Universidade Federal do ABC

Engenharia de Instrumentação, Automação e Robótica

Eletrônica de Potência I
Prof. Dr. José Luis Azcue Puma

 Introdução
 Semicondutores de Potência

1
Introdução
• Ementa e Avaliação
• ..............

• Software para Simulações

• PSpice 9.1 (Schematics), versão de
avaliação.

2
 Introdução
• O que é eletrônica de potência?
A eletrônica de potência pode ser definida
como a aplicação da eletrônica de estado
solido para o controle e conversão da energia
elétrica.

“Dispositivos termiônicos (tubos a

vácuo) dominaram a eletrônica até
o princípio da década de 1950.
Desde aquela época, os
dispositivos de estado sólido
tornaram-se a tecnologia
dominante.”

3
Introdução
• Objetivo?

• O primeiro objetivo da eletrônica de potência

é processar e controlar o fluxo da energia
elétrica, proporcionando tensões e correntes
da forma mais adequada possível para a
carga.

4
Introdução

Diagrama de blocos do sistema de eletrônica de potência

5
Introdução

Conversor CC/CC de 500W

Divisor de tensão

6
Introdução
 Os requerimentos para converter a energia
elétrica de uma forma para outra, desde a fonte
de alimentação para a carga são:
• Alta eficiência
• Alta confiabilidade
• Baixo custo
• Tamanho reduzido
• Peso reduzido

7
Introdução
 Aplicações:

• Fonte de tensão CC.

• UPS (Uninterrupted power supply).
• Sistemas de transmissão CC (HVDC).
• FACTS (Flexible AC transmission system).
• Veículos elétricos/híbridos.
• Fontes de energia renováveis (energia
fotovoltaica, eólica, etc.)

8
Exemplos de Aplicação
 Fonte de tensão CC

 Sistemas de transmissão HVDC

9
Resumo
 Em resumo, a eletrônica de potência nos
permite processar e controlar as tensões e
correntes de acordo com os requerimentos da
carga.

10
Conversores Eletrônicos de Potência

11
Crescimento da Eletrônica de Potência
 A eletrônica de potência teve um crescimento
rápido devido a:

• Avanços no desenvolvimento de dispositivos

de potência.
• Avanços em microeletrônica
(microcontroladores, DSP, FPGA, etc.)
• Novos algoritmos de controle (controle
preditivo, redes neurais artificiais, lógica
fuzzy, etc.)
• Demanda por novas aplicações.

12
Crescimento da Eletrônica de Potência
 A eletrônica de potência é multidisciplinar:

• Eletrônica analógica/digital
• Teoria de circuitos
• Teoria de controle
• Processamento de sinais
• Microeletrônica
• Programação e simulação
• Eletromagnetismo
• Etc.

13
Matérias Semicondutores
 Material
• Isolante elétrico: são matérias cujas cargas
elétricas não conseguem se mover livremente e
oferecem um nível muito baixo de condutividade
(vidro, borracha, etc.).

• Condutor elétrico: são matérias nas quais as

cargas elétricas se deslocam de maneira
relativamente livre e conseguem sustentar um
grande fluxo de carga (Cu, Al, Ag).

• Semicondutores: são sólidos geralmente

cristalinos de condutividade elétrica intermediaria
entre isolantes e condutores (Ge, Si).

14
Matérias Semicondutores
 Exemplos de Materiais 𝑙
• Cobre (Cu)  10−6 (Ω − 𝑐𝑚) 𝑅=𝜌
𝐴
• Mica  1012 (Ω − 𝑐𝑚)
• Germânio (Ge)  50 Ω − 𝑐𝑚 𝜌 = resistividade
l = comprimento
• Silício (Si)  50𝑥103 Ω − 𝑐𝑚 A = área

 Semicondutor Intrínseco é aquele encontrado na

natureza e a sua concentração de portadores de
carga positiva é igual à concentração de portadores
de carga negativa.

