Em torno de um eletrodo poroso de carbono situa-se o eletrlito, carregado de cargas. Na realidade, conforme
Interessantes transcries de conferncias de Helmholtz esto disponveis em : http://www.fordham.edu/halsall/mod/1862helmholtz-conservation.html (em 04/04/2003), On The Conservation Of Force, 1863. http://dbhs.wvusd.k12.ca.us/Chem-History/Helmholtz-1881.html (em 04/04/2003), THE MODERN DEVELOPMENT OF FARADAY'S CONCEPTION OF ELECTRICITY, 1881. Uma biografia de Helmholtz pode ser obtida em: http://www.geocities.com/bioelectrochemistry/helmholtz.htm (em 04/04/2003). http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor 6-15
i

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mostra a figura 6.14, h dois eletrodos e, nas adjacncias de cada um, ocorre o acmulo de ons positivos e negativos O separador isola os eletrodos, mas permite a livre passagem dos ons. Por esta razo estes dispositivos so tambm denominados capacitores de dupla camada. Do ponto de vista de uma aplicao, a principal diferena entre um supercapacitor e uma bateria o fato da bateria ter um melhor desempenho como fonte de energia, enquanto o capacitor tem um comportamento superior em termos de fonte de potncia. Ou seja, para uma dada tenso, um supercapacitor capaz de responder a uma demanda de corrente de maneira muito mais rpida do que uma bateria, o que se deve a uma resistncia interna muito menor. No entanto, mesmo podendo atingir capacitncias muito elevadas (da ordem de milhares de Farads), a energia acumulada, merc da baixa tenso, muito inferior que se consegue numa bateria com volume/peso equivalente. A figura 6.15 mostra um mapeamento de diferentes dispositivos de acmulo de energia em funo de densidade de potncia e de energia, chamado diagrama de Ragone. Nota-se que os SC (na figura designados como capacitores eletroqumicos), podem apresentar densidade de potncia similar a um capacitor eletroltico, o que significa que o produto tenso x corrente similar. No entanto, a densidade de energia de uma a duas ordens de grandeza superior, o que significa que um SC capaz de acumular muito mais energia. Em relao s baterias e clulas a combustvel, apresentam densidade de energia muito menor, mas com densidade de potncia muito mais elevada. No entanto um supercapacitor no se comporta exatamente como o modelo de dupla camada de Helmholtz, pois as cargas do eletrlito no se acumulam na superfcie imediatamente vizinha ao eletrodo, mas se distribuem de uma maneira mais complexa, que pode ser modelada de vrias formas, como ilustra a figura 6.16 [6.12]. No modelo de Helmholtz, a separao entre as cargas seria igual ao dimetro molecular do eletrlito. Para um eletrlito aquoso, isto levaria a uma capacitncia tpica de 340F/cm2 de superfcie do eletrodo, o que mais de uma ordem de grandeza superior ao que se obtm na prtica.

Fig. 6.14 Estrutura bsica de supercapacitor e vario idealizada do potencial eltrico no interior do mesmo (Figura obtida de [6.12]).

Fig. 6.15 - Mapa comparativo de caractersticas de densidade de potncia e de energia de diferentes dispositivos de acmulo (Figura obtida em [6.12]).

O modelo de Stern, leva em conta que parte da carga se apresenta difusa no eletrlito, podendo-se considerar que h duas capacitncias em srie, uma devido camada compacta e outra camada difusa. A capacitncia total ser menor do que esta ltima. Um modelo eltrico que represente todos estes comportamentos fsicos e qumicos no simples. A complexidade

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do modelo adotado, no entanto, depende da aplicao especfica e do erro admissvel em cada anlise. Um melhor modelo eltrico deve considerar que processos de carga e descarga no so simultneos em toda superfcie do material poroso, levando a um circuito com capacitncias distribudas, acopladas por resistncias, como mostra a figura 6.16. Tais capacitncias so ainda dependentes da tenso aplicada.

a) b) Figura 6.16 Modelo de distribuio de cargas de Helmholtz (a) e de Stern (b) (Figura obtida em [6.13]).

Figura 6.17 Circuito equivalente para cada poro do eletrodo (Figura obtida de [6.12]). Conforme citado em [6.12], a primeira patente deste tipo de dispositivo de 1957 [6.14], com os primeiros componentes aparecendo no mercado em 1970 [6.15], com o chamado SOHIO. Mas apenas nos anos 90 os supercapacitores comearam a ter um uso mais intenso. H vrias companhias fabricantes, como a Maxwell Technologies [6.16], a Siemens Matsushita (atravs da EPCOS) [6.17], NEC-Tokin [6.18], Panasonic [6.19], ELNA [6.20], AVX [6.21] (estes quatro ltimos com componentes para aplicaes eletrnicas, ou seja, de baixa tenso), Evans [6.22], etc. Como caractersticas gerais de um supercapacitor, pode-se indicar: Densidade de energia 100 vezes maior do que um capacitor convencional; Densidade de potncia dez vezes maior do que baterias convencionais; Densidade de energia na faixa at 10 Wh/kg; Densidade de potncia: 18 kW/l Capacitncias at 5000 F por clula; Tenso nominal entre 2,3 e 100 V (mdulos com associao em srie); Corrente nominal entre 3 e 1000 A; Faixa de potncia at 100 kW; Baixa Rse, o que aumenta a capacidade de suportar elevadas correntes Temperatura de operao entre 20o C e +55o C; Modular e empilhvel;
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Menor custo por Farad em relao aos capacitores eletrolticos; No necessita de manuteno; No provoca danos ambientais.

