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Faculdade Anhanguera de Sorocaba

Eletrnica e Instrumentao
Transstor
Prof. Rafael Barbosa

Curso: Engenharia de Produo 8 Semestre A Integrantes


Aldivane de Oliveira Silva RA: 0808169955 Andr Luiz Ianaconi Ferreira RA: 0808151893 Claudinei Xavier Junior RA: 0808169936 Rodrigo Sales da Silva RA: 0888803 Clio Donizete RA: 0890395 Percio Gaspar Zuim RA: 0893466 Simo Vieira RA: 0813486
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NDICE

Inveno.........................................................................................................4 Alguns nmeros.............................................................................................6 Tipos de Transistores.....................................................................................7 O Transistor Como Chave......................................................................11 Lendo Cdigos e Marcas em Transistores....................................................13 Fabricantes...................................................................................................15 Bibliografia................................................................................................... 17

Entendendo um pouco sobre Transistor.


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Desde o momento em que acordamos estamos envolvidos de algum modo pelos transistores, pois estamos a todo momento em contato com alguns dos mais variados equipamentos eletrnicos como, no despertar da manha, o rdio relgio ou celular tocando o alarme para levantarmos, ouvindo rdio no trajeto do trabalho, na empresa estamos em contato direto com os computadores e no decorrer do dias recebendo ou fazendo ligaes telefnicas pelos celulares. Transistor um pequeno componente eletrnico que comeou a ser mais popularmente difundido na dcada de 1950, e desde ento foi um dos principais, ou o principal, responsvel pela revoluo eletrnica.

Sua utilizao est em amplificadores e interruptores de sinais eltricos, e o termo transistor vem do ingls (resistor/resistncia de transferncias). Basicamente, um transistor constitudo pela combinao de dois diodos de juno PN. Uma juno PN polarizada diretamente e a outra inversamente. A unio desses dois componentes normalmente poder ser feita de duas formas: unio atravs do material P, para produzir um transistor NPN e unio atravs do material N, para produzir um transistor PNP.

Transistor NPN

Transistir PNP

Inveno
Inventado por cientistas do Bell Telephonelaboratories no dia 16 de dezembro de 1947, o transistor deu a seus idealizadores o premio Nobel de fsica de 1956. por se dizer a inveno da engenharia eltrica mais revolucionria do sculo 20, cujo impacto sentido a todo momento na era da informao. O primeiro transistor consistia de trs eletrodos, ligado a um bloco de germnio (material semicondutor). Assim, dois dos eletrodos, um coletor e outro emissor, prximo entre 0,005 a 0,025 cm na parte superior do germnio, em outro eletrodo, chamado base, era conectado base inferior do germnio. Quando tenses eltricas eram aplicadas adequadamente, o dispositivo podia funcionar como amplificador de corrente alternada.

