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Cap. 01

Generalidades

Introduccin Sistema de unidades Simbologa algebraica y grfica Nomenclatura Consejos para el diseador _______________________________________________________________________________ Introduccin En este captulo se detallan tpicos y generalizaciones que se desarrollan en la obra. Casi todos los diseos que se presentan han sido experimentados satisfactoriamente por quien les habla. Empero eso no quita que su transcripcin de tipeo a las frmulas vayan a carecer de algunos pequeos errores que se irn perfeccionando con el tiempo. La secuencia de lectura y estudio de los captulos en su forma ascendente es importante, pues se irn incorporando los temas nuevos basndose en los ya explicados precedentemente. Sistema de unidades Salvo se aclare lo contrario, todas las unidades con que se trabajarn estn en M. K. S. As tenemos el Volt, Amper, Ohm, Siemens, Newton, Kilogramo, Segundo, Metro, Weber, Gauss, etc. La temperatura preferiblemente se la tratar en grados centgrados, o en su defecto Kelvin. Todos los diseos carecen de unidades porque suponen, que incorporando cada variable en su debida M. K. S., resultar satisfactorio su resultado. Simbologa algebraica y grfica Muchas veces, para simplificar desarrollos, recurriremos a ciertos smbolos. Por ejemplo: Paralelo de componentes 1 / (1/X1 + 1/X2 + ...) como X1// X2//... Signos como "mayor o menor" ( ), "igual o diferente" (= ), etctera, son realizados de parecida a la convencional por disponer de una fuente tipogrfica limitada. forma

En los parmetros (curvas de nivel) de las grficas aparecern muchas veces pequeas flechas que indican el sentido creciente de dicho parmetro. En los circuitos dibujados cuando dos lneas (conductores) se cruzan, slo habr conexin entre los mismos si se unen con un punto. Si se dibujan con lneas de puntos implica que dicho conductor y lo que l conecta es optativo. Nomenclatura Se respetar una misma nomenclatura a lo largo de toda la obra. Ella ser: instantnea (minscula) continua o media (mayscula) eficaz (mayscula) pico mxima admisible (lmite a la rotura) v V V Vef Vpico vp Vmax VADM

Consejos para el diseador Todos los diseos que se hacen solamente servirn, no para armarlos y que de entrada funcionen, sino solamente para tener una idea aproximada de los componentes a utilizar. Recurdese aqu una de las leyes de Murphy: "Si usted arma algo de entrada y funciona, es que ha omitido algo por alto". Los clculos y proyectos presentados tienen la forma de resolucin tanto heurstica (prueba y error) como algortmica (frmulas) y, por tanto, sern slo contingentes; es decir, que estn confeccionados los diseos de manera que uno vaya probando y autocorrigiendo sus magnitudes y adopciones hechas previamente, hasta llegar finalmente al resultado terminado. Para que un componente, seal u otra cosa sea despreciable frente a otra, elegir unas 10 veces la una de la otra en la gran mayora de las veces es insuficiente y trae problemas. Se aconseja hacerlo por lo menos unas 30 veces en lo posible. Empero existen dos casos que s es factible, y ms todava, hasta tomar solamente una precaucin de 5 veces; ello se da cuando el desprecio es geomtrico (52 = 25), es decir, cuando un cateto de un tringulo rectngulo respecto del otro es de esa magnitud o mayor. Esto se da cuando tenemos que simplificar un componente reactivo de otro pasivo, o bien alejarnos del polo o cero de una transferencia. En cuanto a constante de tiempo simples, es decir en aquellas transferencias de un solo polo y que son excitadas con escalones resultando una exponencial a su salida, normalmente se toman unas 5 constantes de tiempo para llegar al final pero, en verdad, esto es irreal y poco prctico. Se llega al 98% con slo 3 constantes de tiempo y esta magnitud ser suficiente. En cuanto a los clculos de los regmenes admisibles, adoptados o calculados, siempre es conveniente sobredimensionarlos. Las prdidas en los condensadores es importante, por eso es conveniente elegir de alto valor de tensin los electrolticos y que sean de marca reconocida (v.g.: Siemens). Con los cermicos tambin siempre hay problemas, pues poseen muchas prdidas (Q de menos de 10 en muchas aplicaciones) cuando asimismo son extremadamente variables con la temperatura (v.g.: 10 [C] lo pueden cambiar en un 10 [%] o ms), por lo cual se aconseja usarlos nicamente como de desacople y, preferiblemente, siempre evitarlos. Los de poliester son algo ms estables. Los de mica y aire o aceite en trabajos de alta tensin son siempre recomendables. Cuando se disean temporizadores u osciladores que dependen de constante de tiempos capacitiva o inductiva, no es prudente acercarse a perodos demarcados por encima de dicha constante de tiempo, pues pequeas variaciones de ella debido a los dispositivos reactivos (v.g.: con el tiempo, temperatura o mala partida de fbrica, cambian un poco la magnitud de un condensador usualmente) variar notablemente el resultado temporal esperado.

____________________________________________________________________________________________

Cap. 02

Polarizacin de dispositivos

Transistor bipolar de juntura (TBJ) Teora Diseo Diseo rpido Transistor unipolar de juntura (JFET) Teora Diseo Amplificador Operacional de Tensin (AOV) Teora Diseo _________________________________________________________________________________ Transistor bipolar de juntura (TBJ) Teora Polarizando al diodo base-emisor en directa y el colector-base en inversa, se tiene el modelo aproximado para continua, y donde se definen las ganancias estticas de corriente en emisor comn y base comn, respectivamente = h21E = hFE = IC / IB ~ h21e = hfe (>> 1 para TBJ comunes) = h21B = hFB = IC / IE ~ h21b = hfb (~< 1 para TBJ comunes)

La corriente entre colector y base ICB es de fuga, y sigue aproximadamente la ley ICB donde VT = 0,000172 . ( T + 273 ) ICB = ICB0(25C) . 2 T/10 con T el salto de temperatura respecto del ambiente supuesto a 25 [C]. De esto resulta entonces T = T - 25
T/10

= ICB0 (1 - eVCB/VT) ~ ICB0

ICB / T = ICB / T ~ 0,07. ICB0(25C) . 2

4 Por otra parte, la dependencia de la tensin base-emisor respecto de la temperatura, a corriente de base constante, sabemos que vale VBE / T ~ - 0,002 [V/C] Se determinar ahora la relacin existente entre la corriente de colector y las ganancias anteriores IC IC = = = = ICE + ICE + /(1 /(1+ ICB ICB ) ) = IE + ICB = IBE + ICB

= ( IBE + ICB ) + ICB ~ ( IBE + ICB )

Estudiemos seguidamente el comportamiento de la corriente de colector respecto de la temperatura y las tensiones de alimentacin IC = (IC/ICB) ICB + (IC/VBE) VBE + (IC/VCC) VCC + (IC/VBB) VBB + (IC/VEE) VEE +

de donde se deducen de las expresiones anteriores ICB = 0,07. ICB0(25C) . 2 T/10 T VBE = - 0,002 T VBB - VEE = IB (RBB + REE) + VBE + IC REE IC = [ VBB - VEE - VBE + IB (RBB + REE) ] / [ RE + (RBB + REE) -1 ] SI = (IC/ICB) ~ (RBB + REE) / [ REE + RBB -1 ] SV = (IC/VBE) = (IC/VEE) = - (IC/VBB) = - 1 / ( RE + RBB -1 ) (IC/VCC) = 0 resultando IC = [ 0,07. 2 T/10 (RBB + REE) ( REE + RBB -1 )-1 ICB0(25C) + + 0,002 ( REE + RBB -1 )-1 ] T + ( RE + RBB -1 )-1 ( VBB

- VEE)

Diseo Sean los datos IC = ... VCE = ... T = ... ICmax = ... RC = ...

Del manual o experimentacin segn las grficas se obtienen = ... ICB0(25C) = ... VBE = ... ( ~ 0,6 [V] para TBJ de baja potencia)

y se determinan analizando este circuito RBB VBB VBB VEE REE RCC = RB // RS = VCC . RS (RB+RS)-1 = VCC . RBB / RS = 0 = RE = RC

= VCC . RBB / RB = 0

y si simplificar clculos hacemos RE nos da SI = 1 + RBB / RE SV = - 1 / RE ICmax = ( SI . 0,07. 2 >> RBB /

T/10

ICB0(25C) - SV . 0,002 ) . T

y si ahora suponemos por simplicidad

6 ICmax resultan RE = ... >> 0,002 . T / ICmax RE [ ( ICmax / 0,07. 2 T/10 ICB0(25C) . T ) - 1 ] = ... > RBB pudindose tomar una IC menor que la ICmax si se desea. Seguidamente, como se entiende que VBB = IB RBB + VBE + IE RE ~ [ ( IC -1 ICB0(25C) ) RBB VCC = IC RC + VCE + IE RE ~ IC ( RC + RE ) + VCE = ... devienen finalmente RB = RBB VCC / VBB = ... RS = RB RBB / RB - RBB = ... Diseo rpido Este diseo se basa en que la variacin de la IC depende nicamente de la variacin de la ICB. Por este motivo se tratar de impedir que esta ltima entre en la base del transistor y sea amplificada. Existen dos criterios aqu, a saber: disminuir la RS o agrandar la RE. Por consiguiente, se tomarn ambos consejos juntos con el fin de no magnificar uno solo de ellos; es decir, que haremos por un lado que IS >> IB y por otro que VRE > 1 [V] puesto que para IC del orden de los miliamperes defnense con ello resistencias RE > 500 [ ] que son generalmente suficientes en toda estabilizacin trmica. + VBE + IE RE = ... >> SV . 0,002 . T

= ... << RE = ...

Sean los datos IC = ... VCE = ... RC = ...

Del manual o experimentacin se obtienen = ...

lo que permitir adoptar con ello IS = ... >> IC VRE = ... > 1 [V] y calcular
-1

7 VCC = IC RC + VCE + VRE = ... R E = V RE / IC = ... RS = ( 0,6 + VRE ) / IS = ... RB = ( VCC - 0,6 - VRE ) / IS = ...

Transistor unipolar de juntura (JFET) Teora Planteamos el circuito equivalente para una polarizacin inversa entre compuerta y surtidor, siendo IG la corriente de fuga del diodo que vale IG = IG0 (1 - eVGs/VT) ~ IG0 = IG0(25C) . 2
T/10

Si ahora despejamos VGS = VT . ln (1+IG/IG0) ~ 0,7. VT VGS / T ~ 0,00012 [V/C] Por otra parte, se sabr que la ID depende de la negativa VGS segn las siguientes ecuaciones ID ~ IDSS [ 2 VDS ( 1 + VGS / VP ) / VP - ( VGS / VP )2 ] ID ~ IDSS ( 1 + VGS / VP )2 ID = IG + IS ~ IS con VDS < VP con VDS > VP siempre

siendo VP la denominada tensin de PINCH-OFF o de "estrangulamiento del canal" definida en el juego de curvas de salida del transistor, cuyo mdulo coincide numricamente de una forma muy aproximada con la tensin de corte en el juego de curvas de entrada del mismo transistor. Podemos entonces hallar la expresin de la variacin de la corriente en el drenaje ID = (ID/VDD) VDD + (ID/VSS) VSS + (ID/VGG) VGG + + (ID/iG) IG + (ID/VGS) VGS

de donde VGG - VSS = - IG RGG + VGS + ID RSS ID = ( VGG - VSS - VGS + IG RGG ) / RSS ID/VGG = - ID/VSS = 1 / RSS ID/T = (ID/VGS) (VGS/T) + (ID/IG) (IG/T) = = ( -1/RSS) ( 0,00012 ) + ( 0,7.IG0(25C) . 2 T/10 ) ( RGG / RSS ) y finalmente ID Diseo Sean los datos ID = ... VDS = ... T = ... IDmax = ... RD = ... = { [ ( 0,7.IG0(25C) . 2
T/10

RGG - 0,00012 ) ] T + VGG - VSS } / RSS

Del manual o experimentacin segn las grficas se obtienen IDSS = ... IGB0(25C) = ... VP = ...

y por lo tanto obtenemos RS = VP [ 1 - ( ID / IDSS )-1/2 ] / ID = ... RG = ... < [ ( RS IDmax / T ) + 0,00012 ] / 0,7.IG0(25C) . 2 VDD = ID ( RD + RS ) + VDS = ...

T/10

Amplificador Operacional de Tensin (AOV) Teora As llamado por sus mltiples posibilidades de operaciones analgicas, puede ser implementado con entrada diferencial a TBJ o a JFET, como asimismo todo fabricante respeta las siguientes propiedades: Alimentacin (2.VCC) entre 18 y 36 [V] Resistencia de entrada diferencial (RD) mayor que 100 [K ] Resistencia de entrada de modo comn (RC) mayor que 1 [M ] Resistencia de salida de modo comn (RO) menor de 200 [ ] Ganancia diferencial con salida en modo comn (A0) mayor que 1000 [veces] Para memorizar, podemos suponer hoy en da los siguientes valores: R D = RC =

, RO = 0 (nula por la

futura realimentacin) y A0 = . Esto ltimo dar, para operativas como amplificador lineal, salidas acotadas en la fuente de alimentacin VCC y por consiguiente tensiones diferenciales prcticamente nulas a su entrada. Por otra parte, la no complementariedad perfecta de los transistores diferenciales trae algunos problemas. Sabemos que la caracterstica directa tensin-corriente de un diodo puede considerarse como la de un generador de tensin por su empinada y recta caracterstica; por ello, la disparidad de transistores trae aparejada una tensin diferencial de desajuste VOS de algunos milivoltios. Para el caso de entrada con TBJ se agrega otro inconveniente ms; a saber: las corrientes de polarizacin a las bases son algo diferentes (I 1B e I2B) y producen con las resistencias externas cadas tambin desiguales que se suman en tensin a la propia diferencial V OS; llamaremos a su diferencia IOS y a la tpica polarizante IB. Suele agregarse a estos corrimientos otros dos que especifica el fabricante del dispositivo. Son ellos la variacin de VOS con respecto a la temperatura T y a la tensin de alimentacin V. Si sumamos todos estos defectos en una implementacin tpica, planteamos RC = V1 / IB V1 = VO . (R1 // RC) / [ R2 + (R1 // RC) ]

10

tambin V1 = VOS - ( IB - IOS ) R3 y por consiguiente V1 = (VOS - IB R2 ) / ( 1 + R2 / R1 ) de donde llegamos finalmente a la siguiente expresin general para todo desajuste VO = VOS ( 1 + R2 / R1 ) + IOS R3 ( 1 + R2 / R1 ) + IB [ R2 - R3 ( 1 + R2 / R1 ) ] + + [ T T + T VCC ] ( 1 + R2 / R1 ) que se simplifica para el AOV con JFET VO = ( VOS +
T

T +

VCC ) ( 1 + R2 / R1 )

y para el de TBJ que es diseado con R3 = R1 // R2 VO = ( VOS + IOS R3 +

T

T +

VCC ) ( 1 + R2 / R1 )

Si quisiramos experimentar los valores VOS e IOS podemos recurrir a esta expresin general con la ayuda de los circuitos que se muestran seguidamente.

