INSTITUTO TECNOLGICO DE CIUDAD JUREZ.

INGENIERA ELECTROMECNICA.

ELECTRNICA I.

TRABAJO DE INVESTIGACIN 3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

TITULAR: Guillermo Armando Urrutia.

Victor Alfonso Bonfil Hernndez No. Control: 06110715

10 Diciembre - 2009

NDICE:
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Introduccin ------------------------------------------------------------------------- 3

Diodos semiconductores ----------------------------------------------------------- 4 + Tipos de Diodos. Clasificacin; caractersticas.

Transistores -------------------------------------------------------------------------- 12

Tiristores ----------------------------------------------------------------------------- 19

Fuentes de Informacin ----------------------------------------------------------- 23

INTRODUCCIN.

Es el siguiente trabajo se hace una sntesis y una pequea introduccin a varios de los temas de mayor relevancia en la electrnica, como lo son los diodos, transistores y tiristores, dando las caractersticas principales, su utilidad, as como sus funciones. As mismo, se incluyen esquemas que representan de manera simple cada uno de los diferentes elementos de los que se conforma el trabajo.

Diodo Semiconductor
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El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos
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suelen estar encapsulados. En una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales.

Diodos rectificadores
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de
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mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador. Caractersticas Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot). Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente. Diodos de seal Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos diodos son: - Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades de ste.

Diodos de conmutacin Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la
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carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Diodos de alta frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo. Diodos zener Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son:

- Tensin zener (Vz). - Corriente mnima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot). Diodos especiales Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos VARICAP, diodos tnel y diodos LED Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV.

DIODOS RECTIFICADORES: Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos, estos facilitan el paso de la corriente contina en un slo sentido (polarizacin directa), en otras palabras, si hacemos circular corriente alterna a travs de un diodo rectificador esta solo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo que a la salida del mismo obtenemos una seal de tipo pulsatoria pero contina. Se conoce por seal o tensin contina aquella que no vara su polaridad.

DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEAL (RF): Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales, etc. Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la "capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectificadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias. Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin.
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DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE ( VARICAP ): La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al distanciar las placas del un capacitor estndar). Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap's, varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecnicamente el eje de un capacitor variable en la etapa de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televisin moderno, lo que hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo VARICAP que se encuentra en el mdulo sintonizador del TV.

DIODO ZENER: Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que existe en la grfica con respecto a la corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este punto se da por la tensin de ruptura del diodo. Se puede conseguir controlar este fenmeno y aprovecharlo, de tal manera que no se origine la destruccin del diodo. Lo que tenemos que hacer el que este fenmeno se d dentro de mrgenes que se puedan controlar.
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El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las condiciones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. En resumen, el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la tensin zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad determinada de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin.

FOTODIODOS: Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.

DIODOS LED (LUMINISCENTES): Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y veremos por lo menos 1 ms diodos LED. Podemos encontrarlos en diferentes formas, tamaos y colores diferentes. La forma de operar de un LED se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de forma trmica. Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas (sin color). Por un mtodo de
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"dopado" del material semiconductor se puede afectar la energa de radiacin del diodo. El nombre de LED se debe a su abreviatura en ingles (Light Emmiting Diode) Adems de los diodos LED existen otros diodos con diferente emisin, como la infrarroja, y que responden a la denominacin IRED (Diodo emisor de infra-rojos).

TRANSISTORES En esta ocasin voy a hablarles de los transistores, de ellos existe una gran variedad, tanto en su forma como en sus aplicaciones. En 1948 3 investigadores de los laboratorios Bell, de Estados Unidos, no se sentan satisfechos con los excelentes resultados que obtuvieron con la unin de 2 pastillas P y N de material semiconductor, y colocaron 3 estilo emparedado. Esto se puede hacer de 2 formas: 2 de tipo P en los extremos y 1 de tipo N al centro, o sea P-N-P, o al contrario para que sea N-P-N.

