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Laboratorio de Analogica III

Amplificador
BJT y FET

Practica 1
Amplificador JFET y Bipolar

Resumen es un antepasado de los transistores de hoy


en día, guarda aproximadamente la misma
En el presente trabajo se reportan los relación con el transistor que guarda la
resultados obtenidos en el diseño de un válvula de dos electrodos de Fleming con los
amplificador con transistores bipolares y jfet. tubos al vacío. La válvula de dos electrodos
En esta práctica se realizaron los cálculos de Fleming también llamada diodo de bulbo
necesarios para que el transistor trabajara en fue introducida por J. A. Flemming en 1904.
su región activa y además que la ganancia El tubo de galena y la válvula de Fleming se
que presentara a la salida con respecto de la usaron extensamente durante los primeros
entrada fuera igual a 30, posteriormente se tiempos de la radio (1890 a 1920),
corroboraron dichos cálculos mediante la empleándose como detectores de RF y
simulación, después de algunas correcciones rectificadores de AC.
se procedió a implementar los circuitos
El desarrollo del tubo al vacío y del transistor
correspondientes, una vez implementados
siguieron rutas aproximadamente paralelas.
dichos circuitos se realizaron las mediciones
El primer dispositivo de valor práctico en
pertinentes y con base a éstas se compararon
ambas familias fue la unidad bielectródica, o
los resultados teóricos con los prácticos.
diodo. Más tarde se trielectródicos (triodos).
Se da por hecho que el lector cuenta con un Estos, a su vez, fueron seguidos por un gran
nivel basico de Electrónica Analógica. grupo de dispositivos multielectródicos
creados con fines diversos. En la década de
1880 Thomas Alva Edison descubrió un
Introducción intrigante fenómeno mientras experimentaba
con la lampara incandescente; si colocaba un
En los albores de la comunicación, el receptor electrodo plaquiforme en el bulbo cerca del
empleaba un pequeño cristal de sulfuro de filamento y lo conectaba al lado positivo de la
plomo (galena) que en realidad era un fuente de alimentación de CC del filamento,
dispositivo de dos terminales, y de aquí el encontraba que fluía una pequeña corriente
nombre de diodo o receptor de galena, se entre la placa y su conexión hacia el
estableció un contacto eléctrico a través de filamento. Esta acción fue llamada efecto de
un alambre de extremo puntiagudo llamado Edison. Este fenómeno tuvo aplicación
bigote de gato mientras que el otro se cuando Fleming desarrolló su válvula en la
estableció a través del cuerpo del material. década de 1890. Esta válvula fue en realidad
El diodo de cristal tiene una característica el primer tubo al vacío. Alrededor de 1906,
alineal y ofrece una gran resistencia al flujo Lee De Forest añadió un tercer electrodo a
de electrones que pasa por él en una u otra este primer tubo al vacío, y al hacerlo inventó
dirección. Como resultado rectifica o detecta el triodo, al cual llamó audión. Este tercer
cualquier señal de corriente alterna que se filamento semejante a una rejilla era
aplica convirtiendo la CA en corriente susceptible de controlar el flujo de electrones
continua pulsante. que fluía del cátodo a la placa, el triodo podía
usarse para amplificar al igual que para
En cierto modo el detector de galena, que detectar señales eléctricas. Los tubos al vacío
precedió por muchos años al tubo al vacío y se multiplicaron rápidamente y en poco

