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Preparado por

Carlos Novillo M.

Feliz el hombre que halla la sabidura, y que obtiene inteligencia; porque valen ms que la plata, y produce ms beneficios que el oro. La sabidura vale ms que las piedras preciosas; Todas las cosas que pueda desear, no se pueden comparar a ellas!

Proverbios 3.13-15

PROGRAMA DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS


OBJETIVOS DE LA MATERIA
Implementar circuitos electrnicos diseados por el estudiante con elementos discretos y con circuitos integrados. Probar su funcionamiento utilizando simuladores en computadores y armndolos en el Laboratorio.

SNTESIS DEL PROGRAMA DE LA MATERIA


El diodo semiconductor, principio de funcionamiento, caractersticas elctricas, circuito equivalente y aplicaciones. Diodos para aplicaciones especiales: Zner, LED y otros. El transistor bipolar de juntura, principio de funcionamiento, caractersticas elctricas, circuito equivalente, aplicaciones lineales y no lineales. El transistor de efecto de campo, principio de funcionamiento, caractersticas elctricas, circuito equivalente, aplicaciones bsicas. Amplificadores operacionales: caractersticas y aplicaciones lineales y no lineales. Dispositivos de cuatro capas: Unidireccionales [diodo de cuatro capas y SCR] y bidireccionales [Diac y Triac]. Otros elementos de cuatro capas. Optoelectrnica: emisores, detectores y optoacopladores: funcionamiento y aplicaciones.

PROGRAMA DETALLADO DE LA MATERIA


1 EL DIODO SEMICONDUCTOR 1.0 Introduccin 1.1 Estudio de los elementos semiconductores 1.2 Construccin y principio de funcionamiento del diodo semiconductor 1.4 Caractersticas y parmetros 1.4.1 Circuito equivalente 1.5 Diodos para aplicaciones especiales 1.5.1 Diodos Emisores de Luz [LEDs] 1.5.2 Otros tipos de diodos 1.6 Aplicaciones 1.6.1 Conformadores de onda: Recortador, sujetador, multiplicador de voltaje 1.6.2 Rectificador de media onda y de onda completa. Tipo-puente integrado 2 FUENTES DE VOLTAJE NO REGULADAS Y REGULADAS 2.1 Diodo Zner 2.2 Aplicaciones 2.2.1 Filtro C para fuentes DC 2.2.2 Reguladores: Zner y en Circuito Integrado [CI] 3 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT) 3.1 Construccin y principios de funcionamiento del transistor 3.2 Caractersticas de entrada y salida 3.3 Aplicaciones lineales 3.3.1 Configuraciones del transistor como amplificador 3.1.2 Circuitos de polarizacin en la R. A. N. Carlos Novillo Montero Can

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3.3.3 Amplificadores de pequea seal y baja frecuencia 3.4 Aplicaciones no lineales 3.4.1 Circuitos de polarizacin en corte y saturacin 3.4.2 Aplicaciones no lineales. El transistor como conmutador 4 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET y MOSFET) 4.1 Principios de funcionamiento 4.2 Caractersticas de salida y de transferencia 4.2.1 Resistencia variable [dinmica] 4.3 Aplicaciones 4.3.1 Amplificadores de pequea seal: Configuracin, polarizacin y circuito equivalente 4.4 D-MOSFET 4.4.1 Construccin y caractersticas 4.4.2 Polarizacin 4.4.3 Circuito equivalente para pequea seal 4.4.4 Aplicaciones 4.5 E-MOSFET 4.5.1 Construccin y caractersticas 4.5.2 Polarizacin 4.5.3 Circuito equivalente para pequea seal 4.5.4 Aplicaciones 5 AMPLIFICADORES OPERACIONALES (Amp-Op) 5.1 El amplificador Diferencial como base del Amplificador Operacional 5.2 Principios de funcionamiento 5.3 Amplificador Operacional ideal y real 5.4 Aplicaciones lineales del Amp-Op 5.4.1 Amplificador con inversin 5.4.2 Amplificador sin inversin 5.4.3 Sumador 5.4.4 Restador 5.4.5 Integrador 5.4.6 Diferenciador 5.5 Aplicaciones no lineales del Amp-Op 5.5.1 Detector de cruce por cero 5.5.2 Comparador de voltaje 5.5.3 Schmitt-Trigger 5.5.4 Conformadores de onda 5.5.5 Generadores de formas de onda 6 DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS [TIRISTORES] 6.1 Dispositivos unidireccionales: Diodo de cuatro capas y SCR 6.1.1 Principios de funcionamiento 6.1.2 Caractersticas Carlos Novillo Montero Can

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6.2 Aplicaciones 6.2.1 Dispositivos bidireccionales: DIAC y TRIAC 6.2.2 Principios de funcionamiento 6.2.2 Caractersticas 6.2.3 Aplicaciones 6.3 Otros elementos de cuatro capas: PUT, UJT, GTO, LASCR 7 OPTOELECTRNICA 7.1 Introduccin a la teora ptica 7.2 Emisores, detectores y optoacopladores integrados 7.2.1 Principios de funcionamiento 7.2.2 Aplicaciones bsicas

BIBLIOGRAFA: [Autor, ttulo, editorial, ao]


< Libros de texto: 3. Boylestad y Nashelsky. Electrnica. Teora de Circuitos. Prentice Hall. 2003. 4. Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Limusa, 1996 < S S S S S S S S S < S S S Libros recomendados para consulta: Malvino Paul. Principios de Electrnica. McGraw Hill. 2000. Milman y Halkias. Electrnica Integrada. McGraw Hill. 1980. Savant, Roden, Carpenter. Diseo Electrnico. Circuitos y Sistemas. Addison Wesley Iberoamericana. Milman y Halkias. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. McGraw Hill. 1978. Rashid Muhammad H. Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Diseo. International Thompson Editors. 2000. Cuttler Phillip. Anlisis de Circuitos con Semiconductores. Lowemberg Edwin. Circuitos Electrnicos. Coleccin Schaums. Boylestad y Nashelsky. Fundamentos de Electrnica. 1997 Graeme Jerald. Aplications of Operational Amplifiers. McGraw-Hill. Manuales: Motorola. The Semiconductor Data Book. Etc. NTE Semiconductor Master Replacement. Revistas, Cursos y Enciclopedias de Electrnica Sitios WEB

< Herramientas: - Simuladores de Circuitos Electrnicos


C:\D a tos_Ca n\ELECTR O N ICA \Ca p itu los\D E _Cp 1 .w p d Revisin : M a rzo -2 0 10

Carlos Novillo Montero

Can

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Los tomos en los Semiconductores
tomo segn el modelo de Bohr [fig. 1.1]

FIG U RA 1 .2 M O D E LO D E B O H R S IM P LIFIC A D O P A R A Si o G e FIG U R A 1.1 TO M O SEG N EL M O D E LO D E B O H R

Estos 2 elementos conforman el ncleo del tomo - Electrones (-) forman las rbitas del tomo Solo los electrones de valencia intervienen en las reacciones qumicas. Los otros electrones estn estrechamente vinculados al ncleo. Los electrones de valencia junto con el ncleo constituyen un centro inico estable desde el punto de vista qumico, que exhibe una carga elctrica positiva neta [fig. 1.2]. Estados en los que se Presenta la Materia.-Cuando los tomos de un material se encuentran muy separados se tiene el estado gaseoso. Cuando los tomos estn ms prximos, el estado puede ser lquido o slido. En los conductores [metales], los tomos se compactan a tal grado que los electrones de valencia quedan muy prximos a los tomos vecinos, por tanto no podra decirse a qu tomo pertenecen esos electrones. As, todos los centros inicos comparten los electrones de valencia. De modo que se los puede considerar como electrones libres, porque, en respuesta a fuerzas externas, estn en libertad de moverse dentro del conductor. Cuando una diferencia de potencial establece un campo elctrico en el conductor, el movimiento global de los electrones libres constituye la corriente elctrica. Carlos Novillo Montero Can

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Cuando no hay un campo elctrico, los electrones dentro del conductor se mueven en forma errtica [en todas las direcciones] con velocidades errticas, cuyo valor medio depende de la temperatura. La densidad de electrones libres en un conductor es del mismo orden que la de los propios tomos, 1023 cm-3, independiente de la temperatura [nmero de Avogadro, NA = 6,02x1023 molculas/mol]. En los aislantes, los electrones de valencia estn fuertemente unidos a sus tomos originales. En presencia de un campo elctrico, pocos son los electrones que pueden moverse a travs del material. El aislante es un muy mal conductor, dentro de muy amplios rangos de temperatura. Los semiconductores, se ubican entre los conductores y los aislantes. Los electrones de valencia no estn demasiado sueltos de sus tomos originales como en los conductores ni tan unidos como en los aislantes. En los semiconductores, la unin de estos electrones depende mucho de la temperatura. A temperatura ambiente el semiconductor no es ni un buen conductor ni un buen aislador. La influencia de la temperatura sobre la conductividad de un semiconductor es tal que a muy bajas temperaturas es un buen aislador, mientras que a temperaturas muy altas, es un conductor bastante bueno. VALORES DE ALGUNAS CONSTANTES FSICAS
Constante Carga del electrn Masa del electrn Masa del protn Constante de Planck Constante de Boltzmann Constante de Stefan-Boltzmann Nmero de Avogadro Velocidad de la luz Permitividad en el espacio libre Smbolo q m mp h 1,602x10 9,109x10 Valor
-19 -31

