10/08/2010

DEFINICIONES.
Dispositivos de Memoria Celda de memoria: Es un circuito elctrico que se utiliza para almacenar un solo bit (0 - 1) Ejemplo flip-flop. Palabra de memoria: Grupo de bits (celda) en una memoria que representa instrucciones o datos, el tamao de una palabra de memoria varia de 4 a 64 bits.

Byte: Es un termino que se utiliza para palabras de memoria de 8 bits ya que este es el tamao de palabra mas comnmente usado. Capacidad: Se refiere a cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria particular. Ejemplo: Cuantos bits se pueden almacenar en una memoria de 5M X 8 5M = numero de palabras 8 = numero de bit de cada palabra. 5 x 1.048.576 x 8 = 41.943.040 bits 1K = 1024 = 2^10 1M = 1.048.576 = 2^20

Densidad: Para definir este termino utilizaremos el siguiente ejemplo, Cuando se dice que un dispositivo de memoria tiene mayor densidad que otro significa que puede almacenar mas bits en la misma cantidad de espacio. Direccin: Es un numero que identifica la localidad de una palabra en una memoria, cada palabra almacenada tiene una nica direccin que puede ser representada en decimal, hexadecimal y binaria siendo esta la mas usada.

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Operacin de lectura: Es la operacin por medio de la cual una palabra almacenada en una localidad de memoria especifica es capturada y despus es transferida a otro dispositivo. Operacin de Escritura: Es la operacin por medio de la cual se coloca una nueva palabra en una cierta localidad de memoria especfica. Siempre que se escribe una palabra nueva esta reemplaza la existente en la localidad de memoria.

Tiempo de acceso: Es una medida del tiempo que se requiere para realizar una operacin de lectura.

Memoria Voltil: Es cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica a fin de mantener almacenados los datos, si esta fuente de energa elctrica es retirada los datos se perdern.

Memoria de acceso aleatorio RAM: Es una memoria en la cual la localizacin fsica de los datos no influye en el tiempo que se tardara en escribir o leer dichos datos. tiempo de acceso igual para cualquier dato. Memoria de acceso secuencial SAM: Es una memoria en la cual la localizacin fsica de los datos si influye en el tiempo que se tardara en escribir o leer dichos datos, los datos son hallados por sucesin a travs de todas las localidades de memoria. Tiempo de acceso no es constante para cualquier dato Ejemplo cintas y discos magnticos

Memoria de lectura y escritura RWM: Es cualquier memoria en la que se puede leer informacin o escribir informacin con la misma facilidad. Memoria de solo lectura ROM: Es un tipo de memoria en la cual solo se puede escribir Programar una sola vez y esta operacin normalmente se efecta en fbrica y posteriormente solo se puede leer la memoria.

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Memoria OTP PROM: Este tipo de memoria solo se puede grabar una vez por parte del usuario utilizado un procedimiento como memoria EPROM, posteriormente no se puede borrar pero se puede leer infinitamente. Memoria EPROM: Este tipo de memoria puede ser programada por el usuario y tambin puede borrarse y reprogramarse tantas veces como se desee. Una vez programada la EPROM es una memoria no voltil.

Continua memoria EPROM. Para ser borrada o reprogramada debe ser expuesta a la luz ultravioleta U.V. a travs de la ventana que se encuentra en el encapsulado del circuito. Para ser Grabada la memoria EPROM se debe realizar un procedimiento descrito por el fabricante el cual implica la aplicacin de niveles de voltaje especiales a las entradas adecuadas del circuito en una cantidad de tiempo especfico. se graba elctricamente y se borra por U.V.

Memoria EEPROM: Este tipo de memoria es una mejora a la memoria EPROM el proceso de escritura y borrado se realiza de forma elctrica. Memoria FLASH: Se trata de una memoria no voltil de bajo consumo que se pude escribir y borrar al igual que las EEPROM pero con caractersticas de mayor capacidad y velocidad.

Memoria esttica: Son semiconductores en los cuales los datos almacenados se quedaran permanentemente guardados sin necesidad de escribir los datos peridicamente. los datos son escritos una sola vez Memoria dinmica: Son semiconductores en los cuales los datos guardados no se quedaran permanentemente guardados aun con energa aplicada a menos que estos se reescriban de forma peridica. Los datos deben ser refrescados peridicamente.

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Operacin general de una memoria. Aunque cada tipo de memoria es diferente en su operacin interna toda memoria debe tener: lneas de entrada de datos lneas de salida de datos Habilitador de memoria lnea de seleccin lectura/ escritura. lneas de seleccin de direcciones.

Lneas de seleccin de direcciones. Para determinar el nmero mnimo de lneas de direcciones en una memoria de cualquier tipo o fabricante se explicara con el siguiente ejemplo: Para una memoria con trece lneas de direcciones (A0 a 12) tendremos 2^13=8192 posiciones diferentes de memoria direcciones.

Lneas de entrada o salida de datos. El nmero mnimo de lneas para entrada o salida de datos depende del nmero de bits de cada palabra esto es 4, 8, 16 bits, etc. Nota: las lneas de entrada o salida de datos pueden ser lneas individuales o comunes segn el tipo de memoria.

Lnea de lectura escritura: lnea R/w esta lnea de control nos selecciona una operacin lectura R con un nivel uno lgico y una operacin escritura w con un cero lgico.

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Lnea de habilitacin: Lnea CE esta lnea de control nos permite deshabilitar completamente toda la memoria de manera tal que no responda a las otras entras. Con cero lgico la memoria queda habilitada con uno lgico la memoria queda deshabilitada bloqueada