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Curso IE763 Sensores e condicionamento de Sinais Departamento de Eletrnica e Microeletrnica - Demic Prof.

: Elnatan Chagas Ferreira Fone: 2397500 e-mail: elnatan@fee.unicamp.br Homepage: Http://www.demic.fee.unicamp/~elnatan Curso IE-763 Sensores e condicionamento de Sinais

Sensores e Condicionamento de Sinais 2 ndice Pag. Prefcio 1) Sensores Trmicos 1.1) Introduo..................................................................... ...................... 1.2) Definio de temperatura....................................................... ............ 1.2.1) Energia Trmica............................................................ .......... 1.2.2) Temperatura.............................................................. ............. 1.3) Sensores Resistivos........................................................ .................... 1.3.1) Detetores RTD............................................................ ............. 1.3.2) Termistores.............................................................. ................ 1.4) Termopares................................................................. ....................... 1.5) Outros Sensores Trmicos..................................................... ............. 1.6) Sumrio 1.7) Sites relacionados 2) Sensores Mecnicos 2.1) Introduo..................................................................... ......................... 2.2) Sensores de deslocamento e de posio.......................................... ........ 2.2.1) Potenciomtrico............................................................ ............. 2.2.2) Capacitivo............................................................... .................. 2.2.3) Indutivo................................................................. .................... 2.2.4) Relutncia varivel.......................................................... .......... 2.3) Sensor de Nvel.............................................................. ........................ 2.4) Sensores de Tenso........................................................... ..................... * 2.5) Sensores de Movimento................................................... ...................... * 2.6) Sensores de Presso........................................................ ........................ 2.7) Sites relacionados ........................................................ ............................ 3) Sensores pticos 3.1) Introduo..................................................................... .......................

3.2) Fundamentos da Radiao........................................................ ............ 3.2.1) Natureza da Radiao eletromagntica ...................................

Sensores e Condicionamento de Sinais 3 3.3) Sensores pticos............................................................ ....................... 3.3.1) Caractersticas e Classificao dos Detetores de radiao....... 3.4) Sites relacionados 4) Condicionamento de Sinais Analgicos 4.1) Introduo..................................................................... ...................... 4.2) Princpios de condicionamento de sinais analgicos............................. 4.3) Consideraes sobre amplificadores operacionais - Tecnologias.......... 4.3.1) Tecnologia Bipolar ...................................................... .......... 4.3.2) Tecnologia Bifet ........................................................ ........... 4.3.3) Tecnologia CMOS ......................................................... ....... 4.3.4) Macro modelos de dispositivos e Simulaes ........................ 4.4) Aplicaes DC ................................................................. .................. 4.4.1) Projeto de preciso DC .................................................... ...... 4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso ..................................... 4.4.3) Alguns exemplos de projeto DC............................................ . 4.5) Aplicaes AC ................................................................. .................. 4.5.1) Projeto de preciso AC .................................................... ..... 4.5.2) Range dinmico e Bits de preciso ..................................... 4.5.3) Consideraes sobre rudo .................................................... 4.5.4) Alguns exemplos de projeto AC............................................ . 5) Converso de dados 5.1) Introduo..................................................................... ..................... 5.2) Selecionando um AD para o seu sistema...................................... ........ 5.3) Projetando com converso de dados............................................ ........ 5.3.1) Funo de transferncia ideal................................................. 5.3.2) Fontes de erros estticos.................................................. ...... 5.3.3) Erro de abertura......................................................... ............ 5.3.4) Efeitos de quantizao....................................................... .... 5.3.5) Amostragem ideal......................................................... ......... 5.3.6) Amostragem real..........................................................

.......... 5.3.7) Efeitos de `aliasing`.................................................... ........... 6) Transmisso de Dados 6.1) Introduo .................................................................... ........................... 6.2) Interface RS-232........................................................... ............................ 6.3) Interface RS-485........................................................... ..............................

Sensores e Condicionamento de Sinais 4 6.4) Interface GPIB............................................................. ............................... Bibliografia: I. "Instrumentation for Enginnnering Measuments", 2 Edio, Jmaes W. Dallly, William F. Riley e Kenneth G. Mc.Connell, Jonh Wiley & Sons, Inc. New York, 1993; II. "Process Control Instrumentation Technology", 4 Edio, Curtis Jonhson, Prentice Hall Career & Technology, New Jersey, 1993; III. "Tranducers in Measurements and Control", Peter H. Sydenham, (ISA) Instrument Society of America, North Carolina, 1978; IV. "Interface Sensors to IBM PC", Willis, J. tompkins, Jonh G. Webster, Prentice Hall, New Jersey, 1988; V. "Sensors", Vol. 1, Vol. 4 Vol.6 e Vol. 7, Editados por W. Gpel, J. Hesse, J. N. Zemel, VCH; VI. "Tranducers for biomedical Measuments", Cobbold, R. S. C. , Wiley Interscience, 1976. VII. Data sheet de componentes . VIII. Data Book de fabricantes.

Sensores e Condicionamento de Sinais 5 Prefcio

Sensores e Condicionamento de Sinais 6 1) Sensores Trmicos 1.1) Introduo O Controle de Processo o termo utilizado para descrever qualquer condio, natural o u artificial, pelo qual uma quantidade fsica regulada. No existe uma evidencia maior de tais controles de aquela associadas com temperatura e outros fenmenos trmicos. A regula co ou o controle de temperatura no meio industrial tem sempre sido de fundamental importn cia e se tornado ainda mais com o avano da tecnologia disponvel. Nas sees que seguem ns procuramos esclarecer os princpios da energia trmica e temperatura e logo adiante apresentaremos vrios sensores trmicos para medida de temperatura. 1.2) Definio de temperatura As materiais presentes na natureza so constitudos de agrupamentos de tomos. Cada um

dos 92 elementos naturais da natureza representado por um tipo particular de tomo . Os materiais que nos rodeiam normalmente no so puro, mais sim uma combinao de vrios elementos que forma uma molcula. Assim, por exemplo, o hlio um elemento natural co mposto de um tipo particular de tomo; a gua, por outro lado, composta de molcula cada molcu la consistindo de dois tomos de hidrognio e um de oxignio. Na anlise das interaes destas molcula necessrios olhar sob o ponto de vista do estados da materiais: slido, lquido e gasoso. 1.2.1) Energia Trmica Slido Em qualquer material slido, os tomos ou as molculas esto fortemente ligado uns com os outros, de maneira que estes so incapazes de move-se ou afasta-se de sua posies de equilbrio. Cada tomo, entretanto capaz de vibrar em torno de sua posio particular. O conceito de energia trmica considerado pela vibrao das molculas. Considere um material particular no qual as molculas no apresentam nenhum movimento; isto , as molculas esto em repouso. Tais materiais possuem energia trmica (Wter =0) nula. Se ns adicionarmos energia para este material colocando-o num aquecedor, esta energi a faz com que suas molculas comecem a vibrar. Ns dizemos agora que este material tem alguma ener gia trmica (Wter > 0). Liquido Se mais e mais energia adicionada ao material, as vibraes se tornam, mais e mais violenta quando a energia trmica aumenta. Finalmente, quando uma certa condio alcana da onde as ligaes que mantm as molculas juntas se quebram e esta se movem ao longo do material. Quando isto ocorre, ns dizemos que o material fundiu e tornou-se lquido.

Agora, embora as molculas mantm atraes mtuas, a energia trmica suficiente para mover-lhas

Sensores e Condicionamento de Sinais 7 formas randnicas ao longo do material, e a velocidade com que se movem a medida d a energia trmica.

Gs Um posterior aumento na energia trmica do material intensifica a velocidade das molculas at que finalmente estas ganham energia suficiente para conseguir escapar complemente da atrao das outras molculas. Esta condio manifestada pela ebulio do lquido. Quan material consistido de tais molculas movendo randnicamente atravs de um volume cont ido, ns chamamos este material de gs. A velocidade mdia das molculas novamente a medida d a energia trmica do gs. objetivo dos sensores trmicos esta associado com a medida da energia trmica do mat erial ou de um ambiente contendo diferentes materiais. 1.2.2) Temperatura A medida da energia trmica mdia por molcula de um material, expressa em joules, poderia ser usada para definir energia trmica; mas isto no tradicionalmente feito. Ao invs disso um conjunto especial de unidade , cujas origem esto contida na histria de med idas de energia trmica, empregado para definir a energia trmica de um material. Ns escolhem os as trs mais comuns unidade. Ao diferentes conjuntos de unidades so chamados de escala s de temperatura.

Calibrao Para definir as escalas de temperatura, um conjunto de pontos de calibrao utilizad o; para isto, a energia trmica mdia por molcula definida atravs da condio de equilbri existente entre os estados slido, lquido e gasoso de vrios materiais puros da natur eza. Alguns destes pontos de calibrao padro so: 1. 2. 3. 4. Oxignio: equilbrio lquido/gs gua: equilbrio slido/lquido gua: equilbrio lquido/gs Ouro: equilbrio slido/lquido Escalas de temperatura absoluta Uma escala de temperatura absoluta aquela que associa um zero a unidade de tempe ratura para um material que no tenha energia trmica. A escala kelvin em kelvin (K) a mais comumente utilizada (fala-se kelvin e no grau kelvin). A tabela 1.1 mostra os val ores de temperatura em kelvin de vrios pontos de calibrao.

Sensores e Condicionamento de Sinais 8 Tabela 1.1 pontos de calibrao de escalas de temperaturas Pontos de Temperatura calibrao K F C Energia 0 -459,6 -273,15 trmica zero Oxignio:

90,18 -297,3 -182,97 lquido/gs gua: 273,15 32 0 slido/lquido gua:

373,15 212 100 lquido/gs Ouro: 1336,15 1945,5 1063

slido/lquido Escala de temperatura relativa As escalas de temperatura relativas diferem da escalas absoluta apenas no desloc amento do zero. Assim quando estas escalas indicam um zero na temperatura, no significa zer o na energia trmica do material. Estas duas escalas so Celsius e Fahrenheit com as temperatura indicadas por C e F respectivamente. A tabela 1.1 mostra vrios pontos de calibrao desta escalas. A quantidade de energia representada por 1C a mesma que 1K, apenas com o zero deslo cado na escala Celsius, de modo que T(C) = T(K) - 273,15 (1) Para transformar Celsius em Fahrenheit, utilizamos a expresso abaixo T(F) = 9/5 T(C) + 32 (2)

Sensores e Condicionamento de Sinais 9 1.3) Sensores Resistivos Uma dos mtodos principais para medida eltrica de temperatura explora a mudana da resistncia eltrica de certos tipos de materiais. Neste caso, principio da tcnica de medida consiste em colocar o dispositivo sensvel a temperatura em contato com o ambiente no qual se deseja medir a temperatura. Assim, a medida de sua resistncia indica a temperatura do di spositivo e conseqetemente do ambiente. O tempo de resposta neste caso importante porque nece ssrio que o dispositivo atinja o equilbrio trmico com o ambiente. Dois dispositivos bsico s usados so: 1. Detetor RTD ( do ingls, resistance-temperature detector) 2. Termistores 1.3.1) Detetor RTD Os RTD so simples elementos resistivos formados de materiais como platina, nquel, ou uma liga nquel-cobre. Estes materiais exibem um coeficiente de resistividade posi tivo e so usados em RTD s porque so estvel e apresentam uma resposta a temperatura reprodutvel por longo tempo. Um RTD tpico exibe uma caracterstica resistncia x temperatura dado pela expresso: R = R0 ( 1 + 1 T + 2 T2 + ... + N TN ) (1.3) onde 1 , 2 , ... N = so os coeficientes de resistividade de temperatura R0 = a resistncia do sensor na temperatura T0. (normalmente T0 = 0C) o nmero de termos relacionado na equao 1.3) para qualquer aplicao depende do material usado no sensor, do intervalo de temperatura, e da preciso desejada na m edida. As caracterstica de dependncia resistncia x temperatura para platina, nquel e cobre mos trada na figura 1.1. Para um intervalo pequeno de temperatura, a equao 1.3) adquire uma for ma linear expressa por R/R0 = 1 (T - T0) (1.4)

Sensores e Condicionamento de Sinais 10 8 R e s 6 i s t 4 n c i a 2 R/R0 0 Temperatura (C) Figura 1.1 Caractersticas resistncia x temperatura para nquel, cobre e platina Se uma preciso maior exigida uma aproximao de segunda ordem necessria, de maneira que a equao 1.3 torna-se R = R0 ( 1 + 1 T + 2 T2) (1.5) A equao acima mais complicada de trabalhar, mas fornece uma maior preciso para maiores intervalos de temperaturas .

Os elementos sensvel disponveis so muitos variados. Um dos sensores bastante utiliz ado consiste de fio de platina com pureza 4 noves (99,99) envolto sob um invlucro de cermica e hermeticamente selado em uma capsula de cermica. O sensor de platina utilizado pe la sua preciso. Ele resiste a corroso e contaminao, e sua propriedades mecnicas e eltricas s estvel por um longo perodo. O drift normalmente menor 0.1C quando so utilizados n seu limite superior de temperatura. Os RDT de platina so construdos com tecnologia de filmes espessos ou filmes finos . Este filmes so depositados em um substrato fino e plano de cermica e encapsulados com vidro ou cermica. Ambos estes mtodos de fabricao de filmes finos permite que a resistncia ( tpica

100 Ohms) do sensor com uma pequena massa e volume. Como resultado, o tempo de r esposta de um RDT de filme seja reduzida de forma aprecivel, como mostra a figura 1.2). Nquel Cobre Platina -200 0 200 400 600 800 1000

Sensores e Condicionamento de Sinais 11 0 25 50 75 100 0 .2 .4 .6 .8 1.0 1.2 Filme fino Fio Tempo de Resposta (s) Figura 1.2 Tempo de resposta para RDTs de fio e de filme fino. Fontes de erros Os erros comumentes encontrados quando os RTD so utilizados para medida de temperatura so: 1) 2) 3) 4) Efeitos dos fios de ligao; Estabilidade; Auto aquecimento e, Sensibilidade a presso.

1) Efeitos dos fios podem ser minimizados fazendo os fios de ligao to curtos quanto

possveis. Uma regra prtica usar uma fio de ligao que apresente uma resistncia menor o 1 por cento da resistncia do sensor. O efeito da resistncia dos fios de ligao aparecia como um offset e uma reduo na sensibilidade. Os erros causados pela variao das resistncia do ios de ligao por temperatura devem e podem ser eliminados por arranjo adequado do circ uito condicionador. Exerccio:

Sensores e Condicionamento de Sinais 12 1) Afim de eliminar erros causados pelo fio de ligao de um sensor RTD, sugira um o u mais arranjos na forma de ponte de Wheatstone de forma a minimizar estes erros. 2) A estabilidade do sensor pode se tornar uma fonte de erro quando o limite sup erior de temperatura suportado pelo o sensor excedida ou por acidente ou por erro de proj eto. Sempre que

o limite superior de temperatura for excedido , nova medidas de temperatura deve m ser repetidas at que uma leitura repetitvel for obtida. 3) Erro devido ao auto aquecimento so produzido quando a voltagem ou a corrente d e excitao so usada no condicionamento do sinal. Normalmente no existe razo para excita com altos valores, desde que um RTD produz uma alto sada (um valor tpico cerca de 1mV/(V.C) para um RDT de platina). O auto aquecimento ocorre por causa da potncia dissipada no sensor. Esta potncia PT e dada pela expresso PT = i2 RT (1.6) Por exemplo, a potncia dissipada por um RDT em uma ponte de Wheatstone com resistncia iguais a RT, excitada com uma voltagem VS PT = V2S /4RT (1.7) aumento da temperatura TS necessrio para dissipar PT TS = FS PT (1.8) onde FS o fator de auto aquecimento (C/mW). Exerccio: O fabricante de um sensor RTD de fio de platina fornece no data sheet um fator d e auto aquecimento igual a 0.5 C/mW no ar. Se este sensor (RT = 100Ohms) for utilizado e m uma ponte de quatro braos iguais com uma fonte de alimentao de 1V, qual o erro na medid a da temperatura causada pelo o auto aquecimento. Estes erros pode ser minimizados limitando-se a dissipao de potncia no sensor para menos de 2mW. 4) Os sensores RDT so sensvel s presses aplicada sobre os mesmos. Felizmente, a sensibilidade a tenses pequena quando comparada com a sensibilidade temperatura. A menos que os sensores sejam submetido a forte presses, esta fonte de erro pode ser igno rada.

Sensores e Condicionamento de Sinais 13 1.3.2) Termistores Os termistores so resistores sensvel a temperatura fabricados de material semicond utor, tais como xido de nquel, cobalto, ou magnsio e sulfeto de ferro, alumnio ou cobre. xi do semicondutores, diferente dos metais, pode exibe uma resistncia que decresce com a temperatura, so os chamados NTC (do ingls, negative temperature coeficiente). A relao para um ter mistor deste disso pode ser expressa por ln (R/R0) = (1/T- 1/T0) (1.9) ou R = R0exp[(1/T- 1/T0)] (1.10) onde R a resistncia do termistor na temperatura T R0 a resistncia do termistor na temperatura T0 a constante do material (3000 -5000 K) A sensibilidade S do termistor obtida da equao (1.10) como = -/T2 S = .R/(R..T) (1.11) Para = 4000 K e T = 298 K, a sensibilidade igual a -0.045/K, que cerca de uma or dem de grandeza maior do que a sensibilidade de um sensor RDT de platina (S=0.0035/K). A equao (1.10) indica que a resistncia R de um termistor decresce exponencialmente com a temperatura. Uma curva de resposta tpica de um termistor mostrada na figura (1.3). Desde que a sada do termistor no linear, uma medida precisa de temperatura deve se r feita usando uma tabela de calibrao. Esta linearidade pode ser melhorada pelo uso de cir cuito linearizadores com, por exemplo um resistor em srie no caso de um termistor PTC, ou em paralelo para o NTC. O intervalo de medida de temperatura com termistores na prtica esta limitado a 10 0C, devido a estabilidade pobre do sensor quando submetido a altas temperaturas. A p reciso na medida depende da tcnica empregada para medida de .R/R e a calibrao do sensor. Com o uso de uma tcnica apropriada, temperaturas de 125C pode ser medida com uma preciso de 0 ,01C, e o drift de longo termo melhor do que 0,003C/ano.

Sensores e Condicionamento de Sinais 14 Se o sinal de temperatura lido atravs de um sistema de aquisio de dados, mais adequada realizar a linearizao da medida aps a converso analgica-digital no microprocessador. Para isto pode se utilizar a relao de Steinhart-Hart que aproxim a precisamente a equao (1.9), e dada por: 1 =A + B ln R + C(ln R)3 (1.12) T onde A, B, e C so constantes determinadas da curva de calibrao do termistor. Exerccio: 1.3) Mostre que possvel linearizar em primeira ordem uma curva de um termistor NT C, num certo intervalo, simplesmente colocando-se um resistor de valor apropriado e encontre este valor . R a z o d e R e s i s t n c i a R/R0 102 101

1 10 -1 10-2 10-3 10-4 R = R0exp[(1/T- 1/T0)] -50 0 300 350 100 150 200 250 Temperatura C Figura 1.3) Resistncia como funo da temperatura para termistor tipo NTC

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Vrios tipos de termistores com vrios tipos de formatos esto disponveis comercialment e que varia de algumas dezenas de Ohms a vrios megaOhms. Com o avano acelerado da tecnologia de materiais necessrio uma constante atualizao, e agora, com a revoluo da Internet, isto tornou-se menos desgastante , desde que voc se pluge . Atravs da rede mundial de informao praticamente toda informao necessria para especificao do seu sensor est prontamente disponvel. 1.4) Termopares Um termopar um simples sensor de temperatura que consiste de dois materiais dife rentes em contato trmico. O contato trmico, chamado de juno pode ser feito por feito pela f uso ou solda de dois materiais diferente. A figura 1.4a) mostra um termopar de uma simp les juno. A operao de um termopar baseado na combinao de efeitos termoeltrico que produz uma voltagem de circuito aberto quando duas junes so mantidas em temperaturas difer ente. O diagrama clssico de um circuito de um termopar de duas junes mostrado na figura 1.4 b), onde as junes J1 e J2 so mantidas nas temperatura T1 e T2 respectivamente. A voltagem te rmoeltrica

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uma funo no linear com a temperatura que pode ser representada por uma equao empric na forma V0 = C1 (T1 - T2) + C2 (T21- T22) (1.13) onde C1 e C2 so constante dieltricas que depende do material. T1 e T2 so as temperaturas das junes Material A T

Material B Figura 1.4 a) Termopar de uma simples juno Material A T1 T2 V0 Material B Material B Figura 1.4 b) Circuito de termopar para medida da diferena de temperatura T1-T2..