 Semicondutor Extrínseco ou dopados são

semicondutores intrínsecos na qual se introduzem
impurezas para controlar as características elétricas
do semicondutor.
15
 Matérias Semicondutores
Os portadores (elétrons e
lacunas): Átomos com 4
elétrons em sua camada
mais externa (Ge, Si, etc.),
permitem o estabelecimento
de ligações muito estáveis,
uma vez que, pelo
compartilhamento dos
elétrons externos pelos
átomos vizinhos (ligação
covalente), tem-se um
arranjo com 8 elétrons na
camada de valência.

16
Matérias Semicondutores
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto
(−273 𝜊 C), algumas destas ligações são rompidas
(ionização térmica), produzindo elétrons livres. O átomo
que perde tal elétron se torna positivo. Eventualmente
um outro elétron também escapa de outra ligação e,
atraído pela carga positiva do átomo, preenche a
ligação covalente. Desta maneira tem-se uma
movimentação relativa da “carga positiva”, chamada de
lacuna, que, na verdade, é devida ao deslocamento dos
elétrons que saem de suas ligações covalentes e vão
ocupar outras,

17
Matérias Semicondutores

18
Semicondutores Extrínsecos (dopados)
 Material do tipo P: Quando
introduzimos um átomo de
uma impureza trivalente
(Bo). Este possui somente
três elétrons para
completar as ligações
covalentes, logo uma das
ligações covalentes do
silício ficará incompleta.

 Portadores majoritários são

as lacunas e minoritários
os elétrons.

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Semicondutores Extrínsecos (dopados)
 Material do tipo N: Quando
introduzimos um átomo de
uma impureza
pentavalente (P). Este
possui cinco elétrons para
completar as ligações
covalentes, sendo que um
elétron excedente torna-se
livre para se conduzir.

 Portadores majoritários
são os elétrons e
minoritários as lacunas.

20
Dispositivos de Potência
Basicamente os dispositivos semicondutores de
potência devem permitir ou bloquear a passagem de
corrente.

Interruptor ideal

• Resistência nula em condução

• Resistência infinita quando bloqueado
• Tempos de comutação nulos (entrada em condução
e bloqueio nulos)

21
Dispositivos de Potência
Operações básicas dos interruptores

22
Dispositivos de Potência
Operações básicas dos interruptores

23
Interruptor com Operação em 1Q
 Interruptor ativo: O interruptor é
controlado exclusivamente por um
terceiro terminal.
 Interruptor passivo: O interruptor é
controlado com a aplicação de tensão
e/ou corrente nos terminais 1 e 2.
 SCR: caso especial, é ligado de forma
ativa e desligado de forma passiva.
 Os estados “ligado” e “desligado” são
unipolares.

24
O diodo
 Interruptor passivo.
 Operação em 1Q.
 Pode conduzir correntes positivas.
 Pode bloquear tensões negativas.

25
Transistor BJT e IGBT
 Interruptor ativo controlado pelo terminal C.
 Operação em 1Q.
 Pode conduzir correntes positivas.
 Pode bloquear tensões positivas.

26
Transistor MOSFET
 Interruptor ativo controlado pelo terminal C.
 Normalmente opera em 1Q.
 Pode conduzir correntes positivas (como também
correntes negativas em algumas circunstancias).
 Pode bloquear tensões positivas.

27
Interruptor com Operação em 2Q
 Interruptor com corrente bidirecional
 Usualmente é um interruptor ativo controlado pelo
terminal C.
 Normalmente opera em 2Q.
 Pode conduzir correntes positivas ou negativas.
 Pode bloquear tensões positivas.

28
Diodo interno do MOSFET

29
Interruptor com Operação em 2Q
 Interruptor com tensão bidirecional
 Usualmente é um interruptor ativo controlado pelo
terminal C.
 Normalmente opera em 2Q.
 Pode conduzir correntes positivas.
 Pode bloquear tensões positivas ou negativas.

30
Interruptor com Operação em 4Q
 Usualmente é um interruptor ativo controlado pelo
terminal C.
 Pode conduzir correntes positivas ou negativas.
 Pode bloquear tensões positivas ou negativas.

31
Áreas de atuação
A figura mostra uma distribuição dos componentes
semicondutores, indicando limites aproximados para
valores de tensão de bloqueio e corrente de condução.

