DESARROLLO DE LA GUA

FIDEL ANGEL BAQUERO LAGOS

1. Realizar un anlisis de la evolucin de los componentes y dispositivos que ayudaron a la evolucin tecnolgica digital actual, teniendo en cuenta los siguientes aspectos: a. Resumen cronolgico de la evolucin de los Circuitos integrados. b. Avances tecnolgicos que contribuyeron a aumentar el nivel de integracin de los IC's. SOLUCIN. Un poco de Historia:
Primer tubo electrnico (de rayos catdicos). 1872
El catedrtico de fsica y qumica alemn Johann Wilhelm Hittorf (1824-1914) contribuy poderosamente al desarrollo de la electroqumica con innumerables inventos. Por uno de sus trabajos (tubo de Hittorf, 1872) es considerado precursor del tubo de Crookes con el que William Crookes dedujo la existencia de los rayos catdicos (1878).

Johann Wilhelm Hittorf

El fsico ingls John Ambrose Fleming inventa el diodo de vaco 1904 (llamado vlvula de vaco), que reemplaza a los rels electromecnicos (rels telefnicos) y como dispositivo biestable (con dos estados).

Vvula de vaco

Sir John Ambrose Fleming (Lancaster, 29 de noviembre de 1848 - Devon, 18 de abril de 1945), fsico e ingeniero elctrico britnico. Estudi en el UniversityCollegeSchool y ms tarde en el UniversityCollege London. En noviembre de 1904 invent el diodo o vlvula termoinica usando el efecto Edison que ste haba descubierto en 1883. Este invento es considerado el inicio de la electrnica. Como reconocimiento la Royal Society of Arts de Londres premi a Fleming en el ao 1921 con la Gold Albert Medal y en 1929 recibi el ttulo de sir. Fue considerado como uno de los precursores de la electrnica.

Al utilizar una vlvula diodo (el diodo Fleming) se pasa corriente alterna a corriente continua (proceso de rectificacin).

Se obtienen diodos de silicio (semiconductores).Se construye el 1906triodo (equivalente al transistor pero en vlvula de vaco).

Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda).

Construccin de la radio por Marconi. 1612

Guglielmo Marconi (Guillermo en castellano), (n. Bolonia, 25 de abril de 1874 - Roma,20 de julio de 1937) fue un ingeniero elctrico italiano y ganador del Premio Nobel de Fsica en 1909, conocido por el desarrollo de un sistema de telegrafa sin hilos (T.S.H.) o radiotelegrafa. Tambin fue presidente de la Accademiad'Italia.

Se desarrolla el tiratron, comienzo de la electrnica de potencia. 1929

Se llama tiratrn a una vlvula termoinica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Se utiliza para el control de grandes potencias y corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio de los electrones termoinicos, se tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo. A diferencia del triodo, la corriente de nodo no es proporcional a la tensin de rejilla, sino que cuando se dispara, se produce la ionizacin del gas que lleva al dispositivo a su resistencia mnima.

Walter Brattain, John Barden y W. Shockley inventan en los 1947laboratorios Bell el transitor, que sustituy a la vlvula de vaco por su mayor fiabilidad, su menor tamao y su menor coste.

Primer transistor

Aparece el transistor bipolar. 1950

Replica del primer transistor.

Transistor bipolar moderno.

Shockly propone el transistor de efecto de campo (FET). 1953 Memorias de ferrita inventadas por Forrester y Wang.

William Bradford Shockley Jr.

Memorias de ferrita.De forrester y Wang.

Descubrimiento del tiristor. 1955

Premio Nobel en fsica a Barden, Brattain, y Shockly por el 1956descubrimiento del transistor. Jack Kilby inventa el circuito integrado, usandose en un principio 1958para chips de memoria.

Jack St. Clair Kilby Yo cre entonces que el microprocesador sera importante, pero no poda imaginar en qu forma crecera la industria electrnica debido a l, agreg. Kilby comenz su carrera en 1947 en GlobeUnion, Milwaukee y trabaj en el desarrollo de circuitos de base cermica y matriz para los artefactos electrnicos.Diplomado de las universidades de Illinois y de Wisconsin, desde 1958 fue empleado de la compaa informtica estadounidense Texas Instruments, donde desarroll el microchip en 1959. Aproximadamente al mismo tiempo Robert Noyce hizo el mismo descubrimiento enFairchild Semiconductor.

Comercializacin de los circuitos integrados por Texas Instruments 1961y Fairchild, con una pequea escala de integracin (SSI), menos de 10 componentes.

