UNION P N Alumno: Vctor Gmez Santos

Carrera: Curso: Ciclo: Ingeniera de Sistemas e Informtica Fsica Electrnica 4

Actividades y Ejercicios:

Unin P-N
UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin. http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_ en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_ Shockley/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/Diod oConmutaApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com

Desarrollo:

Unin P-N
Diodo de unin PN polarizado
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

A mayor voltaje de entrada se observa lo siguiente:

Disminuye la regin de agotamiento permitiendo el incremento de la difusin as como la recombinacin de los electrones y huecos

A menor voltaje de entrada se observa lo siguiente:

Aumenta la regin de agotamiento ocasionando la disminucin de la difusin y la recombinacin de los electrones y huecos.

La ley de Shockley
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el

comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el Diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 -12 A q es la carga del electrn T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 m V a temperatura ambiente (300 K 27 C).

A mayor voltaje de entrada se observa lo siguiente:

Disminuye la regin de agotamiento permitiendo el incremento de la difusin as como la recombinacin de los electrones y huecos, modificando la curva caracterstica del diodo

A menor voltaje de entrada se observa lo siguiente:

Aumenta la regin de agotamiento ocasionando la disminucin de la difusin y la recombinacin de los electrones y huecos modificando la curva caracterstica del diodo.

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

Cuando un diodo P-N se conecta en forma directa a una batera este deja pasar la corriente, esta intensidad de corriente (I,) aumenta conforme aumenta el voltaje aplicado por la batera (V), pero si conectamos la batera en forma inversa este deja pasar una corriente inversa (Iinv) que es muy pequea.

Al conectar un diodo en forma directa acta como interruptor cerrado dejando pasar la corriente.

Al conectar un diodo en forma inversa acta como interruptor abierto NO dejando pasar la corriente.

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