A gerao da voltagem V0 devido ao efeito Seebeck, que produzido pela difuso de eltrons atravs da interface entre os dois materiais. O potencial do material aceit ador de eltrons torna-se negativo na regio de interface e o material doador torna-se positivo. As sim um campo eltrico formado pelo fluxo de eltrons na interface. A difuso continua at uma condio

equilbrio seja alcanada pela ao do campo eltrico sobre os eltrico (mecanismo semelhan e a

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formao do potencial de barreira na juno PN). Desde que as foras de difuso so depende da temperatura, o potencial eltrico desenvolvido na juno fornece uma medida desta temperatura. Alm do efeito Seebeck, dois outros efeito termoeltricos bsicos ocorrem no circuito do termopar. Estes so: 1) Efeito Peltier 2) Efeito Thompson O efeito Peltier ocorre quando passa um fluxo de corrente no circuito de termopa r. Este efeito consiste na transferna de calor na presena da corrente i .Esta quantidade de calor, em watts dada por qP = AB.i (1.14) onde qP a quantidade de calor transferida em watts AB o coeficiente de Peltier de A para B da juno AB deve-se notar que a equao (1.14) vetorial, isto , o coeficiente de Peltier muda de sinal com o sentido da corrente. (AB = -BA). A figura 1.5) ilustra este efeito e seu comportam ento dual. J1 J2 i Material A Material B Material B qT qPqP T1 T2 vs Figura 1.5) Transferncia de calor devida ao efeito Peltier, qp e ao efeito Thomps on, qT

Sensores e Condicionamento de Sinais 18 O efeito Thompson o efeito termoeltrico que afeta o circuito do termopar. Novamen te este efeito involve a gerao ou absoro de calor qT sempre que existe um gradiente de temperatura e h corrente num material. A figura 1.5) ilustra este efeito. A quant idade de calor transferida dada pela equao qT = si(T1 - T2) (1.15) onde s o coeficiente de Thompson que depende do material condutor. Ambos estes efeito produzem (erros) voltagem equivalente que na sada do circuito do termopar e afetam a preciso da medida de temperatura, e portanto devem ser minimi zados, limitamdo-se a corrente que flui atravs da juno durante a medida de v0. O circuito de termopar da figura 1.4 b) usado para medir uma temperatura desconh ecida T1, enquanto a juno J2 mantida em uma temperatura referncia conhecida, T2. Desta fo rma possvel determinar a temperatura T1 pela medida da voltagem v0. A experincia mostr a que a equao 1.13) no suficiente para representar com preciso a curva caracterstica voltagemXtemperatura de um termopar. Na prtica utilizar-se tabelas (lookup tables ) ou um polinmio de alta ordem na forma T1 -T2 = a0 +a1 .v0 + a2 .v02 + ...+an . v0n (1.16) Princpios de operao do termopar O uso prtico de termopares baseado nos seis princpios de operao do termopar, ilustrados nas figuras 1.5 a) - 1.5 e). 1) Um circuito de termopar deve conter no mnimo dois materiais diferentes e no mni mo duas junes (fig. 1.5 a) ). 2) A voltagem de sada de um circuito de termopar depende somente da diferena entre as temperaturas de juno (T1 - T2) e independente da temperatura ao longo do material, desde que no flua nenhuma corrente pelo circuito (fig. 1.5 b) ). 3) Se um terceiro material C inserido ao longo do material A ou B, a voltagem de sada v0 no afetada, desde que a temperatura nas duas novas junes sejam as mesma (fig. 1.5 c) ). 4) A insero de um material C na juno J1 ou J2 , na afeta a voltagem de sada v0, desde que as duas novas junes AC ou CB sejam mantidas na mesma temperatura (fig. 1.5 d) ). 5) Um circuito de termopar com temperatura T1 e T2 produz na voltagem de sada

(v0)1-2 = f(T1- T2), e se exposta numa temperatura T2 e T3 produz uma voltagem d e sada

Sensores e Condicionamento de Sinais 19 (v0)2-3 = f(T2- T3). Se o mesmo circuito exposto a temperatura T1 e T3, a voltag em de sada ser (v0)1-3 = (v0)1-2 + (v0)2-3 (fig. 1.5 e) ). 6) Se um circuito de termopar fabricado com materiais A e C gera uma sada (v0)AC quando exposto a temperatura T1 e T2, e um circuito similar fabricado com materiais C e B gera uma sada (v0)CB, ento se um termopar fabricado com materiais A e B gerar uma sada (v0)AB = (v0)AC + (v0)CB )fig. 1.5 f) ). Material A Material A T2 T2 T1 T1 J1 J2 V0iT3 T4T6 T5 Material B J1 J2 V0i Material B Material B Material B b) a) J1 J2 Material Material Material i T1 T2 Material Ti Tj J2 Material Material iT1 T2 d) Material T1 c) A B B V0 C A B Material B V0

C T3

Material A

Material A Material A T3 T2T2 T3 T1 J1 J2 (V0)1-3 Material B i J1 J2 (V0)1-2 Material B i + = T1 Material B Material B Material B J1 J2 (V0)2-3 Material B i e) Material C Material A Material A T1 T3 T1 J1 J2Material C (V0)AC Material C i T3 + T1 J1 J2Material B (V0)CBi T3 J1 J2 (V0)AB Material B i = Material B Material B f)

Figura 1.5) Situaes tpicas encontrada no uso de termopares. a) Circuito de termopar bsico. b) Dependncia de v0 somente de (T1 - T2). c) Metal intermedirio no circuito. d) Metal intermedirio na juno. e) Adio da voltagem de sada para diferentes temperatura. f) Adio da voltage e

sada para diferentes termopares para temperaturas idnticas.

Sensores e Condicionamento de Sinais 20 Estes seis princpios so importantes porque fornece a base para o projeto de circui to de medida de temperatura. O primeiro princpio formaliza a observao experimental que um circuito de termopar deve ser fabricado com dois material diferente de modo que duas junes so formadas. A voltagem de sada v0 tem sido observada se uma funo no linear da diferena de temperatu ra (T1 -T2) nessa duas junes. Para um fluxo de corrente num sentido mostrado na figura 1. 5 a), esta voltagem pode ser expressa por v0 = eBA . T1 + eAB . T2 (1.17) onde eBA o potencial da juno corrente flue do material B eAB o potencial da juno corrente flue do material A por unidade de temperatura na juno quando uma pequena para o material A. por unidade de temperatura na juno quando uma pequena para o material B.

Desde que eBA = - eAB a equao (1.14) pode ser escrita na forma j vista v0 = eBA . (T1 -T2) (1.18) O segundo princpio indica que a voltagem de sada v0 do circuito de termopar no influenciada pela a distribuio de temperatura ao longo do material exceto nos pont os onde as coneces so feitas para formar as junes. Este principio garante na prtica que v0 independente dos comprimentos dos fios de ligao. Exerccio: Faa uso do primeiro e segundo princpio de operao do termopar e prove os quatro princpios restantes. Materiais Termoeltricos O efeito termoeltrico ocorre sempre se um circuito de termopar fabricado com dois metais diferentes; portanto uma grande quantidade de materiais so adequado para u so em termopares. Entretanto, estes materiais so selecionados tendo em vista algumas pr opriedade desejveis listadas abaixo: 1) 2) 3) 4) Estabilidade de longo tempo (long-term stability) em temperaturas elevadas. Compatibilidade com a instrumentao disponvel. Custo reduzido. Mxima sensibilidade sobre todo o intervalo de operao

Sensores e Condicionamento de Sinais 21 As sensibilidades de vrios materiais em combinao com a platina so apresentada na tabela 1.1). Os valores desta tabela permite que a sensibilidade S 0C de um termo par fabricado com qualquer material listado na tabela possa ser determinado, como feito no exe rccio abaixo. Exerccio: Determinar a sensibilidade 0C de um termopar de Cromel-Alumel a partir dos valore s listados na tabela 1.1). Tabela 1.1) Sensibilidade S de Alguns materiais combinados com platina 0C. Sensibilidade S Material V/C V/F Bismuto -72 -40 Constantan? -35 -19,4 Nquel -15 -8,3 Alumel? -13,6 -7,6 Nisil? -10,7 -5,9 Platina 0 0 Mercrio 0,6 0,3 Carbono 3,0 1,7 Alumnio 3,5 1,9 Chumbo 4,0 2,2 Prata 6,5 3,6 Cobre 6,5 3,6 Ouro 6,5 3,6 Tungstnio Nicrosil? 7,5 4,2 15,4 8,6 Ferro 18,5 10,3 Cromel? 25,8 14,3 Germnio 300 167 Silcio 440 244 Telrio 500 278 Selnio 900 500 Vale lembrar que a sensibilidade S uma funo no linear da temperatura; de maneira qu e para todo o intervalo de temperatura de operao do termopar os valores de setes mat eriais mais usados so mostrado na tabela 1.2).

Sensores e Condicionamento de Sinais 22 Tabela 1.2) Sensibilidade S em funo da temperatura para os sete tipos de termopar. Temperatura (C) E J K N R S T -200 25,1 45,2 21,9 15,3 30,5 9,9 -15,7 28,4-100 41,1 20,9 0 58,7 65,7 50,4 39,5 41,4 26,1 5,3 7,5 5,4 38,7 46,8100 54,3 29,7 7,3 200 74,0 77,9 55,5 40,0 41,4 33,0 8,8 9,7 8,5 53,1 58,1300 55,4 35,4 9,1 400 80,0 80,9 55,1 42,2 42,6 37,0 10,4 10,9 9,6 61,8 -500 56,0 -9,9 600 80,7 79,9 58,5 42,5 41,9 -11,3 11,8 10,2 -700 62,2 -10,5 800 78,4 76,7 -41,0 40,0 -12,3 12,8 10,9 -900 --11,2 1000 74,9 -39,8 -13,2 11,5 As letras E, J, K, N, R, S, e T so projetadas pelo padro ANSI (America National So ciety Instrument - PADRO MC 96.1-1975) e os pares de materiais usados nestes termopares

so definidos na tabela 1.3). Tabela 1.3) Materiais empregados nos termopares padro. Tipo Material positivo Material negativo E Cromel Constantan J Ferro Constantan K Cromel Alumel N Nicrosil Nisil R Platina 13% Rdio Platina S Platina 10% Rdio Platina T Cobre Constantan A voltagem de sada v0 em funo da temperatura para vrios tipos de mais comuns de termopar mostrado na figura 1.6) . Como podemos observar na figura, o termopar t ipo E (Cromel-constantan) gera uma maior sada para uma dada temperatura; mais infelizme nte, a sua maior temperatura de operao de 1000 C. O intervalo de temperatura e as sadas de volt agem , para os tipos mais comuns de termopar mostrado na tabela 1.4)

Sensores e Condicionamento de Sinais 23 V o l t a g e m d e s a d a 80 60 40 20 v0 (mV) 0 Tipo E Cromelconstantan Tipo K Cromel-aTipo N Nicrosil-nislumel il TTipo G unsgtnio-tunsgtnio 26% rnio Tipo S Platina-platina 10% rdio 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 Temperatura (C) Figura 1.6) Voltagem de sada v0 versus temperatura T Tabela 1.3) Intervalo de temperatura e voltagem de sada para vrios termopares. Intervalo de temperatura Voltagem de sada Tipos C F (mV) Cobre-constantan -185 400 -300 750 -5,284 20,805 Ferro-constantan -185 870 -300 1600 -7,52 50,05 Cromel-Alumel -185 1260 -300 2300 -5,51 51,05 Cromel-constantan 0 980 -32 1800 0 75,12 Nicrosil-Nisil -270 1300 -450 2372 -4,345 47,502 Platina -10% Platina/rdio 0 1535 32 2800 0 15,979 Platina -13% Platina/rdio

0 1590 32 2900 0 18,636 Platina -30% Platina/rdio 38 1800 100 3270 0,007 13,499 Platinel 1813 - Platinel 1503 0 1300 32 2372 0 51,1 Irdio- 60% rdio- 40% irdio 1400 1830 2552 3326 7,30 9,55 Tungstnio 3% rniotungstnio 25% rnio 10 2200 50 4000 0,064 29,47 Tungstnio-tungstnio 25% rnio 16 2800 60 5072 0,042 43,25 Tungstnio 5% rniotungstnio 26% rnio 0 2760 32 5000 0 38,45

Sensores e Condicionamento de Sinais 24 A estabilidade de longo tempo (long-termo stability) uma propriedade importante do termopar se a temperatura deve ser monitorada por um longo tempo. Um relativamen te novo tipo de termopar foi recentemente desenvolvido, tipo N (nicrosil-nisil) que apresenta uma estabilidade termoeltrica muito elevada. Instabilidade trmica de vrios termopares padro ocorre a partir de 100 1000 h de exposio a temperatura.

O erro mais importante introduzido pelos efeitos da instabilidade trmica o gradua l e acumulativo drift na voltagem de sada durante a longa exposio do termopar temperatur s elevadas. Este efeito devido a mudana na composio na juno causada pela oxidao inte externa. O termopar tipo N foi desenvolvido para eliminar as oxidaes internas e mi nimizar as oxidaes externas. O drift de longo tempo na sada de 1.7) como funo do tempo de exposio a observar o drift do termopar tipo nte 100 a 200 h . Aumentando o fio para inadequado para aplicaes de longo ma estabilidade necessria para medida D r i f t e m v0 (V) 250 0 -500 -1000 -1500 0 #14 N #14 K #14 E termopares tipos N, E, J, e K mostrado na figura uma temperatura constante de 777 C. como podemos J fabricado com fio AWG N.14 excessivo aps um some AWG N.8 melhora-se a estabilidade mais ainda tempo. Somente os termopares tipo K e N exibem u de temperatura de at 777 C e no mnimo 1500 h.

#8 E #8 J #14 J 0 300 600 900 1200 1500 1800 Tempo de exposio em horas 777 C Figura 1.7) Drift da sada v0 para diferentes tipo de termopar em funo do tempo de exp osio a uma temperatura constante de 777 C.

Sensores e Condicionamento de Sinais 25 Temperatura de referncia da Juno Fria

Como vimos anteriormente, o termopar fornece uma sada v0 proporcional a diferena (T1- T2), assim imprescindvel que a temperatura na juno J2 (T2) (chamada de juno fri ) seja mantida constante ou precisamente controlada. 05 mtodos mais comum so usados para realizar esta funo: 1) 2) 3) 4) 5) Inserir J2 na mistura gua/gelo em equilibrio (T= 0.1C). Efeito de refrigerao de Peltier Mtodo de ponte eltrica Manter a temperatura na juno fria ,T2 maior que a temperatura ambiente Mtodo double-oven (duplo aquecedor)

No primeiro mtodo insere-se a juno fria numa garrafa trmica com a mistura gua/gelo, tampada para evitar perdas e gradientes de temperatura. A gua deve ser removida p eriodicamente e o gelo deve ser adicionado para manter a temperatura constante. Esta mistura m antm a temperatura da juno 0.1C.

O segundo mtodo faz uso do refrigerador de Peltier. O termopar acondicionado num reservatrio contendo gua deionizada e destilada mantida 0C. As paredes externas do reservatrio so resfriadas pelos elementos de refrigerao termoeltrica at que a gua co e a congelar. O aumento do volume da gua quando ela comea a congelar sobre as paredes do reservatrio que expande um fole, que contm uma microchave desativa os elementos de refrigerao. O ciclo de congelamento e descongelamento do gelo nas paredes do reser vatrio mantm a temperatura da gua precisamente 0C. O terceiro mtodo consiste em monitorar a temperatura do ambiente atravs de um RDT gerar uma voltagem de sada que igual e oposta a voltagem do circuito do termopar devido a mudana em T2. A figura 1.8) ilustra este mtodo. Vref T1 Material A Bloco de referencia na temperatura ambiente RDT T2 Material B + v0 Cobre Cobre Circuito de Ponte Figura 1.8) Mtodo de ponte eltrica para compensao de juno fria.

Sensores e Condicionamento de Sinais 26 O quarto mtodo simplesmente baseia-se no fato que mais fcil o aquecimento ao resfriamento para trabalhar numa temperatura controlada de juno fria mais elevada e que a temperatura ambiente. A tabela voltagem-temperatura do termopar deve ser desloca da em tenso para corregir a temperatura de juno fria diferente de 0C. Finalmente, o quinto mtodo que elimina a necessidade de correo da temperatura de juno, emprega dois aquecedores em diferentes temperaturas para emular uma temperat ura de referencia de 0C (figura 1.9) . Na figura 1.9) cada uma das duas junes (Cromel-Alum el) no primeiro aquecedor produz uma voltagem de 2.66mV na temperatura do aquecedor de 65.5 C. Esta voltagem total de 2x2.66 = 5.32mV cancelada pela dupla juno de Alumel-cobre e cobreAlumel no segundo aquecedor que esta a 130 C. O efeito lquido das quatro junes nos d ois aquecedores produzir uma equivalente termoeltrico com uma simples juno fria 0C. T1 Cromel Primeiro aquecedor de referencia na temperatura de 65.5 C 65.5C Alumel Alumel Cromel Condic. Segundo aquecedor de referencia na temperatura de 130C 130 C Cobre Cobre Figura 1.9) Mtodo Fios de ligao O material usado para fornecer isolao para os fios de ligao determinado pela mxima temperatura que o termopar estar sujeito. Os tipos de isolao e seus limites de temp eratura esto mostrado na tabela 1.4) Em aplicaes de alta temperatura, os fios de ligao so disponvel com uma isolao de cermica tendo de uma blindagem metlica. Em alguma aplicaes faz-se necessrio separar a medida e a juno fria por uma distancia aprecivel. Nestas circunstncias, fios especiais, conhecidos como fios de extenso, so inseridos entre a juno quente e a juno fria. Os fios de extenso so feitos do mesmo material da uno do termopar e portanto exibe aproximadamente as mesma propriedades termoeltricas. A principal

double-oven

(duplo aquecedor)

Sensores e Condicionamento de Sinais 27

vantagem do fio de extenso a melhora nas propriedades do fio. Por exemplo cachos de fios de menor dimetro com isolao de PVC de fcil instalao podem ser usados em sistemas de baix custo. Tabela 1.4) Caractersticas de isolao de fios de ligao de termopar Temperatura (0C) Material Resistncia de abraso Boa Flexibilidade Max. 105 Min. -40Excelente Poliestireno Boa Excelente Excelente 75 150 -75 -55Nylon Boa Teflon-FEP Excelente Excelente Boa 200 260 -200 -267Teflon-PFA Boa Silicone Regular Regular Excelente 200 1204 -75 -17Boa Fibra de vidro Ruim Ruim Boa 482 871 -75 -75Boa Excelente Boa 316 -267 Extenso XA Cobre Juno Fria Extenso XB Cobre Condic. Material A T1

Material B Conector isotrmico Figura 1.10) Uso do fio de extenso no circuito do termopar

Sensores e Condicionamento de Sinais 28 Fontes de erros Vrios tipos de erros podem ser introduzido durante a medida de temperatura com o uso de termopares. Erros devidos a carregamento do circuito do termopar (j descrito) , p reciso na leitura, rudo e resposta dinmica devem ser minimizados afim de alcanar preciso desej ada. Existe ainda outro tipo de erro inerente a sensores de temperatura, o chamado er ro de insero. O erro de insero o resultado do aquecimento ou resfriamento da juno que muda a tempera tura da juno T do meio na temperatura Tm . Este erro classificado em trs tipos: 1) Erro de conduo 2) Erro de recuperao 3) Erro de radiao O primeiro erro devido a transferncia ou absoro de calor por conduo para o ambiente atravs do contato do termopar com o corpo a ser monitorado. Este erro ma is significante quando a massa trmica do termopar comparvel com a do sistema. O segundo erro acontece sempre que um termopar inserido no meio de um gs movimentando-se alta velocidade, resultando na estagnao do gs prximo ao probe de med ida. Finalmente, o terceiro erro devido a perdas por radiao de calor. Este erro mais significante em altas temperaturas. 1.5) Outros sensores trmicos Outros tipos de sensores trmico so disponveis no mercado. Dentre estes podemos cita r o sensor de temperatura semicondutor na forma de circuito integrado, que fornece n ormalmente uma sada em corrente proporcional a temperatura absoluta, quando uma voltagem ent re 4 e 30 V aplicado nos seus terminais. Este tipo de sensor de temperatura um regulador de corrente constante sobre uma temperatura de -55 a 150 C. O sensor apresenta uma sensibilid ade de corrente nominal Si de 1 A/K. As caractersticas corrente de sada versus voltagem de entrada para vrias temperaturas so mostradas na figura 1.11). O sensor de temperatura integrado ideal para aplicaes remota desde que ele age com o fonte de corrente constante e como resultado, a resistncia dos fios de ligao no afet a a medida. Vrios problemas encontrado nos sensores RTD, termistores e termopares no esto prese nte neste sensor. A voltagem de sada v0 do circuito do sensor de temperatura controlado por uma resistncia colocada em srie, como mostrado na figura 1.12). Desde que o sensor ser

ve como fonte de corrente, a voltagem de sada pode ser expressa por v0 = i . Rs = Sin. T . Rs = ST . T (1.19)