C kg kg

1,1673x10 6,626x10

-27

-34

J.s

k NA c

1,381x10-23 J/K 8,620x10-5 eV/K 5,670x10-8W/(K4 m2 ) 6,023x1023molcuclas/mol 2,998x108 m/s 8,849x10-12 F/m

Estructura Cristalina.- Son configuraciones geomtricas tridimensionales, regulares y peridicas. Se dice que son peridicas porque la forma geomtrica bsica se repite de forma idntica en las 3 direcciones. Cuando esta condicin se cumple en toda la masa del cuerpo, entonces se tiene un monocristal. Cuando el material se presenta en forma de aglomeraciones de pequeos cristales [no discernibles a simple vista] se tiene un material policristalino. Los semiconductores utilizados en los dispositivos electrnicos deben ser monocristalinos.

Modelo de Niveles y Bandas de Energa .- La teora de bandas est relacionada


con el concepto de energa, ms que con los de velocidad y posicin. Cada uno de estos puntos de vista complementa al otro. Algunas veces se utilizar Carlos Novillo Montero Can

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el modelo de enlaces de valencia, otras el de bandas de energa. Sin embargo, cualquiera de los 2 puntos de vista es adecuado para comprender claramente la mayora de las propiedades de los materiales semiconductores y de los dispositivos de estado slido. Niveles y Bandas de Energa.- El tomo segn el modelo de Bohr estudiado anteriormente se muestra en ms detalle en la fig. 1.3. En ella se muestran los electrones distribuidos en rbitas discretas. Adems se muestra una rbita de excitacin que no tiene electrones.

FIG UR A

1.3

N IVELES D E ENER G A

El electrn tiene dos tipos de energa: cintica y potencial [con respecto al ncleo]. Para sacar un electrn de la rbita de valencia a la de excitacin hay que realizar un trabajo contra la fuerza de atraccin del ncleo. La energa potencial del electrn aumenta cuando se aleja del ncleo. Cada una de las rbitas est asociada con cierta cantidad de energa [cintica ms potencial], entonces los electrones que se encuentran en esas rbitas tienen cierto nivel de energa. Dependiendo del tomo, pueden existir muchos niveles de energa posibles, cada uno de ellos perfectamente determinado. Los ms elevados son los niveles de excitacin y se hallan ocupados transitoriamente, mientras existan electrones excitados.
NIVEL DE ENERGA ES OTRA FORMA DE DECIR RADIO ORBITAL

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SLO HAY VALORES DISCRETOS DE ENERGA Y DIMETRO ORBITAL

Un electrn puede pasar del nivel de energa E1 al nivel E2 si gana un cuanto de energa igual a E2 E1, o pasar a un nivel ms alto E3, si gana un cuanto adicional igual a E3 E2, o tambin puede pasar del nivel 1 al 3 directamente si el cuanto tiene una energa E3 E1. Entonces, un electrn puede pasar de su nivel normal de energa a uno ms alto en una o en varias etapas. Cuando el nivel de energa es suficientemente alto, el electrn puede alejarse tanto del ncleo como para escapar por completo de su influencia. Es decir, el electrn se desprende del tomo y ste se ioniza. El electrn pasa a ser un electrn libre y el tomo, un ion positivo. La energa mnima necesaria para desprender un electrn del tomo se llama energa de ionizacin. Entre el nivel de valencia y el de ionizacin existen niveles adicionales permitidos, que normalmente no estn ocupados por electrones.

FIG U R A

1 .4

FO R M A CI N D E B A N D A S D E EN ER G A

Si dos tomos idnticos al anterior se acercan lo suficiente como para formar una molcula diatmica, el diagrama de niveles de energa de la combinacin adopta la forma ideal ilustrada en la fig. 1.4. Cada uno de los niveles originales permitidos se descompone en dos, muy prximos a los iniciales, y se forma una depresin en la curva de energa entre los dos ncleos. El desdoblamiento de los niveles de energa y la depresin de la curva de energa son el resultado de un proceso de acoplamiento. Adems de ser atrado por su propio ncleo, cada electrn tambin es atrado por el ncleo del tomo vecino. As, el efecto del segundo tomo es el de reducir la energa necesaria para desplazar el electrn entre los dos ncleos. Los dos tomos comparten los niveles de energa ms elevados. Al compartir los niveles de valencia, los electrones de valencia ya no se localizan en ninguno de los tomos en particular sino que pueden moverse dentro del espacio ocupado por la molcula y sirven as para estabilizar la estructura molecular enlazando un tomo con el otro. El desdoblamiento de los niveles de energa permitidos se incrementa cada vez que se renen ms tomos, que llegan a estar tan prximos los unos a Carlos Novillo Montero Can

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los otros que la diferencia de energa entre ellos deja de ser significativa, por lo que en su conjunto se los considera como una banda de energa permitida.

La banda formada por desdoblamiento del primer nivel de excitacin se denomina banda de conduccin, mientras que la del nivel de valencia banda de valencia. Cuando no hay excitacin, la banda de conduccin est vaca. Entre las bandas permitidas existen bandas prohibidas, en ellas no hay niveles permitidos de energa. La altura de la banda prohibida entre las bandas de valencia y de conduccin tiene mucha importancia en la teora de semiconductores, y se la denomina brecha de energa Eg (Energy gap = Brecha de Energa) que es la necesaria para romper el enlace de valencia y producir un electrn libre. El valor de Eg es una caracterstica de cada material. La brecha de energa Eg en un semiconductor depende de la temperatura; se ha determinado en forma experimental [emprica] y se la expresa mediante la siguiente ecuacin.

[T es la temperatura absoluta] Conductor es un slido que a temperatura ambiente tiene muchos electrones en la banda de conduccin [.1023/cm3]. No hay una regin de banda prohibida entre las bandas de valencia y de conduccin [fig. 1.6]. En un buen conductor las dos bandas se superponen, y los electrones de valencia se convierten en electrones de conduccin [libres]. Aislador es un material que tiene una banda de energa prohibida bastante ancha [$5eV]. Los aisladores prcticos tiene muy pocos electrones libres y permiten la conduccin de una corriente muy pequea. Semiconductor es un slido que tiene una banda de energa prohibida, que es mucho ms pequea que en el caso de un aislador, pero mayor que la de un conductor. Puesto que tiene una banda prohibida, se debe suponer que el Carlos Novillo Montero Can

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semiconductor no tiene electrones en su banda de conduccin.

Bandas de Energa para los Conductores, Semiconductores y Aislantes

FIG U R A

1.6

No obstante el calor del medio ambiente es suficiente para que algunos electrones de la banda de valencia salten la brecha prohibida y pasen a la banda de conduccin. Entonces, a temperatura ambiente, los semiconductores pueden conducir algo de corriente elctrica. Para el caso del silicio, la banda de energa prohibida tiene un ancho de 1,1eV1 y para el germanio es de 0,72eV a temperatura ambiente, fig. 1.7 [Eg = 1,1eV (Si); Eg = 0,72eV (Ge)].

FIG U R A

1.7

Tabla de la Resistividad de los Materiales


A IS LA D O R ES : CU A RZ O FU N D ID O H U LE EN D U R ECID O N YLO N VID R IO 1 019 1 018 4 X 10 1 4 1 ,7 X 10 1 3

eV = electrn-Voltio. W[energa] = P[potencia] x t[tiempo] P = VxI , W = VxIxt , W = QxV [I = Q/t] , W = 1,6 x 10-19 coul x 1 V = 1,6 x 10-19 Joules = 1eV

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CA P . 1 - D IO D O SEM ICO N D U CTO R P O R CELA N A S EM ICO N D U CTO R ES : S ILICIO [P U R O ] G E RM A N IO [P U R O ] CA R B O N O CO N D U CTO R ES : P LA TIN O A LU M IN IO CO B R E P LA TA R ESISTIVID A D [ x cm ] 3 X 10
11

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2 X 10 5 65 4 X 10 - 3 1 0 -5 2 ,8 X 10 - 6 1 ,7 X 10 - 6 1 ,6 X 10 - 6

Semiconductores Intrnsecos [Puros].- Los materiales semiconductores se agrupan


en forma de cristales tri-dimensionales. Para facilitar su estudio a los cristales de los semiconductores se los representar en forma bidimensional [fig. 1.8]. Cuando se tiene un cristal puro [formado por el mismo tipo de tomos] o cuando la cantidad de impurezas es muy pequea, cuyo efecto sobre la conductividad es despreciable, entonces se tiene un material intrnseco, porque la conductividad es una propiedad intrnseca del material original.