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El resultado de esta unin present una caracterstica que los impresiono, la cual vino a revolucionar al planeta tierra. Cuando los 2 extremos del mismo tipo eran colocados en serie con una corriente alta de electrones, se poda controlar el flujo, dejando pasar o no una pequea corriente por la pastilla del centro. Observaron que el conjunto se comportaba como una resistencia variable y se regulaba electrnicamente con el electrodo central. En principio para ellos esto fue como transferir una resistencia de un circuito a otro y lo llamaron TRANSISTOR, nombre que est compuesto por las palabras TRANSFERENCIA Y RESISTOR (primeras 4 letras de la primera y las 6 ltimas de la segunda). Las vlvulas al vaco fueron las antecesoras del transistor, las cuales necesitaban un filamento para calentar el interior y que se llevara a cabo el flujo de electrones, esto era una prdida de energa en forma de calor, lo cual haca necesario un espacio grande para su ventilacin. A las 2 partes de los extremos del transistores se les llama Emisor (entrada) y Colector (salida) y a la del centro, Base (control). Podramos decir que el transistor est formado por 2 diodos comunes. En el diagrama de la fuente regulada puedes ver algunas de las funciones del transistor. Adems abajo puedes ver los smbolos del P-N-P y N-P-N. Como comprobar un transistor?, Para tener una idea aproximada del estado de un transistor procederemos de la siguiente manera con el tester (multimetro, hmetro): Comprobacin de un PNP, colocamos la punta negra del multimetro en la base y tocamos alternativamente los extremos (colector y emisor), deber indicar alta resistencia, invertimos las puntas (punta roja en base) y procedemos como se indic anteriormente, debe de marcar baja resistencia (1 a 20 ohmios). Para los NPN seguimos el mismo procedimiento, en este caso las lecturas sern inversas. Por seguridad, debemos de colocar el multimetro en la escala de R x 10 R x 100 y para verificar si no existe fuga entre colector y emisor, aqui deber indicar alta resistencia entre ambos y en los dos sentidos, ver ilustracin:

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COMO FUNCIONA UN TRANSISTOR: Conectemos, en el sentido directo, la juntura de la figura abajo a una batera de bajo voltaje; presenta baja resistencia y circula conrelativa facilidad una pequea corriente entre emisor y base, y que llamaremos CORRIENTE DE BASE, o intensidad de base (lb): La corriente de la base es de poca intensidad debido a lo delgada que se hace su capa central y a la tan pequea cantidad de material dopante mezclado con el semiconductor. Si la capa de la base es del tipo N se dopa poco, de tal forma que slo quede una pequesima cantidad de electrones libres vagando por el material y por ende la corriente elctrica que los utilice como PORTADORES de la energa ser tambin de poca intensidad. Cuando la base es P se hace igualmente delgada y se procede de igual manera en el proceso de dopado del semiconductor, de tal manera que en la pastilla queden pocos HUECOS o PORTADORES de electrones en el caso de circulacin de una corriente que, como es lgico suponer, tampoco puede ser intensa. La pastilla correspondiente al EMISOR se hace mucho ms gruesa que la del centro y su material semiconductor (germanio o silicio) se dopa bastante con otro material semiconductor de tal forma que queden vagando por el bloque bastantes PORTADORES de corriente (HUECOS en el tipo P y ELECTRONES en el tipo N).

Regresemos a la figura anterior. Al circuito formado por la batera de bajo voltaje, la pastilla de la base, la pastilla del emisor, y cualquier resistor exterior colocado en serie con alguno de ellos, se le da el nombre de circuito de entrada o INPUT. El emisor est capacitado por el fabricante para conducir corrientes grandes, y la base para corrientes pequeas. Por lo anterior y el hecho de estar enserie la corriente circulante por el circuito de
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entrada o INPUT ser muy pequea, y la llamaremos corriente de base, por estar all su limitacin. La corriente de base se forma igual que si se tratase de un diodo convencional: Los PORTADORES del emisor se combinan en la UNIN o juntura con sus contrarios, los PORTADORES de la base. CIRCUITO DE SALIDA: Conectemos una batera de voltaje un poco, o mucho ms alto que la del circuito de entrada, al diodo formado por el colector y la base. Por ser inversa su conexin, y presentar alta resistencia la juntura, slo circular una corriente muy pequea. A pesar de que el colector se hace bastante grueso, y con buena capacidad de circulacin de corriente en sentido inverso, la corriente circulante es de poca intensidad y est limitada por lo delgado de la capa de la base y la alta resistencia que presenta a la corriente en este sentido. A todo aquello que se conecte en serie con el colector se le toma como circuito de salida OUTPUT.

RELACIN ENTRE CIRCUITOS DE ENTRADA Y SALIDA EN UN TRANSISTOR NPN: Cuando estn conectados ambos, el emisor y el colector, la operacin del transistor NPN cambia considerablemente. Recuerda que la corriente directa EMISOR - BASE fue mantenida baja debido a que la base no tiene suficientes PORTADORES (huecos) para recombinarse con los electrones libres del emisor. Igualmente, la corriente inversa COLECTOR - BASE fue mantenida baja porque la base no tena suficientes electrones "atrapados" por el borne positivo de la batera. Ahora, cuando ambos, emisor y colector son POLARIZADOS conectados a fuentes de corriente, los electrones libres cruzan la base y no encuentran huecos para llenar se acumulan ac y quedan disponibles para llenar huecos del colector.

