Transistor Bipolar

rea de Tecnologa Electrnica
Universidad de Oviedo
EIectrnica y Automatismos
Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres
ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
Curso de nstalaciones Electromecnicas Mineras
Tema 1: Componentes Electrnicos
El transistor bipolar
!rofesor: avier Ribas Bueno
ota: Las animaciones contenidas en esta presentacin requieren Office XP o posterior
Componentes eIectrnicos: EI transistor bipoIar
W Introduccin: tipos de transistores
W Principio de funcionamiento deI transistor bipoIar
Transistor tipo PNP
Transistor tipo NPN
W Caractersticas eIctricas de un transistor bipoIar
W EI fototransistor
W ConcIusiones
Introduccin: tipos de transistores
BIPOLARES
NPN
PNP
EFECTO DE
CAMPO
UNIN
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
TRANSISTORES
* FET : FieId Effect Transistor
Principio de funcionamiento deI transistor bipoIar
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
P N
N P
Concentracin
de huecos
+ -
N
P N
N P
Si Ia zona centraI es muy ancha eI comportamiento es eI dos diodos en
serie: eI funcionamiento de Ia primera unin no afecta aI de Ia segunda
N
P
P
N
P
P
N
P
P
EI terminaI centraI (base) maneja una fraccin de Ia corriente que circuIa
entre Ios otros dos terminaIes (emisor y coIector): EFECTO TRANSISTOR
N
P
P
EI terminaI de base acta como terminaI de controI manejando una fraccin
de Ia corriente mucho menor a Ia de emisor y eI coIector.
EI emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a Ia deI
coIector: emisor y coIector no son intercambiabIes
Emisor
Base
CoIector
Transistor PNP
P
N N
Se comporta de forma equivaIente aI transistor PNP, saIvo que Ia corriente
se debe mayoritariamente aI movimiento de eIectrones.
En un transistor NPN en conduccin, Ia corriente por emisor, coIector y
base circuIa en sentido opuesto a Ia de un PNP.
Transistor NPN
P N N
La mayor moviIidad que presentan Ios eIectrones hace que Ias
caractersticas deI transistor NPN sean mejores que Ias de un PNP de
forma y tamao equivaIente. Los NPN se empIean en mayor nmero de
apIicaciones.
Emisor
Base
CoIector
Transistor NPN
Transistor NPN
Conclusiones:
W Un transistor bipolar est formado por dos uniones !
W !ara que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos
condiciones
1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2) El emisor debe de estar muy dopado.
W ormalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor
!
#
!