Uma pequena variao na tenso de entrada (tenso aplicada ao emissor) produzia uma grande variao na corrente de entrada,que, produzia uma variao ainda maior na corrente de sada (corrente de emissor). Tanto a corrente quanto a tenso de entrada relativamente pequenas, a potncia de entrada, corrente de entrada vezes a tenso de entrada era tambm pequena. J a corrente e a tenso de sada eram mais elevadas, de forma que a potncia de sada, corrente de sada vezes a tenso de sada, era bem maior do que a potncia de entrada, e dessa formao dispositivo funcionava como um amplificador.
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Seus idealizadores foram:John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas por fim acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no ponto de contato do transistor. Isto veio a evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de juno bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca. Havia dois tipos de transistor que eventualmente poderiam ser fabricados: o transistor de ponto de contato e o transistor de juno. O transistor de ponto de contato tinha muitas desvantagens. Era difcil de fabric-lo e as caractersticas eltricas estavam longe de ser ideais, tinha muita variao na corrente, difceis de ser controladas e instveis. Por outro lado, o transistor de juno tinha caractersticas eltricas mais desejveis e estveis. Contudo a fabricao desse transistor tambm era bastante complexa, exigia tcnicas sensveis, sendo difcil automatizar a produo. Havia tambm muitos outros problemas, como conseguir que o transistor funcionasse em altas frequncias, como as vlvulas, e capaz de suportar potncias elevadas, como os rels. Para operar em altas frequncias, os transistores deviam ser pequenos, mas para suportar elevada potncia, tinham que ser grandes. Alm das dificuldades tecnolgicas, havia uma rejeio muito grande pelas indstriasem aceitar o transistor. Os engenheiros da poca j estavam acostumados com as vlvulas, cujo funcionamento era relativamente simples enquanto o transistor era um componente complexo para a poca, seu funcionamento envolvia at fsica quntica. Algumas companhias chegaram a afirmar que o transistor, devido a sua baixa confiabilidade e sujeio inerente a rudos, nunca iria substituir a vlvula. Mas, o transistor e sua fabricao foram aos poucos, sendo aprimorados e suas vantagens sobre as vlvulas cada vez aumentava. Os primeiros fabricantes de transistores eram na sua maioria fabricantes de vlvulas. Algumas empresas iniciantes foram bem-sucedidas. Talvez o maior exemplo seja a Texas Instruments, que na poca fabricava instrumentos geofsicos. A companhia viu uma grande oportunidade nos transistores e, em 1953, obteve uma licena do Bell Labs, estabeleceu um laboratrio prprio e chamou pesquisadores de renome para conduzi-lo. Um ano depois, a Texas Instruments anunciou o primeiro transistor de silcio. O silcio apresentava diversas vantagens sobre o germnio: suas caractersticas eltricas eram melhores, podia suportar muito mais potncia e podia operar em uma faixa de temperatura ambiente bem mais ampla, alm de haver suprimento de matria-prima praticamente infinito. As desvantagens do silcio eram seu ponto de fuso elevado (que exigia processos metalrgicos mais complexos) e o fato de o silcio ser mais reativo quimicamente do que o germnio (o que facilitava a contaminao). Essas dificuldades, contudo, foram logo superadas e a fabricao de dispositivos de silcio tornou-se dominante. Com o advento do transistor de silcio, a Texas Instruments tornou-se instantaneamente uma poderosa concorrente no mercado.

Em 1970, a Intel anunciava primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lanava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS, que tinha sido projetado para ser usado em calculadoras.
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Continuando em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfcie e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integrao. O domnio desta tecnologia MOS durou at o final dos anos 70. poca em que o NMOS passou a ser um problema, pois o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potncia (que alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS comeava a ganhar espao. A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricao de circuitos, por volta do ano 2000.

Alguns nmeros
O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMO Se tinha freqncia de 0,2 MHz. Ano de fabricao: abril/1972 3500 transistores com 10 um ou 10000 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V; 10 anos depois, a Intel lanou o 80286, com freqncias de 6, 10 e 12 MHz, fabricado com tecnologia CMOS 134.000 transistores 1,5 um ou 1500 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V; O Pentium 4, lanado em janeiro de 2002, trabalha com freqncias de 2200 a 3000 MHz, com 55 milhes de transistores CMOS 130 nm. A srie de chips Radeon 2000, por exemplo, atinge os 500 milhes de transistores, chegando casa dos 40 nm. A Placa de vdeo da AMD Radeon HD 6870, lanada em outubro de 2010, trabalha com freqncias de 900Mhz na GPU, 4200Mhz de frequncia de Memria GDDR5 interface 256Bits, atinge os 1,7 Bilhes de transistores, com processo de fabricao de 40 nm e um Core de 255 mm2.