Por consiguiente entre ms sea la cantidad de electrones libres que abandonen la pastilla del EMISOR y se difundan por la base, mayor ser tambin el nmero de stos que se
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aprovechen de lo delgado de la capa de la BASE y pasen al colector a engrosar o aumentar la corriente inversa. RESUMEN: La corriente circulante por la capa del COLECTOR se ve grandemente afectada por la cantidad de PORTADORES que abandonen al EMISOR. Por otro lado, la cantidad de portadores que abandonen al EMISOR depende de los cambios en el voltaje del circuito de entrada, lo que es lo mismo, de los cambios de POLARIZACIN en la base. Bsicamente el transistor amplifica seales elctricas (pequeos cambios de corriente). Cuando una seal es alimentada al circuito de entrada produce una correspondiente corriente a travs de la juntura, y a su vez determina la corriente o flujo a travs del circuito de salida. Debido a lo anterior, si el circuito de entrada es de bajo voltaje y el de salida est conectado a un voltaje alto, habremos aumentado la velocidad de los electrones que se lograron "colar" del emisor al colector y por consiguiente se obtuvo una AMPLIFICACIN o elevacin del voltaje de la seal conectada a la entrada. Resumamos en pocas palabras y de una manera prctica, EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO HECHO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR, AL CUAL LE ENTRAN CORRIENTES ELCTRICAS DBILES POR UNA PATA LLAMADA BASE Y SALEN MS FUERTES O AMPLIFICADAS POR OTRA LLAMADA COLECTOR. O en otra forma: el transistor es un dispositivo slido que tiene tres alambres o conductores llamados EMISOR, BASE Y COLECTOR. Normalmente presenta una alta resistencia entre el EMISOR y el COLECTOR pero es disminuida a voluntad cada vez que se conecta a la BASE una pequea corriente de igual polaridad a la presente en el COLECTOR. Se comporta de manera parecida a un grifo o vlvula de agua. POR EL EMISOR CIRCULA LA CORRIENTE TOTAL, O SEA LA CORRIENTE DE BASE Y LA CORRIENTE DEL COLECTOR. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR: El funcionamiento de un transistor NPN es igual al de un transistor PNP, variando slo en los sentidos de las corrientes, los PNP tienen el borne positivo de la batera conectada (directo o en serie con resistor) al EMISOR. Los transistores NPN tienen su emisor al negativo. Aunque el funcionamiento interno del transistor es igual, hay tres formas de distribuir los elementos externos para obtener determinadas condiciones en el circuito. CIRCUITO CON BASE COMN: Es el que acabamos de estudiar, y se obtiene con l a la salida, en el colector, una seal con una corriente 200 o ms veces mayor que la corriente de la seal de entrada por emisor, se dice en este caso que la GANANCIA o factor de amplificacin es igual o superior a 200. La IMPEDANCIA o resistencia que encuentra la seal en el circuito de entrada es baja (de 10 50 ohmios), y la impedancia del circuito de salida es alta (de 200 10,000 ohmios).
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Cuando el voltaje de la seal o corriente aumenta, tambin ocurre lo mismo con la de la salida, o viceversa; se dice en este caso que la salida est en FASE con la entrada.

CIRCUITO CON EMISOR COMN: Como vamos a ver en las ilustraciones, el EMISOR es comn para la entrada y la salida, es el tipo de circuito usado ms generalmente, y se conoce tambin como circuito de entrada por la base. La seal de entrada en este tipo de circuitos aplicada a la basen y la seal de salida aparece en los extremos del resistor externo de carga del colector (RL). La seal de entrada ayuda o se opone a la polarizacin Base - emisor de la batera. Cuando ella refuerza dicha polarizacin, la corriente de la base se ve aumentada; esto trae tambin un aumento en la corriente de colector, lo cual hace que aumente el voltaje de cada a travs del resistor de carga (V = R X I). Lo contrario sucede cuando la seal de la entrada disminuye. La forma de la onda de la corriente en la salida o colector es igual a la de la seal de entrada, pero de mucha mayor amplitud. El que la onda de salida sea mayor un nmero de veces determinado con relacin a la entrada, est determinado (valga la redundancia) por el factor amplificacin dado por el fabricante, y es por lo general de 100 en adelante. De los tres tipos de circuito que hay, es en ste en el nico que la seal de salida es invertida en fase con relacin a la seal de la entrada; cuando el voltaje de la seal aumenta, el de la salida disminuye, y viceversa. La impedancia de salida oscila de 50 50,000 ohmios y la impedancia de la entrada es baja (20 5,000).

