Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Campinas – S.P.

2003

Eletrônica II

Eletrônica II

 SENAI-SP, 2001
Trabalho elaborado pela Escola Senai “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini”

Coordenação Geral

Magno Diaz Gomes

Equipe responsável

Coordenação

Luíz Zambon Neto

Elaboração

Edson Carretoni Júnior

Versão Preliminar

SENAI - Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Avenida da Saudade, 125, Bairro Ponte Preta CEP 13041-670 - Campinas, SP senaizer@sp.senai.br

Eletrônica II

Sumário

Osciloscópio Medição de Sinais com Osciloscópio Gerador de Funções Diodo Semicondutor Diodos Especiais Circuitos Retificadores Circuito Retificador com Filtro Transistor Bipolar Ponto de Operação do Transistor Polarização do Transistor Características do Transistor Bipolar Reguladores de Tensão Regulador Monolítico Amplificador Operacional Amplificador Não-Inversor Tiristores SCR TRIAC FET – Transistores de Efeito de Campo Referências Bibliográficas

5 25 49 55 81 97 117 135 159 179 209 223 237 249 279 289 293 311 321 341

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Osciloscópio

Uma das grandes dificuldades que os técnicos enfrentam na reparação de circuitos eletrônicos é esta: os fenômenos que ocorrem nos componentes eletrônicos são abstratos; ou seja, tudo acontece sem que se possa ver. Conseqüentemente, toda a reparação é feita também a partir de raciocínios, de forma abstrata. Daí a importância do osciloscópio para o técnico. É através desse instrumento que variações de tensão em um componente do circuito são transformadas em figuras, ou seja, em formas de ondas mostradas em uma tela. Isso torna possível a análise do comportamento do componente analisado dentro do circuito a ser reparado. Vamos tratar dos controles básicos e da preparação do osciloscópio para o uso. Desse modo, você saberá como utilizar posteriormente esse instrumento nos mais diversos tipos de medições.

Osciloscópio O osciloscópio é um equipamento que permite ao técnico em manutenção observar as variações de tensão elétrica em forma de figura em uma tela. Através do osciloscópio, é possível pesquisar e analisar defeitos em circuitos eletrônicos e elétricos. Na tela de um osciloscópio, as imagens são formadas unicamente pelo movimento rápido de um ponto na horizontal e vertical, como em um aparelho de televisão.

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Quando o movimento do ponto é rápido, a imagem que se observa na tela é uma linha. As imagens se formam na tela do osciloscópio mediante movimentos simultâneos no sentido vertical e horizontal. A figura a seguir mostra um modelo de osciloscópio de traço simples com o painel de controle e entrada de sinal em primeiro plano.

Como se pode observar pela figura, os controles e entradas do painel podem ser divididos em quatro grupos a saber: 1. controles de ajuste do traço ou ponto na tela; 2. controles e entrada de atuação vertical; 3. controles e entrada de atuação horizontal; 4. controles e entradas de sincronismo.

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Observação Os ajustes de brilho e foco são ajustes básicos que sempre devem ser realizados quando se utiliza o osciloscópio. Esses controles são enumerados a seguir. • Foco (focus): controle que ajusta a nitidez do ponto ou traço luminoso. Observação As designações dos controles aparecem entre parênteses em inglês. vem acoplado à chave ligadesliga (on/off) do equipamento. Observação Deve-se evitar o uso de brilho excessivo.Eletrônica II Controles de ajuste do traço ou ponto na tela A figura a seguir destaca o grupo de controles de ajuste do traço ou ponto. visto que é comum os osciloscópios terem esse tipo de identificação. O foco deve ser ajustado de forma a obter um traço fino e nítido na tela. Em alguns osciloscópios. SENAI 7 . • Brilho ou luminosidade (brightness ou intensity): controle que ajusta a luminosidade do ponto ou traço. pois a tela do osciloscópio pode ser danificada.

Eletrônica II • Iluminação da retícula (scale illumination): permite iluminar as divisões traçadas na tela. Esses controles estão enumerados a seguir. 8 SENAI . As variações de tensão aplicadas nesta entrada aparecem sob a forma de figuras na tela do osciloscópio. • Entrada de sinal vertical ou Y (input): nesta entrada conecta-se a ponta de prova do osciloscópio. Controles e entrada de atuação vertical A figura abaixo coloca em destaque o grupo de controles de atuação vertical.

Observação Em algumas situações. A figura a seguir mostra o que ocorre com a imagem na tela quando se movimenta a chave seletora. a saber: CA – 0 –CC ou CA –GND – CC.Eletrônica II • Chave de seleção do modo de entrada (CA-CC ou AC-DC): esta chave é selecionada de acordo com o tipo de forma de onda a ser observado. Em alguns osciloscópios. usa-se a posição adicional 0 ou GND para ajustar o osciloscópio. • Chave seletora de ganho vertical (volt gain ou volt/div): com essa chave é possível aumentar ou diminuir a amplitude de uma projeção na tela do osciloscópio. esta chave tem três posições. SENAI 9 .

o ajuste fino permite variar linearmente a amplitude. • Posição vertical (position): esse controle permite movimentar a projeção mais para cima ou para baixo na tela. A movimentação não interfere na forma da imagem projetada na tela. ou seja. 10 SENAI . pode-se ampliar ou reduzir horizontalmente uma imagem na tela. Através desse controle. A diferença está em que enquanto a chave seletora provoca variações de amplitude em passos (proporções definidas). sem escala graduada.Eletrônica II • Ajuste fino de ganho vertical (fine-variable ou vernier): sua função é a mesma que a da chave seletora de ganho vertical. porém. Esses controles são os seguintes: • Chave seletora na base de tempo (H. sweep ou time/div): é o controle que permite variar o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela. aumentar ou diminuir a amplitude da imagem na tela. Controle de atuação horizontal A figura a seguir coloca em destaque os controles de atuação horizontal.

A fixação da imagem se faz mediante os controles de sincronismo do osciloscópio. • Posição horizontal (H.Eletrônica II Observação Em alguns osciloscópios. position): consiste no ajuste que permite centrar horizontalmente a forma de onda na tela. através de uma entrada específica. o traço se move horizontalmente para a direita ou vice-versa. Sincronismo da projeção O sincronismo consiste na fixação da imagem na tela para facilitar a observação. • Ajuste fino (variable): este controle permite ajustar com mais precisão o tempo de deslocamento do ponto na tela. SENAI 11 . Essa posição permite que o deslocamento horizontal do ponto seja controlado por um circuito externo ao osciloscópio. mas apenas um ponto. esta chave seletora tem uma posição chamada EXT (externa). Girando o controle de posição horizontal para a direita. não ocorre formação de traço na tela. Quando a posição EXT é selecionada. Atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo.

a chave seletora permite o sincronismo com base na frequência da rede de alimentação do osciloscópio (senoidal 60 Hz). Nessa posição. O sinal que controla o sincronismo nessa posição é aplicado à entrada de sincronismo. Possui.Eletrônica II Os controles de sincronismo são os enumerados a seguir: • • • chave seletora de fonte de sincronismo. controle de nível de sincronismo. quatro posições. obtém-se o sincronismo da imagem com o auxílio de outro equipamento externo conectado no osciloscópio. em geral. sinais esse obtidos a partir da rede elétrica. 12 SENAI . consegue-se facilmente sincronizar na tela sinais aplicados na entrada vertical. chave de modo de sincronismo. conforme mostra a figura abaixo. Na posição rede (line). A chave seletora de fonte de sincronismo (“source”) é uma chave que seleciona o local onde será tomado o sinal de sincronismo necessário para fixar a imagem na tela do osciloscópio. Na posição externo (ext).

As posições normal + e normal – permitem que o sincronismo seja ajustado manualmente por meio de controle de nível de sincronismo (level). com base no sinal selecionado pela chave seletora de fonte de sincronismo. normalmente tem duas ou três posições que são: auto. A posição auto permite que o osciloscópio realize o sincronismo da projeção automaticamente. Na posição normal +. fazendo com que o primeiro pico a parecer na tela seja o positivo. normal -. o sincronismo é positivo. normal +. SENAI 13 .Eletrônica II A chave de modo (mode) e controle de nível (level) de sincronismo.

serve para fazer a conexão aos pontos de medição.. por sua vez. e a ponta de entrada de sinal.Eletrônica II Na posição normal . A garra jacaré. Observação Estes controles serão analisados quando se tratar da utilização do osciloscópio na medição de tensão CA. Uma das extremidades da ponta de prova é conectada a uma das entradas do osciloscópio por meio de um conector. por sua vez. chamada também de terra da ponta de prova. deve ser conectada ao terra do circuito. Pontas de prova As pontas de prova são utilizadas para interligar o osciloscópio aos pontos de medição. conecta-se ao ponto que se deseja medir 14 SENAI . É provida de uma garra jacaré e de uma ponta de entrada sinal. geralmente do tipo BNC. o sincronismo é negativo. O primeiro pico que aparece na tela é o negativo. A extremidade livre.

entregando ao osciloscópio a décima parte da tensão aplicada à ponta de medição. A ponta de prova 10:1 é divisora de tensão. um osciloscópio que permita a leitura de SENAI 15 . ponta de prova 10:1. A ponta de prova 1:1 permite aplicar à entrada do osciloscópio o mesmo nível de tensão e forma de onda aplicado à ponta de medição. Assim.Eletrônica II conector BCN Existem dois tipos de ponta de prova: • • ponta de prova 1:1. As pontas de prova 10:1 são usadas para permitir que o osciloscópio seja empregado para medição ou observações de sinais com tensões e amplitudes 10 vezes maiores que o seu limite normal de medição.

Observação Existem pontas de prova que dispõem de um botão através do qual se pode selecionar 10:1 ou 1:1. As diferenças entre o osciloscópio de traço simples e duplo traço aparecem: • • nas entradas e controles do vertical. Ele tem alguns controles que são comuns aos dois traços: • • controles básicos (brilho. A figura a seguir coloca em destaque os grupos de controles do canal 1 (CH1) e canal 2 (CH2).Eletrônica II tensões até 50V com ponta de prova 1:1. Cada canal vertical controla um dos sinais na tela (amplitude. nos controles e entrada de sincronismo. Osciloscópio de duplo traço O osciloscópio de duplo traço permite visualizar ao mesmo tempo dois sinais na tela. controles do horizontal (base de tempo e posição). posição vertical). foco). Entradas e controles do vertical no osciloscópio duplo traço As imagens na tela do osciloscópio são uma projeção da tensão aplicada à entrada vertical. pode ser utilizado em tensões de até 500V (10 x 50) com uma ponta de prova 10:1. O osciloscópio de duplo traço dispõe de dois grupos de controles verticais: • • um grupo para o canal A ou canal 1 (Channel 1 ou CH1). para observar dois sinais simultaneamente é necessário aplicar duas tensões em duas entradas verticais. 16 SENAI . um grupo para o canal B ou canal 2 (Channel 2 ou CH2). Conseqüentemente.

posição vertical (1E e 2E). chave seletora CA – 0 – CC (1B e 2B). Tanto o canal 1 como o canal 2 podem ser utilizados separadamente. ajuste fino de ganho vertical (1D e 2D).Eletrônica II Os grupos de controles verticais dos dois canais geralmente são iguais. SENAI 17 . o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 1. ou seja. Modo de operação vertical de duplo traço O osciloscópio de traço duplo dispõe de uma chave seletora que possibilita o uso de apenas um dos traços na tela. Na posição CH1. Na posição CH2. o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 2. como se fosse de traço simples. Alguns osciloscópios dispõem ainda de um inversor (invert). chave seletora de ganho vertical (1C e DC). Cada canal dispõe de: • • • • • entrada vertical ou Y (1A e 2A). que é um controle que permite inverter a imagem do canal 2 obtida na tela.

Na posição CH2. aparecerá apenas um traço na tela. desse modo. 18 SENAI .Eletrônica II Observação Sempre que se usar o osciloscópio de traço duplo como um de traço simples. Os controles de sincronismos são: • • • • chave seletora de fonte de sincronismo. Controles de sincronismos no osciloscópios duplo traço A função dos controles de sincronismo é fixar a imagem na tela. projetando o sinal aplicado à entrada vertical do canal 2. chave seletora de modo de sincronismo. Em osciloscópios mais sofisticados. controle de nível de sincronismo. DUAL (ou chopper). A figura a seguir coloca em destaque o grupo de controles de sincronismo. projetando o sinal que estiver aplicado à entrada vertical do canal 1. Esta chave tem pelo menos três posições: CH1. cada um representando o sinal aplicado nas respectivas entradas verticais. a chave seletora deve ser posicionada no canal utilizado (CH1 ou CH2). outras opções de funcionamento. Na posição CH’ aparecerá apenas um traço na tela. esta chave pode ter mais posições permitindo. CH2. Entre os grupos de controles verticais dos canais 1 e 2 existe uma chave seletora que permite determinar quantos e quais canais aparecerão na tela. Na posição DUAL (chopper). aparecerão na tela dois traços. entrada de sincronismo.

selecionando para 10 V/divisão. essa chave tem muitas posições. 10 V/div = 80 V). a leitura não será correta. Observação Quando o valor de tensão a medir é parcialmente conhecido. caso contrário. É importante lembrar que a posição de referência do traço na tela deve ser conferida a cada mudança de posição da chave seletora de ganho vertical e reajustada. se necessário. de forma que se possa fazer com que cada divisão da tela tenha valores que vão. Quando isso acontece.Eletrônica II Estes controles serão analisados detalhadamente quando tratarmos da medição de tensão CA com osciloscópio. Ajuste fino de ganho vertical Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino de ganho vertical. Em cada posição da chave seletora. Em todos os osciloscópios. Assim. reajustar a referência e refazer a medição. antes de executar a medição. pode-se medir tensões de até 80 V (8 divisões. Se a tensão aplicada à entrada vertical excede o limite de medição. deve-se mudar a posição da chave seletora de ganho vertical para um valor maior. por exemplo. este deve ser calibrado. a chave seletora de ganho vertical deve ser posicionada adequadamente antes de realizar a medição. o traço sofre um deslocamento tal que desaparece da tela. com 8 divisões verticais na tela. o osciloscópio tem um limite de medição. de 1mV a 10V. SENAI 19 . Chave seletora de ganho vertical (VOLT/DIV) A chave seletora de ganho vertical estabelece a quantos volts corresponde cada divisão vertical da tela.

