ITESCO Repaso para examen de Electrnica Unidad 1: Semiconductores Ingra. Mecnica Quinto semestre Docente: Ing.

Olivia Palomec Cinta

Actividad.- Coloca sobre cada lnea la palabra que hace verdadera las expresiones. puro-aislante huecos-P conductores rayos catdicos-semiconductores masa -1.6x10-19Coulombs elctricos-electrnicos diodo Electrnica impurezas N

1.- La __________es la parte de la electricidad que estudia a los electrones libres, as como la tcnica de los dispositivos que basan su funcionamiento en la utilizacin de haces de electrones libres. 2.- Aparatos como la televisin, radio, computadora, etc., llevan dos tipos de componentes: ____________ y ______________ 3.- Los principales fenmenos en que se basan los dispositivos son: la ionizacin y los __________________, la conduccin a travs de los slidos cristalizados o _______________, el efecto fotoelctrico, el efecto _________ y las corrientes electrolticas. 4.- Las principales caractersticas fsicas de un electrn son: ___________ = 9.11 x 10-28g = 9.11 x 10-31kg y carga = ____________ 5.- Todas las sustancias pueden ser clasificadas en ____________, aislantes y semiconductores en funcin de la energa que requiere un electrn para pasar de la banda de valencia a la banda de conduccin. 6.- Un semiconductor totalmente ______ no tiende a ceder o aceptar electrones y como no conduce la corriente elctrica es por tanto un _________ 7.- Un cristal puro ya sea de germanio o silicio puede ser contaminado con pequeas cantidades de ____________. 8.- Aquellos semiconductores que son contaminados con impurezas donadoras se transforman en conductores por la presencia de electrones libres y se les llama tipo _____

9.- Las impurezas que contribuyen con _________ en la red cristalina de un semiconductor, lo convierten en portadores y se les denomina de tipo ______. 10.- El ___________ semiconductor acta como rectificador y permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.

Actividad.- Relaciona las siguientes expresiones con los parntesis de la siguiente hoja. 1.- En este tipo de semiconductor, la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin es tan pequea que a la temperatura ambiente algunos electrones ocupan niveles de energa de la banda de conduccin. 2.- Este semiconductor es aquel en el que se han introducido pequeas cantidades de una impureza con el objeto de aumentar la conductividad elctrica del material a la temperatura ambiente 3.- En los semiconductores tipo N, los portadores de carga son los 4.- En los semiconductores tipo P, los responsables de la conductividad elctrica son los 5.- Es un mtodo con el que se puede hacer variar la conductividad de un elemento semiconductor 6.- En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica por ser un componente relativamente barato de obtener, es el cristal de 7.- El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin, es el cristal de 8.- La curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un 9.- Por encima de dicha curva con una resistencia elctrica muy pequea, se presenta como un

10.- Por ser dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua, a los diodos se les denomina tambin ( ( ( ( ( ( ( ( ( ( ) ELEVACIN DE SU TEMPERATURA ) CIRCUITO ABIERTO ) INTRINSECOS ) CIRCUITO CERRADO ) RECTIFICADORES ) ELECTRONES ) SILICIO ) GERMANIO ) EXTRINSECOS ) HUECOS POSITIVOS

Actividad.- Anota V o F sobre la lnea segn corresponda. 1.- En la polarizacin directa, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad ______ 2.- En la polarizacin inversa del diodo, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p (la de menor tensin), lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y por tanto la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera _____ 3.- La diferencia de potencial o voltaje de equilibrio (Vo) es de 0.7 V en el caso del germanio y 0.3 V si los cristales son de silicio _________ 4.- Un diodo real tiene una relacin Voltaje-Intensidad de corriente no lineal cercana a la exponencial en la polarizacin directa _______ 5.- Algunas aplicaciones bsicas de los diodos son como: elemento de conmutacin, rectificador, recortador de formas de onda, limitador y detector o demodulador _______

Las ciencias tienen races amargas, pero los frutos dulces Aristteles (384 AC-322 AC) Filsofo griego.