Tarjeta de silicio

Desarrollo del MOSFET por Fairchild. 1962

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

Se alcanza la integracin a mediana escala (MSI), ms de 10 1966componentes y menos de 100.

Integrado

Se alcanza la integracin a gran escala (LSI), ms de 100 1969componentes y menos de 1000.

Primer microprocesador (en un circuito integrado todo el procesador de 1971una computadora), lo realizaron los ingenieros Ted Hoff y Federico Faggin en Intel y fue el 4004, de 4 bits y 275 transistores.

Federico FagginTed Hoff

4004

Intel

Se alcanza la integracin a muy gran escala (VLSI), ms de 1000 1975componentes.

"Mini" circuito integrado

Se presenta el chip molecular, basado en molculas de rotaxano, 1999que haran las funciones de los transistores, si este proyecto finalmente se lleva a cabo un solo ordenador con un microprocesador molecular sera ms potente que la suma de todos los ordenadores que existen en la actualidad.

Se le otorga el premio nobel a Jack Kilby por inventar el circuito 2000integrado

Siglo XXI 2000 a 20011

Microprocesadores

2000: EL Intel Pentium 4 2001: El AMD Athlon XP 2004: El Intel Pentium 4 (Prescott). 2004: El AMD Athlon 64 2006: EL Intel CoreDuo 2007: El AMD Phenom 2008: El Intel CoreNehalem 2008: Los AMD Phenom II y Athlon II 2011: El Intel Core Sandy Bridge. 2011: El AMD Fusion

AMD Fusion es el nombre clave para un diseo futuro de microprocesadores Turion, producto de la fusin entre AMD y ATI, combinando con la ejecucin general del procesador, el proceso de la geometra 3D y otras funciones de GPUs actuales. La GPU (procesador grfico) estar integrada en el propio microprocesador. Se espera la salida progresiva de esta tecnologa a lo largo del 2011; estando disponibles los primeros modelos (Ontaro y Zacate) para ordenadores de bajo consumo entre ltimos meses de 2010 y primeros de 2011,

dejando el legado de las gamas medias y altas (Llano, Brazos y Bulldozer para

mediados o finales del 2011)

2011 Construyen el primer nanoprocesador

Un grupo de cientficos de la Universidad de Harvard junto con otros de la empresa MITRE, construyeron el primer nanoprocesador programable del mundo.

b. AVANCES TECNOLGICOS QUE CONTRIBUYERON A AUMENTAR EL NIVEL DE INTEGRACIN DE LOS IC'S.

ESCALAS DE INTEGRACIN DE LOS CIRCUITOS LGICOS SSI, MSI Y LSI

El esfuerzo de la industria electrnica en la miniaturizacin de sus equipos se ha visto compensado ampliamente con el descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se ha conseguido construir miles de componentes dentro de la misma cpsula, cuyas dimensiones son similares a las de un simple -transistor. Pero la enorme reduccin de volumen no ha sido la nica ventaja por la que los circuitos integrados se han hecho indispensables en muchas industrias de vanguardia (militar, aeroespacial, medicina, etc.), sino que las que se resean a continuacin tienen tanta o mayor importancia: Reduccin de coste: Pues aunque el proyecto y los utillajes necesarios para fabricar un Cl son mucho ms costosos que los de un elemento clsico, como consecuencia del alto nmero de

unidades que se hacen de cada tipo, el bajo precio del material base y la automatizacin del proceso, se tiene que algunos modelos de Cl resultan de un precio inferior al de un solo transistor. Aumento considerable de la fiabilidad: Un circuito integrado tiene una fiabilidad, en cuanto a funcionamiento y duracin, mucho mayor que otro circuito similar implementado con componentes discretos, no slo porque en este ltimo caso la fiabilidad depende de cada uno de los componentes que lo forman, sino tambin debido a: El esmerado estudio que exige el proyecto de un circuito integrado. Las modernas tcnicas de fabricacin. La reduccin de longitud en las interconexiones. La menor influencia de la temperatura sobre los diversos componentes, por estar todos contenidos en una mnima superficie y afectarles por igual El encapsulado total de los componentes, que aumenta su proteccin. La respuesta de un circuito integrado es mucho ms rpida, pues el paso de la corriente depende de las longitudes de las interconexiones, que son mnimas. Reduccin importante de las capacidades parsitas que existen entre los componentes, a causa de su proximidad Reduccin de tiempo en la localizacin de averas, puesto que el sistema que ha de usarse es el de la sustitucin de los circuitos integrados defectuosos, ya que es imposible su reparacin. Esta caracterstica lleva aparejada una formacin ms completa y terica de tcnicos electrnicos, as como el uso de instrumental ms complejo. Reduccin de stocks para las reparaciones y montajes. Eliminacin de los posibles errores en el montaje e interconexin de componentes. Dado el bajo costo que en un circuito integrado supone la fabricacin de transistores y diodos, stos se pueden utilizar con gran profusin, mejorando las especificaciones tcnicas de los circuitos.