Tipos de Transistores
Vejamos alguns dos mais importantes: BIPOLARES (mais comum) FET (transistor de efeito de campo); MOSFET (transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor); UJT (transistor de unijuno); IGBT(transistor bipolar de porta isolada). Transistores Bipolares O transistor bipolar um dispositivo semicondutor de 3 terminais, no qual umapequena corrente em um terminal pode controlar uma corrente muito maior que flui entre o segundo e o terceiro terminal. Isto significa que o transistor bipolar pode funcionar tanto como amplificadores (de corrente) quanto como interruptores (chaves). Os transistores bipolares podem ser classificados em NPN ou PNP, de acordocom a concentrao (dopagem) contida nas suas trs regies. A Fig. abaixo apresenta a estrutura simplificadada dos transistores bipolares NPN e PNP.

Emissor (E)Base (B)Coletor (C)

Caractersticas dos Transistores Bipolares Trabalha com alta potncia; Funciona em alta freqncia; excitado por corrente; Possui menor resistncia entre coletor e emissor quando em saturao. Polarizao Pode ser de dois tipos PNP (conduz com negativo na base) ou NPN (conduz com positivo na base). Transistores FET FET ( Field Effect Transistor), Transistor de Efeito de Campo, como o prprio nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno, e a corrente do dispositivo controlada pelo ajuste da tenso aplicada externamente. Este transistor tem muita aplicao na rea de amplificadores, (opera na rea linear), em chave (opera fora da rea linear) ou em controles de corrente sobre uma carga. O FET um dispositivo de trsterminais. O FET pode ser dividido em: JFETS e MOSFETS. Entretanto, os MOSFETS tambm se dividem em duas outras categorias: MOSFT tipo Enriquecimento; MOSFET tipo Depleo. Os termos depleo e intensificao definem seu modo bsico de operao, e o nome MOSFET designa o transistor Metal xido semicondutor. Transistores JFET, transistor de efeito decampo de juno, talvez o transistor mais simples de todos. Sua estrutura consiste em uma barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a regio N ou P (parte estreita) chamada canal por influir a corrente controlada.

Nota que em torno do canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. sta barreira restringe a rea de conduo de um canal ao outro. Transistor MOSFET, composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs.

A figura mostra uma estrutura fsica do MOSFET do tipo canal-n enriquecido. O transistor fabricado sobre um substrato do tipo p, o qual uma lamina de silcio cristalino que serve de suporte fsico para o dispositivo. Transistores UJT

Estrutura do UJT Smbolo

O transistor UJT atua comouma trava ideal com a base do PNP polarizada por um divisor de tenso, que o efeito da barra N dividida pela regio P. Quando a tenso no emissor for 0.6 V acima da tenso fornecida pelo divisor, o PNP ativado, que polariza o NPN, disparando a trava. Quando a corrente cair abaixo do valor de manuteno, a trava se desliga.

O UJT usado como um gerador de pulsos, como o circuito direita. O capacitor carregado atravs do resistor e quando a tenso no E do UJT ultrapassa a tenso de disparo do UJT, fornecida pela fonte e pelos resistores, ele se dispara, descarregando o capacitor e fornecendo um pulso curto ao resistor de carga, ligado B1. O valor da tenso de disparo est entre 0.55 e 0.8 vezes a tenso de alimentao, conforme o UJT. O perodo dos pulsos prximo de T = RC e a freqncia de f = 1 / RC, o resistor e o capacitor ligados ao emissor, variando um pouco com o UJT. Transistores IGBT O IGBT frequentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de conduo (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta, do mesmo modo de um MOSFET. Ao aplicarmos uma pequena tenso de porta positiva em relao ao emissor, ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs da juno. No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da porta. Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a junoestar reversamente polarizada, bloqueando a corrente. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser a corrente de escape (leakage).

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Aplicaes de Transistores
O Transistor Como Chave

A forma mais simples de se usar um transistor como chave, significando que o operamos ou na saturao ou no corte. Quando um transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est no corte, como se fosse uma chave aberta. Baseado nessas caractersticas de operao, pode-se construir circuitos de controle, circuitos digitais, etc. A Figura 6 mostra uma aplicao simples do transistor como chave num circuito de controle de nvel de lquido.