FIG U R A

1 .8

C R IS TA L D E SILIC IO P U R O

La estructura cristalina de la fig. 1.8 es verdadera para temperaturas muy bajas [prximas al cero absoluto]. Al aumentar la temperatura, algunos electrones se liberan al romper los enlaces covalentes. Este es un proceso de ionizacin que genera electrones libres que pueden moverse a travs del cristal, dejando tomos ionizados [con exceso de carga +]. La vacante dejada por el electrn se la conoce como hueco [hole] y representa una carga unitaria [fig. 1.9]. El hueco se puede llenar con el electrn de un tomo vecino con lo que se produce la transferencia del hueco positivo a otra posicin de la estructura cristalina, es decir, el hueco tambin se mueve al azar dentro del cristal. Concentracin Intrnseca de Portadores n i.- ni es la concentracin intrnseca Carlos Novillo Montero Can

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de portadores [electrones o huecos] en un material intrnseco, que es muy dependiente de la temperatura [fig. 1.9].

FIG U R A

1.9

CR ISTA L D E SILICIO

Por experimentacin se tiene que

donde
ni = k= T = Eg = Eg = Eg = AO = Concentracin intrnseca de portadores Constante de Boltzmann = 8,62x10 -5eV/ K Temperatura absoluta Energa de la brecha 1,10eV [Si] 0,72eV [Ge] Constante independiente de la temperatura

Conforme aumenta la temperatura, aumenta la concentracin de pares electrnhueco2, lo que a su vez aumenta la probabilidad de recombinacin hasta llegar a un equilibrio para cada temperatura particular. La variacin de ni en funcin de la temperatura T, es muy rpida. Para temperaturas mayores que 50K, la concentracin ni es

Para 300K, [temperatura ambiente], se tiene

Los enlaces que form an los electrones de valencia de los sem iconductores, se denom inan e n la c e s c o va le n te s porque los tom os vecinos com parten sus electrones de vale n c ia. Cuando se increm enta la tem peratura los enlaces se rom pen y form an electrones libres y huecos en parejas, de ah el nom bre de p a r e le c tr n -h u e c o .

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A temperatura ambiente (25C . 300K), en el silicio n i es tres rdenes de magnitud menor que en el germanio. A temperatura ambiente, en el silicio hay 1 electrn libre por cada 10 13 tomos y en el germanio, 1 por cada 10 10 tomos.

FIG UR A

1.1 0

FLU JO D E ELECTR O N ES Y H U ECO S

En un conductor, el flujo de corriente se debe exclusivamente al desplazamiento de electrones en presencia de una fuente de voltaje. En un semiconductor, la corriente total corresponde a la contribucin del desplazamiento de electrones hacia el terminal positivo y de huecos hacia el terminal negativo de la fuente de voltaje, es decir . Como se muestra en la fig. 1.10.

Semiconductores Extrnsecos [Dopados]


DOPING Excitacin [contaminacin] Los semiconductores ms tiles se obtienen agregando al material idealmente puro, cantidades controladas [del orden de algunas partes por milln] de ciertas impurezas. En el proceso de contaminacin, los tomos de impureza reemplazan a los tomos de silicio o de germanio en la estructura cristalina. Impurezas Donadoras.- Como material contaminante se utiliza un elemento qumico de valencia-5 [pentavalente]: fsforo (P), arsnico (As), antimonio (Sb), bismuto (Bi). 4 de los 5 electrones de valencia del tomo extrao forman los 4-enlaces con tomos vecinos requeridos por las leyes de la estructura cristalina original. El quinto electrn de valencia del tomo de impureza no encaja en la estructura cristalina, por tanto, para que el electrn se Carlos Novillo Montero Can

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separe del tomo original, se requiere muy poca energa de ionizacin.

FIG U R A

1 .1 1 IM P U R EZ A D O N A D O R A

En consecuencia, a temperaturas del orden de los 100K, la probabilidad de que pase a ser un electrn libre es alta [95% en el Ge]. El tomo de impureza pentavalente ha donado un electrn libre al cristal sin generar un hueco, es por esto que al tomo de impureza pentavalente se lo denomina DONADOR [fig. 1.11]. Portadores Mayoritarios y Minoritarios.- En los materiales semiconductores, la concentracin de tomos de impureza del tipo donador es tal que, dentro de amplios mrgenes de temperatura, los electrones resultan mucho ms numerosos que los huecos. Es decir, la mayor parte de la corriente se debe a los electrones. A los semiconductores contaminados con impurezas pentavalentes se los denomina materiales tipo-n, porque la mayora de los portadores de corriente son negativos [electrones]. En los materiales tipo-n, los electrones son los portadores mayoritarios, y los huecos, mucho menos numerosos, son los portadores minoritarios. El cristal, en conjunto, sigue siendo elctricamente neutro, pues la concentracin de electrones, nn es igual a la suma de la concentracin de huecos (pn ) ms la concentracin de iones donadores positivos.
nn = nn = pn = pn + iones donadores concentracin total de electrones en el material tipo-n concentracin total de huecos en el material tipo-n

La fig. 1.12 muestra un diagrama de niveles de energa de los electrones en un semiconductor tipo-n.
LAS IM P UR E ZA S P E N TA V A LE N TE S N O GE N E R A N H UE C OS S IN O IO N E S P O S IT IV O S , F IJO S E N LA E S T R U C T UR A C R IS T A LIN A .

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FIG U R A

4.1 2

N IVELES D E EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -N

Disminucin de Portadores Minoritarios.- La presencia de impurezas donadoras, aumenta la probabilidad de que los huecos se recombinen con electrones. El aumento de concentracin de electrones reduce la concentracin de huecos a un valor menor que el que se tendra si el material fuese puro. Para una temperatura dada se puede demostrar que
nn x pn U ni 2 = constante para una temperatura dada

donde nn y pn son, respectivamente, las concentraciones de electrones y huecos en el material tipo-n, y ni es la concentracin de portadores [electrones o huecos] en el material intrnseco, o concentracin intrnseca. Impurezas Aceptoras.- En este caso, el material contaminante es un elemento de valencia-3 [trivalente]: boro (B), aluminio (Al), galio (Ga), indio (In). Cada tomo de impureza solo cuenta con 3 electrones de valencia para formar enlaces con 4 tomos vecinos. Por tanto, se genera una vacante en la estructura cristalina [fig. 1.13].

FIG U R A

1 .1 3

IM P U R EZ A A C E P T O R A

La vacante creada por la impureza es muy atractiva para los electrones Carlos Novillo Montero Can

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de los enlaces de los tomos vecinos. Por tanto, la energa de ionizacin necesaria para que un electrn de un enlace vecino ocupe aquel hueco, es mucho menor que la requerida para romper el enlace covalente en el material intrnseco. Puesto que el tomo de impureza trivalente acepta un electrn de los tomos del material original, a este tipo de impureza se la denomina ACEPTOR. Cuando se aplica un campo elctrico, la corriente es el resultado del desplazamiento de los huecos creados por los tomos de impureza y de los electrones y huecos generados por la ruptura de enlaces covalentes. Puesto que los huecos [positivos] llevan la mayor parte de la corriente, vienen a ser los portadores mayoritarios y se tiene un material tipo-p. Como en el caso de las impurezas donadoras, el cristal en su conjunto sigue siendo elctricamente neutro pues la concentracin de huecos pp es igual a la suma de la concentracin de electrones np ms la concentracin de iones negativos.
Pp = pp = np = np + iones aceptores concentracin total de huecos en el material tipo-p concentracin total de electrones en el material tipo-p

Al aumentar la concentracin de huecos como resultado de las impurezas, disminuye la concentracin de electrones minoritarios. Para este caso tambin se cumple que
pp x np U ni 2 = constante para una temperatura dada

La fig. 1.14 muestra un diagrama de niveles de energa de los huecos en un semiconductor tipo-p.

FIG U R A

1.1 4

N IVELES D EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -P

Las impurezas trivalentes no generan electrones sino iones negativos, fijos en la estructura cristalina.

Conductividad en los Semiconductores .- La corriente elctrica es el flujo


de cargas a travs de una superficie imaginaria por unidad de tiempo, por Carlos Novillo Montero Can

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tanto depende de la cantidad de cargas mviles [libres] y de la velocidad con que se mueven. En los semiconductores se presentan dos tipos de corriente: de difusin y de corrimiento. Corriente de Difusin.- Cuando la concentracin de cargas mviles vara de un punto a otro [fig. 1.15] en el semiconductor, se produce una gradiente de concentracin (dp/dx, o dn/dx) en la densidad de portadores, esto har que la densidad en el material trate de equilibrarse [las cargas tienden a distribuirse en forma homognea] y en un intervalo de tiempo se producir una corriente neta de portadores denominada corriente de difusin. Es poco conocida pero es muy importante en los semiconductores.