LIMITACIONES Tambin hay que tener en cuenta al emplear los circuitos integrados que existen ciertas limitaciones e inconvenientes, entre los que se citan: Los valores de las resistencias y condensadores integrados no pueden superar ciertos mximos y, adems, con tolerancias importantes y coeficientes de temperatura pequeos; por este motivo, este tipo de componentes suelen quedar en el exterior del circuito integrado, aunque con las mejoras en los procesos de fabricacin constantemente se estn superando estas limitaciones. Dadas sus dimensiones, la potencia mxima que pueden disipar los circuitos integrados es reducida. Las grandes dificultades en la construccin de bobinas e inductancias en los circuitos integrados hacen que no sean integradas en la mayora de los casos. No es conveniente, dado el bajo -rendimiento, integrar en el mismo chip los dos tipos de transistores: PNP y NPN.

La manipulacin de circuitos integrados exige instrumental y herramientas adecuadas. As, los soldadores especiales de punta fina, las pinzas extractoras, los desoldadores, los zcalos, las placas especficas de circuito impreso, osciloscopio de doble trazo, polmetro digital, generador de funciones y sondas lgicas, deben ser, entre otros, los nuevos elementos que han de incorporarse al taller electrnico.

ESCALAS DE INTEGRACIN DE LOS CIRCUITOS LGICOS, SSI, MSI, LSI Y VLSI La rapidez del desarrollo tecnolgico ha dado lugar a que se puedan integrar simultneamente en un mismo dispositivo un nmero determinado de puertas entre s, que realizan una funcin concreta, as a principio de los aos sesenta lleg la aparicin del circuito integrado A partir de entonces se han ido mejorando las tcnicas de fabricacin de forma espectacular, hasta llegar a la actualidad, donde es posible encontrar en una superficie de algo ms de 1 cm cuadrado cientos de miles de puertas lgicas. Dependiendo del nmero de elementos puertas que se encuentren integrados en el chip se dice que ese circuito est dentro de una determinada escala de integracin. ESCALAS DE INTEGRACIN Las escalas que aqu vamos a tratar son las siguientes: SSI (Short Scale Integration): Es la escala de integracin ms pequea de todas, y comprende a todos aquellos integrados compuestos por menos de 12 puertas MSI (Mdium Scale Integration): Esta escala comprende todos aquellos integrados cuyo nmero de puertas oscila entre 12 y 100 puertas. Es comn en sumadores, multiplexores,... Estos integrados son los que se usaban en los primeros ordenadores aparecidos hacia 1970. LSI (Large Scale Integration): A esta escala pertenecen todos aquellos integrados que contienen ms de 100 puertas lgicas (lo cual conlleva unos 1000 componentes integrados individualmente), hasta las mil puertas. Estos integrados realizan una funcin completa, como es el caso de las operaciones esenciales de una calculadora o el almacenamiento de una gran cantidad de bits. La aparicin de los circuitos integrados a gran escala, dio paso a la construccin del microprocesador . Los primeros funcionaban con 4 bits (1971) e integraban unos 2.300 transistores; rpidamente se pas a los de 8 bits (1974) y se integraban hasta 8.000 transistores. Posteriormente aparecieron los microprocesadores de circuitos integrados VLSI VLSI: (Very Large Scale Integration) de 1000 a 10000 puertas por circuito integrado, los cuales aparecen para consolidar la industria de los integrados y para desplazar definitivamente la tecnologa de los componentes aislados y dan inicio a la era de la miniaturizacin de los equipos apareciendo y haciendo cada vez ms comn la manufactura y el uso de los equipos porttiles.