11

Para anular el efecto total del desajuste, suele incorporarse un pre-set que se acomoda experimentalmente a nula tensin de salida. Esto puede hacerse tanto en el terminal inversor como en el no-inversor. Se aconseja en estos casos, disear los componentes resistivos de tal manera que no carguen al circuito original que tendr un fin preestablecido. Diseo Sean los datos (con A = R2/R1 la amplificacin o atenuacin inversora total) VOS = ... IOS = ... IB = ... VCC = ... A = ... PAOVmax = ... (normalmente 0,25 [W])

Con las consideraciones anteriores hallamos R3 R1 R2 RL RN = ... >> VCC / ( 2 IB - IOS ) = ( 1 + 1 / A ) R3 = ... = A R1 = ... = ... >> VCC2 / PAOVmax = ... >> R3

y con un margen del 50 % en los clculos

12 VRB = 1,5 . ( 2 RN / R3 ) . (VOS - IB R3 ) = ... VRB2 / 0,25 < RB = ... << RN 2 RA = ( 2 VCC - VRB ) / ( VRB / RB )

RA = RB [ ( VCC / VRB ) - 0,5 ] = ...

____________________________________________________________________________________________

Cap. 03

Disipadores de calor

Caractersticas generales Rgimen continuo Diseo _________________________________________________________________________________ Caractersticas generales Todo componente semiconductor tolera una temperatura en sus junturas admisible TJADM y potencia PADM. Llamamos impedancia trmica ZJC a la que existe entre este punto y su carcasa, que es determinada por una resistencia trmica JC y una capacitancia CJC tambin trmica. Cuando circula por el componente una corriente instantnea i y entre sus bornes hay una tensin tambin instantnea v, y tendremos entonces una potencia instantnea dada como su producto p = i.v, y otra media que denominamos simplemente P y que se interpreta constante a lo largo de todo perodo T de ritmicidad de la instantnea P = pmed = T-1.
T 0

p t = T-1.

T 0

i.v t

y bien puede hallarse en la prctica analticamente o con un mtodo grfico geomtrico cualquiera. A su vez, esta interpretacin uniforme que llamamos P, puede ser considerada como muestra la figura siguiente en intervalos de duracin T0 que se obtendrn de la siguiente expresin T0 = P0 / P

13

Considerar una distribucin de potencia repetitiva es tener presente un anlisis armnico de tensin y corriente. Por consiguiente, la impedancia trmica del dispositivo deber liberar este calor interno activo pADM = ( TJADM - TA ) / JC Z cos
JC

= PADM

JC

/ JC Z cos

JC

con TA la temperatura del ambiente que se tenga. Para el peor caso pADM = PADM
JC

/ JC Z

= PADM . M

siendo M un factor que el fabricante suele especificar segn la grfica siguiente

Rgimen continuo Cuando tratamos la potencia de una forma constante y no repetitiva, las ecuaciones se simplifican entonces a

14 PADM = ( TJADM - TA ) /
JC

y para una carcasa lgicamente a una temperatura mayor que la del ambiente, se ve restringida esta admisibilidad al valor PMAX = ( TJADM - TC ) /
JC

Por otra parte, la resistencia trmica entre la carcasa y el ambiente CA ser la suma de la de la carcasa al disipador CD ms la de ste al ambiente DA (contactos trmicos de compresin y abulonamiento). As nos queda finalmente
CA CA

= CD + DA = ( TC - TA ) / PMAX = ( TC - TA ) ( TJADM - TA ) / PADM ( TJADM - TC )

Diseo Sean los datos P = ... TA = ... ( ~ 25 [C] en ambientes habitables)

obtenemos entonces del manual del dispositivo PADM = ... y calculamos

JC

TJADM = ... ( ~ 100 [C] para el silicio)

= ( TJADM - TA ) / PADM = ...

pudiendo adoptar a qu temperatura estarn las junturas y de all el tamao del disipador TJ = ... < TJADM y con ello (puede estimarse
DA DA

~ 1 [C/W] )
JC

CA

DA

= { [ ( TJ - TA ) / P ] -

} - 1 = ...

y con la ayuda del baco siguiente u otro adquirir las dimensiones del disipador

15

_________________________________________________________________________________________

Cap. 04

Inductores de pequeo valor

Generalidades Q-metro Diseo de inductores Monoespira Solenoidal monocapa Toroidal monocapa Solenoidal policapa Diseo de inductores con ncleo de ferrita Blindaje a inductores solenoidales monocapa Diseo Choques de radiofrecuencia _________________________________________________________________________________ Generalidades Destacamos la terminologa resistencia, inductancia y capacitancia, de las de resistor, inductor y capacitor, donde las segundas arguyen a imperfecciones dadas por la combinacin de las primeras. El circuito equivalente para un inductor en general es el de la figura siguiente, donde la resistencia R est dada prcticamente por la hmica del alambre a continua RCC ms la que se produce por efecto pelicular CA. 2, desprecindose la que implica prdidas de calor por el ncleo ferromagntico que tenga; la capacitancia C lo ser

16 por la sumatoria de las individuales entre espiras; y finalmente la inductancia L por la geometra y ncleo del bobinado. Este conjunto determinar un inductor en el rango de frecuencias hasta 0 dado por las efectivas Lef y Ref hasta cierta frecuencia de autooscilacin 0 y donde se comportar dicho bobinado como un condensador.

Las grficas devienen del siguiente planteo Z = ( R + sL ) // ( 1 / sC ) = Ref + s Lef Ref = R / [ ( 1 - )2 + ( RC)2 ]

~ R / ( 1 - )2 ~ L/(1- )

Lef = [ L ( 1 - ) - R2C ] / [ ( 1 - )2 + ( RC)2 ] = ( / 0 )2 0 = ( LC )-1/2 Q = L / R = L ( CA 2 + RCC/ ) Qef = Lef / Ref = Q ( 1 - ) Q-metro

Para medir los componentes del inductor es comn el uso del Q-metro. Debe recordarse que este factor de mrito reactivo es el cociente entre las potencias reactiva y activa del dispositivo, y que para sintonas serie o paralelo su valor coincide numricamente con la sobrecorriente o sobretensin, respectivamente, en su componente resistiva. En la figura siguiente se muestra su implementacin bsica donde la amplitud de v g es siempre la misma para cualquier frecuencia, y donde tambin se tendr acceso a la lectura de la frecuencia, a la capacitancia patrn CP y al factor de mrito efectivo Q ef (obtenido del sobrevalor por el cociente de tensiones entre la del capacitor C P y la del generador vg).

17 El mtodo de medicin se sostiene en que generalmente el Qef medido a una mucho mayor que la unidad: Qef >> 1, y por lo tanto en estas condiciones se cumple VC = Igmax / y si aplicamos Thevenin VgTH = Vg ( R + sL ) / ( R + sL ) // ( 1/sC ) = K ( s2 + s. 2 K = Vg L C 0 = ( LC )-1/2 = R / 2 ( L / C )1/2
0 ef ef

cualquiera es siempre

CP = Vg / Ref

ef

CP = Vg / Qefmax

2 0

que para no afectar los clculos se deber trabajar lejos de la zona capacitiva (o resonante), es decir con la condicin <<
0

entonces, variando y CP llegamos a una resonancia cualquiera detectando un mximo VC donde se dan ef1 = [ L ( C + Cp1 ) ]-1/2 = ... Cp1 = ... Qef1max = ... y si repetimos la operativa para un incremento de n veces ( n > < 1 ) ef2 = n Cp2 = ... Qef2max = ...
ef1

= [ L ( C + Cp2 ) ]-1/2 = ...

podremos entonces hallar C = ( n2 Cp2 - Cp1) ( 1 - n2 )-1 = ... L = [ ef12 ( C + Cp1 ) ]-1 = ... y ahora Lef1 = ( 1 - Lef2 = ( 1 - C )-1 = ... 2 -1 = ... ef2 L C )
ef1 2L

18 Ref1 = Ref2 = y como R = RCC + finalmente CA = [ Ref1 ( 1 - ef12 L C )2 - Ref2 ( 1 - ef22 L C )2 ] / RCC = Ref1 ( 1 - ef12 L C )2 - CA ef12 = ...
ef1 2( CA 2

/ Qef1max = ... ... ef2 Lef2 / Qef2max =

ef1 Lef1

= Ref ( 1 - 2 L C )2

1 - n2 ) = ...

Diseo de inductores Monoespira Sean los datos L = ... Adoptamos un dimetro del inductor D = ... y del baco obtenemos su alambre = ( /D) D = ...

Solenoidal monocapa Sean los datos Lef = L = ... fmax = ... fmin = ... Qefmin = ...

19

Adoptamos un formato del inductor 0,3 < ( l/D ) = ... < 4 D = ... l = ( l/D ) D = ... y del baco que muestra la capacitancia distribuida C obtenemos = 106 C / D = ...

si ahora tenemos presente lo visto con anterioridad

max

< 0,2

= 0,2 ( LC )-1/2

estamos en condiciones de verificar la frecuencia de operacin inductiva 10-3 / L fmax2 = ... > D y el factor reactivo solicitado 7,5 . D . . fmin1/2 = ... > Qefmin

20

Seguidamente de la frmula de Wheeler expresada en el baco, resultan la cantidad de espiras juntas (/paso ~ 1, es decir alambre esmaltado) N = ...

y de all el alambre = (/paso) l / N ~ l / N = ... Cabe hacer notar que este diseo ha sido realizado para max< 0,2 0, pero puede modificarse y realizarse para mayores valores de frecuencia si se deseara, con la excepcin de que la frmula del Q ef ya no se cumplira satisfactoriamente. Toroidal monocapa Sean los datos L = ...

21

Adoptamos un formato del inductor M = ... D = ... resultando para espiras juntas (/paso ~ 1, es decir alambre esmaltado) l ~ M = ... N = 1260 . { L / [ M - ( M2 - D2 )1/2 ]-1 }1/2 = ... ~ M / N = ... Solenoidal policapa Sean los datos L = ...

Adoptamos un formato del inductor D = ... > l = ... 0,1 . l < e = ... < 5 . l y del baco U = ... N = 225 . [ L / ( D + e ) U ]1/2 = ... ~ ( e.l / 4.N )1/2 = ...

22

Diseo de inductores con ncleo de ferrita A todos los inductores con ncleo de aire al incorporrseles ferrita su L ef aumenta, pero su Qef disminuir por las prdidas de Foucault que aumentan.

As, para todos los casos vistos, al ponerles un ncleo magntico el valor final deviene LFINAL = ref > 1
ref

.L

donde ref es la permeabilidad relativa efectiva (o permeabilidad toroidal, que para el aire ref = 1) que cambia con la posicin del ncleo dentro de la bobina, como tambin lgicamente con el material implementado en su fabricacin. Dijimos que ordinariamente al ref se lo especifica en las hojas de datos como permeabilidad toroidal. Esto es as porque en la geometra toro no hay posibilidad de corrimiento de ubicacin del ncleo ni tampoco existencia de entrehierro. En la mayora de los diseos, debido a la gran variedad de materiales de ferrita existentes en plaza y sobre los cuales no se dispone de catlogos adecuados, es lo ms usual la experimentacin para obtener sus caractersticas. Para ello se mide la inductancia con y sin ncleo, y se obtiene ref de la ecuacin anterior. Puede recurrirse a la siguiente frmula para estimar la inductancia final que se obtendr de ubicar el ncleo como se muestra en la figura a una inductancia solenoidal monocapa
efFINAL

ref

. (DN/D)2 (lN/l)1/3

23

Blindaje a inductores solenoidales monocapa Cuando se incorpora un blindaje a una inductancia con o sin ferrita, aparecern unas segundas prdidas por Foucault debido a las corrientes indeseables que circularn por el cuerpo de este blindaje elctricamente equivale esto a otra resistencia en paralelo a la anterior.

Para el caso que estamos viendo, es decir solenoidales monocapa con o sin ncleo, la inductancia total final estar dada por LFINALtotal = F . LFINAL = F .
ref

.L

Para adoptar el espesor del blindaje conviene tener presente la frecuencia de trabajo y, por consiguiente, la penetracin que tiene la radiacin electromagntica externa en el mismo. Para encontrar este valor razonamos del modo que sigue. Suponemos que el frente de onda posee la forma polarizada de su campo elctrico Eyen = Epico e j (
t - x)

24

y teniendo en cuenta dos de las ecuaciones de Maxwell en el vaco (~ aire) X H = E + E / t X E = - H / t obtenemos - Hzsal / x = Eysal + Eysal / x = - Hzsal / t y por consiguiente ( Hzsal / x ) / t = - Eysal / t + 2Eysal / x2 - 2Eysal = 0 siendo = = = = [ ( j - ) ]1/2 ~ ( j )1/2 = ( 1 + j ) ( / 2 )1/2 conductividad 0 r = permeabilidad magntica (del aire X la relativa del material al aire) 0 r = impermeabilidad elctrica (del aire X la relativa del material al aire) 2Eysal / t2 = -
-1

Eysal / t

2Eysal / x2

determnase la siguiente ecuacin que satisface a la onda Eysal = Eysalpico(0) e -

x

= Eyenpico(0) e -

= Eyenpico(0) e x(

/2)1/2 e jx(

/2)1/2

Seguidamente, sin tener en cuenta la fase introducida

0 0 1/

Eysal x = Eyenpico(0) / Eysal x ~ 0,63 Eyenpico(0) /

25 y como el 63 % es un porcentaje razonable, se suele definir la penetracin como esta magnitud (recurdese que al 98 % son ~ 3 ) donde se supone concentrada la energa interferente = (2/ )1/2

siendo valores tpicos para el cobre y el aluminio Diseo Sean los datos f = ... (o mejor el valor mnimo de trabajo) LFINALtotal = ... LFINAL = ... l = ... D = ... por consiguiente del baco DB = (DB/D) . D = ... y si se adopta, por ejemplo aluminio, obtenemos el espesor mnimo necesario e = ... > 8300 / ( f )1/2 Choques de radiofrecuencia Los inductores as diseados ofrecen una gran reactancia inductiva con respecto al resto del circuito. Suelen tambin fabricarse como sintonas aprovechando la propia capacitancia distribuida, aunque actualmente se ha dejado de implementar esta postura. En las figuras siguientes se muestran estos tres posibles efectos.
Cu Al

= 6600 ( f )1/2 = 8300 ( f )1/2

_________________________________________________________________________________________

Cap. 05

Transformadores de pequeo valor

26 Generalidades Diseo de transformadores Solenoidal monocapa Solenoidal policapa _________________________________________________________________________________ Generalidades Como primera medida tengamos presente el circuito representativo de un transformador de pequea magnitud como se muestra seguidamente, donde se ha despreciado la capacitancia entre ambos bobinados.

