O Que São Transistores e Quais Tipos Mais Usados

04/11/2023, 13:48 O que são transistores e quais tipos mais usados?
SOBRE NÓS TODOS OS CURSOS ▼ SÉRIES EDUCACIONAIS ▼
LOGIN | REGISTRAR
O QUE SÃO TRANSISTORES E Pesquisar

Pesquisar no sit Pesquisar
QUAIS TIPOS MAIS USADOS?
Thiago Oliveira | 28/09/2021 | Eletrônica Básica | 3 Comentários
REDES SOCIAIS
Os transistores são dispositivos eletrônicos, que possuem a capacidade
  
de operar como chaves eletrônicas ou como amplificadores de sinais.
Este componente está presente na maioria dos circuitos eletrônicos
atuais. Como chave eletrônica, o transistor é a base da construção de
microprocessadores, chips e até conversores de potência para energia
renovável e acionamento de máquinas. Já como amplificador de sinal,
Login
os transistores constroem sensores industriais, amplificadores de som,
Email ou Nome de usuário
transmissores, etc. A seguir, vamos entender um pouco mais sobre os
*
transistores e seus tipos.
Senha *
Lembrar
Login
de mim
Esqueceu sua Senha?
Ainda não é um membro?

Registre-se
1. O QUE É UM TRANSISTOR?
Como mencionado, um transistor é um dispositivo eletrônico que opera
Posts Recentes Categorias
de duas maneiras: como chave ou como amplificador. Normalmente, os
transistores possuem três terminais, e dependendo da polarização Amplificador Classe D | Como
desses terminais, ou seja, do nível de tensão e/ou corrente aplicado, funciona?
eles operam em uma de três regiões: 11/10/2022
https://eltgeral.com.br/o-que-sao-transistores-e-quais-tipos-mais-usados/ 1/17
Região de corte – Onde não há corrente elétrica circulando pelo

dispositivo. Nesta região, o transistor é uma chave aberta;
Região ativa – Nesta região, que pode ter nome diferente,
dependendo do tipo de transistor, o dispositivo opera como uma
fonte de corrente controlada. Com isso, podemos construir Entendendo o que
amplificadores de sinais para diversas aplicações analógicas; é PWM: a técnica
Região de Saturação – Nesta região (que também tem nome de controle de
diferente, dependendo do tipo de componente), a corrente do energia em
dispositivo é levada ao limite máximo que o circuito externo ao eletrônica!
05/09/2022
transistor consegue entregar. Com isso, o dispositivo consegue
conduzir uma corrente máxima, mas apresenta uma tensão de Diodos: o que são,
como funcionam e
saída baixa. Portanto, ele é uma chave fechada.
pra que servem!
15/12/2021
Podemos ver que, combinando as regiões de corte e saturação, temos
uma chave eletrônica. Já operando na região ativa, temos um O que são
transistores e
amplificador. Contudo, a polarização dos terminais do transistor para
quais tipos mais
definir em qual região operar, depende principalmente do tipo de
usados?
transistor. Existem basicamente três tipos de transistores atualmente: 28/09/2021
Como escolher um
TBJ – Transistor Bipolar de Junção;
Nobreak?
FET – Transistor de Efeito de Campo, que é subdividido em MOSFET, 26/09/2021
JFET, MESFET, entre outros;
IGBT – Transistor Bipolar de Gate Isolado;
RECOMENDAÇÕES DE
Os três tipos de transistores tem diferenças construtivas muito grandes LIVROS
entre si. Assim, enquanto um transistor é acionado com uma corrente
de entrada, outro será acionado com uma tensão de entrada. Enquanto
um trabalha bem em alta frequência, outro trabalha bem em alta
potência. Portanto, conhecer bem os tipos de transistor é importante
para selecionar o dispositivo mais adequado para o seu projeto.
2. TIPOS DE TRANSISTORES MAIS A Arte da