2. Hacer un resumen de la simbologa electrnica digital teniendo en cuenta los siguientes aspectos. a. Simbologa estndar. b. Simbologa en el sistema ANSI. c. Simbologa en el sistema NEMA. d. Incluir en el resumen como mnimo los siguientes dispositivos. i. Puertas Lgicas. ii. Flip-Flops iii. Circuitos Lgicos Integrados, (Contadores de modulo, Multiplexores, Demultiplexores, Codificadores de cdigo, ALU, Sumadores, Comparadores digitales, etc). iv. Displays (7 Segmentos, 16 Segmentos, Matrices y LCD solucin: SIMBOLOGA ESTNDAR.

Simbologa

Puerta AND

Puerta triestado

Puerta NAND

Realiza funciones de AND y NAND

Puerta OR

Realiza funciones de OR y NOR

Puerta NOR

Puerta Y exclusiva

Puerta O exclusiva

Inversor

Diferencial

Buffer

Buffer triestado

Driver

Buffer negado

Puertas lgicas, Sistema ANSI

Puerta AND

Puerta NAND

Puerta AND

Puerta NAND

Puerta OR

Puerta NOR

Puerta OR

Puerta NOR

Puerta O exclusiva

Inversor

Inversor schmitt

XOR

Puertas lgicas, Sistemas NEMA

AND

NAND

OR

NOR

NOT

XOR

Bsculas lgicas, Flipflop

Bscula R-S

Bscula R-S

Bscula D

Bscula D

Bscula J-K

Bscula J-K

Flipflop T

Flipflop T

Circuitos lgicos integrados

IC Circuito integrado Smbolo genrico

Memoria Smbolo bsico

Cronomedidor - 555 -

Contador binario 4 bit

Decimal codificado binario BCD a un descodificador de 7 segmentos

Contador decdico decimal codificado binario ( BCD )

Contador decdico con 10 salidas codifiadas

Decodificador 1a4

DAC Convertidor analgico / digital

Multiplexor

Semisumador

Sumador

multiplexores

ALU.Un tpico smbolo esquemtico para una ALU:

A y B son operandos; R es la salida; F es la entrada de la unidad de control; D es un estado de la salida.

COMPARADORES DIGITALES.

DISPLAYS.

MATRIZ LED.

MATRIZ LCD

Display 7 segmentos

Display 16 segmentos ( alfanumrico )

Matriz indicadora por LED alfanumrica 5x7 Letra A de ejemplo

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE DISPLAY LCD

nomenc america digital compue cas puertas

3. Realizar el resumen de cada una una de las familias lgicas TTL, ECL y CMOS, sus caractersticas fundamentales y las series ms comunes. a. Fan-Out b. Fan-in c. Retardo de propagacin. d. Niveles de tensin lgicos permitidos. e. Disipacin de potencia. f. Tensin de alimentacin. NIV D TEN LOGIC d TTL 0,2v y 0,8v para 1 a 4 nano el estado bajo (L) segundos 2,4v y Vcc para el estado( H) ECL 20 20 -1.63V Y -5.2V 2 nano PARA (L) segundos 0 Y -0.98 PARA (H) CMOS 50 50 25 a 50 -1.63V Y -5.2V nano PARA (L) segundos 0 Y -0.98 PARA (H) TTL Transistor-Transistor Logic (lgica transistor a transistor) ECLEmitter-CoupledLogic (logica de emisiones acoplado) CMOSComplementary Metal-Oxide Semiconducto La familia TTL es la tecnologa que ha sido utilizadapor varias decadas pero actualmente se utilizan poco aunque aun se consigue facilmente en el mercado. La familia ECL presentaba una gran ventaja en sistemas que requeran operar a gran velocidad pero ha sido sustituida por la familia CMOS. MOS se utiliza para circuitos que requieren de una gran densidad de componentes y CMOS se utiliza en sistemas que requieren poco consumo de energa y se ha convertido en la familia predominante en el mercado. FAN-OUT a 10 FAN-IN b 10 RET D PROP c DISPOTENC e 2 mili w a 10 mili w TEN ALIM f 4,75v y 5,25v

40 mili watios

0 logico1.7v 1logico -0.8v 0.01miliwatio 3 a 15 v

4. Consultar y buscar las hojas de datos (datasheets) de las siguientes compuertas en las familias lgicas TTL(TTL, TTL-L, TTL-S, TTL-AS, TTL-LS, TTL-ALS, TTL-F, TTL-AF, TTL-HCT) y CMOSy hacer un cuadro comparativo entre ellas. a. AND b. OR c. NOT d. NAND e. NOR f. X-OR g. X-NOR h. YES

