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Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.

Eletrnica-CEFET-PR

MEMRIAS SEMICONDUTORAS
APOSTILA

SRAM

A0/2047

10 [PWRDWM] G1 G2 1,2EN [read] 1C3 [write] A,3D 4 A,Z4

6116

CEFET-PR
Autores: Prof. Bertoldo Schneider Jr. Prof. Fbio Kurt Schneider Colab. Valfredo Pila

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR MEMRIAS SEMICONDUTORAS 1. Introduo Com o passar do tempo o Homem desenvolveu novas maneiras de armazenamento de dados que o auxiliou a us-los de maneira mais eficiente. Talvez o mais notvel, e com certeza o mais evolutivo meio de armazenamento de dados inventado at hoje tenha sido o livro impresso. sua sombra descansam outros tits como as marcas, inscries e pinturas rupestres, o alfabeto, o Dagarretipo, a fotografia, os filmes, dispositivos magnticos e pticos, para falar pouco. Hoje em dia, existem vrias maneiras de se armazenar dados como, por exemplo, atravs de fita magntica (memria do tipo sequencial), atravs de circuitos biestveis (flipflop tipo D, e.g.), atravs de cargas eltricas sobre capacitores, atravs da modificao de ndices pticos de superfcies e slidos, atravs de modificao do estado quntico de uma molcula ou tomo, etc. Na linha evolutiva das memrias utilizadas em computadores pode-se citar as fitas K-7, fitas perfuradas de papel, cartes perfurados, memria de tambor, matrizes de mini-torides magnticos, discos magnticos, mdias pticas e as famosas memrias em estado slido. As memrias em estado slido (ou semicondutoras) so conhecidas por este nome pelo fato de no terem partes mveis. Nos idos de 40 e 50 estabeleceu-se o que se conhecia por lei do transistor: quanto menor a quantidade de partes mveis, melhor a mquina. Com certeza isso foi verdade no caso das memrias de computador. A memria semicondutora produzida com componentes de estado slido, um dos tipos de memrias mais utilizados em circuitos digitais atualmente. Este tipo de memria divide-se, basicamente em 2 tipos: RAM (Random Access Memory) e ROM (Read Only Memory). Uma memria qualquer tem que ter no mnimo uma via atravs da qual possa se se faa um acesso a um dado especfico (barramento de endereamento), uma via por onde os dados possam entrar e/ou sair (barramento de dados) e uma via atravs da qual se possa controlar outros aspectos da memria (barramento de controle). Deste modo, detalha-se a seguir os trs tipos de barramentos das memrias: Barramento de dados (Data Bus) permite a entrada (escrita) e/ou sada (leitura) dos dados. Em grande parte dos circuitos integrados de memrias uma mesma linha fsica utilizada como entrada e como sada (nunca simultaneamente, claro), diminuindo pela metade o nmero de pinos necessrios para a transferncia de dados. - Barramento de endereamento (Address Bus) permite que uma posio de memria seja acessada atravs da combinao de zeros e uns neste barramento. - Barramento de Controle (Control Bus) um conjunto de linhas que permitem controles do tipo: habilitao do C.I. para o funcionamento (Chip Enable), habilitao da operao de escrita (Write Enable), habilitao da funo de leitura (Read Enable, estas duas geralmente num nico pino do tipo Write/read), habilitao do barramento de dados, estado de stand by, estado de sadas em alta impedncia ou tri-state (Output Enable) etc. A figura (1A) apresenta uma memria com 3 bits de linhas de endereo, possibilitando a discriminao ou acesso a 2 3 = 8 posioes de memria. Cada uma das oito Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR posies de memria contm uma palavra de 4 bits. Como exemplo de controles temos uma linha de controle de escrita/leitura denominada WE write enable (WE=0 para escrita, WE=1 para leitura) e uma linha de habilitao do circuito denominada CS chip select habilitada com nvel lgico 1.
MEMO Imputs Entradas I0 I1 I2 I3 A0 A1 A2 O0 O1 O2 O3 Outputs Sadas 0

2 EN C1

} A0/7

Address Endereos

A,1D A,1D A,1D A,1D WE CS (A)


MEMO 0

D0 D1 Entrada/SAda D2 D3 de dados Address Endereos A0 A1 A2

Data

2 EN C1

}A0/7

A,1D A,1D A,1D A,1D WE CS (B)