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Figura 6 Exemplo de circuito de controle com transistor. O Transistor como Amplificador Para operar como amplificador, um transistor deve ser polarizado na regio ativa. Essa polarizao deve ser previsvel e insensvel s variaes de temperatura, valores de , etc. Essa exigncia provm do fato de que a operao do transistor como amplificador altamente influenciada pelo valor quiescente da corrente.
A disponibilidade dos modelos de circuitos do TBJ para pequenos sinais faz da anlise dos circuitos amplificadores com transistores um processo sistemtico. Primeiro, determinado o ponto de operao DC, ou seja, correntes IC, IB, IE e tenses VC, VB e VE, e so calculados os parmetros do modelo. Depois, so eliminadas as fontes DC, o TBJ substitudo por um modelo de circuito equivalente (modelo hbrido ou modelo T) e o circuito resultante analisado para determinar os parmetros desejados, por exemplo, ganho de tenso, resistncia de entrada, etc. A seguir so ilustrados os modelos de circuitos equivalentes para o TBJ.

ib B + vbe r

ic C gmvbe ou i b
ib B

ic gmvbe ou e i

+
vbe

re ie

ie

E
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gm =

IC VT

; r =

gm
(a)

gm =

IC V ; re = T = VT IE g m
(b)

Figura 7 Circuitos equivalentes para o TBJ: (a) Modelo hbrido; (b) Modelo T.

Lendo Cdigos e Marcas em Transistores

A maioria das indicaes dos transistores seguem um cdigo a seguir: JEDEC, JIS ou Pro-Electron. Para CIs, aparecem com nmeros (Por ex. 741, 4001, 7400) entre o prefixo e o sufixo. ICs tipicamente tem dois nmeros, o da parte e o do cdigo. 1. Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) Estes nmeros esto na forma de: dgitos, letras e nmeros sequenciais. A letra sempre 'N', os digitos assim seguem; o primeiro dgito 1 para diodos, 2 para transistores, 3para dispositivos de quatro camadas e assim por diante. Mas 4N e 5N so reservados para acopladores pticos. Os nmeros seqenciais comeam em 100 at 9999. Se presente o sufixo pode indicar varias coisas. Exemplos 2N2222A uma verso melhorada do 2N2222. Ele tem maior ganho, frequncia e limites de tenso. Na duvida sempre checar uma Data Sheet. Exemplos: 1N914 (diode), 2N2222, 2N2222A, 2N904 (transistors). NOTA: Quando uma verso metlica de um transistor JEDEC refeita em encapsulamento plstico, muitas vezes adicionado um numero ou letra. Como o transistor PN2222A uma verso em plstico do 2N2222A. (metlico) 2. Japanese Industrial Standard (JIS) Os nmeros da parte tomam a forma: Digito, duas letras, numero seqencial (sufixo opcional)T

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Digito 1 para diodos 2 para transistores. A letra indica o tipo e a aplicao do dispositivo de acordo com o seguinte cdigo: SA: SC: SE: SG: SJ: SM: SR: ST: SZ: PNP transistor para HF NPN transistor para HF Diodos Gunndevices P-channel FET Triac Rectifier Avalanche diodes Zenerdiodes SB: SD: SF: SH: SK: SQ: SS: SV: PNP AF transistor NPN AF transistor Thyristors UJT N-channel FET LED Signaldiodes Varicaps

O nmero seqencial comea em 10 at 9999. O sufixo, opcional, indica aprovao por varias organizaes Japonesas. Como o cdigo sempre comea com 2S, muitas vezes omitido como exemplo, um 2SC733 pode ser encontrado como C733. Exemplos: 2SA1187, 2SB646, 2SC733.

