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Primeira EDIO

Werther Serralheiro

MINISTRIO DA EDUCAO SECRETARIA DE EDUCAO PROFISSIONAL E TECNOLGICA CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE SANTA CATARINA UNIDADE DE ENSINO DE ARARANGU

Apostila de Eletricidade Desenvolvida pelo Prof. MEng. Werther Serralheiro Professor de 1 e 2 Graus da Unidade de Ensino de Ararangu Para a Disciplina de ELETRNICA ANALGICA do Curso Tcnico em Eletromecnica A reproduo desta apostila dever ser autorizada pelo CEFET

SUMRIO
1 - Componentes eletrnicos...........................................................................................5 2 - Resistores....................................................................................................................7
2.1 Tipos de Resistores...........................................................................................................7 2.2 Cdigo de Cores para Resistores.....................................................................................9 2.3 Resistores SMD...............................................................................................................10 2.4 Resistncias Variveis....................................................................................................11 2.5 Outros tipos de resistores...............................................................................................12

3 - Capacitores...............................................................................................................14
3.1 Princpio de funcionamento...........................................................................................14 3.2 Tipos de Capacitores......................................................................................................15 3.3 Leitura da Capacitncia................................................................................................16 3.4 Capacitores variveis.....................................................................................................19 3.5 Simbologia de Capacitores............................................................................................20 3.6 Carga e descarga de capacitor.......................................................................................21

4 - Indutores...................................................................................................................23
4.1 Construo......................................................................................................................23 4.2 Funcionamento de um indutor......................................................................................24 4.3 Simbologia de Indutores................................................................................................26

5 - Transformadores de baixa corrente........................................................................27


5.1 Tipos de transformadores..............................................................................................30

6 - Materiais semicondutores........................................................................................33
6.1 Classificao dos materiais quanto condutibilidade eltrica....................................33 6.2 Dopagem.........................................................................................................................34

7 - Diodo.........................................................................................................................37
7.1 Introduo......................................................................................................................37 7.2 Polarizao......................................................................................................................37 7.3 Curva caracterstica.......................................................................................................38 7.4 Anlise de circuitos com diodos.....................................................................................39 7.5 Retificao......................................................................................................................41 7.6 Diodos especiais..............................................................................................................46

8 - Transistor Bipolar....................................................................................................49

8.1 Introduo......................................................................................................................49 8.2 Construo fsica do transistor bipolar........................................................................50 8.3 Polarizao......................................................................................................................51 8.4 Configuraes ................................................................................................................54 8.5 Curvas Caractersticas...................................................................................................59 8.6 Identificao de terminais e polaridade........................................................................62

9 - Tiristor......................................................................................................................64
9.1 SCR.................................................................................................................................64 9.2 TRIAC.............................................................................................................................71

10 - Componentes Eletrnicos Especiais......................................................................74


10.1 JFET..............................................................................................................................74 10.2 MOSFET.......................................................................................................................76 10.3 Fototransistor...............................................................................................................78 10.4 Fotodiodo......................................................................................................................79 10.5 Acoplador tico.............................................................................................................79 10.6 Termistor......................................................................................................................80 10.7 LDR...............................................................................................................................81 10.8 Varistor.........................................................................................................................82

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1 - Componentes eletrnicos
Nesta apostila, ir ser abordados os principais componentes eletrnicos utilizados em circuitos de controle. O objetivo conhecer o princpio de funcionamento dos componentes, suas caractersticas fsicas, formas de especificao e testes de funcionamento. Inicialmente, iremos fazer um pequeno exerccio de simbologia.

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Outros smbolos usados em eletrnica:

Abaixo temos um circuito vertical de uma TV. Cada componente possui uma letra. Coloque o nome para cada componente ao lado do circuito. A: B: C: D: E: F: G: H:

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2 - Resistores
Resistores so componentes que tm por finalidade oferecer uma oposio passagem de corrente eltrica, atravs de seu material. A essa oposio damos o nome de resistncia eltrica, que possui como unidade o ohm (), onde encontramos como mltiplos mais usuais: Kilo - ohm (K) Mega - ohm (M) Os resistores fixos so comumente especificados por trs parmetros: O valor nominal da resistncia eltrica; A tolerncia, ou seja, a mxima variao em porcentagem do valor nominal; Mxima potncia eltrica dissipada

Exemplo: Tomemos um resistor de 1000 +/- 5% - O,33W, isso significa que possui um valor nominal de 1000 , uma tolerncia sobre esse valor de mais ou menos 5% e pode dissipar uma potncia de no mximo 0,33 watts. 2.1 Tipos de Resistores Dentre os tipos de resistores fixos, destacamos os de: Fio; Filme de carbono; Filme metlico.

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2.1.1 Resistor de fio Consiste basicamente em um tubo cermico, que servir de suporte para enrolarmos um determinado comprimento de fio, de liga especial para obter-se o valor de resistncia desejado. Os terminais desse fio so conectados s braadeiras presas ao tubo. Os resistores de fio so encontrados com valores de resistncia de alguns ohms at alguns Kilo-ohms, e so aplicados onde se exige altos valores de potncia, acima de 5W, sendo suas especificaes impressas no prprio corpo. 2.1.2 Resistor de filme de Carbono Consiste em um cilindro de porcelana recoberto por um filme (pelcula) de carbono. O valor da resistncia obtido mediante a formao de um sulco, transformando a pelcula em uma fita helicoidal. Esse valor pode variar conforme a espessura do filme ou a largura da fita. Como revestimento, encontramos uma resina protetora sobre a qual ser impresso um cdigo de cores, identificando seu valor nominal e tolerncia.

Os resistores de filme de carbono so destinados ao uso geral e suas dimenses fsicas determinam a mxima potncia que pode dissipar. 2.1.3 Resistor de filme metlico Sua estrutura idntica ao de filme de carbono, somente que, utilizamos uma liga metlica (nquel-cromo) para formarmos a pelcula, obtendo valores mais precisos de resistncia com tolerncias de 1 % e 2%.

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2.2

Cdigo de Cores para Resistores Os resistores so fabricados com valores que vo de alguns miliohms at cerca de 1 gigaohm. Porm, somente alguns valores limitados esto disponveis, pertencentes s sries de valores preferenciais da norma IEC 60 063 (International Electrotechnical Comission). Essas sries so chamadas E6, E12, E24, E96 e E192. O nmero da srie indica quantos valores padres existem entre 10 e 100, por exemplo. Assim, na srie E12 h 12 valores disponveis entre 10 e 100, que so 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68 e 82. Na srie E24 h todos os valores da srie E12 mais 11, 13, 16, 20, 24, 30, 36, 43, 51, 62, 75 e 91. Dessa forma, so fabricados mltiplos de 10 dos valores padres. Por exemplo, existem comercialmente resistores de resistncias 0,47, 4,7, 47, 470, 4,7 k, 47 k, 470 k, 4,7 M, 47 M e 470 M. Isso vale para os demais valores das sries. Lembrando da disciplina de ELETRICIDADE BSICA, o cdigo de cores a conveno utilizada para identificao de resistores de uso geral. Compreende as sries E6, E12 e E24 da norma internacional IEC.