Figura 1

A figura (B) apresenta uma memria com as mesmas caractersticas mas que utiliza uma mesma linha fsica (um pino do C. I.) como entrada e sada de dados (D0 a D3) que tambm podem ser referenciadas como I/O0 a I/O3 (entrada/sada 0 a 3). Prefixos utilizados desde dezembro de 1998 (IEC) para multiplos binrios: Fator 210 220 230 240 250 260 Nome kibi mebi gibi tebi pebi exbi Smbolo Ki Mi Gi Ti Pi Ei Origem kilobinary megabinary gigabinary terabinary petabinary exabinary 2n (210)1 (210)2 (210)3 (210)4 (210)5 (210)6 Valor 1.024 1,05e6 1,07e9 1,10e12 1,13e15 1,15e18 Derivao kilo mega giga tera peta exa

(103)1 (103)2 (103)3 (103)4 (103)5 (103)6

Doravante, ento, ter-se-o as seguintes denominaes: Um kibibit vale 1024 bits enquanto que um kilobit vale 1000 bits; Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR Um GiB vale 1.073.741.824 Bytes enquanto um GB vale 1.000.000.000 Bytes. Ainda, para comparao, tem-se as seguintes unidades SI: Fator yocto zepto atto femto pico nano micro mili centi deci deka hecto kilo mega giga tera peta exa zetta yotta Algumas Definies: Tempo de acesso: tempo necessrio para se acessar o dado desde o instante em que a busca comea at o instante em que os dados esto estveis no barramento e podem ser lidos. Taxa de transferncia.- velocidade com que os dados podem ser transferidos de ou para um dispositivo de amazenamento de dados. Confiabilidade: A confiabilidade maior quanto menor for a taxa de falhas tpica. Capacidade de memria: o nmero total de bits que o dispositivo pode armazenar. Pode ser expresso de vrias formas: ex.- 2048 bits; 2kb ou 256 Bytes. Organizao de memria: a maneira com que os bits esto organizados na memria. Geralmente fornecido como sendo o nmero-de-posies-de-memria versus onmero-de-bits-por-posio, como por exemplo 2kB, ou seja, 2x1024 Bytes ou 2048x8 bits. Memrias volteis: So memrias que perdem o contedo retido quando deixam de ser alimentadas (RAMs). Memrias no volteis: So memrias que retm a informao mesmo quando no esto alimentadas (ROMs). Dentre as memrias no volteis, sobresai-se as memrias permanentes de computadores, que retm programas de BIOS, SETUP e DIAGNSTICO fabricadas pelos AWARD, PHOENIX, AMI etc. Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002 Nome y z a f p n m c d da h k M G T P E Z Y Smbolo 10-24 10-21 10-18 10-15 10-12 10-9 10-6 10-3 10-2 10-1 101 102 103 106 109 1012 1015 1018 1021 1024

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR Terminologia em organizao de memrias: 1k x 4 Diz respeito organizao, ou seja, existem (1k em informtica, antes da norma IEC, era igual a 210 ou 1024) 1024 posies com uma palavra de 4 bits em cada uma (capacidade de 4096 bits). O termo correto agora seria 1kibi x 4, ou um kibinybble (quibiniibu). 2. Caractersticas de Memrias 2.1. Endereamento Para cada posio de memria deve haver uma linha de habilitao para possibilitar a escrita ou a leitura. Isto significa que se nenhum artifcio fosse utilizado para fazer o endereamento de uma memria com 64 posies, s para endereamento seriam necessrios 64 pinos. Para minimizar a estrutura externa de um C. I. de memria utiliza-se um decodificador interno que possibilita a habilitao de at 2 n posies a partir de n pinos (linhas) externos para endereamento. Na figura 2 (estrutura de uma RAM) pode-se observar a decodificao. Somente um registrador (ou conjunto de registradores) estar habilitado por vez e consequentemente, somente uma nica posio poder. A cada instante, ser acessada para se efetuar a escrita ou a leitura de um dado ou conjunto de dados. *
&
registrador EN

