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APLICACIONES
En la presente prctica estudiaremos la relacin I-V de una unin p-n y estudiamos su comportamiento en circuitos. Los diodos son elementos pasivos con un comportamiento no lineal como muestra la siguiente gura:
Lo que haremos al tratar con diodos en un circuito ser aproxima la curva anterior por rectas dependiendo del estado en el que trabaje la unin.
1. TRABAJO TEORICO
Como referimos antes aplicando linealizacin por tramos la cuerva I-V de la unin, el anlisis del circuito mostrado anteriormente puede llevarse a cabo empleando el modelo equivalente: 1
Como el diodo es de silicio tomamos como tensin umbral del diodo V = 0, 6 V. A continuacin deberemos estimar el valor mnimo posible de la resistencia de proteccin Rpro de modo que la potencia disipada por el diodo no sea mayor de 0,25 W. En una primera aproximacin podemos suponer que el valor de Rpro sea muy superior a la resistencia interna del modelo del diodo, y podemos pues llevar a cabo una simplicacin del anlisis del circuito despreciando el valor de la resistencia interna frente al valor de la resistencia de proteccin, quedando el circuito de la siguiente manera:
12V = iRpro + 0, 6V
P = i2 Rpro =
12V 0, 6V Rpro
Rpro
Pmax = 0, 25W =
2.
TRABAJO DE LABORATORIO
A continuacin pasaremos a calcular Rp y Vd : Representacin grca de I-V. En el laboratorio se tomarn las siguientes medidas: VOLTAJE (mV) INTENSIDAD (mA) 400 0 440 40 480 100 512 220 528 340 544 480 568 760 584 1060 600 1340 608 1720 616 2100 624 2420 632 2840 640 3540 648 4120 656 4662 Que pasamos a representar a continuacin: 3
Seguidamente vamos a obtener las caractersticas de trasferencia (Vo Vi ) de algunos circuitos. Circuito 1
Para Vi Vd Vo = Vi ya que al hacer el diodo de cortocircuito no circular corriente porl los cables y la tensin que cae Vo ser la tensin de la fuente de alimentacin. Para Vi Vd Vo = Vd + IRd de donde I la sacamos resolviendo el circuito:
I=
Vi Vd , R + Rd
Vo =
Rd Vi + Vd R R + Rd
Vi Vd Vo = Vd
En el caso de que la seal fuese de tipo senoidal de amplitud 1 V y la tensin de diodo 0,6 V, la representacin temporal para las seales de entrada y salida sera:
Circuito 2
Para este circuito cuando tenemos que la tensin aplicada es menor que la sociadan al diodo, este se comporta como un cortocircuito de modo que la tensin que cae en los extremos de las resistencias es 0 ya que no existe corriente:
Vi Vd Vo = 0 V
Para tensiones aplicadas superiores, el diodo se comporta como resistencia en serie con fuente de alimentacin, de modo que la tensin que cae en los extremos de la resistencia ser RI: 6
Vi Vd Vo = RI,
I=
Vi Vd R + Rd
Y como en el circuito anterior, en el caso de que la seal fuese de tipo senoidal de amplitud 1 V y la tensin de diodo 0,6 V, la representacin temporal para las seales de entrada y salida sera:
Circuito 3
Para nalizar en este tercer circuito la tensin que tenemos que comparar con la de entrada es la del diodo mas una tensin de 5 V. Para tensiones aplicadas inferiores a la del diodo mas la de 5 V, la tensin que cae entre estos dod elementos es la aplicada, ya que el diodo se comporta como cortocircuito:
Vi Vd Vo = Vi
Para tensiones aplicadas mayores es el mismo circuito que el del primer caso sino que ahora la tensin del diodo no es Vd sino Vd + 5V :
Vi Vd Vo = Vd + 5V
En el caso de que la seal fuese de tipo senoidal de amplitud 1 V y la tensin de diodo 0,6 V, la representacin temporal para las seales de entrada y salida sera:
4.
TRABAJO DE LABORATORIO
Comparamos a continuacin lo obtenido tericamente con lo obtenido de la reproduccin en el osciloscpio de las seales de transferencia (Vo Vi ): Circuito 1 Concuerda con lo predecido tericamente. Circuito 2 Observamos que el comportamiento del diodo no es totalmente lineal. Circuito 3 Concuerda con lo predecido tericamente.
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