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Cores
Prata Ouro Preto Marrom Vermelho Laranja Amarelo Verde Azul Violeta Cinza Branco

1 anel
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

2 anel
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

3 anel Multiplicador
0,01 0,1 1 10 100 1 000 10 000 100 000 1 000 000 10 000 000 -

4 anel Tolerncia
10% 5% 1% 2% 3% 4% -

1 digito 2digito

Para resistores de preciso, temos cinco faixas. O cdigo o mesmo. Ento, para o exemplo da figura abaixo, a leitura ser de 4.730 , ou 4K73, com 1% de preciso.

2.3

Resistores SMD Existem resistores que so montados de uma forma diferente sobre a placa de circuito impresso, chamados resistores SMD (Surface Mounted Device), como os mostrados na figura ao lado.

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A leitura indicada no corpo atravs de um nmero. O terceiro algarismo o nmero de zeros a serem acrescentados aos primeiros, como mostra a figura abaixo:

2.4

Resistncias Variveis Uma resistncia varivel composta por uma pista com uma resistncia fixa e um cursor que pode ser deslocado de modo a efetuar contato com qualquer parte da pista. O formato da pista pode ser deslizante ou rotativo.

Uma resistncia varivel pode ser utilizada para fornecer uma tenso varivel. Para tanto, aplica-se uma tenso constante aos terminais da pista fixa. O cursor permite obter uma tenso varivel no ponto de contato com a pista. Se utilizarmos a resistncia varivel desta forma, adota-se o nome de potencimetro. Se a resistncia varivel no possuir eixo, chamamo-na de trimpot.

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Se aplicarmos uma tenso de polaridade dupla, a amplitude e polaridade da tenso de sada ir depender da direo do movimento do cursor a partir de sua posio central, conforme a figura abaixo.

2.5

Outros tipos de resistores Potencimetros multivoltas: tem o corpo comprido e um eixo tipo semfim. Girando este eixo, ele varia a resistncia bem devagar. usado em circuitos onde o ajuste de resistncia deve ser bem preciso.

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Varistor: resistor especial que diminui sua resistncia quando a tenso nos seus terminais aumenta. usado na entrada de fra de alguns aparelhos, prontegendo-os de um aumento de tenso da rede eltrica. Quando a tenso nos terminais ultrapassa o limite do componente, ele entra em curto, queima o fusvel e desliga o aparelho.

Termistor: resistor que varia a resistncia com a temperatura. Iremos ver com mais detalhes no ltimo captulo desta apostila. Barra de resistores: so vrios resistores interligados dentro de uma nica pea, tendo um terminal comum para todos. usado em circuitos que requerem economia de espao. Tambm pode ser chamado de resistor package.

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3 - Capacitores
3.1 Princpio de funcionamento O capacitor formado por duas placas condutoras, separadas por um isolante chamado dieltrico. As placas servem para armazenar cargas eltricas e o tipo de dieltrico caracteriza o tipo de capacitor. Aplicando tenso nos terminais do capacitor, ele armazena cargas eltricas (negativas numa placa e positivas na outra). Enquanto o capacitor est carregando, passa uma corrente no circuito chamado do de corrente de carga. Quando o capacitor j est carregado no circula mais corrente. Para descarregar o capacitor, basta ligar um terminal no outro e a corrente que passa chama-se corrente de descarga.

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3.2

Tipos de Capacitores

3.2.1 Capacitores Eletrolticos Estes tipos possuem alta capacitncia (valor) e so polarizados. Eles vm com o valor indicado em microfarad (F). So usados em filtros ou acoplamento em circuitos de baixa frequncia ou em circuitos temporizadores. De acordo com a posio dos terminais do capacitor eletroltico, podemos classific-lo em radial ou axial. Possuem uma faixa no corpo que na maioria dos casos indica o plo negativo dele. 3.2.2 Capacitores de Tntalo Capacitores de tntalo so capacitores eletrolticos que usam um material chamado de tntalo para os eletrodos. Grandes valores der capacitncia similares ao de alumnio podem ser obtidas. Capacitores de tntalo so superiores ao de alumnio no que se refere temperatura e freqncia de operao. Usualmente o smbolo "+" usado para indicar o plo positivo. Capacitores de tntalo so um pouco mais caro que os de alumnio. So usados em circuitos que precisam que o valor da capacitncia seja constante com a temperatura e freqncia 3.2.3 Capacitores de Polister formado internamente por uma tirinha de polister enrolada com duas tirinhas de papel metlico. Estes capacitores possuem valor mdio, geralmente entre 1 nanofaraf (nF ou kpF) a 2,2 microfarad (F). No tem polaridade e so usados nos circuitos que trabalham em frequncias mais altas. Antigamente estes capacitores possuiam anis coloridos no corpo, sendo chamados de "zebrinha". Hoje em dia este tipo no mais usado.

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3.2.4 Capacitores de Cermica Possuem internamente um lmina de cermica. So usados em circuitos que trabalham com altas frequncias. A maioria dos capacitores de cermica usados nos aparelhos eletrnicos possuem baixa capacitncia (menos de 10 nF).

3.3

Leitura da Capacitncia

3.3.1 Tenso de Trabalho a mxima tenso que o capacitor pode receber nos seus terminais sem estourar. No circuito o capacitor sempre trabalha com uma tenso menor que a indicada no corpo dele. Na troca de um capacitor, sempre o faa por outro com a mesma tenso ou com tenso superior. 3.3.2 Identificao no capacitor cermico Os capacitores cermicos, apresentam impressos no prprio corpo, um conjunto de trs algarismos e uma letra. Para se obter o valor do capacitor, os dois primeiros algarismos, representam os dois primeiros digitos do valor do capacitor e o terceiro algarismo (algarismo multiplicador), representa o nmero de zeros direita, a letra representa a tolerncia (podendo ser omitida)do capacitor (faixa de valores em que a capacitncia variar)para os capacitores cermicos at 10pF expressa em pF os acima de 10pF expressa em porcentagem. O valor expresso em pF. Por exemplo um capacitor com 224F impresso no prprio corpo, possuir uma capacitncia de 220000pF com uma tolerncia de +/- 1% (seu valor pode ser um porcento a mais ou a menos desse valor.) Tolerncia: At 10pF B=0,10pF C=0,25pF D=0,50pF F=1pF G=2pF Acima de 10pF F=1% G=2% H=3% J=5% K=10%

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3.3.3 Identificao do valor no capacitor de polister Para a identificao dos valores do capacitor de polister usado um conjunto de 5 faixas coloridas (zebrinha), embora seja um mtodo em desuso pelos fabricantes, no qual cada faixa representar respectivamente: primeiro algarismo,segundo algarismo, algarismo multiplicador, tolerncia e tenso. O valor obtido em pF.