&

registrador EN

&

registrador EN

&

registrador EN

& A0 A1 DEC

registrador EN

&

registrador EN

&

registrador EN

&

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registrador EN

&

registrador EN

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&

registrador EN

&

registrador EN

&

registrador EN

A2 A3

DEC

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR 2.2. Operaes de leitura e escrita Para qualquer uma dessas operaes primeiro deve -se colocar na linha de endereamento a combinao de 0's e 1's que determina a posio em que se deseja escrever (ou de onde se deseja ler) um dado e em seguida habilitar a operao de escrita (ou leitura). 3. RAM -RAM (Random Access Memory) memria de acesso aleatrio (acesso direto seria mais apropriado), isto , a escrita ou leitura de um dado no precisa ser feita de maneira sequencial. Memrias tipo RAM so utilizadas para escrita e leitura de dados e so volteis, ou seja, ao ser desenergizada perde a informao armazenada (pode ser contornado utilizando-se de um uninterruptable power supply (UPS) junto a mesma). aplicada em sistemas digitais como memria de trabalho (como o caso da memria RAM utilizada em microcomputadores onde ser carregado programas executveis, dados a serem computados, etc). 3.1. Memrias RAM Estticas e Dinmicas As memrias do tipo RAM podem ser estticas (SRAM) ou dinmicas (DRAM). Nas memrias estticas as clulas de armazenamento so flip-flops do tipo D ou elementos biestveis e uma vez escrito um dado, este permanece estvel at que um outro dado seja escrito ou a alimentao seja retirada (por isso a denominao esttica). Nas memrias do tipo dinmica as clulas so microcapacitores (intrnsecos) que armazenam a informao em forma de carga capacitiva, isto , se o capacitor estiver carregado tem-se nvel lgico 1, se estiver descarregado tem-se nvel lgico 0. Este tipo de memria exige um processo chamado refresh (recarga ou refrescamento de memria) em funo do fato de que um capacitor dentro de um circuito integrado perder sua carga atravs de acoplamentos resistivos e capacitivos com os substratos ao seu redor. O processo de refresh consiste na verificao peridica da carga do capacitor (tipicamente umas 67000 vezes por segundo), caso esteja acima de um nvel (limiar de nvel 1) o capacitor recarregado, caso esteja abaixo de um nvel menor que o anterior (limiar de nvel 0) no refeita a carga, isto , assume-se que a informao que estava armazenada era um "0". As RAMs estticas so usadas como CACHE porque so mais rpidas, com tempos de acesso tpicos de 8 a 15 ns, enquanto nas DRAMs tem-se tempos de 50 a 60 ns. As DRAMs podem ser integradas em grande escala e so muito mais baratas, razes pelas quais so estas as usadas para a memria de trabalho do micro-computador. 3.1.1. Padres de encapsulamento SIMM, Single Inline Memory Module 8bits 30 pinos 16MB mximo 16bits 72 pinos 64MB mximos DIMM Dual Inline Memory Module 64 bits 168 pinos 512MB mximos 3.1.2. Memrias Cache Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR As memrias Cache so do tipo DRAM e podem ser internas (nvel 1) ou externas (nivel 2). A principal diferena e que a interna trabalha com o clock interno do microprocessador e a externa trabalha com o clock externo. Por exemplo, um K6-II 450 MHz tem clock interno de 450 MHz e externo de 100 MHz, com fator multiplicativo de 4,5. A Cache externa trabalha 4,5 vezes mais lentamente que a interna, neste caso. 3.1.3. Memrias Tag So memrias (Chips de memria) cuja funo a de servirem de diretria para uma memria Cache ou para um pente de memria. 3.2. Estrutura bsica de uma memria RAM A figura abaixo apresenta a estrutura bsica de uma memria RAM com 16 clulas de armazenamento e com buffers para os dados de sada. Como exerccio, desenhar um sistema de endereamento para a) 2x8;

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

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D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

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b) 4x4 e
D Q EN C D Q EN C D Q EN C D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

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D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

c) 8x2. Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR


D Q EN C D Q EN C D Q EN C D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

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D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

D Q EN C

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SRAM

A0/2047 A0 SRAM 6116 10 [PWRDWM] G1 G2 1,2EN [read] 1C3 [write] A,3D 4 A,Z4 A10 PWRDWN/CS OE R/W I/O7 . . . 2K X 8 I/O0

RAM esttica 6116.

3. ROM, PROM, EPROM, EEPROM e FLASH -ROM (Read Only Memory) memria somente para leitura. Este tipo de memria no voltil (pode-se dezenergiz-la sem perder a informao armazenada), e utilizada para o armazenamento de programas e dados que sero utilizados continuamente em um sistema sem a necessidade de alterao, como o caso do programa BIOS (Basic Input Output System) de um computador. O programa armazenado no necessita ser carregado toda vez que se liga o sistema. A evoluo deste tipo de memria deu origem s memrias dos tipos PROM, EPROM, EEPROM e FLASH, discutidas mais adiante.