O movimento horizontal do ponto é chamado de varredura. o ajuste fino de ganho vertical já tem a posição de calibração indicada por “CAL”. Por essa razão. os controles da base de tempo do osciloscópio também são conhecidos por controles de varredura. Em geral. Controles da base de tempo O traço na tela de um osciloscópio é formado pelo movimento de um ponto. Assim.Eletrônica II Em alguns osciloscópios. o ajuste é feito utilizando-se uma tensão CC (ou CA quadrada) que está disponível em um borne do painel de osciloscópio. Através dos controles da base de tempo é possível fazer com que o ponto se desloque mais rápida ou mais lentamente na tela do osciloscópio. ao lado do borne no painel do osciloscópio está colocado 1VPP. Conecta-se a ponta de prova ao borne e ajusta-se o controle de ajuste fino. Conecta-se a ponta de prova ao borne e posiciona-se o ajuste fino de ganho vertical para que a figura na tela indique 1VPP. o osciloscópio possui três controles da base de tempo: 20 SENAI . controlado pelos circuitos da base de tempo ou varredura horizontal. Isso deve ser feito de forma que a tensão lida na tela confira com a tensão (CC ou CA PP) indicada ao lado do borne. Quando o ajuste fino não tiver posição de calibração indicada.

ajuste fino da base de tempo (H. s/div). Esses controles são comuns a todos os traços do osciloscópio (duplo traço. amplificador horizontal. os controles da base de tempo são comuns aos dois traços. sweep ou time/div. SENAI 21 . Esses controles da base de tempo são mostrados a seguir em um modelo de osciloscópio de traço simples. Assim.). Nos osciloscópios de duplo traço. se a chave seletora da base de tempo estiver posicionada em 1 ms/div. 4 traços ou mais). Esta chave estabelece quanto tempo o ponto leva para percorrer uma divisão da tela no sentido horizontal. vernier). Chave seletora da base de tempo A chave seletora da base de tempo (H sweep ou time/div) é calibrada em valores de tempo por divisão (ms/div. o ponto leva um milissegundo para percorrer uma divisão horizontal da tela.Eletrônica II • • • chave seletora da base de tempo (H. ms/div.

Desse modo.5 ms/div. o ajuste fino permite que se ajustem tempos entre estes dois valores (0. 22 SENAI . Ajuste fino da base de tempo Esse botão (variable) atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo.Eletrônica II Através da chave seletora é possível expandir ou comprimir horizontalmente a figura na tela. se a chave seletora da base de tempo tem as posições 1 ms/div e 0.85 ms/div).6 ms/div. Permite que o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela seja ajustado para valores intermediários entre uma posição e outra da base de tempo. 0.

Um aspecto importante deve ser considerado: o ajuste fino não tem escala. o efeito do ajuste fino é de ajustar a largura da figura em qualquer proporção que se deseje. Sempre que for necessário conhecer o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão. Observação Nem todos os osciloscópios trazem este controle. Ampliador horizontal O ampliador (magnifier) é chamado também de expansor e atua na largura da figura na tela. o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão horizontal da tela é determinado somente pela posição da chave seletora da base de tempo. os expansores permitem que a figura seja ampliada 5 ou 10 vezes no sentido horizontal. SENAI 23 . Em geral. o ajuste fino da base de tempo tem que ser posicionado em calibrado.Eletrônica II Na tela. Este controle de ajuste fino tem uma posição denominada “calibrado” ou “cal”. Quando o controle está na posição “calibrado”. de forma que não é possível saber exatamente quanto tempo o ponto leva para deslocar-se numa divisão horizontal.

Relacione a segunda coluna com a primeira: a) b) c) d) Chave seletora de ganho vertical Chave de seleção CA/CC Entrada de sinal vertical Posição vertical ( ) Seleciona o tipo da forma de onda ( ) Conecta a ponta de prova ( ) Varia o tempo de deslocamento ( ) Movimenta a projeção ( ) Aumenta ou diminui a amplitude do sinal 24 SENAI .Eletrônica II Exercícios 1. Responda: a) Para que serve o osciloscópio? b) De que forma as imagens se formam na tela de um osciloscópio? c) Quais são os controles de ajuste de traço ou ponto na tela? d) Qual é a diferença entre as pontas de prova 1:1 e 10:1? e) Qual é a função da chave seletora de ganho vertical? 2.

• seleção do modo de entrada. através da forma de onda senoidal. controles industriais. você estará habilitado a usar o osciloscópio na manutenção de equipamentos eletrônicos. Dessa maneira. Você vai aprender como se faz para obter uma projeção na tela e como se determinam valores típicos de tensões. Nesse caso. o comportamento dos componentes eletrônicos. Vamos considerar um osciloscópio já com um traço selecionado e projetado na tela e ajustado em brilho e foco. quadrada. osciloscópio. vamos tratar da medição de sinais com osciloscópio.Eletrônica II Medição de Sinais com Osciloscópio Em circuitos de CA e CC. triangular ou qualquer outra. • conexão da ponta de prova do osciloscópio. freqüências e defasagens. você já deverá conhecer gerador de funções. o osciloscópio permite verificar. Medição de tensão contínua com osciloscópio A medição de tensão CC com osciloscópio é utilizada na análise e reparação de circuitos. aparelhos de som. Para desenvolver os conteúdos e atividades aqui apresentadas. Ajuste da Referência SENAI 25 . tensões contínua e alternada. visualmente. Neste capítulo. e outros. Isso faz com que esse instrumento seja largamente utilizado em reparos de circuitos de tv. a preparação para a medição de uma tensão CC divide-se em três etapas: • ajuste da referência. correntes.

é necessário estabelecer uma posição para o traço na tela. Seleção CA-CC e conexão da ponta de prova Para medições de tensão contínua.CC) do canal escolhido na posição 0. Observação Quando se faz o ajuste. utilizando o controle de posição vertical do canal selecionado.Eletrônica II Quando se utiliza o osciloscópio para medição de tensões contínuas.0 . que servirá de posição de referência. Deve-se posicionar o traço sobre uma das divisões do reticulado da tela. Para fazer o ajuste da posição de referência do traço. conforme mostra a figura a seguir. procede-se da seguinte maneira: 26 SENAI . procede-se da seguinte forma: • coloque a chave seletora de modo de entrada (CA . o operador deve ficar numa posição frontal à tela do aparelho. • ajuste a posição do traço na tela usando o controle de posição vertical deste canal.

temos a observar: • Após a preparação do osciloscópio. • Quando as extremidades livres da ponta de prova são conectadas aos pontos de medição.CC) do canal escolhido. procede-se à medição da tensão e à interpretação da medição. respectivamente. as extremidades da ponta de prova podem ser conectadas nos pontos onde está presente a tensão a ser medida. Na medição de tensão. Isso é feito em duas etapas: 1.Eletrônica II • após o ajuste da referência. Verifique primeiramente de quantas divisões foi a mudança de posição do traço na tela (em relação à posição de referência). ou seja. determina-se o valor de tensão aplicada na entrada. a posição do traço antes e depois da conexão da ponta de prova aos pontos de medição. A figura a seguir mostra. Após a conexão da ponta de prova. posicione para CC a chave seletora de modo de entrada (CA . Em seguida. SENAI 27 .0 . • conecte a ponta de prova na entrada vertical do canal escolhido. o traço muda de posição na tela. faz-se a interpretação da medida.

2. 28 SENAI . Nesse caso. o eixo vertical da tela do osciloscópio é denominado eixo das tensões. uma mudança de posição de duas divisões e a posição da chave seletora de ganho vertical de 5 V/divisão.Eletrônica II Na figura a seguir. Ou seja: tensão contínua = 2 divisões . para obter a tensão contínua entre os pontos medidos. a mudança de posição do traço foi de duas divisões. Multiplique o número de divisões obtidas pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical do canal (que indica o valor de cada divisão). conforme mostra a figura que segue. por exemplo. basta multiplicar o número de divisões pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. Vamos supor. 5 V/div = 10 V. Pelo fato de permitir a medição de tensões.

tensões contínuas negativas. 2 V/div. seja ele positivo. Observação O valor de tensão correspondente a cada divisão da tela é definido pela chave seletora de ganho vertical. na conexão ao pólo positivo. permite a leitura de valores que não completam um número inteiro de quadros ou divisões. As tensões contínuas positivas e negativas dependem do pólo da fonte de alimentação em que é conectado o terra. quando se conecta o terra ao pólo negativo. Portanto cada subdivisão corresponde a 0. obtém-se SENAI 29 . Para que a medição seja correta. Na figura a seguir pode-se observar a medição de uma tensão CC de 4. Assim.2 de um inteiro. 2. ou negativo. obtém-se tensões contínuas positivas. Tensões negativas e positivas O osciloscópio pode ser utilizado tanto para medição de tensões positivas como negativas. Para que o osciloscópio possa ser utilizado para medições de valores de tensão de milivolts até dezenas de volts.8 V. Um quadro contém 5 subdivisões. eixo vertical central. a garra negativa que é o terra da ponta de prova do osciloscópio é ligada ao terra do circuito.4 divisões . ou seja. basta posicionar a chave seletora de ganho vertical.Eletrônica II A subdivisão das divisões no eixo vertical principal.

A interpretação dos valores das tensões negativas é feita da mesma forma que a das tensões positivas. o traço se desloca da posição de referência para cima. Quando a tensão aplicada na entrada vertical é negativa. Medição de tensão alternada com osciloscópio Utiliza-se o osciloscópio sobretudo para realizar medições de tensão alternada. conforme mostra a figura que segue. 30 SENAI . Esse é um tipo de medição muito comum no reparo e manutenção de equipamentos eletrônicos. Observe esse deslocamento representado na figura a seguir. o traço se desloca da posição de referência para baixo.Eletrônica II Quando a tensão aplicada na entrada vertical é positiva.

Nesse caso. deve-se calibrá-lo antes de executar a medição. • interpretação da medição. mas também a conexão da ponta de prova nos pontos de medição. as pontas de prova são conectadas nos pontos de medição. • sincronismo da projeção. a figura está fora de sincronismo. é preciso fazer não apenas a seleção do modo de entrada e a conexão da ponta de prova no osciloscópio. Obtenção da forma de onda CA Vamos tomar um osciloscópio com um traço previamente selecionado (CH1 ou CH2). Normalmente. apenas a posição CC deve ser utilizada. A ponta de prova é conectada na entrada vertical do canal selecionado. Para medições de tensão CA. SENAI 31 . Se o osciloscópio possuir ajuste fino de ganho vertical. Após posicionar os controles. conforme mostra a figura a seguir. ajustado em brilho e foco. para obter a projeção de uma CA na tela. a tensão CA presente nestes pontos se projeta em forma de figura na tela do osciloscópio. Quando se conectam as pontas de prova nos pontos de medição.Eletrônica II Processo de medição de tensão CA O processo de medição de tensão CA com o osciloscópio divide-se em três etapas: • obtenção da forma de onda CA na tela. Para medições de CC. a chave “seleção do modo de entrada” pode ser posicionada em CA ou CC.

5 V = Tensão medida 1. Se na posição auto não houver sincronismo. Recorre-se também a essa chave quando a imagem na tela é muito pequena e é necessário obter uma imagem com maior amplitude. este deve ser calibrado antes de executar a medida. A leitura de tensão alternada aplicada na entrada vertical no osciloscópio é feita pela determinação da tensão de pico a pico da imagem projetada na tela. Número de divisões 3 Observação x Posição da chave seletora 0.5 VPP Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino do ganho vertical.Eletrônica II Caso a imagem exceda os limites da tela na vertical. Interpretação da medição Para realizar a leitura da tensão. Em geral. para que o osciloscópio fixe automaticamente a imagem na tela. 32 SENAI . Verifica-se o número de divisões verticais ocupadas pela imagem e multiplica-se pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. basta posicionar a chave de modo de sincronismo em “auto”. para obter o máximo de amplitude dentro dos limites da tela. é preciso sincronizar a imagem na tela. deve-se passar para normal e sincronizar com auxílio do controle de nível. deve-se recorrer à chave seletora de ganho vertical.

Isso possibilita colocar o pico da tensão exatamente sobre o eixo vertical principal. facilitando a leitura. pode-se movimentar verticalmente a imagem.H. SENAI 33 . usando o controle de posição vertical. Esse procedimento permite posicionar um dos picos da CA sobre uma linha de referência sem modificar sua amplitude. Pode-se também movimentar horizontalmente a imagem (controle de posição horizontal .Eletrônica II Posicionamento adequado para a leitura Para facilitar a leitura do número de divisões ocupadas na tela. position) sem prejuízo para a leitura.

Eletrônica II Medição de período para cálculo de freqüência Pode-se usar o osciloscópio para determinar a freqüência de um sinal elétrico. Desse modo. Isso é possível porque o período de uma CA pode ser determinado através do osciloscópio. A relação entre as duas grandezas se expressa pela equação: f = 1 T vice- A equação mostra que à medida que a freqüência aumenta. 34 SENAI . temos: T = tempo de ocorrência de 1 ciclo. Relação entre período e freqüência Freqüência (f) é o número de ciclos completos de um fenômeno repetitivo que ocorre na unidade de tempo. A freqüência e o período de um fenômeno estão intimamente relacionados. pode-se determinar o seu período e. Determinação do período de um sinal O eixo horizontal do osciloscópio é denominado "eixo dos tempos" porque. temos: f = número de ciclos completos em 1 segundo. através das suas divisões. pode-se determinar o período de formas de ondas alternadas. Desse modo. Uma vez conhecido o período de um sinal. a equação permite que se determine sua freqüência. o período diminui e versa. calcular a sua freqüência. Período (T) é o tempo necessário para que ocorra um ciclo completo de um fenômeno repetitivo. Através da observação dos sinais elétricos na tela do osciloscópio. portanto.

deve-se estabelecer um ponto na figura como início do ciclo e posicioná-lo exatamente sobre uma das divisões do eixo horizontal. Com isso.Eletrônica II Para determinar com precisão o período de uma CA. SENAI 35 . já que o ajuste fino tem de estar calibrado. Com a CA projetada na tela. o que é feito com auxílio apenas da chave seletora da base de tempo. mais precisa poderá ser a determinação do período. Observações • Quanto menor o número de ciclos projetados na tela. • O ideal é conseguir projetar apenas um ciclo da CA na tela. Uma vez determinado corretamente o período. é preciso que o controle de ajuste fino da base de tempo seja mantido na posição "calibrado". é possível obter a freqüência desejada. Para isso basta aplicar a CA a um dos canais do osciloscópio e projetá-la e sincronizála na tela. obtém-se uma figura adequada à observação e leitura do período. A chave seletora permite fazer o ajuste da base de tempo que possibilita a compressão ou expansão da forma de onda na tela.

ocupadas por um ciclo e observados na tela do osciloscópio. Assim: T (período) = no de divisões horizontais de um ciclo x tempo de uma divisão. • o número de divisões horizontais. 36 SENAI . A figura a seguir mostra um exemplo de determinação do período de uma CA senoidal. Para determinar o período da CA. Observação Pelos controles de posição. pode-se movimentar a figura no sentido vertical ou horizontal na tela. fornecido pela posição da chave seletora da base de tempo. sem prejudicar a leitura.Eletrônica II Com o ponto de início do ciclo posicionado. é necessário conhecer: • o tempo de cada divisão. verifica-se o número de divisões do eixo horizontal ocupado pelo ciclo completo.

temos: T = 5. • determinar o período. pode-se calcular a freqüência do sinal através da relação: 1 f = T A freqüência da CA da figura é: f = 1 0. SENAI 37 .005 s Determinado o período.005 f = 200 Hz Portanto.Eletrônica II Partindo dos dados da figura. • calcular a freqüência.0 ms ou 0.0 x 1 T = 5. • projetar a CA na tela e sincronizar. para determinar a freqüência procede-se da seguinte maneira: • posicionar o ajuste fino de tempo em calibrada. • obter o menor número possível de ciclos na tela.