FIGURA 1.15 CORRIEN TE D E D IF U S I N

Corriente de Corrimiento o de Deriva (Drift).- Este tipo de corriente se genera por la presencia de un campo elctrico externo, es ms conocida que la de difusin. La energa trmica hace que los iones vibren, por lo que las cargas no pueden desplazarse libremente, puesto que chocan con los tomos en vibracin.

FIG U R A

1 .1 6

La presencia de impurezas ionizadas, tambin disminuye la movilidad de las cargas en magnitud y direccin. De la misma manera, las imperfecciones del cristal [defectos de cristalizacin], disminuyen el movimiento de las cargas, electrones o huecos. Tambin las impurezas elctricamente neutras. La siguiente tabla muestra algunos de los factores que influyen en la cantidad de movimiento de las partculas mviles, tanto en direccin como en magnitud.
- Energa trmica [vibracin trmica] - tomos de impurezas [donadores y/o aceptores] - Defectos [imperfecciones] de cristalizacin - tomos de impurezas elctricamente neutros

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En ausencia de un campo elctrico, la cantidad de movimiento debido a estos factores se neutraliza y la corriente neta es cero. Cuando hay un campo elctrico, las cargas se desplazan en el sentido en que obran las fuerzas causadas por el campo porque son aceleradas por stas. Las colisiones con los tomos limitan la velocidad de deriva [corrimiento], generando una corriente constante. Se puede imaginar que los portadores se aceleran a partir del reposo, hasta que chocan con los tomos de la estructura cristalina y ceden a estos toda la energa cintica que ganaron, lo que se manifiesta en forma de calor de Joule y es el origen de ste.

DIODOS SEMICONDUCTORES
Juntura P-N.- El diodo est conformado por un semiconductor tipo-P y otro tipo-N, los dos semiconductores en una sola unidad P-N.

FIG U R A

1 .1 7

La caracterstica ms notable es que cada parte de la unidad P-N tiene portadores mayoritarios y minoritarios diferentes, y debido a ello, la resistencia de dicha unidad a la corriente que fluye en una direccin es mucho mayor que su resistencia a la circulacin de corriente en direccin opuesta. Por consiguiente, este dispositivo funciona como un rectificador de ac. Barrera de Potencial.- Debido a la existencia de una gradiente de concentracin a travs de la juntura, los huecos se difunden hacia el material tipo-N y los electrones hacia el tipo-P atravesando la juntura. Se ve que los huecos de los iones aceptores en las cercanas de la juntura en el material tipo-P, han desaparecido como resultado de la combinacin con los electrones que se difunden a travs de la juntura. De igual forma, los electrones del material tipo-N se combinan con los huecos que atraviesan la juntura desde el material tipo-P. As, una vez formada la regin, en las proximidades de la juntura, las secciones P y N del diodo tienen cargas iguales y opuestas. El voltaje o diferencia de potencial que se genera entre las dos secciones, inhibe toda interaccin de los electrones y de los huecos en la juntura del dispositivo. De este modo se genera una barrera que no permite que las cargas sigan Carlos Novillo Montero Can

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difundindose, por eso el nombre de barrera de potencial, fig. 1.18.

FIG U R A

1 .1 8

Diagrama Esquemtico de una Juntura P-N

FIG U R A 1.1 9

Carlos Novillo Montero

Can

CA P . 1 - D IO D O SEM ICO N D U CTO R

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= r 0 Perm itividad r = C onstante dielctrica relativa 0 = Perm itividad en el vaco Regin de carga espacial Regin desrtica Reg in de ag otam iento Barrera de potencial

La diferencia de potencial generada de esta forma se denomina barrera de potencial y es igual a la que se obtendra entre los terminales de una batera, [el terminal negativo en el lado P y el positivo en el lado N]. Polarizacin Directa [Flujo de Corriente Directa If].- El flujo de electrones en una juntura P-N en circuito abierto es de corta duracin y cesa al establecerse la barrera de potencial.

FIG U R A

1 .2 0

Por tanto, a fin de obtener un flujo continuo, hay que superar el voltaje de la barrera de potencial, lo que puede hacerse conectando una batera externa al diodo. [Fig. 1.20]. La polaridad de la batera debe ser tal que los portadores mayoritarios en ambas secciones sean impulsados hacia la juntura. Cuando la batera est conectada de esta forma, suministra una polarizacin directa y origina un flujo de corriente [If] bastante alta ya que constituye el flujo de los portadores mayoritarios. En esta condicin, el diodo presenta una resistencia [RF, rf] baja al paso de la corriente. Polarizacin directa El voltaje externo V hay que conectarlo como se indica en la fig. 1.20 La barrera de potencial se reduce hasta que se elimina si V > VD Si la corriente directa es muy grande [If > ID,mx], se destruye el diodo El flujo de corriente se debe exclusivamente a los portadores mayoritarios La impedancia del diodo es muy baja Carlos Novillo Montero Can

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El comportamiento del diodo polarizado directamente es equivalente a un interruptor cerrado [idealmente], fig 1.21.
FIG U R A 1.2 1

Polarizacin Inversa [Flujo de Corriente Inversa IR ].- Ahora bien, si las conexiones de la batera se invierten, el potencial positivo en el lado N atraer los electrones y har que se alejen de la juntura; as mismo, el potencial negativo del lado P har que los huecos se desplacen de la juntura. Con esta conexin de batera la barrera de potencial se hace ms grande, y los portadores mayoritarios no pueden combinarse en la juntura y tampoco fluir la corriente mayoritaria. Por esta razn el nombre de polarizacin inversa, fig. 1.22.

FIG U R A

1 .2 2

Sin embargo, la polarizacin inversa puede originar el flujo de una corriente inversa aprovechando los portadores minoritarios que se encuentran en las dos secciones del semiconductor. Los electrones libres [generados por ruptura de enlaces covalentes] en la seccin P, as como los huecos libres [producidos por electrones de valencia liberados por temperatura] en la seccin N, son portadores minoritarios que al aplicarles la polarizacin inversa son repelidos hacia la juntura en donde se combinan. Entonces, otros electrones pueden entrar en el diodo P-N y salir de l, exactamente de la misma manera que lo hicieron los portadores mayoritarios. En el diodo P-N hay muy pocos portadores minoritarios y la corriente minoritaria o inversa es muy reducida; en efecto, es mucho menor que la corriente mayoritaria o directa. En esta condicin el diodo presenta una resistencia (RR, rr) muy alta al paso de la corriente. Polarizacin inversa Al voltaje externo VD hay que conectarlo como se indica en la fig. 1.22 La barrera de potencial se hace ms grande La corriente inversa es muy pequea y se debe exclusivamente a los portadores minoritarios La impedancia del diodo es muy alta Carlos Novillo Montero Can

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El comportamiento del diodo polarizado inversamente es equivalente a un interruptor abierto [idealmente], fig. 1.23.
FIG U R A 1.2 3

Caractersticas Estticas V-I del Diodo Semiconductor.- Mediante el uso de la fsica de estado slido puede demostrarse que las caractersticas generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuacin, tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa.

FIG U RA

1.2 4

CU R VA CA RA CTER STICA D EL D IO D O

Ecuacin de Shockley, donde


ID = IS = Corriente del diodo [A] Corriente de saturacin inversa [fuga], constante depende de las caractersticas fsicas del diodo [vara entre 10 -6A - 10 -15A] VD = = = = VT = T = Voltaje sobre el diodo [V] Coeficiente de em isin [o factor de idealidad], que depende del cristal utilizado 1 para G e 2 para Si [vara desde 1,1 hasta 1,8] para corrientes grandes y pequeas Voltaje Trm ico = k.T/q [V], T/11600K [V] Tem peratura absoluta

Carlos Novillo Montero

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, para 300K [temperatura ambiente], se tiene: Voltaje umbral [Threshold Voltage] = V [0,6V para silicio y 0,3V para germanio]. Efectos de la temperatura.- En la ecuacin del diodo puede verse que la curva caracterstica depende de la temperatura, se puede demostra que, con la ayuda de las siguientes ecuaciones, la curva caracterstica se ve afectada de la manera que se muestra en la fig. 1.25.

donde V = Voltaje de difusin [en la Barrera de Potencial] T = Temperatura absoluta [K] El voltaje del diodo disminuye al aumentar la temperatura. Lo que a su vez significa que al aumentar la temperatura, disminuye V, como se puede ver en la fig. 1.25.