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tiempo había tubos de tamaños, estilos, y radioreceptores, televisores, fonógrafos, y


variedades diferentes desde tamaños todo tipo de equipos de control.
pequeños como el de un cigarrillo hasta los
La primera aplicación a escala del transistor
enormes tubos de potencia del tamaño de un
se produjo en aparatos compactos de ayuda
hombre.
acústica (para sordos). Pocos años más tarde
Fue hasta 1948 que los señores Shockely, la Regency División of I.D.E.A., Inc., de
Bardeen y Brattaain de los laboratorios de la Indianapolis, Indiana, lanzó al comercio su
Bell Telephone Company inventaron un famoso radio de bolsillo TR-1 primer radio
dispositivo de estado sólido capaz de totalmente transistorizado que se fabricó
amplificar y de detectar una señal eléctrica. comercialmente.
Este dispositivo consistía en una poción de
Al bajar los precios y mejorar las técnicas de
metal cristalino que establecía el debido
fabricación se uso el transistor en otros
contacto físico, con contactos eléctricos
receptores, radios para automóviles, en
adicionales establecidos por medio de bigotes
televisores y en todo tipo de instrumentos y
de gato muy finos. En este caso, sin embargo
controles.
se usaban dos bigotes situados uno muy
próximo al otro. Hoy en día existen un sin numero de aparatos
electrónicos que emplean el transistor en sus
Físicamente, este amplificador sólido consistía
circuitos, también existe una gran cantidad y
de un pequeño tubo de latón con un enchufe
variedad de transistores.
metálico cerca de un extremo y un enchufe
aislador situado aproximadamente a la mitad A pesar del papel protagonista del transistor,
de su longitud. Fijado al enchufe metálico puede ser que este desaparezca como tal
había un pequeño bloque rectangular de debido a los procedimientos de integración, y
aleación de germanio cristalino de por si fuera poco el gran avance de la
aproximadamente 1/20 de pulgada cuadrada, digitación, que dentro de poco evitara los
con un grosor de 1/50 de pulgada. Los muchos problemas de mantener una señal
bigotes de gato que descansaban sobre el analógica parecida a la original ya que es
bloque estaba a tan sólo unas milésimas de mucho más fácil pasarla por dígitos.
pulgada el uno del otro y estaban adheridos a La importancia de estudio del transistor se ha
espigas de metal ligeramente más gruesos, dejado ver en el empleo que éste tiene en
colocados en el enchufe aislador. todo el ámbito de la electrónica, de ahí la
El nombre para este nuevo dispositivo se importancia de estudiar las características de
acuño procedente de dos palabras que este dispositivo.
parecían describir su acción: transferencia y
resistencia; de aquí el nombre que se le dio,
transistor. En 1951, con el desarrollo del
transistor de unión, se creó un tipo nuevo de Objetivos
transistor que no utilizaba bigotes de gato,
éste se denomino transistor de punto de Configurar en la región activa
contacto.
Un transistor Bipolar npn
Los primeros transistores tenían ciertas
características indeseables que los limitaban a Un J-FET canal p
la aplicación a circuitos radioeletrónicos. Más
sin embargo, el transistor se introdujo en
Obtener las curvas
época en la que había cientos de aplicaciones
para dispositivos de amplificación (en iDS vs. vDS

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iDS vs. VGS que están dados por las siguientes


ecuaciones.

Obtener una Ganancia de 30


VCC − VC
RC =
IC
Medir las frecuencias de corte
Inferior VE
RE =
Superior IE

Comparar los resultados teóricos y prácticos Rb


R1 =
1 − (V BB / VCC )
Aspectos Teóricos
VCC
R2 = R B
TRANSISTOR BJT V BB
Polarización universal de un
transistor npn R B = R1 || R 2
y las ecuaciones para la polarización son:
V BB − v BE
IC =
RE + RB / β )

IC = β I B

IC = I E
y una consideración para minimizar el efecto
de las variaciones de hfe en la ganancia total
es :
βR E
RB =
Para la configuración anterior (también 10
llamada polarización divisor de voltaje) los Para máxima variación simetrica se elige Vce
valores de las resistencia determinan del igual a la mitad de Vcc.
punto de operación para el transistor.
Con estas ecuaciones se resuelve el circuito
Al proponerse el punto de operación se de polarización.
toman en cuenta algunos criterios de diseño
como VCE=VCC/2 (maxima variación
simetrica), Rb=βRe/10 (minimizar los efectos
de las variaciones de β), etc., y
posteriormente los valores de las resistencia