Sensores e Condicionamento de Sinais 29 C 500 o r r 400 e n t 300 e 200 s a d 100 a 0 (A) 0 Temperatura = 423 K Temperatura = 300 K Temperatura = 218 K 2 46 810 30 Voltagem de entrada (V) Figura 1.11) Caractersticas de um sensor integrado de dois terminais onde Si a sensibilidade do sensor em corrente Rs a resistncia srie na qual a voltagem de sada medida T a temperatura absoluta i a corrente de sada na temperatura T ST a sensibilidade do sensor em volts RL RL V0 RS Sensor vs Figura 1.12) Circuito para medida de temperatura com sensor integrado

1.6) Sumrio Os diferentes tipos de sensores disponveis para medidas de temperatura, incluem principalmente RTD (resistance-temperature-detectors), termistores, termopares e Sensores integrados. Cada um destes apresenta suas vantagens e desvantagens; a escolha do sensor apropriado para uma aplicao particular normalmente baseada nas seguintes consideraes : 1) 2) 3) 4) 5) Intervalo de temperatura Preciso Ambiente Resposta dinmica Instrumentao disponvel

Sensores e Condicionamento de Sinais 30 As vantagens e desvantagens dos quarto mais populares sensores para medidas de temperatura so mostradas na figura?. importante notar que com o rpido avano em tecn ologia de novos material pode modificar as vantagens e desvantagens destes sensores, de maneira que uma constante atualizao faz-se necessrio. Termopares RTD Termistores Sensores integrados R R V o V o l t V e s i s t R e s i s t R l t. o u V ou i a e e c g n n o e m c i a c i r r e. Temperatura T Temperatura T a Temperatura T Temperatura T V a Auto excitado Mais estvel Alta Mais linear n Simples Mais preciso sensibilidade Maior sada t Robusto Mais linear que Rpido Baixo custo a Baixo custo termopar Medida com dois g Grande variedade fios e Grande intervalo n de operao s D

No linear s v

Caro

No linear

Temperatura e

Baixa sensibilidade Fonte de corrente necessria Pequeno intervalo de <200 0C Fonte de a Voltagem de Pequeno DR temperatura potncia n referncia Baixa resistncia Frgil Necessria t necessria Auto aquecimento Fonte de corrente a Menos estvel necessria Auto g Baixa voltagem Auto aquecimento e aquecimento Configuraes n limitadas s

Lento

Figura 1.13) Vantagens e desvantagens dos sensores de temperatura mais comum

Sensores e Condicionamento de Sinais 31 2) Sensores Mecnicos 2.1) Introduo Como sensores mecnicos podemos entender todos aqueles dispositivos que realizam a transduo de uma grandeza mecnica em um sinal eltrico. Uma enorme variedade de sensores disponvel para medidas de quantidades mecnicas, e a descrio detalhada de cada um destes sensores demandaria um tempo razovel, e foge ao objetivo deste curso. Apesar disso, procuramos apresentar de uma maneira breve, e sempre que possvel completa, os princpios de funcionamentos dos principais tipo de sensores. 2.2) Sensores de deslocamento e de posio Os sensores de deslocamento e posio so sensores que transforma as grandezas ngulo, posio e proximidade em sinais eltrico. Os trs tipos mais comum de sensores de deslocamento e posio so: 1) 2) 3) 4) 5) Potenciomtrico Capacitivo Indutivo Relutncia varivel tico

2.2.1) Potenciomtrico O tipo mais simples de sensor potenciomtrico de posio mostrado de forma esquemtica na figura 2.1). Este tipo de sensor bastante utilizado em impressoras jato de tinta para controle do posicionamento do carro que contm os cartuchos de tinta. O senso r consiste de um resistor de fio ou filme deslizante de comprimento l e sobre o qual aplica-se uma voltagem vi. A relao entre a voltagem de sada v0 e a posio x do contato deslizante ct , quando est e move-se ao longo do comprimento do fio, pode ser expresso por v0 = x/l . vi ou x = v0/vi . l (2.1) assim , a posio ou deslocamento pode ser medido. Os resistores de fio rgido no so possveis de serem usados em muitas aplicaes, pois a resistncia de um fio curto baixa e isto implica em um excessivo consumo de potncia da voltagem vi. Para contornar esta dificuldade, estes tipos de sensores so obtidos enrolando-se um fio de alta resistncia sobre um material isolante de formato adequado, como mostr a a figura 2.2). Tcnicas mais recentes permitem construir sensores potenciomtricos atravs da deposio d e filmes sobre pelcula flexveis de material isolante. A resistncia destes filmes exib

e uma alta

Sensores e Condicionamento de Sinais 32 resoluo, baixo rudo , e longo tempo de vida. Por exemplo, uma resistncia de 50 a 100 Ohms/mm pode ser obtida e resoluo to alta quanto 0.001 mm pode ser alcanada. Estes sensores apresentam um baixo custo e so usados intensivamente. (figura 2.3). l x v0 vi Resistncia de fio ct Figura 2.1) Sensor de posio tipo potenciomtrico l x v0 vi Resistncia de fio ct Figura 2.2) Sensor de posio tipo potenciomtrico de resistncia elevada Pelcula Transparente Filme resistivo l Figura 2.3) Sensor de posio com filme fino

Sensores e Condicionamento de Sinais 33 Sensores potenciomtricos de formato cilndrico, similares aqueles ilustrados na fig ura 2.2), so usado para medida de deslocamento ou posio angular. O valor da resistncia d este tipo de sensores situa-se na faixa de 10 a 106 Ohms, dependendo do tipo , dimetro e co mprimento utilizado. O range do sensor de posio linear depende do comprimento l. Os sensores lineares podem ser encontrados at o limite de 1 m. O range do sensor de posio angular pode ser extendido arranjando-se um sensor no formato helicoidal. Potencimetros Helicoidal (Helipot) so disponveis comercialmente com 20 voltas; portanto deslocamentos angulares de at 7200 grau pode ser medidos facilmente. O contato ct quando em movimento normalmente exibe rudo. Este rudo pode ser minimizado garantindo-se que o contato esteja limpo e livre de oxido. 2.2.2) Capacitivo Sensor de posio capacitivo utilizado para medida de posio de at algum milmetro e bastante utilizado em medida de vibraes relativas. Um sensor tpico capacitivo ilust rado na figura 2.4) e consiste de uma placa alvo e uma segunda placa chamada de cabea do sensor. Estas duas placa so separadas por um gap de ar de espessura h e forma os dois terminais d e um capacitor, que apresenta uma capacitncia C dada por C = k K A/h (2.2) onde C a capacitncia em picofarads (pF) A a rea do cabea do sensor ( . D2/4) K a constante dieltrica do meio (K = 1 para o ar) k uma constante de proporcionalidade; k = 0.225 para dimenso em polegada e 0.00885 para dimenso em milmetro) h h Cabea do Sensor Cabea do Sensor Placa alvo Placa alvo Campo eletrosttico Campo eletrosttico Blindagem Blindagem

Anel de Guarda a) b) Figura 2.4) Sensor capacitivo. a) sem anel de guarda b) com anel de guarda

Sensores e Condicionamento de Sinais 34 Se a separao entre a cabea e o alvo se altera por uma quantidade Dh, ento a capacitncia C torna-se 1 C +.C =k * K * A (2.3) (h +.h) ou rescrito na forma .C .h / h =- (2.4) C 1+(.h +h) Este resultado mostra que (.C/C) no linear, devido ao termo (.h+h) no denominador da equao (2.4). Para evitar a dificuldade de se usar um sensor capacitivo com sada no l inear, a variao na impedncia antes que a capacitncia medida. Usado o fato que j Zc =- (2.5) .C Com a capacitncia mudando de .C, ento j . 1 . Zc +.Zc =- (2.6) .. ..C +.C . Substituindo a equao (2.5) em (2.6) resulta .Zc .C / C =- (2.7) Zc 1+.C / C E finalmente substituindo a equao (2.4) em (2.7) resulta .Zc .h = (2.8) Zc h

Sensores e Condicionamento de Sinais 35 Da equao (2.8) claro que a impedncia capacitiva linear com h e o um mtodo de medida de impedncia de .Zc permitir, atravs de duas placas simples (O alvo com terr a e a cabea do sensor com terminal positivo), a medida do deslocamento .h. A cabea do sensor normalmente tem um formato cilndrico e a equao (2.8) vlida desde que 0 < h <D/4 onde D o dimetro da cabea do sensor. O intervalo de linearida de pode ser estendido para h . D/2 se um anel de guarda ao redor do sensor usado, como m ostra a figura 2.4 b). A sensibilidade do sensor obtida com ao auxlio das equaes (2.2), (2.5) e (2.8) e expressa por .Zc Zc 1 1 (2.9) S == = = .h h ..C.h ..k.K.A Como pode ser observado a sensibilidade pode ser melhorada pela reduo da rea A do sensor; entretanto, como foi visto anteriormente, limitada pela linearidade. De maneira que claramente existe um compromisso entre sensibilidade e linearidade. Da mesma for ma existe um compromisso entre a sensibilidade (aumenta quando . diminui) e a resposta em freqncia do sensor (aumenta quando . aumento). O sensor capacitivo tem vrias vantagens . Ele realiza uma medida sem nenhum conta to e pode ser usado com qualquer material para o alvo, desde que este apresente uma r esistividade menor do que 100 Ohms-cm. O sensor robusto e pode ser sujeito a choque operar em ambiente de muita vibrao. Pela o exame da equao (2.9) para sensibilidade S, mostra que a cons tante dieltrica K somente o parmetro que pode mudar com a temperatura. Desde que K const ante

para o ar para um grande intervalo de temperatura, o sensor de capacitivo tem ex celente caractersticas de temperatura. A mudana da impedncia capacitiva ZC normalmente medida com o circuito mostrado na figura 2.5). A cabea, a blindagem e o anel de guarda so alimentado com uma font e de voltagem AC com corrente constante. Um oscilador digital fornece uma freqncia cons tante em 15.6 kHz utilizado para alimentar esta fonte e como referncia de freqncia para o de tector sncrono. A queda de voltagem atravs da cabea sentida com o um pr-amplificador de bai xa capacitncia . O sinal do pr-amplificador ento amplificado com um ganho fixo por um amplificador de instrumentao. O sinal do amplificador de instrumentao retificado e fornecido ao detetor sncrono . Aps a filtragem (para eliminar riple de alta freqncia) e linearizao adequadas o sinal entregue ao circuito de sada com ajustes de ganho e de off-set ).

Sensores e Condicionamento de Sinais 36 Detetor Sncrono Filtro Circuito de Linearizao Amplificador de sada Pr amplificador Ganho Offset Probe Fonte AC de Oscilador de Fonte de Alimentao corrente constante referncia Figura 2.5) Diagrama esquemtico de um sistema de medida para uma sensor capacitiv o 2.2.3) Indutivo Outro sensor bastante utilizado para medida de pequenas distncias o sensor basead o nas correntes de Eddy que so induzidas numa superfcie condutora quando as linha de flu xo magntico interceptam com a superfcie condutora, como ilustrado na figura 2.6). Bobina ativa Bobina inativa Alvo Demodulador de ponte de impedncia e Fonte de alimentao de alta freqncia Deslocamento Sada Figura 2.6) Diagrama esquemtico para um sensor indutivo A magnitude das corrente de Eddy produzidas na superfcie do material condutor uma funo da distancia da bobina ativa e a superfcie. As corrente de Eddy aumentam quand o a distncia diminui. A mudana nas corrente de Eddy so sentidas com uma ponte de impedncia. As duas bobinas formam os dois braos da ponte. Os outros dois braos so referncia de impedncia do circuito de condicionamento. A primeira bobina no sensor (bobina ativa) que muda a sua

Sensores e Condicionamento de Sinais 37 indutncia com o movimento do alvo, ligada no brao ativo da ponte. A segunda bobina ligada no brao oposto da mesma ponte. A sada da ponte demodulada e fornece um sinal analgi co que linearmente proporcional a distancia do sensor ao alvo. A sensibilidade do sensor fortemente dependente do material do alvo, onde uma al ta sensibilidade est associado com materiais de alta condutividade. A sada do sensor indutivo normalizado com relao ao alumnio para os principais elementos normalmente presente no alvo mostrado na figura 2.6). Para um alvo de alumnio a sensibilidade tpica de 4V/mm. S . ......... ......... ....... Prata a .. d 1.2 . a . c . o 1.0 .. m ............................ .......... .......... .......... .......... .......... .......... ........

........ ........ .......... .......... .......... .......... .......... .......... ........ ........ ........ .......... .......... .......... .......... ........ ........ .......... .......... .......... .......... .......... .......... ........ ........ ........ .......... .......... .......... ........ ........ ........ Materiais Magnticos . Materiais no Magnticos Cobre Ouro Fsforo Condutor perfeito (.=0) Magnsio Alumnio Bronze EstanhoAo 416 Ao 1030 80%Ni-Fe Sada para materiais Grafite no magnticos Nquel .. r e.8 .. l a .

.. .6 o . a . o .. .4 a .. l u . m .2 . n . ......... ......... ........ i o . ......... ......... ........ 0 1 10 100 1000 Resistividade em microhms-cm Figura 2.6) Sada relativa de um sensor de corrente de Eddy como funo da resistividade do material do alvo.

A influncia da temperatura na sada do sensor pequena devida ao arranjo diferencial proporcionado pelas duas bobinas . A maior causa dessa dependncia devido ao fato de a resistividade do material do alvo varia com a temperatura. Para o alumnio como al vo, o sensor apresenta uma sensibilidade temperatura de 0.0022%/C.

Da mesma forma que o sensor indutivo, o intervalo de operao do sensor depende do dimetro da bobina ativa. A relao intervalo/dimetro normalmente igual 0.25 e a respo ta em freqncia da ordem de 20-50 Khz.

Sensores e Condicionamento de Sinais 38 2.2.4) Relutncia varivel Outros sensores de deslocamento baseiam-se na variao do acoplamento entre indutncias. O mais conhecido sensor que se baseia neste princpio para fornecer uma sada propor cional ao deslocamento linear, o linear variable differential transformer (LVDT). A figura 2.7 mostra uma ilustrao de um LVDT. Este consiste de trs bobinas simetricamente espaadas ao red or de um ncleo contendo um cilindro de um material magntico. O cilindro magntico quando s e move ao longo do ncleo sem contado, provoca a mudana no fluxo magntico que liga a bobina central e as laterais. Desta forma a posio do cilindro controla a indutncia entre as bobina s central e laterais. ac v0 Ncleo Sentido do movimento Bobinas laterais Bobina central Figura 2.7) Vista transversal de um LVDT Quando uma voltagem de excitao AC aplicada na bobina central, voltagens so induzidas nas bobinas laterais. As bobinas laterais so ligadas em srie e de fase o posta, como mostra a figura 2.8). Quando o ncleo est centrado entre as duas bobinas laterais, a voltagem induzida nestas so iguais e de fase oposta, de maneira que a voltagem de sada v0, como tomada do arranjo em srie-oposta das bobinas, ser nula. Quando o ncleo movido do sua posio central , ocorre um descasamento na indutncia mtua entre a bobina central e as bob inas laterais e uma sada diferente de zero aparecer em v0.

A voltagem de sada e linear para o intervalo de operao do LVDT, que na prtica se sit ua entre 2 mm, para os chamados short-stroke LVDTs de alta sensibilidade (0.2 V/mm po r volts de excitao), e 150 mm, para os chamados long-stroke LVDTs de baixa sensibilidade (0.02 V/mm por vots de excitao). As freqncias de excitao se situam entre 50 Hz e 25 KHz. Para aplicao de alta resposta em freqncia deve se usar uma freqncia de excitao de no mn 10 vezes maior de que a freqncia de deslocamento a ser medida. A tabela 2.1) mostr a as caractersticas tpicas de alguns LVDT.

Sensores e Condicionamento de Sinais 39 N c l e o v1 v2 v0 vs Primrio Secundrio Secundrio Figura 2.8) Diagrama esquemtico de um circuito LVDT B A Voltagem de sada O Ncleo em B Ncleo em A Ncleo em O Figura 2.9) Voltagem de sada em funo da posio do ncleo

Desde o LVDT um sensor passivo este requer uma fonte de excitao em uma determinada freqncia diferente da fonte de alimentao, um circuito condicionador de s inais necessrio para sua operao. Uma configurao tpica de um circuito condicionador mostra na figura 2.10)

O LVDT tem vrias vantagens quando comparado com os outros mtodo de medida de deslocamento. Uma delas no contato entre o ncleo e as bobinas, eliminando, portant o, as frices e histereses. Isto permite um maior estabilidade e um maior tempo de vida p ara o sensor. E ainda a pequena massa do ncleo associada a ausncia de frices proporciona uma respo sta mais rpida. Outra vantagens a no limitao mecnica de final de curso, o que permite ao sensor que uma medida atinja eventualmente um valor em excesso, sem danos para o mesmo.

Sensores e Condicionamento de Sinais 40 Tabela 2.1) Caractersticas Tpicas de LVDTs Obs: ** 1 mil = 0.001 polegadas * necessario ncleo reduzido Modelo Intervalo Linear Linearidade % Sensibilidade Impedncia Percentagem do fundo de escala(O) (pol.) (mm) 50 100 125 150 mV/V.mil ** mV/V.mm Primrio Secundrio 050 HR 0.050 1.25 0.10 0.25 0.25 0.50 6.30 248.0 430 4000 100 HR 0.100 2.50 0.10 0.25 0.25 0.50 4.50 177.0 1070 5000 200 HR 0.200 5.00 0.10 0.25 0.25 0.50 2.50 100.0 1150 4000 300 HR 0.300 7.50 0.10 0.25 0.35 0.50 1.40 55.0 1100 2700 400 HR 0.400 10.00 0.15 0.25 0.35 0.60 0.90 35.0 1700 3000 500 HR 0.500 12.50 0.15 0.25 0.35 0.75 0.74 30.0 460 375 1000 HR 1.000 25.00 0.25 0.25 1.00 1.30 * 0.39 15.0 460 320 2000 HR 2.000 50.00 0.25 0.25 0.50 * 1.00 * 0.24 10.0 330 330 3000 HR 3.000 75.00 0.15 0.25 0.50 * 1.00 * 0.27 11.0 115 375 4000 HR 4.000 100.0 0.15 0.25 0.50 * 1.00 * 0.22 10.0 275 550 5000 HR 5.000 125.0 0.15 0.25 1.00 * 0.15 6.0 310 400 Fonte de Alimentao Gerador de Freqncia LVDT Demodulador Amp. DC Figura 2.10 Diagrama de bloco de uma circuito tpico de condicionamento de sinal d e LVDT

Sensores e Condicionamento de Sinais 41 2.3) Sensores de Nvel A medida de nvel de lquidos e slidos feita atravs de sensores de nveis. A medida de nvel normalmente feita com a material contido em um reservatrio ou um tanque. Vrias tcnicas de medidas existem e alguma destas ns descreveremos a seguir. Mecnica Uma das tcnicas mais comum para medidas de nvel, particularmente para lquidos, o que utiliza boia que se move para cima ou para baixo com a mudana do nvel do lquido . Esta boia, como mostrado na figura 2.11, conectada a algum sistema de medida de deslo camento, tal como um potencimetro ou um LVDT. Boia Lquido Sensor de deslocamento Figura 2.10) Medida de nvel por boia e sensores de deslocamento Eltrico Existem vrios mtodos de puramente eltricos para medida de nvel. Por exemplo, um mtodo pode usar a condutividade especfica do lquido ou slido para variar a resistncia vista de um probe colocado no material. Outra tcnica comum ilustrada na figura 2.11). Nest e caso dois cilindros concntricos so inserido no lquido. O nvel do lquido cobre parcialmente o es pao entre os dois cilindros e restante fica preenchido com ar. Este dispositivo conf igurado desta forma funcionar como dois capacitores em paralelo, senso um deles com uma constante die ltrica do ar (. 1) e o outro com a constante dieltrica do lquido. Desta forma, uma variao do nvel do lquido causar uma variao na medida da capacitncia eltrica entre os dois cilindros. O circuito de condicionamento deste sistema muito simples e fcil de ser implement ado, pois a capacitncia a ser medida apresenta uma grande variao, dispensando, desta for ma, circuitos mais complexos de ponte capacitiva.

