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Memrias

Circuitos Lgicos
DCC-IM/UFRJ Prof. Gabriel P. Silva

Memrias
As memrias so componentes utilizados para armazenar dados e instrues em um sistema computacional. As memrias podem apresentar propriedades distintas, de acordo com a tecnologia com que so fabricadas. So utilizadas em aplicaes diferentes, de acordo com a velocidade de leitura e escrita dos dados, capacidade de armazenamento, volatilidade da informao, consumo, etc. Iremos ver a seguir algumas classificaes possveis para as memrias de estado slido.

Classificao das Memrias


Memrias Volteis
As memrias volteis so aquelas que mantm o seu contedo apenas enquanto h alimentao eltrica. Uma vez que a alimentao desligada, o contedo se perde.

Memrias No Volteis
So aquelas em que a informao preservada mesmo aps a perda da alimentao eltrica. Quando a alimentao restabelecida, os dados podem ser novamente lidos sem nenhuma alterao no seu contedo.

Classificao das Memrias


As memrias volteis se dividem em duas grandes categorias:
Memrias de Acesso Aleatrio:
Os dados podem ser lidos ou escritos sem uma ordem pr-estabelecida. Pertencem a esta categoria as memrias estticas e dinmicas.

Memrias de Acesso Seqencial:


Os dados podem ser lidos e escritos apenas em uma determinada seqncia. As memrias FIFO e os registradores de deslocamento so alguns exemplos.

Memrias Estticas e Dinmicas


As memrias volteis de acesso aleatrio (RAM) podem ser estticas ou dinmicas dependendo da tecnologia com que so fabricadas.
As memrias dinmicas recebem este nome porque necessitam ter a sua informao periodicamente atualizada, isto , lidas e novamente escritas sob o risco dos dados serem perdidos. As memrias estticas no precisam deste tipo de operao, preservando a informao enquanto houver alimentao.

Classificao das Memrias


As memria no volteis podem ser de leitura/escrita ou apenas de leitura. Esta classificao se deve ao fato de que originalmente as memrias no volteis eram apenas de leitura. At hoje h uma certa confuso entre memrias apenas de leitura ROM e memrias no volteis, aparecendo uma como equivalente da outra, embora isto no seja correto.

Memrias No Volteis
As memrias no volteis mais recentes podem ser lidas e escritas, e podem preservar o contedo armazenado mesmo quando no perdem a alimentao eltrica. Com exemplo de memrias no volteis de leitura/escrita temos as memrias FLASH que so utilizadas em dispositivos com pendrives e cartes de memria.

Classificao das Memrias


Memrias Volteis
Acesso Aleatrio
Memrias Estticas e Dinmicas

Acesso Seqencial
LIFO, FIFO, Registrador de Deslocamento, CAM

Memrias No Volteis
Leitura/Escrita
EPROM, E2PROM, FLASH

Apenas Leitura
Programvel por Mscara Programvel (PROM)

Classificao das Memrias


RWM NVRWM ROM Random Access SRAM DRAM Non-Random Access FIFO LIFO Shift Register CAM

EPROM E2PROM FLASH

Mask-Programmed Programmable (PROM)

Mercado de Memrias

Memrias Estticas (SRAM)


Vantagens:
Os dados permanecem armazenados enquanto houver alimentao; So mais rpidas;

Desvantagens:
As clulas de memria so maiores, com cerca de 6 transistores; O consumo de energia maior; A capacidade de armazenamento menor.

So utilizadas na memrias caches dos processadores.

Memrias Dinmicas (DRAM)


Vantagens:
As clulas de memria so menores, com apenas um transistor e um capacitor; O consumo de energia menor; A capacidade de armazenamento maior.

Desvantagens:
A atualizao peridica dos dados necessria; O ciclo de leitura maior que o de escrita; So mais lentas que as estticas.

So utilizadas na memria principal dos computadores.

Clula de Memria Esttica


WL V DD M2 Q M5 M1 BL M3 BL M4 Q M6

Layout de Clula de Memria Esttica

Clula DRAM com 3 transistores


WWL RWL M3 M1 Cs X M2 WWL BL1 X RWL BL2 BL1 BL2 Vdd-Vt Vdd-Vt read V write Vdd

As leituras no so destrutivas

Layout Clula DRAM com 3T


BL2 BL1 GND RWL
M3 M2

WWL
M1

Comparao de Layout

Clula D-RAM com 1 transistor


WL WL M1 CBL Cs X X Vdd-Vt Vdd sensing write 1 read 1

BL

BL Vdd/2

Escrita: Cs carregado (ou descarregado) ativando WL e BL Leitura: redistribuio de cargas ocorre entre CBL e Cs A leitura destrutiva, deve haver atualizao aps a leitura

Clula DRAM 1T
Capacitor Metal word line

poly n+ poly n+
Inversion layer induced by plate bias

SiO2
Field Oxide Diffused bit line

M1 word line

(a) Corte Transversal

Polysilicon Polysilicon plate gate

(b) Layout

Capacitncia com Polisilicio-Difuso Caro em rea

Foto da Clula DRAM 1T

Matriz de Memria
WL BL BL BL BL BL BL BL

WL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

WL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

Matriz de Memria
Problema: FATOR DE FORMA ou ALTURA >> LARGURA
2 L-K AK A K+1 A L-1 Decodificador de Linha Linha Bit (BL) Clula de Memria Linha Word (WL)