Variao por temperatura Agora, um pouco sobre coeficiente de temperatura "TC", que define a variao da capacitncia dentro de uma determinada faixa de temperatura. O "TC" normalmente expresso em % ou ppm/C ( partes por milho / C ). usado uma seqncia de letras ou letras e nmeros para representar os coeficientes. Observe o desenho abaixo.

Os capacitores acima so de coeficiente de temperatura linear e definido, com alta estabilidade de capacitncia e perdas mnimas, sendo recomendados para aplicao em circuitos ressonantes, filtros, compensao de temperatura e acoplamento e filtragem em circuitos de RF. Na tabela abaixo esto mais alguns coeficientes de temperatura e as tolerncias que so muito utilizadas por diversos fabricantes de capacitores.

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MINISTRIO DA EDUCAO SECRETARIA DE EDUCAO MDIA E TECNOLGICA CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE SANTA CATARINA UNIDADE DE ENSINO DE ARARANGU Cdigo Coeficiente de temperatura NPO N075 N150 N220 N330 N470 N750 N1500 N2200 N3300 N4700 N5250 P100 -0 -75 -150 -220 -330 -470 30ppm/C 30ppm/C 30ppm/C 60ppm/C 60ppm/C 60ppm/C

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-750 120ppm/C -1500 250ppm/C -2200 500ppm/C -3300 500ppm/C -4700 1000ppm/C -5250 1000ppm/C +100 30ppm/C

Outra forma de representar coeficientes de temperatura mostrado abaixo. usada em capacitores que se caracterizam pela alta capacitncia por unidade de volume (dimenses reduzidas) devido a alta constante dieltrica sendo recomendados para aplicao em desacoplamentos, acoplamentos e supresso de interferncias em baixas tenses.

Os coeficientes so tambm representados com seqncias de letras e nmeros como por exemplo: X7R, Y5F e Z5U. Para um capacitor Z5U, a faixa de operao de +10C que significa "Temperatura Mnima" e +85C que significa "Temperatura Mxima" e uma variao de "Mxima de capacitncia", dentro desses limites de temperatura, que no ultrapassa -56%, +22%.

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Temperatura Mnima

Temperatura Mxima

Variao Mxima de Capacitncia A 1.0% B 1.5% C 2.2% D 3.3% E 4.7% F 7.5% P 10% R 15% S 22% T -33%, +22% U -56%, +22% V -82%, +22%

X Y Z

-55C -30C +10C

2 4 5 6 7

+45C +65C +85C +105C +125C

3.4

Capacitores variveis H dois tipos distintos de capacitores variveis, cujas capacitncias podem ser mudadas intencionalmente e repetidamente ao longo da vida do dispositivo: Aqueles que usam uma construo mecnica para mudar a distncia entre as placas, ou a superfcie da rea das placas superpostas. Esses dispositivos so chamados capacitores de sintonia, ou simplesmente "capacitores variveis", e so usados em equipamentos de telecomunicao para sintonia e controle de freqncias.Neste tipo de capacitor o elemento dieltrico o prprio ar. Aqueles que usam o fato de que a espessura da camada de depleo de um diodo varia com a tenso da corrente contnua atravessando o diodo. Esses diodos so chamados de diodos de capacitncia varivel, varactores ou varicaps. Qualquer diodo exibe esse efeito, mas dispositivos vendidos especificamente como varactores tm uma rea de juno grande e um perfil de dopagem especificamente dimensionado para maximizar a capacitncia.

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Em um capacitor microfone (comumente conhecido como um microfone condensador), o diafragma age como uma placa do capacitor, e as vibraes produzem alteraes na distncia entre o diafragma e uma placa fixa, alterando a tenso entre as placas. 3.5 Simbologia de Capacitores

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3.6

Carga e descarga de capacitor Observando o circuito abaixo, nota-se que se a chave S for posicionada na posio 1, inicia-se o processo de carga do capacitor C, assim a tenso Vc atingir o limite da tenso V, onde neste ponto VVc.

O tempo deste processo definido pela equao = R C , chamada de constante de tempo, que diretamente proporcional ao valor de capacitncia e ao valor de resistncia. Para calcularmos o valor de tenso no capacitor Vc em um determinado instante do processo de carga temos, onde:
t VC = V 1 e

Vc = tenso do capacitor V = tenso da fonte t = instante analisado = constante de tempo RC e = constante matemtica de Euler (2,718) Para o processo de descarga, chave S na posio 2, o preceito terico o mesmo do processo de carga, sendo a equao que define a Vc em um determinado instante :

VC = VMAX e

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onde Vmax a tenso existente no capacitor C. Aproximadamente o capacitor se carrega ou descarrega na com 2/3 da tenso total na primeira constante de tempo e, se carrega ou descarrega totalmente aps 5 constantes de tempo.

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4 - Indutores
Um indutor um dispositivo eltrico passivo que armazena energia na forma de campo magntico, normalmente combinando o efeito de vrios loops da corrente eltrica. O indutor pode ser utilizado em circuitos como um filtro passa baixa, rejeitando as altas freqncias.

4.1

Construo Um indutor geralmente construdo como uma bobina de material condutor, por exemplo, fio de cobre. Um ncleo de material ferromagntico aumenta a indutncia concentrando as linhas de fora de campo magntico que fluem pelo interior das espiras. Indutores podem ser construdos em circuitos integrados utilizando o mesmo processo que usados em chips de computador. Nesses casos, normalmente o alumnio utilizado como material condutor. Porm, raro a construo de indutores em CI's; eles so volumosos em uma pequena escala, e praticamente restritos, sendo muito mais comum o uso de um circuito chamado "gyrator", que utiliza um capacitor comportando-se como se fosse um indutor. Pequenos indutores usados para freqncias muito altas so algumas vezes feitos com um fio passando atravs de um cilindro de ferrite.

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4.2

Funcionamento de um indutor Para entender como um indutor se comporta em um circuito, a figura til:

O que voc observa na ilustrao uma bateria, uma lmpada, uma bobina de fio em volta de um ncleo de ferro (amarelo) e um interruptor. A bobina de fio um indutor. Se tirasse o indutor do circuito, teria uma lanterna comum. Voc fecha o interruptor e a lmpada se acende. Com o indutor, o comportamento completamente diferente. A lmpada um resistor - a resistncia cria calor para fazer o filamento na lmpada brilhar. O fio na bobina tem muito menos resistncia. Ento, o que voc espera quando liga o interruptor que a lmpada brilhe muito fracamente. A corrente deveria seguir o caminho de baixa resistncia, atravs do indutor. Mas o que acontece que quando voc liga o interruptor, a lmpada brilha intensamente e, na seqncia, fica mais fraca. Quando desliga o interruptor, a lmpada brilha com intensidade e, ento, desliga rapidamente. A razo para esse comportamento estranho o indutor. Quando a corrente comea a fluir pela bobina, esta tende a estabelecer um campo magntico. Enquanto o campo estabelecido, a bobina inibe o fluxo da corrente. Uma vez que o campo esteja estabelecido, a corrente pode fluir normalmente atravs do fio. Quando o interruptor desligado, o campo magntico da bobina mantm a corrente fluindo at que o campo seja nulo. Essa corrente mantm a lmpada acesa por um perodo de tempo, mesmo que o interruptor esteja desligado. Em outras palavras, um indutor pode armazenar energia no seu campo magntico e tende a resistir a qualquer mudana na quantidade de corrente que flui atravs dele.