UTILIZADOS Eletrônica:...
R$ 267,00
2.1 – TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO Compre agora
(TBJ)
Apesar de a primeira patente sobre transistores ser de um transistor de
efeito de campo, feita em 1909 pelo físico Julius Edgar Lilienfield, o
primeiro transistor realmente construído é o transistor bipolar de
junção, também chamado de TBJ. Ele foi desenvolvido no Bell Labs, em
1947, pelos físicos John Bardeen, Walter Brattain e William Schokley, o
que lhes garantiu o prêmio Nobel de Física em 1956.
O TBJ é construído como um sanduíche de cristais de silício, formando

duas configurações: NPN e PNP, onde o cristal N é rico em elétrons e o
cristal P é rico em lacunas, ou seja, faltas de elétrons que funcionam CURSOS RECENTES
como cargas positivas. Essa junção entre materiais P e N também é a
base dos diodos, assim, o TBJ é na realidade a união de dois diodos,
apesar do seu funcionamento não ser explicado por essa comparação. A
Figura a seguir ilustra as estruturas de TBJ com os diodos de Junção, os
três terminais do dispositivo (Base, Coletor e Emissor) e a sua
simbologia. Note que a principal diferença entre a simbologia do NPN e
PNP está na direção da seta do terminal de emissor, que aponta para o
sentido do diodo da junção base-emissor (JBE).
ELETRÔNICA GERAL
Transistor Bipolar NPN e PNP. Junções e simbologia.
Funcionamento do TBJ
Mais vídeos...
O funcionamento do TBJ vai depender da polarização dos dois diodos de
junção, de modo que: Inscreva-se
Quando o diodo de Base-emissor é reversamente polarizado, ou

seja, tem uma tensão menor do que 0,7V, não há circulação de
corrente e o TBJ está na região de corte;
Caso o diodo de base-emissor seja diretamente polarizado e o
diodo de base-coletor, reversamente polarizado, o transistor
conduz. Haverá, contudo, uma relação entre a corrente de base e a
corrente de coletor, dada por Ic = hfe x Ib, onde hfe é o ganho DC
do dispositivo. Essa relação linear possibilita o controle da corrente
de saída do transistor (no coletor) em função da corrente de
entrada (na base), definindo a região ativa. Contribua com o Projeto
Ao se aumentar a corrente de base, na região ativa, a corrente de Eletrônica Geral com um PIX de
coletor também aumenta, mas a tensão entre o coletor e o emissor qualquer valor!
diminui, devido às perdas no circuito externo ao TBJ. Com isso, há

um ponto onde o diodo de base-coletor será diretamente
polarizado, fazendo com que a tensão VCE seja mínima e a corrente
de coletor seja máxima. Neste ponto, a corrente de base não mais
influencia a corrente de coletor, havendo a Saturação do TBJ.
O princípio de funcionamento de um TBJ, seja ele NPN ou PNP é igual.

Contudo, há uma inversão de polaridade nas tensões e correntes de um
transistor para outro. A figura a seguir mostra as polarizações e sentidos
de corrente nos terminais do TBJ, tanto para dispositivos NPN, quanto
para PNP.
Regiões de Operação de um TBJ NPN e PNP
2.1.1 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE

ELETRÔNICA
Para operar um transistor bipolar como chave eletrônica, o dispositivo
deve estar na região de corte, ou na região de saturação. Com o diodo
de base-emissor polarizado diretamente (|VBE| = 0.7V), podemos
mandar o TBJ para o corte com uma corrente de base (IB) zero, e levá-lo
à saturação com uma corrente de base muito alta. Porém, o que é uma
corrente de base muito alta? Bom, a corrente de base de saturação
(IBsat) de um transistor é igual à corrente de coletor de saturação
(ICsat), dividido pelo hfe do transistor. Mas, como esse valor hfe varia
muito com a temperatura e a própria corrente de coletor, fazer um
projeto no limite assim não é bom. Por isso, usamos o conceito de
Saturação Forte, onde usamos um hfe igual a 1/10 do hfe de datasheet.
Assim, estaremos forçando o TBJ à saturação, independentemente das

condições onde ele se encontra.
EXEMPLO DE TBJ COMO CHAVE – COMO CALCULAR?