é necessário observar simultaneamente duas senóides: • a senóide da tensão. Isso pode ser feito através de um osciloscópio duplo traço. Para observar a senóide da tensão. Este processo somente pode ser utilizado para CA de freqüências iguais. conectando a ponta de prova (sinal e terra) diretamente nos pontos a serem observados. emprega-se um dos canais do osciloscópio. sinais de mesma freqüência sinais de freqüências diferentes Para verificar a relação de fase entre uma tensão e uma corrente CA em um componente ou circuito. 38 SENAI . porque quando as freqüências são diferentes o ângulo de fase está em constante modificação. • a senóide da corrente. torna-se necessário analisar ou determinar a relação de fase entre duas tensões CA ou entre uma tensão e uma corrente CA em um componente.Eletrônica II Medição do ângulo de fase Em muitas ocasiões.

Eletrônica II As figuras a seguir mostram as pontas de prova conectadas a um circuito e a projeção na tela que corresponde a senóide de "tensão aplicada". toda a vez que for necessário observar com o osciloscópio a forma de onda de corrente em um circuito deve-se incluir um resistor em série com este circuito. A queda de tensão neste resistor será proporcional e estará em fase com a corrente do circuito. • a tensão desenvolvida no resistor está em fase com a corrente. é necessário que elas sejam transformadas em variações de tensão. O resistor é o componente ideal para realizar a conversão de corrente em tensão por duas razões: • a tensão presente entre os terminais de um resistor é proporcional à corrente. Observação Para observar as variações de corrente no osciloscópio. queda de tensão proporcional à corrente do circuito SENAI 39 . Assim.

utiliza-se um resistor cujo valor seja no máximo 10% da resistência do circuito que se deseja analisar. este resistor interfere na resistência total.Eletrônica II Conectando o osciloscópio sobre este resistor. deve-se utilizar um resistor cujo valor seja pequeno em relação à resistência do circuito que se deseja analisar. RT = Rcircuito + R Para evitar que o resistor acrescentado influencie significativamente nos resultados observados. Como normalmente se necessita observar simultaneamente as formas de onda de tensão e de corrente. de forma que: • um dos canais é colocado sobre o resistor. • o outro canal é aplicado diretamente sobre a carga. provocando uma alteração na corrente circulante. É importante lembrar que ao inserir um resistor em série com um circuito. ou seja. Observação Em geral. utiliza-se um osciloscópio de duplo traço. a forma de onda apresentada na tela representará a corrente no circuito. 40 SENAI . para observação da forma de onda de corrente.

Eletrônica II A figura a seguir mostra como seria conectado o osciloscópio duplo traço para verificar a relação de fase entre corrente e tensão em um resistor. Sempre que o osciloscópio for conectado desta forma. SENAI 41 . deve-se usar a entrada com inversão do osciloscópio para a medição abaixo da referência. As senóides de corrente e tensão sobre o resistor aparecerão na tela como mostra a figura a seguir. O ato de conectar o terra do osciloscópio no meio dos dois componentes a serem medidos implica no fato de que o canal 1 apresenta uma medida acima da referência e o canal 2 uma medida abaixo da referência.

1 x= x = 36o A senóide de corrente da figura está atrasada uma divisão. Por exemplo: vamos supor que um ciclo da senóide de tensão ocupe 6 divisões horizontais da tela. x = 360 . 10% do valor da reatância capacitiva do capacitor. pode-se elaborar uma regra de três: 6 divisões 1 divisão 360 6 → → 360o x 6 .Eletrônica II O mesmo processo pode ser usado para determinar a relação de fase entre tensão e corrente em componentes como o capacitor. no máximo. neste caso. Portanto. 42 SENAI . O valor do resistor deve ser de. a corrente está 60o atrasada com relação à tensão. Como um ciclo completo de CA corresponde a 360o. As divisões horizontais da tela podem ser usadas para determinar o ângulo de defasagem.

4 x= 360 4 x = 90o Medição do ângulo de fase por figuras de Lissajous Figuras de Lissajous é o nome dado às figuras que aparecem na tela do osciloscópio quando se aplicam sinais às entradas vertical e horizontal do osciloscópio.4 divisões → 4 . x = 360 . desligando a varredura horizontal interna. Abaixo estão algumas figuras de Lissajous. 0. 4 divisões → 360o x 0. SENAI 43 .Eletrônica II A figura a seguir mostra outro exemplo de determinação do ângulo de fase através das divisões horizontais da tela do osciloscópio.

Conexão do Osciloscópio ao Circuito Para determinar o ângulo de fase. ocorre a formação de uma figura de Lissajous na tela. em número de quadros. 44 SENAI .Eletrônica II Através das figuras de Lissajous é possível determinar a relação de fase entre duas CA’s de mesma freqüência usando um osciloscópio de traço simples. o sinal aplicado no vertical deve ocasionar a mesma amplitude de deflexão na tela que o horizontal. O resistor R no circuito converte as variações de corrente em variações de tensão. Após a colocação dos dois sinais. mantendo-se a chave de varredura horizontal na posição "externa". Para obter a leitura correta do ângulo de fase. os dois sinais de mesma freqüência são aplicados às entradas vertical e horizontal. e a figura deve estar centrada na tela.

Ymax Convenção: θ é o ângulo de defasagem. • Y0 é o valor de Y quando o eixo x vale zero.Eletrônica II Em geral. determina-se o ângulo de fase a partir da equação θ . torna-se necessário atuar no controle da amplitude vertical ou horizontal para realizar o ajuste. Observação Através das figuras de Lissajous. Uma vez concentrada a figura. determinam-se dois valores: Ymax e Y0 que é a intersecção da figura com o eixo Y. e arc sen é a função arco sen θ. Observações • Ymax é o valor de pico máximo da figura no eixo Y em relação ao eixo x. De posse dos dois valores.arc sen Yθ . porque isso depende da ordem de ligação dos sinais no osciloscópio. não é possível determinar qual é o sinal adiantado ou atrasado. Y0 e Ymax são as leituras da tela. SENAI 45 .

77 da tabela).77 60° 0.64 45° 0.Eletrônica II A seguir está uma tabela de senos e um exemplo de determinação do ângulo de fase por figura de Lissajous.98 90° 1 θ = arc sen θ = arc sen Y0 Ymax 2. 46 SENAI .87 70° 0.5 40° 0.8 θ = arc sen 0.17 20° 0.71 50° 0.34 30° 0.94 80° 0.1 2. Ângulo (θ) Seno (θ) Exemplo: 0° 0 10° 0.75 θ ≅ 50° (sen 50° = 0.

2 θ = arc sen 0. Responda: a) Quais grandezas elétricas podem ser medidas por um osciloscópio? b) O que define se a medição de tensão é negativa ou positiva? c) Quais as etapas para medição de tensão alternada? d) Qual é a utilização das figuras de Lissajous? SENAI 47 .0 3.94 θ = 70° Observação Quando se obtém um círculo perfeito a defasagem é de 90° .Eletrônica II θ = arc sen Y0 Ymax θ = arc sen 3. pois Y0 = Ymax. Y0 Logo. sen = sen 1 = 90° Ymax Exercícios 1.

Medição da freqüência b. 48 SENAI . Relacione a segunda coluna com a primeira. Medição de tensão alternada c. Medição de tensão contínua d. ) Determinar o período. ) Calcular o cosseno do ângulo. ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC. Medição do ângulo de fase I/E ( ( ( ( ( ) Usar uma entrada com inversão. ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC ou CA. a.Eletrônica II 2.

Para desenvolver os conteúdos e atividades desta lição. É um equipamento que fornece tensões elétricas com diversas formas de onda chamadas de sinais elétricos.Eletrônica II Gerador de Funções No trabalho de manutenção. O gerador de funções é um destes equipamentos. • impedância de saída. o técnico de eletroeletrônica enfrenta situações em que é preciso usar equipamentos que o ajudem a descobrir e a corrigir defeitos em aparelhos. Características do gerador de funções As características fundamentais dos geradores de funções são: • tipos de sinais fornecidos. • tensão máxima de pico-a-pico na saída. Tipos de sinais fornecidos SENAI 49 . Gerador de funções O gerador de funções é utilizado para calibrar e reparar circuitos eletrônicos. com amplitudes e freqüências variáveis. • faixa de freqüência. é necessário que você conheça corrente alternada e resistência interna. O presente capítulo vai tratar do gerador de funções e mostrar o modo correto de operar esse equipamento. utilizado com freqüência na manutenção de equipamentos de som e imagem.

50 SENAI . Os manuais dos fabricantes informam a faixa de freqüência que o equipamento pode fornecer. Faixa de freqüência Dependendo da marca e do modelo. Os geradores podem ser de: • alta impedância de saída. quadrada e triangular. Geralmente. de 1Hz a 20 kHz.Eletrônica II Os sinais variam de modelo para modelo. Tensão máxima de pico-a-pico na saída A tensão máxima de pico-a-pico é o valor máximo de amplitude do sinal que o gerador pode fornecer. Por exemplo. para circuitos transistorizados. fornecidos pelo gerador. Dentre os tipos de sinais mais comuns. para circuitos a válvula. • média impedância de saída. Impedância de saída A impedância de saída é a impedância que o gerador apresenta entre os terminais de saída. sua impedância é de 600 Ω. o gerador de funções fornece sinais em uma freqüência que vai de 1 Hz a vários MHz. temos os que se apresentam as formas de ondas senoidal.

3. por exemplo. permitindo escolher a faixa de freqüência desejada como. 4. É importante conhecer as características do gerador de funções. O valor indicado no dial deve ser multiplicado pela faixa de frequência previamente ajustada pela chave seletora de faixa de frequência. SENAI 51 . chave seletora de faixa de freqüência ou multiplicador. controle de freqüência fornecida ou DIAL: é um controle acoplado a uma escala que permite estabelecer o ajuste da freqüência do sinal fornecido pelo gerador dentro dos limites definidos pelo seletor da faixa de operação. 2. chave liga-desliga que serve para ligar e desligar o equipamento. chave seletora de sinal ou função que seleciona a forma de onda do sinal de saída. com o painel de controles em destaque. por exemplo. Em geral.Eletrônica II • baixa impedância de saída. liga desliga No gerador de funções são comuns os seguintes dispositivos de controle: 1. sua impedância de saída fica em torno de 50 Ω. porque isso permite obter a máxima transferência de potência entre gerador e carga. Dispositivos de controle O painel do gerador de sinal tem uma série de dispositivos de controle que servem para ajustar o equipamento de acordo com o trabalho a realizar. Observe na figura a seguir um modelo de gerador de funções. para trabalhos em circuitos digitais. Esse seletor possui diversas posições. de 100 Hz a 1000 Hz. presente em geradores que fornecem valores de freqüência em ampla faixa como. de 10Hz a 100kHz.

a amplitude do sinal sofre uma redução quando a carga é ligada. essa impedância de saída do gerador pode ser representada com um resistor em série com os bornes de saída. Existem geradores de funções mais sofisticados que dispõem de outros controles. em série com a saída. Observação Para uma correta compreensão dos controles adicionais. controle de nível de saída ou amplitude: serve para ajustar a amplitude (pico-apico) do sinal de saída. Esta impedância interna produz um efeito semelhante ao de uma resistência elétrica colocada no interior do aparelho. Devido a essa resistência. Assim como em pilhas e baterias.Eletrônica II 5. O efeito é semelhante à queda de tensão que ocorre em pilhas e baterias devido a suas resistências internas. é preciso consultar o manual do fabricante. quando o gerador fornece corrente ao circuito. Influência da carga na amplitude do sinal O gerador de funções apresenta uma impedância interna. Tal redução se deve ao fato de que a impedância interna provoca uma queda de tensão. 52 SENAI .

Observe na figura que segue uma situação ideal de casamento de impedância. sempre que se utilizar o gerador de funções.Eletrônica II Quanto maior for a carga a ser alimentada. haverá uma maior redução na amplitude do sinal de saída. Portanto. SENAI 53 . Casamento de impedância Para obter a máxima transferência de potência gerador-carga. maior será a corrente fornecida pelo gerador e maior será também a queda de tensão interna no gerador. Por essa razão. com máxima transferência de potência. o nível de saída deve ser ajustado com a carga conectada. a impedância de saída do gerador deve ser a mais próxima possível da impedância da carga.

5. liga desliga 1. Nomeie os dispositivos de controle solicitados. 2. 54 SENAI . Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a utilidade do gerador de funções? b) Cite duas características de um gerador de funções. 3. c) Quais tipos de sinais são fornecidos por geradores de funções? 2.Eletrônica II Exercícios 1. 4.

circuitos retificadores. ou seja. novos componentes são colocados no mercado. O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi o diodo semicondutor que é utilizado até hoje para o entendimento dos circuitos retificadores.Eletrônica II Diodo Semicondutor A eletrônica se desenvolveu espantosamente nas últimas décadas. Para ter sucesso no desenvolvimento desses conteúdos. aqueles que transformam CA em CC. dependendo da forma como se apresenta sua estrutura química. Um dos fatos que contribuiu de forma marcante para esta evolução foi a descoberta e a aplicação dos materiais semicondutores. Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por átomos de carbono são o diamante e o grafite. A cada dia. visando fornecer os conhecimentos indispensáveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC. ou seja. Dependendo da forma como os átomos se interligam. Materiais semicondutores Materiais semicondutores são aqueles que apresentam características de isolante ou de condutor. SENAI 55 . o material formado pode se tornar condutor ou isolante. simplificando o projeto e a construção de novos aparelhos. cada vez mais sofisticados. Este capítulo tratará do diodo semicondutor. O exemplo típico do material semicondutor é o carbono (C). materiais condutores e isolantes. você já deverá ter conhecimentos relativos a corrente elétrica.

É eletricamente isolante.Eletrônica II O diamante é um material de grande dureza que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma de estrutura cristalina. É condutor de eletricidade. Isso faz com que cada elétron pertença simultaneamente a dois átomos. Estrutura química dos materiais semicondutores Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem constituídos de átomos que têm quatro elétrons (tetravalentes) na camada de valência. cada átomo se combina com quatro outros. Veja na figura a seguir a representação esquemática de dois átomos (silício e germânio) que dão origem a materiais semicondutores. 56 SENAI . Átomo de germânio Os átomos que têm quatro elétrons na última camada têm tendência a se agruparem segundo uma formação cristalina. O grafite é um material que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma triangular. Nesse tipo de ligação.

As ligações covalentes se caracterizam por manter os elétrons fortemente ligados em dois núcleos associados. na estrutura. Cristal N Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última camada. compostas unicamente por ligações covalentes. Dos cinco elétrons externos do fósforo. Dopagem A dopagem é o processo químico que tem por finalidade introduzir átomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura como o germânio e o silício. adquirem características de isolação elétrica. que é realizada em laboratórios. que é pentavalente. O quinto elétron do fósforo não forma ligação covalente porque não encontra. A dopagem. SENAI 57 . O silício e o germânio puros são materiais semicondutores com características isolantes quando agrupados em forma de cristal. Por isso. introduz no interior da estrutura de um cristal uma quantidade controlada de uma determinada impureza para transformar essa estrutura num condutor. forma-se uma nova estrutura cristalina denominada cristal N. por exemplo. Esses átomos estranhos a estrutura cristalina são denominados impurezas. Isso possibilita a formação covalente. um elétron que possibilite essa formação. apenas quatro encontram um par no cristal. A forma como o cristal conduzirá a corrente elétrica e a sua condutibilidade dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada. as estruturas cristalinas puras.Eletrônica II Esse tipo de ligação química é denominado de ligação covalente. como o fósforo (P).

cada átomo de impureza fornece um elétron livre dentro da estrutura. constituindo-se um portador livre de carga elétrica. seu número total de elétrons e prótons é igual. Nesse cristal. embora o material tenha sido dopado. Veja representação esquemática a seguir. Esse elétron isolado tem a característica de se libertar facilmente do átomo e de vagar livremente dentro da estrutura do cristal. a corrente elétrica é conduzida no seu interior por cargas negativas.Eletrônica II No cristal semicondutor. Observe que o cristal N conduz a corrente elétrica independentemente da polaridade da bateria. É importante notar que. Cristal P 58 SENAI . de forma que o material continua eletricamente neutro.

e força a criação de outra lacuna atrás de si. no processo de dopagem. As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os elétrons livres que as preenchem movimentam-se na banda de condução. dá origem à estrutura chamada de cristal P. ou seja. é a ausência de uma carga negativa. Quando se aplica uma diferença de potencial aos extremos de um cristal P. uma lacuna é ocupada por um elétron que se movimenta.Eletrônica II A utilização de átomos com três elétrons na última camada. Essa ausência de elétron é chamada de lacuna. Observações • A banda de valência é a camada externa da eletrosfera na qual os elétrons estão fracamente ligados ao núcleo do átomo. O átomo de índio (In) é um exemplo desse tipo de material. A lacuna é preenchida por outro elétron gerando nova lacuna até que esta seja preenchida por um elétron proveniente da fonte. verifica-se a falta de um elétron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente. na verdade. Os cristais dopados com átomos trivalentes são chamados cristais P porque a condução da corrente elétrica no seu interior acontece pela movimentação das lacunas. Esse movimento pode ser facilmente observado quando se analisa a condução de corrente elétrica passo a passo. Veja figura a seguir na qual a lacuna está representada por uma carga positiva. SENAI 59 . trivalentes. que. Quando os átomos de índio são colocados na estrutura do cristal puro.

Eles são: • • a intensidade da dopagem e a temperatura. conduzem a corrente elétrica qualquer que seja a polaridade de tensão aplicada às suas extremidades. In A condução de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de tensão. Condutibilidade dos materiais semicondutores Há dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais semicondutores. os cristais P e N. isoladamente. Os cristais P e N são a matéria prima para a fabricação dos componentes eletrônicos modernos tais como diodos.Eletrônica II • Banda de condução é a região da eletrosfera na qual se movimentam os elétrons livres que deixaram a banda de valência quando receberam uma certa quantidade de energia. transistores e circuitos integrados. Assim. 60 SENAI .

Essa dependência é denominada de dependência térmica e constitui-se de fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com esse tipo de componente. Essa faixa está localizada entre as bandas de valência e condução.Eletrônica II Intensidade da dopagem Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior condutibilidade porque sua estrutura apresenta um número maior de portadores livres. a energia térmica adicional faz com que algumas ligações covalentes da estrutura se desfaçam. o comportamento de qualquer componente eletrônico fabricado com materiais semicondutores depende diretamente de sua temperatura de trabalho. Cada ligação covalente que se desfaz pelo aumento da temperatura permite o aparecimento de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal. SENAI 61 . a banda proibida pode ser reduzida a uma largura desejada. A presença de um maior número de portadores aumenta a condutibilidade do material. Temperatura Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta. Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina é controlada. Assim. permitindo a circulação de correntes maiores no cristal.

A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode aparecer de diversas formas. indicando o catodo.Eletrônica II Diodo semicondutor O diodo semicondutor é um componente que se comporta como condutor ou isolante elétrico. nos eliminadores de pilhas ou fonte CC. Uma das aplicações mais comuns do diodo é na transformação de corrente alternada em corrente contínua como. dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. barra impressa em torno do corpo do componente. A ilustração a seguir mostra o símbolo do diodo. de acordo com a norma NBR 12526. A seguir estão representadas duas delas: • • o símbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente. por exemplo. 62 SENAI . O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e o terminal da barra representa um material N e é chamado de catodo.

Na região da junção. cria-se um desequilíbrio elétrico na região da junção. Por essa razão o diodo semicondutor também é denominado de diodo de junção PN.Eletrônica II Junção PN O diodo se constitui da junção de duas pastilhas de material semicondutor: uma de material N e outra de material P. alguns elétrons livres saem do material N e passam para o material P onde se recombinam com as lacunas das proximidades. Assim. Esta região é denominada de região de depleção. Após a junção das pastilhas que formam o diodo. neutralizando-se. Nos diodos de germânio (Ge). aproximadamente 0. uma região na qual não existem portadores de carga porque estão todos recombinados.3 V e nos de silício (Si). forma-se na junção. a barreira tem aproximadamente 0. A tensão proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do material utilizado na sua fabricação. Essas pastilhas são unidas através de aquecimento. Os elétrons que se movimentam do material N para o material P geram um pequeno potencial elétrico negativo. As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno potencial elétrico positivo. ocorre um processo de acomodação química entre os cristais. Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o outro. Esse desequilíbrio elétrico é denominado de barreira de potencial. esta barreira se comporta como uma pequena bateria dentro do componente. formando uma junção entre elas. SENAI 63 . O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para a material N e se recombinam com os elétrons livres. No funcionamento do diodo.7 V.

Na polarização direta. as forças de atração e repulsão provocadas pela bateria externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a região com ausência de portadores. existe na junção um fluxo de portadores livres dentro do diodo. enquanto os elétrons livres são repelidos pelo pólo negativo em direção ao pólo positivo. A tensão pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes. O diodo continua neutro. o pólo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direção ao pólo negativo. A polarização é direta quando a tensão positiva é aplicada ao material P (anodo) e a tensão negativa ao material N (catodo). uma vez que não foram acrescentados nem retirados portadores dos cristais. ou seja. a barreira de potencial. Polarização do diodo A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. Nesta condição. denominadas tecnicamente de polarização direta e polarização inversa.Eletrônica II Observação • • Não é possível medir a tensão da barreira de potencial utilizando um voltímetro nos terminais de um diodo porque essa tensão existe apenas dentro do componente. 64 SENAI . Se a tensão da bateria externa é maior que a tensão da barreira de potencial.

Assim. diz-se que o diodo está em condução.Eletrônica II A polarização direta faz com que o diodo permita a circulação de corrente elétrica no circuito através do movimento dos portadores livres. A polarização é inversa quando a tensão positiva é aplicada no material N (catodo) e a negativa no material P (anodo). quando o diodo está polarizado diretamente. SENAI 65 .

seria ideal que o diodo apresentasse características especiais. isto é. os portadores livres de cada cristal são atraídos pelos potenciais da bateria para as extremidades do diodo. diz-se que o diodo está em bloqueio. ele se comportasse como um isolante perfeito. impedindo completamente a passagem da corrente elétrica. Características de condução e bloqueio do diodo semicondutor Nas condições de condução e bloqueio.Eletrônica II Nesta situação. comportando-se como um interruptor fechado. Isso provoca um alargamento da região de depleção porque os portadores são afastados da junção. a polarização inversa faz com que o diodo impeça a circulação de corrente no circuito elétrico. 66 SENAI . • • quando em condução (polarização direta) conduzisse a corrente elétrica sem apresentar resistência. quando em bloqueio (polarização inversa). ou um interruptor aberto. Nesse caso. Como não existe fluxo de portadores através da junção.

devido às imperfeições do processo de purificação dos cristais semicondutores para a fabricação dos componentes. dois fatores influenciam nessas características: a barreira de potencial e a resistência interna. sem provocar erros significativos. faz com que o diodo entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da bateria atinge um valor maior que a tensão interna da barreira de potencial. por exemplo. as tensões e resistências externas do circuito são muito maiores que os valores internos do diodo (0. O valor dessa resistência interna é geralmente menor que 1 Ω nos diodos em condução. 1 Ω ).Eletrônica II Todavia. No circuito a seguir. Na maioria dos casos em que o diodo é usado. Um circuito equivalente do diodo real em condução apresenta os elementos que simbolizam a barreira de potencial e a resistência interna. é possível considerar o diodo real igual ao diodo ideal no que diz respeito à condução. A barreira de potencial.7 V. Assim. A resistência interna faz com que o cristal dopado não seja um condutor perfeito. presente na junção dos cristais. SENAI 67 . que a diferença entre eles se torna desprezível. essas características de condução e bloqueio ficam distantes das ideais. Na condução. a tensão e a resistência externa ao diodo são tão grandes se comparadas com os valores do diodo.

correspondente a 1.0005 A.3 V 50 I= I= = = 0.Eletrônica II Erro = 0.0333 .53 % (desprezível face à tolerância do resistor). Como essa corrente é muito pequena se comparada com a corrente de condução. 68 SENAI .0333 A R 1501 R 1500 resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da grande maioria dos circuitos. Na condição de bloqueio. devido à presença de portadores minoritários (impurezas) resultantes da purificação imperfeita.0328 = 0. a V 49. Essa corrente inversa é chamada de corrente de fuga e é da ordem de alguns microampères. o diodo real não é capaz de impedir totalmente a existência de corrente no sentido inverso.0. O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta característica.0328 A = = 0.

Devido à existência da barreira de potencial e da resistência interna. A curva característica do diodo em condução mostra o comportamento da queda de tensão em função da corrente que flui no circuito.Eletrônica II Curva característica O comportamento dos componentes eletrônicos é expresso através de uma curva característica que permite determinar a condição de funcionamento do componente em um grande número de situações. Região de condução Durante a condução. aparece um pequeno valor de tensão sobre o diodo. A curva característica do diodo mostra seu comportamento na condução e no bloqueio. a corrente do circuito circula no cristal. SENAI 69 .

a região típica de funcionamento dos diodos fica acima da tensão característica de condução.Eletrônica II A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta. Essa corrente aumenta à medida que a tensão inversa sobre o diodo aumenta. Ela mostra também que enquanto o diodo está abaixo de 0.7 V (no caso do silício). o diodo semicondutor não atua como isolante perfeito e permite a circulação de uma corrente de fuga da ordem de microampères. Por isso. a corrente circulante é muito pequena (região C da curva). Isso é conseqüência da oposição ao fluxo de cargas feita pela barreira de potencial. Região de bloqueio No bloqueio. 70 SENAI .

Quando se aplica a um diodo um valor de tensão inversa máxima (VR) maior que o especificado. toda tensão aplicada ao circuito fica sobre o diodo. a corrente de fuga aumenta excessivamente e danifica o componente. Veja a seguir. sem provocar danos em sua estrutura. A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo é dada pelo fabricante em folhetos técnicos e representa o valor máximo de corrente que o diodo pode suportar. verifica-se que os fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são: • • corrente direta nominal (IF. do inglês "voltage reverse"). Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tensão inversa. SENAI 71 . Analisando o comportamento do diodo em condução e bloqueio. O valor característico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer ruptura é fornecido pelos fabricantes. quando polarizado diretamente.0 3.Eletrônica II Regimes máximos do diodo em CC Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contínua. as características de corrente máxima (IF) de dois diodos comerciais. Veja a seguir exemplos de valores característicos de tensão máxima inversa de alguns diodos comerciais. tensão inversa máxima (VR. Tipo 1N4001 MR504 IF (A) 1.0 Quando polarizado inversamente. do inglês "intensity forward").

a que está sobre o diodo quando este estiver na região de bloqueio. deve-se determinar a tensão de corte. isto é. Para traçar a reta de carga de um diodo.Eletrônica II Tipo 1N4001 1N4002 MR504 BY127 VR (V) 50 100 400 800 Reta de carga A reta de carga é uma traçagem sobre a curva característica do diodo com o objetivo de determinar previamente qual será a corrente e tensão no diodo em determinadas condições de trabalho. e a corrente de saturação. a tensão da fonte está totalmente sobre o componente. ou seja. Desta forma pode-se afirmar que a tensão de corte é igual a tensão da fonte de alimentação do circuito. Quando o diodo está em corte ou bloqueio. a corrente que circula pelo diodo quando ele está na região de condução em um determinado circuito. 72 SENAI .

Essa reta é denominada reta de carga. A corrente de saturação é a corrente do circuito quando o diodo está na região de condução ou saturado. Desta forma: IS = VCC RL Onde IS é a corrente de saturação. Pode-se determinar a corrente de saturação a partir da lei de Ohm. traça-se uma reta na curva característica do diodo da seguinte forma: a tensão de corte VC é identificada no eixo de tensão VD do gráfico e a corrente de saturação no eixo de corrente ID. A partir dos valores de tensão de corte e corrente de saturação. A corrente que circula no resistor é a corrente de saturação IS e a tensão sobre o resistor é a tensão de alimentação VCC. SENAI 73 . VCC a tensão de alimentação e RL o resistor de carga ou limitador.Eletrônica II Logo: VC = VCC Onde VC é tensão de corte e VCC a tensão de alimentação.

Projetando este ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico tem-se os valores de corrente e tensão do diodo no circuito. 74 SENAI .Eletrônica II O ponto de encontro entre a reta de carga e a curva do diodo é denominada de ponto de trabalho ou quiescente (Q).

A partir dos valores de tensão e corrente no diodo é possível determinar a potência de dissipação.063 A RL 47 IS = 63 mA SENAI 75 . VC = VCC VC = 3 V IS = VCC 3 = = 0. PD = VD . de corte e corrente de saturação podem ser calculados.Eletrônica II Potência de dissipação A potência de dissipação de um diodo é o valor de potência que ele dissipa em um circuito. serão determinados os valores de tensão corrente e potência no diodo. De acordo com os dados do esquema elétrico os valores da tensão. ID No exemplo a seguir.

ID = 63 mA VD = 1. VD PD = 0.6 PD = 0. deve-se traçar a reta de carga.100 W ou 100 mW 76 SENAI . 1. PD = ID . Ao projetar o ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico é possível determinar a tensão e a corrente no diodo.6 V A partir desses valores é possível determinar a potência dissipada no diodo. O cruzamento da reta de carga com a curva característica do diodo determina o ponto quiescente.063 .Eletrônica II A partir dos valores da tensão de corte e corrente de saturação.

Responda: a) O que é barreira de potencial? SENAI 77 . Responda às seguintes perguntas: a) Qual a principal característica de um material semicondutor? b) Quantos átomos de valência deve ter um material semicondutor? c) O que é ligação covalente? d) O que é dopagem? e) Qual a finalidade da impureza em uma estrutura cristalina? 2.Eletrônica II Exercícios 1.

78 SENAI . 3. 4.Eletrônica II b) É possível medir a tensão da barreira de potencial de um diodo? c) Quais os valores das barreiras de potencial de um diodo de silício e de germânio? d) Cite um exemplo de utilização da curva característica de um diodo. Faça o esquema do circuito solicitado: a) Circuito com um diodo polarizado diretamente. Sabe-se que a tensão de alimentação do circuito é de 12 VCC e o resistor de carga de 220k Ω. b) Circuito com um diodo polarizado inversamente. Resolva os problemas que seguem: a) Determine os valores de tensão de corte e corrente de saturação em um circuito com diodo.

a. Catodo e. ) Três prótons na última camada.Átomo pentavalente d. Átomo trivalente c. Relacione a segunda coluna com a primeira. ) Três elétrons na camada de valência. ) Cinco elétrons na última camada. ) Característica isolante . Silício ou germânio puro b. ) Material tipo N. Átomo tetravalente ( ( ( ( ( ( ) Quatro elétrons na última camada. SENAI 79 . a corrente e a potência dissipada no diodo e faça esquema do circuito elétrico.Eletrônica II b) De acordo com o gráfico a seguir. A fonte que alimenta o circuito é de 2 VCC e o resistor limitador 560 Ω. determine a tensão. 5.

A lacuna é a ausência de elétron na estrutura cristalina. A intensidade da dopagem e a temperatura não influenciam na condutibilidade de um material semicondutor. 80 SENAI . a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O índio é um tipo de material utilizado na dopagem de um cristal P.Eletrônica II 6. O cristal N recebe átomos pentavalentes na sua estrutura cristalina. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. O cristal P conduz somente em um sentido.

é um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando é polarizado diretamente. do inglês light emitting diode. SENAI 81 . O diodo emissor de luz (LED) é um dos componentes descobertos através dessas pesquisas. curvas características e à polarização dos diodos semicondutores. Diodo emissor de luz O diodo emissor de luz ou LED. O outro componente foi o diodo zener que veio atender à necessidade de utilização de dispositivos reguladores de tensão surgida com a crescente sofisticação dos equipamentos eletrônicos.Eletrônica II Diodos Especiais Desde o descobrimento da junção semicondutora PN. e está apresentado a seguir. muitos estudos têm sido realizados com os materiais semicondutores. Atualmente. O símbolo gráfico do LED é definido pela NBR 12526/92. é necessário ter conhecimentos relativos a diodo semicondutor. em busca de novos componentes. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades aqui apresentados. O presente capítulo tratará do LED e do diodo zener. as lâmpadas de sinalização estão sendo substituídas por esse componente semicondutor capaz de emitir luz. na grande maioria dos aparelhos eletrônicos.

embora também possam ser encontrados os LEDs que irradiam luz laranja ou azul. Um dos terminais é comum aos dois LEDs. o gálio (Ga). São os LEDs bicolores que consistem de dois LEDs de cores diferentes encapsulados dentro de uma mesma cápsula de três terminais. a luz infravermelha e a luz ultravioleta. amarela ou verde. eles poderão irradiar luz visível vermelha. Para que o componente irradie a cor desejada. ou seja. Outros emitem duas cores diferentes. Dependendo da quantidade de fósforo depositada. 82 SENAI .Eletrônica II O LED é fabricado com uma combinação de elementos como o arsênio (AS). que formam o arseneto de gálio e o fósforo (P). que são as mais comuns. basta polarizar diretamente o LED dessa cor. Há LEDs que emitem luz invisível ao olho humano.

O LED apresenta as seguintes vantagens: • • • • • pequena tensão de alimentação (2 V) e baixo consumo (20 mA). Veja alguns exemplos na ilustração a seguir. SENAI 83 . Funcionamento Quando o LED é polarizado diretamente. entra em condução. ou pelo terminal menor. nenhum aquecimento. O catodo do LED é identificado por um "corte" (ou chanfro) na base do encapsulamento. tamanho reduzido. Isso permite a circulação da corrente que se processa pela liberação dos portadores livres na estrutura dos cristais.Eletrônica II Os LEDs são encontrados nas mais diversas formas e dimensões. grande durabilidade. alta resistência a vibrações.

84 SENAI . Características dos LEDs Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos semicondutores a saber: • • • • corrente direta máxima (IFM).Eletrônica II O deslocamento de portadores da banda de condução provoca a liberação de energia. A corrente direta nominal. tensão direta nominal (VF). é o parâmetro que define a corrente máxima de condução do LED sem prejuízo para sua estrutura. emissão de fótons em forma de luz. corresponde a 20 mA. na qual não há elétrons livres. IF. é um valor de corrente de condução indicado pelo fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo e que. tensão inversa máxima (VR). corrente direta nominal (IF). ou seja. Observação A banda proibida é a região da ligação covalente entre uma camada de valência e outra. normalmente. A corrente direta máxima expressa pela notação IFM. Esse efeito ocorre principalmente quando o tamanho da banda proibida é igual ao comprimento de onda (λ) da luz emitida.

LED FLV 110 LD 37I LD 35I Cor vermelho verde amarelo VF (V)* 1. A queda da tensão nominal ocorre no componente quando a corrente direta tem valor nominal (IF). SENAI 85 . é a especificação que define a queda de tensão típica do diodo no sentido da condução. ela é pequena. porque esses componentes não são usados em retificação e sim para emitir luz. A tensão inversa máxima. representada pela notação VR. é a especificação que determina o valor de tensão máxima que o LED suporta no sentido inverso sem sofrer ruptura.Eletrônica II A tensão direta nominal representada por. VF. na prática. Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (IF). a tensão direta de condução sofre pequenas modificações de valor. Portanto. da ordem de 5 V.7 2.4 2.4 IFn (mA) 50 60 60 * O valor de VF é obtido com IF = 20 MA. Nos LEDs. só trabalham com polarização direta. A tabela a seguir mostra características de alguns LEDs.

A figura a seguir apresenta um circuito retificador de onda completa com um led para indicar a existência de tensão na saída. VF é a tensão nominal de condução do LED. por 86 SENAI . A limitação da corrente pode ser feita através de um resistor. O valor do resistor limitador é dado por: R= VCC − VF IF Onde. VCC é a tensão de saída da fonte. e IF é a corrente nominal de condução do LED Tomando-se como exemplo a fonte retificadora do esquema apresentado e os valores do LED FLV 110 e a tensão da saída da fonte como sendo 10 V.Eletrônica II Utilização do LED em CC A utilização do LED em corrente contínua exige a fixação de sua corrente direta nominal (IF).

Veja os dois tipos de zener nas ilustrações a seguir. SENAI 87 . A sua capacidade de regulação de tensão é empregada principalmente nas fontes de alimentação de modo a fornecer uma tensão de saída fixa.Eletrônica II exemplo. 0. IR = (10 – 1. A norma NBR 12526/92 define seu símbolo gráfico conforme ilustração a seguir.5 W. Os diodos zener de pequena potência podem ser encontrados em encapsulamento de vidro ou de plástico enquanto os de maior potência são geralmente metálicos para facilitar a dissipação de calor. R = 390 Ω ou 470 Ω (em valores comerciais padronizados).7). A potência do resistor seria aproximadamente: PR = VR .02 Ou seja. Diodo zener O diodo zener é um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tensão.02 = 166 mW Para trabalhar a frio: PR = 0. = = 415Ω IF 0. o valor do resistor seria: R= VCC − VF 10 − 1 7 .

Observação Normalmente o diodo zener não é usado com polarização direta nos circuitos eletrônicos. uma pequena corrente de fuga circula no diodo zener. até um determinado valor de tensão inversa. o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo semicondutor ou retificador. o diodo zener se comporta como um diodo comum. 88 SENAI . tal como no diodo convencional.Eletrônica II Comportamento do diodo zener O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como ele é polarizado. Nesse bloqueio. A corrente inversa aumenta rapidamente e a tensão sobre o zener se mantém praticamente constante. Na polarização inversa. entrando em condução e assumindo uma queda de tensão típica. Em um determinado valor de tensão inversa. apesar de estar polarizado inversamente. o diodo zener entra subitamente em condução. ficando em bloqueio. Com polarização direta.

SENAI 89 . o diodo estará em curto e danificado. Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener. Se isso acontecer. a tensão sobre seus terminais se mantém praticamente no valor da tensão zener. ou seja.Eletrônica II O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener (VZ). um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido inverso. É importante observar que no sentido inverso. o diodo zener difere do diodo semicondutor retificador convencional.

sem que isso danifique o componente. A potência zener é dada pelo produto da tensão e corrente. ou seja: PZ = VZ . é levado propositadamente a conduzir no sentido inverso para que uma tensão zener constante seja obtida em seus terminais.Eletrônica II O diodo zener. potência zener. Esses valores são fornecidos pelo fabricante. por sua vez. Utilizando os valores de tensão zener e potência zener máxima. Na curva de ruptura. o diodo zener fica com o valor de tensão zener sobre seus terminais. coeficiente de temperatura. pode-se determinar a corrente máxima que o zener pode suportar. Características do diodo zener As características elétricas importantes do diodo zener são: • • • • tensão zener. Esses valores são fornecidos pelos fabricantes nos catálogos técnicos. Potência zener A potência zener é a potência dissipada pelo diodo em condições normais de funcionamento. ou seja: IZMÁX = PZMÁX VZ 90 SENAI . Durante a ruptura. Tensão zener A tensão zener ou tensão de ruptura depende do processo de fabricação e da resistividade da junção semicondutora. tolerância. IZ Os diodos zener são fabricados para determinados valores de potência de dissipação que determinam a dissipação máxima que o componente pode suportar. esse diodo apresenta a tensão zener em seus terminais e é percorrido por uma corrente inversa.

A influência dessa variação é expressa sob a forma de relação entre tensão e temperatura e define em quantos milivolts a tensão se modifica para cada grau centígrado de alteração da temperatura do componente. SENAI • 91 . ou seja. mV/o C.Eletrônica II Observação Esse valor de corrente zener máxima não pode ser excedido sob pena de danificar o diodo por excesso de aquecimento. Por isso. Devido a uma diferença no princípio de funcionamento interno. a tensão zener se modifica com a variação da temperatura do componente. acima de 5 V: a tensão sobre o zener aumenta com o aumento da temperatura (+mV/oC). Esses valores são: IZmax e IZmin. A região de funcionamento do zener é determinada por dois valores de corrente porque sua tensão inversa é constante. ou seja: IZ min = IZ max PZ max = 10 10 VZ Coeficiente de temperatura O desempenho dos componentes fabricados com materiais semicondutores sofre influência da temperatura (dependência térmica). os diodos zener são divididos em dois grupos: • até 5 V: a tensão sobre o zener diminui com o aumento da temperatura (-mV/oC). O valor de IZmax é definido pela potência zener: IZ max = PZ max VZ O valor de IZmin corresponde a 10% do valor de IZmax.

Observação Os valores de tensão zener fornecidos pelos fabricantes são válidos à temperatura de 25oC. Por exemplo: • • para tolerância de 5 %.5 V. de 9. Para especificar a tolerância.5 a 10. em condução inversa. mantém a tensão absolutamente constante independentemente da corrente circulante. 92 SENAI . por exemplo. Isso significa que um diodo zener de 10 V ± 5% pode ter uma tensão inversa real. os fabricantes utilizam diversos códigos. Tolerância A tolerância do diodo zener refere-se à variação que pode existir entre o valor especificado e o valor real de tensão inversa do diodo zener. a designação do diodo vem acompanhada pela letra A: 1N4742 A.Eletrônica II As curvas características a seguir exemplificam a dependência térmica dos dois grupos de diodos zener. O diodo zener ideal é aquele que. Diodo zener ideal x real A característica fundamental do diodo zener é manter uma tensão constante sobre seus terminais quando colocado em condução no sentido inverso. a designação do diodo vem sem letra no final: 1N4733. para tolerância de 10%.

tensão e resistência em um dispositivo: I= V R SENAI 93 . Relação entre corrente e resistência no diodo zener A lei de Ohm define a relação entre corrente. a tensão sobre seus terminais sofrem uma pequena variação quando a corrente inversa se modifica. o diodo zener não é um componente ideal. Porém. quando se considera que a variação em VZ é muito pequena. o diodo zener pode ser considerado como ideal na maioria das aplicações.Eletrônica II Entretanto. Assim.

a relação fica resumida à corrente e resistência. c) De que forma é possível a emissão de duas cores por um só LED? 94 SENAI . Exercícios 1. RZ = VZ Da mesma forma. Se a corrente no diodo zener aumenta. o produto “I . a corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais: quando uma aumenta. R” deve ser constante. na região de ruptura. sua resistência aumenta para que o produto (tensão) se mantenha constante: IZ ⋅ RZ = VZ Assim. se a corrente no diodo . sua resistência diminui na mesma proporção ou vice-versa: IZ . para que a tensão seja constante no zener. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a principal função de um LED? b) Cite três vantagens na utilização do LED. a outra diminui na mesma proporção. RZ Na equação acima. Assim. temos: VZ = IZ .Eletrônica II Como no diodo zener a tensão é constante.

Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema elétrico do circuito e especifique o resistor necessário para limitar a corrente de um led de sinalização.7 V 3.Eletrônica II 1. VCC = 20 V VF = 1. Dados: IF = 20 mA. Faça os símbolos gráficos dos componentes solicitados. 2. a) LED SENAI 95 . Responda a) Qual a principal função do diodo zener? b) Como o diodo zener se comporta na polarização direta? c) O que difere um diodo semicondutor de um diodo zener? d) Cite as características elétricas importantes do diodo zener.

quando em condução. VFM. A característica fundamental do diodo zener é manter uma corrente constante em seus terminais. 96 SENAI . ) Queda de tensão nominal. Quando a variação da tensão zener é de valor considerável. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas.Eletrônica II b) Diodo zener 4. VR. IFM. Um diodo retificador em bom estado conduz intensamente no sentido inverso. ) Corrente máxima de condução. Relacione a segunda coluna com a primeira. A corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais.7 V. IF. ) Corrente direta nominal. VF. quando a tensão VD é superior a 0. ) Valor da queda de tensão admissível. o diodo pode ser considerado como ideal. 6. a) Corrente direta máxima b) Corrente direta nominal c) Tensão direta nominal d) Tensão inversa máxima ( ( ( ( ( ) Valor de tensão máxima suportada. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener.

o mais simples é o circuito retificador de meia-onda. Retificação Retificação é o processo de transformação de corrente alternada em corrente contínua. Todavia.Eletrônica II Circuitos Retificadores Todos os aparelhos eletrônicos necessitam de corrente contínua para funcionar. Ele permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de entrada de carga e é usado em equipamentos que não exigem tensão contínua pura. é necessário conhecer corrente contínua. Assim. SENAI 97 . corrente alternada. diodo semicondutor e transformadores. Esse circuito é chamado de retificador. Por seu largo emprego e importância. os circuitos retificadores serão o assunto deste capítulo. de modo a permitir que equipamentos de corrente contínua sejam alimentados por corrente alternada. Retificação de meia-onda De todos os circuitos retificadores que existem. é necessário um circuito que transforme corrente alternada em corrente contínua. para que seja possível alimentar os aparelhos eletrônicos. retificação de onda completa. Para compreendê-lo com mais facilidade. a rede elétrica que chega às nossas casas. nos fornece energia elétrica em forma de corrente alternada. como os carregadores de bateria. A retificação ocorre de duas formas: • • retificação de meia onda.

Eletrônica II Esse circuito utiliza um diodo semicondutor pois suas características de condução e bloqueio são aproveitadas para a obtenção da retificação. Tomemos como exemplo o circuito retificador da figura a seguir. Durante o primeiro semiciclo. A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada. O valor do pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico da tensão de 98 SENAI . Essa polaridade da tensão de entrada coloca o diodo em condução e permite a circulação da corrente. a tensão é positiva no ponto A e negativa em B.

Na maioria dos casos. Nessa condição.Eletrônica II entrada. impedindo a circulação da corrente.7 V em circuitos com diodos de silício e 0. Observação A queda de tensão (VD) é de 0. menores que 10 V. essa queda de tensão pode ser desprezada porque seu valor é muito pequeno em relação ao valor total do pico de tensão sobre a carga. Durante o segundo semiciclo. Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor aberto. a tensão na carga é nula porque não há circulação de corrente SENAI 99 . em bloqueio.2 V em circuitos com diodos de germânio. o diodo está polarizado inversamente. Ela só deve ser considerada quando é aplicado no circuito retificador tensões de baixos valores. Isso acontece porque o diodo durante a condução apresenta uma pequena queda de tensão. a tensão de entrada é negativa no ponto A e positiva no ponto B.

100 SENAI .Eletrônica II Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo.

2 ). VD é a queda de tensão típica do diodo (0.Eletrônica II Pelos gráficos. 2 π VCC = ⇒ VCC = SENAI 101 . pode-se eliminar a queda de tensão do diodo que se torna desprezível. o valor da tensão CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo do valor efetivo da CA aplicada à entrada do circuito. apenas um semiciclo passa para a carga. VP é a tensão de pico da CA aplicada ao circuito (VP = VCA . é possível observar que a cada ciclo completo da tensão de entrada. porém pulsante porque nela alternam-se períodos de existência e inexistência de tensão sobre a carga. Assim.2 V ou 0. Por isso.7 V). reescrevendo a equação da seguinte maneira: VP π VCA . Tensão de saída A tensão de saída de uma retificação de meia-onda é contínua. Quando as tensões de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V. A tensão média na saída é dada pela equação: VCC = VP − VD π Onde: VCC é a tensão contínua média sobre a carga. a tensão indicada pelo instrumento será a média entre os períodos de existência e inexistência de tensão. enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. ao se conectar um voltímetro de CC na saída de um circuito retificador de meia-onda.

a corrente de saída é a média entre os períodos de existência e inexistência de corrente.47 V 3. obtém-se 0.45.45 Exemplo 2 . ou seja. Esse valor é determinado a partir dos valores de tensão média e da resistência de carga.14 π π ) VCC = 2. 0.7 = = = 2. π Dados: VCA = 6 V (menor que 10 V) D1 = diodo retificador de silício VCC = VP − VD (VCA .41) − 0. Logo.47 V Corrente de Saída Como na retificação de meia-onda a tensão sobre a carga é pulsante. a corrente de saída também é pulsante. VCC RL SENAI ICC = 102 .Eletrônica II Simplificando os termos VCC = VCA .1. 2 − VD (6. Assim.

• mau aproveitamento da capacidade de transformação nas retificações com transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo. Retificação de onda completa A retificação de onda completa é o processo de conversão de corrente alternada em corrente contínua que aproveita os dois semiciclos da tensão de entrada. SENAI 103 . baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada. Inconvenientes A retificação de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes: • • tensão de saída pulsante.Eletrônica II Observação O cálculo da corrente média de saída determina os parâmetros para a escolha do diodo que será utilizado no circuito.

vamos considerar separadamente cada semiciclo da tensão de entrada. observa-se a formação de duas polaridades opostas nas extremidades das bobinas. considerando-se o terminal central do secundário do transformador como referência. Em relação ao ponto neutro.) e dois diodos.Eletrônica II Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos: • • por meio de um transformador com derivação central (C.T. por meio de quatro diodos ligados em ponte. Inicialmente. Funcionamento Para explicar o funcionamento desse circuito. as tensões VCD e VED estão defasadas 180º 104 SENAI . Retificação de onda completa com transformador A retificação de onda completa com transformador é o processo de retificação realizado por meio de um circuito com dois diodos e um transformador com derivação central (ou "center tap").

A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal central do secundário e a extremidade superior do transformador (VS1). o ponto C está positivo em relação ao ponto D. em corte.Eletrônica II Durante o semiciclo positivo de VENT. No ponto A aparece uma tensão positiva de valor máximo igual a VMÁX. entre os pontos C e E. o diodo D1 está polarizado diretamente e. a condição de condução de D1 permite a circulação de corrente através da carga. Nessa condição. portanto. No segundo semiciclo. Observe que no circuito apresentado. há uma inversão da polaridade no secundário do transformador. do terminal positivo para o terminal negativo. o ponto D está positivo em relação a E. Nessa condição. em condução. o diodo D2 está polarizado inversamente e. SENAI 105 . Por outro lado. portanto.

em corte. A corrente que passa por D2 circula pela carga no mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo. o diodo D1 está polarizado inversamente. o ponto D está negativo em relação ao ponto E. o diodo D2 está polarizado diretamente e. portanto. o ponto D está positivo em relação a C. 106 SENAI . portanto. Nessa condição.Eletrônica II Assim. Por outro lado. em condução. Nessa condição. e.

Durante todo semiciclo analisado. SENAI 107 . o diodo D2 permanece em condução e a tensão na carga acompanha a tensão da parte inferior do secundário.Eletrônica II A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário do transformador (VS2).

Eletrônica II As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos a seguir. 108 SENAI .

um semiciclo da extremidade inferior do secundário através da condução de D2. verifica-se que o circuito retificador entrega dois semiciclos de tensão sobre a carga: • • um semiciclo da extremidade superior do secundário através da condução de D1. Retificação de onda completa em ponte A retificação de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e entrega à carga uma onda completa sem que seja necessário utilizar um transformador de derivação central. SENAI 109 .Eletrônica II As formas de onda das correntes são: Analisando um ciclo completo da tensão de entrada.

verificase que D1 e D3 (em condução) fecham o circuito elétrico.em bloqueio. 110 SENAI . D3 ⇒ catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) . Eliminando-se os diodos em bloqueio. D2 ⇒ catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) . como a corrente flui no circuito no primeiro ciclo.em bloqueio.Eletrônica II Funcionamento Considerando a tensão positiva (primeiro semiciclo) no terminal de entrada superior. teremos as seguintes condições de polarização dos diodos: • • • • D1 ⇒ anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) . aplicando a tensão do primeiro semiciclo sobre a carga.em condução. Observe no circuito a seguir. D4 ⇒ anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) . que não interferem no funcionamento.em condução.

a polaridade dos diodos apresenta a seguinte configuração: • • • • D1 . Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em condução por circuitos equivalentes ideais.anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) . obtém-se o circuito elétrico fechado por D2 e D4 que aplica a tensão de entrada sobre a carga. Isso faz a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo.catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) .em condução.em bloqueio.Eletrônica II No segundo semiciclo. D4 . ocorre uma inversão da polaridade nos terminais de entrada do circuito. D2 .em bloqueio.anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) . SENAI 111 .em condução. D3 .catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) . Nessa condição.

Os gráficos a seguir mostram as formas de onda do circuito. observa-se a forma como a corrente circula.Recolocando-se os diodos no circuito. 112 SENAI .

SENAI 113 . ou seja. a tensão contínua fornecida por um circuito retificador é pulsante. Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da componente alternada é maior que a componente contínua sobre a carga. Essa ondulação é denominada de fator de ripple (que significa “ondulação” em inglês). não possui um nível constante no tempo.Fator de Ripple Como já vimos. Isso acontece porque a tensão de saída é resultante da soma de uma componente contínua (VCC) e uma componente alternada (VCA) responsável pela ondulação do sinal.

o fator de ripple é: r% = 120% Para a retificação de onda completa. e VCC é o valor da tensão contínua. Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) O que é retificação? b) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? c) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? 114 SENAI . Onde : r é o fator de ripple. o fator de ripple é: r% = 48% Esses dados mostram que a porcentagem de ondulação é muito alta e esse é um dos grandes inconvenientes desse tipo de circuito.Esse valor é dado por: r= VCAef VCC VCaef é o valor da tensão alternada eficaz. Para a retificação de meia-onda.

d) Em um retificador de meia onda o valor da tensão de pico retificada é igual ao valor da tensão de pico da tensão alternada? Justifique a resposta.

e) O que é fator de ripple?

2. Faça os esquemas dos circuitos: a) Circuito retificador de meia onda.

b) Circuito retificador de onda completa com transformador.

c) Circuito retificador de onda completa em ponte.

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3. Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema e calcule a tensão VCC na carga, alimentada por um retificador de meia onda. Sabe-se que a tensão alternada VCA é de 9 V.

b) Qual o valor da tensão VCC retificada por um retificador de meia onda. A tensão alternada tem um valor de pico de 4V.

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Circuito Retificador com Filtro

Como já foi visto no capítulo anterior, os circuitos retificadores têm aplicação limitada porque fornecem uma corrente alternada pulsante na saída. Para alimentar equipamentos eletrônicos com tensões contínuas tão puras quanto possível, utilizamse filtros que são acrescentados aos circuitos retificadores. Isso torna a forma de onda na saída da fonte, mais próxima da corrente contínua. A retificação com filtro é o assunto deste capítulo. Nele, serão estudadas as características e funcionamento desse tipo de circuito. Para compreender com facilidade este assunto, é necessário possuir conhecimentos anteriores sobre armazenamento de cargas em capacitores, retificação de meia onda e retificação de onda completa.

Função do filtro As tensões fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda quanto de onda completa são pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, essas tensões sofrem constantes variações de valor, pulsando de acordo com a tensão senoidal aplicada ao diodo.

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Nas fontes de alimentação, os filtros têm a função de permitir a obtenção de uma CC mais pura. Isso é obtido colocando-se filtros entre a retificação e a carga. Eles atuam sobre a tensão de saída dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto possível a sua forma de onda a uma tensão contínua pura.

A presença de tensão sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor variável, proporciona a elevação do valor médio de tensão fornecido.

Capacitor como filtro A capacidade de armazenamento de energia elétrica dos capacitores é utilizada para realizar o processo de filtragem da tensão de saída de circuitos retificadores. O capacitor é conectado diretamente nos terminais de saída do circuito retificador como mostra a figura a seguir.

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Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente através da carga e também no capacitor. Neste período, o capacitor armazena energia.

Nos intervalos de bloqueio do diodo, o capacitor tende a descarregar a energia armazenada nas armaduras. Como não é possível a descarga através da retificação, porque o diodo está em bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

A corrente absorvida pela carga é fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo, a tensão do capacitor diminui devido a sua descarga.

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O capacitor permanece descarregado até que o diodo conduza novamente, fazendo uma recarga nas suas armaduras.

Com a colocação do capacitor, a carga passa a receber tensão durante todo o tempo. Isso aumenta o valor da tensão média de saída do circuito retificador.

Retificação de meia onda com filtro a capacitor O circuito a seguir mostra um retificador de meia onda com filtro a capacitor.

Durante o primeiro quarto de ciclo, o capacitor se carrega até o valor máximo da tensão de entrada. Quando a tensão de entrada começa a diminuir, o capacitor deveria se descarregar. Todavia, o diodo não permite a passagem da corrente em sentido contrário. Assim, a carga no capacitor é mantida. Veja gráficos a seguir. 120
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Deve ser observado que o diodo conduz apenas durante o quarto de ciclo inicial. Depois disso, a tensão sobre ele será igual a zero, enquanto que a tensão reversa será o dobro da tensão máxima de entrada. Quando o diodo pára de conduzir, o capacitor se descarrega em R1 de acordo com a constante de tempo R1C. Veja gráfico a seguir.

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td - tempo de descarga do capacitor na carga tc - tempo de carga do capacitor θc - tempo de condução do diodo Observe que td (tempo de carga do capacitor) vai de t2 a t1 quando a tensão no catodo do diodo tende a se tornar menor do que a tensão no anodo. A partir desse instante, o diodo volta a ser diretamente polarizado e, portanto, volta a conduzir, repetindo o processo.

Retificação de onda completa com filtro a capacitor Os circuitos a seguir exemplificam retificadores de onda completa com derivação central e em ponte com filtro a capacitor.

O funcionamento do circuito retificador de onda completa com filtro a capacitor é semelhante ao do retificador de meia onda. A forma de onda obtida é a mostrada no gráfico a seguir.

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Compare nos gráficos a seguir a diferença dos níveis de tensão contínua nos circuitos retificadores já estudados. Os gráficos pertencem a circuitos com a mesma resistência de carga e um mesmo capacitor.

O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação, pois, quanto mais tempo o capacitor levar para descarregar, menor será a tensão em suas armaduras. Por isso, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de onda completa têm menor ondulação.

Em onda completa, o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.

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Tensão de ondulação O capacitor colocado em um circuito retificador está sofrendo sucessivos processos de carga e descarga. Nos períodos de condução do diodo o capacitor sofre carga e sua tensão aumenta, enquanto que, nos períodos de bloqueio se descarrega e a sua tensão diminui, como pode ser observado no gráfico a seguir.

Onde: t1 = Tempo em que o capacitor sofre carga (sua tensão aumenta); t2 = Tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua tensão diminui).

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A forma de onda da tensão de saída não chega a ser uma contínua pura, apresentando uma variação entre um valor máximo e um mínimo, essa variação é denominada ondulação ou ripple.

A diferença de tensão entre o valor máximo e mínimo que a ondulação atinge é denominada de tensão de ondulação de pico a pico, representada por VONDPP.

Observação A tensão de ondulação na saída de uma fonte também é denominada de componente alternada. Determinação do capacitor de filtro Devido a grande tolerância de valor dos capacitores eletrolíticos (até 50%), pode-se formular uma equação simplificada para o cálculo do valor do capacitor. A equação é: C = T. IMÁX VONDPP

Onde: C é o capacitor de filtro em F T é o período aproximado de descarga do capacitor, de 16,6 para 60 Hz - meia onda e 8,33ns p/ 60Hz - onda completa; IMÁX é a corrente de carga máxima em mA; VONDPP é a tensão pico a pico de ondulação em volts.
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= C = 1245 F ou 0. Tensão de isolação (capacitor utilizado) 16 V 25 V 40 V 126 SENAI . IMÁX VONDPP 16. Essa tensão deve ser sempre superior ao maior valor de tensão sob a qual o capacitor irá realmente funcionar.Eletrônica II Observação Esta equação pode ser usada para cálculo de capacitores de filtros para até 20% de ondulação de pico a pico (fator de ripple). deve-se determinar também a tensão de isolação do capacitor.001245 µF Tensão de isolação Além da capacitância. Exemplo Determinar um capacitor para ser usado em uma fonte retificadora de meia onda para tensão de saída de 12 V. sem introduzir um erro significativo.150 = 1245 F 2 C = T. Tensão de saída (sobre o capacitor) 12 V 17 V 28 V Outros filtros para retificadores de onda completa A ilustração a seguir mostra um circuito retificador no qual a filtragem é realizada por um capacitor e um indutor. Veja exemplo a seguir. corrente de 150 mA com ondulação de 2 VPP (ou 17%).6.

No circuito. sem a resistência de carga. Uma vez alcançado esse valor. Isso acontece porque o atraso apresentado pela indutância em relação às variações de corrente faz com que a corrente de saída não sofra variações bruscas. a corrente deixa de fluir. o capacitor se carrega continuamente até que a tensão sobre ele seja igual ao valor de pico ou VMÁX. essa corrente nunca se anula. a corrente IL só pode passar no sentido indicado.Eletrônica II O indutor L em série com a célula LC garante uma filtragem melhor que a obtida nos circuitos retificadores que usam somente capacitor. Devido ao atraso apresentado pela indutância. Assim. o que mantém os diodos sempre em condução. Veja gráficos a seguir. a corrente que flui pela indutância aumenta. Se analisar o circuito dado. a tensão de saída será aproximadamente VMÁX. Ao reduzir a resistência. Observação A corrente de pico nos diodos dos retificadores com filtro que usam indutor é menor que nos diodos dos retificadores que usam filtros a capacitor. ao ligar resistências de carga muito elevadas ao circuito. mesmo que entre os terminais da indutância apareçam tensões variáveis de grande amplitude. Limitação para o valor do indutor SENAI 127 .

L CRÍTICO Filtro RLC O retificador com filtro RLC. temos: L CRÍTICO = RL 1113 L ÓTIMO = 2.83 L.VCC 3 . π   VCC = VMÁX . fornece uma tensão CC na saída maior do que o retificador com filtro LC. com dois capacitores e um indutor. Nesse mesmo tipo de circuito. Assim. para 60 Hz.RC   128 SENAI .VMÁX 3 . o valor da tensão contínua na carga é dado por: VCC = 2 . ou seja. VMÁX ICC = VCC RL 4. A tensão de saída fornecida é de aproximadamente VMÁX.X L = 2.f.Eletrônica II Num circuito retificador com filtro de indutor e capacitor.X L IPICO = Na prática há limitações para o valor do indutor.2π. o fator de ripple é dado por: r= 0.C Nessa fórmula. L é dado em Henry e C em F.1 −  Z.

L. porém na prática isso não acontece.10 3 C1. o fator de ondulação é calculado por: 2.R L r= Regulação Regulação é a porcentagem de variação da tensão de saída de uma fonte. o fator de ondulação é bem pequeno: 3.R L r= Por economia. Nesse caso.C 2 . a regulação deve ser de 100%. A regulação é representada em um gráfico que relaciona a tensão média (VCC) com os valores de resistência.Eletrônica II Nesse tipo de circuito.5.10 6 C1.R. Em termos ideais.3. Ela é calculada por: SENAI 129 . o que resultará num filtro CRC ou com resistor.C 2 . pode-se usar em alguns casos um resistor em lugar de um indutor.

VCC com carga VCC com c arg a Quadro comparativo A seguir está um quadro comparativo entre os vários circuitos retificadores com filtro estudados neste capítulo.VMÁX/π pequeno baixa π ≅ VMÁX muito pequeno grande π com R < VMÁX pequeno grande Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Qual a função de um filtro em um circuito retificador? b) Qual é a forma mais comum de filtragem de uma tensão de saída em um circuito retificador? 130 SENAI . Tipo RC VCC ≅ VMÁX Riplle grande IPICO grande Circuito L ≅ 2.Eletrônica II % de regulação = VCC em vazio .

Faça os esquemas dos circuitos: a) Retificador monofásico de meia onda.Eletrônica II c) Como ocorre a filtragem de uma tensão em um circuito retificador? d) Qual o valor da tensão reversa na diodo quando está em bloqueio. em um circuito retificador de meia onda com filtro ? e) O que é tensão de ondulação ou ripple? 2. SENAI 131 . b) Retificador monofásico de onda completa.

d) Retificador monofásico de onda completa com filtro. para uma tensão de saída de 24 V. 3. Resolva os seguintes exercícios: a) Determine o capacitor necessário em um circuito retificador de meia onda. e uma ondulação de 4 VPP. corrente 200 mA. 132 SENAI . e) Retificador monofásico de onda completa com filtro LC.Eletrônica II c) Retificador monofásico de meia onda com filtro.

SENAI 133 . corrente de pico e ripple de valor alto. Em um circuito retificador de onda completa com filtro. A tensão de isolação do capacitor deve ser igual a tensão sob a qual irá trabalhar. Em um circuito retificador com filtro LC.Eletrônica II b) Qual o valor do ripple em um circuito retificador de onda completa com filtro LC. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação da tensão de saída. 4. o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada. A regulação é o valor da capacitância de um capacitor utilizado como filtro. a tensão VCC tem valor próximo a VMÁX. onde a indutância utilizada é de 10 mH e o capacitor 2000 µF.

.

transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET). existem alguns tipos de transistores: • • • transistor bipolar (NPN ou PNP). junções semicondutoras. o desenvolvimento da eletrônica se tornou cada vez mais rápido. Para realizar esse trabalho. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. Suas aplicações se estendem a milhares de circuitos com as mais diversas finalidades e utilizações. É um componente que apresenta resistência (impedância) variável entre dois terminais. Mesmo com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores. imagem. Neste capítulo. serão estudadas as características do transistor bipolar e seu funcionamento. Transistor O termo transistor vem da expressão em inglês "transfer resistor" que significa resistor de transferência. transistor de unijunção (UJT). computadores. o transistor ainda tem um lugar de destaque. Para adquirir esses conhecimentos com mais facilidade. Por sua característica controladora de corrente. controles industriais. A partir dessa descoberta. movimento de portadores dentro de cristais semicondutores. calculadoras. Essa resistência é controlada por um terceiro terminal. o transistor pode ser usado como amplificador de sinais ou como "interruptor eletrônico" em aplicações como equipamentos de som.Eletrônica II Transistor Bipolar A descoberta do transistor revolucionou o campo da eletrônica. SENAI 135 . máquinas. lei de Ohm e leis de Kirchhoff.

A configuração da estrutura do transistor bipolar permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores bipolares: NPN e PNP. Terminais do transistor bipolar Cada uma das pastilhas que formam o conjunto. Entre essas pastilhas é colocada uma terceira. Cada terminal recebe uma designação para que se possa distinguir cada uma das pastilhas. formando uma configuração semelhante a um sanduíche. de material diferente. A outra pastilha externa é denominada emissor e é representada pela letra E. recebe terminal para que o componente possa ser conectado ao circuito eletrônico. A figura a seguir apresenta os dois tipos de transistores com a identificação dos terminais. Sua estrutura básica se compõe de duas pastilhas de material semicondutor do mesmo tipo. a pastilha central é denominada base e representada pela letra B. Assim. 136 SENAI . Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na forma como as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico.Eletrônica II Transistor bipolar O transistor bipolar é o mais comum e também o mais usado. bastante fina. Uma das pastilhas externas é denominada de coletor e é representada pela letra C.

fabricados para aplicações específicas. Símbolos A norma NBR 12526/92 define o símbolo gráfico do transistor. existe diferença de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas. indicando a designação dos terminais. A diferença entre os símbolos dos dois transistores esta apenas no sentido da seta do terminal emissor. enquanto que a base é levemente dopada. dissipa mais potência. por isso. são dotados de blindagem. Essa blindagem consiste em um invólucro metálico ao redor das pastilhas semicondutoras. cuja função é evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos elétricos ou magnéticos do ambiente. A figura a seguir apresenta os símbolos dos transistores NPN e PNP. as ligações do coletor e do emissor no circuito eletrônico não são intercambiáveis. Por esse motivo. O emissor é densamente dopado. a intensidade de sua dopagem é intermediária em relação à dopagem das outras duas pastilhas. Alguns transistores. O coletor possui maior volume e. SENAI 137 .Eletrônica II Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor.

Esse movimento está ligado a polaridade da tensão aplicada a cada um desses terminais e é diferente para transistores NPN e PNP. é chamada de junção base-emissor (BE). A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções entre cristais P e N: • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do emissor. é chamada de junção base-coletor. à base e ao emissor. O símbolo gráfico desse tipo de transistor é apresentado a seguir. • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do coletor. 138 SENAI . Tensões nos terminais do transistor O funcionamento do transistor baseia-se no movimento dos elétrons livres e das lacunas em seu interior e que são provocados pela aplicação de tensões externas ao coletor.Eletrônica II Esses transistores apresentam um quarto terminal ligado à blindagem para que possa ser conectada ao terra do circuito eletrônico.

as camadas de depleção não possuem a mesma largura. Como no diodo. Quanto mais densamente dopada for a região. a junção base-emissor é polarizada diretamente. A camada de depleção do emissor é pequena e a do coletor. Isso significa que a camada de depleção penetra levemente na região do emissor (dopagem densa). porém profundamente na base (dopagem leve). no transistor. Observação As três regiões do transistor possuem diferentes níveis de dopagem. ocorre um processo de difusão dos portadores.Eletrônica II Quando as três pastilhas semicondutoras são unidas. Por isso. esse processo de difusão dá origem a uma barreira de potencial em cada junção. Polarização na junção base-emissor Na condição normal de funcionamento. existem duas barreiras de potencial que se formam com a junção do cristal: a barreira de potencial na junção base-emissor e a barreira de potencial na junção base-coletor. denominada de funcionamento na região ativa. O mesmo acontece entre base e coletor. SENAI 139 . maior será a concentração de íons próximo da junção. grande. Portanto.

polaridade positiva no material P e negativa no material N. para um transistor NPN.Eletrônica II A condução da junção base-emissor é provocada pela aplicação de tensão entre base e emissor com polaridade correta. ou seja. Polarização simultânea das duas junções Para que o transistor funcione corretamente. 140 SENAI . para um transistor do tipo NPN. O bloqueio da junção base-coletor é provocado pela aplicação de tensão externa entre base e coletor. Isso é feito aplicando-se duas tensões externas entre os terminais do transistor. a junção base-coletor é polarizada inversamente. polaridade positiva no material N e negativa no material P. com polaridade adequada. Polarização na junção base-coletor Na região ativa de funcionamento. as duas junções devem ser polarizadas ao mesmo tempo. ou seja.

2. dá origem a três tensões entre os terminais do transistor: • • • tensão de base a emissor (VBE) tensão de coletor à base (VCB) tensão de coletor a emissor (VCE) SENAI 141 . a bateria B2 aplica uma tensão positiva ao coletor. As baterias representam as tensões de polarização. de forma que a junção base-coletor fica polarizada inversamente. Essa tensão é maior que a tensão positiva da base. basta inverter as polaridades das fontes entre as junções Outra configuração de baterias para a polarização correta das junções também pode ser usada: No diagrama: • • a bateria B1 polariza diretamente a junção base-emissor. Para que um transistor PNP funcione na região ativa.Eletrônica II Observações 1. A alimentação simultânea das duas junções. através das baterias externas.

corrente do terminal base. chamada de corrente de base (IB). estudaremos o princípio de funcionamento de apenas um dos tipos. chamada de corrente de coletor (IC). a regra também é válida com a diferença que a polaridade das baterias de polarização é invertida. Princípio de funcionamento O movimento dos portadores livres dá origem a três correntes que circulam nos três terminais do transistor: • • • corrente do terminal emissor. Observação O princípio básico de funcionamento que explica a origem das correntes no transistor é o mesmo para os transistores NPN e PNP. denominada de corrente de emissor (IE).Eletrônica II Observação Para o transistor PNP. Por isso. corrente do terminal do coletor. 142 SENAI . O comportamento do outro difere apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes.

poucos portadores que provêm do emissor podem se combinar. Essa recombinação dá origem à corrente de base. Assim. A base. não tendo assim elétrons livres suficientes para recombinar com a maior parte das lacunas que provêm do emissor. Como o emissor é fortemente dopado. Em um transistor PNP. Isso faz com que a corrente de base seja pequena. porém. por exemplo. o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direção à base.3 V para o germânio. ou seja.Eletrônica II Corrente de base A corrente de base é provocada pela tensão aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). com valores que se situam na faixa de microampères ou miliampères.7 V para o silício e 0. recombinando-se com os elétrons livres da base. SENAI 143 . ou seja. um grande número de lacunas se desloca em direção à base. Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau de dopagem. Se a tensão tiver um valor adequado. repelidas pela tensão positiva do emissor e atraídas pela tensão negativa da base. um grande número de lacunas atinge a base em grande velocidade e não se recombina por falta de elétrons livres disponíveis. as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na junção base-emissor. tem potencial negativo pequeno. 0. a combinação acontece em pequena escala.

IC diminui. Assim. de forma que se pode afirmar que: IC + IB = IE Controle da corrente de base sobre a corrente do coletor A principal característica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor. quando VBE aumenta. Esse estreitamento permite que um maior número de portadores do emissor atinja a base. uma vez que a base não tem capacidade para recombiná-los. Em geral. do total de lacunas que entra no emissor de um transistor. atingem a junção basecoletor e passam ao coletor onde existe um alto potencial positivo. Esses portadores são absorvidos pelo coletor. se IB aumenta. a barreira de potencial torna-se mais estreita. ou seja. 144 SENAI . Tanto a corrente de base como a corrente de coletor provêm do emissor. As lacunas que atingem o coletor dão origem a corrente de coletor. Esse controle é devido a influência da corrente de base sobre a largura da barreira de potencial da junção base-emissor. IC aumenta e se IB diminui.Eletrônica II Corrente de coletor As lacunas provenientes do emissor que não se recombinam. a grande maioria corresponde à corrente de coletor. Verifica-se então um aumento na corrente de coletor.

o coletor do transistor é conectado à fonte de alimentação através de um resistor denominado de resistor de coletor (RC). lê-se alfa): α= IC IE Como a corrente IE é maior que IC. Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das fórmulas: β= α β eα = 1− α β +1 Circuito do coletor Na grande maioria dos circuitos transistorizados. é possível utilizar uma pequena corrente IB para controlar a circulação de uma corrente de valor muito maior (IC). conclui-se que α é sempre menor que 1. O ganho indica quantas vezes a corrente de coletor é maior que a corrente de base. Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor (β). IB. As correntes que circulam no interior do componente são provenientes das fontes de alimentação e o transistor apenas controla sua quantidade. O outro ganho a ser considerado é o de emissor para coletor (α.Eletrônica II Ganho de corrente do transistor Através de um transistor. ou seja: IC = β . IC =β IB O resultado dessa relação é denominado tecnicamente de ganho de corrente de base para coletor. é possível determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base. ou seja. representado pela letra grega β (beta) para corrente contínua ou hfe para corrente alternada. A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar quantas vezes uma é maior que a outra. Observação O fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor não significa que correntes sejam geradas em seu interior. O SENAI 145 .

composto pelos componentes por onde circula a corrente do coletor conforme circuito que segue. A malha de coletor se compõe de resistor de coletor RC em série com o transistor (coletor-emissor) aos quais é aplicada a tensão VCC. denominada de queda de tensão no resistor de tensão entre coletor e emissor (VCE). coletor (VRC). a tensão VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas: • • tensão sobre o resistor de coletor. que estabelece: a soma das quedas de tensão em um circuito é igual à tensão aplicada aos seus extremos. Sendo um circuito série.Eletrônica II resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor. Na malha de coletor. a malha de coletor obedece à segunda Lei de Kirchhoff. e 146 SENAI .