Sensores e Condicionamento de Sinais 42 Cilindros Lquido Figura 2.11) Medida de nvel atravs de dois capacitores concntricos Ultrasnico O uso da reflexo ultrasnica para medida de nvel favorvel por esta uma tcnica no evasiva, isto , ela no envolve em colocar nenhuma parte no material. A figura 2.12 a) e a figura 2.12 b), mostram as tcnicas interna e externa. obvio, que a tcnica externa mais adequada para a medida de nvel de material slido. Em ambos os casos a medida depen de do tempo gasto na reflexo do pulso ultrasnico na superfcie do material. TR Lquido Lquido T R a) b) Figura 2.12) Medida de nvel ultrasnica a) externa b) interna Presso A medida de nvel tambm possvel ser feita sem contato se a densidade do material conhecida. Este mtodo baseado na relao bem conhecida entre a presso na base de uma

Sensores e Condicionamento de Sinais 43 reservatrio da densidade do ido est contido ido pode ser expressa p h =. (2.10) g onde h = altura do lquido em m . = densidade em Kg/m3 g = acelereao da gravidade (9.8 m/s2) p = presso em Pa (pascal) Desta forma atravs de um sensor de presso colocado na base do reservatrio pode de medir o nvel do lquido com o uso da equao (2.10). A figura 2.13) ilustra uma sistema de medida de nvel atravs de medida de presso. Altura h Lquido ou nvel Sensor de presso Figura 2.13) Medida de nvel atravs de um sensor de presso e a altura do lquido. Esta presso depende somente da altura do lquido e lquido (massa por unidade de volume). Em termos de uma equao, se um lqu

em um reservatrio, ento a altura da base do reservatrio a superfcie do lq por

Sensores e Condicionamento de Sinais 44 2.4) Sensores de Tenso Tenso (strain) o resultado da aplicao de foras a um objeto slido. As foras so definida em um modo especial descrita pelo termo geral presso (stress). Antes de falarmos em sensores de tenso (strain gauge) apresentaremos algumas definies Definies Os slidos so aglomerados de tomos no qual a espaamento atmico tem se ajustado para manter o mesmo em equilibrio com todas as foras aplicadas. Estes espaamento d etermina as dimenses fsicas do slido. Se as foras aplicadas mudam os tomos do objeto se arranj am novamente para outra condio de equilbrio, resultando numa mudana das dimenses fsicas ue referida como deformao do slido. O efeito das foras aplicadas referida como tenso (strain). Para facilidade de to, presso e tenso so cuidadosamente definidos para tress e o tipo especfico de presso aplicada. A seguir Tenso e Presso de trao Na figura 2.14), a natureza de uma fora de trao mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a alonga-lo ou separa-lo. Neste caso, a presso de trao definida co mo Presso de trao = F/A (2.11) onde F = fora aplicada em N A = rea da seo transversal da barra em m2 Ns observamos que a unidade da presso de trao N/m2 no SI de unidade ( ou lb/in2 na unidade Inglesa) A tenso neste caso definida como a mudana relativa no comprimento da barra Tenso de Trao (e) = .l/l (2.12) onde .l = variao no comprimento em m (in) l = comprimento original em m (in) Assim a tenso uma quantidade adimensional. como presso (stress) e a deformao resultante um tratamento analtico apropriado do assun enfatizar as propriedades do material sob s mostraremos as trs definies mais importantes.

Sensores e Condicionamento de Sinais 45 F F l A = rea da seo transversal Figura 2.14) Trao aplicada a uma barra Tenso e Presso de compresso Na figura 2.15), a natureza de uma fora de compresso mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a separa-lo. Neste caso, a presso de compresso defini da como Presso de Compresso = F/A (2.13) onde F = a fora aplicada em N A = a rea da seo transversal da barra em m2 Novamente a tenso (strain) de compresso definida como a mudana relativa do comprimento da barra Tenso de Compresso (e) = .l/l (2.14) onde .l = a variao no comprimento em m (in) l = o comprimento original em m (in) F F l A = rea da seo transversal Figura 2.15) Compresso aplicada a uma barra

Sensores e Condicionamento de Sinais 46 Tenso e Presso de ciso Na figura 2.16), a natureza de uma fora de ciso mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a parti-lo . Neste caso, a presso de ciso definida co mo Presso de ciso = F/A (2.15) onde F = a fora aplicada em N A = a rea da seo ciso em m2 A tenso neste caso definida como uma variao Tenso de ciso (e) = .x/l (2.16) ll F F FF rea A .x a) Tenso de ciso aplicada b) Deformao devido a Tenso de ciso Figura 2.16) Presso de ciso aplicada a um objeto Curva presso x tenso

Se uma amostra especfica de um certo material sujeita a uma tenso num certo interv alo de valores, um grfico semelhante ao mostrado na figura 2.17) resulta. Este grfico mostra que a relao entre tenso e presso linear at um certo valor de presso aplicada. Neste inter o linear o material est na sua regio elstica, de maneira que, retirando-se a presso ap licada as deformao desaparece totalmente. Aps este intervalo alguma deformao permanecem mesmo sem a presso aplicada. Se a presso continuar aumentando, existir um certo valor que o material de quebra ou cisalha. Presso T e m s o Regio linear

Sensores e Condicionamento de Sinais 47 Figura 2.17) Curva tpica de tenso x presso

Unidades de tenso Embora tenso seja uma grandeza adimensional, comum expressar a tenso como a razo de duas unidades de comprimento, por exemplo, como m/m ou in/in; como os val ores prticos de tenso so pequenos , tambm comum utilizar o prefixo micro (). Neste sentid uma tenso de 0.001 ser expressa por 1000 m/m ou 1000 in/in. Em geral, o menor valor de t enso encontrado na prtica situa-se na faixa de unidades de m/m. Como a tenso adimensiaon al, no h necessidade de converso de unidade. Princpio Strain Gauge (Gage) O princpio Strain Gauge (SG) baseado na fato de que um material condutor sujeito a tenso muda sua resistncia eltrica. O Strain Gauge de resistncia eltrica so de filme metlico com uma geometria de dobras, como indicado na figura 2.18). O processo de fabricao do strain gauge permit e que se fabrique uma quantidade enorme de formatos disponvel no mercado, para uso nas mai s diversas aplicaes. Os tamanhos dos SG variam de 0.2m a 100mm. A sensibilidade a tenses do SG de metais foi primeiro observado em cobre e ferro pelo Lorde Kelvin em 1856 . Para a compreenso deste princpio faremos a anlise a seguir. sabido que a resistncia de um condutor metlico pode ser expressa por .L R = (2.17) A onde . = resistncia especfica do metal L = comprimento do condutor A = rea da seo transversal do condutor diferenciando a equao (2.17) e dividindo por R, resulta dR/R = d./. + dL/L - dA/A (2.18) O termo dA/A representa a variao relativa na rea da seo transversal do condutor devid o a tenso exercida sobre o mesmo. Para o caso de uma tenso de trao axial, temos que ea = .L/L = dL/L e et = -.ea = -. dL/L (2.19)

Sensores e Condicionamento de Sinais 48 onde ea = tenso axial no condutor et = tenso transversal no condutor . = razo de Poisson do metal usado no condutor

Se de dimetro do condutor d0, antes da aplicao da tenso, ento o dimetro do condutor b tenso df df = d0 (1-. dL/L) (2.20) da equao (2.20) fcil verificar que dA/A = -2 . dL/L + .2 ( dL/L)2 . -2. dL/L (2.21) e, finalmente, substituindo a equao (2.21) na equao (2.18), vem dR/R = d./. + dL/L(1+2.) (2.22) que pode ser escrita como Sa = (dR/R)/ ea = d./(.ea ) + (1+2.) (2.23) onde a quantidade Sa definida com a sensibilidade do metal ou liga usada no cond utor. A equao (2.23) mostra que a sensibilidade do metal ou da liga o resultado da mudana nas dimenses do condutor , como expresso pelo o termo (1+2.), e pelo mudana na res istncia especfica, como expresso pelo termo d./(.ea ). Estudo experimentais mostram que a sensibilidade Sa, apresentam valores na faixa de 2 4 para a maior parte das liga s metlicas usadas na fabricao de strain gauge. Alm disso a quantidade (1+2.) aproximadamente igual 1. 6 para a maior parte destes materiais, o que significa que o termo d./(.ea ) contribui com um valor entre

0.4 2.4. O aumenta na resistncia especfica resultado da variao do nmero de eltron res e na sua mobilidade com a tenso aplicada. Uma lista da ligas mais comum empregadas na fabricao de SG, juntamente com a sua sensibilidade, mostrado na tabela 2.2). Os SG mais comuns so fabricados com liga de cobrenquel como Constantan. A maior parte dos SG so do tipo filme metlico com dobras (veja a figura 2.18) ), o nde este formato feito com processos de foto corroso ( photoetching ). Como este processo verstil , uma grande quantidade de formatos est disponvel para as mais variadas apl icaes. O SG mais curto disponvel da ordem de .2mm; e o mais longo cerca de 100mmm. Os valo

res de

Sensores e Condicionamento de Sinais 49 resistncias padres so de 120 e 350 Ohms. Outros valores para aplicaes especiais de 50 0, 1000, e 5000 Ohms so tambm disponveis. Um SG exibe uma variao na resistncia .R/R que relacionada com a tenso aplicada e pela expresso .R/R = Sg .e (2.24) onde Sg o fator de gauge ou a constante de calibrao do SG. O fator de gauge Sg sem pre menor do que a sensibilidade da liga metlica devido ao formato de construo do SG (v eja figura 2.18) ). Tabela 2.2) Sensibilidade a tenses Sa para as ligas mais comuns. Material Composio(%) SA Constantan 45 Ni, 55 Cu 2.1 Nicromo V 80 Ni, 20 Cu 2.1 Isoelstico 36 Ni, 8 Cu, 0.5 Mo, 55,5 Fe 3.6 Karma 74 Ni, 20 Cr, 3 Al 3Fe 2.0 Armour D 70 Fe, 20 Cr, 10 Al 2.0 Platina-tungstnio 92 Pt, 8 W 4.0 Sensvel T axial r a n s v e r s a l Insensvel Figura 2.18) Formato tpico de um SG Strain Gauge de semicondutor so tambm disponvel. Estes apresentam uma alta sensibilidade negativa (isto , a resistncia diminui com a tenso aplicada) Sg , da o rdem de -50 -200, mas por outro lado, so altamente no linear. Fator de Cross-sensibilidade Como vimos anteriormente, a sensibilidade de um condutor de comprimento uniforme foi definida como

Sensores e Condicionamento de Sinais 50 Sa = dR/(e.R) ..R/(e.R) (2.25) Em um SG tpico, o condutor tem um formato na forma de dedos (ver fig.2.18) afim d e manter o comprimento do condutor pequeno. Alm disso, o condutor no uniforme em tod o o seu comprimento. Isto resulta no fato de que a sensibilidade do condutor no igual a constante de calibrao do SG, Sg (fator de gauge). Para um melhor compreenso da resposta de um SG, vamos supor que este esteja sujei to a tenso biaxial (axial e transversal). Nesta situao, temos .R/R = Sa . ea + St . et + Sc . ec (2.26) onde ea = et = ec = Sa = St = Sc = a a a a a a tenso (strain) ao longo do eixo axial do SG tenso (strain) ao longo do direo transversal do SG tenso (strain) de ciso associada as direo a e t sensibilidade do SG tenso axial sensibilidade do SG tenso transversal sensibilidade do SG tenso de ciso

O terceiro termo no segundo membro da equao (2.26) ( Sc . ec ), muito pequeno pode ser desconsiderado. Entretanto, a sensibilidade do SG a tenses transversais, St, no pequena e no pode ser desprezada; portanto os fabricantes fornecem um fator de sensibilidad e transversal ou fator de cross-sensibilidade, Kt para cada SG, que definido como Kt = St / Sa (2.27) se a equao (2.27) substituida na equao (2.26) com Sc = 0, resulta .R/R = Sa (ea + Ktet) (2.28) e como a sensibilidade do SG expressa em termos de um fator de gauge Sg , como v isto anteriormente .R/R = Sg ea (2.29) ento, da equao (2.28) e (2.29), vem

Sensores e Condicionamento de Sinais 51 Sg = Sa (1 + Ktet/ea) (2.30)

O fator de gauge determinado pelo fabricante pela medida .R/R para uma amostra d e SG extrada de cada lote de produo. No processo de calibrao, as amostras so montada so re um eixo com razo de poisson conhecida e igual .0 = 0.285. Uma tenso axial ea conhe cida aplicada ao eixo que produz uma tenso transversal et dada por et = -.oea (2.31) Assim, substituindo a equao (2.31) na equao (2.30), resulta Sg = Sa (1-.o Kt) (2.32) A forma simplificada de .R/R versus ea indicado pela equao (2.24) normalmente usad a para o clculo da resposta do SG. importante notar que esta equao aproximada a menos que Kt ou et seja igual a zero. Exerccio: Calcule o erro cometido na valor verdadeiro de ea em considerar Sg =Sa e em no le var em conta a tenso transversal et no SG que apresenta um fator de cross-sensibilidade igual Kt. 2.5) Sensores de Movimento Uma classe de especial de sensores usada para medida de velocidade e acelerao de objeto no processo industrial e em testes. Normalmente, estas variveis no esto sob um contrle especfico mas so usados para avaliar o desempenho, durabilidade, e modos de falhas de produtos fabricados e processo que os produzem. sensor de velocidade sensor de acelerao 2.6) Sensores de Presso

Sensores e Condicionamento de Sinais 52 3) Sensores pticos 3.1) Introduo

A tecnologia tica um tema bastante vasto cobrindo assuntos que vo de ptica geomtrica , incluindo lentes, prismas, grades de difrao at tica fsica com laser, giro cpio de fibra tica, converso de freqncia, e fenmenos no lineares. Estes assuntos so muitos interessantes, mas no momento o nosso interesse familiarizar-mos com os princpios ticos e o conhecimentos de uma transduo especifica com o uso de sensores ticos. Antes de falarmos sobre sensores ticos propriamente , faremos um breve resumo de alguns conceitos relacionados com a medidas de grandezas ticas ou genericamente f alando, de radiao em geral. 3.2) Fundamentos da Radiao Ns estamos familiarizados com a radiao eletromagntica (EM) como luz visvel. radiao EM em outras formas tais como, sinais de rdio e TV e luz infravermelho ravioleta nos tambm familiar. Entretanto, a maioria de ns no conseguiria responder se erguntado para dar uma descrio completa de tais radiaes incluindo critrios de medidas s. 3.2.1) Natureza da Radiao eletromagntica A radiao EM uma forma de energia em movimento, ou melhor, esta se propaga pelo espao. Um objeto que libera ou emite tal radiao perde energia. E aquele que absorve radiao ganha energia. Desta forma nos devemos descrever como esta energia se apresenta como radiao EM. A e ult fosse p e unidade

Freqncia e comprimento de onda O termo radiao eletromagntica sugere que esta forma de energia esteja intimamente relacionado com eletricidade e magnetismo. De fato estudos mostram que os fenmeno s eltricos e magnticos produzem radiao EM. A radiao se propaga pelo espao de uma maneira anloga ao de ondas de gua propagando-se de algum distrbio na sua superfcie. Como tal, defi nido ambos freqncia e comprimento de onda da radiao. A freqncia representa a oscilao por segundo quando a radiao passa por algum ponto fixo no espao. O comprimento de onda representa a distancia espacial entre dois mximo ou dois mnimos sucessivos da onda na direo de propagao. Velocidade de propagao a radiao EM propaga-se pelo vcuo com uma velocidade independente da freqncia e do comprimento de onda. Neste caso, a velocidade dada por c =..f (3.1)

Sensores e Condicionamento de Sinais 53 onde c = 2.999 x 108 m/s . 3 x 108 m/s = velocidade da radiao EM no vcuo . = comprimento de onda em metros f = freqncia em hertz (Hz) Quando tal radiao move-se atravs de meio que no o vcuo, a velocidade de propagao reduzida para um valor menor de que c. A nova velocidade est relacionado com o ndi ce de refrao do meio que definido por c n = (3.2) v onde n = o ndice de refrao do meio v = a velocidade da radiao EM no meio.

Unidade de comprimento de onda A descrio mais consistente da radiao EM via a sua freqncia ou o seu comprimento de onda. Para muitas aplicaes, esta especificao feita atravs da freqncia da radia em um sinal de 100 MHz de rdio ou de 1 GHz de microonda. Por conveno, entretanto, t em se tornado mais comum descrever a radiao EM pelo seu comprimento de onda. Isto particularmente verdadeiro perto da banda visvel. A unidade usada metros com os p refixos associados. Assim, por exemplo, um sinal de 10 GHz descrito por um comprimento d e onda de 30 mm. Outra unidade comumente encontrada o Angstrom (A), definido como 10-10 m. assim, a luz vermelha descrita como uma radiao EM como tendo um comprimento de onda de 0.7 m ou 7000 A. Espectro da radiao EM O espectro da radiao EM mostrado na figura 3.1). Este espectro vai desde ondas lon gas de rdio ao raios csmicos de onda extremamente curta. O estudo das propriedades e caractersticas destas radiaes, como elas interagem com os dispositivos, e as caract ersticas das fontes e receptores de radiao, chamado de Radiometria. Na radiometria, ns medimos radiaes com dispositivos eletrnicos, e o resultados dessas medidas so expressadas em unidade da fsica (como, watts, watts/m2, etc). A cincia da radiometria relativamente nova. Ela nasceu com o surgimento da tecnologia eletrnica no comeo do sculo. O espectro do radiometria inclui comprimentos de onda de 400 a 700 nm, o interva

lo da luz visvel. A grande maioria dos dispositivos optoeletrnicos operam neste interval o cujo o principal objetivo interagir e comunicar com os seres humanos. Portanto, o recep tor final o olho humano. A cincia que trata com a luz visvel e sua percepo com a viso humana chamada de Fotometria.

Sensores e Condicionamento de Sinais 54 Aplicao f(Hz) KHz 103 104 Audio 105 MHz 106 Rdio 107 Televiso 108 GHz 109 1010 Radar 1011 THz 1012 Aquecimento 1013 Infravermelho 1014 1015 Iluminao 1016 1017 1018 1019 1020 1021 1022 .(m) Regio Espectral 106 105 VLF ( very low frequency ) 104 LF ( low frequency ) 103 km MF ( medium frequency )

102 HF ( high frequency ) 101 VHF ( very high frequency ) 1m UHF ( ultra high frequency ) 10-1 SHF ( super high frequency ) 10-2 EHF ( extremely high frequency ) 10-3 10-4 INFRAVERMELHO R 10-5 a d i 10-6 o m 10-7 e ULTRAVIOLETA t 10-8 r i a 10-9 RAIO-X

10-10 10-11 10-12 RAIOS GAMMA 10-13 RAIOS CSMICOS Infravermelho 700 nm 650 nm 600 nm F o t o 550 nm m e t 500 nm r i a 450 nm 400 nm ULTRAVIOLETA Figura 3.1) Espectro de radiao eletromagntica

Sensores e Condicionamento de Sinais 55 A fotometria, ao contrrio da radiometria, uma cincia antiga, criada por cientistas e artistas no sculo dezenove. Existem diferenas fundamentais entre a radiometria e a fotometria. A mais significante involve o dispositivo receptor ou de medida. Na radiometria, a s medidas so feitas com dispositivos eletrnicos objetivos; na fotometria, a medida feita pelo o olho humano. Outra diferena, que, na fotometria as unidades de medidas usadas so diferentes: a potncia de luz (fluxo luminoso) medida em lmens (1 watts = 683 lmens) , ao invs de watts, e a densidade de potncia medida em lux, ao invs de watts/m2. 3.3) Sensores pticos Os Sensores pticos so um tipo especial de detetor de radiao que responde a esta radiao no intervalo que compreende desde o infravermelho at o ultravioleta. Nesta s eo ns faremos um resumo dos vrios tipos de detetores de radiao no importando o intervalo d e operao na regio espectral da radiao EM. 3.3.1) Caractersticas e Classificao dos Detetores de radiao Caractersticas Vrios termos e parmetros so necessrios para descrever as caractersticas do detector. Os mais importantes so descritos abaixo Responsividade (RE) -Descreve a figura de mrito do sistema de deteo. aplicado para o detector que responde a radiao produzindo na sua sada um sinal, na forma de corrente ou voltagem. A responsividade a razo da sada com a radiao de entrada: RE V0 I0 fI = ou (3.1) fI

onde RE = a responsividade (V/W), (V/l), (A/W),ou (A/lm) V0 = a voltagem de sada do detetor (V) I0 = a corrente de saida do detetor (A) FI = a radiao ou o fluxo luminoso aplicado (W), (lm) A responsividade pode ser especificada (calculada) para um comprimento de onda especfico ou integrada para um intervalo de comprimento de onda. Potncia de rudo equivalente (NEP) - uma figura de mrito de um detetor e descreve o menor nvel de radiao detectvel. De forma mais precisa o NEP a potncia de radiao entrada que produz na sada do detetor uma razo sinal/rudo igual a 1 ou 0 dB.

