CAPTULO 7 Amplificador de Pequenos Sinais

Prof. Dr. Srgio Takeo Kofuji

7.1

INTRODUO

No Captulo 6, Polarizao de Transistores Bipolares, vimos a construo bsica, modelo de Ebers-Moll e tcnicas de polarizao do transistor de juno bipolar (TJB). Neste experimento estudaremos a operao de um amplificador para pequenos sinais a TJB, utilizando para tal um modelo incremental do TJB, o modelo -hbrido. A parte experimental prev basicamente a determinao da resposta harmnica do amplificador e a determinao da faixa dinmica.

7.2

MODELO PARA PEQUENOS SINAIS

Para analisar o funcionamento do transistor como amplificador conveniente substituir o transistor por um modelo linearizado do mesmo. Este modelo linearizado vlido apenas para um dado ponto de polarizao e para sinais de entrada e sada suficientemente pequenos para no alterarem o ponto quiescente. Antes de analisarmos os diversos parmetros do modelo, convm lembrar que para o modelo incremental valem algumas regras importantes: o modelo incremental pode substituir o transistor apenas para o ponto de polarizao para o qual foi desenvolvido; o modelo substitui o transistor para o circuito externo; entretanto, no devemos utiliz-lo para analisar o que ocorre no interior do transistor; o ponto de polarizao est implcito no modelo; portanto, no podemos considerar mais os valores totais das correntes totais IB, IC e IE, bem como as tenses VBE, VCE, VCB. Devemos apenas considerar as tenses e correntes incrementais vbe, vce , vcb , ib, ic, e ie. Os modelos incrementais mais largamente utilizados so o quadripolo -hbrido (baixas a altas freqncias) e o quadripolo h (mdias freqncias). Ambos os modelos so locais e vlidos apenas para o transistor operando na regio ativa. O conceito de baixa, mdia e alta freqncia ficar mais claro nas sees seguintes.

Uma vez que o modelo -hbrido capaz. de representar o transistor em todas as faixas de freqncias (baixas, mdias e altas), procederemos anlise do circuito amplificador a transistor utilizando-nos dele, devidamente simplificado para cada uma das faixas de freqncias. Como na prtica geralmente os fabricantes fornecem as caractersticas dos transistores atravs de parmetros h, no Apndice I so apresentados o modelo baseado em parmetros h e sua equivalncia com o -hbrido. 7.3 O MODELO -HBRIDO

O circuito equivalente -hbrido para um transistor em configurao emissor comum mostrado na figura 1.

Figura 1: Circuito equivalente -hbrido para um transistor em emissor comum

Como vemos, no modelo incremental valem apenas as correntes incrementais ie, ib, ic, sendo que as correntes IE, IB, e IC estaro implcitas nos parmetros. Em relao ao modelo -hbrido que estamos acostumados podemos ver duas modificaes: a incluso das resistncias rBBe r, e o uso da denominao vbe ao invs de v, sendo que ambas representam a mesma tenso (queda sobre r). Essas incluses modelam efeitos de segunda ordem que normalmente no so tratados em livros-texto introdutrios. Assim, temos: rBB resistncia entre o contato externo da base e a regio interna do transistor que funciona como base; na prtica constata-se que esta resistncia de cerca de 50 a 1000 dependendo do transistor. resistncia equivalente enxergada pela corrente iB entre a base efetiva e o emissor. Assim, devemos ter:
i b ( rBB' + r ) = v b'e + i b rBB'

(1)

sendo vbe a tenso que efetivamente controlar a corrente de emissor ie.

Cap.7-2 - Amplificadores de Pequenos Sinais

Eletrnica Experimental

Sabendo-se que:
I E = I ES
q.VB 'E (e KT

1)

(2) (3)

temos:
ie = q.I E v b 'e KT

ento:
v b'e = i b r

(4)

onde

r = ( 0 + 1)

KT qI E

(5)

e gm

0 = AC =

ic v ce = 0 ib

(6)

representa a variao de IC quando se varia VBE. Como esta variao quase igual variao de IE, temos:
gm = ic qI = E v b 'e KT

(7)

Como vemos, quanto maior for IE, maior ser o gm. Em outras palavras, quanto maior for IE, maior ser a variao de IC (ou IE) para um mesmo VBE. Temos ainda que:
0 = gm r