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Amplificador BJT emisor común


El circuito amplificador elegido es el VT
siguiente: hie = h fe
I CQ

con VT = 25 milivolts

TRANSISTOR FET
Circuito de autopolarización para
transistor FET

El modelo en ac de este circuito en baja señal


es :

Los parámetros de un FET suficientes para el


Y resolviendo el circuito para baja señal, la análisis aproximado son VP e IDSS que son
ganancia de voltaje esta dada característicos de cada transistor FET.
aproximadamente por :
Para esta configuración se requiere de las
siguientes ecuaciones:
Av = (RL || Rc || 1/ hoe )/Re

IG = 0A
Y su impedancia de entrada se modifica a : ID = IS

2
hie’ = hie + hfe (Re )  V 
I D = I DSS 1 − GS 
 VP 
es decir, la incrementa. VGS = − I D R S
Para conocer hie nos basamos en la siguiente
aproximación:

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y un criterio de diseño para una buena y del circuito se puede ver que:
variación simétrica es que VGSQ sea igual a
un medio de VP.
AV = R D || R L || (1 / hoe )
Con esto IDQ es igual a un cuarto de IDSS.
De acuerdo con esto se eligen los valores de
RS y RD. donde hoe es la admitancia de salida.

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Amplificador FET fuente común con
resistencia en el emisor Diseño
El circuito amplificador es el siguiente: De acuerdo con los circuitos analizados en la
parte de aspectos teóricos, para obtener
ganancia de treinta y tener máxima variación
simétrica los valores calculados son los
siguientes:

BJT
Los datos que tenemos son:
hfe = 240
Av = 30
Re = 80 ohms

Debido a diferentes consideraciones de


diseño y la necesidad de probar con distintos
Y su modelo en ac es el siguiente: valores de los parámetros de polarización
realizamos un programa en MATLAB para
obtener los parámetros desconocidos a partir
de los conocidos o elegidos, este programa
tiene las criterios de diseño antes
mencionados para máxima variación simétrica
y minima dependencia de la ganancia de las
variaciones de beta.
Este programa también nos da la grafica de la
recta de ac y de dc.
Las ecuaciones necesarias para obtener la
ganancia es:
2 I DSS
g mo =
VP

 V 
g m = g mo 1 − GS 
 VP 

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Programa en MATLAB Dame el valor de Vcc 12


clear Vcc =
12
Vcc=input('Dame el valor de Vcc ')
beta =
%beta=input('Dame el valor de beta ') 240

beta=240 Dame el valor de Rc 3.26e3


Rc =
Rc=input('Dame el valor de Rc ') 3260
Re=input('Dame el valor de Re ')
Rl=input('Dame el valor de Rl ') Dame el valor de Re 78.7
Re =
punto=input('Punto de Vce ') 78.7000

Vce=punto*Vcc Dame el valor de Rl 89.2e3


%Re=Rc/4 Rl =
Rb= beta*Re/10; 89200

Icq=Vcc/((2*(Re+Rc))) Punto de VCE .5


Vbb=Icq*((Rb/beta)+Re)+.7 punto =
0.5000
R1=Vcc*Rb/Vbb
R2=(Vbb*R1)/(Vcc-Vbb) VCE=
Rlp=Rc*Rl/(Rc+Rl) 6
Av=((Rc*Rl)/(Rc+Rl))/(25e-3/Icq)
hold on ICQ =
X=(0:Vcc/100:Vcc); 0.0018

Y=(Vcc/(Rc+Re):-(Vcc/(Rc+Re))/100:0); VBB =
plot(X,Y); 0.8556
Yac=(Icq+(Vce/Rlp):-
(Icq+(Vce/Rlp))/100:0); R1 =
Xac=(0:(Vce+(Icq*Rlp))/100:Vce+(Icq*R 2.6492e+004
lp));
plot(Xac,Yac);
R2 =
2.0338e+003