M.2 K Amplificador Sensor / Drivers A0 A K-1 Amplifica a amplitude do sinal da clula Seleciona a palavra apropriada

Decodificadores de Coluna

Entrada - Sada (M bits)

Matriz de Memria

Acesso Memria

Acesso Memria

Processador (Cache Inclusa) ( Controlador de Memria ( (North Bridge)

Intel Pentium 4
Barramento de Sistema
( (Front Side Bus, FSB)

Memria
2 canais com DDR-2 com 64 bits de dados Placa Grfica (PCI Express) Discos (Serial ATA) UDIO USB PCI-Express Slots PCI (6)

Wi-Fi

Controlador de E/S ( (South Bridge)

Subsistema de E/S

Memrias Sncronas
As memrias sncronas so um tipo de DRAM, onde a leitura ou escrita dos dados sincronizada por um relgio de sistema ou de barramento. As memrias sncronas so projetadas para permitir a leitura ou escrita, depois da latncia inicial, em modo rajada (burst mode) em uma taxa de um ciclo de relgio por acesso. Elas se aproveitam do fato de que os modernos processadores possuem memrias caches internas e, a cada cache falha, linhas inteiras de bytes com endereos seqenciais so lidas ou escritas da memria de uma nica vez. Com isso, o seu desempenho significativamente superior ao das memrias assncronas.

Memrias Sncronas

Memrias SDRAM
Originalmente conhecidas como apenas "SDRAM", as Single Data Rate DRAMs podem aceitar um comando e transferir uma palavra de dados por ciclo de relgio. Velocidades tpicas de relgio dessas memrias so 100 ou 133 MHz, cujos mdulos so conhecidos como PC-100 e PC-133. Essas pastilhas de memria so feitas com largura varivel do barramento de dados (os valores mais comuns so 4, 8 ou 16 bits) So agrupadas geralmente em pentes DIMMS com 168 pinos que lem ou escrevem 64 bits (sem correo de erros ECC) ou 72 bits (com ECC) de dados ao mesmo tempo.

Memrias SDRAM e DDR

Memrias DDR
As memrias DDR SDRAM ou double-datarate synchronous dynamic random access memory so uma classe de memria que alcana maior largura de banda atravs da transferncia de dados na subida e na descida do sinal de relgio. Efetivamente, isto praticamente dobra a taxa de transferncia sem aumentar a freqncia da interface de barramento do processador (front side bus). Assim, uma clula de memria DDR-200 opera na realidade com uma freqncia de relgio de apenas 100 MHz e possui uma largura de banda de cerca de 1600 MB/s.

Memrias DDR2
Como as memrias DDR, as memrias DDR2 transferem os dados tanto na subida como na descida do relgio. A diferena principal entre elas que a freqncia interna dos buffers da DDR2 o dobro da velocidade das clulas de memria, e a taxa de transferncia externa o dobro daquela dos buffers, permitindo que quatro palavras de dados sejam transferidos por ciclo de memria. Ento, sem acelerar as clulas de memria propriamente ditas, a DDR2 pode operar efetivamente com o dobro da velocidade de uma memria DDR.

Memrias DDR2

Memrias DDR2

Memrias DDR2
Um custo para essas otimizaes o aumento da latncia, j que as clulas levam duas vezes mais tempo (em termos de ciclos de barramento) para produzir um resultado e os buffers utilizados adicionam ainda mais atraso. Enquanto a memria DDR tem latncias de leitura (tempo de acesso) tipicamente entre 2 e 3 ciclos, as memrias DDR2 podem ter latncias entre 3 e 9 ciclos. Por causa das latncias, considera-se que as memrias DDR, rodando na mesma freqncia, tem um desempenho superior s memrias DDR2. Essas ltimas, contudo, alcanam velocidades de relgio superiores.

Memria DDR2

Nome

Clock da Memria 100 MHz 133 Mhz 166 MHz 200 MHz 266 Mhz 325 Mhz

Tempo do Ciclo 10 ns 7.5 ns 6 ns 5 ns 3.75 ns 3.1 ns

Clock do I/O Bus 200 MHz 266 Mhz 333 MHz 400 MHz 533 MHz 650 MHz

Transferncias por segundo 400 Milhes 533 Milhes 667 Milhes 800 Milhes 1066 Milhes 1300 Milhes

Nome do Mdulo

Taxa de Transferncia de Pico

DDR2-400 DDR2-533 DDR2-667 DDR2-800 DDR2-1066 DDR2-1300

PC2-3200 3200 MB/s PC2-4200 4266 MB/s PC2-5300 5333 MB/s PC2-6400 6400 MB/s PC2-8500 8533 MB/s PC2-1040 10400 MB/s