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Uma das maneiras de visualizar a ao de um indutor imaginar um canal estreito com gua fluindo por ele e uma roda hidrulica pesada com suas ps imergindo no canal. Imagine que, inicialmente, a gua no est fluindo. Agora tente iniciar o fluxo. As ps da roda tendero impedir o fluxo, at elas alcanarem a velocidade da gua. No entanto, se tentar impedir o fluxo de gua, a roda tentar manter a gua se movendo at a sua velocidade de rotao diminuir e atingir a velocidade da gua. Um indutor faz a mesma coisa com o fluxo de eltrons em um fio: resiste mudana no fluxo dos eltrons.

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4.3

Simbologia de Indutores

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5 - Transformadores de baixa corrente


a. b. c. d. e. Funo e Teoria bsica. Tipos e aspectos. Construo. Aplicaes. Teste de funcionamento.

Dispositivo capaz de converter uma dada tenso alternada, de valor e intensidade determinada, em outra tenso alternada, de valor e intensidade de correntes diferentes, mantendo constante a potncia. Quando uma corrente passa atravs de um condutor, forma-se um campo magntico ao redor do mesmo. Se for usada corrente alternada, o campo magntico surge, aumenta e diminui de intensidade, reduz-se a zero, para depois se estabelecer no sentido oposto e desaparecer novamente, para cada ciclo da corrente aplicada. Assim outro condutor colocado nesse campo magntico varivel ter uma tenso induzida em si mesmo. Os 2 condutores so enrolados em bobinas e colocados prximos um ao outro, de maneira que uma bobina seja cortada pelas linhas de fluxo magntico da outra. Assim, transfere-se energia de um circuito para outro, embora os 2 circuitos estejam eletricamente isolados.

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A bobina em que aplicada a tenso alternada chamada de enrolamento primrio e a corrente nesse enrolamento denominada corrente primria. A bobina que sofre a induo chamada de enrolamento secundrio e a corrente induzida de corrente secundria. Se o campo magntico produzido pelo primrio constante, sobre o enrolamento secundrio no ser induzida nenhuma tenso. A tenso induzida proporcional velocidade de variao do fluxo magntico provocado pela tenso aplicada no enrolamento primrio, tendo por isso a mesma freqncia. Tanto a intensidade da corrente quanto a tenso no secundrio podem ser maiores ou menores em relao ao primrio, dependendo da relao de espiras entre as duas bobinas e da espessura dos condutores utilizados nos enrolamentos. Evidentemente, a potncia de entrada e de sada do transformador mantm-se constante se forem desprezadas as perdas. O funcionamento do transformador depende do nmero de espiras do enrolamento primrio e do secundrio.

A razo entre a tenso de sada no secundrio e a tenso de entrada do primrio igual razo entre o nmero de espiras das duas bobinas. Esta relao chamada de relao de tenso.

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N1 U 1 = N2 U2
Se desprezarmos as perdas no transformador, a potncia no secundrio ser igual do primrio. Portanto, no transformador ideal, a relao de potncias igual a 1. Embora o transformador possa aumentar uma tenso, ele no pode aumentar uma potncia, pois no se pode tirar mais potncias do secundrio do que colocamos no primrio. Portanto, quando o transformador aumenta uma tenso, ele reduz a corrente, de maneira que a potncia na sada seja sempre igual de entrada. Esta relao chamada de relao de correntes.

P1 = P 2 U 1 I1 = U 2 I 2 U1 I 2 = U 2 I1

N1 I 2 = N 2 I1
Onde: N1 = nmero de espiras no primario N2 = nmero de espiras no secundario U1 = tenso no primario U2 = tenso no secundario I1 = corrente no primario I2 = corrente no secundario P1 = potncia do primario P2 = potncia do secundario

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Portanto pode-se perceber que em um trafo elevador de tenso a corrente no secundrio menor que no primrio, isto , o nmero de espiras do secundrio deve ser menor que a do primrio; no entanto para o trafo abaixador de tenso, a corrente no secundrio maior que a do primrio, isto , o nmero de espiras do secundrio deve ser maior que a do primrio. Podemos ter algumas configuraes de bobinas para conseguirmos diferentes transformaes de tenso, como mostra a figura abaixo.

5.1

Tipos de transformadores

5.1.1 Transformador de alimentao usado em fontes, convertendo a tenso da rede na necessria aos circuitos eletrnicos. Seu ncleo feito com chapas de aosilcio, que tem baixas perdas, em baixas freqncias, por isto muito eficiente. s vezes possuem blindagens, invlucros metlicos.

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5.1.2 Transformador de udio Usado em aparelhos de som a vlvula e certas configuraes a transistor, no acoplamento entre etapas amplificadoras e sada ao auto-falante. Geralmente semelhante ao t. de alimentao em forma e no ncleo de ao-silcio, embora tambm se use a ferrite. Sua resposta de freqncia dentro da faixa de udio, 20 a 20000 Hz, no perfeitamente plana, mesmo usando materiais de alta qualidade no ncleo, o que limita seu uso. 5.1.3 Transformador de distribuio Encontrado nos postes e entradas de fora em alta tenso (industriais), so de alta potncia e projetados para ter alta eficincia (da ordem de 99%), de modo a minimizar o desperdcio de energia e o calor gerado. Possui refrigerao a leo, que circula pelo ncleo dentro de uma carapaa metlica com grande rea de contato com o ar exterior. Seu ncleo tambm com chapas de aosilcio, e pode ser monofsico ou trifsico (trs pares de enrolamentos). 5.1.4 Transformadores de potencial Encontra-se nas cabines de entrada de energia, fornecendo a tenso secundria de 220V, em geral, para alimentar os dispositivos de controle da cabine - reles de mnima e mxima tenso (que desarmam o disjuntor fora destes limites), iluminao e medio. A tenso de primrio alta, 13.8Kv ou maior. O ncleo de chapas de ao-slicio, envolvido por blindagem metlica, com terminais de alta tenso afastados por cones salientes, adaptados a ligao s cabines. Podem ser mono ou trifsicos. 5.1.5 Transformador de corrente Usado na medio de corrente, em cabines e painis de controle de mquinas e motores. Consiste num anel circular ou quadrado, com ncleo de chapas de ao-slicio e enrolamento com poucas espiras, que se instala passando o cabo dentro do furo, este atua como o primrio. A corrente medida por um ampermetro ligado ao secundrio (terminais

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do TC). especificado pela relao de transformao de corrente, com a do medidor sendo padronizada em 5A, variando apenas a escala de leitura e o nmero de espiras do TC. 5.1.6 Transformador de RF Empregam-se em circuitos de rdio-frequncia (RF, acima de 30kHz), no acoplamento entre etapas dos circuitos de rdio e TV. Sua potncia em geral baixa, e os enrolamentos tm poucas espiras. O ncleo de ferrite, material sinttico composto de xido de ferro, nquel, zinco, cobalto e magnsio em p, aglutinados por um plastificante. Esta se caracteriza por ter alta permeabilidade, que se mantm em altas freqncias (o que no acontece com chapas de ao-slicio). Costumam ter blindagem de alumnio, para dispersar interferncias, inclusive de outras partes do circuito. 5.1.7 Transformadores de pulso So usados no acoplamento, isolando o circuito de controle, de baixa tenso e potncia, dos tiristores, chaves semicondutores, alm de isolarem um tiristor de outro (vrios secundrios). Tm ncleo de ferrite e invlucro plstico, em geral.

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6 - Materiais semicondutores
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que participa das reaes qumicas 6.1 Classificao dos materiais quanto condutibilidade eltrica Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais: 6.1.1 Materiais condutores So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre.

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6.1.2 Materiais isolantes So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) compostas (borracha, mica, baquelita, etc.). 6.1.3 Materiais semicondutores Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos o germnio e silcio. Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Seu emprego importante na fabricao de componentes eletrnicos tais como diodos, transstores e outros de diversos graus de complexidade tecnolgica, microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. Portanto atualmente o elemento semicondutor primordial na indstria eletrnica e confeco de seus componentes. 6.2 Dopagem A capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do nmero de eltrons de valncia. A combinao s possvel quando este menor que 8. Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam, pois so estveis e inertes. Consideramos agora o silcio, que o semicondutor mais usado e tem 4 eltrons de valncia. com substncias

No estado puro cada, par de eltrons de tomos distintos formam a chamada ligao covalente, de forma que cada tomo fique no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa. O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme Fig 5. Na realidade tridimensional. Est assim mostrada por uma questo de simplicidade.
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O material continua um semicondutor. Entretanto, quando certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas. Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo.

Eltron em excesso

O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo n. Notar que o material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o mesmo nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo.

Buraco

Uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo) adicionada. Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos portadores (buracos). Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial, ou camada de depleo.

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Lembrar que, no estado normal, o semicondutor eletricamente neutro pois os tomos tanto do semicondutor quanto da impureza tm iguais nmeros de eltrons e prtons. Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e os buracos na parte P.

Se um potencial externo V > Vo for aplicado, o potencial de barreira ser quebrado e a corrente elevada pois existem muitos eltrons em N. Dizse ento que a juno est diretamente polarizada.

No caso de inversamente polarizada, o potencial de barreira ser aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser pequena.

Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.

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7 - Diodo
7.1 Introduo A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

7.2

Polarizao Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com o material tipo n.

7.2.1 Polarizao direta No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.

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7.2.2 Polarizao reversa Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente. No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma camada para outra. 7.3 Curva caracterstica A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo. Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V). O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena, (chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente.

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Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 - PMAX = 250mW 1N4001 - IMAX = 1A Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W)

7.4

Anlise de circuitos com diodos Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos. 1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)

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Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave aberta.

2 APROXIMAO Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir. Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.

3 APROXIMAO Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

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7.5

Retificao

7.5.1 Meia onda O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (U2) ca numa tenso pulsante positiva UR. Este processo de converso de ca para cc, conhecido como retificao de meia onda.

O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga. Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na figura ao lado. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo porque s o semiciclo positivo aproveitado na retificao. A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por: VCC = 0.318 UP diodo ideal

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VCC = 0.318 (UP - V) diodo 2 aproximao 7.5.2 Onda completa

A figura acima mostra um retificador de onda completa. Observe a tomada central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tenso do secundrio. As duas tenses denominadas de U2/2 so idnticas em amplitude e fase. O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas, como mostra a figura direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede. Quando U2/2 positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz mas D2 est reversamente polarizado e cortado. Analogamente, quando U2/2 negativa, D2 conduz e D1 cortado. A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro similar o do retificador de meia onda com a observao de que agora tem-se um ciclo completo e o valor ser o dobro. dado por: VCC = 2*0.318 (UP/2) = 0,318UP diodo ideal Eq. 1-12 VCC = 0.636 (UP/2 - V) diodo 2 aproximao Eq. 1-13

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7.5.3 Onda completa em ponte Na figura abaixo mostrado um retificador de onda completa em ponte. Com o uso de quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador.

Durante o semiciclo positivo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem, D1 e D4 ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2.

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Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizado. A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso UR sempre positiva.

7.5.4 Retificao com filtro A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante. Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto a tenso de uma bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso retificada na carga, torna-se necessrio o uso de filtro. O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores o filtro com capacitor mostrado abaixo. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga. Para o entendimento do funcionamento do filtro supor o diodo como ideal e que, antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico UP.

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Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma chave aberta. Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP. Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo fica reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A idia do filtro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo do sinal de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir e seja igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio atingir o valor de pico UP. O intervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de conduo do diodo. Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado novamente at UP . Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ngulo de conduo de 180.

A tenso na carga agora uma tenso cc mais estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao (Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Naturalmente, quanto menor a ondulao, melhor. Uma forma de reduzir a ondulao aumentar a constante de tempo de descarga (R.C). Na prtica aumentar o valor do capacitor. Outra forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um retificador de onda completa, no qual a freqncia de ondulao o dobro do meia onda. Neste caso carregado duas vezes a cada ciclo da tenso de entrada e descarrega-se s durante a metade do tempo de um meia onda. Pode-se relacionar a tenso de ondulao na seguinte frmula:

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U OND =
onde: UOND = tenso de ondulao pico a pico I = corrente cc na carga f = freqncia de ondulao C = capacitncia

I fC

A escolha de um capacitor de filtro, depende, ento, do valor da tenso de ondulao. Quanto menor, melhor. Mas no vivel que a tenso de ondulao seja zero. Como regra de projeto, o habitual escolher a tenso de ondulao como sendo 10% da tenso de pico do sinal a ser retificado. 7.6 Diodos especiais

7.6.1 Diodo emissor de luz (LED) O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.

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A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resistor limitador de corrente. O LED esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED :

ID =

VS VD R

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA. 7.6.2 Fotodiodo um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa. Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo. 7.6.3 Diodo Zener O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura. Abaixo mostrado a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

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O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Mas ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura. A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura). Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador de corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta de carga.

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8 - Transistor Bipolar
8.1 Introduo Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio amplifica-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao as vlvulas, para realizar as funes de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvolvimento da eletrnica foi imenso. Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.

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8.2

Construo fsica do transistor bipolar

O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo de PNP. Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor base (ou s emissor) e o da direita de coletor - base (ou s coletor). Ser analisado o funcionamento do transistor NPN. A anlise do transistor PNP similar ao do NPN, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas se comparadas com o NPN. A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C.

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Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A figura abaixo mostra as camadas de depleo nas junes do transistor NPN. 8.3 Polarizao Para o entendimento da polarizao, iremos adotar como anlise o transistor NPN. As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente. 8.3.1 Direta Na figura abaixo, a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes.

8.3.2 Reversa Na figura abaixo, os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corrente eltrica circulando pequena (corrente de fuga).

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8.3.3 Direta-reversa Na figura abaixo o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes so altas.

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base pouco dopada. Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno basecoletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2. Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo da bateria B2, considerando a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor base (VBE).

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No transistor PNP as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres. O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor PNP. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo NPN. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com transistores NPN. A figura abaixo mostra o smbolo esquemtico para um transistor PNP e NPN. A diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE.

A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a soma das que saem. Ento: IE = IC + IB A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada de ganho de corrente CC :

CC =

IC IB
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Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um transistor indica a relao entre a corrente de emissor e coletor:

CC

IC IE

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o cc. Pode-se relacionar o cc com o CC :

8.4

CC

CC (1 CC )

CC =

CC (1 + CC )

Configuraes Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum (BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.

8.4.1 Base comum No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base.

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CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): < 1 Ganho de tenso (GV): elevado Resistncia de entrada (RIN): baixa Resistncia de sada (ROUT): alta

Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais alternados. 8.4.2 Emissor comum No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

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CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV) elevado Resistncia de entrada (RIN) mdia Resistncia de sada (ROUT) alta

8.4.3 Coletor comum A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.

CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV): 1 Resistncia de muito elevada Resistncia muito baixa de entrada sada (RIN): (ROUT):

A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor). O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

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As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:

8.4.4 Representao de tenses e correntes Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-se usualmente o mtodo convencional (do + para o -), atravs de setas. Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses. Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE quando o transistor for NPN. Isto significa que o coletor mais positivo do que o emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor). Para um transistor PNP a tenso entre coletor e emissor representada por VEC, indicando que o emissor mais positivo do que o coletor. A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa representao.

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Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes; observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que indicam as tenses.

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais positiva do que na parte inferior. 8.4.5 Polarizao com uma nica fonte Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias, sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-coletor. Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado. As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizandose as leis de Kirchhoff para tenso (LKT). Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.

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A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao. Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes: 1. 2. 3. 4. 5. 6. VCC - VRC - VCE - VRE = 0 VCE -VBE - VCB = 0 VCC - VRB1 - VRB2 = 0 VRB1 - VRC - VCB = 0 VRB2 - VBE - VRE = 0 VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos: 1. 2. 8.5 IB = I1 - I2 I1 = I2 + IB

Curvas Caractersticas As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.

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De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa. A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos. A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala. 8.5.1 Emissor Comum

A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde I B = 0. A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor. A regio til delimitada pela curva de potncia mxima e onde o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima potncia permitida.

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8.5.2 Base Comum

Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a corrente de emissor controla a corrente de coletor, enquanto que na curva caracterstica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla a corrente de coletor. 8.5.3 Coletor comum

Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em coletor comum, onde a corrente de base controla a corrente de emissor.

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8.6

Identificao de terminais e polaridade Mea as resistncias direta e reversa entre os terminais do transistor, dois a dois, at que um par resulte em resistncias ALTAS nos dois sentidos, o terminal que no fizer parte desta ltima medida a base. A base no , necessariamente, o terminal central do transistor. Mea as resistncias diretas entre a base e os dois outros terminais. Tais medidas identificaro a polaridade do transistor, sendo NPN se a resistncia direta for medida com a ponta de prova positiva (+) na base, e PNP se a resistncia direta for medida com a ponta de prova negativa (-) na base.

A identificao do coletor e do emissor feita pela comparao entre as medidas das resistncias diretas (BAIXAS). As figuras abaixo mostram como a polaridade do transistor e os terminais coletor e emissor podem ser identificados, considerando como exemplo o terminal central como base. A resistncia BAIXA de menor valor identifica o emissor por causa da variao de dopagem entre ele e o coletor. A diferena entre as resistncias BAIXAS de menor e de maior valores no grande; portanto, essas medidas devem ser realizadas com cuidado.

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9 - Tiristor
So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, chaveando grandes cargas, como motores, eletroims, aquecedores, convertendo CA em CC, CC em CA e gerando pulsos de controle para outros tiristores. O nome tiristor proveniente do ingls THYRISTOR (thyratron + transistor, onde o thyratron um retificador a gs usado antigamente). 9.1 SCR O SCR (Silicon Controlled Rectifier) um componente eletrnico semicondutor que trabalha de forma semelhante a um diodo, ou seja, permite a passagem da corrente em um nico sentido, mas no incio de sua conduo regulado por um eletrodo especial, que recebe o nome de gate (porta). O gate, atravs de um impulso eltrico, permite ento a conduo do SCR. A aplicao principal do SCR est no chaveamento eletrnico, onde as tenses de bloqueio e controle de corrente de um transistor no so suficientes.

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O SCR formado por uma estrutura de 4 regies semicondutoras PNPN. Se dividirmos essa estrutura em duas partes, veremos que cada uma delas forma um transistor. A regio que fica junto ao catodo o gate (porta) que tem a funo de levar o dispositivo conduo. Como essas regies so divididas em duas partes formando cada uma delas um transistor, observamos que temos um transistor PNP que constitudo pelo anodo e suas regies contguas e um outro transistor NPN, que constitudo pelo catodo e as duas regies acima dele.

O circuito assim obtido forma uma estrutura fortemente realimentada, e dessa forma, qualquer sinal de corrente aplicado ao gate amplificado e sai pelo coletor do transistor NPN. O sinal ento aplicado base do PNP e amplificado novamente em seu coletor. Este coletor coincide com o terminal gate, fechando o ciclo de realimentao positiva. O crescimento muito rpido da corrente faz com que o dispositivo entre em saturao. Nestas condies temos entre o emissor do transistor PNP que coincide com o anodo e o emissor do transistor NPN que forma o catodo uma impedncia muito pequena. Dessa forma a entrada em conduo do SCR depende do sinal aplicado no gate. Uma vez em conduo, o sinal aplicado no gate perde o controle sobre a corrente que se forma entre o anodo e o catodo, uma vez que, a prpria realimentao interna mantm a conduo. Pode-se portanto, suprimir o sinal de gate sem influir de modo algum sobre a conduo do SCR. Para que o SCR entre em conduo necessrio que o anodo se torne mais positivo que o catodo.

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9.1.1 Modo simplificado de operao As junes formam 3 camadas que denominaremos de S1, S2 e S3, sendo representadas por diodos comuns, conforme ilustra a figura a seguir.

Analisaremos a seguir as condies de bloqueio e conduo das camadas S1 a S3, atravs da aplicao de tenso positiva no gate atravs da chave Sw. No circular corrente pelo circuito, mesmo com Sw acionada, pois S1 e S3 operam no bloqueio. Acionando-se Sw, S3 ser curtocircuitada e na camada de bloqueio S1 ocorrer total queda de tenso e a ao de bloqueio ainda continuam.

Com Sw aberta o tiristor estar bloqueado pois a seco de passagem S2 opera em bloqueio. Acionando-se Sw o bloqueio de S2 ser eliminado e o tiristor conduzir, circulando corrente pela carga.

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Nestas condies o tiristor comutou no sentido de conduo (teoricamente A-K), passando a corrente pela carga. Como vimos anteriormente, aps a conduo a tenso de gate pode ser removida, no entanto, para que as condies de conduo sejam mantidas torna-se necessrio uma pequena corrente de manuteno, que denominamos IH (holding current). Uma corrente abaixo de IH leva o SCR ou tiristor ao corte (condio de bloqueio).

9.1.2 Disparo por corrente de gate (IG)

Nestas condies IG3 > IG2 > IG1. Quando IG=0, a tenso aplicada deve atingir a tenso de disparo (break-over). Ao ser injetada uma corrente no gate, a tenso de disparo vai diminuindo, isto significa que se pode disparar o SCR (tiristor) com tenses menores do que a tenso de disparo, controlando o disparo pela corrente aplicada no gate. Para que o SCR continue conduzindo a corrente ID no poder ser reduzida abaixo de IH.

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9.1.3 Circuito chave CC

Inicialmente no haver corrente no SCR e na carga, pois teremos a condio de bloqueio. Fechando e abrindo Sw1, o SCR conduzir e teremos corrente na carga e no SCR. Fechando-se Sw2, cessar a corrente no SCR e somente haver corrente na carga. Abrindo-se Sw2, no haver corrente na carga e no SCR, pois voltar condio inicial (bloqueio). 9.1.4 Circuito de controle AC

Se mantivermos o SCR disparado (basta para isso comutar Sw1), somente os semiciclos positivos so conduzidos e aparecero na carga. No entanto, podemos aplicar um pulso de tenso no gate de tal forma a faz-lo conduzir apenas por alguns instantes. Observa-se que em virtude dos pulsos de disparo, o SCR comeou a conduzir depois de iniciado o semiciclo positivo da tenso da rede. Durante o semiciclo negativo o SCR no conduz. Com isto a tenso na carga ficou reduzida a pouco mais da metade do semiciclo positivo. Pode-se com isto reduzir a potncia desenvolvida na carga.

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O SCR pode ser usado tambm operar com um dispositivo de controle, que permite controlar a potncia desenvolvida na carga.

A tenso de disparo do SCR alcanada em funo do tempo de carga do capacitor C atravs do resistor R. Supondo que essa tenso seja alcanada logo no incio do semiciclo, o SCR dispara e conduz praticamente todo o semiciclo para a carga, que ento recebe a potncia mxima. Se o valor de R for grande, a constante de tempo aumentar e a tenso de disparo s alcanada no final do semiciclo, que corresponde a uma potncia menor ou mnima. Por outro lado, se mantivermos o SCR com seu gate continuamente polarizado por meio de uma fonte externa, o SCR disparar to logo tenhamos por volta de 2V entre o anodo e catodo, fazendo com que na carga aparea apenas os semiciclos positivos. A figura a seguir mostra a condio de disparo no final do semiciclo, onde a potncia desenvolvida na carga mnima.

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A figura a seguir mostra a condio de disparo no incio do semiciclo, onde a potncia desenvolvida na carga mxima.

Modificando-se o ngulo de disparo do semiciclo (incio, meio ou fim), controla-se a potncia desenvolvida na carga.

Como o ngulo de disparo pode ser controlado pela constante RC, se substituirmos R por um potencimetro, podemos variar a potncia na carga, como por exemplo, o controle de luminosidade de lmpadas incandescentes. O SCR atua como uma espcie de rel eletrnico, ligando e desligando uma carga a partir de pequenas correntes; o caso especfico do circuito controlador AC visto anteriormente, onde, mantendo a polarizao de gate fixa e aplicando-se AC entrada, na carga estaro presentes somente os semiciclos positivos. Lembrar que, com polarizao de gate externa, o SCR comear a conduzir quando entre anodo e catodo tivermos uma tenso de aproximadamente 2 volts.

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9.2

TRIAC O TRIAC um componente semicondutor que nasceu da necessidade de se dispor de um interruptor controlado, que apresentasse as caractersticas funcionais de um SCR, mas que permitisse o controle do ciclo completo da corrente alternada. A palavra TRIAC uma abreviao da denominao inglesa Triode AC que significa triodo para corrente alternada. Como o prprio nome indica, o componente dispe de trs eletrodos.

Sua estrutura compe-se de dois sistemas interruptores, sendo um PNPN e outro NPNP, ligados em paralelo. Seu circuito equivalente composto de dois SCRs complementares, ou seja, ligados em paralelo com polaridade invertida. Observa-se no desenho os dois eletrodos principais MT2 e MT1, que neste caso no so denominados anodo e catodo, pois trabalham com dupla polaridade na tenso alternada. As curvas caractersticas assemelham-se as dos SCRs exceto que o TRIAC conduz nos quadrantes I e III.

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9.2.1 Circuito com TRIAC Usa-se apenas em corrente alternada (AC), e sua forma clssica de disparo aplicando-se uma tenso positiva ou negativa no gate, o que permite fazer com que o mesmo dispare em qualquer dos semiciclos.

Existem 4 modos diferentes para disparo de um TRIAC, levando-se em conta que o referencial sempre o MT1. 1) Neste caso o terminal MT2 estar positivo em relao a MT1: tenso de gate positiva, provocando a entrada de corrente atravs deste terminal cujo sentido considerado positivo; 2) Neste caso o terminal MT2 estar positivo em relao a MT1: a corrente de gate sai do componente e neste caso temos uma tenso de gate negativa; 3) Neste caso o terminal MT2 estar negativo em relao a MT1: e a tenso de gate positiva, ou seja, com a corrente entrando no componente; 4) Neste caso o terminal MT2 estar negativo em relao a MT1: e a tenso de disparo ser atravs de um pulso negativo. Nas modalidades 1 e 4 obtm maior sensibilidade de disparo para o TRIAC em relao s outras possibilidades. Na modalidade 3 a sensibilidade decididamente menor e na modalidade 2 ainda mais reduzida. Na modalidade 2 somente dever ser utilizada em TRIACs concebidos especialmente para esse fim. A diferena mais importante entre o funcionamento de um TRIAC e de um SCR que o SCR somente conduzir pelo perodo de meio ciclo, quando for corretamente disparado, bloqueando-se quando a corrente muda de polaridade; no TRIAC essa conduo se d nos dois semiciclos e somente ocorrer o bloqueio quando a corrente passa pelo valor zero (ou muito prximo a ele).