El nmero a se denomina relacin de transformacin y equivale tambin llamarlo como relacin de espiras efectiva. El k es el coeficiente de acoplamiento entre los devanados primario y secundario, que es una magnitud constante con la frecuencia pues depende de las condiciones geomtricas del dispositivo. La inductancia en derivacin kL1 es la magnetizante. Por lo comn no se utiliza este circuito para el anlisis ya que es complejo, sino que se lo considera de acuerdo al rango de frecuencias de trabajo. As, podemos distinguir tres tipos de transformadores, a saber: - el de radiofrecuencia (k < 1) - ncleo de aire (k << 1) - ncleo de ferrita (k < 1) - el de audiofrecuencia (k ~ 1) - el de lnea (k = 1)

En este captulo analizaremos el de radiofrecuencias. Seguidamente vemos como ste se desprende de las consideraciones anteriores, y donde se ha omitido la aislacin de continua para simplificar si fuese menester esto, podra considerarse al mismo con una conexin a un segundo transformador ideal de relacin 1:1.

27

Este modelo circuital resulta del planteo del transformador como cuadripolo vp = ip Z11 vs = ip Z21 = = = = vp / ip vs / is vs / ip vp / is = = = = + is Z12 + is Z22 sL1 -sL2 sM -sM

Z11(is=0) Z22(ip=0) Z21(is=0) Z12(ip=0)

M = k ( L1L2 )1/2 donde los signos negativos resultan de la convencin del sentido saliente de la is. Entonces vp = ip sL1 vs = ip sM - is sM = ip s(L1-M) + (ip - is) sM - is sL2 = (ip - is) sM - is s(L2-M) = is ZL

ecuaciones que ponen de manifiesto el circuito de mallas siguiente que, si se pretende reflejarlo al primario, se modifican entonces las operaciones anteriores por un operador de transformacin que denominamos a vp = ip s(L1-aM) + (ip - is/a) saM avs = (ip - is/a) saM - (is/a) . s(a2L2-aM) = (is/a) . a2ZL

28 y de donde L1 = N12S1 ef1 / l1 L2 = N22S2 ef2 / l2 L1 / L2 = a2 a = n ( N12S1 ef1 l1 / N22S2 n = N1 / N2 y por consiguiente L1 - aM = L1 ( 1 - k ) L2 - aM = L1 ( 1 - k ) aM = L1 k Una forma rpida para obtener los componentes podra ser, entre otras, la siguiente abriendo y cortocircuitando el transformador 1) ZL = Len1 = ( L1 - M ) + M = ... Len2 = ( L2 - M ) + M = ... ZL = 0 Len3 = ( L1 - M ) + [ M // ( L2 - M ) ] = L1 - M2 / L2 = ... L1 = Len1 = ... L2 = Len2 = ... k = ( 1 - Len3 / Len1 )1/2 = ... M = [ ( Len1 - Len3 ) Len2 ]1/2 = ...

ef2 l1

)1/2

2) 3)

Diseo de transformadores Solenoidal monocapa Sean los datos k = ...

29

Calculamos las inductancias del primario y secundario segn se ha visto en su captulo respectivo al ver el diseo de solenoides monocapa L1 = ... L2 = ... l = ... D = ... y ahora aqu del baco S = (S/D) D = ...

Solenoidal policapa Sean los datos k = ... Calculamos las inductancias del primario y secundario segn se ha visto en su captulo respectivo al ver el diseo de inductores solenoidales policapa L1 = ... L2 = ... l = ...

30 D = ... e = ... N1 = ... N2 = ...

y si hallamos el operador = 109 k (L1L2)1/2 / N1N2 = ...

ahora aqu del baco S = [(s+e)/(D+e)] (D + e ) - e = ...

_________________________________________________________________________________________

31

Cap. 06

Inductores y Transformadores de gran valor

Circuito equivalente de un transformador Circuito equivalente de un inductor Medicin de las caractersticas Transformador de alimentacin Diseo Transformador de audiofrecuencias Transformador de pulsos Diseo Inductores de filtro con componente continua Diseo Inductores de filtro sin componente continua Diseo Autotransformador _______________________________________________________________________________ Circuito equivalente de un transformador Se ha hablado en el captulo que trata de transformadores de pequeo valor sobre el circuito equivalente, y que ahora reproducimos especificndolo para bajas frecuencias y amplindolo a = n = N1 / N2 nM M = k ( L1L2 )1/2 k~1 L1 L2 L1 (1-k) L2 (1-k) / n2 R1 R2 R0 C1 C2 ZL relacin de transformacin o de espiras inductancia magnetizante inductancia mutua entre primario y secundario coeficiente de acoplamiento inductancia del bobinado del primario (secundario abierto) inductancia del bobinado del secundario (primario abierto) inductancia de dispersin del primario inductancia de dispersin del secundario reflejada resistencia del cobre del alambre del primario resistencia del cobre del alambre del secundario resistencia de prdidas por Foucault e histresis capacitancia distribuida del bobinado del primario capacitancia distribuida del bobinado del secundario impedancia de carga

32 y sus componentes geomtricos S lA lFe lmed seccin del ncleo longitud del aire longitud del hierro longitud de la espira media

Circuito equivalente de un inductor Si al circuito anterior no le ponemos carga, tendremos el circuito de un inductor cualquiera con ncleo magntico. La figura siguiente muestra su simplificacin

donde L = L1, R = R1 y C = C1. Es de suma importancia saber que el valor de la inductancia vara con la corriente continua (o en su defecto con el valor medio de una pulsante) polarizante. Esto es debido a que la variacin de la permeabilidad, denominada permeabilidad incremental , cambia segn el punto de trabajo en la curva de histresis. Si llamamos como efectivo su valor ef, para una seccin del ncleo S y una longitud del circuito ferromagntico lFe (recurdese que la total tendr en cuenta tambin la despreciable del aire la), se tendr que L = ef . N2S / lFe ef = ef sin polarizacin Acompaamos seguidamente un baco que muestra su magnitud para chapas entrecruzadas y 60 [Hz] (se lo suele utilizar tambin para 50 [Hz] sin mayores inconvenientes).

33

Medicin de las caractersticas Seguidamente veremos una manera de medir L, ef y ef. Con la ayuda de una fuente de alimentacin CC y un transformador CA armamos el circuito que se muestra, donde se inyectan al inductor alterna y continua polarizante limitadas por una resistencia Rx experimental que servir para la medicin de las corrientes de continua y alterna. Luego anotamos los datos obtenidos en continua y eficaces VCC1 = ... VCC2 = ... VCA1 = ... VCA2 = ...

y determinamos R = VCC1 / ICC = VCC1 Rx / VCC2 = ... L = -1 ( 2 - R2 )1/2 = -1 [ ( VCA1 Rx / VCA2 )2 - R2 ]1/2 = ... Z Si medimos las dimensiones del inductor (o transformador) tambin obtenemos por la ecuacin anterior la permeabilidad efectiva dinmica
ef

= L lFe / N2S = ...

y aquella efectiva sin polarizacin (desconectamos la fuente de alimentacin CC) repitiendo la operacin VCA1 = ... VCA2 = ... ICC = 0 R = ... (con un hmetro)

34 y con ello L = -1 ( 2 - R2 )1/2 = Z ef = L lFe / N2S = ... Transformador de alimentacin Para proyectos de hasta 500 [VA] es factible despreciar a R0 frente a la magnetizante nM y, como se trabaja en frecuencias de lnea de 50 60 [Hz], es decir bajas, tambin es posible simplificar las capacitancias parsitas de los bobinados C1 y C2 porque presentarn altas reactancias. Como es sabido, la caracterstica de histresis de un material ferromagntico es alineal y asimtrica segn se muestra aproximadamente en las figuras siguientes. La misma, pero no de magnitudes continuas polarizantes CC sino alternas senoidales CA coincidir con la denominada curva de magnetizacin normal, puesto que entre el valor pico y el eficaz slo existe el valor de forma 0,707.
-1

[ ( VCA1 Rx / VCA2 )2 - R2 ]1/2 = ...

35 Para este transformador as considerado es deseable siempre que transmita una onda sinusoidal lo ms pura posible. Lograr esto implica atacar al ncleo por medio de una induccin B sinusoidal aunque la corriente magnetizante por el bobinado no lo sea; adems de esto deber notarse que la magnitud de saturacin pondr lmite al valor de la tensin aplicada. En otros trminos, al aplicar una entrada de tensin en el primario ser, prcticamente, la misma que aparecer en la inductancia magnetizante pues despreciamos la dispersin y cada en el bobinado primario. As v1 ~ v0 = V0pico cos t por lo tanto B = / S = ( N1-1 v0 t ) / S = V0pico ( S N1 )-1 sen t = Bpico sen t v0 / n = N2 . / t = N2 . BS / t = Bpico S N1 cos t = V0pico n-1 cos t donde puede observarse la dependencia totalmente lineal de entrada a salida, es decir, sin que la permeabilidad se encuentre en las ecuaciones. Seguidamente obtengamos la ley de Hopkinson. Ella nos dice que para un circuito magntico como el que estamos estudiando, es decir donde la seccin SFe del hierro es prcticamente la misma que la del aire SA (recurdese que esta ltima es considerablemente mayor por la dispersin de las lneas de fuerza), se cumple para una corriente i circulante instantnea que N1 i = HFe lFe + HA lA = B ( lFe / Fe + lA / A ) ~ B ( lFe / Fe + lA / 0 ) = B S = N1 i / Reluctancia = N1 i / [ s-1 ( lFe / Fe + lA / A ) ] = N1 i S Fe lFe-1 siendo
0 r

=
ef

permeabilidad del vaco ( 4 .10-7 [H/m] ) permeabilidad relativa del medio permeabilidad del medio -1 + (l /l )-1 ]-1 0 [ rFe permeabilidad efectiva del medio Fe A

y por lo tanto estamos en condiciones de determinar las inductancias L1 = N1 / i = ( N1/ i ) ( N1 i S L2 = N22 S Fe lFe-1 y tambin L1 = n2 L2 Por otra parte, segn la consideracin antedicha por un fuerte acoplamiento k~1 resultan las inductancias de dispersin y magnetizante L1 ( 1 - k ) ~ 0 nM = L1 k ~ L1 Diseo Sean los datos eficaces y frecuencia de lnea Vp = ... Vs = ... Is = ... f = ... De la experiencia se estima una seccin del ncleo
-1 Fe lFe

) = N12 S

-1 Fe lFe

36 S = ... > 0,00013 ( IsVs )-1/2

y de all elegimos una laminacin (el cuadro que se muestra puede cambiar un poco segn el fabricante) a = ... A = 3a = ... IFe = Imed = 12a = ...
CUADRO DE LAMINACIONES DE HIERRO-SILICIO

N LAMINACIN a [mm] 63 37 25 62 75 77 111 112 46 125 100 155 60 42 150 600 500 850 102 3 4,75 6,5 8 9,5 11 12,7 14,3 15 16 16,5 19 20 21 22,5 25 32 41 51

PESO APROXIMADO [Kg] SECCIN S CUADRADA

0,02 0,04 0,1 0,23 0,3 0,5 0,7 1 1,1 1,34 1,65 2,36 2,65 3,1 3,3 5,1 10,5 34 44

Para no saturar al ncleo consideramos los estudios anteriores Vppico < N1 S Bpico Bpico < 1 [ Wb/m2 ] resultando N1 = 0,0025 Vp / S Bpico f = ... N2 = N1 Vs / Vp = ... Ip = Ip N2 / N1 = ... Como la seccin de los conductores se supone circular s = 2 / 4 y siendo usual elegir una densidad de corriente para bobinados de 3 [A/m2], adoptamos sta J = ... < 3 . 106 [A/mm2] lo que nos permitir obtener 1 = 1,13 ( Ip / J )1/2 = ...

37 2 = 1,13 ( Ip / J )1/2 = ...

Seguidamente verificamos las intiles cadas hmicas en los bobinados R1 = lmed N1 / s1 ~ 22 . 10-9 lmed N1 / 12 = ... << Vp / Ip R2 ~ 22 . 10-9 lmed N2 / 22 = ... << Vs / Is y tambin que el arrollamiento entre en la ventana A segn la siguiente frmula emprica para confecciones a mquina (es decir no para arrollamientos manuales) N1 s1 + N2 s2 ~ 0,78 ( N1 12 + N2 22 ) = ... < 0,25 A Transformador de audiofrecuencias Se trata aqu de fabricar un transformador que deje pasar el espectro audible. Este componente, siendo similar a lo estudiado por poseer ncleo ferromagntico, debe entenderse tambin con las capacitancias del primario y secundario que habamos despreciado. Este motivo hace que no podamos despreciar las inductancias de dispersin, puesto que autooscilarn con las capacitancias; es decir, en otras palabras, que el coeficiente de acoplamiento ser considerado. Sin embargo podemos simplificar la capacitancia del primario si excitamos con un generador de tensin, puesto que si lo hacemos con corriente nos agregar un polo. Por este motivo la impedancia del generador Zg deber ser necesariamente muy menor a la reactancia de C1 en el peor caso, es decir, a la frecuencia mxima de agudos de audio Zg << 1 /
max

C1

Estamos en estas condiciones de analizar, para una carga hmica pura Z L = RL en el espectro audible, la transferencia del sistema primario a secundario. Lo haremos en dos partes, una primera para graves y luego otra para agudos.