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La grafica generada por el programa MATLAB Al igual que en el BJT realizamos un


es: programa en MATLAB para poder estar
cambiando los valores de los parámetro y
diseñar de acuerdo a ciertas consideraciones.
Para el FET las consideraciones son que
VGSQ sea un medio de VP lo que nos lleva a
una IDSS de un cuarto.
El programa es el siguiente:
close
VGS=0:.1:2.8;
VP=input('Dame VP ')
IDSS=input('Dame IDSS ')
ID=IDSS.*(1-(VGS/VP)).^2
Recta de carga dc y ac VGSQ=VP/2
IDSSQ=IDSS/4
En donde se ve el punto común de las rectas plot(VGS,ID)
de ac y dc así como el punto de operación. axis([0 2.8 0 3.5e-3])
Entonces el circuito es el siguiente: grid on
zoom on

Dame VP 2.8

VP =
2.8000

Dame IDSS 3.2e-3

AMPLIFICADOR DISEÑADO BJT IDSS =


FET: 0.0032
Los datos que tenemos son:
Vp = 2.8 v VGSQ =
IDSS = 3.2 mA 1.4000
Av = 30
IDSSQ =
8.0000e-004

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y la grafica generada es: 1 resistor de 1 Mohm


1 protoboard
Equipo
1 generador de señales ancho de banda 2
megahertz
1 osciloscopio (Zi de 1megaohm)
1 fuente de CD digital (0 – 40 volts , 3 A)
1 computadora portátil IBM Think Pad.
Software
Microsim Pspice versión 8
Recta de carga dc Matlab 5.3
El circuito diseñado es: Entonces armamos los circuitos diseñados y
Recordar que es un fet de canal P, por eso VP verificamos que trabajen en la región activa y
es positivo. Aunque en el diagrama se ve un que los valores de ganancia medididos se
transistor FET de canal N. acerquen a los del diseño. A continuación se
muestran los resultados obtenidos.

Resultados
BJT

AMPLIFICADOR DISEÑADO FET

Para la implementación de la práctica se


utilizó lo siguiente:
Material
1 transistor BJT matrícula BC547 npn
1 transistor JFET matrícula 2n5460 canal P Los valores de CD obtenidos al armar el
1 resistor 3.3 kohm circuito fueron:

1 resistor 27 kohm VCEQ = 5 .83 volts

1 resistor 1.9 kohm ICQ = 1.877 mA

1 resistor 3.6 kohm VEQ = .145 volts

1 resistor 31.5 kohm VCQ = 5.93 volts

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Las mediciones de la ganancia del


amplificador a una frecuencia media es:
Av = 31.3
En la tabla 1 se encuentran las mediciones de
la variación de la ganancia con la frecuencia.
A partir de esta frecuencia (100 hertz) la
ganancia en voltaje se mantiene estable a
pesar de aumentar la frecuencia hasta los
siguientes valores:

Tabla 1b

La grafica de estas tablas es la siguiente:

35

30

25
Ganacia

20

15

10

0
1 10 100 1000 10000 100000 1000000 10000000

Frecuencia

Grafica de la respuesta en frecuencia medida del amplificador


BJT

Podemos observar que las frecuencias de


corte son:
• Frecuencia de corte inferior 9 Hz.
Frecuencia de corte superior 642 kHz

Tabla 1

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FET:

Los valores de CD obtenidos al armar el


circuito amplificador FET fueron:
VGSQ = 1 .3 volts
IDQ = .65 mA
En la tabla 2 se muestran las mediciones
realizadas para ver la respuesta en frecuencia
del amplificador FET diseñado.
Podemos observar que las frecuencias de
corte son:
• Frecuencia de corte inferior 22 Hz.
Frecuencia de corte superior 65 kHz