(8)

r0

resistncia "vista" entre coletor e emissor; representa a pequena inclinao que se observa nas curvas caractersticas de sada, onde observamos que mesmo com IB constante, existe um pequeno acrscimo de IC quando se aumenta VCE. r0 geralmente maior que 10 k. resistncia parasitria entre coletor e base, geralmente da ordem de M capacitncias parasitrias respectivamente de base-emissor, base-coletor e coletor-emissor, cujas faixas de variao so, para C alguns pF a 1nF, C de 0,01 pF a 10 pF e C0 alguns pF; estas capacitncias podem crescer sensivelmente com os diversos tipos de montagem.

r C, C, C0,

Eletrnica Experimental

Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-3

7.3.1 Simplificaes do Modelo -Hbrido No circuito equivalente da figura 1 apresentamos o modelo -hbrido completo. Entretanto, este modelo pode ser bastante simplificado dependendo da faixa de freqncias utilizada. Assim, podemos utilizar em freqncias baixas e mdias um circuito onde o efeito dos capacitores desprezado, como mostra a figura 2.

Figura 2: Modelo -hbrido simplificado para freqncias baixas e mdias

Este modelo vlido enquanto podemos desprezar C0, C e C, ou seja, enquanto:

1 >> r0 C 0

(9)

1 >> r C
1 >> r C

(10)

(11)

Para freqncias muito altas, podemos tambm fazer algumas simplificaes, como mostra a figura 3. Nesta situao, as expresses (9), (10) e (11) deixam de ser vlidas.

Figura 3: Modelo -hbrido simplificado para freqncias altas

Cap.7-4 - Amplificadores de Pequenos Sinais

Eletrnica Experimental

7.3.2 As freqncias fT e f Utilizando o circuito equivalente da figura 3, podemos encontrar duas freqncias prprias do transistor: a freqncia de transio ou ganho unitrio fT e a freqncia de corte f.

Figura 4: Circuito para medida de fT

Se curto-circuitarmos, para corrente alternada, o coletor com o emissor (figura 4), podemos obter a expresso do ganho de corrente do circuito (I0/Ib) em funo da freqncia. Verifica-se que o ganho do circuito pode ser dado aproximadamente por:
(s) = 0 1 + s
1 r (C + C )

(12)

onde

(13)

Figura 5: Grfico de em funo da freqncia

Eletrnica Experimental

Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-5

Observe, como mostra a figura 5, que o ganho de corrente varia com a freqncia, e podemos calcular a freqncia fT para a qual o ganho de corrente do transistor em montagem emissor comum com o emissor e coletor curto-circuitados (em corrente alternada) tem valor unitrio:
( j T ) = 1 = 0 1 + ( T ) 2

(14)

Para T/ >> 1, temos: T=0 ou fT=0f (15)

Finalmente:
fT = gm 2(C + C )

(16)

O parmetro fT, como mostra a fig. 6, altamente dependente da corrente de coletor IC.

Figura 6: Grfico de fT em funo de Ic

Cap.7-6 - Amplificadores de Pequenos Sinais

Eletrnica Experimental

7.4

AMPLIFICADOR PARA PEQUENOS SINAIS EM FREQNCIAS MDIAS

Vamos estudar o comportamento dinmico em freqncias mdias de um amplificador constitudo por um nico transistor, tomando como base o circuito da figura 7. O circuito da figura 7 essencialmente o mesmo circuito estudado no experimento anterior, onde a polarizao feita atravs da tcnica de IE constante.

Figura 7: Amplificador de um estgio

O capacitor C2 tem a funo de curto circuitar o emissor com o terra em freqncias mdias e altas. Os capacitores C1 e C3 servem de elementos de acoplamento entre o estgio anterior e o amplificador e entre a carga de sada e o amplificador. Basicamente eles tm a funo de bloquear (desacoplar) a componente contnua (CC) de entrada e sada, evitando que o ponto de polarizao quiescente do amplificador seja perturbado com a polarizao dos circuitos aos quais o amplificador est conectado. Em freqncias mdias e altas eles se comportam como curto-circuitos. Ou seja:
1 1 1 0 0 0 C1 C 2 C 3 (17) (18)

(19)