Em relao ao custo destes dispositivos, seu valor ainda relativamente elevado. No entanto, este custo fortemente determinado pelo fator de escala de produo, sendo esperada uma reduo medida que se ampliem as aplicaes. Do ponto de vista tcnico, no h dvidas quanto ao papel mpar que estes componentes ocupam.

6.4
[6.1] [6.2]

Referncias Bibliogrficas
Capacitores Eletrolticos de Alumnio. Catlogo Icotron. Capacitores Eletrolticos de Alumnio, Boletim Tcnico Informativo Icotron, Ano V, n 29, Abril/Maio 1980. S. G. Parler Jr., Deriving Life Multipliers for Electrolytic Capacitors. IEEE Power Electronics Society Newsletter, First Quarter, 2004, pp. 11-12. http://www.micrometals.com (em 23/11/2004) http://www.thornton.com.br/Port/p_linha_de_produtos.htm (em 08/12/2004) http://www.mag-inc.com/pdf/2004_Design_Information.pdf (em 08/03/2005) G. Chryssis: High-frequency switching power supplies, McGraw-Hill Book Co. New York, 1986. W.B.M. Nascimento e J. C. Fagundes, Static Cross Regulation Analysis Using a Multiple Output Forward Converter 1 Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia. Florianpolis, Dezembro de 1991. P. Barrade, S. Pittet, A. Rufer: Energy storage system using a series connection of supercapacitors, with an active device for equalizing the voltages, IPEC 2000: International Power Electronics Conference, 3-7 April, Tokyo, Japan

[6.3] [6.4] [6.5] [6.6] [6.7] [6.8]

[6.9]

[6.10] H. L. F. von Helmholtz, Uber einige Gesetze der Vertheilung elektrischer Strome in korperlichenLeitern mit Anwendung auf die thierisch-elektrischen Versuche [Some laws concerning the distribution of electrical currents in conductors with applications to experiments on animal electricity]. Annalen der Physik und Chemie, 89(6):211233, 1853. [6.11] H. Michel, C. Raible: Bursting with Power, PCIM Europe Magazine, 3/1999, pp. 3637. [6.12] R. Kotz, M. Carlen: Principles and Applications of Electrochemical Capacitors, Electrochimica Acta, vol. 45, 2000, pp. 2483-2498. [6.13] F. Belhachemi, S. Rael, B. Davat, A physical based model of power electric doublelayer supercapacitors, Proc. of the IEEE IAS Annual Meeting, Rome, Italy, Oct. 2000. [6.14] H. E. Becker, U.S. patent 2 800 616 (to General Electric), 1957.
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[6.15] D. I. Boos, U. S. Patent 2 536 963 (to Standard Oil, SOHIO), 1970. [6.16] http://www.maxwell.com/ultracapacitors/ (em 01/04/2003) [6.17] http://www.epcos.com/web/home/html/home_e.html (em 01/04/2003) [6.18] http://www.nec-tokin.net/now/english/product/pdf_dl/SuperCapacitors.pdf 01/04/2003) [6.19] http://www.panasonic.com/industrial/components/pdf/double_appguide_dne.pdf 01/04/2003) [6.20] http://www.elna-america.com/dlc.htm (em 01/04/2003) [6.21] http://www.avxcorp.com/docs/techinfo/bcapdim.pdf (em 01/04/2003) [6.22] http://www.evanscap.com/MegaCap.pdf (em 01/04/2003). Refere-se ao artigo de R. S. Blakeney, Performance of a New Line of Large Carbon Double Layer Capacitors, 38th Power Sources Conference, June 8 - 11, 1998 in Cherry Hill, NJ USA. (em

(em

6.5

Exerccios

1. Com base no modelo apresentado abaixo, determine os parmetros para o transformador que apresenta a seguinte resposta em freqncia:
Rp Lp

Lm Rfe 1 : 100 IDEAL

Cs

Grfico superior: mdulo da impedncia vista pela entrada. Grfico inferior: fase da impedncia vista pela entrada.

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2. Com os valores calculados, simule o circuito e verifique se o seu modelo calculado consistentes a resposta em freqncia dada acima. 3. Adicione uma carga de 500 k na sada do transformador e , usando o seu modelo (caso esteja correto) refaa a anlise anterior (impedncia vista da entrada). Trace tambm a curva referente ao ganho de tenso entre a sada e a entrada. Analise e comente. 6. Simule no tempo o circuito anterior para trs situaes: Tenso de entrada de 100V (valor de pico) e 10 kHz. Tenso de entrada de 100V (valor de pico) e 100 kHz. Tenso de entrada de 100V (valor de pico) e 300 kHz. luz da resposta em freqncia do item anterior, analise e comente os resultados referentes tenso de sada e corrente de entrada. Para esta simulao, imponha fase 90 na tenso de entrada e corrente inicial nula no indutor de disperso. Simule pelo menos 10 ciclos para que o efeito do transitrio de partida se extinga. 5. Simule em Pspice um conversor abaixador de tenso, com tenso de entrada de 20V, largura de pulso de 50%, L=100uH, carga de 20 ohms, freqncia de comutao de 50kHz. Estude e comente o comportamento da ondulao da tenso de sada para os casos de capacitor ideal (100uF), com Rse=0,1 ohm, e com Rse (0,1 ohm) e Lse de 100nH.

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