Ancho de Banda

40.00

35.00

30.00

25.00
Ganancia

20.00

15.00

10.00

5.00

-
10.00 100.00 1,000.00 10,000.00 100,000.00 1,000,000.00
Frecuencia

Grafica de la respuesta en frecuencia medida del amplificador


FET Tabla 2

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BJT y FET

SIMULACIONES Saturación:

A continuación se muestran una serie de


simulaciones que ayudaron a entender el
efecto de las variaciones de los capacitores
de acoplamiento y comparar los modelos
equivalentes de los amplificadores diseñados.
AMPLIFICADOR BJT

Variación de la amplitud de la de entrada (de 10mV a 320mV)

En esta simulación se observa el valor


máximo de entrada para el circuito diseñado,
ya que la entrada se varía hasta observar la
saturación, el valor máximo obtenido es
cercano a los 190 milivolts, es decir que
nuestro diseño esta muy cercano a la máxima
variación simétrica ya que 30*190mV = 5.8
volts y el voltaje de polarización es 12 y el
máximo valor que se obtendría sería 6 volts.
Circuito amplificador BJT

Amplificación: Respuesta en frecuencia del amplificador BJT:

Respuesta en frecuencia

Esta simulación nos muestra la amplificación


de una señal senoidal con el amplificador BJT
diseñado, se puede observar una ganancia de
32, muy cercana a la esperada que es de 30.
La señal de entrada es de 10 mV de amplitud
y la señal obtenida es de aproximadamente
319 mV. La frecuencia a la que se simuló es
de 10 KHZ.
Frecuencia de corte superior BJT

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Frecuencia de corte inferior BJT Efectos de la variación del capacitor de salida


En las anteriores simulaciones se observa el (1p, 10p, 100p, 1n, 10n, 100n, 1u, 10u,
ancho de banda de el amplificador BJT 100u)
simulado, que es de aproximadamente 19 Para buscar el polo de orden inferior
Megahertz, aunque difiere de el nuestro analizamos el efecto de la variación de los
debido a la diferencia entre las capacitancias capacitores de acoplamiento que son
internas de los transistores mayores que los de las uniones (que son del
Se muestran también los puntos en donde orden de picofaradios), como se puede
decae 3 dB la ganancia de la simulación, es observar el que afecta mas es el capacitor de
decir las frecuencias de corte que son: entrada, el capacitor de salida lo variamos en
un rango mayor para poder ver algun efecto.
Frecuencia de corte inferior: 9.19 Hz
Frecuencia de corte superior: 17.9 MHz
Modelo equivalente del amplificador BJT sin
capacitancias en las uniones:
Polo de orden inferior:

Modelo equivalente en ac del amplificador BJT

En este modelo se puede observar el efecto


de la resistencia en el emisor que incrementa
la impedancia de entrada proporcionalmente
Efectos de la variación del capacitor de a la ganancia del transmisor y el valor de Re,
entrada (5u, ,15u, 25u, 35u, 45u, 55u) tambien tiene un efecto en la impedancia de
salida aunque un poco menor, así como en la
ganancia.

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Amplificación: Modelo equivalente del amplificador BJT con


capacitancias parásitas:

Modelo equivalente en ac del amplificador


BJT con capacitancia entre las uniones.
Simulación del modelo equivalente del Al observar que con el modelo sin
amplificador BJT sin capacitancias entre las capacitancias entre las uniones no se puede
uniones (fo=10k) observar el polo de orden superior, quisimos
En esta simulación se observa la amplificación agregar estas capacitancias de acuerdo con
del modelo equivalente, que es mayor a la del los valores del manual, y analizar los
transistor simulado y la obtenida en el circuito resultados.
armado. La ganancia de este simulación es de
aproximadamente de 36.
Respuesta en frecuencia del modelo
Respuesta en frecuencia del modelo equivalente del amplificador BJT con
equivalente del amplificador BJT : capacitancias entre las uniones:

Respuesta en frecuencia del modelo equivalente de ac del Respuesta en frecuencia del equivalente del amplificador BJT
amplificador BJT sin capacitancia entre las uniones considerando la capacitancia entre las uniones.