Entonces, como para bajas frecuencias no afectan la capacitancia del secundario y por ende tampoco la inductancias de dispersin; as, despreciando la inductancia magnetizante y las prdidas en el hierro, se refleja en graves T(graves) = n vs / vp ~ { 1 + [ ( R1 + R2 n2 ) / RL n2 ] }-1 / ( s + min = [ L1 / [ R1 // ( R2 + RL ) n2 ] ]-1 y en agudos T(agudos) = [ n2 / ( 2 L1 (1-k) C2 )-1 ] / ( s2 + 2 s max + max2 ) max = { [ n2 / ( 2 L1 (1-k) C2 )-1 ] . [ 1 + [ ( R1 + R2 n2 ) / RL n2 ] ] }1/2 = { ( RL C2 )-1 + [ ( R1 + R2 n2 ) / [ 2 L1 (1-k) ] ] } / 2 max y si despreciramos la capacitancia C2 no tendramos sintona T(agudos) = [ n2 RL / 2 L1 (1-k) ]-1 / ( s +
max min )

38
max

= [ R1 + ( R2 + RL ) n2 ] / 2 L1 (1-k)

Transformador de pulsos Este transformador se destina a transferir ondas rectangulares lo ms puras posibles. Es conveniente para ello tambin poder despreciar la capacitancia del primario excitando con tensin, y poniendo una carga puramente resistiva. El inconveniente resulta debido al no tan alto coeficiente de acoplamiento que impide, generalmente, despreciar la inductancia magnetizante. Si logramos un diseo circuital que tenga los cometido anteriores, y le agreguemos el siguiente 2 n2 + s L1(1-k) << 2 n2 // ( n2 / sC2 ) R R entonces puede demostrarse que para una entrada escaln V en el primario resultan T = n vs / vp ~ [ n2 / C2 L1(1-k) ] / [ ( s + )2 + 02 ] 0 = [ n2 / C2 L1(1-k) ] - 2 = RL n2 / ( R1 + RL n2 ) = 0,5 { [ R1 / L1(1-k) ] + ( 1 / RL C2 ) } n vs = T V / s antitransformando V { 1 + e- t . sen ( 0t + ) / k 0 } k = [ n2 / C2 L1(1-k) ]1/2 = arc tag ( 0 / )

que se simplifica para despreciables inductancia de dispersin y capacitancia de salida T = n vs / vp ~ . s / [ s + ( R1 / L1 ) ] n vs = V [ 1 - ( R1 / L1 ) t ] Todo este anlisis se ha hecho con el fin de superponer los efectos de la respuesta del transformador a las altas y bajas frecuencias de una excitacin rectangular; o sea, respectivamente, a los flancos y techos de los pulsos. Por este motivo tenemos finalmente la serie de ecuaciones siguientes de diseo m = 1, 2, 3, ... (orden del pico considerado) = . T0 / 2 T0 = 2 / 0 ~ 2 [ L1(1-k) C2 / n2 ]1/2 tm = m . T0 / 2 ( 1 - 2 )1/2 tc ~ 0,53 . T0 (tiempo de crecimiento de la vs, definido entre el 10 % y 90 % de V ) vx ~ V [ 1 - ( R1 / L1 ) t ] v = 1 - ( vx( ) / V ) = R1 / L1 (error de pendiente)

39

Diseo Sean los datos

vmax

= ...

= ...

V = ...

RL = ...

n = ...

Se elige una cazoleta que haya en plaza y se obtienen de sus hojas de datos a = ... b = ... c = ... lFe = 2 ( 2a + b + c ) - lA = ... lmed = b = ... A = a b = ... S = a2 = ... lA = ... BSAT = ... T = ... (permeabilidad relativa denominada comnmente como toroidal)

Por lo visto anteriormente ef = 0 ( T-1 + lFe/lA )-1 = 4 .10-7 ( Bpico = ... < BSAT N1 = V / 2 S Bpico = ... N2 = N1 / n = ... L1 = N12 S ef / lFe = ... R1max = L1 vmax / = ... R2max = ... << RL
T -1

+ lFe/lA )-1 = ...

40 teniendo en cuenta la resistividad especfica se obtienen 1 = ... > 0,00015 ( lmed N1 / R1max )1/2 2 = ... > 0,00015 ( lmed N2 / R2max )1/2 y con ello se verifica que entren en la ventana N1 s1 + N2 s2 ~ 0,78 ( N1 12 + N2 22 ) = ... < 0,25 A

La determinacin total y final de la onda de salida slo se podr obtener con los datos del coeficiente de acoplamiento y la capacitancia distribuida que, como no se dispone de mtodos para su determinacin a priori, se aconseja experimentar el transformador una vez armado. Inductores de filtro con componente continua La curva de imantacin que polariza en CC a un inductor con ncleo magntico, depender su comienzo del magnetismo remanente inducido BREM (prcticamente despreciable) que tenga para luego seguir la curva de magnetizacin normal. Con esto se quiere adelantar el hecho de que es muy crtica la determinacin a priori del punto de trabajo. Encima de esta polarizacin se incluye la alterna CA determinando una histresis en la permeabilidad incremental que depender su efectividad del punto de trabajo.

En el baco que se mostr con anterioridad en el apartado Circuito equivalente de un inductor se explicitan para ncleos de chapas entrecruzadas con BREM despreciable y frecuencia de 60 [Hz] algunos valores del incremental para el hierro Fe hacindose notar que en la prctica bien pueden ser utilizadas tambin estas curvas para 50 [Hz]. De esto la inductancia efectiva que tendremos valdr L = N2 S ef / lFe ef = 0 / [ rFe-1 + ( lA / lFe ) ] = [ siendo
ef

-1 Fe

+ ( lA / 0lFe ) ]-1

la permeabilidad incremental efectiva del hierro.

41 Diseo Sean los datos ICC = ... >> ICC = ... L = ... Rmax = ... f ~ 50 [Hz]

Adoptamos una laminacin del cuadro ya presentado al disear un transformador a = ... lFe ~ lmed ~ 12 a = ... S = 4 a2 = ... A = 3 a2 = ... VFe = S lFe = ... eligiendo lA = ... << lFe Determinamos ahora B HQ = H
Fe

HQ = ( N ICC

Fe

/ lFe ) . ( N ICC / lFe ) = ICC ICC L / lFe S = ...

para que, de las curvas de Hanna siguientes obtengamos N = ...

42

y en funcin de la resistividad especfica = ... > 0,00015 ( lmed N / Rmax )1/2 verificando que el diseo entre en la ventana segn la siguiente expresin prctica N s ~ 0,78 N 2 = ... < 0,25 A Inductores de filtro sin componente continua En forma aproximada podremos disear una inductancia dada si tenemos en cuenta la las grficas vistas y cuadro de laminaciones para el hierro. As con ello, de las ecuaciones L = ( N2 S / lFe ) . (Bef / Hef ) donde Bef y Hef son los valores eficaces que conforman su cociente a Diseo Sean los datos L = ... Imax = ... (eficaz) f = ... Adoptamos una laminacin del cuadro ya presentado al disear un transformador a = ... lFe ~ lmed ~ 12 a = ... S = 4 a2 = ... A = 3 a2 = ... y elegimos un punto de trabajo en el baco de la curva de magnetizacin normal de valores eficaces visto en el apartado anterior de Transformador de alimentacin, donde se preferir lgicamente estar lejos de la saturacin del ncleo y tambin preferiblemente en la zona lineal as si la Imax disminuyera lo har tambin ef linealmente de manera proporcional ef = ... N = ( lFe L /
ef.

ef

S )1/2 = ...

Para no exceder en calor al bobinado adoptamos una densidad de corriente de 3 [A/mm2] = ... > 0,00065 Imax1/2

y verificamos que este dimetro pueda entrar en la ventana y que la resistencia del mismo no altere la calidad del inductor 0,78 N 2 = ... < 0,25 A 22 .10-9 lmed N / 2 = ... << L Autotransformador Las dimensiones fsicas de un autotransformador son siempre mucho menores que las de un transformador para la misma potencia transferida. Esto es debido a que en el primero solamente se sobredimensiona el bobinado expuesto al incremento o dficit de tensin, y entonces la inductancia magnetizante sigue siendo de magnitud baja
POTENCIA EN UN TRANSFORMADOR

= Vp Ip

43
POTENCIA EN UN AUTOTRANSFORMADOR

~ Vp Ip 1

n-1

El clculo y diseo de este componente seguir los pasos vistos para el diseo del transformador, donde se tratar a la diferencia de devanados con el mismo criterio que si fuese un secundario tpico.

44 ______________________________________________________________________________________________________

Cap. 07

Fuentes de Alimentacin sin estabilizar

Generalidades Fuente de media onda con filtro RC Diseo bacos de Shade Fuente de onda completa con filtro RLC Diseo Conexin de diodos en serie Diseo _________________________________________________________________________________ Generalidades Se estudiarn aquellas hasta 500 [VA] debido a la simplificacin de su circuito equivalente. Toda fuente de alimentacin sigue el esquema de la figura siguiente, donde el distorsionador genera armnicas CA y una componente continua CC aprovechable como alimentadora. La pureza o perfectibilidad de toda fuente est dada, bsicamente, por dos mritos: la habilidad del filtro para atenuar convenientemente a todas las armnicas posibles, y la baja resistencia de salida del mismo regulacin o estabilizacin.

Fuente de media onda con filtro RC El distorsionador, implementado aqu con un simple diodo, permitir que circule por l la corriente continua de la distorsin y su contenido armnico i3 = iC + iCC = iC + ICC + iZ donde los armnicos son dados por iC + iZ y a iZ es la denominada como zumbido. As, la tensin de continua de salida instantnea valdr vCC = VCC + vZ = ICC RCC + iZ RCC = VCC ( V / 2 ) Definimos entonces al zumbido de la fuente al cociente Z = vZ / VCC

45 Analicemos las formas de onda que tenemos. Para una entrada sinusoidal v2 = E2pico sen t

conducir el diodo (ideal) cuando se cumpla que vd = v2 - vCC > 0 y si despreciamos su cada resultan i2 ~ v2 Y = I2pico sen ( t + ) I2pico = E2pico [ GCC2 + ( C)2 ]1/2 = arc tag CRCC En la desconexin del diodo vd = v2 - vCC = 0 con el condensador cargado al valor vCC (
)

= v2 (

= V2pico sen

que luego empezar a descargarse vCC ( t -

)

= vCC (

e -(t-

) / C RCC

= V2pico e - ( t -

) / C RCC . sen

Podemos tener idea analtica del zumbido si aproximamos vz ~ ( V / 2 ) - ( V . t / 2 ) puesto que mientras el diodo no conduce es el condensador quien alimenta la carga V / t = ICC / C V = ICC / C

46 y en consecuencia z = vz / VCC = [ ( 0 vz2 t ) / ]1/2 / VCC ~ V / 3,46 VCC = = / 3,46 C RCC ~ 1 / 7 f C RCC Diseo Sean los datos V1 = ... f = ... VCC = ... ICCmax = ... ICCmn = ... > 0 Zmax = ...

Suponemos que el diseo del transformador posee inductancias del primario y secundario proporcionales, es decir, que R1/n2 ~ R2. Esta aproximacin, que no est para nada lejos de la realidad, nos simplificar bastante el proyecto. Evitamos en primer lugar disipar energa intilmente en el transformador y elegimos R1/n2 + R2 ~ 2 R2 << VCC / ICCmax R2 = ... << 2 VCC / ICCmax y obtenemos con ello RS = R1 / n2 + R2 + 0,6 / ICCmax ~ 2 R2 + 0,6 / ICCmax = ... RS / RCC ~ ( RCCmmax + RCCmin ) / 2 = [ ( VCC / ICCmin ) - ( VCC / ICCmin ) ] / 2 = ... pudindose elegir tambin como magnitud RS / RCC para el caso ms conveniente. Entonces de las curvas de Shade que se muestran seguidamente, para media onda tenemos C = ... V2pico = ... I3ef = ... I3pico = ... Los datos para la eleccin del diodo rectificador sern (siempre es conveniente sobredimensionarlos un poco) IRMS = I3ef = ... IMEDIA = ICCmax = ... IPICO REPETITIVA = I3pico = ... IPICO TRANSITORIA = V2pico / ( R1 / n2 + R2 ) ~ V2pico / 2 R2 = ... VPICO INVERSA = VCC + V2pico ~ 2 VCC = ... y al fabricante del transformador
TENSIN DEL PRIMARIO FRECUENCIA RELACIN DE ESPIRAS RESISTENCIA DEL SECUNDARIO RESISTENBCIA DEL PRIMARIO POTENCIA APARENTE

V1 = ... (ya determinada precedentemente) f = ... (ya determinada precedentemente) n = V1 / V2 ~ 1,41 V1 / V2pico = ... R2 = ... (ya determinada precedentemente) R1 = R2 n2 = ... S1 ~ ( VCC + 0,6 ) ICCmax = ...

47

bacos de Shade Para mayor exactitud en los temas que estamos viendo y seguirn, contamos con las curvas experimentales de Shade que, realizadas con vlvulas diodo de vaco, permiten de todas maneras aproximar resultados para los semiconductores. Seguidamente se muestran las que utilizaremos existen ms que el lector podr hallar en cualquier otra bibliografa. Las primeras relacionan las corrientes por el rectificador i 3 con la continua por la carga ICC (que es la media), donde la resistencia serie RS arguye a la suma de todas las efectivas que son la del primario reflejada al secundario, la de secundario y la que tenga el rectificador (diodo o diodos) en su conduccin esttica media RS = R1 / n2 + R2 + RRECTIFICADOR RRECTIFICADOR (1 diodo) ~ 0,6 [V] / ICC RRECTIFICADOR (2 diodos en puente transformador) ~ 0,6 [V] / ICC RRECTIFICADOR (4 diodos en puente rectificador) ~ 2 . 0,6 [V] / ICC

las segundas expresan el rendimiento de deteccin d, como el cociente entre la tensin continua que podemos obtener respecto del valor pico de la seal de entrada. Primero tenemos el caso de un rectificador de media onda con un filtro capacitivo y luego lo tenemos para el de onda completa tambin con filtro capacitivo

48

y luego lo tenemos para el de onda completa tambin con filtro capacitivo

49 La tercera curva de Shade que aqu presentamos nos muestra el porcentaje de zumbido

Fuente de onda completa con filtro RLC Es usada esta fuente cuando se requiere un menor zumbido, mayor estabilizacin de tensin y evitar bruscos picos de corriente por el rectificador, sobretodo en el inicio. Por este ltimo motivo es indispensable elegir una inductancia por encima de un valor crtico LC que analizaremos. Supongamos que sea v2 = V2pico sen t

50 y viendo las grficas observamos que la corriente por los diodos es una continua ms una alterna senoidal que lleva un desfasaje . Si estimamos muy bajo el zumbido a la salida, puesto que de hecho a priori es lo que buscamos y debemos lograr, resulta Z = VZsal / VCC = IZsal RCC / ICC RCC = IZsal / ICC << 1 y despreciando entonces i3 ~ ICC + iC I3pico sen ( 2 t + ) I3pico = ( ICC2 + ICpico2 )1/2 = [ ( VCC / RCC )2 + ( 2 C VZsalpico )2 ]1/2 = arc tag ( ICpico / ICC ) = arc tag ( 2 C VZsalpico RCC / VCC ) Por otra parte, como v3 coincide con la forma de v2, por Fourier tenemos v2 ( n . 2 / 0,5 T) = ( 2 / T ) . 0T/2 v2 e - j ( n . 2 / 0,5 T) t t = 2 V2pico / ( 1 - 4n2 ) v2 = ( 2V2pico/ ) - ( 4V2pico/3 ) cos 2 t - ( 4V2pico/15 ) cos 4 t ... ~ ~ ( 2V2pico/ ) - ( 4V2pico/3 ) cos 2 t = VCC - VZsalpico cos 2 t Con el fin de que el zumbido circule por el capacitor y no por la carga hacemos RCC >> 1 / 2 C y tambin para que toda la alterna caiga prcticamente sobre el inductor logrando bajas magnitudes en la carga 2 L >> 1 / 2 C permitir analizar ICpico = VZsalpico 2 C ~ VZentpico / 2 L ICC = VCC / RCC y teniendo presente, como se anticipara, que la inductancia siempre poseer una magnitud por encima del valor crtico LC que no determine pulsos de corriente sobre ella (y por tanto tambin en el rectificador) ICpico (Lc) = VZentpico / 2 L = VCC / RCC resulta LC = VZentpico RCC / 2 VCC = 2 RCC / 6 ~ 0,053 RCC / f