7.4.1 Ganho de Tenso Tomemos o circuito equivalente CA completo para o circuito da figura 7, substituindose o transistor pelo seu modelo -hbrido. O circuito equivalente mostrado na figura 8, e seu circuito simplificado para freqncias mdias apresentado na figura 9. Observe que a fonte Vcc foi curtocircuitada, visto que os circuitos 8 e 9 somente valem para anlise incremental. Pela figura 9, podemos calcular o ganho do circuito. Considerando R 1 // R 2 >> (rBB' + r ) ,obtemos a seguinte expresso:

Eletrnica Experimental

Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-7

v0 gm r = (r0 // R C // R L ) e g r + rBB' + rg

(20)

Figura 8: Circuito incremental equivalente do amplificador

Figura 9: Circuito incremental equivalente simplificado para freqncias mdias

Note-se que R1//R2 >> (rbb+r) possibilita obter ganho mximo, uma vez que, caso a relao no fosse satisfeita, R1//R2 tenderia a atenuar o ganho logo na entrada. Note-se tambm que no experimento anterior sobre polarizao por I E constante, havamos estabelecido R 1 //R 2 << R E . Portanto, de forma geral, a seguinte relao deve ser satisfeita: R E >> R 1 // R 2 >> (rbb + r ) (21) 7.4.2 Ganho de Tenso do Circuito sem o Capacitor C3 Pode ser facilmente demonstrado que se retirarmos o capacitor C3, o ganho de tenso do circuito ser dado por: v 0 R C Av = 0 = (22) e g rg + r + (1 + 0 ) R E Sendo rg e r, em geral, muito menores do que (1+0).RE e 0 >> 1, temos que:
Av R C R E
Cap.7-8 - Amplificadores de Pequenos Sinais Eletrnica Experimental

7.5

RESPOSTA EM FREQNCIA

Vimos at agora que para pequenos sinais o transistor pode ser substitudo por um modelo linear. Sinais senoidais so amplificados sem distoro desde que a amplitude permanea baixa o suficiente. No entanto, para sinais no senoidais devemos examinar suas diversas componentes espectrais para determinar se elas esto sendo igualmente amplificadas e defasadas. Caso contrrio, a composio espectral de sada ser diferente da de entrada, fazendo com que o sinal de sada resulte distorcido em relao entrada. 7.5.1 Faixa de Passagem A figura 10 mostra como geralmente o ganho e a defasagem de um amplificador varia em funo da freqncia. Observe que h uma faixa intermediria onde o ganho constante, que se estende aproximadamente desde uma dcada acima da freqncia 1 a at uma dcada abaixo da freqncia 2. Esta a faixa de freqncias mdias do amplificador.

Figura 10: Curvas de ganho e fase tpicos de um amplificador

As freqncias 1 e 2 (ou f1=1/2 e f2=2/2) so conhecidas como freqncias de corte, e representam as freqncias onde o ganho cai 2 2 = 0.707 vezes do ganho em freqncias mdias. Ou, em termos de decibis, cai de 3 dB em relao ao ganho em freqncias mdias (pois 20 log (0,707) = - 3dB). Chamamos de faixa de passagem B, a diferena entre as freqncias de corte superior e inferior. 7.5.2 Diagrama de Bode A funo de transferncia de um circuito pode ser representada graficamente atravs do Diagrama de Bode. Dois grficos so traados em papel monolog: grfico do mdulo do ganho em dB em funo da freqncia (em escala logartmica); grfico da defasagem em graus em funo da freqncia (em escala logartmica); O diagrama de Bode de uma funo de transferncia pode ser traado ponto a ponto, calculando-se para cada freqncia, os valores do mdulo e da fase. No entanto, o processo pode ser simplificado se forem observadas algumas regras para simplificar o

Eletrnica Experimental

Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-9

traado. Estas regras permitem obter-se assntotas que serviro de base para o traado das curvas. Vamos em seguida apresentar o diagrama de Bode para dois casos tpicos envolvendo associao de uma capacitncia com uma resistncia: os circuitos diferenciador e integrador. 7.5.2.1 Circuito Diferenciador RC

Figura 11: Circuito diferenciador RC

Vamos examinar o circuito RC-srie mostrado na figura 11. O ganho do circuito expresso por:
Av = V0 R 1 = = Vi R jX C 1 j(f 1 /f)

onde f1 =

1 2 RC

Ou, na forma de mdulo e fase:

Av = V0 1 = |_tan-1(f1/f) Vi [(1 + (f1 / f ) 2 ]1/ 2

Observe que para f1=f, temos |Av| = 0,707 (-3dB) e uma fase de 45 graus adiantada em relao entrada. Pode-se facilmente verificar que esta condio corresponde situao onde XC = R. Expressando o ganho em decibis, temos:
| A v | dB = 20 log 10 1 [1 + (f1 / f ) 2 ]1/ 2

Observe que para f >> f1 o ganho tende a 0 dB, enquanto que para f1 >> f a equao pode ser aproximada por:
| A v |dB = 20 log 10 (f 1 /f) (para f1 >> f)

O grfico do mdulo de ganho em dB est mostrado na figura 12, sendo a freqncia traada em escala logartmica. Observe, como anteriormente mencionado, que no ponto f = f1 temos |Av| = -3dB. Por outro lado, este ponto corresponde interseco de duas assntotas: uma correspondente a 0 dB, vlida para f >> fl, e outra correspondente reta inclinada correspondente a condio f1 >> f. Note ainda que a reta inclinada tem inclinao de 20 dB/d cada (ou 6 dB/oitava). O grfico linear por partes das assntotas, juntamente com os pontos de quebra, chamado grfico ou diagrama de BODE.

Cap.7-10 - Amplificadores de Pequenos Sinais

Eletrnica Experimental

Observe tambm que na figura 12 foi traado o grfico da fase do ganho em graus. No ponto f = f1 temos uma defasagem de 45 (adiantamento) em relao entrada. Podemos tambm aproximar a curva da fase em funo da freqncia por uma reta com inclinao de 45 graus/dcada (ou 13,5 graus/oitava).

Figura 12: Diagrama de Bode Circuito Diferenciador RC

7.5.2.2

Circuito Integrador RC

Figura 13: Circuito Integrador RC

Seguindo o procedimento adotado na anlise do circuito diferenciador RC, podemos traar as curvas de ganho e fase da funo de transferncia do circuito integrador RC mostrado na figura 13. O ganho do circuito dado por:
Av = 1 1 + j(f / f 2 )

Na figura 14 temos mostrado os grficos de ganho e fase em funo da freqncia.

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Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-11

Figura 14: Diagrama de Bode Circuito Integrador RC

7.6

FREQNCIAS DE CORTE

J vimos que para o amplificador a transistor em emissor comum, existe uma faixa de freqncias mdias na qual o ganho constante e a defasagem 180 graus. Fora dessa faixa de freqncias mdias os elementos reativos do circuito comeam a influir, reduzindo o ganho e alterando a defasagem. Vamos agora calcular as freqncias de corte inferior e superior. 7.6.1 Freqncia de Corte Inferior Em freqncias mdias, sups-se que as reatncias capacitivas associadas a Cl, C2 e C3 eram suficientemente pequenas para poderem ser desprezadas, sendo portanto substitudas por curto-circuitos. Porm, medida que reduzimos a freqncia de entrada, as reatncias XC1, XC2, XC3 vo aumentando, fazendo com que essa hiptese j no mais seja vlida. Isto faz com que o ganho do circuito caia. Vamos calcular as freqncias de corte associadas a cada um dos capacitores separadamente, considerando em cada caso que os demais capacitores so grandes o suficiente (vamos supor por exemplo, que os outros dois capacitores tiveram seu valor aumentado, por exemplo, por um fator de 10) para que suas reatncias possam ser desprezadas. No final, o capacitor que no tiver seu valor aumentado ser o que ir determinar a freqncia de corte do circuito. Assim, analisando a figura 8, temos que: a) O capacitor C1 est em srie com (Rg + rBB + r). Portanto a freqncia de corte ser:
f1 = 1 2 C1 (R g + rBB' + r )

(23)

b) O Capacitor C3 est em srie com ser:

f3 =

(RL // r0 // RC); logo a freqncia de corte

1

2 C 3 (R L // r0 // R C )

(24)

Cap.7-12 - Amplificadores de Pequenos Sinais

Eletrnica Experimental

c) O capacitor C2 est em paralelo com [ (RE(Rg + rBB + r) / (0 + 1) ]; se RE(0 + 1) >> (Rg + rBB + r), a freqncia de corte ser:
f2 = ( 0 + 1) 2 C 2 (R g + rBB' + r )

(25)