Sensores e Condicionamento de Sinais 56 Assim, admitindo que a corrente de rudo (ou tenso) igual a IN (rms) o NEP pode ser calculado como segue temos S/N = 1 = I0/IN = RE x NEP/ In (3.2) logo NEP = IN/RE (3.3) onde NEP = a potncia de rudo equivalente (W) RE = a responsividade (A/W) ou (V/W) IN = a corrente ou voltagem de rudo (a) ou (V) O NEP depende da rea do detetor e da largura banda de freqncia. Um menor NEP indica que o detetor capaz de medidas mais sensveis. Desde que ns estamos acostuma dos a usar maior nmero para maior figura de mrito, comum o uso do termo detectividade. Detectividade - o recproco de NEP: D = 1/NEP = RE/IN (3.4) Um detetor mais sensvel que pode detectar um menor nvel de radiao tem uma maior detectividade que um menos sensvel. A detectividade, assim como NEP, tambm depende da largura de banda e da rea do detetor. Para eliminar esta dependncia , uma figura d e mrito normalizada usada. D* (pronuncia-se d estrela) - a detectividade normalizada para um detetor de rea ig ual 1 cm2 e largura de banda de rudo igual a 1 Hz: *1 D = DA .f = A .f (3.5) DD NEP onde D* = a detectividade normalizada (cm x Hz1/2/W) AD = a rea do detetor (cm2) .f = largura de banda de rudo (hz) Eficincia quntica -Descreve a eficincia intrnseca de um detetor. a razo do nmero de fotoeltrons gerados com um nmero de ftons incidentes, em um dado compriment o de onda. Um detetor ideal com uma eficincia de 1 produz 1 eltron por 1 fton inciden te. A eficincia quntica pode ser calculada da responsividade pelo seguinte equao:

Sensores e Condicionamento de Sinais 57 .=1.24103 RE. 1 (3.6) . onde . = a eficincia quntica RE. = a responsividade no comprimento de onda . (A/W) . = o comprimento de onda da radiao (nm). Tempo de resposta - um fator crtico para muitos detetores, especialmente aqueles usados em comunicao. Este pode ser expresso de duas maneira, como uma constante de tempo ou como um tempo de subida e descida ( rise-and-fall time ). A constante de tempo usada quando a resposta exponencial, que normamente o caso com detetores trmicos. Este o tempo que o detetor requer para alcanar (1-1/e), ou 63%, do seu valor final. O tempo de subida e descida o tempo requerido para alcanar de 10% a 90% da respos ta final. A figura 3.2) ilustra este termos. O tempo de subida e descida determina a maior freqncia do sinal que o detetor resp onde. Uma boa aproximao do ponto -3dB da resposta em freqncia e o tempo de subida expresso pelo seguinte equao: f-3dB = 0.35/tR (3.7) onde f-3dB = ponto -3dB da reposta em freqncia do detetor (Hz) tR = o tempo de subida (s). 63% 10%10% 90%90% 50% 100% 100% tempo tempo Tempo de subida Constante de tempo Tempo de descida b) a) Figura 3.2) Definies do a) tempo de subida e descida e b) constante de tempo

Sensores e Condicionamento de Sinais 58 Rudo no detetor -A eletricidade (fluxo de eltrons) e a radiao (fluxo de ftons) so de natureza discretas. O fluxo destes portadores nestes fenmenos no constante mas exibe uma variao randnicas. Desta forma, todo portadora de sinal nestes meios sempre contm uma componente de freqncia randnica, chamada rudo. O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. O rudo no sistema p ode ser gerado nas fontes de radiao, no detetor e tambm no circuito de condicionamento do s inal. Vrios tipos rudo ento presentes no sinal, entre estes podemos citar: Branco Rudo trmico, Nyquist ou Johnson -----------sempre presente no resistor Branco Rudo Shot -------------------------------------------sempre presente no semicondu tor Branco Rudo de gerao e recombinao ---------------sempre presente no semicondutor 1/f Rudo 1/f ou Flicker ---------------------------------sempre presente no semicondu tor e carbono Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num elemento resistivo. Este rudo gerado em todo resistor, no importando o tipo a cons truo. A voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatura e da la rgura de banda do sistema. (tabela 3.1) Rudo Shot (Isrms) -gerada num fotodetetor (semicondutor), causada pelo natureza discreta dos fotoeltrons gerados. A corrente de rudo depende da corrente mdia que p assa atravs do fotodetetor e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1)

Rudo de gerao e recombinaao (IGRrms) -gerada num fotocondutor (semicondutor), causada pelas flutuaes na taxa de gerao, de recombinao , ou de armadilhas dos portado es de correntes no fotocondutor ou semicondutor. Este tipo de rudo predominante em dete tores fotocondutivos operando no infravermelho. (tabela 3.1) Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) -gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Es te depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no exi ste uma equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). E ste

rudo apresenta uma importante caracterstica: a densidade epectral de potncia do rudo inversamente proporcional a freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia abaixo de 100Hz e existe em todo semicondutor que necessita de uma corrente de p olarizao para sua operao. O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio de todas as corrente o u voltagem de rudo, como mostrado abaixo: 222 2 INeq = ( ITrms + ISrms + IGRrms +IFrms ) (3.8)

Sensores e Condicionamento de Sinais 59 Tabela 3.1) Rudos em detetores Rudo Trmico Shot Gerao Recombinao Flicker ou 1/f Circuito ITrms ISrms IGRrm IFrms Frmula V kTR fTrms = 4 . ou I kT f RTrms = 4 . I qI fSrms medio = 2 . I qG EA f GRrms = 2 . . I C I f fFrms DC a b = . Parmetros k = constante de Boltzmann (1.38x10-23) T = temperatura absoluta .f = largura da banda do sistema R = valor da resistncia q =carga do eltron Imdia= corrente mdia que atravessa o fotodetetor .f = larg. da banda do sistema q =carga do eltron G = n de eltrons gerado/n de foton . =eficincia qun. E =radiao incid. A = rea do detetor .f = larg da banda do sistema C, a,b = constante arbitrria IDC = Corrente mdia atravs do con. f = freqncia de operao .f = larg. da banda do sistema Classificao Os detetores de radiao podem ser classificados em dois tipos, dependendo da sua resposta espectral (O intervalo de comprimento de onda ou freqncia que o detetor r esponde). Estes tipos so: a) Detetor de banda larga;

b) Detetor de banda estreita. Com relao ao princpio de operao os detetores podem ser divididos em vrios grupos. A figura 3.3) mostra os vrios grupos de detetores segundo o princpio de operao. Os d ois grupos mais importante so: a) Detetores Trmicos; b) Detetores Fotoeltricos.

Sensores e Condicionamento de Sinais 60 Detetores de Radiao Detetores Biolgicos Detetores Qumicos Fotodetetores no amplificados Fotodetetores amplificados Detetores com efeito fotoeltrico externo Detetores com efeito fotoeltrico interno Detetores Pneumticos Detetores Fotoeltrico Bolometro Piroltico Fotodiodos Clula solar CCDFotoTRIAC FotoSCR Fotoclula Vcuo Fotodetetor de juno Fotocondutor FotoFET Fototransistor Foto multiplicador Multiplicador microcanal Termopar Termopilha Olho humano Filme Fotogrfico Golay Detetores Trmicos Figura 3.3) Grupos de detetores de radiao

Sensores e Condicionamento de Sinais 61 4) Condicionamento de Sinais Analgicos 4.1) Introduo

A grande variedade de sensores necessria para transformar um grande nmero de varive l existente num sistema de controle de processo em sinais eltricos analgicos produz um igualmente grande nmero de sinais com caractersticas diferentes. Assim, o condicio namento de sinais necessrio para converter tais sinais e ento interfaciar de forma adequada com outros elementos no loop do controle de processo. Neste captulo, ns s estamos interessado com a converso analgica, onde a sada condicionada ainda representada por uma varivel analg ca. Mesmo em aplicaes envolvendo processamento digital algum tipo de processamento ana lgico requerido antes que a converso analgica-digital seja feita. A converso de sinais, q ue trata sobre isto, ser discutido no prximo captulo. 4.2) Princpios de condicionamento de sinais analgicos Um sensor mede uma varivel pela converso da informao acerca da daquela varivel em um sinal dependente da natureza eltrica ou pneumtica. Para desenvolver tais sensor es, ns exploramos que algumas caracterstica do material, em circunstancias eventuais, so influenciadas por alguma varivel dinmica. Conseqentemente, existe pouca escolha no tipo e no tama nho de tal proporcionalidade. Por exemplo, uma vez pesquisado na natureza e achado que a resistncia de sulfeto de cromo varia inversamente com a intensidade de luz, ns devemos aprender como explorar este dispositivo para medida da intensidade de luz dentro das restries de ste dispositivo. O condicionamento de sinais analgicos proporciona a operao necessria para transforma r a sada de um sensor em uma forma necessria e adequada para interfaciar com outros elem entos do loop de controle de processo (figura 4.1). Ns limitaremos nossa a ateno a esta transformao eltrica. Sensor Condicionamento do sinal Converso do Sinal Sada digital Sinal sem necessidade condicionamento Sinal do sensor j est na

forma digital Figura 4.1) Condicionamento do sinal Ns quase sempre descrevemos o efeito do condicionamento de sinais pelo termo funo de transferncia. Assim, um simples amplificador de voltagem tem uma funo de transfe rncia uma constante que, quando multiplicado pelo sinal de entrada, dar o sinal de sada .

Sensores e Condicionamento de Sinais 62 possvel categorizar um condicionamento de sinais em vrios tipos, como veremos a seguir, estes principais tipos so: 1) 2) 3) 4) 5) 6) Mudana no nvel; Linearizao; Converso; Isolao; Filtragem e Casamento de impedncia.

Mudana no nvel O deslocamento de nvel o mtodo mais simples e mais usado condicionamento de sinais. Um exemplo tpico a necessidade de amplificar ou atenuar um nvel de voltage m. Geralmente , em aplicaes de controle de processo resulta em sinais que variam lent amente com o tempo (baixas freqncias), onde amplificadores DC ou de baixas freqncias podem ser utilizados. Um fator importante na escolha destes amplificadores a sua impedncia de entrada. Em controle de processo os sinais so sempre representativos de alguma varivel do p rocesso, e qualquer efeito de carregamento afetar o correspondncia entre o sinal medido e o v alor da varivel. Em alguns casos , tais como acelermetros ou detetores pticos, a resposta e m freqncia muito importante. Linearizao Como foi visto, o projetista tem pouca escolha sob a caracterstica de sada do sens or versus varivel de processo. Normalmente a dependncia que existe entre a entrada de a sada no linear. At mesmo aqueles dispositivos que so aproximadamente linear podem aprese ntar problemas quando necessrio uma medida precisa de uma varivel. Uma das funes do condicionamento de sinais a de linearizao da resposta do sensor. Atualmente, com o surgimento de processadores de sinais digitais, os chamados DS P, faz com que o projetista do sistema, em algumas aplicaes resolva por linearizar o sina l aps a converso do mesmo no DSP.

A linearizao pode se realizada por uma amplificador cujo o ganho funo do nvel de voltagem de entrada. Um exemplo de linearizao ocorre freqentemente para um sensor c ujo a sada uma funo exponencial de alguma varivel de dinmica de processo. A figura 4.2) il stra este tipo de comportamento onde a voltagem do sensor assumida ser exponencial co m relao a intensidade de luz I. Isto pode ser expresso por VI = VOexp(-aI) (4.1) onde

VI = a voltagem de sada na intensidade I V0 = a voltagem de sada na intensidade zero a = a constante exponencial I = a intensidade de luz

Sensores e Condicionamento de Sinais 63 Para linearizar este sinal, ns empregamos um amplificador cuja sada varia no logart mico natural ou inverso do sinal de entrada. Isto na prtica poderia ser implementado c om um diodo colocado na malha de realimentao de um amplificador operacional. Feito isto a sada pode ser expressa por VA = K ln(Vin ) (4.2) onde VA = a voltagem de sada do amplificador K = a constante de calibrao Vin = a voltagem de entrada do amplificador = VI [da equao (4.2)]

VI V0 V o l t a g e m d e s a d a Varivel dinmica I Figura 4.2) Exemplo de uma sada no linear de um sensor Substituindo a equao 4.1) na equao 4.2) e sendo Vin = VI, resulta () KI (4.3) VA =Kln VO -a onde todos os termos j foram definidos

Desta forma a sada do amplificador variar linearmente com a intensidade e tendo um a voltagem de offset Kln(Vo) e um fator de escala -aK como mostrado na figura 4.3) . Um condicionamento de sinal posterior pode ser realizado para eliminar a tenso de of fset.

Sensores e Condicionamento de Sinais 64 VA IVarivel din m ica V o l t a g e m d e s a d a Figura 4.3) Sada linearizada

Converses Freqentemente, o condicionamento de sinais usado para converter um tipo de variao eltrica em outra. Assim, como vimos anteriormente, uma grande quantidade de senso res fornece mudana na resistncia quando a varivel dinmica muda. Neste caso, necessrio projetar u circuito que converte variao de resistncia em sinal de corrente ou tenso. Quando a v ariao pequena isto normalmente feito com um circuito na forma bem conhecida de ponte. Ou atravs de um amplificador cujo ganho depende deste resistor, quando a variao for grande. O circuito de ponte extremamente utilizado e por isso, mais adiante, faremos uma descrio deste m ais detalhada. Outros tipos de converso so necessria devida a imposies do sistema, como por exemplo, quando o sinal da varivel dinmica de interesse monitorada a distancia. Ne stes caso, comum converter o sinal em corrente no padro conhecido como 4-20mA. Nestes circui tos conversores corrente x tenso e tenso x corrente so utilizados.

Quando a distancia maior ainda o uso da telemetria (medidas remotas de variveis dinmicas) sem fio utilizada, e a converso do sinal numa forma de fcil propagao (modu ao AM, FM, etc.) feita. Outra forma de converso comum em algumas aplicaes onde uma preciso, apenas moderada exigida, converter o sinal em um sinal digital de intervalo de tempo, o u um em sinal digital PWM ( pulse width modulated ). Desta forma possvel eliminar uma possvel conver so AD, e assim reduzir custos.

Sensores e Condicionamento de Sinais 65 Isolao Em alguma situaes na prtica possvel que o sinal do sensor contenha uma voltagem de modo comum muito acima do valor mximo tolervel do circuito de condicionamento de s inal. Nesta situao faz-se o uso de amplificadores isolados para interfaciar este sinal a o circuito de condicionamento e aquisio de sinal.

Filtragem Outra forma de condicionamento de sinal consistem em filtragem do sinal. Freqentemente, sinais esprios de considervel intensidade esto presente em ambiente industrial, tais como sinais da linha de 60 Hertz, transientes de motores e outr os sinais indesejveis. Em muitas situaes necessrio a utilizao de filtros passa altas, passa b a ou rejeita faixa para eliminar ou minimizar este sinais indesejveis. Estes filtro po dem ser implementados apenas com elementos passivos, como resistores, capacitores ,indut ores, ou filtros ativos, com o uso de amplificadores realimentados. Casamento de impedncia O casamento de impedncia uma caracterstica importante na interface entre sistemas, quando um a impedncia interna do sensor ou a impedncia da linha podem causar erro na medida da varivel dinmica. Neste caso, tanto malhas ativas ou passivas podem ser empregad as para realizar tal casamento. 4.3) Consideraes sobre amplificadores operacionais - Tecnologias essencial para o engenheiro projetista ser capaz de usar a tecnologia mais avanad a e mais adequada para possibilitar um melhor desempenho dos produtos desenvolvidos. Os fabricantes de circuitos integrados, pelo fato de desejarem abocanhar uma maior fatia do mercado, investem pesadamente no desenvolvimento de novas tecnologias do processo de fabr icao e novas configuraes de circuitos. E isto, acontece numa velocidade bem maior que o t empo de vida dos Data Books e Data Sheets da bandada do projetista, de maneira que, se antes uma atualizao se fazia necessrio, hoje (ano de 1997) tornou-se de vital importncia. Feli zmente, com a chegada da Internet, esta atualizao pode ser facilmente realizada, desde que voc esteja plugado . 4.3.1) Tecnologia Bipolar A tecnologia bipolar ainda, de longe, a tecnologia mais popular usada para desen volver amplificadores operacionais ( op. Amp.) e novas tecnologias bipolar de alto dese mpenho esto sendo desenvolvidas continuamente (o a741 no reconheceria a tecnologia que est sens

o usada hoje). Os dispositivos projetados com tecnologia bipolar apresentam (hoje 1997) vrias va ntagem

Sensores e Condicionamento de Sinais 66 e desvantagem com relao aos outros dispositivos projetados com tecnologias, Bifet e Cmos. Na tabela 3.1 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns valores tpicos de parmetros e a lista dos principais fabricantes. Tabela 3.1 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional bipolar Texas Instruments National Burr-browm Analog Devices Desvantagens Fabricantes Desempenho Tpico Vantagens Altas correntes de bias e de offset Desempenho AC limitado Baixa e estvel correntes de offset Baixa voltagem de rudo Alto ganho e preciso Fonte simples ou bipolar Correntes de bias estveis Amplificadores Operacional Bipolar VIO ----10V-7mV VIO---0.1-10V/C ib ------10-50 nA . ib----muito estvel SR ----depende do processo As principais vantagens do amplificador operacional bipolar so: Baixa e estvel voltagem de offset Desde que os transistores bipolares so relativamente fcil de casar e o seu comport amento com a temperatura e bem entendido, possvel projetar Op. Amp. Com voltagem de offs et baixa e estvel (baixo drift de offset). As voltagens de offset so devidos ao descasamento de Vbe s e diferentes correntes de coletor que passa atravs dos transistores do par de entra da. Atravs de tcnicas de trimming , os projetos bipolares so disponveis hoje (1995) com voltagem de offset to baixa quanto 10 V e drift menor do que 0.1uV/C. Baixa voltagem de Rudo Uma especificao de baixa voltagem de rudo mais importante do que a de baixa corrente de rudo na maioria das aplicaes (por exemplo, adio) . Os Op. Amp. Bipolares

Sensores e Condicionamento de Sinais 67 apresentam uma menor voltagem de rudo entre dispositivos disponveis comercialmente . A voltagem de rudo de amplificador bipolar devido principalmente ao rudo trmico da re sistncia de spreading (rbb) de base e da resistncia de pequeno sinal (re = 1/gm) de emissor. Estes, e outros fatores, podem ser otimizados para conseguir Op. Amp. com voltagem de rudo to baixa quanto 2nV/vHz. Este desempenho impossvel de ser alcanado com amplificadores com transistores FET de entrada. Quando interfaciando com fontes de sinal de alta im pedncia entretanto, estes amplificadores tornam-se inferior ao projeto com CMOS, devido a sua alta corrente de rudo. Alto ganho A transcondutncia, gm, do transistor bipolar do estgio de entrada o ganho de malha aberta relacionado tambm alto. Isto possibilita que cuito sejam mais precisos que aqueles com Bifet e Cmos. O alto ganho, entretanto, uma malha de compensao necessria para garantir estabilidade, o que no acontece ndo alcanar maior slew rate . As principais desvantagens do amplificador operacional bipolar so: Alto offset e correntes de bias (polarizao DC) Devido ao estgio de entrada bipolar, as correntes de bias (efetivamente as corren tes de base dos transistores de entrada), so altas. O uso de vrias tcnicas tais como, uso de transistores NPN superbeta, circuitos de cancelamento de corrente de bias, podem ser usadas p ara reduzir estas correntes, entretanto ser muito difcil para o transistor bipolar competir com proj etos FET a temperatura ambiente (as corrente de estgios com FET dobram a cada 10 C). As correntes de bias de projetos bipolares so, entretanto, muito mais estveis que a de projetos com entrada FET. Em alta temperatura possvel at que as corrente de estgio com FET sejam mais elevadas que com bipolar, particularmente com superbeta. PNPs de baixo desempenho Os transistores PNPs laterais so mais lentos ( e mais ruidoso) que os transistore s NPNs no mesmo processo. Uma tecnologia tpica bipolar produz PNPs com FT (largura de banda do transistor) de 3 MHz, enquanto os NPNs tem FT de 150 MHz. Como muito difcil proje tar um dispositivo sem fazer uso de transistores PNPs, o desempenho AC global do amplif icador severamente limitado. Para fugir desta imposio muito fabricantes desenvolveram tecnologias bipolar alta e portanto projeto de cir significa com JFETs, permiti

complementar que tem PNPs verticais rpido com FT s similares aos do NPNs. O resulta do que Op. Amp. bipolar com produto ganho x banda do ordem de 1 Giga Hertz podem ser al canado. A Texas Instruments possui um processo bipolar chamado Excalibur que alm de possuir PNP s de alto desempenho inclui outras caractersticas necessrias para o desenvolvimento de amplificadores de alta performance.