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR 3.1. ROM programada por mscara ROM "programada" pelo fabricante. Quando se deseja uma ROM, estabelece-se o programa interno e encomenda-se o dispositivo ao fabricante. O fabricante criar ento uma mscara que determinar as conexes eltricas de uma matriz de elementos semicondutores (diodos fusveis) para produzir o chip encomendado. Este processo caro, sendo vivel somente para construo em larga escala. 3.2. ROM programvel (PROM) A PROM uma ROM programvel uma nica vez, pelo u surio. Este tipo de memria comprada virgem e o usurio efetua a gravao atravs de um gravador de PROMs. A memria uma matriz de diodos e a gravao mantm ou queima um "diodofusvel" desta matriz padro, conforme se queira o 1 ou o 0 numa determinada posio.. Exemplos Comerciais: 74186 (64x8) tempo de acesso 50 ns; TMS27C256 (32kx8) tempo de acesso 120 a 250 ns;

+5V

+5V

+5V

+5V

A0 A1

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

+5V

D3

D2

D1

D0

3.3. ROM programvel Apagvel (EPROM) A EPROM o tipo de ROM mais utilizada. Igualmente PROM, uma matriz virgem que pode ser gravada. A diferena que ela pode ser apagada (ou recondicionada ao seu estado virgem) atravs de radiao ultravioleta (UV). Esta memria tem uma janela de quartzo, transparente ao UV, para este fim. Num dia ensolarado de vero, com Sol do meio dia, pode-se apagar uma EPROM em uns vinte minutos, se esta for colocada sob os raios do Sol. Normalmente so utilizadas lmpadas fluorescentes sem a camada de cristais de fsforo para apagar EPROMS. O tempo tpico de apagamento atravs de um dispositivo apagador de EPROMs de 15 a 20 minutos.

Existem vrios e baratos dispositivos no mercado capazes de gravarem os mais variados tipos de EPROM. Esta memria por definio somente para leitura e sua gravao inicial efetuada atravs de tenses bem acima de sua tenso nominal de Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR funcionamento (5V). muito importante saber a tenso exata de gravao de uma memria. Tipicamente a tenso tem passos de 0,5 volts e vai de 8 a 28 volts. Atualmente esta tenso tende a ficar num valor padronizado pela maioria dos fabricantes, mas ainda existem muitos problemas de diferenas de tenses de gravao. 3.4.1. ROM programvel apagvel eletricamente (EEPROM=E2PROM) idntica EPROM, com a vantagem adicional poder ser apagada ou reprogramada eletricamente. Muito utilizada em sistemas de BIOS juntamente com as RAMs-novolteis. 3.4.2. FLASH So memrias permanentes utilizadas geralmente em computadores e no interior de microcontroladores, cuja funo a de guardar os programas principais das mquinas. Ao contrrio das outras ROMs, esta pode funcionar com tenso de gravao de 5,0 volts. 3.5. Aplicaes: a) FirmWare; b) BootStrap; c) Tabela de Dados; d) Conversores de Dados; e) Geradores de caracteres; f) Geradores de funes etc. 3.6. Memrias: algumas definies e comentrios: Acessar uma memria em estado slido mais rpido do que acessar um disco rgido. O comum passar arquivos muito acessados para memria em estado slido e deixar outros arquivos em disco (CDs etc). Um ndice um bom exemplo de um arquivo muito acessado. Por exemplo, um processamento de vdeo com 30 frames por segundo requer aproximadamente 27MB/s; alta resoluo (1280x1024) aproximadamente 120 MB/s e alta definio, cerca de 190 MB/s. As DRAMs representam 50-80% do custo total de um sistema de memria. A capacidade da DRAM tem se quadruplicado a cada 3 anos. Neste passo, em 2002 uma simples DRAM ter capacidade de 1Gbit. O preco por bit est caindo 30% a cada ano. A RAM pode ser comparada com a memria de curto termo dos humanos e o HD a memria de longo termo Comparar capacidades atuais de HD e MEMRIAS incio dos anos 90 50USD/1MB out/2000 66USD/64MB dez/2001 33USD/128MB ou seja, em uma dcada as memrias de massa ficaram quase 200 vezes mais baratas. Comumente um computador tem uns 64 MB de RAM mas pode-se acrescentar mais, conforme o desejo do usurio e a capacidade da placa. Quando se tem mais memria, o sistema precisa executar menos vezes as operaes de busca de dados no HD, atividade Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR muito mais lenta que o acesso memria. Por este motivo que os programas so transferidos para a RAM para serem processados. O termo memria de acesso direto seria mais apropriado do que acesso aleatrio. A prpria IBM prefere o primeiro ao segundo. As memrias do tipo ROM, PROM, EPROM so mais caras e, por isso, existem em menor quantidade no computador. Num computador existe somente a quantidade de ROM (no voltil) suficiente para conter um programa que faa o sistema operacional ser carregado (do disco) para a RAM, toda vez que o computador ligado. A SRAM mais cara, 4 vezes mais volumosa, no precisa de refresh, seu acesso no pior caso em 25ns e a DRAM de 60 ns (atualmente as velocidades absolutas mudam muito mais rapidamente do que a relao de velocidades. A memria PC 133 j funciona com tempos de acesso da ordem de 7,5 ns). A DRAM mais barata e por isso mais utilizada nos computadores, mesmo sendo quase trs vezes mais lenta. A SRAM usada principalmente para caches de nvel 1 (embarcada no chip do microprocessador) e 2 (primeiro nvel da memria RAM externa), onde o microprocessador olha antes de procurar na DRAM Burst or SynchBurst SRAM (sincronizada com o sistema de clock) facilita a sincronizao com os dispositivos que a acessam Fast page mode DRAM (FPM DRAM). Page mode DRAM essencialmente acessa uma fileira (linha ou conjunto) de RAM acessando-a sem ter que continuamente ficar reespecificando esta linha. Ou fileira. Row access strobe (RAS) do conjunto fica ativo enquanto o column access strobe (CAS) acionado para captura do dado. Isto reduz o tempo de acesso e a potncia requerida Enhanced DRAM (EDRAM) (uma combinao de DRAM e SRAM usada para cache (nivel 2) Neste caso, o processador procura primeiro no banco esttico (tipicamente 256B) e se no acha l vai procurar na parte dinmica, 3 vezes mais lenta. Extended Data Output RAM ou DRAM (EDO RAM ou EDO DRAM) Cerca de 25% mais rpida que a DRAM normal, reduz a necessidade de memrias (de nivel 2) cache. Burst Extended Data Output DRAM (BEDO DRAM) um pouco mais lenta no acesso da fileira que a FPM DRAM, mas mais rpida depois, na hora do acesso a dados da mesma fileira. No muito usada. Ram no voltil (NVRAM) alimentada por uma bateria do computador ou internada no encapsulamento. Synchronous DRAM (SDRAM) nome genrico dado a DRAMs que esto sincronizadas com o mesmo clock que o processador est usando externamente. Isto aumenta o nmero de instrues que o processador pode efetuar num dado tempo. Neste tipo, era comum falar-se de RAMs de 83 MHz no lugar das de 12 ns, pois a frequncia externa do processador era a informao mais relevante. Double data rate SDRAM teoricamente aumenta a velocidade de uma PC100 para 200MHz. Seria acionada tanto pela borda de subida quanto pela de descida do clock, dobrando assim sua velocidade. Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002