A figura a seguir ilustra duas formas de usar o TBJ como uma chave
eletrônica, a primeira com NPN e a outra com PNP. Em ambos os casos,
o sinal de comando é uma onda digital com um nível lógico baixo (NLB)
e um nível lógico alto (NLA).
Circuitos com TBJ funcionando como chave eletrônica.
No caso de um transistor NPN, quanto a tensão de controle (VA) está

em NLB, ou seja, zero volts, o TBJ está em corte. Como não há corrente
no circuito, a tensão Vo é igual à alimentação (+15V, no exemplo). Agora,
quando VA está em NLA, vamos supor +5V que é a saída de um pino de
IO de um Arduino, há a injeção de corrente na base do transistor e ele
conduzirá. Como queremos que o TBJ seja uma chave, temos que
calcular RB para que IB seja alta o suficiente para saturar o transistor.
Então vamos lá:
Se o TBJ estiver saturado, sua tensão VCE = 0,2V. Como neste

circuito, VCE = Vo, podemos calcular ICsat, assim:
Como o hfe do transistor BC548 é de 550, vamos assumir um hfe

forte de 1/10 disso, ou seja, 55. Assim,
Agora, só falta calcular o RB. Para isso, vamos lembrar que o NLA de
VA é +5V e que para o transistor conduzir, tanto na região ativa,
quanto na saturação, VBE = 0.7V. Assim,
Neste caso, usaríamos um RB de 15k, que é um valor comercial de

resistência. E pronto.
PNP COMO CHAVE ELETRÔNICA FUNCIONA?

Agora, para um caso com transistor PNP, a coisa muda um pouco de
figura. Ao contrário do transistor NPN, o PNP precisa que a corrente de
base seja “puxada” pelo circuito de controle. Assim, quando VB estiver
em NLA, o TBJ corta e a saída do circuito vai para zero. E quando VB
estiver em NLB, o TBJ deve saturar, mas com isso, a saída Vo vai para
+15V-0,2V = 14,8V. O projeto de RB agora é feito para este último caso,
ou seja, VB = 0V e IC = ICsat. Como ICsat e IBsat vão ter o mesmo valor
do exemplo com NPN, podemos calcular RB:
Usaríamos o valor comercial de 47k, que é o mais próximo da série E12.

Porém, o problema está no corte do transistor. Como discutimos, o
transistor é cortado quando VB está em NLA, mas também, a tensão
VBE do PNP deve ser maior do que -0,7V, ou seja, VB > 14,3V. Assim, é
fácil perceber que o circuito com PNP não pode ser acionado por um
arduino, ou qualquer outro tipo de microcontrolador, mas tem que usar
algum circuito de tensão mais alta. Por este motivo, é mais comum
usarmos os TBJ NPN para a função de chave.
2.1.2. TRANSISTOR BIPOLAR COMO

AMPLIFICADOR
O uso do TBJ como amplificador acontece quando o dispositivo está na
sua região ativa. Como devemos evitar que o TBJ entre nas regiões de
corte e saturação, mas, ao mesmo tempo queremos que ele amplifique
sinais alternados, a operação como amplificador é feita em duas etapas:
Polarização – Primeiro polarizamos o TBJ com uma corrente de

coletor contínua na região ativa. De uma forma geral, com uma
corrente entre zero e ICsat (de preferência no meio disso);
Pequenos sinais – Em seguida, injetamos um pequeno sinal
alternado na entrada do TBJ (na corrente de base e/ou na tensão
VBE), sobreposto ao sinal c.c. de polarização. Com isso, a corrente
de coletor irá variar junto com o sinal alternado, mas sem sair da
região ativa.
Desta maneira, haverá na saída do transistor (coletor ou emissor,

dependendo da configuração) uma tensão contínua de polarização e um
sinal alternado. Usando capacitores de acoplamento, podemos bloquear
a tensão contínua e ficar só com o sinal alternado na saída. A figura a

seguir ilustra um amplificador típico com seus elementos. Se você
quiser saber mais sobre como usar transistores em amplificadores,
acesse nossa Série sobre Amplificadores Transistorizados, com
videoaulas sobre todo conteúdo que você precisa.
Circuito Amplificador com TBJ NPN.
2.2 – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

(FET)
Os transistores de efeito de campo (Field Effect Transistor – FET) são
dispositivos que utilizam a intensidade de um campo elétrico induzida
pela tensão aplicada entre dois dos seus terminais, para controlar a sua
condutividade. Assim como ocorre com o TBJ, dependendo da
polarização dos seus terminais, o FET pode operar tanto como chave
eletrônica, quanto como amplificador. De uma forma geral, os FETs
possuem três ou quatro terminais, sendo eles: Gate (porta), Drain
(dreno), Source (fonte) e Substrato (Body), o qual nem sempre está
disponível. A principal diferença entre os modelos de FET existentes está
na forma de construção da estrutura de Gate, dando origem a
diferentes componentes, sendo os mais comuns:
MOSFET;
JFET;
2.2.1 – MOSFET (METAL OXIDE

SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR)
O MOSFET talvez seja o componente eletrônico mais importante
atualmente. Além de ser utilizado em aplicações de eletrônica analógica,
como amplificadores e conversores de potência, ele também é a base
de construção de chips e processadores de eletrônica digital. Portanto,
este componente está em praticamente todos os aparelhos
eletroeletrônicos modernos. O nome MOS significa Metal-Óxido-

Semicondutor, o que diz respeito à forma como o terminal de Gate é
feito, usando o metal do contato em si, um óxido de silício como
elemento isolante e, por fim, o material semicondutor do próprio
substrato do dispositivo.
ESTRUTURA DO MOSFET
Assim como no caso do TBJ, o MOSFET pode ser encontrado com
substrato feito com material do tipo P ou do tipo N, dando origem aos
MOSFETs Canal N (NMOS) e os Canal P (PMOS), respectivamente. Não,
você não leu errado, se o substrato é do tipo P, o MOSFET é Canal N e
vice-versa, parece confuso, mas vai fazer sentido daqui a pouco. A
Figura a seguir ilustra essas duas construções. Note que o terminal
Source e de Body estão curto-circuitados, isso é comum para a maioria
dos MOSFETS, só dentro dos chips e processadores que este curto não é
feito.
Transistor MOSFET tipo Canal N e Canal P.
FUNCIONAMENTO DO MOSFET
É importante observar que existe um junção PN entre o Body e o Drain
do MOSFET, ou seja, existe um diodo “parasita” entre esses dois
terminais. Eu usei o termo parasita, porque ele aparece no dispositivo
mesmo sem que a sua existência seja intencional. Na maioria dos casos,
não gostaríamos esse diodo conduzindo, assim, as tensões VDS, para o
Canal N, e VSD, para o Canal P, devem ser positivas. Agora, uma vez
que a tensão Drain-Source atende esta restrição, o funcionamento do
MOSFET vai ser controlado pela tensão de Gate-Source. Vamos tomar o
MOSFET Canal N como exemplo:
Aplicamos uma tensão VGS>0. Como o Gate tem um isolante, esta

tensão vai formar um campo elétrico entre o Gate e o Substrato
(que está ligado ao Source, lembram?);
Para tensões VGS baixas o campo expulsa lacunas abaixo do
isolante de óxido, mas na prática, não acontece nada no dispositivo;
Se subirmos a tensão VGS, por outro lado, ela além de expulsar
lacunas do substrato abaixo do óxido, vai também atrair elétrons
para aquela região. Existe uma tensão limiar (Vth) onde o número
de elétrons atraídos é tão grande que forma um canal condutivo
(Canal N) entre Drain e Source. Assim, qualquer tensão VDS vai fazer
com que exista uma corrente entre Drain-Source;
Se subirmos a tensão VGS ainda mais, o canal fica ainda mais
condutivo e mais corrente vai passar. Porém, existe um valor
máximo para VGS, uma vez que o campo elétrico não pode ficar
maior do que a rigidez dielétrica do óxido de silício. Se esse valor for
excedido, o MOSFET queima.
No caso do MOSFET Canal P, o funcionamento é muito semelhante,

porém VGS deve ser negativo. Além disso, o campo elétrico, por causa
da polaridade invertida, expulsa elétrons do substrato e atrai lacunas,
formando um canal condutivo de lacunas (Canal P) e não elétrons. Na
prática, a corrente (sentido convencional) flui do Source para o Drain,
enquanto que no Canal N, é o contrário.
MOSFET ENRIQUECIMENTO VS. DEPLEÇÃO

Além de podermos encontrar MOSFET Canal N e Canal P, existem duas
maneiras de construir um MOSFET (servindo tanto para o Canal N,
quanto para o P): MOSFET tipo Enriquencimento e tipo Depleção. O
MOSFET tipo Enriquecimento é o mais comum e é exatamente como eu
expliquei na seção anterior, ou seja, ele precisa que uma tensão VGS
seja aplicada para formar o canal condutivo e ele poder conduzir. Já no
caso do MOSFET tipo Depleção, um canal condutivo intrínseco já está
construído entre Drain e Source. Assim, o MOSFET Depleção conduz
com tensão VGS = 0. Do ponto de vista prático, o MOSFET Depleção
possui uma tensão limiar negativa, como ilustra a figura a seguir para
um Canal N dos dois tipos.
Comportamento ID x VGS de MOSFET Canal N tipo Enriquecimento e