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CIRCUITO CON COLECTOR COMN: Se le conoce bastante tambin como EMISOR SEGUIDOR, e igual que en el anterior, la seal de entrada se aplica tambin a la base y la de salida es tomada de los extremos del resistor de carga (RL) colocado en serie con el emisor. No da ganancia en el voltaje de la seal de salida (ms dicen un poco de prdida) pero la corriente es mayor (hasta 50 veces ms). A diferencia de los dos anteriores, la impedancia total del circuito de salida es baja (5 5,000 ohmios) y la de entrada es alta (5,000 1,000.000). La seal de salida se obtiene del emisor.

GANANCIA DE CORRIENTE: La ganancia de corriente se obtiene de dividir la corriente de la salida entre la corriente de entrada, y es diferente segn el tipo de circuito. Para diferenciar la ganancia de uno y otro circuito, se utiliza la letra griega Alfa para sealar ganancia de corriente en un circuito de BASE COMN, y este resulta de dividir la corriente del colector por la corriente del emisor. La letra gregal Beta corresponde a la ganancia de corriente en un circuito de EMISOR
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COMN, y resulta de dividir la corriente del colector entre la corriente de base. La ganancia de corriente de un circuito de COLECTOR COMN es igual a Beta + 1.

TIRISTORES.
Descripcin de los tiristores: Siguiendo con el tema de los transistores, ahora te invito a conocer algo acerca de los TIRISTORES. Adems de los dispositivos semiconductores de una sola juntura(1 capa N unida con otra P), tales como los diodos rectificadores y los transistores AGT., existen los de dos junturas (transistores bipolares hechos con dos capas N cubriendo una capa P, o a la inversa) y los
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de tres o ms junturas (un mnimo de cuatro capas alternadas P-N-P-N de material semiconductor), los cuales reconocen con el nombre de "TIRISTORES" y se desarrollaron inicialmente por los Ingenieros de la General Electric en USA en la dcada de los 60. Un tiristor es un dispositivo conmutador visitable que tiene la propiedad de pasar rpidamente al est "ON" (encendido) para una plena corriente de trabajo cuando recibe un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, y slo puede ser puesto en "OFF"(apagado) con la interrupcin de la corriente principal de trabajo, interrumpiendo el circuito o haciendo circular una corriente de sentido contrario. Los tiristores son usualmente dispositivos de mediana y de alta potencia. Son el equivalente slido de los interruptores mecnicos, por lo cual dejan pasar plenamente o bloquear por completo en paso de la corriente de trabajo, sin niveles intermedios; o todo, o nada. Al grupo de los tiristores pertenecen dispositivos tales como el DIAC, equivalente a dos diodos zener puestos en serie pero en sentidos inversos, o sea que slo conduce corrientes cuando stas alcanzan cierto voltaje, as sean alternas; el SCR, un rectificador de conduccin controlada; el TRIAC, equivalente a dos SCR en contraparalelo; el QUADRAC, o sea un TRIAC con un DIAC incluido en serie con el terminal gate; el PUT y el FOTO TIRISTOR.

SCR (Rectificador Controlado de Silicio): Este es un pequeo dispositivo de tres terminales, que hacen el mismo trabajo semiconductor de un diodo normal (deja pasar corriente en un solo sentido), pero con la diferencia de que en ste se puede controlar el momento en el cual pueden comenzar a pasar los electrones. Al primer terminal se le denomina Ctodo, y es utilizado como entrada de corriente. El segundo sirve de salida y se le llama nodo y el tercero es el Gate, o terminal de control para el paso de corriente ctodo - nodo. El gate, llamado tambin terminal de arranque o encendido del tiristor, slo sirve para iniciar el paso de corriente entre los otros dos terminales, lo que logra con una corriente muy baja (unos 20 miliamperios). Podemos comparar un SCR con una puerta comn, de esas que tienen resorte y se cierran solas. Vamos a suponer que un viento fuerte la golpea por uno de sus lados, tratando de abrirla, Bastar con que alguien la abra o accione el picaporte, para que el viento se encargue de abrirla y mantenerte as, sin importar el estado del picaporte. El viento, es equivalente al voltaje de los electrones presentes en el terminal de control.
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DIAC (Diodo Interruptor de Corriente Alterna):

Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contraparalelo, como ya lo dijimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del DIAC. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la del gatillado para triacas en circuitos de corriente alterna. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin (en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de las triacas, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel seguro.

Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna, es un hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contraparalelo se necesitan dos circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al diseo y por ende, aumenta los riesgos de fallas.

El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC son muy
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diferentes de aquellas para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una seal positiva de control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal Principal 2 sea negativo. Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta. En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de control conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de corriente alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal 1 sea positivo. En otras palabras, para poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate un poco de seal de la misma corriente (polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2.

El gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal positiva de manera similar a como se controla un SCR.

Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior al nivel de umbral del TRIAC (punto en el cual el TRIAC no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce como QUADRAC. Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los TRIAC, estos se reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seala el voltaje del TRIAC, el 6 indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.

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VERIFICACIN Y CHEQUEO DE TIRISTORES:

Si las caractersticas de voltaje y corriente de trabajo del tiristor lo permiten, puedes armar un circuito para la comprobacin del estado y la identificacin del dispositivo (el circuito de comprobacin lo puedes ver en el ndice). Cuando la bombilla enciende a plena luz es porque est circulando la onda completa de la corriente alterna, esto significa que se trata de un TRIAC. Cuando se trata de un SCR la bombilla slo suministra aproximadamente la mitad de su luz, porque solamente recibe los medios ciclos positivos. Para comprobar que el TRIAC si est apagado cada vez que la onda de la corriente de trabajo pasa por su nivel cero, la bombilla se debe apagar cuando se desconecte la resistencia de polarizacin del gate (esto sirve para comprobar que el dispositivo no est en cortocircuito). PRUEBA CON EL HMETRO O MULTIMETRO:

Debido a que todos los medidores de resistencia tienen una fuente de corriente continua (Pilas), se pueden verificar con este instrumento la gran mayora de rectificadores SCR y TRIACs. Este procedimiento no sirve para los QUADRAC, ya que para estos necesitamos una seal de gatillado superior a los 20 voltios, y los hmetros y multimetro slo tienen 3 voltios. No se aconseja hacer estos chequeos con instrumentos que slo usan una pila de 1.5 voltios, pues la seal que entregan no alcanza ni para probar LEDs (diodo emisor de luz).

PROCEDIMIENTO: Coloquemos el hmetro o multimetro en la escala para medir baja

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resistencia(R x 1). Coloquemos el caimn positivo (rojo) al ctodo del SCR, y conectemos el nodo al cable negativo (negro), podr parecer incorrecto, puesto que se ha dicho que el nodo debe quedar positivo, pero resulta que las corrientes de salida en los terminales del instrumento tienen polaridad contraria a la que sealan sus signos y colores. En este momento la aguja del medidor seala alta resistencia (si es que se mueve). Ahora hagamos un puente entre los terminales gate y nodo, esto ocasionar que la aguja suba a una posicin de baja resistencia, y se debe conservar all aunque retiremos el puente que uni estos 2 terminales y suministr la seal de gatillado.

Si se trata de un TRIAC, hagamos primero la prueba anterior, luego, invertimos los terminales del hmetro(es posible que en esta ltima posicin no se sostenga la aguja en su lugar de baja resistencia cuando reitre el puente, pero esto se debe a que la baja corriente del instrumento medidor no alcanza para mantener encendido el TRIAC en esta polaridad). Para las pruebas, TP1 equivale al ctodo, y TP2 al nodo. FOTO TIRISTORES: Hemos aprendido que la luz es una forma de energa electromagntica de alta frecuencia, y que como tal, est en capacidad de efectuar trabajo, ya sea calentando objetos que la absorben, motivando la generacin de corriente elctrica, o simplemente disparando la conduccin en dispositivos semiconductores diseados para el efecto. Este es el caso de la foto tiristores, en los cuales el gatillado se efecta cada vez que recibe un haz de luz en la juntura de control.

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Su nombre tcnico LASCR, lo que significa "SCR Activado por Luz". El terminal gate se deja simplemente como electrodo para control de sensibilidad.

FUENTES DE INFORMACIN:

http://www.electronica2000.com/temas/transis3.htm

http://www.electronica2000.com/temas/diodos.htm

http://www.electronica2000.com/temas/tiristor.htm

ELECTRNICA, TEORA DE CIRCUITOS.

Robert Boylestad, Louis Nashelsky. Cuarta Edicin. Prentice Hall 1987.

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