Si se est interesado en hallar el zumbido, tengamos presente que la alterna es atenuada por el divisor reactivo LC conforme a la transmisin VZsal / VZent ~ ( 1 / 2 C ) / 2 L = 1 / 4 2LC resultando de las ecuaciones anteriores finalmente (las curvas de Shade muestran este mismo efecto) Z = VZsal / VCC ~ 0,707 VZsalpico / VCC = 0,707 VZentpico / 4 2LCVCC ~ 0,003 / f 2LC Hasta aqu no se ha considerado la resistencia del inductor RL, la cual afectar a la tensin de la carga segn la simple atenuacin VCCfinal = VCC RCC / ( RL + RCC ) ~ 2 V2pico / ( 1 + RLGCC )

51 Diseo Sean los datos V1 = ... f = ... VCC = ... ICCmax = ... ICCmn = ... > 0 Zmax = ...

Elegimos una inductancia mayor que la crtica en el peor caso L = ... > 0,053 VCC / f ICCmn De la definicin de zumbido Z = VZsalpico / VCC y segn vimos VZentpico = 4 V2pico / 3 ~ 4 VCC / 3 ~ 0,424 VCC

es apropiado con estos valores despejar la magnitud del condensador por la ecuacin tambin previamente vista C = ... > VZentpico / VZsalpico 4 2L ~ 0,424 VCC / Zmax VCC 4 2L = 0,0027 / f 2 L Podemos seguidamente obtener la relacin de espiras n = V1 / V2 ~ 1,41 V1 / V2pico = 1,41 V1 / ( VCC / 2 ) ~ 0,897 V1 / VCC = ... Ahora, para no disipar potencias intiles en el transformador y bobinado del inductor, se hacen R1 = ... << n2 VCC / ICCmax R2 = ... << VCC / ICCmax RL = ... << VCC / ICCmax Ser por consiguiente los datos para la fabricacin del transformador
TENSIN DEL PRIMARIO FRECUENCIA RELACIN DE ESPIRAS RESISTENCIA DEL SECUNDARIO RESISTENBCIA DEL PRIMARIO POTENCIA APARENTE

V1 = ... (ya determinada precedentemente) f = ... (ya determinada precedentemente) n = ... (ya determinada precedentemente) R2 = ... (ya determinada precedentemente) R1 = ... (ya determinada precedentemente) S1 ~ VCC ICCmax = ...

los del inductor

INDUCTANCIA RESISTENCIA

L = ... (ya determinada precedentemente) RL = ... (ya determinada precedentemente)

y los del puente rectificador IRMS = [ ICCmax2 + ( Zmax VCC 2 C )2 ]1/2 ~ [ ICCmax2 + 158 ( Zmax VCC f C )2 ]1/2 = ... IMEDIA = ICCmax = ... IPICO REPETITIVA = ICCmax + Zmax VCC 2 C 21/2 ~ ICCmax + 1,78 Zmax VCC f C = ... IPICO TRANSITORIA ~ V2pico / ( R1 / n2 + R2 ) ~ 1,57 VCC / 2 R2 = ...

52 VPICO INVERSA ~ ( VCC + V2pico ) / 2 ~ 1,3 VCC = ... Conexin de diodos en serie Los rectificadores de conmutacin comunes o controlados (TBJ, GTB, RCS y TRIAC) soportan una dada tensin de pico inversa admisible VPI al circular por ellos una corriente inversa admisible IINVADM. Cuando se requiere tolerar tensiones superiores a esta magnitud V > VPI se disponen en serie los mismos como se muestra en la figura. Esta cantidad n de juegos diodo-resistencia, conjuntamente considerando su tolerancia R, limitar entonces las tensiones respectivas.

Puede demostrarse que para que el sistema trabaje correctamente debe cumplirse que n > 1 + [ ( V - VPI ) / VPI ] ( 1 + R / R + R IINVADM / VPI ) / ( 1 - R / R ) o bien de esta otra forma R < { [ VPI / ( 1 + R / R ) ] - [ ( V - VPI ) / ( n - 1 ) ( 1 - R / R ) ] } / IINVADM Diseo Sean los datos (VPI e IINVADM pueden experimentarse sencillamente con una alta fuente de alimentacin por ejemplo implementada con una multiplicadora y una resistencia en serie) V = ... ( o bien en CA sinusoidal Vpico = ... ) VPI = ... IINVADM = ... Elegimos una tolerancia de los resistores R / R = ... y determinamos con la frmula vista la cantidad de celdas a poner (reemplazar en CA sinusoidal a V por Vpico ) n = ... > 1 + [ ( V - VPI ) / VPI ] ( 1 + R / R + R IINVADM / VPI ) / ( 1 - R / R ) y la magnitud de los resistores R = ... < { [ VPI / ( 1 + R / R ) ] - [ ( V - VPI ) / ( n - 1 ) ( 1 - R / R ) ] } / IINVADM verificando la potencia que deben tolerar P(para CC) = V2 / n R = ... P(para CA sinusoidal) = Vpico2 / 2 n R = ...

53 ____________________________________________________________________________________________

Cap. 08

Fuentes de Alimentacin estabilizadas

Generalidades Fuente paralelo con diodo Zener Diseo Fuente paralelo con diodo Zener programable Fuente paralelo con diodo Zener y TBJ Fuente serie con diodo Zener y TBJ Fuente serie con diodo Zener, TBJ y preestabilizador Fuente serie por comparacin Fuente serie con AOV Diseo Fuente con circuito integrado 723 Diseo Fuente con circuito integrado 78XX Fuente serie conmutada Diseo _________________________________________________________________________________ Generalidades En la siguiente figura observamos una fuente de alimentacin realizada con un simple divisor resistivo, donde su entrada ser una continua CC ms un rango dinmico indeseable CA que, para simplificar, optamos sea sinusoidal, como asimismo una variacin de la carga vCC = VCC VCC = VCC + Vpico sen t i L = IL IL

determinando en un rgimen dinmico vCC = vL + ( iL + iT ) RS = vL + vLRS / RT + iLRS = vL ( 1+ RS / RT ) + iLRS vL = ( vCC - iLRS ) / ( 1+ RS / RT ) y por consiguiente factores parciales de estabilizacin con respecto a la tensin de entrada, las variaciones posibles de la carga y con respecto a la temperatura ambiente VL = Fv VCC + FI IL + FT T Fv = VL / VCC = 1 / ( 1+ RS / RT )

54 FI = VL / IL = - RS Fv FT = VL / T = 0 Resultando finalmente VL = ( VCC - RS IL ) / ( 1+ RS / RT ) Fuente paralelo con diodo Zener Para conseguir pequeas magnitudes de Fv y FI se utiliza aqu en reemplazo de la RT un dispositivo Zener donde su resstencia hmica es muy pequea. La ventaja de esta implementacin radica en que para iguales valores de VL la corriente en derivacin IL (aqu IZ) no arroja magnitudes elevadas y por consiguiente incmodas y de intiles disipaciones, como asimismo altas tensiones de entrada. Las ecuaciones de comportamiento no cambian, puesto que el circuito analizado dinmicamente es el mismo Fv = VL / VCC = 1 / ( 1+ RS / rZ ) FI = VL / IL = - RS Fv FT = VL / T = VZ / T = Z

Diseo Sean los datos VCCmax = ... VCCmin = ... ILmax = ... ILmin = ... >=< 0 VL = ... Elegimos un diodo Zener y del manual hallamos VZ = VL = ... PADM = ... (0,3 [W] para cualquiera) IZmin = ... (0,001 [A] para cualquiera de baja potencia es razonable) Seguidamente adoptamos una RS de tal manera que sostenga la alimentacin del Zener RS = ... < ( VCCmin - VL ) / ( IZmin + ILmax ) y verificamos que no se exceda la potencia en el mismo

55 [ ( VCCmax - VL ) / RS ] - ILmin = ... < PADM / VZ Finalmente determinamos la potencia que ha de disipar la resistencia PSmax = ( VCCmax - VL )2 / RS = ...

Fuente paralelo con diodo Zener programable Se vende en el comercio un circuito electrnico que por medio de dos resistencias R1 y R2 se implementa la VZ a voluntad (con un mximo dado por el fabricante) con los datos referentes IREF y VREF VZ = V1 + V2 = [ ( VREF / R2 ) + IREF ] R1 + VREF = VREF ( 1 + R1/R2 ) + IREF R1

Fuente paralelo con diodo Zener y TBJ Podemos magnificar el efecto Zener en su potencia con el amplificador a TBJ que se indica. El inconveniente de esta implementacin son dos: una que la IZmin aumentar por esta amplificacin, y otra segunda que la resistencia dinmica rZ empeorar por el agregado de la juntura base-emisor en serie con la del Zener. Esta especie de Zener efectivo tendr entonces las propiedades siguientes IZef ~ IZ VZef ~ VZ + 0,6 rZef ~ rZ + h11e

56

de donde resultan los factores Fv = VL / VCC = 1 / [ 1+ RS / ( rZ + h11e ) ] FI = VL / IL = - RS Fv FT = VL / T = VZef / T = Z + ~ Fuente serie con diodo Zener y TBJ La siguiente disposicin es ms usada. La baja resistencia de salida en base comn determina muy buena estabilizacin. Aqu los valores se traducen a IL ~ IB = { [ ( VCC - VZ ) / RS ] - IZ } VL ~ VZ - 0,6 RSAL ~ ( rZ + h11e ) / h21e

- 0,002

y en el comportamiento dinmico vL ~ vZ ~ ( vCC - iL RS h21e-1 ) / ( 1 + RS/rZ ) Fv = 1 / ( 1 + RS/rZ ) FI = - RS Fv / h21e FT = Z - ~ Z + 0,002

57 Fuente serie con diodo Zener, TBJ y preestabilizador En este circuito se aprovecha la preestabilizacin de las variaciones de VCC con un generador de corriente en el lugar de RS. As, la corriente alimentadora es prcticamente independiente de la alimentacin (recurdese VZ2 que es producida por VCC) IC1 ~ IE1 ~ ( VZ2 - VBE2 ) / R1 ~ ( VZ2 - 0,6 ) / R1

IC1 (Vcc, RL)

Tengamos en cuenta que dinmicamente para todos los casos prcticos tanto R2 como la resistencia de entrada a la base de Q2 son muy grandes con respecto a la del Zener R2 >> rZ2 << h11e + ( 1 + h21e ) R1 por consiguiente, la resistencia efectiva RS dinmicamente ser rS = ( vCC - vbe2 - vL ) / ( vR1 / R1 ) ~ ( vCC - vL ) / ( vR1 / R1 ) = = ( vCC - vL ) R1 / ( vCC rZ2 / R2 ) = ( 1 - vL / vCC ) R1 R2 / rZ2 ~ R1 R2 / rZ2 habindose despreciado vL frente a vCC porque se supone a priori que este circuito estabiliza. Seguidamente esta expresin la reemplazamos en la ecuacin anterior que se plante para una RS fsica y se obtienen vL ~ vZ ~ [ vCC - ( iL R1 R2 / rZ2 h21e ) ] / [ 1 + ( R1 R2 / rZ1 rZ2 ) ] Fv = 1 + ( R1 R2 / rZ1 rZ2 ) FI = - ( R1 R2 / rZ2 h21e ) Fv FT = Z - ~ Z + 0,002

Fuente serie por comparacin Un sistema econmico y prctico es el de la figura siguiente. Si despreciamos la corriente por R1 frente a la de la carga, entonces podemos plantear esta ltima IL ~ IC2 = 2 ( I0 - IC1 ) = 2 [ I0 - 1 ( VL - VBE1 - VZ ) / R1 ] = = 2 { I0 + [ 1 ( VZ + VBE1 ) / R1 ] - ( 1 VL / R1 ) }

58

donde se observa que si VL quiere aumentar, permaneciendo I0 prcticamente constante, la IC2 disminuir automticamente su valor consiguiendo con ello la estabilizacin buscada. Para el anlisis dinmico esta ecuacin deviene en la siguiente iL ~ h21e2 [ ( vCC - vL ) / R0 - h21e1 vL / ( R1 + h21e1 rZ ) ] o bien ordenndola de otra manera resultan vL ~ [ vCC - ( iL R0 / h21e2 ) ] / [ 1 + h21e1 R0 / ( R1 + h21e1 rZ ) ] Fv = 1 / [ 1 + h21e1 R0 / ( R1 + h21e1 rZ ) ] FI = - R0 Fv / h21e2 FT = Z + ~ Z - 0,002 Fuente serie con AOV Aunque esta fuente se encuentra integrada en un chip, es prctico tambin implementarla discretamente con un AOV y con ello analizar su funcionamiento. Sus ecuaciones bsicas son las de un amplificador no-inversor VL = V5 ( 1 + R2/R1 ) = VZ ( 1 + R2G1 ) / ( 1 + R4G5 ) vL = vZ ( 1 + R2G1 ) / ( 1 + R4G5 )

59 Diseo Sean los datos VCCmax = ... VCCmin = ... ILmax = ... ILmin = ... 0 VLmax = ... VLmin = ... 0 Comenzamos eligiendo el TBJ o cadena Darlington hallando los regmenes mximos ICADM = ... > ILmax VCE0 = ... > VCCmax - VCCmin carga accidentalmente) PCEADM = ... > ILmax VCCmax y luego obtenemos de la hoja de datos TJADM = ... JC = ( TJADM - 25 ) / PCEADM = ... ~ ... lo que nos permitir determinar para el AOV VXX = ... VLmax + VBE = VLmax + 0,6 VYY = ... > 0 PAOVADM = ... > ILmax ( VXX - VBE ) / = ILmax ( VXX - 0,6 ) / IAOVB = ... (recordemos que esta para entrada a JFET es nula) Seguidamente se calcula el disipador trmico segn se vio en el captulo respectivo superficie = ... posicin = ... espesor = ... Adoptamos un diodo Zener VZ = ... PZADM = ... IZmin = ... y podremos elegir R1 y el potencimetro (R4+R5), sobre quien no conviene disipar una potencia mayor que 0,25 [W] R1 = ... << VYY / 2 IAOVB VYY2 / 0,25 < (R4 + R5) = ... << VYY / 2 IAOVB lo que permitir seguidamente calcular de la ganancia de la configuracin no-inversora R2 = R1 [ ( VLmax / VZ ) - 1 ] = ... Para el proyecto de R3 nos valemos de las dos consideraciones vistas en la estabilizacin por Zener R3 = ( VCCmin - VZ ) / [ IZmin + VZ (R4 + R5)-1 ] = ... > > ( VCCmax - VZ ) / [ ( PZADM / VZ ) + VZ (R4 + R5)-1 ]

(aunque sera mejor slo VCCmax

por si se cortocircuita la

60 PR3 = ( VCCmax - VZ )2 / R3 = ... Fuente con circuito integrado 723 Una variante del caso anterior, es decir con un AOV, es con el circuito integrado RC 723 o similar. El mismo posee adems del operacional, en este caso de transconductancia AOG, ya incorporado en el mismo chip un diodo Zener de unos aproximados 7 [V], un TBJ excitador que admite 150 [mA], un segundo TBJ para proteger los cortocircuitos, y una posible entrada capacitiva para evitar autooscilaciones indeseables.