Sensores e Condicionamento de Sinais 68 4.3.2) Tecnologia Bifet Os amplificadores operacionais Bifet foram introduzido no comeo dos anos 70 e hoj e (1997) ele esto entre os tipos de Op. mais comum. Eles so essencialmente Op. Amp. bipolar que utilizam transistores de entrada JFET s canal p compatveis de alta voltagem. Os dispositivos projetados com tecnologia bipolar apresentam (hoje 1997) vrias va ntagem e desvantagem com relao aos outros dispositivos projetados com tecnologias, Bipola r e Cmos. Na tabela 3.2 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns valores tpicos de parmetros e a lista dos principais fabricantes. Tabela 3.2 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional Bifet Desvantagens Fabricantes Desempenho TpicoVantagens Pobre e instvel voltagem de offset Somente fonte bipolar Baixo ganho Alta voltagem de rudo Baixa correntes de bias e de offset Baixa corrente de rudo Bom desempenho AC Amplificadores Operacional Bifet Texas Instruments National Burr-brown Analog Devices VIO ---500V-15mV .VIO--5-40V/C ib --- -1-100 pA .ib---dobra a c/ 10C SR --18V/s @ 3mA As principais vantagens do amplificador operacional Bifet so: Alta impedncia e baixas correntes de bias A alta impedncia inerente dos transistores FET (JFET s) propicia Op. Amp. com

Sensores e Condicionamento de Sinais 69 correntes de bias extremamente baixas. Isto acarreta vantagens significantes par a muitas aplicaes incluindo integradores, sample-hold e circuito tipo filtros. Entretanto, um cuidado especial deve ser tomado em aplicaes envolvendo altas temperaturas, pois as corren tes de bias destes Op. Amp. dobram a cada 10 C com o aumenta da temperatura. Desempenho AC melhorado Quando os JFET s so utilizados na entrada de um Op. Amp., o resultado um que o ganho diferencial do estgio de entrada ser bastante reduzido com relaco ao estgios c om bipolar. Portanto, o capacitor de compensao (que fornece estabilidade ao dispositi vo) pode ser reduzido resultando num aumento significativo no Slew rate . Para uma mesma corren te de alimentao um Op. Amp. Bifet pode facilmente ter um Slew rate cerca de 5 (cinco) veze s maior do que o equivalente bipolar. Corrente de rudo reduzida A corrente de rudo de entrada de Op. Amp. Bifet determinada pela rudo shot da corr ente de porta, que muito baixa a temperatura ambiente. Isto significa em baixa corren te de rudo de entrada , que muito importante quando a impedncia da fonte de sinal muito elevada . As principais desvantagens do amplificador operacional Bifet so: Alto e instvel voltagem de offset Projetos Bifet apresenta tipicamente maior voltagem de offset do que os equivale ntes bipolares. A caracterstica dc menos uniforme e o pobre drift trmico faz com que o ca samento dos transistores de entrada seja muito difcil. Estes tambm so muitos propenso a ten so induzidas de encapsulamento de plstico. Os amplificadores Bifets de preciso so norm almente disponveis em encapsulamento de cermica e metal. A seleo tpica padro de Bifets em encapsulamento de plstico apresentam offset de 2 3mV e pobre estabilidade trmica. Projetos mais recente, tais como os da srie TL051 e TL031 da Texas Instruments permite se obter novos nveis de preciso e estabilidade Pobres especificaes de CMRR, PSRR e ganho de malha aberta ganho reduzido do estgio de entrada dos Bifet s, que responsvel pelo desempenho ac, tambm causa uma reduo em vrios parmetros de ganho do dispositivos, que por conseguint e o torna menos adequado para uso em projeto de preciso. Alta voltagem de rudo Um estgio de entrada FET apresenta uma maior voltagem de rudo e maior freqncia 1/f quando comparado com dispositivos bipolares.

Sensores e Condicionamento de Sinais 70 4.3.3) Tecnologia CMOS Embora considerado originalmente ser bastante instvel para muitas funes lineares, a Op. Amp. CMOS so hoje reconhecidos como uma alternativa real para muitos Op. Amp. bipolares, Bifet e at em Op. Amp. isolados dieletricamente. Com o avano da tecnologia, a partir de 1983, os primeiros Op. Amp. projetados com processos CMOS avanados estavam disponveis no mercado. Assim os dispositivos proje tados com tecnologia CMOS apresentam (hoje 1997) vrias vantagem e desvantagem com relao a os outros dispositivos projetados com tecnologias, Bipolar e Bifet. Na tabela 3.3 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns valores tpicos de pa rmetros e a lista dos principais fabricantes. Tabela 3.2 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional CMOS Desvantagens Fabricantes Desempenho Tpico Vantagens Intervalo limitado de VDD Alta voltagem de offset Alta voltagem de rudo Baixas correntes de bias e corrente de rudo Preciso Chopper Fonte simples e bipolar Amplificadores Operacional CMOS VIO ---200V-10mV .VIO--1-10V/C ib --- -1-10 pA .ib---dobra a c/ 10C SR --3.6V/s@ .67mA Texas Instruments National Burr-browm Analog Devices As principais vantagens do amplificador operacional CMOS so: Operao com fonte simples De longe a principal vantagem do uso de Op. Amp. CMOS sua excelente operao em aplicaes em fonte simples. O uso de transistores PMOS no estagio de entrada e NMOS no

Sensores e Condicionamento de Sinais 71 estgio de sada possvel conseguir amplificadores com intervalo de tenso modo comum qu e incluem os valores limites da fonte de alimentao e o estgio de sada pode atingir o e xtremo inferior da fonte de alimentao. Esta caracterstica juntamente com o seu baixo consu mo obviamente o torna ideal para aplicao com baterias. Aplicaes em baixas voltagem e correntes de alimentao Os Op. Amp. CMOS so capazes de operar com fonte de corrente de alimentao de menos que 10 A e fonte de alimentao to baixa quanto 1.4 V. esta caracterstica o torna nico para aplicao com baterias. Alta impedncia de entrada e baixas correntes de bias Da mesma forma que os Op. Amp. Bifet, o uso de transistor MOS no estgio de entrad a possibilita projetar amplificadores com alta impedncia de entrada e baixas corren tes de offset e bias. Op. Amp. CMOS so disponveis com correntes de entrada da ordem de 10 fA 25 C. Entretanto, esta corrente dobra a cada 10 C com o aumento da temperatura. As principais desvantagens do amplificador operacional CMOS so: Intervalo de voltagem de alimentao limitada Embora ideal para aplicao com fonte simples, a maior parte de transistores CMOS no opera com tenso de alimentao maior que 16 V. Esta uma limitao para o uso deste amplificadores em aplicao em instrumentao. Voltagem de offset limitada O melhor dispositivo CMOS pode alcanar voltagem que melhor que grande parte do Op. Amp. Bifet, ojetos bipolares. As voltagens de offset tpicas de Op. A estabilidade da voltagem de offset entretanto, ojetos Bifet. de offset to baixa quando 200 V mais no compete com os melhores pr Amp. CMOS so da ordem de 2mV 10mV. melhor quando comparado com os pr

Amplificadores conhecidos como chopper amplifier, so disponveis em tecnologia CMOS e alcanam o ultimato em preciso dc. As voltagem de offset mxima destes amplificadores so to baixas quanto 1 V. Alta voltagem de rudo Da mesma forma que os Op. Amp. Bifet, um estgio de entrada MOS produz alta voltag em de rudo e alta freqncia de corte 1/f , embora as corrente de offset sejam extremame nte baixas. Tecnologias mais recente j esto tornando possvel amplificadores com especificaes de a mbas voltagem e corrente de rudo baixas.

Sensores e Condicionamento de Sinais 72 4.3.4) Macro modelos de dispositivos e Simulaes Desde a introduo do amplificador operacional, modelos muitos simplificados de seu comportamento tem sido usado para prever a sada do dispositivos quando excitados pelas vrias formas de sinal de entrada. O modelo mais simplificado o que utiliza o conceito de curto virtual (terra virt ual um caso particular). Este assume ganho e impedncia de entrada infinito (veja figura 4.4a) ). Este modelo funciona razoavelmente bem com Op. Amp de alto desempenho com ganho de ma lha aberta maior que 1 (um) milho (120 dB). Mas fornece um resultado no satisfatrio qua ndo deseja-se considerar outros aspectos no desempenho do Op. Amp., tais como os err os associados com as entradas e sua resposta em freqncia. Para aplicaes DC, a alta impedncia de entrada normalmente uma boa suposio, j que quase todos os Op. Amp. tem impedncia de entrada maior que 1 MO e o ganho de malha fechada freqentemente baixo, de maneira que o amplificador opera com alto ganho d e malha aberta, de modo que este modelo uma boa aproximao. Teremos um modelo mais completo se levarmos em contas a voltagem de offset, as correntes de bias e de offset, no mo delo simplificado. Todos estes so efeito dc, e pode descrever o comportamento do Op. Amp. razoavelme nte bem, entretanto, nenhum aspecto ac poder ser previsto. O Op. Amp. pode ser considerado como um filtro passas baixas com um ganho enorme , Ama, configurado com uma malha de realimentao negativa de ganho (veja figura 4.4b) ). A equao do sistema como um todo ser dada por Ama Gmf = (4.4) 1+ Ama . onde Gmf = o ganho de malha fechada (Vout/Vin) Ama = o ganho de malha de malha aberta = o ganho da malha de realimentao (V-/Vout) V-= a entrada no inversora do Op. Amp. Usando o modelo acima aumenta consideravelmente a preciso do modelo mas pode aumentar a complexidade de anlise, especialmente em sistemas com muitos Op. Amp.

Com o advento do Computador Pessoal (Personal Computer , PC), um modo muito simples de fazer anlise de circuitos com Op. Amp. se fez possvel: Macro modelos de Op. Amp.. O macro modelo um modelo simplificado do Op. Amp. que leva em conta todos os seus parmetros chaves (veja figura 4.4 c). Atualmente vrios fabricante de CI s (circuitos integrados) fornecem junto com os seus Data Sheets , macro modelos de Op. Amp. que so compatveis com vrios pacotes de simulao eltrica, um exemplo o MICROSIM S PSPICE .

O macro modelo usa transistores reais para modelar o estgio de entrada do Op. Amp . Fonte de corrente, de tenso e componentes passivos so utilizados para modelar o ga nho e caracterstica de resposta em freqncia dos vrios estgios. Cada parmetros so derivados s

Sensores e Condicionamento de Sinais 73 especificaes do Op. Amp. e assim a simulao realizada com alto o modelos, assim como tudo, permite um compromisso entre desempenho de de computao, custo e facilidade de utilizao. Um modelo completo do r representao do dispositivo mas consumir muito tempo de simulao

nvel de preciso. Os m timo e velocida Op. Amp. dar um melho e maior custo.

A figura 4.4) mostra um resumo dos modelos acima mencionados, sendo que o macro modelo mostrado apenas para efeito de ilustrao. v vout in =R R f s * Curto virtual vout Rs c) b) a) Rf vin Modelo do Op. Amp. idealizado Macro modelo de Op. Amp. compatvel com SPICE Modelo Produto Ganho x Banda finito v vout in=- A(s) 1+ A(s). * vout Rs Rf vin A(s) vin -vout = + R R R f f s InIn+ VccVcc+ Figura 4.4) Macro modelo de Op. Amp. compatveis com SPICE. 4.4) Aplicaes DC 4.4.1) Projeto de preciso DC Qualquer que seja o circuito de condicionamento de sinais ser necessrios que este esteja dentro de algum conjunto de especificaes do sistema. Isto verdadeiro do circuito m ais simples at o circuito mais complicado.

A Faixa dinmica ou

range dinmico uma das formas de expor as especificaes do

Sensores e Condicionamento de Sinais 74 sistema. Ele pode ser usado como uma medida dos erros do sistema. Na maior parte das aplicaes os dispositivos que tero maior efeito no desempenho do sistema como um todo, sero aqueles do estgio de entrada , desde que no existe nenhuma forma de eliminar os erros introdu zidos. A configurao mais bsica de um Op. Amp. mostrado na figura 4.5). os transistores do estgio de entrada no perfeitamente casados e assim existe um offset entre eles. Es ta voltagem de offset tambm dependente da tenso de alimentao e da voltagem de modo comum na entrada . Estes efeitos so normalmente conhecidos como Razo de Rejeio de fonte de alimentao (PSRR, do ingls, Power Supply Rejection Ratio) e Razo de Rejeio de Modo Comum (CMRR, do ingls, Common Mode Rejection Ratio) respectivamente. Estes parmetros pode ter u ma influncia elevada se a voltagem de offset do dispositivo for pequena. Os transistores de entrada tambm so os responsveis pela corrente de bias do Op. Amp .. Estas correntes de bias podem adicionar uma voltagem de offset equivalente devid o a passagem das mesma pelos resistores vistos pelas as entradas inversora e no-inversora. Por exemplo, para uma configurao de amplificador inversor , a resistncia da entrada inversora ser igua l a resistncia de fonte em paralelo com o resistor de realimentao, e a resistncia da ent rada noinversora deve ser igual a mesma de modo a minimizar o valor da voltagem de offs et equivalente. A voltagem de offset pode tambm variar devido a mudana na temperatura de juno dos transistores de entrada e durante o tempo de vida do dispositivo. Erros dc podem tambm ser introduzidos pelo ganho de malha aberta finito. A grande maioria das aplicaes assume o ganho do Op. Amp. infinito. Mas quando o projeto exi ge uma preciso melhor do que 0.1%, o erro devido a ganho finito pode ser um fator limita nte. InIn+ VccVout Vcc+ Figura 4.5) configurao bsica de um Op. Amp. Erro devido a rudo de baixa freqncia pode um grande problema em aplicaes DC. Neste caso somente o rudo flicker (1/f) predominante e deve ser considerado. Port anto a seleo do dispositivo com baixo rudo 1/f de extrema importncia. Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir daremos um maior formalismo a esta questo.

4.4.2)

Range

dinmico e Bits de preciso dinmico, ou faixa dinmica que

Uma medida da preciso do sistema o seu range

Sensores e Condicionamento de Sinais 75 normalmente expresso em dB e definido como a razo do mximo sinal de sada e o erro t otal na sada. Esta medida normalmente usado em aplicaes AC onde rudo de banda larga pode ser freqentemente um fator limitante do desempenho do sistema como um todo. Entretanto, com o aumento de processamento de sinais digitais compreciso do siste ma em termos do nmero de BIT s. A figura 4.6) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros um de expressar entrada, a na configurao no inversora. E a figura 4.7) todos os erros relacionados com o projeto DC, e o range dinmico. Erros referenciados a entrada Erros de offset de entrada I I II0 IB+ IB= V V V V VIE IO N(PP) PSRR CMRR = + + + Erros relacionados ao ganho V 1 V V 1A 1 0 IN IN VD = + Erro total referenciado a entrada V V 1A RI I (R R ) VIET IN VD SIO IB F S IE = + - + - +- Erro total na sada V V 1A RI I R R V 0ET 0(max)

VD SIO IB F S IE = + - + . . . . .. +- Bit s de Preciso Bit's.de.precisao Log V V Log2 1 Log V V 1OET O(max) 2 OET O(max) =. . .. . . .. - = . . .. . . .. V0 RS RSH RF V V R I VIN S IB IE + + = - + = + R R R SH SH F V V R I V R V V I R0 F IB SH 0 IB F = + . = --

- - VID = V+ -V= = ( )V R I I R R V VIN S IO IB F S IE 0- + - + -- AVD VIE VCC-10% VCC+ 10% IIB+ VIN IIO IIBFigura 4.6) Definio de Bit s de preciso

Sensores e Condicionamento de Sinais 76 Erro Total Erro Ganho PSRR CMRRVN(PP) IIBDrift VIO Mximo nvel do sinal de sada Faixa dinmica Figura 4.7) Erro relacionados com projeto DC e faixa dinmica A voltagem vista pela entrada no inversora ser: V = V - RI +V (4.5) + IN SIB IE onde VIE inclui a voltagem de offset do dispositivo e tambm a sua razo de rejeio de fonte de alimentao e de modo comum, assim como rudo de baixa freqncia. V = V + V + V +V (4.6) IE IO N(PP) PSRR CMRR Somando as correntes que flui na entrada inversora: V -VV O -= I + (4.7) IBRR F SH A voltagem na entrada inversora ser: RSH V = V - IR onde = (4.8) -O IB - F RSH + RF A entrada diferencial, VID, agora igual V+-V- : V = VIN - R I IO + I (R F - R) + IE - V ID SIB - SV O (4.9) onde IIO = IIB+ - IIB

Sensores e Condicionamento de Sinais 77 A voltagem de sada, Vo, igual VID multiplicado pelo ganho de malha aberta do Op. Amp.(e ignorando as voltagens de offset) 1 VIN V =V *AVD = V (4.10) O ID IN (1+AVD ) Referenciando esta e os outros erro de offset de entrada, o erro total referenci ado a entrada, VIET, igual V = VIN -RI +I (R -R) +V (4.11) IET SIO IB - F SIE 1AVD + Todos erros sero multiplicado pelo ganho no inversor do Op. Amp. (1/) para dar um e rro total na sada, VOET: V RI RV IN SIO SIE =+ IB ) + (4.12) VOET - I(R - F (1+AVD )

A mxima faixa dinmica ser alcanado quando o sinal de sada atingir seu mximo valor, de modo que o V RI RV IN(MAX) SIO S IE V = -+I(R - ) + (4.13)

OET IB- F (1+AVD ) A mxima faixa dinmica do sistema ser portanto igual a mxima sada, VO(MAX), dividido p elo erro total, V0ET. Convertendo em decibeis vem: .. V0ET Faixa dinmica = -20Log .. (dB) (4.14) .VO(MAX). . RI SV . SIO . R . IE . +I .R -.+ . IB- F 1 .. . . = -20Log (4.15) . . (1+AVD ) VOMAX () .. .. e

Sensores e Condicionamento de Sinais 78 . V . Bit s de preciso = - Log . 0ET .

-1 (4.16) Log 2 . VO(MAX) . = Faixa dinmica/6.02 - 1 (4.17) Esta uma outra forma de medir a preciso de um sistema, e pode ser usada quando relacionarmos o desempenho de um Op. Amp. com um conversor AD. Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao DC, a figura 4.8) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso fabricado pela Texas Instruments. Amplificador de Preciso TLE2027 (TEXAS)

Voltagem de Offset TLE2027A..........25V mx TLE2027 .........100V mx Ganho de malha aberta 45 V/V ou 153 dB Voltagem de rudo 3.3 nV/vHz @ 10 Hz 2.5 nV/vHz @ 1 kHz Produto Ganho Banda 15 Mhz Corrente de Bias Cancelamento de correntes de bias tpica 15 nA 1000 100 V 10 1000 nV 100 10

CMRRPSRRIIB.600VN(pp) VIO 1.4V 90nV 9V 50nV V 25V 100V TLE2027 TLE2027A Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V CMRR medido com volt. de modo comum igual 5 V Figura 4.8) O Amplificador de preciso TLE2027

Sensores e Condicionamento de Sinais 79 4.4.3) Exemplos de alguns projetos DC Amplificador de instrumentao de preciso Como qualquer projeto, o estgio de entrada tem um efeito significativo do desempe nho geral do sistema, particularmente nveis de rudo, preciso dc e preciso ac. Uma config urao que precisa de desempenho mximo o amplificador de diferena ou como mais conhecido, amplificador de instrumentao, que so usados tipicamente em aplicaes que sejam capazes de extrair pequenas voltagens diferenciais sobrepostas com altos sinais de modo comum. O amplificador de instrumentao ideal tem uma impedncia de entrada infinita, um alto ganho de voltagem diferencial, e um ganho de modo comum igual zero. O mais simpl es amplificador de instrumentao consiste de um Op. Amp. configurado como amplificador de diferena, como mostra a figura 4.9). Esta configurao apresenta as seguinte desvanta gens: 1) A impedncia de entrada no infinita, mas igual a soma de R3 e R4 na entrada no inversora e varia com a entrada diferencial na entrada inversora. 2) O ganho de modo comum depende fortemente do casamento de R1 e R2 com relao a R3 e R4. vout R3 R1 R4 R2 v1 v2 ( )v v vout = R R 2 1 * 2 1 Obs: Se R2 = R4 e R1 = R3 Figura 4.9) O mais simples amplificador de instrumentao Estes problemas podem ser contornados pelo o uso da configurao de trs Op. Amp. como mostra a figura 4.10). Os amplificadores A1 e A2 fornecem um alto ganho dif erencial enquanto mantm um ganho de modo comum igual 1. Outra vantagem que a impedncia de entrada do amplificador agora a impedncia do Op. Amp. A escolha do Op. amp. ser agora muito importante do desempenho do amplificador de instrumentao, por isso para uma performance tima os erros associados com cada ampli ficador devem ser reduzidos.