INTRODUCCIN Una familia lgica es un coleccin de CIs que tiene caractersticas elctricas similares en sus entradas, salidas y circuitera interna, pero que realiza diferentes funciones lgicas. Los chips de una misma familia lgica se pueden interconectar directamente Los chips de familias lgicas diferentes no tienen porqu ser interconectables BREVE EVOLUCIN HISTRICA DECADA DE LOS 60 Se inventa el CI y empiezan a aparecer las primeras familias lgicas. Aparece la familia TTL (transistor-transistor logic) que es la ms popular. Aparece tambin la familia MOS, pero es mucho ms lenta; solo es atractiva en aplicaciones de bajo consumo. Avances en el diseo de los MOS hacen que aumenta la popularidad de un subtipo de estos dispositivos (CMOS Complementary MOS). Aparecen CIs con la misma funcionalidad que la familia TTL, pero con mayor velocidad y menor consumo de energa. Los circuitos CMOS constituyen la inmensa mayora del mercado y alcanzan niveles de integracin sorprendentes.

DECADA DE LOS 80

ACTUALIDAD

DATASHEETS FAMILIA TTL

FAMILIA TTL VCCSupplyVol tag AND 5.5 v min OR 4.7V MIN 5.2V MAX 25C X-OR 4.5 v nim NOT 4.75v MIN 5.25v MAX 25C NAND 4.5 MIN 5.5 MAX NOR 4.75v MIN 5.25v MAX 25C X-NOR 4.75 v Min 5.25v MIN 25 C YES 4.7V MIN 5.2V MAX 25C

TA Operating Ambient Temperature Range OH Output Current High OLOutput Current Low VL Input LOW Voltage VH VoL VoH

25

25c

-55 MIN C 125 MAX C

-0.4 mA MAX 8.0 mA MAX 8.0v MAX 2.0 V MIN 5.0V MAX 3.5V TYP

-0.4V MAX 8.0V MAX 0.4v max 2.0v min 0.4v max 2.7v min

0.2 mA max 8.0 mA max

0 MIN 0.4 MAX Ma 0 MIN 8.0 mA 4.0 MAX MAX mA 0.8v 0.8 v 0 MIN max MAX 0.7 MAX 2.0 v 2v 2 V MIN min MIN 0.5 0.5v 0 V MIN max max 4 V MAX 100 A 2.7v 2.5V MIN max min 3.5 V MAX

-0.4 mA MAX

0.4mA MAX

0.2 mA max 8.0 mAmax 0.8v max 2.0 V min 0.5 V max 100 A max

-0.4V MAX 8.0V MAX 0.4v max 2.0v min 0.4v max 2.7v min

8.0 mA MAX 0.8 v MAX 2v MIN 0.5v max 2.7v min

IH IL

20 A MAX 0.4 mA max

0.1 mA 0.2 mA max -0.4 -0.8 mA mA max

0.1mA max 0.4 mA MAX

0.1 mA MAX -0.4 mA MAX

0.1mAma x 0.4mA MAX

0.2 mA max 0.8 mA max

0.1 mA -0.4 mA

ICC Power Supply Current Total, Output HIGH IccTotal, Output LOW

3.6 mA

6.2 mA

3.2 mA 3.2mA max

1.6 mA

3.2mA

13 mA max

6.2 mA

6.6 mA

9.8 mA

4.5 mA 5.4 mA 4.4 mA max

5.4 mA

13 mA max

9.8 mA

COMPARACION ENTRE SUB FAMILIAS TTL (una alimentacion de 5 v)

Vcc (v) 74 74 LS 74 ALS 74 S 74 AS 74 F 40xxxB** 74 HC 74 HCT 74 AC 74 ACT 4.755.25 4.755.25 4.55.5 4.75.5.25 4.5.5.5 4.5.5.5 3..18 2..6 4.5.5.5 26 4.5..5.5 Vil max (v) 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 1.5 1.35 0.8 1.35 0.8 Vih max(V) 2 2 2 2 2 2 3.5 3.15 2.0 3.15 2.0 Vol max (v) 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.05 0.1 0.1 0.5 0.5 Voh min (v) 2.4 2.7 VCC-2 2.7 Vcc-2 2.5 4.95 4.4 4.4 3.7 3.7 IL max (mA) -1.6 -0.36 -0.10 -2 -0.5 -0.6 -1 uA -1uA -1uA -1uA -1 uA IH max (mA) 40 uA 20 uA 20 uA 50 uA 20 uA 20 uA 1 uA 1 uA 1uA 1uA 1 uA IoL max (mA) 16 8 8 20 20 20 1 4 4 24 24 IoH max (mA) -0.4 -0.4 -0.4 -1 -2 -1 -1 -4 -4 -24 -24 Tp (ns) 9 8 5 3 3.4 3.5 120 18 20 6 5.5