Las ecuaciones de comportamiento sern entonces VL = VREF ( 1 + R2/R1 ) = VREF ( 1 + R2G1 ) / ( 1 + R4G5 ) vL = vREF ( 1 + R2G1 ) / ( 1 + R4G5 ) y en cuanto a la proteccin ILIM = VBE / R3 ~ 0,6 / R3 Diseo Sean los datos ILmax = ... ILmin = ... 0 VLmax = ... 33 [V] VLmin = ... 0 y del manual de datos VCCADM 35 [V] IREFADM ~ 0,015 [A] IC2ADM ~ 0,15 [A] VREF ~ 7,1 [V]

61 Con el fin de no disipar mucha potencia en los potencimetros (R1 + R2) = ... (pre-set) > VLmax2 / 0,25 (R4 + R5) = ... (potencimetro regulador) > VREF2 / 0,25 y verificamos no exceder la corriente VREF / (R4 + R5) = ... < IREFADM Elegimos una alimentacin pensando que cuando Q1 conduzca ms no se saturar; por ejemplo 2 [V] porque ser un TBJ de potencia VCC = ... = VLmax + VCE1min ~ VLmax + 2 Adoptamos el transistor Q1 o cadena Darlington en base a los regmenes IC1max = ILmax = ... VCE1max = VCC = ... < VCE01 PCE1max = IC1max VCE1max = ... < PCE1ADM Seguidamente se calcula el disipador trmico segn se vio en el captulo respectivo superficie = ... posicin = ... espesor = ... Calculamos el resistor protector R3 = 0,6 / ILmax = ... PR3 = ILmax2 R3 = ... que para fabricarla, si no se la dispone en el comercio, ser dispuesta como arrollamiento sobre otra ms grande que le sirva de sostn RX = ... >> R3 = 0,00035 ILmax1/2 = ... l = 45 . 106 2 R3 = ...

Fuente con circuito integrado 78XX Bajo las siglas 78XX o 79XX, donde XX es la magnitud de tensin de salida, respectivamente, se fabrican fuentes positivas y negativas de uso muy verstil, e indispensables para toda aplicacin de tcnicas digitales hoy en da.

62 Exigidas con tensiones de entradas y corrientes del orden del Amper con disipador trmico, hacen eficientemente la estabilizacin de la tensin de salida. Para ms datos es deseable recurrir a sus hojas de datos.

En estos chips es posible cambiar la tensin de regulacin si ajustamos con un pre-set la realimentacin, puesto que este circuito integrado posee un AOV internamente

Fuente serie conmutada Con este circuito podemos manejar grandes potencias sin exigir al TBJ ya que trabajar conmutado.

63

En las siguientes grficas expresamos el funcionamiento.

Cabe destacar que estas curvas son ideales (es decir aproximadas), puesto que para fines prcticos, didcticos y de diseo se ha despreciado la tensin entre colector-emisor de saturacin V CES y los 0,6 [V] del diodo rectificador D1.

64 Durante el intervalo 0- el flujo magntico de la bobina, representada por la corriente que la circula I 0, le circula exponencialmente y que, como se ha elegido una alta constante de tiempo, resultar por ello en rampa. En el perodo siguiente -T la bobina descarga su flujo tambin exponencialmente porque el diodo D1 le da acceso a este proceso. El AOV hace las veces de comparador Schmidtt-Trigger con R1 y R2 y es entonces realimentado positivamente para conseguir un efecto biestable en el sistema a fin de que oscile. La R4 es un simple limitador de corriente en la base del TBJ y permite entonces que la VXX del AOV opere con tensiones mayores que la carga. A su vez, el diodo D 2 hace las veces de protector de tensin inversa al TBJ cuando el AOV vuelca a VYY. La tensin del Zener VZ es necesaria desde el punto de vista del arranque del circuito, ya que en el primer instante VL es nula. Por otra parte, como por R1 tenemos pulsos de corriente con la polaridad adecuada en cada conmutacin, y se cumple que la tensin sobre sta vale VL = VZ - VL deseando VZ y VL constantes, deber serlo tambin entonces VL; por este motivo es conveniente hacer que VZ sea lo ms prximo posible a VL con el fin de minimizar el error. Si no se dispone de un Zener del valor de tensin adecuado, entonces puede recurrirse a utilizar un divisor resistivo de la tensin en la carga y con ello alimentar la pata inversora del AOV. Hallemos ahora algunas ecuaciones que definan el comportamiento del circuito y nos sirvan para su proyecto. Partamos del hecho que tenemos que trabajar con un perodo de oscilacin donde la inductancia sea lo suficientemente reactiva asegurndonos una rampa L / RB >> T determinando con esto I0 = VL / L = ( T - ) ( VCC - VL ) / L de donde VL = VCC ( 1 - /T ) Tambin, como I0 = C VL / + VL / RL ~ C VL /

habindose supuesto un correcto filtrado C RLmin >> y por otra parte como VL = ( VAOV - VZ ) R1 / ( R1 + R2 ) + VZ tenemos acotada la variacin VL = VLmax - VLmin = = [ ( VXX - VZ ) R1 / ( R1 + R2 ) + VZ ] - [ ( -VYY - VZ ) R1 / ( R1 + R2 ) + VZ ] = = ( VXX + VYY ) / ( 1 + R2G1 ) De igual manera que cuando se estudi el captulo de fuentes sin estabilizar, definimos inductancia crtica LC aquella lmite que hara tericamente un cambio de polaridad IL = I0/2. Entonces, combinando las ecuaciones anteriores obtenemos su valor LC = 0,5 T RLmax [ ( VCCmin / VL ) - 1 ]

65 Diseo Sean los datos ILmax = ... ILmin = ... 0 VCCmax = ... VCCmin = ... 0 VL = ... Estimamos los regmenes del TBJ (recurdese que en el arranque VL = 0) ICmax = ILmax = ... VCEmax = VCCmax = ... < VCE0 y eligiendo uno obtenemos de sus hojas de datos VCES = ... (aproximadamente 1 [V]) ICADM = ... VBES = ... apag = ... enc = ... min = ... TJADM = ... PCEADM = ... Con las condiciones de proteccin del AOV y conmutacin del TBJ hallamos VXX = ... > VCCmax+ VBES - VCES VYY = ... 36 [V] - VXX PAOVADM = ... < VXX ILmax / min IB(AOV) = ... (para entrada JFET es nula) lo que permitir calcular a R4 tal que sature al TBJ; en el peor caso R4 =
min

( VXX - 0,6 - VBES + VCES - VCCmax ) / ILmax = ...

Seguidamente adoptamos a R1 un valor prcticamente cualquiera, o bien segn la polarizacin de su zona activa en la transicin R1 = ... << VYY / 2 IB(AOV) Elegimos una pequea variacin de tensin en la carga que deber ser mayor sensiblemente que la pequea existente entre los terminales diferenciales del AOV al trabajar activamente. Una magnitud prctica podra ser 10 [mV] VL = ... 0,01

lo que nos permitir despejar de la ecuacin previamente vista R2 = R1 [ ( VXX + VYY ) / VL - 1 ] = ... Teniendo siempre en cuenta que a mayor frecuencia de oscilacin el filtro ser menos exigido, y trabajando con flancos agudos para no sobrecalentar al TBJ, verificamos
enc

apag

= ... << T

66 y por consiguiente estimamos un valor de inductancia con la resistencia de su bobinado L = ... > T VL (VCCmin / VL - 1 ) / 2 ILmin RB = ... << L / T Seguidamente determinamos la mxima excursin de corriente por el inductor I0max = T VL ( 1 - VL / VCCmax ) / L = ... Ahora hallamos el valor del condensador C = ... >> / RLmin = T ILmax ( VL-1 - VCCmax-1 ) y verificamos la estimacin hecha ILmax + 0,5 I0max = ... < ICADM

Como por lo comn no se poseen bacos para la determinacin de la potencia con pulsos sobre un TBJ (de no ser as puede recurrirse al captulo que explica y disea su uso), aproximamos el valor medio para el peor caso ( ~ T) PCEmax ~ VCES ( ILmax + 0,5 I0max ) = ... lo que permitir encontrar el disipador trmico superficie = ... posicin = ... espesor = ... Las especificaciones para los diodos sern IRMS1 ~ ILmax + 0,5 I0max = ... VPICO INVERSA 1 ~ VCCmax = ... RECUP INVERSA 1 = ... << T IRMS2 ~ ILmax / min = ... VPICO INVERSA 2 ~ VCCmax + VYY = ... RECUP INVERSA 2 = ... << T Con el fin de que el sistema arranque satisfactoriamente y tengamos buena estabilizacin (dijimos que en su defecto hay que poner un Zener de menor tensin y un divisor resistivo en la carga que alimente a la pata inversora) VZ ~ > VL = ... PZADM = ... IZmin = ... Para no exceder la corriente por el AOV se verifica la adopcin anteriormente realizada

67 ( VXX - VZ ) ( R1 + R2 + ( ILmax + 0,5 I0max ) ( VXX + VZ ) ( R1 + R2 )-1 = ... < PAOVADM / VYY )-1 resultando asimismo R3 = ( VCCmin - VZ ) / [ IZmin + ( VZ + VYY ) (R1 + R2)-1 ] = ... > > ( VCCmax - VZ ) / [ ( PZADM / VZ ) - ( VXX - VZ ) (R1 + R2)-1 ] PR3 = ( VCCmax - VZ )2 / R3 = ...
min -1

= ... < PAOVADM / VXX

____________________________________________________________________________________________

Cap. 09 Amplificacin de Audiofrecuencias en bajo nivel clase A

Teora previa del TBJ Teora previa del JFET Caractersticas generales de funcionamiento Transistor bipolar de juntura TBJ Emisor comn Base comn Colector comn Transistor de efecto de campo de juntura JFET Surtidor comn Compuerta comn Drenador comn Diseo emisor comn Diseo base comn Diseo colector comn Diseo drenador comn Sumador con AOV Diseo _________________________________________________________________________________ Teora previa del TBJ Una vez polarizado el transistor, se puede plantear su comportamiento con el sistema de ecuaciones de los denominados parmetros hbridos. En continua y emisor comn son (h21E = ) VBE = h11E IB + h12E VCE IC = h21E IB + h22E VCE

68

y dinmicamente VBE = h11e IB + h12e VCE IC = h21e IB + h22e VCE donde h11e h12e h21e h22e = = = = VBE VBE IC / IC / / / IB VCE IB ~ VCE

~ 0

o bien con una terminologa ms verstil vbe = h11e ib + h12e vce ic = h21e ib + h22e vce ~ h11e ib ~ h21e ib

Ser til tambin tener en cuenta la transconductancia del dispositivo gm = ic / vbe ~ h21e / h11e (las constantes de las derivadas parciales son las que diferencian la ecuacin)

Sabemos que estos parmetros varan con respecto al punto de polarizacin, temperatura y frecuencia. Dentro de una cierta zona, como muestra la figura, podremos considerarlos casi constantes.

69

Para medir los parmetros de alterna del transistor simplificado, es decir despreciando h12e y h22e, podemos recurrir al circuito siguiente, donde se tendr un cortocircuito en el colector si diseamos h22e-1 >> RC = ... 100 [ ]

y se mide con un osciloscopio para la polarizacin deseada sin deformacin (recuerde que al excitar con tensin la seal deber ser pequea, pues la linealidad es slo con la corriente) VCE IC = vR0p vcep vbep = ... ( VCC - VCE ) / RC = ... = ... = ... = ...

resultando con ello h11e = vbep / ibp = R0 vbep / vR0p = ... h21e = icp / ibp = R0 vcep / RC vR0p = ... gm = icp / vbep = ...

70 Teora previa del JFET Una vez polarizado el JFET se tiene que ID = Gm VGS + Gds VDS

y tomando incrementos ID = gm VGS + gds VDS gm = ID / VGS gds-1 = rds = VDS / ID o bien con otra nomenclatura ms cmoda id = gm vgs + gds vds y si mantenemos constante ID hallamos el factor de amplificacin 0 = gm vgs + gds vds = - vds / vgs = gm rds Como en general rds es grande y despreciable frente a las resistencias en el drenador por debajo de los 10 [K ], se prefiere usar la simplificacin id ~ gm vgs Un circuito prctico para la medicin de la transconductancia g m es el siguiente, donde se estima al drenador conectado a tierra para alterna rds >> RD = ... 100 [ ]

71

y medimos con un osciloscopio VDS ID = vdsp vgsp = ... ( VCC - VDS ) / RD = ... = ... = ...

resultando con ello gm = idp / vgsp = RD vdsp / RC vgsp = ... Caractersticas generales de funcionamiento La metodologa que se va a utilizar responde al siguiente circuito

Transistor bipolar de juntura TBJ Emisor comn

72 Zent = vent / ient = vbe / ib = h11e Av = vsal / vent = - ic ZC / ib h11e = - gm ZC Ai = isal / ient = - ( vsal / ZC ) / ( vent / Zent ) = - Av Zent / ZC = h21e Zsal = vx / ix = ZC Base comn Zent = vent / ient = veb / ie = ib h11e / ( ib + ib h21e ) = h11e / ( 1 + h21e ) ~ gm-1 Av = vsal / vent = ic ZC / ib h11e = gm ZC Ai = isal / ient = - Av Zent / ZC = h21e / ( 1 + h21e ) ~ 1 Zsal = vx / ix = ZC Colector comn Zent = vent / ient = [ibh11e + (ib + ib h21e) ZC] / ib = h11e + (1 + h21e) ZC ~ h11e+ h21e ZC Av = vsal / vent = ie ZC / ib Zent = [1 + h11e / (1 + h21e) ZC ]-1 1 Ai = isal / ient = - Av Zent / ZC = 1 + h21e ~ h21e Zsal = vx / ix = ZC // [ ib (h11e + Zg ) / ie ] ~ ZC // [ ( h11e + Zg ) / h21e ]

Transistor de efecto de campo de juntura JFET Las consideraciones son similares que para el TBJ pero con rgs = h11e = . Surtidor comn Zent = vent / ient = Av = vsal / vent = - gm ZC Ai = isal / ient = (no entra corriente) Zsal = vx / ix = ZC Compuerta comn Zent = vent / ient = gm-1 Av = vsal / vent = gm ZC Ai = isal / ient = 1 Zsal = vx / ix = ZC Drenador comn Zent = vent / ient = Av = vsal / vent Ai = isal / ient =

(no entra corriente)

73 Zsal = vx / ix = ZC // Diseo emisor comn Interesados en seales dinmicas, las grandes capacitancias del circuito mantendrn su cargas y son equivalentes entonces a generadores de tensin ideales con un valor igual al que tienen en su polarizacin. Al igual que como se ha hecho anteriormente hallamos Av = vL/vg = - ic (RC//RL) / ig [Rg+(h11e//RB//RS)] = - gm (RC//RL) / [1+Rg/(h11e//RB//RS)] Ai = iL/ig = - ic[(RC//RL)/RL]/ ib[h11e/(h11e//RB//RS)] = - h21e/ (1+RL/RC)[1+h11e/(RB//RS)] Zent = vg/ig = ig [Rg+(h11e//RB//RS)]/ig = Rg+(h11e//RB//RS) Zsal = vsal/isal = RC//(vsal/ic) = RC gm-1

Si se tienen los siguientes datos vmin = ... Rg = ... RL = ... fmin = ... A elegimos un TBJ y del manual o su experimentacin hallamos VCE = ... IC = ... = ... h21e = ... h11e = ... gm = h21e / h11e = ...

Teniendo en cuenta lo visto en el captulo de polarizacin adoptamos VRE = ... 1 [V] 1 SI = ... 20 originando RC = VCE / IC = ... RE ~ VRE / IC = ... VCC = 2 VCE + VRE = ... RB = ( SI - 1 ) RE VCC / [ 0,6 + VRE + ( SI - 1 ) RE IC RS = { [ ( SI - 1 ) RE ]-1 - RB-1 }-1 = ... y verificamos la ganancia gm (RC//RL) / [1+Rg/(h11e//RB//RS)] = ... vmin A

-1

] = ...

74 Para que las capacitancias de acople no presenten cada comparable frente a la resistencia que ve en sus extremos es RL >> 1 / min CC CC = ... >> 1 / min RL h11e//RB//RS >> 1 / min CB CB = ... >> 1 / y la de desacople h11e >> (1+h21e) . 1 /
min

min

h11e//RB//RS

CE

que nos dar normalmente un CE muy grande. Para evitarlo analizamos mejor la transferencia del circuito de colector-base a potencia mitad en min, es decir ~ 3 [dB] de cada c /vb = ic(RC//RL) / [ibh11e+ (ic+ib)ZE] ~ 0,707 gm(RC//RL) v de donde entonces CE = ... > ( h21e2 + 2h21eh11e/RE )1/2 / h11e Diseo base comn Si llamamos usando Thevenin RT = Rg // RE vT = vg RE / ( RE + Rg ) al igual que como se ha hecho anteriormente encontramos Av = vL/vg = ic (RC//RL) / vT [1+(Rg/RE)] ~ gm (RC//RL) / [1+Rg/(RE//gm)] Zent = vg/ig = Rg+[RE//(veb/ie)] ~ Rg+ (RE//gm) Ai = iL/ig = Av Zent / RL = (1+RL/RC) (1+ 1/REgm ) Zsal = vsal/isal = RC//(vsal/ic) = RC
min

Si se tienen los siguientes datos

75 vmin = ... Rg = ... RL = ... fmin = ... A elegimos un TBJ y del manual o su experimentacin hallamos VCE = ... IC = ... = ... h21e = ... h11e = ... gm = h21e / h11e = ...

Teniendo en cuenta lo visto en el captulo de polarizacin adoptamos VRE = ... 1 [V] 1 SI = ... 20 originando RC = VCE / IC = ... RE ~ VRE / IC = ... VCC = 2 VCE + VRE = ... RB = ( SI - 1 ) RE VCC / [ 0,6 + VRE + ( SI - 1 ) RE IC RS = { [ ( SI - 1 ) RE ]-1 - RB-1 }-1 = ... y verificamos la ganancia gm (RC//RL) / [1+Rg/(RE//gm)] = ... vmin A

-1

] = ...

Para que las capacitancias de acople no presenten cada comparable frente a la resistencia que ve en sus extremos es RL >> 1 / y la de desacople h11e >> 1 /
min min

CC

CC = ... >> 1 /

min

RL

CB

CB = ... >> 1 /

min

h11e

y de manera anloga razonamos con el condensador del emisor RE // gm >> 1 /

min

CE

pero que nos dar normalmente un CE muy grande. Para evitarlo analizamos mejor la transferencia del circuito de colector a base con la potencia mitad a min, es decir ~ 3 [dB] de cada c /vent = ic(RC//RL) / [ibh11e+ (ic+ib)ZE] ~ 0,707 gm(RC//RL) v de donde entonces CE = ... > 1 / Diseo colector comn Si llamamos usando Thevenin RT = Rg // RB // RS vT = vg ( RB // RS ) / ( Rg + RB // RS )
min

gm

76 al igual que como se ha hecho anteriormente encontramos Av = vL/vg = ie (RE//RL) / vT [ (Rg+RB //RS) / (RB //RS) ] ~ ~ [h21e RE//RL/(h11e+h21eRE//RL)] . {(1+Rg/RB //RS) [1+RT/(h11e+h21eRE//RL)]}-1 ~ 1 Zent = vg/ig = Rg+RB//RS//[(ibh11e+ieRE//RL)/ib] ~ Rg+ RB//RS//(h11e+h21eRE//RL) Ai = iL/ig = Av Zent / RL h21e Zsal = vsal/isal = RE//[ib(h11e+RT)/ie] ~ RE//[(h11e+Rg//RB//RS)/h21e]

Si se tienen los siguientes datos Rent = ... Rg = ... RL = ... fmin = ... elegimos un TBJ y del manual o su experimentacin hallamos VCE = ... IC = ... = ... h21e = ... h11e = ... gm = h21e / h11e = ...

Teniendo en cuenta lo visto en el captulo de polarizacin adoptamos VRE = VCE = ... 1 [V] 1 SI = ... 20 originando RE ~ VRE / IC = ... VCC = 2 VCE = ... RB = ( SI - 1 ) RE VCC / [ 0,6 + VRE + ( SI - 1 ) RE IC RS = { [ ( SI - 1 ) RE ]-1 - RB-1 }-1 = ... y verificamos la resistencia de entrada Rg+ RB//RS//(h11e+h21eRE//RL) = ... Rent

-1

] = ...

Para que las capacitancias de acople no presenten cada comparable frente a la resistencia que ve en sus extremos es RL >> 1 /
min

CE

CE = ... >> 1 /

min

RL

77 Rent >> 1 /
min

CB

CB = ... >> 1 /

min

[Rg+ RB//RS//(h11e+h21eRE//RL)]

Diseo drenador comn Generalmente usado para adaptar impedancias, o sea con el fin de no cargar al generador excitador, el circuito siguiente ser el propuesto. Encontremos entonces sus principales caractersticas Zent = vg / ig = Rg + RG Zsal = vsal / isal = RE // ( vsg/id ) = RE // gm

Si entonces tenemos los siguientes datos a respetar Rent = ... Rsal = ... Rg = ... RL = ... fmin = ... elegimos un JFET y del manual o su experimentacin hallamos VP = ... IDSS = ... IG0 = ... Si tenemos en cuenta que Rsal = gm-1 para esta configuracin y que gm = ID / VGS ~ 2 IDSS ( 1 + VGS / VP ) / VP hacemos 0 > VGS = ... [ VP ( VP / 2 IDSS Rsal ) ] - 1 = ... ID = IDSS ( 1 + VGS / VP )2 = ... VDS = ... VP VCC = VDS - VGS = ... RS = - VGS / ID = ... Rent RG = ... << - VGS / IG0 Diseamos los capacitores de acoplamiento para que a la frecuencia mnima tengan reactancia despreciable

78 RL >> 1 / RG >> 1 / Sumador con AOV Comnmente a este circuito se lo denomina mezclador. En la figura siguiente vemos una posible implementacin del mismo, donde se observa que no es ms que un amplificador inversor de n entradas, y que posee un filtro de altas frecuencias en su circuito de realimentacin. Sus ecuaciones de comportamiento son R1 = Rg1 + R1n Rent n = R1n Avn = Z2 / R1 vL = ( vg1 + vg2 + ... vgn ) Avn = - ( vg1 + vg2 + ... vgn ) ( R2 // sC-1 ) / R1
min min

CS CG

CS = ... >> 1 / CG = ... >> 1 /

min min

RL RG

Diseo Sean los datos Rg1 = ... Rg2 = ... Rgn = ... fmax = ... Av0 = ... (ganancia mnima en la banda pasante) Elegimos un AOV y del manual o su experimentacin obtenemos VCC = ... IB = ... (con JFET IB = 0) por lo tanto R2 = ... << VCC / 2 IB R1n = ( R2 / Av0 ) - Rgn = ... R3 ~ R2 // ( R1 / n ) = R2 // [ ( R2 / Av0 ) / n ] = ... (con JFET R3 = 0) Si diseamos el capacitor para que produzca la potencia mitad a la mnima frecuencia especificada Av (
max)

= 0,707 Av0 = R2 / R1 [ 1 + (

max

C R2 )2 ]1/2 C = 1 /

maxR2

= ...

79 Como para cualquier AOV la mxima potencia recomendable es del orden de 0,25 [W], prevenimos 0,25 > VCC2 / RL RL = ... 1 [K ]

____________________________________________________________________________________________

Cap. 10 Amplificacin de Audiofrecuencias en alto nivel clases A y B

Generalidades Rendimiento de una etapa Linealidad de la amplificacin Mxima potencia disipada Amplificador sin acoplamiento (clase A) Amplificador con acoplamiento inductivo (clase A) Diseo Amplificador con acoplamiento capacitivo (clase B) Diseo Variante diferencial Amplificador con el circuito integrado 2002 Parlantes y cajas acsticas Diseo Filtros acsticos Diseo _________________________________________________________________________________ Generalidades

80 Rendimiento de una etapa Considerando a un amplificador como distribuidor de energa, observamos lo siguiente PENT potencia entregada por la fuente de alimentacin PEXC potencia excitadora (magnitud despreciable) PSAL potencia de salida sobre la carga til potencia disipada por el amplificador (su/s dispositivo/s de salida) PENT ~ PSAL + PDIS

PDIS

y denominamos rendimiento o eficiencia del mismo al cociente = PSAL / PENT

de donde tambin se deduce PDIS = PENT - PSAL = PSAL ( Linealidad de la amplificacin Estudiar el comportamiento aqu de los transistores de salida con parmetros de baja seal no tiene sentido. Deber hacerse con los de continua. Es tambin importante en estas consideraciones del tratamiento de seales sobre transistores el excitarlos con corriente y no con tensin, puesto que su linealidad de transferencia se ve ptima slo con la primera. Para mejorar siempre toda alinealidad de las amplificaciones es siempre recomendable realimentar negativamente el circuito. El porcentaje de distorsin armnica D se reduce prcticamente en el factor 1+GH. Mxima potencia disipada Cuando un TBJ posee una recta de funcionamiento como muestra la figura, la potencia entre colectoremisor va cambiando su magnitud a medida que el punto de trabajo se desplaza, y habr un mximo que nos propondremos encontrar. Sus ecuaciones de comportamiento son las siguientes IC = ( V - VCE ) / R PCE = IC VCE = V VCE / R - VCE2 / R PCE / VCE = V / R - 2 VCE / R [ PCE / VCE ] PCEmax = 0 PCEmax = V2 / 4 R
-1 -

1)

81

Amplificador sin acoplamiento (clase A) Si bien este no es un circuito prctico debido a su mala eficiencia, ser didctico en nuestros estudios. Seguidamente expresamos sus ecuaciones de comportamiento PSALmax = PLmax = ( 0,707 vLp )2 / RL = ( 0,707 VCC/2)2 / RL = VCC2 / 8 RL PENTmax = VCC ICmed = VCC ( VCC / 2 RL ) = VCC2 / 2 RL = PSALmax / PENTmax = 0,25 PDISmax = PCEmax = PSALmax ( -1 - 1 ) = 3 PSALmax = 0,375 VCC2 / RL

Amplificador con acoplamiento inductivo (clase A) El circuito es el siguiente, donde se representa el efecto de sobretensin de la inductancia magnetizante, mejorar el rendimiento de la etapa. De esta manera resultan las ecuaciones PSALmax = PLmax = ( 0,707 VCC )2 / n2RL = VCC2 / 2n2RL PENTmax = VCC ICmed = VCC [ ( 2VCC / n2RL ) / 2 ] = VCC2 / n2RL = PSALmax / PENTmax = 0,5 PDISmax = PCEmax = PSALmax ( -1 - 1 ) = PSALmax = VCC2 / 2n2RL

82

En la prctica se suele poner una pequea resistencia en el emisor RE con dos fines; a saber: primero, que la tensin en base entre excitando por corriente (R EN ~ RE) y no por tensin porque sufrira deformaciones la seal en la transcripcin (slo el es lineal en el TBJ), y segundo para estabilizar el punto de trabajo ya que el transistor se encuentra calentado.

Diseo Sean los datos RL = ... PLmax = ... (potencia para un tono) fmax = ... fmin = ... Adoptamos una alimentacin conveniente VCC = ...

83 lo que implica n = N1 / N2 = ( VCC2 / 2 RL PLmax )1/2 = ... y luego determinamos el bobinado del transformador segn lo visto en su captulo respectivo R1 R2 1 2 = ... = ... = ... = ... << << > > n2 RL RL 0,00065 [ ( ICC2 + ICef2 )1/2 ]1/2 ~ 0,0001 ( PLmax / n2 RL )1/2 0,00065 ( n ICef )1/2 ~ 0,00077 ( PLmax / n RL )1/2

eligiendo una inductancia que verifique el efecto generador de corriente y garantice 2VCC (llamamos L a la inductancia del primario magnetizante L1)
min

L >> n2 RL

L = ...

>> n2 RL /

min

y para corroborar su magnitud podran utilizarse las ecuaciones y bacos que se presentaron en el captulo respectivo HQ = N1 IC / lFe B = VCC / S N1 L = N12 S ef / lFe = N12 S / [ ( lFe/

ef

) + ( lA/

)]

o bien recurriendo a las mediciones empricas. Hallamos a continuacin los datos para elegir el TBJ IC = VCC / n2 RL = ... VCE ~ VCC / 2 = ... ICmax = 2 IC = ... VCEmax = 2 VCC = ... PCEmax = VCC2 / 2n2RL = ... y obtenemos del mismo TJADM = ... PCEADM = ... JC = ( TJADM - 25 ) / PCEADM = ... ~ ... y para el disipador superficie = ... posicin = ... espesor = ... Seguidamente elegimos una pequea realimentacin en el emisor que no afecte los clculos RE = ... << n2 RL PREmax = ( ICC2 + ICef2 ) RE ~ 1,5 IC RE = ... y terminamos de polarizar RB = ( VCC - 0,6 - IC RE ) / IC = ...

84 Amplificador con acoplamiento capacitivo (clase B) El circuito siguiente tpico clase B es denominado simetra complementaria. El acoplamiento capacitivo a la carga es realizado a travs del condensador de la fuente negativa de alimentacin (no indicado en el dibujo).

Para el sistema ideal tenemos las siguiente ecuaciones para un tono nico senoidal PSALmax = PLmax = ( 0,707 VCC )2 / RL = VCC2 / 2RL PENTmax = 2 VCC ICmed = 2 VCC ( iLp / ) = 2 VCC ( VCC / RL ) = 2 VCC2 / RL ) = PSALmax / PENTmax = / 4 ~ 0,78 PDISmax = 2 PCEmax = PSALmax ( -1 - 1 ) ~ 0,28 PSALmax = 0,14 VCC2 / RL modificndose para una seal cuadrada como se vio anteriormente en clase A PCEmax = VCC2 / 4 RL PDISmax = 2 PCEmax = 0,5 VCC2 / RL El siguiente circuito perfecciona al anterior por ser ms elaborado. Este circuito si no tuviera a R2 adolece de una distorsin por no polarizar las bases y que se denomina distorsin cruzada previamente vista en la implementacin anterior. Sumndose a esto, la asimetra de la excitacin del par complementario trae aparejada normalmente una deficiencia en las seales positivas sobre la carga; por ello se configura una fuente de alimentacin extra que sobrevala este comportamiento y cuyo responsable es el capacitor C1 denominado tirabotas (porque realimenta: "tirar del cordn de las botas para calzarse"). El diodo mejora la imperturbabilidad de la carga de C1 aun si su placa positiva se elevara en tensin sobre V CC. Si no estuviese este reforzador, habra que disear una R1 muy pequea y polarizara en clase A desmesuradamente a Q 3 resultando ineficiente el sistema R1 << VCC / IB1max ~
1

RL

85

Se ha ubicado un cuarto transistor Q0 con el fin de mejorar la estabilizacin de los corrimientos de la polarizacin en clase B del par de salida cuando se manejan potencias en la carga superiores a 5 [W] debido a que se encuentran, ante seal, calentados. De esta manera sus corrientes de fuga colector-base afectarn a la base de Q0 magnificndose su corriente IC0 y por ello evitar que la primera entre a las bases del par complementario. Por este motivo ser aconsejado, aunque no necesario, que Q0 se acople trmicamente al disipador de los complementarios, as su propia ICB00 se sumar al efecto y regular el punto de trabajo en clase B. Tambin es usual conectar pequeos resistores en los emisores del par de salida. Para mayores potencias se implementa en Darlington el par complementario, pero con NPN sus salidas por el costo econmico de esta juntura al hablar de potencia, cosa por la cual se denomina al sistema en este caso de simetra cuasicomplementaria. Hay muchas variantes con conexiones de resistores y diodos. La siguiente es slo una de ellas, donde los criterios de diseo para RE y RB pueden consultarse en el captulo de polarizacin de dispositivos. ~
A B

86 El circuito final que disearemos se presenta a continuacin. Se a eliminado la fuente partida por su reemplazo el condensador C2 que estar encargado de suministrarla. El transistor Q4 provee la realimentacin negativa necesaria y sirve de preamplificador a Q3, y su ajuste de polarizacin R5 en verdad polariza a todo el circuito. El condensador C3 es optativo puesto que eliminar oscilaciones e interferencias indeseables.

Las ecuaciones de comportamiento son, para la polarizacin (recurdese que a fines prcticos las tensiones baseemisor que varan entre 0,6 y 0,75 [V] se aproximan todas en 0,6 [V]) R1 = R11 + R12 IR12 = IC3 = IB1 + ( 2 . 0,6 / R2 ) = constante por el tirabotas VC1 = IC3 R12 + 0,6 para la excitacin a plena carga positiva IC3min = 0 IB1max = IR12 IC1max = IB1max / a plena carga negativa IC3max = IR12 + IB2max IB2max = IC2max / 2 = vLmax / 2 RL = [ ( VCC / 2 ) - 0,6 ) ] / IC2max = IB2max / 2 = [ ( VCC / 2 ) - 0,6 ) ] / RL y para la seal Av = vL / vb4 ~ 1 + R3 / R6 Rent ~ R5

= IR12 /

RL

87 Diseo Sean los datos RL = ... PLmax = ... (potencia para un tono) fmax = ... fmin = ... Av = ... Calculamos una alimentacin conveniente teniendo presente la fuente partida y la posible afeccin de la tensin base-emisor PSALmax = PLmax = [ ( VCC - 0,6 ) / 2 ]2 / 2RL VCC = ( 8 PLmax RL )1/2 + 0,6 = ...

Seguidamente obtenemos los regmenes del par de salida en el peor caso PCE1max = ( VCC / 2 )2 / 4 RL = VCC2 / 16 RL = ... IC1max = VCC / 2 RL = ... VCE1max = VCC = ... y del manual polarizndolos prcticamente al corte con VCE1 = VCC / 2 IC1 = ... 1 ~ ... TJADM1 = ... PCEADM1 = ... JC1 = ( TJADM1 - 25 ) / PCEADM1 = ... y para el disipador de cada uno superficie = ... posicin = ... espesor = ... Calculamos IB1max = [ ( VCC / 2 ) - 0,6 ) ] /
1

RL = ...

Adoptamos la corriente corazn del sistema IC3 = ... > IB2max = IB1max originndose R2 = 2 . 0,6 / ( IC3 - IB1 ) = 1,2 / [ IC3 - ( IC1 /
1

) ] = ...

R12 = ( VBE1max - VBE1 ) / ( IC3 - IB1max ) 0,15 [V] / ( IC3 - IB1max ) = ... PR12 ~ IC32 R12 = ... R11 = R1 - R12 = { [ ( VCC / 2 ) - 0,6 ) ] / IC3 } - R12 = ... PR11

VCC2 / 8 R11 = ... (R11 se encuentra prcticamente en paralelo con RL)

Para el clculo de los regmenes de Q3 conviene recordar que su lnea de funcionamiento no es precisamente la de una recta. Por consiguiente determinamos su exigencia IC3max = IR12 + IB2max = [ ( IC1 / VCE3max = VCC = ...
1

) + ( 2 . 0,6 / R2 ) ] + IB1max = ...

88 PCE3max ~ ( VCE3max / 2 ) ( IC3max / 2 ) = ... y como VCE3 = ( VCC / 2 ) - 0,6 = ... resulta que se elige el transistor y se halla
3

= ...

pudindose necesitar un pequeo disipador en algunos casos. Para no alterar los clculos hechos se elige IC4 = ... << IC1 y por la estima vista en el captulo de polarizacin adoptamos VR3 = ... 1 [V] IR5 = ... ~ IC4 lo que determinar finalmente R3 R4 R5 R6 R7 = = = = ~ VR3 / IC4 = ... VR4 / IR4 ~ 0,6 / IC4 = ... VR5 / IR5 = [ 0,6 + VR3 + ( VCC/2 ) ] / IR5 = ... (elegirlo mayor por ser un ajuste) R3 / ( Av - 1 ) = ... ( VCC - IR5 R5 ) / IR5 = ...

El condensador reforzador deber poseer la siguiente tensin VC1 = IC3 R12 + 0,6 = ... y su descarga a evitar ser sobre un circuito totalmente alineal que ir cambiando en cada semiperodo. Podemos aproximarlo considerando que a la frecuencia mnima (del peor caso) deber tener una constante de tiempo grande C1 [ R11 // ( R12 + h11E1 ) ] >> 1 / fmin C1 [ R11 // ( R12 + R2 ) ] >> 1 / fmin semiciclo positivo en la carga semiciclo negativo en la carga

por lo cual se aconseja experimentar su magnitud y evitar grandes ecuaciones no muy precisas. Como C2 es el ms voluminoso y costoso de los condensadores, lo calculamos para que produzca la potencia mitad (la resistencia de salida del amplificador es despreciable por ser salida en colectores comunes y estar realimentado negativamente) C2 = ... 1 / min RL VC2 = VCC / 2 = ... El capacitor C3 como se dijo, ser optativo y experimental, pudindose elegir de 0,1 [ F]. En cuanto a C4, ste deber ser un cortocircuito siempre frente al serie R3-R6 de realimentacin C4 = ... >> 1 /
min

( R3 + R6 )

89 Variante diferencial La implementacin muestra un acoplamiento sin condensador y con transistores trabajando en clase B operando en modo antiparalelo. Las ecuaciones de comportamiento son las siguientes para un tono senoidal PSALmax = PLmax = ( 0,707. 2VCC )2 / RL = 2 VCC2 / RL PENTmax = 2 VCC . 2 ICmed = 2VCC ( 2 iLp / ) = 2 VCC ( 4VCC / RL) = 8VCC2 / RL = PSALmax / PENTmax = / 4 ~ 0,78 PDISmax = 4 PCEmax = PSALmax ( -1 - 1 ) ~ 0,07 PSALmax = 0,14 VCC2 / RL

y donde puede compararse con respecto al simetra complementaria comn donde se observa que para la misma alimentacin la potencia en la carga logra cuatriplicarse PSALmax (4 TBJ) / PSALmax (2 TBJ) = 4 y que para una misma potencia de carga los transistores son exigidos a su mitad PCEmax (4 TBJ) / PCEmax (2 TBJ) = 0,5 Amplificador con el circuito integrado 2002 Este circuito integrado de mediana potencia permite exigirlo hasta aproximados 10 [W] sobre la carga. Resume el mismo las explicaciones que hemos hecho. La realimentacin negativa se hace a la pata 2 y, en este caso, ya se encuentra predeterminada por el diseo del fabricante. La entrada diferencial es a JFET por lo cual las mismas prdidas de C2 lo suelen polarizar, aunque en este circuito se ha hecho fsica con R3. Las magnitudes que se aconsejan son R1 R2 R3 R4 = = = = 2,2 [ ] 220 [ ] 1 [M ] 1 [ ] C1 C2 C3 C4 = = = = 1 [mF] 10 [ F] 470 [ F] 100 [nF] VCC = 12 [V] Usar disipador trmico 4 [ ] RL 8 [ ]

90

Parlantes y cajas acsticas Un parlante magntico (no piezoelctrico) es un dipolo que presenta, aproximadamente, las caractersticas que se muestran seguidamente al experimentarse al aire libre sin gabinete. La frecuencia de autorresonancia 0 puede medirse con el circuito adjunto detectando mxima amplitud con un simple tester sobre el parlante.

Es comn escuchar decir que un parlante tiene una impedancia de cierta magnitud. Esto significa que se la ha medido dentro de la banda pasante. En la prctica, este valor es ms o menos constante y se lo ha denominado

91 aqu por Zn que, para un clculo rpido puede estimrsela con respecto al valor de continua (es decir medido con el hmetro de un simple tester) Zn ~ 1,5 R Otro tanto tenemos con respecto a la potencia que tolera el traductor. La especificacin de la misma se la mide con un tono sinusoidal (cuando no, ltimamente en estas dcadas y haciendo mal uso de la honestidad, se la mensura en slo un instantneo transitorio) dentro del espectro de potencia plana y tpicamente 1 [KHz]. Cabe destacar tambin que si bien la potencia aqu en verdad es aparente, empero se la aproxima a activa. Con el fin de aprovechar los frentes de onda traseros en la emisin, emparejar el pico de autorresonancia y proteger de la interprete al parlante, se utilizan los gabinetes acsticos o baffles.

Seguidamente adjuntamos algunas frmulas de diseo para aficionados (caja de madera) V = n m h ~ [ 4360 A / f02 ( A1/2 + 2,25 l ) ] + 0,4 e d2 volumen de la caja: V 0,5 d2 A = a b 0,86 d2 rea de la ventana: A d ~ ( D2 - R2 )1/2 a 1,1 d dimetro efectivo del cono: d

92

donde el dimetro d representa la seccin a practicar en la caja que ser igual a la seccin til de la onda, es decir, que este dimetro ser menor que el del frente parlante y responder a un rea circular de igual magnitud que la diferencia entre la que presenta este frente del parlante quitndole la del dimetro del bobinado interior Con respecto a la esttica y practicidad externa, suele generalmente adoptarse m = 3h/4 n = h/2 Diseo Sean los datos f0 = ... D = ... R = ... e = ... Considerando las frmulas para una caja de madera d ~ ( D2 - R2 )1/2 = ... d a = ... 1,1 d 0,25 d2 / a b = ... 0,86 d2 / a m = ... > a h = 4 m / 3 = ... n = h / 2 = ... l = 0,44 { [ 4360 a b / f02 ( m n h - 0,4 d2 e ) ] - ( a b )1/2 } = ...

Filtros acsticos El espectro acstico puede ser dividido en tres bandas (muy aproximadamente) graves (hasta 400 [Hz]) medios (desde 400 hasta 4000 [Hz]) agudos (desde 4000 [Hz] en ms)

93 y en general la tecnologa de los reproductores electroacsticos determinan un costo accesible con un rango espectral limitado, y que se disean cumpliendo estas bandas. Sus nombres respectivos son woofer (graves) squawker (medios) tweeter (agudos) Consideraremos en nuestros estudios a estos parlantes siempre con una impedancia que es resistiva pura, acercndose bastante esta aproximacin en la prctica. Primeramente presentamos un diseo sin control de medios (squawker) Tw = vw / v L = Rw / ( Rw + X ) = 0 / ( s + 0 ) ; 0 = Rw / L ; Tw( 0) ~ 0,707 TT = vT / v L = RT / ( RT + X ) = s / ( s + 0 ) ; 0 = 1 / RTC ; TT( 0) ~ 0,707 2 2 PTOTAL = T( 0) + TW( 0) = 1 T

y ahora con un reproductor de medios Tw = 0 / ( s + 01 ) ; 01 = Rw / Lw ; TW( 01) ~ 0,707 TT = s / ( s + 02 ) ; 02 = 1 / RTCT ; TT( 02) ~ 0,707 TS = s / ( s2+s n + n2 ) = s / ( s+ 01 ) ( s+ 02 )

donde = RS / LS n = ( LS CS )-1/2 = /n

94
01 02

= ( / 2 ) . { [ 1 - [ ( 4 LS / RS2CS) ]1/2 } = ( / 2 ) . { [ 1 + [ ( 4 LS / RS2CS) ]1/2 }

que para el diseo deber evitarse polos conjugados y con ello sintonas indeseables RS2CS > 4 LS Diseo Sean los datos para un diseo de dos filtros f0 = ... PLmax = ... Rw = ... RT = ... Calculamos por las ecuaciones vistas C = 1 / RT 0 = ... L = Rw / 0 = ... Hallamos la mxima corriente eficaz por el woofer Iefwmax = ( PLmax / Rw )1/2 = ... lo que determinar un dimetro mnimo del inductor. Si adoptamos una densidad de corriente por el mismo de 3 [A/mm2] = ... 0,00065 Iefwmax1/2 = ...

pudindose fabricar la bobina segn lo explicado en el captulo de inductores.

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