FIG U R A

1 .2 5

Ejemplo.- Si V = 0,65V a 25C, cunto valdr V a 50C para diodos de silicio? V = -2mV/C (50C - 25C) = -50mV por tanto, V = 0,65V - 0,05V = 0,6V. En polarizacin inversa Carlos Novillo Montero Can

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donde k = 0,071/K; k = 0,049/K;

para Si para Ge

La corriente de saturacin inversa Is, aumentar cerca del doble en magnitud por cada 10C de incremento de temperatura. Capacitancia Parsita.- Cuando el diodo est polarizado inversamente, las cargas acumuladas en la barrera de potencial producen una capacitancia parsita que est dada por

Donde: = 0r 0 = 8,849 x 10-12 [F/m] A = rea de la juntura w = ancho de la barrera de potencial

Sm bolo

circ uito e Equivalente lineal de la ca- q u iv a le nte r a cte rstic a v o l t a j e - polarizacin directa corriente de un diodo p-n

- c ir cu ito en q u i v a l e

e nte

en

polarizacin inversa

Carlos Novillo Montero

Can

CA P . 1 - D IO D O SEM ICO N D U CTO R FIG U R A 1 .2 7

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Circuito Equivalente del Diodo para Bajas Frecuencias.- El diodo es un elemento no lineal, por tanto su anlisis se vuelve complejo. Para facilitar su comprensin se idealiza la curva exponencial y se la aproxima a segmentos lineales como se muestra en la figura 1.27. Niveles de Resistencia.- A medida que el punto de operacin del diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia cambia debido a la forma no lineal de la curva caracterstica esto se conoce como resistencia (impedancia) dinmica. El tipo de seal o voltaje que se aplique, es el que define el nivel de resistencia de inters. Esto es de mucha importancia y se utilizar nuevamente cuando se estudien otros dispositivos semiconductores.

resistencia esttica

resistencia dinmica

Tipo

Ecuacin

C aractersticas especiales D efinida com o v a

D eterm inacin grfica

DC o esttica

punto Q sobre la c u r caracterstica

ac o dinm ica

D efinida por una lnea tangente en el punto Q

D efinida por una Average o prom edio lnea rec ta entre los lm ites Resistencia de contacto operacin [hm ica] de

FIG U R A 1.2 8

Modelos del diodo.- A continuacin se proporcionan los modelos del diodo utilizados, dependiendo del mbito los circuitos y aplicaciones, con sus caractersticas de segmentos lineales. Siempre hay excepciones a la regla general, pero es casi seguro decir que el modelo equivalente simplificado se utilizar con mayor frecuencia en el anlisis y diseo de sistemas electrnicos, mientras que el diodo ideal se aplica comnmente en el anlisis Carlos Novillo Montero Can

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de sistemas de suministro de energa donde se encuentran voltajes mayores. Un modelo o circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos de manera adecuada para representar de la mejor forma las caractersticas reales de un dispositivo o sistema en una regin particular de operacin.
Tip o Con dicion es M od elo Ca ra cterstica s

M odelo de segm entos lineales La batera V T representa nicam ente el desplazam iento horizontal de las caractersticas que debe excederse para que se establezca la cond uccin

M odelo sim plificado Tiene una cada V T sin im portar la corriente del diodo (dentro de los valores nom inales)

D ispositivo ideal C on esta aproxim acin la prdida de exactitud es pequea.


FIG U R A 1.2 9

Se puede decir que, una vez que se ha definido el circuito equivalente, el smbolo del dispositivo puede eliminarse del diagrama y sustituirlo por el circuito equivalente, sin que afecte mucho el comportamiento real del sistema. El resultado con frecuencia es una red que puede resolverse con las tcnicas tradicionales del anlisis de circuitos. El Diodo como Elemento de un Circuito.- La fig. 1.30 muestra una aplicacin bsica de un circuito de con un diodo polarizado directamente.

FIG U R A

1 .3 0

Anlisis por Recta de Carga.- La carga aplicada normalmente tendr un impacto importante sobre el punto o regin de operacin de un dispositivo. Si el Carlos Novillo Montero Can

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anlisis se realiza de manera grfica, puede trazarse una recta, que representa la carga aplicada, sobre la curva caracterstica del dispositivo. La interseccin de la recta de carga con la curva caracterstica determina el punto de operacin del sistema. Un anlisis de esta naturaleza se denomina anlisis por recta de carga. Como ejemplo se analizar la red de la fig. 1.30. La curva caracterstica del diodo se muestra en la misma figura. De acuerdo con el circuito se ve que el diodo est polarizado directamente, por tanto habr una corriente convencional en direccin de las manecillas del reloj. Se puede decir que la corriente que circular por el diodo es positiva as como su cada de voltaje. Al aplicar la ley de Kirchhoff al circuito de la fig. 1.30 se tendr

Ecuacin de la recta de carga.

Las dos variables de la ecuacin anterior [ID y VD] son las mismas que las variables de los ejes de la curva caracterstica. Adems, por ser variables de primer grado, representan la ecuacin de una recta. Esta similitud permite graficar la ecuacin anterior, sobre la curva caracterstica del diodo. Para trazar la recta de carga es necesario establecer dos puntos de la recta, que se determinan de la siguiente manera. Primer punto, cuando ID = 0mA, entonces VD = VCC; o lo que es lo mismo

Segundo punto, cuando VD = 0V, entonces ID = VCC/RL; es decir

En la fig. 1.31 se muestra la curva caracterstica del diodo y la recta de carga juntas, en ella se incluye la interseccin de las dos. La interseccin es el punto de operacin para este circuito; de all se puede deducir la corriente IDQ que realmente circula por el diodo y el voltaje VDQ que cae sobre el mismo cuando est en polarizacin directa y el voltaje en RL = VL. El punto de operacin se denomina punto quiesciente (Q) [que significa estable o fijo] definido para voltajes DC. Carlos Novillo Montero Can

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FIG U R A

1 .3 1

Diodos de Ruptura [Breakdown].- Las caractersticas de polarizacin inversa de un diodo semiconductor, incluida la regin de ruptura, se muestran en la fig. 1.32. Los diodos diseados con capacidades de disipacin de potencia adecuadas para operar en la regin de ruptura pueden emplearse como dispositivos de voltaje de referencia, y se los conoce como diodos de avalancha, ruptura (breakdown), o Zner.

FIG U R A

1 .3 2

a)

b)

Generalmente se los usa de la manera indicada en la fig. 1.32 b). La fuente V y la resistencia R se seleccionan para que, inicialmente, el diodo opere en la regin de ruptura. Aqu el voltaje del diodo, que tambin es el voltaje en la carga RL, es VZ, como en la fig. 1.32 a), y la corriente del diodo es IZ. Ahora el diodo regular el voltaje de la carga, en oposicin a las variaciones del voltaje de entrada V, y tambin a las variaciones de la resistencia de la carga, porque, en la regin de ruptura, grandes cambios de la corriente del diodo, solo producen pequeos cambios en el voltaje del diodo. Adems, conforme cambie la corriente en la carga o el voltaje de entrada, la corriente del diodo se acomodar a estos cambios para mantener, Carlos Novillo Montero Can

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aproximadamente constante, el voltaje de la carga. El diodo mantendr la regulacin hasta que la operacin del circuito requiera que la corriente del diodo caiga a IZK en la cercana del codo de la curva caracterstica del diodo. El lmite superior de la corriente del diodo est determinado por la capacidad de disipacin de potencia del diodo. Multiplicacin por Avalancha.- Se conocen dos mecanismos para incrementar el voltaje inverso del diodo de ruptura VZ. Un portador generado trmicamente [en la parte de la corriente de saturacin inversa] cae en la barrera de la juntura y adquiere energa del potencial aplicado. Este portador colisiona con un in del cristal e imparte suficiente energa para romper una juntura covalente. Adems del portador original, ahora se ha generado un par electrnhueco. Estos portadores tambin pueden adquirir suficiente energa del campo aplicado, colisionan con otros iones del cristal y crean otros pares electrnhueco. As, cada nuevo portador, a su vez, puede producir portadores adicionales mediante colisiones y ruptura de junturas covalentes. A este proceso acumulativo se lo conoce como multiplicacin por avalancha. Esto produce una gran corriente inversa y se dice que el diodo est en la regin de ruptura por avalancha. Ruptura ZNER.- Aun si los portadores disponibles inicialmente no adquieren suficiente energa para romper junturas, es posible iniciar el proceso mediante una ruptura directa de la juntura. Debido a la existencia de un campo elctrico en la juntura, el campo puede ejercer una fuerza suficientemente grande sobre un electrn de juntura para sacarlo de su juntura covalente. El nuevo par electrn-hueco creado incrementa la corriente inversa. Note que este proceso, llamado ruptura Zner, no involucra colisiones de portadores con los iones del cristal [como en el caso de la multiplicacin por avalancha]. La intensidad de campo elctrico se incrementa conforme la concentracin de impurezas se incrementa para un voltaje fijo aplicado. Se ha encontrado que la ruptura zner ocurre con un campo de aproximadamente 2x107V/m. Este valor se alcanza por debajo de 6V para diodos altamente dopados. Para diodos ligeramente dopados el voltaje de ruptura es ms alto, y predomina el efecto avalancha. Sin embargo, generalmente se utiliza el trmino zner para los diodos de ruptura o de avalancha aun para voltajes ms altos. Los diodos de silicio operados en la ruptura de avalancha, se encuentran disponibles con voltajes de mantenimiento desde unos voltios hasta varias centenas de voltios y con potencias de hasta 50W. Caracterstica de Temperatura.- Un asunto de inters con relacin a los diodos zner [y a los dispositivos semiconductores en general], es su sensibilidad a las variaciones de temperatura. El coeficiente de temperatura est dado como el porcentaje de cambio en el voltaje de referencia por grado centgrado de cambio en la temperatura del diodo. El coeficiente puede ser positivo o negativo y normalmente estar en el rango de 0,1%V/C. Si el voltaje de Carlos Novillo Montero Can

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referencia est sobre los 6V, donde el mecanismo fsico involucrado es el de multiplicacin por avalancha, el coeficiente de temperatura es positivo. Sin embargo, por debajo de los 6V, donde se presenta la verdadera ruptura zner, el coeficiente de temperatura es negativo. A continuacin se da una explicacin cualitativa del signo [positivo o negativo] del coeficiente de temperatura del voltaje zner. Una juntura que tiene una barrera de potencial estrecha, y por tanto una intensidad de campo alta, se romper por el mecanismo zner. Un incremento en la temperatura incrementar la energa de los electrones de valencia, esto hace que los electrones escapen ms fcilmente de la junturas covalentes, entonces se requiere menos voltaje para sacarlos de su estructura cristalina y convertirlos en electrones de conduccin. Por tanto el voltaje de ruptura zner decrece con el aumento de la temperatura. Una juntura con una barrera de potencial grande, y de aqu una baja intensidad de campo, se romper con el mecanismo de avalancha. En este caso, se confa que los portadores intrnsecos colisionen con los electrones de valencia para crear la multiplicacin por avalancha. Cuando aumenta la temperatura, tambin crece el desplazamiento de los tomos por vibracin, lo que incrementa la probabilidad de las colisiones de las partculas intrnsecas con los tomos del cristal, conforme cruzan la barrera de potencial. Entonces, los electrones y huecos intrnsecos tienen menos oportunidad de ganar suficiente energa entre las colisiones para empezar el proceso de avalancha. Por tanto, el valor del voltaje de avalancha debe incrementar con el aumento de temperatura. Referencia Adicional.- Los diodos zner se encuentran disponibles con voltajes tan bajos como 2V. Por debajo de este voltaje, para propsitos de referencia y regulacin, se acostumbra usar diodos normales conectados en serie y con polarizacin directa [fig. 1.33]. Las conexin de diodos en serie, empaquetados como una sola unidad, estn disponibles con voltajes de hasta 5V, y deben preferirse a los diodos zner polarizados inversamente, puesto que a bajos voltajes stos tienen una resistencia dinmica muy grande.

FIG U R A

1 .3 3

Aplicaciones del Diodo .- A continuacin se har un uso prctico del diodo


en una diversidad de configuraciones, para esto se utilizar el modelo Carlos Novillo Montero Can

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apropiado para una aplicacin dada. De modo que el comportamiento bsico de los diodos en las redes DC y ac debe entenderse con toda claridad. Los conceptos del diodo sern de mucha utilidad en el resto de la asignatura. Los diodos tambin se emplean con frecuencia en la descripcin de la construccin de los transistores y en el anlisis de redes de transistores en los dominios de DC y ac. Recortadores o Limitadores.- Hay una gran variedad de circuitos electrnicos que utilizan diodos y que tienen la capacidad de recortar una parte de la seal de entrada, sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna. Hay dos categoras generales de recortadores: Serie y Paralelo. Serie.- El diodo est en serie con la carga. Paralelo.- El diodo est en una rama parlela a la carga. Recortadores tipo Serie.- La fig. 1.34 muestra un circuito recortador tipo serie con diodo. El voltaje de entrada es una onda cuadrada de amplitud V. Para entender mejor el funcionamiento del circuito, el anlisis, en primera instancia se lo har para el semiciclo positivo y luego para el semiciclo negativo en forma separada.

FIG U R A

1 .3 4

Semiciclo positivo Para 0 # t # T/2.Durante el semiciclo positivo la seal de entrada es equivalente a una fuente DC de amplitud +V. El diodo se polariza directamente, por tanto su circuito equivalente es un corto circuito ideal, como se indica en la fig. 1.35. El voltaje de salida, entonces, es igual al voltaje de entrada.

FIG U R A

1 .3 5

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Semiciclo Negativo Para T/2 # t # T.En el semiciclo negativo la seal de entrada es equivalente a una fuente DC de amplitud -V. El diodo se polariza inversamente, por tanto su circuito equivalente es un circuito abierto, como se indica en la fig. 1.36. El voltaje de salida, entonces, es igual a cero.

FIG U R A

1 .3 6

Respuesta total del circuito Para 0 # t # T.La respuesta del circuito cuando se tiene la onda completa, se muestra en la fig. 1.37, se ve que se ha recortado el semiciclo negativo y en la salida se tiene solo la parte positiva de la seal de entrada.

FIG U R A

1 .3 7

FIG U R A

a) 1 .3 8

b)

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La fig. 1.38 muestra cmo sera la respuesta del circuito anterior para diferentes formas de onda de entrada [Vin] y como se presentara la onda de salida [VO]: a) onda triangular y b) onda sinusoidal. Ideas para la Solucin de este tipo de Recortadores 1.- Mentalmente se bosqueja la respuesta de la red con base en la direccin de la flecha del diodo y los niveles de voltaje aplicados. 2.- Se determina el voltaje aplicado [voltaje de transicin] que har que el diodo cambie de estado [empiece la conduccin]. 3.- Siempre se debe tener cuidado al definir los terminales y la polarizacin de VO. 4.- Puede resultar til, dibujar la seal de entrada sobre la seal de salida y determinar la salida a los voltajes instantneos de la entrada. Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.39, se tiene lo siguiente.

FIG U R A

1 .3 9

Vin<t> = Vm sen(t), por tanto

para t = t1, Vin<t=t1> = V, entonces V = Vmsent1

por tanto

[s]

Las ecuaciones anteriores sirven para el diodo ideal, si se trata de diodo de silicio, en vez de V se pondr V - V. Carlos Novillo Montero Can

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Ejemplo.-Para el circuito de la fig. 1.40, determinar los tiempos de corte con el eje del tiempo para VO.

FIG U R A

1 .4 0

Vin corresp on de a la form a d e co lo r azu l y el volta je d e sa lida se d ib uja en rojo.

Vin<t> = Vmsen(t) para t = t1, Vin<t=t1> = -V Entonces, -V = Vmsen(t1), de donde:

y Las ecuaciones anteriores sirven para el diodo ideal, si se trata de diodo de silicio, en vez de V se pondr V - V. Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.41, dibujar las formas de onda de los voltajes de entrada, de salida y del diodo con valores de voltajes y tiempos.

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FIG U R A

1 .4 1

La form a de ond a en a zu l rep resen ta Vin, la roja es Vo.

La form a de ond a en rojo corresp ond e a l volta je sobre el diodo.

En el intervalo entre 0 y t1, el diodo est inversamente polarizado debido a la presencia de la batera V y debido a la direccin del diodo, entonces VO es 0, como se indica en la fig. 1.42. Cuando Vin<t> # -V, el diodo se polariza directamente y conduce, en consecuencia, entre t1 y t2, VO = Vin<t> + V. Las ecuaciones de los voltajes de salida VO y sobre el diodo VD son,

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Para t1, Vin<t> = -V = Vm sen(t1) De donde,

y V1 = -Vm + V; V3 = V; V2 = V m + V V4 = -V

Las formas de onda para el voltaje en la salida y sobre el diodo se muestran en la fig. 1.42. Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.42 dibuje la forma de onda de salida con valores de voltaje.

FIG U R A

1 .4 2

Recortadores Tipo Paralelo.- Los circuitos de las siguientes figuras son configuraciones de recortadores con diodo en paralelo con la salida. El anlisis es similar al que se aplica a las configuraciones en serie.

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FIG U R A

1 .4 3

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.44, dibujar la forma de onda de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V1 < V.

FIG U R A

1 .4 4

La ond a azu l es Vin y la roja es Vo.

Solucin.- La fig. 1.44 muestra la forma de onda de salida. En el intervalo 0 # t # t1, el diodo est polarizado directamente, por tanto conduce, si se trata de un diodo ideal, entonces, VO = V1. Para el intervalo t1 # t # t2, el diodo se polariza inversamente, y el voltaje de salida es igual al voltaje de entrada. Desde t2 hasta T, el diodo nuevamente se polariza Carlos Novillo Montero Can

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directamente y la salida es igual a V1. Las ecuaciones de los voltajes de entrada y de salida, respectivamente son

Resolviendo estas ecuaciones se obtiene

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.45, dibujar la forma de onda de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V2 < V.