3. Pro-Electron (European) Significado das Letras 1 Letra: Designa o material utilizado na confeco da parte ativa do semicondutor (transistor ou diodo). A B C D Germnio Silcio Arsenieto de Glio Materiais compostos (por exemplo: Sulfeto de Cdmio)

2 Letra: Designa a funo mais importante qual se destina o semicondutor.


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A B C D E F G H L N P Q R S T X Y Z

Diodo de baixo sinal Diodo de capacitncia varivel Transistor de baixo sinal, udio-frequncia Transistor de potncia, udio-frequncia Diodo Tnel Transistor de baixo sinal, rdio-frequncia Dispositivos mltiplos ou dissimilares, miscelaneos Diodo sensvel a campos magnticos Transistor de potncia, para rdio-frequncia Foto-acoplador Detector de radiao (por exemplo, fototransistor) Gerador de radiao (por exemplo, diodo emissor de luz) Dispositivos de controle e comutao (por exemplotiristor) de baixa potncia Transistor de baixo sinal, comutao Dispositivo de controle e comutao (por exemplo, tiristor) de potncia Diodo multiplicador (por exemplo, varactor) Diodo retificador Diodo de referncia ou regulador com terceira letra W supressor de transientes

A terceira letra indica se o dispositivo usado em aplicao industrial ou comercial. usualmente W, X, Y, ou Z. Exemplos: BC108A, BAW68, BF239, BFY51. Obs: Ao invs de 2N muitas vezes o fabricante usa a sua prpria designao.Os prefixos mais comuns so: MJ: Motorola potencia, encapsulamento metlico MJE: Motorola potencia, encapsulamento plstico MPS: Motorola baixa potencia, encapsulamento plstico MRF: Motorola HF, VHF transistor para microondas RCA: dispositivo RCA TIP: Texas Instruments (TI) transistor de potencia , encapsulamento plstico TIPL: TI transistor planar de potencia TIS: TI transistor de pequeno sinal (encapsulamento plstico ) ZT: Ferranti ZTX: Ferranti

Fabricantes
1 - Ceiec Jiangsu Corporation
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Transstores CeiecJiangsu A CeiecJiangsu um Fornecedor, foi criada em 1981 e tem a certificao CE. 2 - AMS Technologies AG 3 - EpigapOptoelektronikGmbH A EpigapOptoelektronikGmbH um Fabricante, foi criada em 1995 e tem a certificao DIN EN ISO 9001. 4 - SEMIKRON InternationalGmbH A SEMIKRON InternationalGmbH um Fabricante. 5 - ABB SEMICONDUCTORS

6 - ADVANCED SEMICONDUCTOR

7 - AGILENT TECHNOLOGIES {former H-P Semiconductor Div.} {seeAVAGO TECHNOLOGIES from 2006}

8 - ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR MOSFETs, TVSs PIN Diodes, GaAs FETs, PHEMTs

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9 - ANALOGICTECH MOSFETs

10 - ANPEC ELECTRONICS MOSFETs

Bibliografia
http://pt.wikipedia.org/wiki/Trans%C3%ADstor http://pt.wikipedia.org/wiki/Term%C3%B4metro http://mundoeducacao.uol.com.br/fisica/a-evolucao-dos-termometros-das-escalas.htm http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/toolbox/powersys/igbt.shtml http://www.coltec.ufmg.br/alunos/270/semicondutores/igbt.html http://www.mitsubishichips.com/datasheets/power/powermos_index.html
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http://sites.uol.com.br/rick.machado/engenhar.html http://orbita.starmedia.com/~tecnofac/eletronica/igbt.htm Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. Prentice/Hall do Brasil. 3 Edio. 1984. Rio de Janeiro RJ. Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth C. Microeletrnica. Makron Books. 1995. So Paulo SP. Malvino, Albert Paul. Eletrnica Volume 1. McGraw-Hill Ltda. 1 Edio. 1987. So Paulo SP. RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications.2 ed. Prentice Hall, New Jersey: 1993. PENELLO, Luiz Fernando. Filtro Ativo de Potncia Shunt.Tese de Mestrado, Universidade Federal do Rio de Janeiro COPPE: 1992.

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