Sensores e Condicionamento de Sinais 80 R2 vo R6 R8 R7 R9 VOE1 VOE2 R2 R3 v2 R4 R1 R5 v1 VIE+(3) VIE+(2) VIE+(1) IIBIIBA3 A2 A1 IIB+ IIBIIB+ IIB+ VIO VIO VIO 100V 100V 1 kO1 kO 174 O 17.4 kO 17.4 kO 175 O 175 O V0 = 10 V VOET = 28.5 mV VIRE = 142 V VID = V1-V2 = 50 mV VCM = V1/2+V2/2 = 5V Figura 4.10) Amplificador de instrumentao de preciso Consideraes sobre os amplificadores operacionais (A1 e A2). Uma considerao sobre a impedncia de entrada, que a impedncia de entrada do Op. Amp. multiplicada pelo fator de desensibilidade 1+A; assim um op. Amp. com um alt o ganho de malha aberta tem sua impedncia para cerca de 1012 O. Isto significa que as corren tes de bias ser o problema mais importante, especialmente quando considerarmos o desempenho sobr e uma certa margem de temperatura. Os efeitos de modo comum e fonte de alimentao so outra fonte de erro e no pode ser

desconsiderada. Se em A1 e A2 fosse usados Op. Amp que apresentassem uma CMRR de 120 dB (1 V/V), uma PSRR de 100 dB (10 V/V), teramos, para uma voltagem de modo comum (VCM ) igual 5 V e uma para uma flutuao na fonte de alimentao de 10% em 15 V (1.5V), um err o de 5V devido a CMRR e de 15 V devido a PSRR. Exerccio: Calcule as fontes de erro e o erro total do amplificador de instrumentao de preciso mostrado na figura 4.10.

Sensores e Condicionamento de Sinais 81 Amplificador de Strain Gauge Loop de corrente de 2 fios 4-20 mA Amplificador de temperatura com RTD Amplificador de temperatura com termopar Amplificador de diodo PIN O amplificador Choppper

Sensores e Condicionamento de Sinais 82 4.5) Aplicaes AC 4.5.1) Projeto de preciso AC Como j fio mencionado anteriormente, a Faixa dinmica ou range dinmico uma formas de expor as especificaes do sistema. Ele pode ser usado como uma medida erros do sistema. Na maior parte das aplicaes os dispositivos que tero maior efeito no penho do sistema como um todo, sero aqueles do estgio de entrada , desde que no existe ma forma de eliminar os erros introduzidos das dos desem nenhu

A corrente fluindo atravs dos transistores do estgio de entrada geram rudo devido s ua corrente de polarizao e suas resistncia dinmicas, que se apresentam como corrente e voltagem de rudo. Para garantir estabilidade em altas freqncia, o ganho de malha aberta nestas freqnci as deve ser reduzido para unidade antes que o deslocamento de fase exceda 180 C (par a estabilidade com ganho unitrio). A forma mais comum para fazer isto atravs do da compensao de pol o dominante. Isto feito colocando um capacitor de compensao, CC, entre a sada do estgi o de entrada e a sada do segundo estgio (veja figura 4.x). Isto limita o produto ganho banda do Op. Amp. fazendo com que o ganho de malha aberta decresa a uma razo de 20 dB/dcada. Ist o acaba por limita o desempenho AC do dispositivo. In-CC In+ VccVout Vcc+ Figura 4.x) configurao bsica de um Op. Amp. O produto ganho banda limitado do Op. Amp. tambm reduz o seu PSRR e o seu CMRR quando a freqncia aumenta. Isto aumenta os efeitos de rudo de alta freqncia devido a fonte de alimentao, assim como erros devido aos sinais de modo comum de alta frequncia. O capacitor de compensao tambm limita a razo na qual a voltagem de sada do segundo estgio pode mudar, intoduzindo um limite no slew rate do dispositivo. Isto um outro fator limitante na preciso AC. Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir daremos um maior formalismo a esta questo.

Sensores e Condicionamento de Sinais 83 4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso

Afim de determinar a faixa dinmica do sistema todos os efeitos acima discutidos d evem ser considerados. Anlises de rudo O rudo que aparece na entrada no inversora ser devido a voltagem de rudo do Op. Amp. mais a voltagem de rudo trmico da resistncia de fonte e a voltagem produzida no res istor de fonte pela corrente de rudo. Assim desprezando outros erros ac o potencial no ter minal no inversor ser dado por: 2 22 V+ =( VN + 4kTR S +INRS )1/2 (4.x) A voltagem de sada s devida ao rudo na entrada inversora dado por: 2 22 . 4kT . 2 1/2 V = IR + 4kTR + R O ( NF F ..F ) (4.x) R . SH . Est voltagem pode ser referenciada a entrada no inversora simplesmente dividindo-a pelo ganho de malha fechada (1+RF/RS), resultando num rudo total, ENT na entrada no inv ersora igual 2 22 2 2 2 2 4kTRR IRR FSH N FSH E = V + 4kTR + IR ++ NT N SNS 2 (4.x) R + R F SH (RF +RSH ) Erros de entrada AC Alm do rudo existem os erros devido a razo de rejeio de fonte de alimentao e razo de rejeio de modo comum. Estes erros normalmente no so correlacionados de modo que e stes

so somados RMS 22 2 VIE = VCMRR +VPSRR (4.x) Assim o erro total na sada do Op. Amp. ser a soma RMS dos erros de entrada AC, dos erros total de rudo e dos erros devido ao ganho.

Sensores e Condicionamento de Sinais 84 Erros devido ao ganho Os erros devido ao ganho ser agora ligeiramente diferente do caso DC devido a red uo e o deslocamento de fase do ganho de malha aberta. O ganho de malha aberta, AMA de um Op. Amp. compensado com um polo dominante em fP pode ser expresso por: A VD A = MA (4.x) . jf . .1 +. . fP . onde AVD o ganho de malha aberta DC. Usando um Op. Amp. com realimentao igual resulta num ganho de malha fechada, AMF, igual : AVD . jf . 1 .1+. . fP . AMF == 1+ AVD . 1 . jf (4.x) .1+ .+ . jf . A Af .1+. . VD . VD P . fP . Assim o erro devido ao ganho, VOGE, que aparece na sada com excurso mxima : .. .. .. .. VOGE = 1- 1V O(MAX) . 22 . (4.x) .. 1 .. f .. .1+ .++. .

.. .. A VD . .A VDfP . . Erros total na sada Todos estes erros somados produz na sada do Op. amp. um erro total na sada, VOET, para uma mxima excurso de sada igual : 222 2 V +E BW +V 2 IE NT OGE V = OET (4.x)

Sensores e Condicionamento de Sinais 85 onde BW a largura da banda de rudo do Op. Amp. Uma vez determinado o erro total na sada a mxima faixa dinmica e/ou os Bits de preciso pode ser calculado pelas equaes definidas na seo de aplicaes DC. .. V0ET Bit s de preciso = - Log .. -1 (4.x) Log 2 . VO(MAX) . = Faixa dinmica/6.02 - 1 (4.x) Os erros introduzidos pela distoro harmnica total do dispositivo outro parmetro que pode ser adicionado ao erro de entrada ac. Estes so normalmente baixos, desde que o ganho de malha (AMA) seja maior que 100. O nvel de distoro muito dependente do projeto e da tecnologia sendo que os de melhor desempenho com relao a este parmetro a tecnologia bipolar. A literatura mostra que hoje (1997) est disponvel comercialmente Op. Amp. com distoro harmnica to baixa quanto 0.00008%, na banda de adio. Os efeitos do Slew rate no desempenho do sistema difcil de ser quantificado. normalmente este s limita a banda til, ao invs de introduzir distores diretas em sina is de baixa freqncia. A figura 4.x) mostra todos os erros relacionados com o projeto AC, e a faixa dinm ica. A figura 4.x) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros de entrada, na con figurao no inversora. Mximo nvel do sinal de sada Erro Total VN INTHD Erro Ganho PSRR CMRR S.R. Faixa dinmica Figura 4.x) Erro relacionados com projeto AC e faixa dinmica

Sensores e Condicionamento de Sinais 86 =. . . . . .20Log V V OET O(max) ()dB Erros referenciados a entrada Rudo [ ]V V V 4kTR I R+ IN N 2 S N 2 S 2= + + + 12/ V V I R kTR 4kTR O -N 2 F 2 F F 2 = + + + 1 4 RSH Rudo relacionados a entrada no inversora ( ) E V 4kTR I R 4kTR R R R IR R R R NT 2 N 2 S N 2 S 2 FSH F SH N 2 F 2 SH 2 F SH 2 = + + + +

+ + Erros de entrada AC V= V VIE 2 CMRR 2 PSRR 2+ Erro total na sada para VO(MAX) VOET 2 VIE 2 ENT 2 BW2 1 1 1 1 AVD f B V 2 1 2 2 O(MAX) 2= + ++ . . . . . . . . + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . Bit s de Preciso Bit's.de.precisao Log V V Log2 1 Log V V 1OET O(max) 2 OET O(max) =. . .. . . .. - = . . .. . . .. V0 4kT/RF 4kTRF 4kTRS RSH RS RF AVD(s) VIE VCCVCC+ IN VIN IN Mxima faixa dinmica Figura 4.6) Faixa dinmica e Bit s de preciso Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao AC, a figura 4.x) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso AC fabric ado pela Texas Instruments.

Sensores e Condicionamento de Sinais 87 Amplificador de Preciso AC TLE2037 e TLE2237 (TEXAS) Voltagem de rudo 3.3 nV/vHz @ 10 Hz 2.5 nV/vHz @ 1 kHz Corrente de rudo 1.5 pA/vHz @ 10 Hz 0.4 pA/vHz @ 1 kHz Ganho de malha aberta 45 V/V ou 153 dB Produto Ganho Banda TLE2037..........76 MHz TLE2237......... 50 MHz Caractersticas de sada baixa distoro < 0.002% recuperao de saturao slew rate 7.5 V/s V 10 1000 100 nV 10 1000 pV 100 10 CMRR PSRR IN*1000THD VN(PP) 300nV 200nV 15V 10V .6nV 4nV 0.002% 250nV f =1 kHz f =10 Hz Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V CMRR medido com volt. de modo comum igual 1 V IN dado em A/vHz Figura 4.x) Os Amplificadores de preciso TLE2037 e TLE2237 4.4.3) Consideraes sobre rudo Existem um grande nmero de fatores a considerar quando se desenvolve um circuito de baixo rudo com o uso de Op. amp., estes so discutidos abaixo:

Fontes de Rudo O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. Vrios tipos de rudo ento presentes no sinal, entre estes podemos citar: Branco Rudo trmico, Nyquist ou Johnson -----------sempre presente no resistor Branco Rudo Shot -------------------------------------------sempre presente no semicondu tor Rudo Popcorn --------------------------------------- presente em processos ruidos os 1/f Rudo 1/f ou Flicker -------------------------------- sempre presente no semicondu tor e carbono

Sensores e Condicionamento de Sinais 88 Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num elemento resistivo. Este rudo gerado gerado em todo resistor, no importando o tipo e a construo. A voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatu ra e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1) Rudo Shot (Isrms) -(ou rudo schottky) associado com o fluxo de corrente atravs de uma juno PN gerado e causada pela flutuao na corrente direta. Do ponto de vista de r esposta dos dispositivos eletrnicos este rudo pode ser considerado como branco. Rudo Popcorn (Iprms) - este rudo soa como um pipocar de pipoca (da o nome) quando alimenta um alto falante. A sua origem no bem compreendida, mas este rudo menor em processo mais limpos. Bons processos de baixo rudo no apresentam rudo popcorn.

Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) -gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Es te depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no exi ste uma equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). E ste rudo apresenta uma importante caracterstica: a amplitude do rudo inversamente propo rcional a freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia abaixo de 100Hz e existe em todo semicondutor que necessita de uma corrente de polarizao para sua operao. O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio (rms) de todas as corr ente ou voltagem de rudo, como mostrado abaixo: 12 / 222 2 I Neq = (ITrms + ISrms + IPr ms + I Frms ) (3.8) Tabela 4.1) Rudos em detetores Rudo Trmico Shot Flicker ou 1/f Circuito ITrms ISrms IGRrm Frmula V kTR fTrms = 4 . ou I kT f RTrms = 4 . I qI fSrms medio = 2 . I C I f fFrms DC

a b = . Parmetros k = constante de Boltzmann (1.38x10-23) T = temperatura absoluta .f = largura da banda do sistema R = valor da resistncia q =carga do eltron Imdia= corrente mdia que atravessa o fotodetetor .f = larg. da banda do sistema C, a,b = constante arbitrria IDC = Corrente mdia atravs do con. f = freqncia de operao .f = larg. da banda do sistema

Sensores e Condicionamento de Sinais 89 Rudo relacionados com Op. Amp. A figura 4.x) mostra o circuito equivalente do Op. Amp. para fins de anlise de rud o e a definio de freqncia de canto 1/f . ( )V V 4kTR I R BNT N 2 EXT N 2 EXT 2= + + ( )V A VOUT CL NT = VN = voltagem de rudo IN = corrente de rudo passando nos resistores externos 4kTRB = Rudo trmico nos resistores externos Freqncia de canto 1/f vN rudo flicker Op. Amp. qualidade RS RF Vout VN IN1 IN2 Vin Fi Figura 4.x) Rudos no Op. Amp. Existe tipicamente dois parmetros especificados nos datasheets Operacional, a voltagem de rudo e a corrente de rudo; Voltagem de rudo de um Amplificador

A voltagem de rudo de um Op. Amp bipolar devido ao rudo trmico da resistncia de base rbb e rudo shot da corrente de coletor dos transistores de entrada. Existe t ambm rudo 1/f , associados com as correntes de base fluindo atravs da resistncia de base dos trans istores de entrada. Em baixas freqncias o rudo 1/f predomina enquanto em altas freqncias, o rudo trmico predomina. A voltagem de rudo de um amplificador com entrada FET dominado pelo rudo trmico da resistncia do canal e normalmente bem maior que projeto bipolar. As caractersti cas de voltagem de rudo para ambas as partes apresenta um comportamento 1/f, embora a fr eqncia de canto 1/f dos projetos com entrada FET seja bem maior que a do projetos bipolare s. Os projetos MOS tem um rudo 1/f pior que os Bifet, mais novos dispositivos desenvolvidos com tecnologia CMOS avanadas, tais como a LinCMOS da Texas Instruments, tem melhorado significativamente a performance de rudo e reduzido a freqncia de canto 1/f.

Sensores e Condicionamento de Sinais 90 Corrente de rudo Para Op. Amp. com entrada bipolar a corrente de rudo provocado pelo rudo shot da correbte de base e rudo 1/f de rbb. Amplificador com entrada FET apresentam uma c orrente de rudo shot associada com a corrente de fuga de porta de entrada dos FET s, e esta mu ito menor que a dos projetos bipolares. A equao indicada na figura 4.x) mostra como as correntes e voltagem de rudo so combinadas. O resultado desta equao de fato um termo RMS que normalmente preferido que o valor pico pico. Se a voltagem RMS multiplicada por 6.6 se tem uma certeza de 99 .7% que o valor de pico pico no excede o resultado. Pela investigao desta equao se observa que existe um ponto no qual o rudo do sistema dominado pelo resistores externos. Um termo, de particular interesse em projetos bipolares a Resistncia de rudo equivalente, que igual VN/IN e mostra quando o erro devido corr ente de rudo igual ao erro devido voltagem de rudo. Largura de banda de rudo A largura de banda de rudo de um Op. Amp. normalmente limitado pelo uso de uma malha de filtro. Deve ser relembrado, entretanto, que a largura de banda de rudo freqentemente muito diferente da largura de banda de um filtro RC que est limitando o rudo. A ta bela 4.2 mostra a largura de banda de rudo para vrios tipos de ordem de filtros. Tabela 4.2 Largura de banda de rudo Ordem do filtro Largura de banda de rudo 1 p/2 =1.57 x f-3dB 2 1.11 x f-3dB 3 1.05 x f-3dB 4 1.03 x f-3dB ideal 1.00 x f-3dB Rudo versus tecnologia A figura 4.x) discutiu a importncia da voltagem e corrente de rudo e como dependen do da impedncia de fonte cada ou ambos podem ser importante. O grfico e a tabela da f igura 4.x) compara o desempenho geral de rudo de Op. Amp. para as trs mais importantes tecnol ogias. Esta figura mostra que amplificadores bipolares os melhores em desempenho de rudo quando a impedncia de fonte pequena. Quando o valor dos resistores externos aumenta, o rudo trmico destes componentes

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comea a dominar a equao de rudo total. claro, quanto menor o valor da voltagem de ru o menor o valor o valor destes resistores para que estes no predominem. Quando o valor dos resistores externos aumenta mais ainda, existem um ponto que, a corrente de rudo fluindo atravs destes resistores domina a equao total de rudo. Como os Op. amp. bipolares tem uma maior corrente de rudo que aqueles com FET, isto implica q ue em projetos com resistores externos de altos valores os amplificadores com entradas FET s sejam preferidos. Outra informao mostrada pela figura diz respeito a freqncia de canto 1/f do Op. Amp. . Projetos bipolares de baixo rudo normalmente ter melhores especificaes que projeto c om entrada FET. Rudo versus Tecnologia 100G10G1G100M10M1M100k10k1k100 1 100E3 10E3 1E3 100 10 TLE2027 TLE2082 Resistncia de fonte, RS vN nV/vHz @f = 1 KHz EN(total) RS V IN ( )E V I * R 4kTR N (total) N 2 N S 2 S = + + Processo BIPOLAR BIFET LinCMOS Parmetro TLE2027 TLE2082 TLC2272 Unidade Voltagem de rudo 2.5 13 9 nV/vHz Corrente de rudo 400 2.8 0.6 fA/vHz Canto 1/f 3 1000 100 Hz VN Predomina IN*RS Predomina TLC2272 RS somente Figura 4.x) Rudo versus tecnologia

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Sensores e Condicionamento de Sinais 93 4.4.1) Alguns exemplos de aplicao AC Amplificador de instrumentao VN 4kTR2 R2 R6 R8 R7 R9 R3 v2 R4 R1 R5 Freqncia de canto 1/f =10.2Hz VIE+(1) IN IN A3 A2 A1 IN IN IN IN 4kTR7 4kT/R3 4kTR1 4kTR6 4kTR8 4kTR9 4kTR5 4kTR4 VN VN 1 kO 1 kO 1 kO 1 kO 174 O 17.4 kO 17.4 kO 175 O 0.01 1.0 0.1 10 175 O vo v1 1.0 10 100 1k 10k 100k 1M Freqncia - Hz

Sensores e Condicionamento de Sinais 94 Amplificador de instrumentao de alta CMRR Amplificador de carga Conversor entrada simples sada diferencial Conversor logartmico rpido Detetor de Pico de Preciso Filtro Notch de alto Q Filtro Passa Banda Filtro Passa Baixas Conversor 2 p/ 4 fios

Sensores e Condicionamento de Sinais 95 5- Sistemas de aquisio de dados 5.1) Introduo A maior parte dos sistemas eletrnicos tem em seu ncleo um processamento digital; d esde os sistemas mais familiares como Televiso, Computadores Pessoais, Vdeo Cassetes, e tc. at sistemas mais especializados em ambientes industriais e cientficos. Desde que o m undo real que ns habitamos essencialmente de natureza analgico, h a necessidade de se usar dispos itivos que convertam os sinais do mundo real para o domnio digital ocupado pelo processa dor. Os dispositivos descritos nesta seo so um grupo que desempenham esta funo. A figura 5.1) abaixo ilustra os elementos bsicos de uma sistema genrico de aquisio d e dados. Muitos podem achar que a converso de dados como sendo somente o Conversor Analgico-Digital (AD) ou o Conversor Digital-Analgico (DA). Entretanto para conver ter um sinal analgico, o sinal de entrada necessita que seus nveis casem com o do convers or; ainda, necessrio filtrar (filtro anti-aliasing) o sinal de entrada a fim de remover comp onentes de freqncia acima da razo de Nyquist, e mais, amostrar para converter um sinal contnuo no tempo para um sinal amostrado. Finalmente este pode ser quantificado pelo o AD. Para con verter do domnio digital de volta para o domnio analgico, o DA necessita de um filtro de reco nstruo para converter na banda base correta a sada do DA e um Buffer de sada para aliment ar a carga. Condicionamento AntiAliasing Reconstruo Entrada Saida Amostragem AD DA S H Buffer Figura 5.1 Sistema de aquisio de dados genrico

Sensores e Condicionamento de Sinais 96 5.2) Selecionando um AD para o seu Sistema Na escolha de um conversor AD para uma aplicao particular voc deve considerar vrios aspectos do seu desempenho: Estes parmetros sero discutidos como maior profundidade na seo 5.3). Resoluo Um conversor ideal de n bits tem um 2N-1 steps o que, (fig5.2) como vimos na seo 1) equao 1.17), corresponde a uma faixa dinmica de aproximadamente 6NdB. Isto necessita ser compatvel com a razo sinal/rudo e faixa dinmica requerida para o siste ma. Razo de amostragem e Faixa de passagem A razo de amostragem ou freqncia de amostragem (fs), de seu sistema precisa ser escolhida no mnimo duas vezes a mxima freqncia do sinal de entrada (aps o filtro anti-aliasing), segundo o teorema de amostragem de Nyquist. Na prtica, (ver fig5. 2), fs, deve ser normalmente duas vezes a freqncia na qual o sinal cruza o rudo de fundo do sistema. Portando o tempo de converso (Tcon) do conversor AD ter que ser menor que 1/ fs a fim de permitir que o circuito sample-and hold tenha tempo para adquirir o sina l com a preciso desejada. Um conversor AD de n bit tem uma resoluo de 2N-1 ou aproximadamente 6N dB de faixa dinmica. A freqncia de amostragem fs dever ser escolhida no mnimo duas vezes a mxima freqncia do sinal de entrada (aps o filtro anti-aliasing) para evitar erro aliasing. V t Vin 1/fs f Vin fs 0 dB -6N fs/2 Banda base 1a Imagem 0 2N-1 AD 2N-1 steps Vin N Bits Figura 5.2 Resoluo e faixa de passagem

Sensores e Condicionamento de Sinais 97 Linearidade, Ganho e Erro de offset A funo de transferncia ideal de um converso AD ser afetada pr erros tais como: Offset, erro no ganho, e no linearidade integral e no linearidade diferencial. (ve r figura 5.3) O erro de Offset e o erro no ganho podem ser corrigidos pr um ajuste de offset e ganho. Mas em muitos sistema isto um gasto indesejvel, desde que envolve componentes adi cionais e tempo de ajuste. A no linearidade integral e a no linearidade diferencial adiciona rudo e distoro ao sistema degradando seu desempenho. Selecionando um AD Erros de Offset, Ganho e linearidade

S a i d a D i g i t a l Liideal nha reta Linha reta Com correo A funo de transferncia ideal ser afetada pelo erros: Offset Ganho No linearidade diferencial No linearidade integral -1/2LSB Erro de linearidade integral Erro de Offset Voltagem de entrada

+1/2LSB Erro de -1/2LSB Erro de linearidade diferencial linearidade diferencial Figura 5.3 Erros de ganho, offset e linearidade Erro de offset o valor de entrada no meio step quando o cdigo de sada zero. step

Erro de ganho a diferena entre o valor no meio do quando o cdigo de sada mximo.

ideal e o valor do step rea ideal e u

No linearidade diferencial - a diferena entre a largura de 1LSB de um step m step real para cada cdigo digital. No linearidade integral o meio do step mximo ao o desvio entre o meio do step

e a linha reta corrigida que

step mnimo (isto , sem o erro de offset e de ganho)

Sensores e Condicionamento de Sinais 98 5.3) Projetando com converso de dados Nesta seo ns discutiremos como as especificaes para os conversores de dados so definidas nos Data sheets dos fabricantes e consideraremos alguns aspectos de proj etos de sistemas com converso de dados. Isto aborda as fontes de erros que mudam as carac tersticas de um dispositivos da funo ideal. 5.3.1) A funo de transferncia ideal

Conversores Analgico Digital (AD) Um conversor AD ideal representa unicamente todas as entradas analgicas dentro de um certo intervalo pr um nmero limitado de cdigo de sada digital. A figura 5.4) abaixo mostra que cada cdigo digital representa uma frao do intervalo total do sinal analgico de entra da. Desde que a escala analgica contnua, enquanto os cdigos digital so discretos, existe um pr ocesso de quantificao que introduz um erro (erro de quantificao). Quando o nmero de cdigo discr tos aumenta (nmero de bits aumenta), este erro diminui e a funo de transferncia se aprox ima de um linha reta ideal. Os steps (degraus) so projetados de maneira que a transio aconte no meio de cada step correspondendo ao ponto sobre esta reta ideal.

A largura de um step definida como 1LSB (um Bit Menos Significativo) e freqentemente usada como unidade de referncia para outras especificaes. Ela tambm um medida da resoluo do conversor j que esta define em quantas pores o mximo sinal de entrada foi dividido. Portanto, LSB representa uma quantidade analgica igual a me tade da resoluo analgica. figura.5.4) Funo de transferncia ideal

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A resoluo de um conversor AD normalmente expressa como o nmero de bits no seu cdigo de sada digital. Pr exemplo, um conversor com uma resoluo de N bits tem 2N poss eis cdigo digitais o que define 2N nveis de steps . Portanto, desde que o primeiro (zero) e o ltimo step tem somente metade da largura (ver fig. 5.4)), todo o intervalo da escala (FS R) dividido em 2N 1 steps . Assim 1 LSB = FSR/(2N 1) para um conversor de N bits (5.1)

Conversores Digital Analgico (DA) Um conversor DA representa um numero limitado de cdigos digitais de entrada pelo nmero correspondente de valores analgico discretos de sada. Portanto, a funo de trans ferncia de um DA uma srie de pontos discretos. Para um DA, 1 LSB corresponde ao peso de u m step entre voltagem analgicas sucessivas, cujo o valor definido pelo modo como no conv ersor AD. Um DA pode ser encarado como um potencimetro controlado digitalmente cuja sada uma frao da voltagem analgica de fundo de escala determinada pelo cdigo digital. 5.3.2) Fontes de erros estticos Erros estticos, isto aqueles erros que afetam a preciso do conversor quando este converte sinal D.C., podem ser completamente descritos pelos quatro termos. Este s termos so erro de Offset, erro de Ganho, No linearidade Integral e No linearidade Diferencia l. Cada um pode ser expresso em unidades de LSB, ou em algumas vezes, como percentagem d e FSR (fundo de escala). Pr exemplo, um erro de LSB para um conversor de 8 bits corresp onde a Da equao (5.1) Erro = LSB = 1/2 * FSR/(2N 1) = * FSR(255) = FSR/510 (5.2) Logo Erro = LSB(% de FSR) = 100/510 = 0.2% (5.3)

Erro de offset O erro de Offset definido como a diferena entre o ponto de Offset real e o ponto de Offset nominal como mostrado na figura 5.5 (conversor de 3 bits). Para um conver sor AD, o ponto de offset valor no meio do step quando a sada digital zero, e para um conversor DA o

Sensores e Condicionamento de Sinais100 valor do step quando a entrada analgica zero. Este erro afeta todos os cdigos pela m esma quantidade e normalmente podem ser compensados pr ajustes b) a) Fig. 5.5) Erros de offset nos conversor a) AD e b) DA (3 Bits)

Erro de ganho O erro de ganho definido como a diferena entre os pontos de ganho real e o ganho nominal na funo de transferencia aps a remoo do erro de offset. Para um conversor AD, o ponto de ganho o valor no meio do step quando a sada digital fundo de escala, e par a o conversor DA o valor do step na sada analgica quando a entrada digital fundo de esc la. Este erro representa uma diferena na inclinao da funo de transferencia ideal e a real e corresponde e como tal corresponde ao mesmo erro percentual em cada step . Este err o normalmente pode ser minimizado pr ajustes. A figura 5.6) mostra o erro de ganho para conversores AD e DA de 3 bits.

Sensores e Condicionamento de Sinais101 a) b) Fig. 5.6) Erros de ganho nos conversor a) AD e b) DA (3 Bits) Erro de linearidade diferencial (DNL) O erro de linearidade diferencial (DNL, do ingls, Differential Non-Linearity ), t ambm chamado simplesmente de linearidade diferencial, a diferena entre a largura do ste p real (para um AD) ou a altura do step (para um DA) e o valor ideal de 1 LSB. Portanto s e a largura ou a altura do step exatamente igual a 1 LSB, ento o erro da linearidade diferencia l igual a zero. Se o DNL excede 1 LSB, existe a possibilidade do conversor se tornar no uni forme. Isto significa que a magnitude da sada pode diminuir com o aumento do sinal de entrada . No conversor AD existe tambm a possibilidade da ausncia de cdigos, isto , um ou dos pos sveis 2N cdigos binrios nunca estejam presente na sada. A figura 5.7) ilustra este erro p ara um conversor AD a) e um conversor DA b).

Sensores e Condicionamento de Sinais102 Fig. 5.7) Erro de linearidade diferencial

Erro de linearidade integral (INL) O erro de linearidade integral (do ingls, INL, Integral Non-Linearity error), tam bm conhecido simplesmente como erro de linearidade, o desvio dos valores da funo de transferncia real de uma linha reta. Esta linha reta pode ser ou a melhor reta qu e minimizar este erro ou a reta que liga os pontos extremos da funo, admitindo-se a ausncia de erro de ganho e offset. O segundo mtodo chamado end-point linearity e a definio normalmente usada, desde que este erro pode verificado diretamente

Para um conversor AD (figura 5.8 a) ) os desvios so medidos na transio de um step ao prximo, e para um conversor DA (figura 5.8 b) ) eles so medido em cada step . O nome linearidade integral vem do fato de que a soma do erro da linearidade diferencia l do primeiro step at um step particular, determina o valor do erro da linearidade integral nesse s ep . Figura 5.8) Erro de linearidade integral

Sensores e Condicionamento de Sinais103 Erro de preciso absoluta (erro total) O erro de preciso absoluta ou erro total de um conversor, o mximo valor da diferena entre o valor da voltagem analgica e o valor no meio do step ideal. Ele inclui erro s de ganho, offset, linearidade diferencial e integral e tambm erro de quantizao no caso do conversor AD. A figura 5.9 ilustra este erro. Figura 5.9) Erro de preciso absoluta

Sensores e Condicionamento de Sinais104 5.3.3) Erro de abertura (conversor AD) O erro de abertura causado pela incerteza no tempo onde o circuito de Sample/hol d (do prprio conversor ou na entrada deste) muda da estado Sample para o estado hold. E sta variao e devido a presena de rudo no sinal de entrada ou no clock. O efeito causado pelo er ro de abertura limitar o mximo Slew rate do sinal de entrada o que implica em outra limitao na mxim a freqncia no sinal de entrada. Por exemplo, por simplicidade, vamos admitir que o s inal de entrada seja um senide definida por: V =Vosin(2pft) (5.4) O mximo Slew rate ocorre nos cruzamentos de zero e dado por: dv dt max =2pfVo (5.5) Para que o erro de abertura (Ea) no afete a preciso do conversor, este deve ser me nor do que 1 LSB no ponto de mximo Slew rate. Portanto, para um conversor AD de N bits: (veja figura 5.10) 12Vo Ea= tAdv dt = LSB = (5.6) N +1 22 Substituindo a equao (5.5) resulta 2Vo = 2pfVot (5.7) N +1 A 2 De modo que a mxima freqncia dada por 1 f = (5.8) N +1

MAX t p2 A A figura 5.10) ilustra o erro de abertura .

Sensores e Condicionamento de Sinais105 +Vo -Vo Pulso de amostragem ADC N bits Clk Incerteza na abertura S/H EA TA Erro de abertura fVodtdv p2max = 12 2 2 1 + === NA VoLSBdtdvtEa 12 1 + = N A MAX t f p figura 5.10) Erro de abertura 5.3.4) Efeito de quantizao

A entrada analgica no mundo real de um conversor AD um sinal contnuo com um nmero infinito de estados possveis, enquanto a sada digital por natureza uma funo di creta no tempo com um nmero de estados diferentes determinado pela resoluo do conversor. A decorrncia disso que na converso de um sinal analgico para um sinal digital, certos valores do sinal analgicos de entrada que so representados por voltagem diferentes, so represe ntados na sada pelo mesmo cdigo digital. Desta forma, alguma informao perdida e distoro introduzida no sinal. Isto chamado de Rudo de quantizao. Se ns tomarmos uma funo de transferncia ideal de um conversor AD, o erro entre a entrada real e a sua forma digital ter uma funo de densidade de probabilidade unifo rme, p(e) quando o sinal de entrada assumido ser randnico. Este erro pode variar no interva lo LSB ou q/2, onde q a largura de um step . Assim, p(e) = 1 q para ( q/2 =e= q/2) (5.9) p(e) = 0 se no A potncia do rudo mdio (mdia quadrtica) do erro sobre um step dado por,

Sensores e Condicionamento de Sinais106 2 21 +q E (e) = q . p(e )de (5.10) q 2 O que resulta em 2 E 2(e) = q 12 (5.11) O erro mdio quadrtico total, N2, sobre toda a rea de converso ser a soma das mdias quadrticas de cada nvel de quantizao multiplicado pela sua probabilidade. Assumindo que a converso ideal, a largura de cada step idntica e portanto tem igual probabilidade. ssim, para o caso ideal, tem-se 2 2 q N = (5.12) 12 Que a potncia do rudo de sada. Considere agora um sinal de entrada senoidal V(t) de amplitude A dada por V (t) = Asin.t (5.13) O mdio quadrtico de V(t) dado por 2p 2 V (t) = Asin (.t)dt = (5.14) 2 12p. 02 A 2 que a potncia do sinal de entrada. Portanto a razo sinal rudo, SNR dada por

.. 2 .. .V 2(t) . .. A 2 . . SNR(dB) = 10log 10log (5.15) .. N 2 .. = ... q 2 .. . .. . 12... mas q = 1LSB = 2A/2N = A/2N-1. Substituindo resulta

Sensores e Condicionamento de Sinais107 22 N SNR (dB) =10 log[3 ]. 6.02 N + 1.76dB (5.16) 2 A equao acima mostra que para um conversor ideal, cada bits extra contribui para u ma melhoria de 6dB na razo sinal rudo. Na prtica, os erros mencionados anteriormente introduz no linearidades que levam a reduo deste valor. Por exemplo, um erro LSB no erro de linearidade diferencial uma condio de ausncia de cdigo que equivalente a uma reduo de 1 bit de resoluo e consequentemente uma reduo de 6dB na SNR. Isto da um valor de pior caso par SNR de uma conversor AD de N bits com um erro de linearidade de LSB. O que pode ser escrito por SNR (dB)( pior caso ) = 6.02 N + 1.76dB - 6dB = 6.02 N - 4.24dB (5.17) Assim baseado no valor da razo sinal rudo, SNR, desejada , as equaes (5.16) ou (5.17 ) nos permite determinar a resoluo do conversor AD.

Sensores e Condicionamento de Sinais108 Cdigo Erro no step j digital Vin Ej = (Vj-Vin) Erro mdio quadrtico no step j Assumindo steps igual, erro total 12 2 2 qN = Para entrada senoidal 2)(2 1)( 22 0 22 AdttAsintV == . p .p A razo sinal rudo dada por dBNdBSNR 76.102.6)( += -q/12 -q/12 Ej Erro de quantizao +1/2LSB -1/2LSB figura 5.11) Efeito de quantizao 5.3.5) Amostragem ideal No processo de converso de um sinal contnuo tempo para um representao discreta, processo de amostragem uma necessidade importante. No caso ideal, a amostragem s e dar atravs de um trem de impulso de largura infinitesimal e rea unitria (veja figura 5. 12) ). O recproco do tempo entre cada impulso chamada de taxa de amostragem. Ainda, o sina l de entrada assumido ser de banda limitada, isto no contm componente no seu espectro a cima de certo valor. A figura 5.12) mostra a condio de amostragem ideal, representada em ambos os domnio , do tempo e da freqncia. O efeito da amostragem no domnio do tempo produzir um trem de impulso modulado em amplitude representando o sinal de entrada no instante da am ostragem. No domnio da freqncia, o espectro do trem de impulso uma srie de freqncia discretas mltiplas da freqncia ou taxa de amostragem. O processo de amostragem, pelo teorema da convoluo, significa que, uma multiplicao no tempo implica na convoluo dos espectro envolvido. De maneira que o espectro resultante apresentam duas bandas laterais centradas em cada freqncia discreta. Como pode ser observado na figura 5.12), as altas freqncias do sinal de entrada so refletida para uma regio mais baixa no espectro e podem causar inter ferncia. Esta

interferncia causa distoro no sinal amostrado e chamada de aliasing

Sensores e Condicionamento de Sinais109 Se ns assumirmos que o sinal de entrada de banda limitada em f1, e amostrado na freqncia fs fcil de ver pelo grfico na figura 5.12) que o superposio (e assim, o ng ) caso f 1 <fs - f 1 isto , 2f 1 < fs (5.18) Portanto se a amostragem for feita numa freqncia no mnimo duas vezes maior que a mxima freqncia do sinal de entrada, nenhum a aliasing ocorrer e toda informao pode extrada. Este o Teorema de Nyquist. f Transformada de Fourier Transformada de Fourier Transformada de Fourier t t t f f f t1 t2 t3 t4 Sinal de entrada Funo Sampling Sada amostrada Espectro de entrada Espectro do Sampling Espectro da sada T Impulso f(t) f(t1) g(t) h(t ) f1 F(f) H(f) G(f) f1 fs-f1 fs+f1 2fs-f1 fs=1/T 2fs 3fs t1 t2 t3 t4 Espectro original figura 5.12) Amostragem ideal 5.3.6) Amostragem real O conceito de um impulso de largura infinitesimal usado apenas para simplificar a analises de sistemas amostrados. De qualquer forma, isto conceito terico ideal qu e pode ser aproximado mas nunca alcanado na prtica. De fato o sinal real ser uma srie de pulsos de perodo igual a recproco da freqncia de amostragem. O resultado da amostragem com est e trem de pulsos uma srie de pulso modulados em amplitude pelo sinal de entrada. A figura 5.13) mostra que o espectro de um trem de pulso uma srie de freqncias discreta como no caso ideal, s que agora a amplitude dessas freqncias modificada po r um envelope (envoltria) definida por (sinx)/x (alguma vezes escrita com sinc(x) ) on de x neste caso pfs. Para um trem de pulso de amplitude A, o envelope do espectro dado por

Sensores e Condicionamento de Sinais110 t Envelope =A( )[sin(pfst )]/pfst (5.19) T Note agora (veja figura 5.15) ) que um erro introduzido no espectro original. Es te erro pode ser eliminado ou minimizado atravs de um filtro que compense o envelope sinc (x). Isto pode ser implementado com um filtro digital num DSP, ou utilizando tcnicas analgic as convencionais. (existe disponveis comercialmente Chips que incorporam funes de corr eo de sinc). Transformada de Fourier t f t T Trem de pulsos Espectro f(t) F(f) 1/t-1/t At/T 1/T Figura 5.13) Espectro de um trem de pulso t t tt1 t2 t3 t4 Sinal de entrada Funo Sampling Sada amostrada T Trem de pulsos f(t) f(t1 g(t) h(t ) t1 t2 t3 t4t t Transformada Transformada Transformada de Fourier de Fourier de Fourier f Espectro do Sampling H(f)

fs=1/T 2fs 3fs Envelope Espectro original G(f) Espectro da sada F(f) Espectro de entrada f1 fs-f1 fs+f1 2fs-f1 f f1 f figura 5.14) Amostragem real

Sensores e Condicionamento de Sinais111 5.3.7) Efeito aliasing Nenhum sinal verdadeiramente determinstico e portanto tem banda no limitada. Entretanto, a energia das componentes de altas freqncias so bem menores de modo que a partir de certo valor de freqncia podem ser desconsideradas. Este valor uma escolha que d ever ser feita pelo o projetista do sistema. Como j foi visto na seo anterior, a quantidade de aliasing (superposio) ser afetada pela freqncia de amostragem e pela largura da banda do sinal de entrada. O fator q ue determina quanto aliasing pode se tolerado a resoluo do sistema. Se o sistema tem baixa reso luo ento o rudo de fundo (rudo total devido a todas as fonte de rudo) j bastante alto e o ali asing pode no ser significativo. Entretanto, em sistemas de alta resoluo o aliasing pode aumenta r o rudo de fundo significativamente e portanto, precisa ser controlado adequadamente. O aumento da taxa de amostragem uma das formas de evitar erros devido a aliasing . Entretanto, h um limite mximo de freqncia imposto pelo o conversor AD ou pelo clock do processador digital que manuseia os dados digitais. Portanto, para reduzir o efe ito de aliasing para nveis aceitveis, filtros analgicos podem ser usados para alterar a banda do sinal d e entrada.

Vrios tipos de filtros podem ser utilizados para modificar a banda do sinal do en trada. Um filtro ideal para esta finalidade seria aquele que no apresentasse nenhuma atenuao na banda de passagem (passband), tivesse uma largura zero na regio de transio e rejeitasse tota lmente as componentes de freqncia na banda de atenuao (stopband). Na prtica, isto aproximado p r um filtro que introduz alguma atenuao na banda de passagem, tem uma largura finita na regio de transio, e passa alguma componente do sinal na banda de atenuao. Este ainda pode introduzir alguma tipo de distoo de fase ou de amplitude. A escolha da ordem e do tipo de filtro de modo a se obter as especificaes desejadas do sistema. A literatura cobre de forma bem abrangente o projeto de filtro analgico e foge do escopo desse curso. Dentres estes filtros, adequados para realizar a funo de filtro antialiasing, podemos citar os filtros Butterworth, Chebyshev, Cauer, e Bessel-Thomson