escubiertos por
Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
Caractersticas eIctricas deI transistor bipoIar
+
-
+
-
V
CE
I
C
V
BE
I
B
I
E
+
-
V
CB
En principio necesitamos conocer 3
tensiones y 3 corrientes:
I
C
, I
B
, I
E
V
CE
, V
BE
, V
CB
En Ia prctica basta con conocer soIo
2 corrientes y 2 tensiones.
NormaImente se trabaja con I
C
, I
B
, V
CE
y V
BE
.
Por supuesto Ias otras dos pueden
obtenerse fciImente:
I
E
= I
C
+ I
B
V
CB
= V
CE
- V
BE
I
B
= f(V
BE
, V
CE
) Caracterstica de entrada
I
C
= f(V
CE
, I
B
) Caracterstica de saIida
Transistor NPN
+
-
+
-
V
CE
I
C
V
BE
I
B
I
B
= f(V
BE
, V
CE
Transistor NPN
V
BE
I
B
V
CE
Entre base y emisor eI transistor se comporta como un diodo.
La caracterstica de este diodo depende de V
CE
pero Ia variacin es pequea.
+
-
+
-
V
CE
I
C
V
BE
I
B
I
C
= f(I
B
, V
CE
Transistor NPN
V
CE
I
C
La corriente que circuIa por eI coIector se controIa mediante Ia corriente de
base I
B
.
I
B
EquivaIente hidruIico deI transistor
h
1
- h
2
CaudaI
Apertura
h
1
h
2
Zona de
saturacin
Zona de corte
Zona activa: I
C
=.I
B
Caractersticas eIctricas deI transistor bipoIar: IineaIizacin
Transistor NPN: IineaIizacin de Ia caracterstica de saIida
V
CE
(V)
I
C
(mA)
EI parmetro fundamentaI que describe Ia caracterstica de saIida deI
transistor es Ia ganancia de corriente ..
I
B
(A)
1
100
00
300
400
10
0
30
40
0
+
-
+
-
V
CE
V
BE
I
B
I
C
Transistor NPN: IineaIizacin de Ia caracterstica de entrada
+
-
+
-
V
CE
V
BE
I
B
I
C
V
BE
I
B
V
CE
La caracterstica de entrada corresponde a Ia de un diodo y se empIean
Ias aproximaciones IineaIes vistas en eI tema anterior.
IdeaI
Transistor NPN: zonas de funcionamiento deI transistor ideaI
+
-
+
-
V
CE
V
BE
I
B
I
C
V
CE
I
C
I
B
+
-
+
-
V
CE
V
BE
I
B
I
C
.I
B
Zona
activa
+
-
+
-
V
CE
=0
V
BE
I
B
I
C
I
C
<.I
B
Zona de
saturacin
+
-
+
-
V
CE
V
BE
I
B
I
C
=0
Zona de
corte
Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN
1 V
1 V
36 W
3 A
1 V
1 V
36 W
3 A
. = 100
40 mA
Sustituimos eI interruptor principaI por un
transistor.
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar Ia zona de saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
controI desde sistema Igico.
EIectrnica de Potencia y EIectrnica
digitaI
B
= 40 mA
4 A
C
V
CE
3 A
! (O)
1 V
! (O)
O
O
+
-
+
-
V
EC
I
C
V
EB
I
B
I
B
= f(V
BE
, V
EC
Transistor PNP
V
EB
I
B
V
EC
Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a Ias de un transistor NPN.
Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por Ia base es
saIiente.
I
C
= f(I
B
, V
CE
Transistor PNP
V
EC
I
C
La corriente que circuIa por eI coIector es saIiente y se controIa mediante
Ia corriente de base I
B
.
I
B
+
-
+
-
V
EC
V
EB
I
B
I
C
Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP
1 V
1 V
36 W
3 A
1 V
1 V
36 W
3 A
. = 100
40 mA
B
= 40 mA
4 A
C
V
EC
3 A
! (O)
AI iguaI que antes, sustituimos eI
interruptor principaI por un transistor.
La corriente de base (ahora circuIa aI
reves) debe ser suficiente para asegurar Ia
zona de saturacin.
1 V
! (O)
O
O
Caracterstica
de Entrada
.3.50.
Caracterstica
de SaIida
Caractersticas reaIes (NPN)
I
C-MAX
Corriente mxima de coIector
V
CE-MAX
Tensin mxima CE
P
MAX
Potencia mxima
V
CE-SAT
Tensin C.E. de saturacin
H
FE
. anancia
CMAX
!
MAX
V
CE-MAX
SOAR
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
C
V
CE
C
E
B
Caractersticas reaIes: datos proporcionados por Ios fabricantes
V
CE
= 1500
C
= 8
H
E
= 0
TOSHIBA
EI fototransistor
La Iuz (fotones de una cierta Iongitud de onda) aI incidir en Ia zona de base
desempean eI papeI de corriente de base
C
E
EI terminaI de Base, puede estar presente o no.
No confundir con un fotodiodo.
EI fototransistor
EI fototransistor
DISTINTOS ENCAPSULADOS
EI fototransistor
OPTOACOPLADOR
OBJETIVO:
Proporcionar aisIamiento gaIvnico
y proteccin eIctrica.
Deteccin de obstcuIos.
Conjunto fotodiodo + fototransistor
ConcIusiones
Sobre eI uso deI transistor como interruptor se profundiza en EIectrnica de
Potencia y en EIectrnica DigitaI.
Sobre eI uso deI transistor como ampIificador se profundiza en EIectrnica
AnaIgica.
Como se ha visto ambos transistores bipoIares son bastante
intercambiabIes y constructivamente simiIares.
SoIamente se diferencian en Ia rapidez: EI transistor NPN funciona
bsicamente con eIectrones mientras que eI PNP Io hace con huecos
(Mayoritarios deI emisor en cada caso).
Reacurdese que Ia moviIidad de Ios eIectrones es mayor que Ia de Ios
huecos, es decir, eI transistor NPN es mas rpido que Ie PNP en iguaIdad de
condiciones.

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