COMPARACIN DE TECNOLOGAS DIGITALES A continuacin se resumen las caractersticas bsicas de las familias TTL y CMOS. TECNOLOGA TTL - Gran velocidad (tiempos de retardo de propagacin muy pequeos) - Presencia de mejor producto consumo-retardo - Margen de ruido pequeo (0,4V), menor que en CMOS - Fan-Out relativamente pequeo (10) - Consumo mayor que CMOS - Tensiones de alimentacin muy rgidas (5V +/- 5%).

TECNOLOGA CMOS - Consumo muy bajo - Diseo sencillo (PMOS y NMOS) - Fan-Out elevado dentro de la misma familia (1000) - Gran flexibilidad de tensiones (2V 6V) - Margen de ruido mayor que en TTL. Tabla mostrando valores tpicos de algunas caractersticas para ambas tecnologas.

TTL Tension de alimentacion

VoH VoL ViH ViL IoH IoL IiH IiL Margen de ruido Fan-out Retardo 5v +/-5% 2.4v 0.4v 2v 0.8v -400uA 16mA 40uA -1.6uA 0.4v 10 10 ns

CMOS 2v 6v 4.5v(Vcc=5v) 0.5v 3.5v(Vcc=5V) 1.5v -1.7mA 1.7mA 1 uA -1uA 1V(Vcc=5V) Mayor a 1000 10 ns

DATASHEETS FAMILIA CMOS

FAMILIA CMOS IDD Supply Voltag

AND 3a 15 v

TA Operating Ambient Temperature Range OH Output Current High OLOutput Current Low

25c

OR 0.5V MIN 18V MAX 25C

X-OR NAND 0.1 mA -0.5v MIN max 22v MAX

NOR 3v MIN 15v MAX

X-NOR 0.1 A

25 c

-1.4 mA min 0.5 mA Min 1.5v MAX 3.5V MIN 0.05V MAX 4.95V min N

-1.4 mA Min 0.5 mA Min

-0.44 mA min 0.44 mAma x 1.5 v max 3.5 v max 0.05 v max 5v

-55 MIN C 125 MAX C 0 MIN 0.4 MAX Ma 0 MIN 4.0 MAX mA 0 MIN 0.7 MAX 2 V MIN 0 V MIN 4 V MAX 2.5V MIN 3.5 V MAX 0.1 mA

25C

25 C

YES 0.5V MIN 18V MAX 25C

NOT 3v MIN 15v MAX 25C

0.51 mA MIN

-1 mA

0.51 mA MIN 1.5 v MAX 3.5v Max 0.05v max 4.95v min 0.1mAma

1 mA

-1.4 mA Min 0.5 mA Min

0.51 mA MIN 0.51 mA MIN 1.5 v MAX 3.5v Max 0.05v max 4.95v min 0.1mA

VL Input LOW Voltage VH VoL VoH

1.5v max 3.5v min 0.05v max 4.95v min N

1.5v max 2.0 V min 0.05 V max 5V

1.5v max 3.5v min 0.05v max 4.95v min N

IH

0.2 mA

0.1A

max N tTLHtTHL Output Transition Time tPLHtPHL Propagation Delay Time 60 ns 85 ns

MAX 7.5 A MAX

x 0.4 mA MAX

max 0.8 mA max

max 0.4 mA MAX

85 ns 125 ns 90 ns 110 ns 100 ns 140 ns 115 ns 90 ns 110 ns

55 ns

115 ns

100 ns

COMPARACIN ENTRE FAMILIAS LGICAS CMOS.

4000B VIH (V) VIL (V) VOH (V) VOL (V) Pd (mW) Tp (ns) 3.5 1.5 4.5 0.5

HC 3.5 1.5 4.5 0.5

AC 3.4 1.2 4.4 0.2

HCT 2.2 1.2 2.9 0.9

ALS 2.2 0.9 2.9 0.6 1.45

FAST 2.2 0.9 2.9 0.6 4.75 3.5

LS 2.2 0.8 2.9 0.5 2.3 8

AS 2.2 0.8 2.9 0.5 8.3 2

S 2 0.8 2.7 0.5 22.5 3

ACT STDR ECL 10K 2.2 1.8 0.7 2.9 0.4 0.6 2.2 0.2 11.1 6.5 11 25 2

125

4.7

12