Depleção, para uma tensão VDS fixa.
MODOS DE OPERAÇÃO DE UM MOSFET

Assim como o TBJ, o MOSFET também possui diferentes modos de
operação, dependendo do nível de tensão nos seus terminais. A figura a
seguir ilustra as condições para cada modo de operação de um Canal N
Enriquecimento. Como já discutimos, quanto maior for a tensão VGS,
maior a corrente de Drain. Contudo, o valor da tensão VDS também
ajuda a definir o modo de operação, vamos a eles:
Corte – O modo corte acontece quando VGS<VTH. Neste caso, o

MOSFET não conduz nada e, portanto, funciona como uma chave
aberta;
Região de triodo – Este modo acontece quando a tensão VDS é
pequena. Neste caso, a corrente de Drain varia também com a
tensão VDS, pois o canal tem um comportamento mais resistivo.
Mas quando VDS aumenta, ele interfere no canal fazendo com que
sensibilidade da corrente com VDS fique menor. Essa região é muito
não-linear, mas o seu uso prático acontece para VDS muito baixo,
porque o comportamento do MOSFET se assemelha a uma
resistência, e aí chamamos essa parte da região de triodo de Região
Ôhmica. Podemos operar o MOSFET como uma chave fechada
quando o colocamos na região ôhmica com um valor de VGS muito
alto (na faixa de 15V, para a maioria dos MOSFETs enriquecimento),
isso porque a resistência equivalente do MOSFET vai ficar muito
baixinha;
Modo Saturação – A região de saturação acontece quando a tensão
VDS fica maior do que VGS-VTH. Neste caso, a sensibilidade do canal
com VDS ficou tão baixa que a corrente praticamente não varia mais
com VDS e aí, o MOSFET se comporta como uma fonte de corrente
controlada. Este é o modo ideal para construir amplificadores.
Comportamento do MOSFET para diferentes condições
Uma descrição mais detalhada das regiões de operação do MOSFET tipo

Enriquecimento é feita no vídeo a seguir.
USO DO MOSFET COMO CHAVE E

AMPLIFICADOR
Assim como o TBJ o MOSFET também pode ser utilizado como Chave
Eletrônica e Como Amplificador. O uso como amplificador é muito
semelhante ao descrito para o TBJ, sendo que é necessário polarizar o
MOSFET em um ponto da sua região de saturação e depois sobrepor
uma perturbação alternada sobre este ponto, que dará origem a sinais
amplificados na saída do circuito. Uma diferença importante do MOSFET
para o TBJ é que não é necessário uma corrente de gate para polarizar o
MOSFET, o que aumenta a resistência de entrada de amplificadores com
MOSFET.
O uso como chave, por outro lado é bastante diferente. Em teoria, o

MOSFET precisa de uma tensão VGS de 0V ou +15V para ser acionado
como chave. Contudo, o circuito de Gate se assemelha muito a um
capacitor, o que exige que a capacitância de gate (que não é baixa) seja
carregada e descarregada continuamente. Portanto, o circuito de
comando do MOSFET precisa não só fornecer a tensão adequada, mas
também ser capaz de entregar picos de corrente grandes (de 2A a 8A)
para carregar/descarregar esse capacitor. No fim das contas, como
usamos o MOSFET como chave em circuitos de potência, que precisam
de muita proteção, o acionamento é normalmente feito por um circuito
Gate Driver, que vai comandar o MOSFET adequadamente. No próximo
vídeo, falamos mais sobre Gate Driver e acionamento de MOSFETs como
chave.
2.2.2 – TRANSISTORES JFET

Os transistores JFET (Junction FET) possuem uma construção bem
diferente dos MOSFETs descritos anteriormente. Como pode ser visto na
figura a seguir, o JFET também pode ser do tipo Canal N e Canal P,
porém, não existe um Gate isolado como nos MOSFETs. Ao contrário,
um JFET canal N, por exemplo, é feito com um corpo de material tipo N
com duas “ilhas” do tipo P, onde o ligamos o terminal do Gate. Essas
ilhas acabam deixando um canal entre elas, por onde os elétrons (ou
lacunas) irão circular. Note que o terminal de Drain e o de Source estão
ligados no mesmo material, sendo que, em um primeiro momento, o
que limita a corrente quando existe uma tensão VDS aplicada é a
resistência de corpo do material tipo N.
Estrutura de transistores JFET
FUNCIONAMENTO DO JFET
Diferentemente do MOSFET, onde a estrutura MOS funciona como um
capacitor, no caso do JFET, existe uma junção PN, ou seja, um diodo,
entre Gate e Source. Como não queremos que esse diodo conduza, a
tensão VGS deve ser negativa, no JFET canal N, e positiva, no JFET canal
P. Além disso, a tensão VDS deve ser positiva no JFET canal N e negativa
no JFET canal P, o que também evita a condução entre o corpo do
dispositivo e o Gate.
Pensando num JFET canal N, quando VGS = 0, o canal entre as ilhas de

Gate tem sua maior largura. Assim, nesta condição o JFET conduz sua
maior corrente. Se VGS agora ficar negativo, o campo elétrico entre Gate
e Source vai expulsar elétrons do canal, criando uma camada de
depleção e reduzindo ID. Para um determinado valor de VGS, chamado
de VGS de corte, a camada de depleção cobre todo canal e o JFET entra
no modo de corte (ID=0).
Os outros dois modos de operação do JFET dependem da tensão VDS.

Supondo que o JFET tenha uma VGS fixa: quando VDS é pequena, o
canal tem uma largura também fixa e o JFET vai se comportar como uma
resistência (região de triodo). Agora, quando VDS começa a crescer, o
campo elétrico entre o corpo do JFET e o Gate, no extremo mais
próximo do Drain, também cresce. Assim, a camada de depleção deixa
de ser uniforme ao longo do canal e se torna mais estreita próximo do
Drain. Assim, como ocorre com o MOSFET, isso faz com que a
sensibilidade da corrente de Drain com a tensão VDS reduza. A partir de

um ponto, chamado de Tensão de Pinchoff (Vp), a corrente ID fica
constante, que é a região de Saturação do JFET.
Modos de Operação de um JFET Canal N
JFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE

O uso do JFET como amplificador é muito semelhante ao uso do TBJ e do
MOSFET. É necessário polarizar o dispositivo na sua região de saturação,
ou seja, com uma tensão VGSoff< VGS < 0. Além disso, deve-se sobrepor
uma perturbação alternada sobre o ponto de operação, para que esta
perturbação seja amplificada. Ainda encontramos JFETs em circuitos
osciladores de alta frequência e no estágio de entrada de
Amplificadores Operacionais, isto porque os JFETs são dispositivos com
baixo ruído e baixíssima corrente de entrada.
No uso como chave, por outro lado, o JFET deve ser acionado com
tensão VGS nula (VGS = 0), para funcionar como uma chave ligada e
tensão de corte, para desligar. O princípio é o mesmo de um MOSFET,
sendo que apesar de não existir um isolante no gate, capacitâncias
parasitas ainda precisam ser carregadas e descarregadas, para que o
dispositivo ligue/desligue. Contudo, o uso de JFET como chave não é tão
difundido como o do MOSFET e o TBJ. O porque disso está no fato de o
JFET ser uma chave normalmente fechada (conduz com VGS = 0) e isso
nem sempre é desejado.
2.3 – TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE

ISOLADO (IGBT)
O Transistor Bipolar de Gate Isolado, ou IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor), é um transistor construído para aplicações de eletrônica de
potência. Apesar de também poder ser polarizado para funcionar tanto
como chave, quanto como amplificador, não existem aplicações práticas
que o usam como amplificador, só como chave. A estrutura do IGBT é
na realidade, uma junção de um MOSFET canal N e de um TBJ PNP,
sendo que o diagrama funcional é igual ao mostrado na figura abaixo.
Símbolos elétricos e diagrama funcional do IGBT.
Na entrada, o IGBT possui um MOSFET, o que faz com que ele seja
controlado por tensão, o que facilita o projeto de circuitos de comando.
Já na saída ele é um TBJ, o que ajuda a conseguir alcançar maiores
tensões de bloqueio e menores perdas de condução. Do ponto de vista
de acionamento, o IGBT é comandado como um MOSFET, precisando de
+15V para ligar e uma tensão nula ou levemente negativa (0 a -5V) para
desligar. Também usamos Gate Drivers para acionar estas chaves, já que
precisamos ter mais proteções em circuitos de potência. Quando ligado,
o IGBT apresenta uma pequena tensão de saturação, como o TBJ, o que
ajuda a reduzir perdas.
QUAL A DIFERENÇA DE UM IGBT PARA UM

MOSFET
Tanto o IGBT, quanto o MOSFET são transistores muito utilizados em
eletrônica de potência, sendo que ambos são chaves controladas por
tensão e que usam Gate Drivers para seu acionamento. Portanto, uma
dúvida que pode surgir é qual a diferença entre eles?
Bom, além da óbvia diferença construtiva, a diferença entre os

dispositivos está no desempenho que eles oferecem como chaves.
Podemos levantar quatro parâmetros importantes para analisar: a)
Velocidade de comutação, b) Perdas de condução, c) Perdas de
comutação e d) Capacidade de bloqueio de tensão. Quando falamos em
comutação, isto quer dizer o processo de ligar os desligar o dispositivo.
Por outro lado, quando falamos em perdas…são perdas energéticas
mesmo, energia jogada fora.
CARACTERÍSTICAS DO MOSFET COMO CHAVE

Primeiramente, falemos do MOSFET. O MOSFET é um dispositivo muito
rápido para ligar e desligar isto faz com que a velocidade de comutação
seja muito alta (acima de 100’s de kHz) e as perdas de comutação sejam
muito baixas. Porém, quando o MOSFET está na região ôhmica ele é um
resistor, e essa resistência vai determinar as perdas de condução

(estado ligado). Quando construímos MOSFETs com baixa capacidade de
bloqueio de tensão, a resistência no estado ligado (RDSon) é baixa, e as
perdas de condução são baixas. Entretanto, para dispositivos que
bloqueiem mais tensão, a RDSon fica mais alta e as perdas de condução
aumentam.
Em resumo, o MOSFET é um dispositivo feito para trabalhar em alta

frequência e com baixa tensão. Na prática, os MOSFETs de potência
trabalham até tensões de bloqueio de 500V. Acima disso, temos uma
classe específica de MOSFET chamada CoolMOS, da Infineon, que
podem trabalhar com de 550V a 950V.
CARACTERÍSTICAS DO IGBT COMO CHAVE

O IGBT foi desenvolvido como uma alternativa para os MOSFETs no
desenvolvimento de conversores eletrônicos de maior potência. Por
causa do TBJ em sua saída, ele consegue operar com baixas perdas de
condução mesmo com tensões de bloqueio bem elevadas. Contudo, a
velocidade de comutação é mais baixa, logo, as perdas de comutação
são mais altas. Assim, enquanto MOSFETs podem operar com
comutações de 100’s de kHz, os IGBTs não conseguem passar de 10 – 15
kHz e quanto maior a tensão de bloqueio, menor a frequência. Por
outro lado, enquanto MOSFETs não conseguem bloquear mais do que 1
kV, encontramos IGBTs com tensões de bloqueio de 600V a 6,5kV.
QUER APRENDER MAIS SOBRE

TRANSISTORES
Se você gostou do conteúdo e quer aprender mais sobre transistores,
eletrônica analógica e eletrônica de potência, se inscreva no canal
Eletrônica Geral, e assine o nosso blog. Também confira nossas dicas de
livros, para você se aprofundar mais nesse assunto:
A Arte da Eletrônica: Microeletrônica e Circuitos Eletrônicos;
Eletrônica de Potência: Análise e Projetos de Circuitos.
Tags: igbt, mosfet, o que é um transistor, o que são transistores,

tipos de transistores, transistor, transistor bipolar, transistor fet,
transistor jfet, transistores
3 COMMENTS
Eugénio António Matine 25/11/2022 Responder
Amei. Bom conteúdo.
Carregando...
eulanía 07/07/2022 Responder
gostei muito
Carregando...
Thiago Oliveira 12/07/2022 Responder
Obrigado, Eulania!
Carregando...
DEIXE SEU COMENTÁRIO ABAIXO
© 2023 ELETRÔNICA GERAL. TODOS OS DIREITOS RESERVADOS PRIVACIDADE CONTATO

O Que São Transistores e Quais Tipos Mais Usados

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

O Que São Transistores e Quais Tipos Mais Usados

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

04/11/2023, 13:48 O que são transistores e quais tipos mais usados?

SOBRE NÓS TODOS OS CURSOS ▼ SÉRIES EDUCACIONAIS ▼

O QUE SÃO TRANSISTORES E Pesquisar

Esqueceu sua Senha?

Ainda não é um membro?

Região de corte – Onde não há corrente elétrica circulando pelo

2. TIPOS DE TRANSISTORES MAIS A Arte da

2.1 – TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO Compre agora

O TBJ é construído como um sanduíche de cristais de silício, formando

Transistor Bipolar NPN e PNP. Junções e simbologia.

Quando o diodo de Base-emissor é reversamente polarizado, ou

diminui, devido às perdas no circuito externo ao TBJ. Com isso, há

O princípio de funcionamento de um TBJ, seja ele NPN ou PNP é igual.

Regiões de Operação de um TBJ NPN e PNP

2.1.1 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE

Assim, estaremos forçando o TBJ à saturação, independentemente das

EXEMPLO DE TBJ COMO CHAVE – COMO CALCULAR?

Circuitos com TBJ funcionando como chave eletrônica.

No caso de um transistor NPN, quanto a tensão de controle (VA) está

Se o TBJ estiver saturado, sua tensão VCE = 0,2V. Como neste

Como o hfe do transistor BC548 é de 550, vamos assumir um hfe

Neste caso, usaríamos um RB de 15k, que é um valor comercial de

PNP COMO CHAVE ELETRÔNICA FUNCIONA?

Usaríamos o valor comercial de 47k, que é o mais próximo da série E12.

2.1.2. TRANSISTOR BIPOLAR COMO

Polarização – Primeiro polarizamos o TBJ com uma corrente de

Desta maneira, haverá na saída do transistor (coletor ou emissor,

a tensão contínua e ficar só com o sinal alternado na saída. A figura a

Circuito Amplificador com TBJ NPN.

2.2 – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

2.2.1 – MOSFET (METAL OXIDE

eletroeletrônicos modernos. O nome MOS significa Metal-Óxido-

Transistor MOSFET tipo Canal N e Canal P.

Aplicamos uma tensão VGS>0. Como o Gate tem um isolante, esta

No caso do MOSFET Canal P, o funcionamento é muito semelhante,

MOSFET ENRIQUECIMENTO VS. DEPLEÇÃO

Comportamento ID x VGS de MOSFET Canal N tipo Enriquecimento e

MODOS DE OPERAÇÃO DE UM MOSFET

Corte – O modo corte acontece quando VGS<VTH. Neste caso, o

Comportamento do MOSFET para diferentes condições

Uma descrição mais detalhada das regiões de operação do MOSFET tipo

USO DO MOSFET COMO CHAVE E

O uso como chave, por outro lado é bastante diferente. Em teoria, o

2.2.2 – TRANSISTORES JFET

Estrutura de transistores JFET

Pensando num JFET canal N, quando VGS = 0, o canal entre as ilhas de

Os outros dois modos de operação do JFET dependem da tensão VDS.

sensibilidade da corrente de Drain com a tensão VDS reduza. A partir de

Modos de Operação de um JFET Canal N

JFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE

2.3 – TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE

Símbolos elétricos e diagrama funcional do IGBT.

QUAL A DIFERENÇA DE UM IGBT PARA UM

Bom, além da óbvia diferença construtiva, a diferença entre os

CARACTERÍSTICAS DO MOSFET COMO CHAVE

resistor, e essa resistência vai determinar as perdas de condução

Em resumo, o MOSFET é um dispositivo feito para trabalhar em alta

CARACTERÍSTICAS DO IGBT COMO CHAVE

QUER APRENDER MAIS SOBRE

A Arte da Eletrônica: Microeletrônica e Circuitos Eletrônicos;

Eletrônica de Potência: Análise e Projetos de Circuitos.

Tags: igbt, mosfet, o que é um transistor, o que são transistores,

Eugénio António Matine 25/11/2022 Responder

Amei. Bom conteúdo.