Memrias Semicondutoras Eln. Digital / Tec.Eletrnica-CEFET-PR Video RAM: RAM utilizada para armazenar dados de imagem do monitor de vdeo. (VRAM). Todos os tipos de VRAM so arranjos especiais de DRAM. , de fato, um buffer entre o processador e o monitor, chamado de frame buffer. O processador primeiramente l os dados de imagem da RAM principal e passa pra a VRAM e da os dados so processados pela RAM DAC (veja abaixo) e passados para o monitor de video. Da VRAM, os dados so convertidos por uma RAM digital-to-analog converter (RAMDAC) que so enviados para o tubo de raios catdicos. Usualmente vm em forma de 1 ou 2 MBytes. A maioria da VRAM so dual-ported (podem ser acessadas por dois sistemas separados de endereamento), enquanto o processador est escrevendo uma nova imagem na VRAM, o sistema de display est lendo do vdeo para efetuar um refresh no contedo atual do display. O design dual-port a principal diferena entre VRAM e a RAM. Digital-to-Analogic Converter RAMDAC um microchip que transforma imagem digital em informao analgica necessria ao sistema de display. Combina uma pequena SRAM contendo uma tabela de cores com trs conversores D/A (DACs) (red, green, blue) cujas sadas analgicas excitam o tubo de imagem. Syncronous Graphics RAM (SGRAM) usada para memria de video. Flash RAM. Tipo de RAM no voltil, como uma EEPROM. Geralmente usado para guardar cdigos como o Basic Input-Output System (BIOS), usadas tambm em celulares, cmeras digitais, PC cards para notebooks etc.

Texto: Bertoldo Schneider Jr. Fbio Kurt Schneider Colaborador: material coletado:Valfredo Pila.

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fbio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila v.3.0 / 2002