Memrias DDR x DDR2


As memrias DDR so comumente encontradas nos padres DDR-266, DDR-333 e DDR-400. As memrias DDR2 podem ser obtidas nos padres DDR-400, DDR-533, DDR-667 e DDR-800. Na verdade, tanto no caso da memria DDR quanto no caso da memria DDR2, esses valores correspondem metade. Por exemplo, a memria DDR2-667 na realidade trabalha a 333 MHz. Uma memria DDR-400 tem desempenho superior uma memria DDR2-400, embora ambas trabalhem com uma freqncia de barramento de 200 MHz e tenham a mesma taxa de transferncia nominal de 3.200 MB/s (200 x 2 x 8 bytes)

Memrias DDR x DDR2


Os pentes de memria DIMM DDR2 no so compatveis com as memrias DIMM DDR. O dente est colocado em uma posio diferente e a densidade de pinos ligeiramente maior, 240 pinos no mdulo da DDR2 contra 184 pinos no mdulo da DDR. Nas memrias DDR a terminao resistiva necessria para a memria funcionar est localizada placa-me. J na DDR2 este circuito est localizado dentro do chip de memria. Enquanto o tipo DDR trabalha com 2,5 V, a tecnologia DDR2 requer 1,8 V, implicando em um menor consumo de energia.

Memrias DDR e DDR2

Memrias DRAM
Memria
SDRAM PC-100 SDRAM PC-133 DDR-200 ou PC-1600 DDR-266 ou PC-2100 DDR-333 ou PC-2700 DDR-400 ou PC-3200 DDR2-400 ou PC2-3200 DDR2-533 ou PC2-4200 DDR2-667 ou PC2-5300 DDR2-800 ou PC2-6400

Velocidade
800 MB/s 1.064 MB/s 1.600 MB/s 2.128 MB/s 2.656 MB/s 3.200 MB/s 3.200 MB/s 4.256 MB/s 5.328 MB/s 6.400 MB/s

Desempenho das Memrias

Memrias Flash
Uma memria de leitura e escrita que mantm o seu contedo mesmo sem alimentao; A memria Flash evoluiu das memrias EEPROM (Electrical Erasable PROM) e seu nome foi criado pela empresa Toshiba para expressar o quo rpido ela poderia ser apagada; A memria FLASH amplamente utilizada para armazenamento em mdulos como pendrives e cartes de memria. H alguns anos as memrias FLASH substituram as memrias ROMs como memrias BIOS dos PCs, assim elas podem ser atualizadas diretamente nas placas ao invs de serem removidas e substitudas.

Memrias Flash
Uma grande limitao das memrias flash que embora elas possam ser lidas ou escritas byte a byte, como em uma memria comum, elas devem ser apagadas em bloco. Usualmente todos os bits so levados para '1'. Assim, em um bloco de memria flash totalmente apagada, qualquer posio dentro desse bloco pode ser programado. Contudo, uma vez que um bit tenha sido colocado em '0, apenas apagando todo o bloco eel pode ser colocado novamente em '1'. E outras palavras, as memrias flashs pode ser lidas e escritas aleatoriamente, mas no oferecem este tipo de facilidade para operaes de re-escrita ou apagamento.

Memrias Flash

Memrias Flash

Memrias Flash (NOR x NAND)


As memrias Flash so construdas de portas NOR ou NAND. As memrias NOR funcionam como a memria de um computador, enquanto que as memrias NAND funcionam como se fossem um disco rgido. As memrias Flash do tipo NOR so utilizadas em cmeras digitais, aparelhos celulares e PDAs armazenando o sistema operacional e outros dados que mudam com pouca freqncia. As memrias Flash do tipo NAND so utilizadas para armazenar dados em pendrives para USB, tocadores de MP3 e fotos em cmeras digitais.

Memrias Flash (NOR x NAND)

Menor rea Roteamento + Simples

Memrias Flash (NOR x NAND)

Memrias Flash (NOR)


Desenvolvidas pela Intel em 1998, as memrias Flash do tipo NOR permitem um acesso aleatrio de alguns bytes, o que ideal para a execuo de instrues de um programa. As memria Flash do tipo NOR permitem cerca de 100.000 ciclos de escrita antes de se esgotarem. As clulas devem ser apagadas em blocos de 64, 128 ou 256 KB antes de serem escritas. Isto pode levar alguns segundos. Contudo, a leitura e escrita de um byte por vez muito rpida.

Memrias Flash (NOR)

Memrias Flash (NAND)


Desenvolvidas pela Toshiba um ano depois das memrias NOR da Intel, a memria Flash do tipo NAND parece como um disco rgido para o sistema operacional. Leituras e escritas so feitas em blocos de 512 bytes (igual ao setor de um disco) de um modo mais rpido que nas memrias NOR. Contudo, tipicamente, pginas com 2 KB (quatro blocos) so lidas e escritas de uma vez. Antes da escrita, as clulas so apagadas em blocos de 16 a 512 KB. Menos cara que a Flash do tipo NOR, a Flash NAND pode ser reescrita at 1.000.000 de vezes.

Memrias Flash (NAND)

1Gbit NAND Flash

Memrias Flash (NOR x NAND)

Memrias Flash (NOR x NAND)

http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory