CAPITULO V DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA 5. 1 Introduccin La figura 5.

1 muestra una distribucin de los componentes semiconductores, indican do lmites para valores de tensin de bloqueo, corriente de conduccin y frecuencia de conmutacin. Obviamente estos lmites evolucionan con el desenvolvimiento tecnolgico y sirven co mo una ilustracin para la verificacin en una primera aproximacin, de las bandas de potencia en que cada componente puede ser utilizado.

5.2 Diodos de potencia Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodo s, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos uni direccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de cond uccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser c apaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido in verso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pe quea intensidad de fugas. 5.2. 1 Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el di spositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada u na sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estad de bloqueo. 5.2.2 Parmetros en conduccin Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de im pulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatu ra de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (FSM): es el mximo pico de intensidad ap licable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encu entra en el estado de conduccin 5.2. 3 Potencia mxima disipable (Pmx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confun dirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. 5.2.4 Potencia media disipada (PAV) Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en esta do de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fu gas. Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indi can la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la i

ntensidad eficaz dividida entre la intensidad media). 5.2.5 Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. 5.2.6 Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. 5.2.7 Caractersticas dinmicas Tiempo de recuperacin inverso El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneame nte. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de sto s cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso p or cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sent ido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del t iempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a e scasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRR M) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. o tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de l a unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. o trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb. o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea nega tiva de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. o di/dt: es el pico negativo de la intensidad. o Irr: es el pico negativo de la intensidad. Influencia del trr en la conmutacin Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: o Se limita la frecuencia de funcionamiento. o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr: o A mayor IRRM menor trr. o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor se r la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr. Tiempo de recuperacin directo tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instant e en que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir pr didas de potencia apreciables. 5.2.8 Caractersticas trmicas Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin d el dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating tempe rature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el di spositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas compren didas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ni nguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatu

ra. Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositiv o. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula : Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador ( aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc) .5.3 El transistor bipolar de potencia NPN. Son siempre empleados como interruptor saturado (Interruptor cerrado), o bloquea do (interruptor abierto). El comportamiento dinmico del transistor (paso de saturado a bloqueado es de much a importancia en las aplicaciones de electrnica de potencia. 1.- Para poner en conduccin al transistor, se debe suministrar una corriente de b ase IB sin sobrepasar su valor lmite. 2.- En este caso, la tensin base-emisor resulta de un valor cercano a 0.7 V para un transistor de silicio (juntura BE = diodo). 3.- Si el colector est polarizado normalmente (VCE > 0) y si el circuito exterior no limita la corriente (caso de un transistor no saturado) la corriente de colector I C es igual a I B multiplicada por la ganancia esttica : Ic = Ib; el valor de depende del nivel de corriente. 4.- La corriente del emisor I E es la suma I C+I B 5.- Si es muy grande, I E es muy cercano a I C Orden de valores: Transistor de seal: Transistor de potencia: Esto no resulta cierto si el transistor est saturado. Si el colector est al aire , I E = I B

6.- La corriente de colector depende muy poco de la tensin en los bornes del tran sistor (Transistor no saturado) 7.- La tensin V CE en bornes de un transistor depende del circuito exterior. 8.- Dado que la estructura es simtrica, un transistor puede funcionar invertido ( E y C permutados). Sin embargo, la realizacin tecnolgica es diferente para el emis or y el colector; la potencia admisible se ver seriamente disminuida, la ganancia tambin. Este funcionamiento no es aconsejable salvo para potencias muy pequeas (r educcin de la tensin de offset, circuitos lgicos) 5.3.1 Utilizacin como interruptor. 1.- Para bloquear rpidamente un transistor, se debe extraer una corriente de base inversa. Si el transistor estaba saturado, hay un tiempo de retardo entre el mo mento en el que se comienza a extraer I Binv y en el cual I C se anula, ts: tie mpo de almacenamiento. 2.- Para mantener un transistor correctamente bloqueado, se debe aplicar a su ba

se una tensin inversa (negativa para un NPN) o, por ausencia, muy cercana de cero (resistencia de bajo valor entre B y E). 3.- Para saturar un transistor, se debe suministrar a su base una corriente I B superior a la corriente I C dividida entre el valor correspondiente de la ganancia de saturac in . 4.- Una vez que el transistor est saturado, se puede considerar que el colector y el emisor estn en cortocircuito (V CE = V CESAT muy bajo) y que la base est conectada a dos electrodos por una resistencia pequea. Transistor de seal V BESAT = 0.7 V, V CESAT = 0.5 V Transistor de Potencia V BESAT = 1 V, V CESAT = 1.5 V Darlington de potencia V BESAT = 2 V, V CESAT = 4 V 5.- Para disparar rpidamente un transistor bloqueado, se debe suministrar a su ba se un pico de corriente de base sensiblemente superior al justo necesario para s aturarlo (alrededor del doble) 5.3.2 Empleo del diodo antisaturacin. Con objeto de evitar una hipersaturacin o saturacin dura del transistor de potenci a y lograr tiempos de bloqueo ms cortos, al transistor de potencia se le sita en cuasisaturacin mediante un arreglo con diodos de la siguiente forma: Al suministrar corriente a la base para poner a conducir al transistor de potenc ia, las cadas de tensin del diodo conectado a la base y del transistor entre su ba se y su emisor son aproximadamente de 0.7 V cada una dando un total de 1.4 V. Po r lo tanto, si el transistor entrase en saturacin, la cada de tensin entre sus born es colector-emisor fuese de 0.4 V aproximadamente que sumada a la cada de tensin del diodo DAS (0.7 V) dara un total de 1.1 V, lo cual no puede sostenerse. En consecuencia, parte de la corrie nte de base se deriva por el diodo DAS hasta lograr la igualdad de tensiones, si tuando al transistor en un punto de cuasi-saturacin. En transistores de potencia de alta tensin, se puede emplear la configuracin del siguiente circuito. La juntura base-emisor del transistor auxiliar conectado a la base del transisto r de potencia de alta tensin, acta en conjunto con el diodo DAS para evitar la sat uracin del transistor de potencia. Al transistor auxiliar se le suele denominar t ransistor balastro. Un circuito completo de encendido y apagado que incluye al transistor balastro y permite extraer corriente de la base del transistor de potencia durante el proc eso de bloqueo se muestra a continuacin. El transistor de potencia se pone a conducir cuando el pulso de control est en ce ro y se bloquea cuando dicho pulso es positivo. El inductor permite limitar el g radiente de la corriente de base negativa durante el proceso de bloqueo. El resi stor R1 se calcula para proporcionar la corriente de base mxima de saturacin del t ransistor de potencia. DAS 5.3.3 Circuitos de ayuda a la conmutacin. Para analizar el proceso de conmutacin en un transistor de potencia, considerar e

l siguiente circuito troceador con carga inductiva. En este circuito, la carga R L se conecta y desconecta a una frecuencia constante. El diodo D1 cumple la func in de rueda libre evitando sobretensiones en bornes del transistor de potencia. Figura 5.9 Circuito de ayuda a la conmutacin Durante el encendido, las evoluciones de la corriente de colector y de la tensin colector-emisor en el transistor de potencia son de la siguiente manera: En esta grfica, se observa claramente la aparicin de tensin y corriente simultneamen te en bornes del transistor de potencia durante la conmutacin. Esto implica una p otencia instantnea de gran magnitud que ocasiona prdidas en forma de calor que el dispositivo debe evacuar. Similarmente, durante el proceso de apagado del transistor, las evoluciones de c orriente de colector y tensin colector-emisor en el transistor de potencia son de la siguiente manera: En esta grfica, tambin se observa claramente la aparicin simultnea de tensin y corrie nte en bornes del transistor de potencia generando una potencia instantnea de gra n magnitud constituyendo las prdidas en forma de calor durante la conmutacin al bloq ueo. Graficando estas evoluciones en el plano tensin-corriente, se obtiene lo siguient e: Esta grfica muestra la posibilidad de que el transistor funcione fuera del rea de operacin segura y que en consecuencia se destruya. Con objeto de evitar la selecc in de un transistor de potencia sobredimensionado y adems reducir las prdidas de co nmutacin, se disean circuitos de ayuda a la conmutacin que permitan; al encendido, reducir el gradiente de la corriente de colector y, al apagado, reducir el gradi ente de tensin colector-emisor. 5.3.4 Circuito de ayuda a la conmutacin al encendido. La reduccin del gradiente de corriente al encendido se logra con la simple inserc in de un inductor en el circuito del colector del transistor de potencia en cuestin. El circuito de ayuda a la conmutacin incluye un diodo y un resistor de manera que la energa almacenada por el inductor insertado pueda disiparse adecuadamente. En la prctica, tanto el valor de inductancia como el tiempo de conmutacin se deter minan para lograr un gradiente de corriente adecuado sin sacrificar demasiado la duracin de la conmutacin. 5.3.5 Circuito de ayuda a la conmutacin al apagado. La reduccin del gradiente de corriente al encendido se logra con la simple inserc in de un condensador en paralelo al transistor de potencia en cuestin. El circuito de a yuda a la conmutacin incluye un diodo y un resistor de manera que la energa almacenada por e l condensador insertado pueda disiparse adecuadamente.

En la prctica, tanto el valor de capacitancia como el tiempo de conmutacin se determinan para lograr un gradiente de tensin adecuado sin sacrificar demasiado l a duracin de la conmutacin. 5.4 Mosfet Dispositivo controlado por voltaje que requiere solo de una pequea corriente de e ntrada. Existen MOSFETs (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSITOR), del tipo N y P, sin embargo dado que la movilidad de portadores del tipo N es el dob le o mas veces que las del tipo P, dispositivos del tipo N tienden a tener menor es perdidas por conduccin, siendo as los ms preferidos. El Mosfet es un interruptor, con las siguientes caractersticas importantes Tiempos de conmutacin extremadamente cortos, de ese modo pueden operar con frecue ncias elevadas. Alta impedancia de entrada entre gate (G) y source (S). rea de operacin (SOA safe operating rea), es mucho mayor. Mas fcil de ser asociado en paralelo, sobretodo porque la resistencia en estado d e conduccin tiene coeficiente positivo de temperatura RDS(ON) mayor para tempera turas elevadas. Requiere aplicacin de un voltaje de polarizacion G-S, para la conduccin. 5.4.1 Principio de operacin. De la figura que representa una estructura tpica de un MOSFET de potencia. Cuando el gate esta sin voltaje (VGS 0), la conduccin Drain source es prevenida por el vo ltaje inverso de la unin P-N. Como la conduccin en el dispositivo es enteramente hecha p or los portadores mayoritarios (Drain Source), el MOSFET en conduccin tendr una re sistencia RDS(ON) caracterstica constante . Los MOSFETs son dispositivos que estn normalmente en corte, son activados al aplicrseles suficientemente grandes VGS p ara inducir una capa de inyeccin en el canal que se acorta Drain y Source. Muy bajos valores de RDS(ON) pueden ser alcanzados incrementando el rea del sili cio 5.4.2 Caractersticas del MOSFET (estticas). Con VGS < a 4V, el dispositivo esta en OFF y bloquea la conduccin D-S, para D-S hasta el nivel de breakdown nominal (B VDS), en este nivel de voltaje ocurrir el breakdown por avalancha y la conduccin D-S toma lugar. El mosfet conduciendo es caracterizado por los siguientes parmetros: RDS(ON) , el mosfet saturado se comporta como una resistencia. La RDS(ON) aum enta con la temperatura con un coeficiente igual a 0.7% cada C para TJ mayor que 25C. ID , mxima corriente continua que el componente puede conducir IDM , mxima corriente pulsada de dreno que el mosfet puede conducir VGS, mxima tensin entre G-S, que puede ser aplicado (positivo o negativo) VGS(th), tensin de gate suficiente para iniciar la conduccin ( 4V). VDS(ON) RDS(ON)ID, tensin Dreno Source con el mosfet conduciendo. El Mosfet bloqueado es caracterizado por la tensin de avalancha entre Dreno e V(BR)DS, (BVDS), 5.4.3 Caractersticas dinmicas del MOSFET Sourc

Los valores de las capacitancias son ministradas por los fabricantes y varan con VDS, mas no con la temperatura, as la temperatura no tiene influencia sobre los t iempos de conmutacin . Ciss, es un parmetro muy importante en el comando y en los tiempos de conmutacin, este capacitor debe ser cargado y descargado por el circuito de gate, los tiempo s de conmutacin dependen de la velocidad de carga y descarga de Ciss. En los MOSFETs no existe tiempo de almacenamiento que es el mayor tempo de conmu tacin del transistor bipolar. 5.5 IGBT El IGBT es un dispositivo controlado por voltaje que combina las ventajas dlos BJ T y de los MOSFET, tiene alta impedancia de entrada igual que los MOSFET. En su funcionamiento una de las ventajas son sus bajas prdidas de conduccin en es tado activo como los BJT La resistencia equivalente drenaje Rds, se controla para que se comporte comn BJ T En cuanto a su rendimiento es ms cercano al de un BJT que a los MOSFET. Los Mosfet comandan el comportamiento de la puerta, mientras que los transistore s comandan comportamiento Drenaje Fuente. Valores mximos, caractersticas de conmutacin. Pueden llegar hasta los 400 A, 1200V La frecuenta de conmutacin esta en el orden de los 40Khz Se utiliza en aplicaciones de potencia media como los propulsores para motores d e cd y ca, fuentes de alimentacin, relevadores de estado slido, contactores. 5.5.1 Caractersticas estticas del IGBT Caracterizado por los siguientes parmetros: IC , mxima corriente continua que el componente puede conducir ICM , mxima corriente de pulso de colector que el igbt puede conducir VGE, mxima tensin entre gate y emisor que puede ser aplicada VGE(TH), mnima tensin gate emisor suficiente para iniciar la conduccin VCESAT, tensin colector emisor con el IGBT conduciendo ( 2.5V) BVCES = tensin de avalancha entre colector emisor. 5.5.2 Caractersticas dinmicas

4V

As como el mosfet, el IGBT tambin posee una serie de capacitancias que son dados e n catalogo. Capacitancia de entrada : Cies Capacitancia de salida : Coes Capacitancia de transferencia inversa: Cres Para que el IGBT comience a conducir, es necesario que las capacitancia de entra da este cargada con una tensin mayor que VGE(TH), esto implica un tiempo de retra so entre el instante que el componente es comandado a conducir y el momento que esto acontece. 5.6 GTO

Es un dispositivo que puede ser modelado con un arreglo de dos transistores bipo lares, siendo uno NPN y el otro PNP, como se ve en la figura. Para disparar el GTO, se aplica un pulso de corriente en la base del transistor NPN (T1), que al conducir, polariza directamente al transistor PNP (T2), as el tr ansistor PNP entra en conduccin y refuerza la corriente de base del transistor NP N.

Debido a esta caracterstica de regeneracin, el GTO no precisa de corriente de gate durante el estado conductivo. Para obtener el corte del GTO, se debe interrumpi r esta regeneracin de corriente, esto es obtenido con la extraccin de un pulso de corriente del gate de modo que las ganancias de corriente de los dos transistore s sea menor a 1. El GTO como dispositivo bipolar, representa una pequea perdida en conduccin en in tervalos de conduccin razonables. El GTO es una opcin bastante razonable para operaciones en baja frecuencia. Por s er un dispositivo de 4 capas el GTO presenta buena capacidad de soportar tensin i nversa en el bloqueo. Actualmente el GTO esta siendo usado principalmente en aplicaciones de potencia que requieren capacidades de bloqueo de tensiones superiores a 1000V y de conduc cin de corrientes elevadas. La aplicacin de una polarizacion inversa en la unin de gate - ctodo puede llevar a al desconexin del GTO. 5.7 SITH El Static Induction Thyristor (SITH), es un semiconductor de potencia parecido a un diodo PN con una estructura de puerta igual al SIT (Static Induction Transis tor, de caractersticas similares a las de un mosfet, exceptuando que el SIT sopor ta mas potencia, aunque su frecuencia de funcionamiento es algo mas baja). Tiene 3 terminales. Los dos principales son llamados nodo (A) y ctodo (K), igual que pa ra un diodo. El tercer Terminal, Terminal de control, se denomina compuerta (G). En las figuras siguientes podemos ver representados los smbolos electrnicos del SI T y del SITH. Como podemos apreciar, el SITH se representa como un diodo de unin PN con un Term inal de puerta. El SITH esta normalmente en estado de conduccin. El dispositivo, conduce unidirec cionalmente desde el nodo al ctodo, sin que se haya aplicado ninguna seal a la puer ta, justo igual que para un diodo. Si introducimos una seal negativa por puerta, el dispositivo pasa del estado de conduccin al estado de bloqueo, permaneciendo a s mientras que mantengamos aplicada la seal de puerta. El SITH no tiene un amplio rango de aplicacin, pero los ndices de 1000V y 200, as co mo la frecuencia de conmutacin (unos 3Khz). Hacen posible su utilizacin en conmuta dores e inversores.

5.8 MCT El Most Controlled Thyristor (MCT), es un tiristor o un GTO integrado en una pas tilla junto con dos transistores mosfet. Uno de estos mosfet pasa al tiristor de corte a conduccin: el otro mosfet lo pasa de conduccin a corte. La frecuencia de conmutacin del dispositivo puede ser superior a los 20Khz. En consecuencia, el fu ncionamiento es similar al IGBT. No obstante, deberemos observar que la cada de t ensin en conduccin del MCT es baja, estando alrededor de 1.1.V. El MCT tiene una serie de propiedades que cubren un amplo rango de aplicaciones. La principal desventaja es que la capacidad de bloqueo inverso del dispositivo s er sacrificada a favor de la velocidad de conmutacin. En la figura podemos ver rep resentado el smbolo electrnico de MCT. 5.9 ASCR El Asymmetric Controlled Rectifier (ASCR), es un semiconductor de potencia que s e diferencia principalmente del tiristor en que el ASCR no bloque prcticamente ni ngn voltaje en sentido inverso. En la figura se representa su smbolo electrnico. Las dems operaciones del ASCR son prcticamente iguales a las del tiristor: En caso de suministrar tensiones inversas debemos colocar diodos conectados en antipara lelo para evitar la ruptura del dispositivo. Este semiconductor puede sustituir al tiristor dentro de un cierto margen de valores, que estarn comprendidos entre 2000V y 400 aproximadamente. 5.10 GATT El Gate Assisted Turn Off Thyristor (GATT), es un tiristor que se caracteriza po r la lentitud en el paso de conduccin a corte. Con el GTO se usa una seal negativa de puerta para pasar del dispositivo de condu ccin a corte, siendo las perdidas creadas en el interior del dispositivo relativa mente alto, por lo que se limita la frecuencia de funcionamiento hasta los 2Khz. Para el GATT, cuando el circuito de conmutacin introduce una seal negativa por la puerta, el elemento pasa a corte sin que se provoquen grandes prdidas. Como resu ltado de esto, la frecuencia de operacin se incrementa hasta los 10Khz. El GATT e s por tanto un dispositivo muy utilizado en circuitos inversores. 5.11 RCT El Reverse Conducting Thyristor (RCT), es el resultado de la integracin en un mis mo componente discreto de un ASCR junto con el diodo. En la figura podemos aprec iar su smbolo electrnico. 5.12 ZTO El Zero Turn Off time thyristor (ZTO), es un dispositivo semiconductor de alta p otencia de bloqueo de puerta aislada, funcionando con conmutacin ultra rpida forza da o natural. El ZTO puede ser considerado como un tiristor sin tiempo de bloqueo, es decir, t iempo de bloqueo cero. Funciona con conmutacin ultra rpida y con circuitos de bloq ueo de puerta asistido. Un ZTO no presenta un tiempo mnimo de conduccin, como consecuencia podemos interru mpir corrientes muy altas sin necesidad de disponer de circuitos de proteccin adi cionales. Con el ZTO, el lmite de frecuencia de los equipos de alta potencia se traslada de sde 1-2Khz hasta valores superiores a 20Khz, siendo para los convertidores reso

nantes de ms de 50Khz. 5.13 Tiristores rpidos Son tiristores concebidos para aplicaciones de potencia a alta frecuenta hasta 20Khz. Presentan Valores de dV/dt elevados y su caracterstica Vdrm puede alcanzar los 1200V. Soportan las sobrecargas e introducen pocas perdidas en conmutacin. S us caractersticas son estables. Los tiristores rpidos se emplean en alimentaciones de emergencia, onduladotes par a calefaccin a induccin, variadores de velocidad, reguladores conmutados y cicloco nvertidores. 5.14 SMART POWER Smart Power es la tecnologa de integracin, en un solo dispositivo monoliticote uno o varios componentes de potencia y de componentes lgicos o analgicos de tratamien to de seal. Se trata pues de obtener un nuevo componente que incorpora control y potencia, capaz de trabajar en conmutacin, control de fase, control de motores, etc. Incorpora, adems la posibilidad de autodiagnstico del dispositivo. Tiene funciones detectoras de sobreintencidad, sobretension y calentamiento excesivo del dispos itivo. Por tanto adems de ser compatible directamente con un microprocesador, pod emos avisar al sistema externo de control o bien auto desconectar el componente. Conclusin El elegir un interruptor que ser usado en un conversor, esta asociado principalme nte a la potencia que ella debe controlar y la frecuencia en la que debe operar. Actualmente en estructuras convencionales en bajas potencias (hasta 5KVA), el tr ansistor bipolar es preferido, para las aplicaciones que requieren frecuencias d e conmutacin del orden de hasta 50Khz, el Mosfet es el ms indicado para conversore s que operan con frecuencias superiores. En medias potencias (hasta 20 KVA), el mosfet se vuelve problemtico por las perdi das elevadas en conduccin. De esta forma el transistor bipolar prevalece y su des ventaja por control por corriente es compensada por la baja perdida en conduccin. En estos niveles de potencias debido a las grandes perdidas de conmutacin el tra nsistor bipolar opera convenientemente hasta la faja de 20 Khz. En altas potencias (100 Kva), el GTO es el interruptor con bloqueo controlado ma s utilizado. Como el accionamiento del IGBT es mucho ms fcil que el TBP, su uso ha ido creciend o en deprimento de los TBP.