FIG U R A

1 .4 5

Se puede demostrar que para el intervalo T/4 # t # t1 Carlos Novillo Montero Can

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al tiempo t = t1, VO<t1> = -V1, entonces

, de donde

Para el intervalo t2 # t # T, la ecuacin de la recta de voltaje es

, para t2, VO<t2> = -V1, por tanto,

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.46, dibujar la forma de onda de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V1 < V y que V2 < V.

FIG U R A

4 .4 6

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La form a de ond a azu l es Vin y la roja Vo.

El procedimiento es similar al del problema anterior, hay que determinar la ecuacin de la recta para el intervalo 0 # t # T/2, y resolver la ecuacin pata t1, cuando VO<t1> = +V2. Despus se obtiene la ecuacin de la recta para el intervalo T/4 # t # 3T/4 y se resuelve esta ecuacin para t3, cuando VO<t2> = -V1. Los tiempos t2 y t4 se obtiene por simetra. Si se sigue el procedimiento anterior, se obtienen los siguientes resultados.

, se puede demostrar que

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.47 [con diodo ideal], dibujar las formas de onda de la entrada y de la salida, con valores de voltajes y tiempos en los puntos notables. Calcular el valor de la componente DC y el valor RMS de la seal de salida.

FIG U R A

1 .4 7

Asumir Vin = 20V sen(t) VB = 7,4V RL = 1,5K f = 100Hz R1 = 680

Cuando el diodo se polariza inversamente, no conduce y las dos resistencias Carlos Novillo Montero Can

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forman un divisor de voltaje. De modo que la mxima amplitud en la seal de salida ser

La forma de onda de salida se muestra en la fig. 1.48.

FIG U R A

1 .4 8

La form a de ond a azu l es Vin y la roja es Vo.

Donde

Clculo de la componente continua [DC o promedio].

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Clculo del valor RMS [eficaz]

Por facilidad se resolver cada integral separadamente y despus se har la suma.

El sumatorio de las integrales da (203,13 + 275,75 + 31,1)V2 = 510V2, es decir

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y por tanto,

Fijadores o Sujetadores o Desplazadores de Voltaje.- El circuito fijador es el que fija una seal alterna a un nivel de DC diferente. La fijacin es una operacin de desplazamiento. La red est constituida por un capacitor, un diodo y una resistencia; pero tambin puede incluir una fuente DC independiente para producir un desplazamiento adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de tal manera que la constante de tiempo = RC, sea suficientemente grande [con respecto al perodo de la seal] para asegurar que el voltaje del capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en el que el diodo no est conduciendo. Para propsitos de anlisis [prcticos], se asume que el capacitor se carga o descarga por completo en t = 5. La red de la fig. 1.49, sujetar la seal de entrada en el nivel cero [diodos ideales]. La resistencia R puede representar la carga o una combinacin en paralelo de la resistencia de carga y la resistencia diseada para proporcionar el nivel deseado de R.

FIG U R A

1 .4 9

Durante el intervalo 0 - T/2 la red aparecer como se muestra en la fig. 1.50 a), el diodo est polarizado directamente, por tanto es un corto circuito efectivo en paralelo con R. La constante de tiempo resultante es tan pequea que el capacitor se cargar rpidamente hasta V voltios. Durante este intervalo, el voltaje de salida es de VO = 0V, porque el diodo es un cortocircuito ideal. Cuando la entrada cambia al estado -V, el diodo se polariza inversamente y su circuito equivalente es un circuito abierto, determinado por la seal aplicada y el voltaje almacenado en el capacitor, la red se ver como se indica en la fig. 1.50 b).

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a) FIG U R A 1 .5 0

b)

Ahora R nuevamente est presente en el circuito, la constante de tiempo es lo bastante grande para establecer un perodo de descarga 5 mucho mayor que el semiperodo T/2 y puede suponerse, en forma aproximada, que el capacitor retiene toda su carga y, por tanto, su voltaje [puesto que V = Q/C] durante ese perodo. De la fig. 1.50 b) se deduce que el voltaje de salida es VO = -2V. El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2V es opuesta a la definida para VO. Las formas de onda de entrada y de salida se muestran en la fig. 1.51 a); si la seal de entrada hubierfa sido sinusoidal, la salida sera como se muestra en la fig. 1.51 b). La seal de salida se ha desplazado -V voltios, pero mantiene la misma amplitud pico-a-pico [2V] y la misma forma que la seal de entrada.

a) FIG U R A 1 .5 1

b)

Los siguientes pasos podran ser de utilidad cuando se analiza este tipo de redes. 1.- Siempre se inicia el anlisis de los fijadores, considerando aquella parte de la seal de entrada que polariza directamente al diodo. Quiz esto requiera saltar un intervalo de la seal de entrada [como se demuestra en el ejemplo siguiente]. Carlos Novillo Montero Can

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2.- Durante el perodo en que el diodo est polarizado directamente puede suponerse que el capacitor se cargar en forma instantnea hasta el nivel de voltaje determinado por la red. 3.- Se supone que durante el perodo en que el diodo est polarizado inversamente [estado de corte], el capacitor mantendr todo su voltaje. 4.- En todo el anlisis debe tenerse cuidado respecto a la localizacin y polaridad de referencia para VO, para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de dicha cantidad. 5.- Recordad que la regla general que establece que la forma de onda total de la salida debe corresponder con la de la seal de entrada.

Ejemplos.- Dibujar la forma de onda de salida del circuito de la fig. 1.52.

FIG U R A

1 .5 2

Se empieza el anlisis en el siclo negativo de la seal de entrada [entre t1 y t2], Vin = -V2, porque ah el diodo se polariza directamente y representa un cortocircuito ideal, fig. 1.53 a). El capacitor se carga al voltaje V2 + V, con la polaridad indicada en el grfico. El voltaje de la salida es igual a V [de la batera] con la polaridad indicada en la misma figura.

FIG U R A

1 .5 3 a)

En el siguiente semiciclo positivo [entre t2 y t3], el voltaje de entrada es V1. Ahora el diodo se polariza inversamente y se abre, fig. 1.53 b), el voltaje de salida ser Carlos Novillo Montero Can

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FIG U R A

1 .5 3 b )

VO = V1 + V2 + V La fig. 1.53 c) muestra la forma de onda completa a la salida del circuito, en estado estacionario.

FIG U R A

1.5 3 c)

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.54 dibujar la forma de onda salida.

FIG U R A

1 .5 4

Carlos Novillo Montero

Can

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La form a de ond a azu l es Vin y la roja Vo.

Otro Caso

FIG U R A

1 .5 5

FIG U R A

1 .5 6

FIG U R A

1 .5 7

Multiplicadores de Voltaje.- Los multiplicadores de voltaje se usan para mantener un voltaje pico de transformador relativamente bajo mientras se incrementa el voltaje pico de salida a 2, 3, 4 o ms veces el voltaje pico rectificado. Duplicador de Voltaje tipo Media-Onda.- Es un multiplicador de voltaje con un factor de multiplicacin por 2. Un doblador de voltaje de media-onda se muestra en la fig. 1.58. Carlos Novillo Montero Can

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FIG U R A

1 .5 8

Durante el medio ciclo positivo del voltaje en el secundario, el diodo D1 est polarizado directamente y D2 inversamente. el capacitor C1 se carga al voltaje pico del secundario menos la cada de voltaje en D1 [Vm = VPS -V], esto se muestra en la fig. 1.59.

FIG U R A

1 .5 9

En el semiciclo negativo, el diodo D2 est polarizado directamente y D1 inversamente, como se muestra en la fig. 1.60. Puesto que C1 no puede descargarse, el voltaje de C1 se suma al secundario para cargar C2 a aproximadamente 2Vm.

FIG U R A

1 .6 0

Aplicando las leyes de Kirchhoff alrededor del lazo [fig. 1.60], se tiene VC1 - VC2 + Vm = 0 VC2 = VC1 + Vm de donde

si se desprecia las cadas en D1 y D2, VC1 = Vm, de donde VC2 = 2Vm Bajo condiciones sin carga, C2 permanece cargado a 2Vm. Si se pone una resistencia de carga conectada a la salida, C2 se descarga ligeramente a travs de la resistencia en el siguiente semiciclo negativo. La salida resultante es un voltaje de onda-completa, filtrada con un capacitor. El Carlos Novillo Montero Can

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voltaje pico inverso en cada diodo es 2VPS. Doblador de Voltaje tipo Onda-Completa.- La fig. 1.61 muestra un doblador de onda-completa.