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Isto implica numa pequena perda do ngulo de conduo, mas no acarreta problemas se a carga for resistiva, onde temos a corrente em fase com a tenso. No caso de cargas reativas enrolamento de um motor, por exemplo), preciso levar em conta no esquema do circuito que, no momento em que a corrente passa pelo zero, no coincide com a mesma situao da tenso aplicada. Isto acontece porque nesses momentos ocorre impulsos de tenso entre os dois terminais do TRIAC.

A figura a seguir ilustra uma maneira de contornar esse problema, bastando para isso, acrescentar em paralelo com o TRIAC um resistor e um capacitor ligados em srie, com valores tpicos da ordem de 100 e 100 nF respectivamente.

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10 - Componentes E speciais
10.1 JFET

Eletrnicos

Na figura abaixo, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de juno ou simplesmente JFET.

A conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S Source) para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.

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10.1.1 Polarizao de um JFET A figura abaixo mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal.

Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte simbolizada por VGS(Off) . 10.1.2 Curva caracterstica de dreno Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na figura abaixo, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da portafonte (V GS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFETs.

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Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento. 10.2 MOSFET O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa. 10.2.1 MOSFET de modo depleo A figura abaixo mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo.

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O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno. A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

A figura acima mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET. 10.2.2 MOSFET de modo crescimento O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos digitais.

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A figura abaixo mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo.

O substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. 10.3 Fototransistor Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela que permite a incidncia de a luz sobre a juno

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base-emissor, aumentando a condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor.

Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e, portanto, o transistor deixa ser aberto. 10.4 Fotodiodo Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no fototransistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que vezes maior que no fotodiodo. A maior sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma reduo na velocidade de chaveamento. 10.5 Acoplador tico Consiste de um LED prximo a um fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer variao em VS produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de entrada para o circuito de sada.

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A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos de entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada. 10.6 Termistor Termstor (ou termistor) so semicondutores sensveis temperatura. Conforme a curva caracterstica do termstor, o seu valor de resistncia pode diminuir ou aumentar em maior ou menor grau em uma determinada faixa de temperatura. Assim alguns podem servir de proteo contra sobreaquecimento, limitando a corrente eltrica quando determinada temperatura ultrapassada. Outra aplicao corrente, no caso a nvel industrial, a medio de temperatura (em motores por exemplo), pois podemos com o termstor obter uma variao de uma grandeza eltrica funo da temperatura a que este se encontra. Existem basicamente dois tipos de termstores. 10.6.1 NTC (do ingls Negative Temperature Coefficient) um termistor ou componente eletrnico semicondutor sensvel a temperatura, utilizado para controle, medio ou polarizao de circuitos eletrnicos. Possui um coeficiente de variao de resistncia que varia negativamente conforme a temperatura aumenta, ou seja, a sua resistncia eltrica diminui com o aumento da temperatura.

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10.6.2 PTC (do ingls Positive Temperature Coefficient) um termistor ou componente eletrnico semicondutor sensvel a temperatura. Utilizado para controle, medio ou polarizao de circuitos eletrnicos. Possui um coeficiente de variao de resistncia que varia positivamente conforme a temperatura aumenta, ou seja, a sua resistncia eltrica aumenta com o aumento da temperatura. 10.7 LDR LDR (do ingls Light Dependent Resistor ou em portugus Resistor Varivel Conforme Incidncia De Luz) um tipo de resistor cuja resistncia varia conforme a intensidade de radiao eletromagntica do espectro visvel que incide sobre ele. Um LDR um transdutor de entrada (sensor) que converte a (luz) em valores de resistncia. feito de sulfeto de cdmio (CdS) ou seleneto de cdmio (CdSe). Sua resistncia diminui quando a luz muito alta, e quando a luz baixa, a resistncia no LDR aumenta. Um multmetro pode ser usado para encontrar a resistncia na escurido ou na presena de luz intensa. Estes so os resultados tpicos para um LDR padro: Escurido : resistncia mxima, geralmente acima de 1M ohms.

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Luz muito brilhante : resistncia mnima, aproximadamente 100 ohms. Por muitos anos o LDR mais comum foi o ORP12, mas nos ltimos anos, o modelo NORP12 tem se tornado muito comum. O NORP12 possui um dimetro de aproximadamente 13mm. LDRs menores esto tambm disponves no mercado, existem tipos onde o dimetro de aproximadamente 5mm. Um LDR sensivel das faixas: Infravermelho(IR), Luz vizivel e Ultravioleta (UV) Um LDR pode ser soldado de maneira simples, nenhuma precauo especial requerida ao faz-lo. Apenas deve-se ficar atento com aquecimento excessivo, como com qualquer outro componente. O LDR muito frequentemente utilizado nas chamadas fotoclulas que controlam o acendimento de poste de iluminao e luzes em residencias. Tambem utilizado em sensores foto-eletricos assim como foto-diodos.

10.8 Varistor Um varistor ou VDR ( do ingls Voltage Dependent Resistor) um componente eletrnico cujo valor de resistncia eltrica uma funo da tenso aplicada nos seus terminais. Isto , a medida que a diferena de potencial sobre o varistor aumenta, sua resistncia diminui. Os VDRs so geralmente utilizados como elemento de proteo contra transientes de tenso em circuitos , tal como em filtros de linha. Assim eles montados em paralelo ao circuito que se deseja proteger, por apresentarem uma caracterstica de "limitador de tenso", impedindo que surtos de pequena durao cheguem ao circuito, e no caso de picos de tenso de maior durao, a alta corrente que circula pelo dispositivo faz com que o dispositivo de proteo (disjuntor ou fusvel), desarme, desconectando o circuito da fonte de alimentao. Atualmente, uma ampla variedade de composies so utilizadas para a obteno de varistores. Os varistores comercialmente mais usados ainda so a base de xido de zinco (ZnO), mas varistores de dixido de estanho (SnO2) e dixido de titnio (TiO2) possuem um grande potencial tecnolgico que ainda no foi utilizado. exatamente esse o objetivo das pesquisas que esto sendo realizadas no CMDMC-LIEC, que visam otimizar as propriedades dos varistores a base de SnO2, para utilizao em altas tenses, a base de (Sn,Ti)O2 e TiO2 para utilizao em baixas

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tenses, para que esses dispositivos possam em um futuro bem prximo substituir os varistores a base de ZnO.

A relao tenso-corrente de um varistor aproximadamente pela seguinte equao emprica:

pode

ser

dada

V = CI
Onde: V a tenso aplicada nos terminais do varistor, I a corrente que circula pelo componente, C (resistncia no-hmica) e (coeficiente de no-linearidade) Dessa relao, nota-se que quanto maior o valor de , maior ser a sua sensibilidade a variao de tenso.

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