A freqncia de corte ser determinada por uma das freqncias f1, f2 ou f3, desde que esta seja muito menor que as duas outras. Na prtica, como geralmente se deseja uma freqncia de corte inferior bem determinada, o que se faz calcular C1, C2 e C3 para um fCI desejado. Como geralmente os valores obtidos para C1 e C3 so pequenos e C2 bastante elevado, o que se faz elevar os valores de C1 e C3 e deixar que C2 fixe a freqncia de corte inferior. Assim, teremos:
C1 >> 1 2 f CI ( R g + rBB' + r )

(26)

C3 >>

2 f CI (R L + r0 //RC )

(27)

C2 =

( 0 + 1) 2 f CI (R g + rBB' + r )

(28)

7.6.2 Freqncia de Corte Superior Se elevarmos a freqncia de entrada, atingiremos uma faixa onde no mais poderemos desprezar as reatncias de C e C (que at agora eram supostas muito elevadas, e portanto substitudas por circuitos abertos). Pode-se demonstrar que o valor de fCS pode ser dado aproximadamente por (desprezando-se o efeito de C0):
f CS = 2 [r //(rBB' 1 + R g )] [ C + C (1 + gm ( R L // r0 // R C ))]

(29)

7.7

BIBLIOGRAFIA

1. Millman, J. e Halkias, C. C. Eletrnica. Mc Graw Hill, 1981, volume 2. 2. A. S. Sedra e K. C. Smith, Microelectronics, 4a. Ed., Oxford University Press, 1998. 3. Schematic capture users guide: version 6.3. Irvine, MicroSim Corp., 1995.

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Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-13

APNDICE I: MODELO -HBRIDO Podemos representar o comportamento externo de um quadripolo atravs de duas tenses e duas correntes, tomando duas das variveis como variveis independentes e as duas outras como funo das variveis independentes escolhidas. Tomando como base o quadripolo da figura 1, podemos escrever que:

Figura 1: Quadripolo

v1 = h 11 i1 + h12 v 2 i 2 = h 21 i1 + h 22 v 2

Os parmetros h11, h12, h21, h22 so chamados parmetros h ou hbridos, pois so dimensionalmente diferentes.

Figura 2: Circuito equivalente hbrido completo

O circuito equivalente CA de um dispositivo linear bsico de trs terminais est mostrado na figura 2. A notao empregada nesta figura segue o padro recomendado pelo IEEE, sendo correspondente aos termos em ingls: input, reverse, forward e output, como mostrado abaixo.

h11 = resistncia de entrada = hi h12 = relao de transferncia inversa de tenso = hr h21 = relao de transferncia direta de corrente = hf h22 = condutncia de sada = ho

Figura 3: Circuito equivalente hbrido do transmistor em emissor comum

Tomando o terminal de emissor como terminal comum entre a entrada e a sada, obtemos o circuito hbrido mostrado na figura 3. Observe que acompanhando o ndice
Cap.7-14 - Amplificadores de Pequenos Sinais Eletrnica Experimental

de cada varivel temos uma letra e, denotando que a configurao utilizada no modelamento o emissor comum. Em geral este o conjunto de parmetros que os fabricantes utilizam para apresentar as especificaes dos transistores bipolares de juno. Os parmetros podem ser calculados como se segue:
h ie = v be v ce = 0 i b v be ib = 0 v ce h fe = i c v ce = 0 i b i c ib = 0 v ce

h re =

h oe =

onde vbe, vce, ic, ib denotam os sinais incrementais de Vbe, Vce, Ic e Ib. importante lembrar que os parmetros h" do transistor dependem do ponto de operao, motivo pelo qual os fabricantes provm curvas que mostram a variao dos parmetros com o ponto de operao. Alm disso, importante lembrar que, como os demais parmetros do transistor, os parmetros h" tambm variam com a temperatura. Informaes mais detalhadas sobre este assunto podem ser obtidas no livro ELETRNICA, de Millman & Halkias, cap. 8.2 a 8.4. Geralmente as medidas so realizadas em 1 KHz. Equivalncia com o Modelo -hbrido Pode-se demonstrar que so vlidas as seguintes relaes entre os modelos -hbrido e parmetros"h (abordagem prtica):
gm IC VT

VT 26mV
DC = h FE
rbb ' = h ie r

0 = AC = h fe

r =

h fe gm

r =

r h re

r0 =

h oe

1 (1 + h fe ) / r

C = C C (extrado da curva CC x Vcb do dispositivo)

C =

gm C 2 f T

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Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.7-15