FIG U R A

1 .6 1

Cuando el voltaje del secundario es positivo, D1 se polariza directamente y C1 se carga aproximadamente a VPS, como se indica en la fig. 1.62. Durante el voltaje semiciclo negativo, D2 se polariza directamente y C2 se carga aproximadamente a Vm, [fig. 1.63]. De donde el voltaje de salida es 2Vm, que se toma a travs de los dos capacitores en serie.

FIG U R A

1 .6 2

FIG U R A

1 .6 3

Triplicador de Voltaje.- La adicin de otra seccin diodo-capacitor al doblador Carlos Novillo Montero Can

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de voltaje de media-onda, crea un triplicador de voltaje como el que se muestra en la fig. 1.64.

FIG U R A

1 .6 4

La operacin es como sigue: con el ciclo positivo del voltaje del secundario, C1 se carga a VpS a travs de D1. Durante el semiciclo negativo, C2 se carga a Vm a travs de D2, como se analiz para el doblador. Durante el siguiente semiciclo positivo, C3 se carga a 2Vm a travs de D3. La salida del triplicador se toma a travs de C1 y C3, como se muestra en la fig. 1.64. De manera similar, se pueden construir multiplicadores de voltaje aumentando ms secciones diodo-capacitor conectadas en cascada con las etapas anteriores.

Rectificadores con Diodo Semiconductor.- Existen dos tipos de


rectificadores: de media-onda y de onda-completa, a su vez estos ltimos se dividen en dos: con transformador con toma central y tipo-puente. Sirven como base para convertir voltaje alternos [Vac] a voltajes continuos [VDC]. Rectificador de Media-Onda [M. O.].- La fig. 1.65 muestra el circuito rectificador de media-anda.

FIG U R A

1 .6 5

La seal de entrada es sinusoidal de la lnea, generalmente a travs de un transformador para reducir la amplitud del voltaje alterno. Los valores nominales de corriente y potencia son relativamente altos. El voltaje de entrada es Vin = VPS sen(t). Para el anlisis que sigue: [Vm = VPS -V, donde Carlos Novillo Montero Can

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VPS = voltaje pico en el secundario del transformador, Vm = voltaje mximo a la salida del rectificador y V la cada de voltaje en el diodo]. La determinacin de la forma de onda de salida, se realiza en dos partes. 1ra parte durante el tiempo O # t # T/2, es decir durante el semiciclo positivo de la seal de entrada. En ese caso el diodo se polariza directamente y su circuito equivalente ideal es un cortocircuito como se indica en las figs. 1.66 y 1.67.

FIG U R A 1 .6 6 1 r a : P A RTE SEM ICICLO P O SITIVO

FIG U R A 1 .6 7 1 r a P A R TE: CIR CU ITO EQ U IV A LEN TE Y FO R M A D E O N D A D E SA LID A

2da parte durante el tiempo T/2 # t # T, es decir durante el semiciclo negativo de la seal de entrada.

FIG U R A 1 .6 8 2 d a P A RTE: SEM ICICLO NEG A TIVO

En ese caso el diodo se polariza inversamente y su circuito equivalente ideal es un circuito abierto como se indica en las figs. 1.68 y 1.69.

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Can

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FIG U R A 1 .6 9 2 d a P A R TE : C IR C U ITO EQ U IV A LE N TE Y FO R M A D E EN D A D E SA LID A

FIG U R A

1 .7 0

El ciclo completo de la forma de onda que se muestra en la fig. 1.70. La ecuacin para la forma de onda del voltaje de salida se indica a continuacin.

De donde:

Rectificador de Onda Completa con Transformador con Toma Central [O. C.].- El circuito se muestra en la fig. 1.71.Como su nombre indica, usa un transformador que tiene una toma central. Utiliza dos diodos.

FIG U R A

1 .7 1

Carlos Novillo Montero

Can

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La fig. 1.72 muestra el comportamiento del circuito para el semiciclo positivo, en cuyo caso el diodo D1 se polariza directamente [cortocircuito], mientras que D2 se polariza inversamente [circuito abierto]. A la salida se tiene el pico positivo de la onda de entrada.

FIG U R A

1 .7 2

Para el semiciclo negativo, D1 se polariza inversamente [circuito abierto] y D2 se polariza directamente [cortocircuito]. La fig. 1.73 muestra la forma de onda de salida, en ella se ve que el circuito realiza la rectificacin completa de la onda de entrada.

FIG U R A

1 .7 3

El diagrama de la fig. 1.74 muestra el comportamiento del rectificador de onda completa con transformador con toma central para cualquier tiempo. La ecuacin del voltaje de salida se indica a continuacin.

Carlos Novillo Montero

Can

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FIG U R A

1 .7 4

, para cualquier tiempo.

De donde:

El circuito equivalente de la fig. 1.75, sirve para calcular el voltaje pico inverso [V. P. I.] que soportan los diodos en este tipo de rectificador y que en la figura se expresa como VD. Puede verse que

FIG U R A

1 .7 5

Carlos Novillo Montero

Can

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Vd = 2VPS = V. P. I.

Puesto que Vd es el voltaje que cae en el diodo cuando est en polarizacin inversa, se debe tener cuidado de que V. P. I. < VBR [voltaje de ruptura inversa] Rectificador de Onda Completa Tipo Puente [O. C.].- El circuito se muestra en la fig. 1.76. Como su nombre indica, est formado por un puente que consiste de cuatro diodos.

FIG U R A

1 .7 6

Durante el semiciclo positivo los diodos D2 y D3 quedan polarizados directamente y generan una trayectoria por donde circular la corriente hacia la resistencia de carga RL.

FIG U R A

1 .7 7

Al mismo tiempo, los diodos D1 y D4 se polarizan inversamente. La fig. 1.77 Carlos Novillo Montero Can

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muestra esta situacin. El voltaje de salida para este perodo constituye el pico positivo de la seal de entrada, si se consideran diodos ideales. Durante el semiciclo negativo los diodos D1 y D4 se polarizan directamente y generan una trayectoria por donde circular la corriente hacia la resistencia de carga RL. Al mismo tiempo, los diodos D2 y D3 se polarizan inversamente. La fig. 1.78 muestra esta situacin. Para este semiperodo, la salida nuevamente es el voltaje pico de la seal de entrada, pero invertido. Por tanto, la salida es similar a la del rectificador tipo toma central.

FIG U R A

1 .7 8

FIG U R A

1 .7 9

El diagrama de la fig. 1.79 muestra el comportamiento del rectificador de onda completa tipo puente para cualquier tiempo mayor que 0. La ecuacin del voltaje de salida se indica a continuacin.

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Can

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, para cualquier tiempo.

De donde:

Para este tipo de rectificador se puede ver que V. P. I. = Vm, para cada diodo.

Problemas Propuestos 1. Para el circuito de la fig. 1.80, dibujar la forma de onda de salida, con valores de voltajes y tiempos.

FIG U R A

1 .8 0

Considerar que V = 15V T = 100ms

V1 = 7,5V Diodo ideal

2. Para el circuito de la fig. 1.81, dibujar la forma de onda de salida con valores de voltajes y tiempos. Considerar que la seal de entrada es Vin = 18V sen(t), V1 = 8,5V, V2 = 11,2V, R1 = 1,5K y RL = 3,9K. Resuelva: a) con diodos ideales; b) con diodos de silicio.

FIG U R A

1 .8 1

3. Para el circuito de la fig. 1.82, dibujar la forma de onda de salida, con valores de voltajes y tiempos. Considerar que = RC, es lo suficientemente grande en comparacin con T/2.

Carlos Novillo Montero

Can

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FIG U R A

1 .8 2

R = 1K V2 = 20V

V = 5V V1 = 10V T = 200ms

4. Para el circuito de la fig. 1.83 dibujar las formas de onda de entrada y de salida, con valores de voltajes y tiempos en los puntos notables. Diodo de silicio. Asumir que

FIG U R A

1 .8 3

Vin = 15Vsen(t) VB = 6,6V

f = 20Hz R1 = 1,2K

RL = 1,8K

Adems calcular el valor de la componente continua y el valor RMS de la seal de salida. 5. Para el circuito de la fig. 1.84 se tienen los siguientes datos. Considere que = RC, es lo suficientemente grande en comparacin con T/2.

FIG U R A

1 .8 4

Vin = 12,5V sen(t) VB = 5,4V

f = 500Hz Diodo de silicio

Dibujar la forma de onda del voltaje de salida con valores de voltaje y tiempos, adems, determine el valor de la componente continua y el valor RMS de la onda de salida. NOTA Recuerde que usted va a ser ingeniero, por tanto, debe hacer bien las cosas, de modo Carlos Novillo Montero Can

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que, resuelva los problemas en FORMA CLARA Y EN ORDEN, NO DEJE NADA INDICADO. UTILICE LAS UNIDADES EN TODOS SUS CLCULOS. Dibuje los circuitos con todas sus conexiones.

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Carlos Novillo Montero

Can

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