En esta simulación se puede observar como


el modelo equivalente para el amplificador
esta limitado, ya que no se puede observar el
polo de orden superior, esto incrementa la
sospecha de que el polo de orden superior
esta determinado por las capacitancias
internas del transistor que existe entre las
uniones.

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Frecuencia de corte superior del modelo equivalente del


amplificador BJT con capacitancias parásitas
Amplificación:

Simulación amplificador J-FET (fo=10k)


Saturación:
Esta simulación nos permite comprobar la
hipótesis de que el polo de orden superior
esta ligado con las capacitancias internas del
transistor. Se observa las frecuencias de corte
inferior y las de orden superior que son de:

Frecuencia de corte inferior: 9.27 Hz


Frecuencia de corte superior:14.5 MHz

Variación de la amplitud de la señal de


AMPLIFICADOR FET
entrada (de 10mV a 410mV)
Respuesta en frecuencia del amplificador
JFET

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Frecuencia de corte inferior amplificador JFET

Modelo equivalente JFET

Frecuencia de corte superior amplificador JFET


Simulación del modelo amplificador JFET sin
Como se puede observar el ancho de banda capacitancias (fo=10k)
es mucho menor, debido al capacitor en RS.

Polo inferior:
Efectos de la variación del capacitor de
entrada y salida

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Respuesta en frecuencia del modelo


amplificador JFET sin capacitancias

Frecuencia de corte superior modelo equivalente JFET con


capacitancias

Modelo equivalente JFET con capacitancias

Respuesta en frecuencia del modelo amplificador JFET con


capacitancias

Frecuencia de corte inferior modelo equivalente JFET con


capacitancias

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Conclusiones:
Referencias:
Al finalizar la práctica podemos concluir lo
siguiente:
[1] Schilling – Belove, Electronic Circuits:
Discrete and integrated, McGraw-Hill, First
*El modelo eléctrico del transistor BJT y JFET
Edition 1968, pág. 88 “The basic amplifier”,
a baja señal no permite encontrar el polo de
pág. Pág. 101 “The ac load line”, pág. 186
orden superior generado por las capacitancias
The hybrid parameters”.
entre las uniones de estos transistores, que
son del orden de picofaradios (10-12).
[2] Alvarez – Fleckles, Introduction to
electron devices, McGraw-Hill, Second Edition
*La razón por la cual las capacitancias en las
1974, pág. 199 “Field-effect transistors”.
dos uniones no son iguales, se debe a que
una esta polarizada directamente y la otra
inversamente, entonces como la capacitancia
[3] Robert L. Boylestad – Louis Nashelsky,
esta relacionada con la distancia entre las
Eelectrónica: Teoria de circuitos, Prentice
placas del capacitor (inversamente
Hall, Sexta edición 1997, pág. 416 “Modelo
proporcional) y sabemos que esta distancia
de pequeña señal del FET” , pág. 426
crece con la polarización inversa y disminuye
“Configuración de autopolarización para el
con la polarización directa, la capacitancia es
FET”.
mayor en las uniones polarizadas
directamente que en las que lo estan
inversamente. [4] Louis E. Garner Jr. , Transistores –
curso básico, Minerva, Primera edición 1966,
pág. 9
*Para el diseño de un amplificador se parte
de las requerimientos de ac (como la
ganancia de voltaje, corriente ó potencia) y
de acuerdo con esto se eligen los valor de los
parámetros de polarización (dc).

*Es muy importante saber elegir diversas


configuraciones de amplificadores para poder
elegir el adecuado de a cuerdo con las
características, nuestros diseños requirieron
para BJT cambiar impedancia de entrada por
disminución en la ganancia y asi obtenerla
de 30.

*Para el diseño en máxima variación


simétrica es muy importante calcular la carga
de ac y de acuerdo con esta también tomar
algunos criterios para elegir los valores de los
parámetros.

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ANEXOS

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