Lección B19: Estabilicación del punto de reposo

LECCIÓN B19: ESTABILIZACIÓN del PUNTO de REPOSO

OBJETIVOS
• Influencia de la temperatura sobre la corriente de colector IC y la
tensión base-emisor VBE, y medida de la variación de la ganancia en
un circuito amplificador de emisor común con resistencia de emisor.
• Variación de la resistencia de salida de un circuito con resistencia
colector-base.
• Efecto estabilizante de la resistencia de colector-base (RF).

MATERIAL
• Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod.
PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de
control individual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
• Módulo de experimentación mod. MCM4/EV
• Osciloscopio
• Multímetro
• Generador de funciones

B19.1 NOCIONES TEÓRICAS

El punto de reposo de un transistor puede variar tanto debido a la

temperatura como porque las características del dispositivo varían
debido al envejecimiento o a la necesidad de sustituir el componente
(dispersión de las características).

Efectos térmicos
La corriente de colector causa una disipación de potencia que se
manifiesta en un aumento de la temperatura de la unión.

La corriente de dispersión de colector ICBO es proporcional a la

temperatura de la unión: se puede decir que se dobla tras
aproximadamente cada 10° de aumento de la temperatura. Ya que la
corriente de colector IC es igual a ICBO+α⋅IE, la corriente total de colector
aumenta con la corriente de dispersión y por consiguiente con la
temperatura de la unión.

También la tensión Base-Emisor VBE depende de la temperatura. Al

crecer la temperatura, VBE disminuye de unos 2.5 mV/°C; por
consiguiente IB aumenta y aumenta también IC.

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Circuito de estabilización con resistencia de emisor

Uno de los sistemas más sencillos para estabilizar el punto de trabajo

consiste en la inserción de una resistencia RE en el emisor (figura
B19.1).

fig. B19.1

Por ejemplo, si se supone que ICQ aumente, aumenta también la caída de

tensión en RE; por consiguiente, la tensión VBEQ disminuye y con ella
también la corriente de base IBQ, determinando la disminución de IC.

Circuito de estabilización con resistencia colector-base

También el circuito de la figura B19.2 permite una estabilización del
punto de reposo; en efecto, tras cada aumento de la corriente de colector
aumenta también la caída de tensión en los extremos de RC,
reduciendo la tensión de colector dada por VCE = VCC - IC⋅RC. Ya
que IB vale aproximadamente VCE/RF (en realidad IB = (VCE - VBE)/RF),
se tiene entonces una reducción de la corriente de base y por
consiguiente la corriente de colector IC tiende a disminuir.

fig. B19.2

Circuito con resistencia de emisor: parámetros de estabilidad

Influencia de ICBO
Si se supone que el único parámetro variable sea la corriente inversa de
la unión base-colector (ICBO), se puede escribir que la estabilidad de
corriente (Si) del circuito esté determinada por:

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∆Ic β ⋅ (R B + R E )
Si = = B19.1
∆ICBO (R B + β ⋅ R E )

o bien:

R B β ⋅ (Si − 1)
= B19.2
RE (β − Si)

Cabe observar que cuanto más pequeño es Si, tanto mayor será la
estabilidad. Puede considerarse que un factor de estabilidad Si < 10
caracterice un buen circuito; en este caso, se obtiene RB < 9⋅RE.

Influencia de VBE
Si ahora se supone que la única magnitud variable sea VBE, con ICBO y β
constantes, se tiene un factor de estabilidad de tensión (Sv) igual a:

∆IC 1
Sv = = B19.3
∆VBE RB
β + RE

Se puede considerar que un buen circuito tiene una estabilidad de

tensión inferior al 10%; en este caso, con RB < 9⋅RE la fórmula anterior
se convierte:

Sv = -1/RE B19.4

Esta última fórmula puede escribirse de la siguiente manera:

∆IC ∆VBE
= B19.5
IC R E ⋅ IC

La estabilidad es máxima en este caso para el máximo valor de RE⋅IC.

Una variación del 5-10% de IC debida a la variación de VBE es
normalmente aceptable. Esto ocurre seguramente si en la relación B19.5
se pone:

RE · IC ≈ 10-20 · |VBE| B19.6

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Influencia de la ganancia β

Si ahora se supone que la única magnitud variable sea β con VBE e ICBO
constantes, puede escribirse que el factor de estabilidad de ganancia
vale:

∆IC IC · Si2
Sβ =  =  B19.7
∆β β1 · (1+ß2)

donde Si2 se calcula con la relación B19.1 para β=β2. De esta relación se
puede remontar a RB/RE calculando Si2 si se conocen β1 y β2.

Caso general

Para un transistor al germanio, un valor de S del orden de 10

generalmente asegura una buena estabilidad respecto a la corriente ICBO;
en este caso los efectos de las variaciones de β son muy limitados. En
ausencia de datos se puede imponer una caída de tensión en los
extremos de RE igual a 1/10 de la tensión de alimentación o bien una RE
nueve veces inferior a RB:

RE · IC = Vcc/10 B19.8

R B = 9 · RE B19.9

Para un transistor al silicio, la estabilidad del punto de reposo depende

básicamente de la ganancia β, mientras que puede despreciarse el efecto
debido a ICBO. En ausencia de datos, es posible elegir una resistencia de
emisor 30 veces inferior a la de base:

RB = 30 · RE B19.10

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Efecto de la estabilización en los componentes de señal

El funcionamiento dinámico de un amplificador se modifica con la red

de estabilización; en particular, disminuye considerablemente la
amplificación de tensión.

Se puede eliminar este efecto indeseado excluyendo la red de

estabilización en funcionamiento dinámico:
• en el caso del circuito de la fig. B19.3, se inserta dinámicamente a
masa (para las componentes alternas de señal) el emisor conectando
un condensador en paralelo a RE;
• en el caso del circuito de la fig. B19.4, se inserta dinámicamente a
masa el punto central de RF conectando un condensador.

fig. B19.3 fig. B19.4

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