32
Diodos de Potência
Polarização Reversa (bloqueio)

Símbolo

Polarização Direta (condução)

Característica v-i

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 Diodos de Potência
 Quando o diodos passa da polarização direta para a
polarização reversa rapidamente, este continua conduzindo
devido aos portadores minoritários ainda se mantem na
junção P-N.
 Os portadores minoritários precisam de um tempo finito
(trr) para recombinar-se com a carga oposta e neutraliza-la.
 Diodos rápidos têm tempos de recuperação reversa (trr)
pequenos, no máximo, poucos microssegundos, enquanto
em diodos normais e de dezenas o centenas de
microssegundos.

34
 Tipos de Diodos de Potência
 Diodos convencionais (operam na frequência da rede)
 Queda de tensão em polarização direta: (< 1V)
 Tempo de recuperação reversa: (em torno de 25us,
resposta muito lenta).
 Correntes nominais de operação muito altas (até
5kA)
 Tensões nominais de operação muito altas (5kV)
 Utilizado em aplicações que operam na frequência
da rede (50/60 Hz)

 Diodos rápidos
 Tempo de recuperação reversa muito baixo (<1us)
 Normalmente utilizado em médias e altas
frequências.

35
 Tipos de Diodos de Potência
 Diodos Schottky
 Queda de tensão em polarização direta muito baixa
(tipicamente 0,3 V).
 Praticamente não existe tempo de recuperação
reversa (carga armazenada praticamente nula).
 Capacidade de bloqueio limitado (50-100V).
 Utilizado em aplicações de baixa tensão e altas
correntes tais como as fontes chaveadas.
.

36
Características de Alguns Diodos de
Potência

37
Tiristor (SCR)

Polarização direta

Bloqueio reverso Bloqueio direto

Símbolo
Característica estática v-i

 Se a tensão Vak é maior que tensão direta de entrada

em condução (Vbo) o tiristor entra em condução.
 A presença de corrente no gate diminui a tensão Vbo.

38
 Tiristor
 Condições normais para a operação do tiristor
 O dispositivo se encontra no estado de bloqueio
direto (Vak é positivo).
 Uma corrente positiva é aplicada no gate (Ig).
 Quando o limiar IL for atingido o dispositivo se manterá
em condução e a queda de tensão Vak diminuirá
drasticamente, tipicamente 1,5-3V.
 Em bloqueio reverso o tiristor se comporta como um
diodo.
 Bloqueio através da redução da corrente a valores
inferiores à corrente de manutenção (IH), uma vez que,
mesmo com a inversão da corrente de gate, não é
possível bloquear o tiristor.
 Não existe capacidade de bloqueio pelo terminal do
gate após a entrada em condução.
39
Condução do Tiristor

40
 Condução do Tiristor

Tensões e correntes características do tiristor

41
Próxima Aula
1. Dispositivos de Potência
 Triodo de CA (TRIAC)
 GTO
 Transistor Bipolar de Potência (TBP)
 MOSFET de Potência
 Transistor IGBT
2. Retificadores a Diodo

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Referências Bibliográficas
1. BARBI, I. Eletrônica de Potência - Florianópolis, 6ta Edição do
Autor, 2006.
2. RASHID, M.H. Eletrônica de Potência - Circuitos, Dispositivos e
Aplicações. Ed. São Paulo: Makron Books, 1999.
3. Erickson, R.W.; Fundamentals of power electronics, 2 Ed. Kluwer
Academic Publisher, 2001.
4. MOHAN, N.; UNDELAND, T.M.; ROBBINS, W.P. Power
Electronics: Converters Applications and Design 2. Ed. New
York: Editora John Wiley & Sons, 1995.
5. Pomilio, J.A.; Apostilas da disciplina de Eletrônica de Potência,
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/
6. Gonçalves, F.A.S., Apostilas da disciplina Eletrônica Industrial
para Controle e Automação I.
http://www2.sorocaba.unesp.br/professor/flavioasg/ei/index.php
7. Charles Schuler, Eletrônica I, 7 Ed., McGrawHill.

43