O valor desta queda de tensão.006 = 4. ou seja. independente da corrente que o circuito solicitar.Eletrônica II Aplicando a Lei de Kirchhoff. segundo a Lei de Ohm. Exemplo Um transistor com resistor de coletor de 680 Ω tem uma corrente de coletor de 6 mA. ou seja: VCC = VCE + VRC Nessa igualdade. depende de dois fatores: do valor do resistor RC e da corrente que está circulando (IC).08 = 7. IC = VRC. SENAI 147 . IC. VRC = RC . Qual é a queda de tensão no resistor de coletor e a tensão coletor-emissor no transistor? Queda de tensão no resistor de coletor: VRC = RC . A queda de tensão no resistor de coletor (VRC) tem como principal característica o fato de ser proporcional à corrente de coletor do transistor. A bateria fornece uma tensão de 12 V à malha do coletor. pode-se admitir que VCC tem um valor constante. 0. A partir disso.08V Tensão de coletor-emissor do transistor: VCE = VCC . VCC é a tensão fornecida pela bateria ao circuito. pode-se determinar a equação da malha de coletor.VRC. a queda de tensão sobre o resistor de coletor aumenta. ou seja. VCE é a tensão coletor-emissor e depende da tensão de alimentação e da queda de tensão em RC. como VCC = VCE + VRC. a soma das quedas de tensão nos componentes da malha de coletor será igual à tensão aplicada à malha. IC VRC = 680 . VCE = VCC . desconsiderando-se a influência da resistência interna. VRC é a queda de tensão no resistor de coletor.92 V A figura a seguir mostra a malha de coletor com os valores de tensão em cada elemento. pois RC . Se a corrente de coletor se torna maior (IC).4.VRC VCE = 12 .

Logo. β. tem-se: VRC = RC . é possível verificar a relação entre os valores de IR. temos: VRC = RC . os valores de RC e β são constantes. IC Como IC = IB. Desenvolvendo a equação da queda de tensão no resistor de coletor. afirma-se que VRC também depende de IB. 148 SENAI . β) Nessa equação. Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes. IC.Eletrônica II Relação entre parâmetros Ao considerar que a queda de tensão VRC depende de IC. Veja exemplo no circuito a seguir. (IB. pode-se dizer que o valor da queda de tensão no resistor depende diretamente da corrente de base. VRC e VCE.

74 V VCE = 10 .Eletrônica II Observação O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor.5. RC = 0. os valores do circuito são: IC = IB . Corrente de base (IB) 40 µA 70 µA Corrente de coletor (IC) 4 mA 7 mA Queda de tensão no resistor de coletor (VRC) 3. Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40 µA.007 .74 = 4.VRC = 10 . os valores do circuito são: IC = 70 . 820 = 5. β = 40 .004 . 100 = 4000 mA ou 0. é possível observar o comportamento dos valores de IC.007 A VRC = 0.28 = 6.004 A VRC = IC .28 V VCE = VCC .74 V Tensão coletor emissor do transistor (VCE) 6. 100 = 7000 mA ou 0. pode-se incluir mais esse parâmetro no comportamento do transistor: ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE A relação entre os parâmetros do transistor é então: SENAI 149 .72 V Admitindo-se um valor de corrente de base de 70 µA. o comportamento do circuito pode ser assim resumido: ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE Considerando que a corrente de base IB depende da tensão VBE.26 V Relacionando apenas os dados relativos ao transistor. 820 = 3.26 V Colocando os dados do circuito das duas situações em uma tabela.72 V 4. VRC e VCE quando a corrente de base é modificada.28 V 5.3.

Dissipação nas junções A dissipação de potência ocorre nas duas junções do transistor. ou seja. A potência total dissipada no transistor é. A circulação de corrente elétrica através das junções do transistor. quando comparadas com a tensão e a corrente presentes na junção coletor-base (VCB e IC). analisando as tensões e correntes presentes nas duas junções. I). a potência dissipada na junção base-emissor é muito pequena comparada com a potência dissipada na junção base-coletor. provocada pela aplicação de tensões aos seus terminais. a potência dissipada na base do transistor é desprezada e considera-se que a potência total dissipada no transistor é a própria potência dissipada no coletor. Essa dissipação se dá em forma de energia térmica. Isso acontece também no transistor. Assim. Por isso. Ptot ≅ PC A potência dissipada no coletor depende da tensão de coletor à base (VCB) e da corrente de coletor (IC): 150 SENAI . então: Ptot = PC + PB Entretanto.Eletrônica II Dissipação de potência no transistor Todo o componente sujeito a uma diferença de potencial e percorrido por uma corrente elétrica dissipa uma determinada potência (P = V . verifica-se que a tensão e a corrente presentes na junção base-emissor (VBE e IB) são muito pequenas. dá origem a uma dissipação de potência no interior do componente. Essas potências dissipadas são denominadas de potência de coletor (PC) e potência de base (PB). o que resulta em um aquecimento do transistor.

IC Dissipação máxima de potência no transistor O calor produzido pela dissipação de potência (PC ≅ VCE . IC) provoca a elevação da temperatura dos cristais semicondutores. O limite de dissipação de potência é estabelecido em função de dois fatores: • • a resistência térmica do encapsulamento. representada pela notação (Rthja). Resistência térmica: consiste na oposição apresentada por um material à passagem do fluxo de calor. Para que isso não aconteça. SENAI 151 . Os transistores fabricados para capacidades de dissipação mais elevadas (denominados de transistores de potência) são normalmente encapsulados em invólucros metálicos. essa equação é substituída por outra aproximada. IC Por questões de praticidade e com o objetivo de resolver circuitos transistorizados através das curvas características.Eletrônica II PC = VCB . Esse tipo de encapsulamento se caracteriza por apresentar uma baixa resistência térmica. Quando se fala em transistor. Esse valor é chamado de potência de dissipação máxima (PCmáx) e é fornecido pelos manuais dos fabricantes (“data books”) ou fichas técnicas. a potência dissipada é limitada a um valor que permite o funcionamento normal do transistor. a temperatura externa ao transistor. a resistência térmica do encapsulamento. o que pode danificar o componente. diz respeito à oposição (imposta pelo encapsulamento) à transmissão do calor gerado internamente para o meio ambiente. cujo erro é desprezível: PC ≅ VCE . transmitindo com mais eficiência o calor para o meio ambiente.

a especificação de potência máxima de dissipação do transistor é dada em função da temperatura. Assim. fazendo o transistor dissipar menos potência. é necessário considerar que o valor máximo de potência de dissipação. Por causa disso. Quanto mais baixa a temperatura do ambiente. portanto. Por exemplo: Transistor BC547 apresenta potência de dissipação máxima de 500mW a 25o C ou menos. Nesse caso. Redução da potência dissipada Em muitos casos. a quantidade de calor transmitido da junção do transistor para o ambiente depende da diferença de temperatura entre a junção e o ambiente. Assim. com mesma potência dissipada. dois transistores trabalhando com as mesmas tensões e correntes e. não pode ser empregado porque é válido somente até 25o C. fornecido pelo fabricante. Temperatura externa ao transistor: para que haja transmissão de calor entre dois pontos. Esse material é usado porque a quantidade de calor gerado por esses transistores é pequena. é necessário que haja diferença de temperatura entre eles.Eletrônica II Os transistores de baixa dissipação (denominados de transistores de sinal) são encapsulados normalmente em invólucros de plástico. A quantidade de calor transmitido é maior quando a diferença de temperatura é grande entre os dois pontos e menor quando essa diferença é pequena. O grau de redução da potência nominal varia de transistor 152 SENAI . sofrerão aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em temperaturas diferentes. porque a quantidade de calor transmitido para o ambiente é menor. Observação As potências de dissipação máxima fornecidas pelos fabricantes sempre são referentes à temperatura de 25o C. É possível compensar o aumento da temperatura ambiente. O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrerá maior aquecimento. a menos que haja outra especificação de temperatura. torna-se necessário usar transistores em circuitos que funcionarão em temperaturas superiores a 25o C. maior a transmissão de calor do interior do transistor para fora e menor o seu aquecimento.

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para transistor e é um dado fornecido pelo fabricante na forma de um gráfico (Ptot x Tamb).

Este gráfico indica a potência máxima no transistor para os diversos valores de temperatura ambiente. Veja na ilustração a seguir o emprego do gráfico determinando a potência de dissipação máxima dos transistores BC546, BC547 e BC548 para uma temperatura ambiente de 50ºC. Correntes de fuga no transistor O movimento dos portadores minoritários (elétrons no PNP e lacunas no NPN) na junção inversamente polarizada do transistor origina uma pequena corrente de fuga que varia diretamente com a temperatura. Nas figuras a seguir está ilustrada a representação dessas correntes em um transistor NPN. O raciocínio análogo se aplica ao transistor PNP, bastando inverter as polaridades da fonte de tensão CC e o sentido de percurso da corrente elétrica. 1. ICBO ou ICO é a corrente do coletor para a base, com o emissor em aberto:

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2. ICEO é a corrente do coletor para o emissor, com a base em aberto:

3. IEBO é a corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto:

Observação A terceira condição, corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto, não é muito utilizada na prática.

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Disparo térmico O disparo térmico (ou avalanche térmica) é um fenômeno que ocorre no transistor devido à corrente de fuga ICBO. Isso pode levar o transistor à destruição por aquecimento excessivo. A dissipação de potência em um transistor (PC = VCE ⋅ IC) provoca o aquecimento das junções (BE e BC) que, por sua vez, provoca o aumento de ICBO. Como essa corrente é uma das parcelas de IC, o aumento de ICBO provoca um aumento em IC, aumentando a potência dissipada, causando novo aquecimento das junções. Isso ocorre até que o transistor finalmente seja danificado. A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10o C, aproximadamente, nos transistores de silício (Si) e 6o C nos de germânio (Ge). Porém, na mesma temperatura, o transistor de silício apresenta ICBO até 500 vezes menor que o de germânio. Por essa razão, os transistores de silício são muito mais usados que os de germânio. Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Quais as funções básicas de um transistor?

b) Quais os tipos de transistores existentes?

c) Defina ganho de corrente do transistor, da base para o coletor.

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2. Faça o símbolo gráfico dos seguintes componentes: a) Transistor bipolar NPN.

b) Transistor bipolar PNP

3. Resolva os seguintes exercícios: a) Calcule a queda de tensão no resistor de coletor, a tensão VCE e a potência dissipada no transistor, no circuito que segue.

c) Qual é o ganho de corrente de emissor para coletor de um transistor com os seguintes valores de corrente: IB = 10 µA IC = 6 mA

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Eletrônica II

4. Faça o esquema de um transistor bipolar polarizado (fonte e resistor de coletor), com as notações das correntes e tensões.

5. Relacione a segunda coluna com a primeira. a. Transistores bipolares c. Transistores de silício d. Junção base-emissor e. Transistores de germânio ( ( ( ( ( ) ) ) ) ) ) Polarização direta Tensão da barreira de potencial 0,3 V Tipo NPN ou PNP Tipo FET ou MOS-FET Polarização indireta Tensão da barreira de potencial 0,7 V

b. Transistores de efeito de campo (

6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O emissor do transistor bipolar é a pastilha mais dopada. As camadas de depleção de um transistor possuem a mesma largura. A corrente da base controla a corrente do coletor O coletor do transistor bipolar é o de menor volume. O que causa gera o rompimento de ligações covalentes e correntes de fuga

7. Resolva as seguintes questões: a) Um transistor de silício apresenta ICBO = 2,5 µA em temperatura ambiente (25o C), que valor terá essa corrente se a temperatura subir para 45o C?

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Eletrônica II

b) Um transistor de silício com α = 0,95 possui ICBO = 5 µA em temperatura de 27o C. Qual é o valor de ICEO admitindo-se que não haja variação de α, em temperatura de 35oC?

c) Um transistor de germânio apresenta ICO = 4,2 mA em temperatura de 33o C. Qual é o valor de ICBO se a temperatura cair para 14o C?

d) Um transistor de silício apresenta em um circuito os seguintes valores de corrente: IE = 16,32 mA, IB = 200 µA e ICBO = 4 µA. Calcule o ganho de corrente da base para o coletor desse transistor.

e) Ao medirmos VCb de um transistor de silício polarizado na região ativa, encontramos -12 V. Qual é o tipo de transistor medido? Justifique.

f) Calcule VCE do transistor da questão anterior.

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Em princípio. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. na sua grande maioria. como prever as condições de funcionamento de um componente quando forem aplicados determinados valores elétricos em um circuito. a circulação de duas correntes de valores diferentes em um componente pressupõe a existência de quatro terminais. a corrente de base atua como corrente de controle. pode-se determinar com certa exatidão os valores de tensão e corrente que se estabelecerão em um circuito transistorizado no momento em que for alimentado. você já deverá ter conhecimentos anteriores sobre o princípio de funcionamento do transistor bipolar e a relação entre os parâmetros. a reta de carga e o ponto de operação para que você utilize corretamente os transistores. é expresso através de suas curvas características. SENAI 159 . Através dessas curvas. Essa versatilidade resulta em uma dificuldade. normalmente fornecidas pelos fabricantes. dois terminais para cada corrente. O presente capítulo apresentará as curvas características do transistor. Configurações de ligação do transistor No transistor.Eletrônica II Ponto de Operação do Transistor Os componentes eletrônicos se caracterizam por terem a capacidade de operar com os mais diversos valores de tensão e corrente nos seus terminais. Essa é a razão pela qual o comportamento dos componentes eletrônicos. determinando a corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada.

160 SENAI . Desta forma pode-se ligar o transistor em três configurações distintas: • • • configuração emissor comum. sua ligação aos circuitos eletrônicos é feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e ao de saída. simultaneamente. a forma de ligação do transistor é denominada tecnicamente de configuração de emissor comum. Configuração de emissor comum Quando o terminal emissor é comum à entrada e à saída. configuração coletor comum. a forma de ligação do transistor é denominada de configuração de base comum.Eletrônica II Como o transistor não dispõe de quatro terminais. Configuração de base comum Quando a base é utilizada como terminal comum. configuração base comum.

existem 6 valores a considerar: • • • IC: corrente de coletor. IE: corrente de emissor. sob condições de tensão e corrente controladas. SENAI 161 . As curvas características do transistor têm grande importância nos projetos de circuitos. levando em consideração a forma como o transistor está ligado. pelo fato de obter três terminais. No transistor. o diodo semicondutor e o diodo zener. são necessários apenas dois parâmetros elétricos para expressar o comportamento em gráfico: a tensão entre os dois terminais e a corrente no dispositivo. IB: corrente de base. procura-se colocar esse componente sob as mais diversas situações em termos de correntes e tensões. Curvas características de um transistor Quando se analisa o comportamento de um componente eletrônico. O comportamento do transistor é expresso através de curvas características que são gráficos obtidos a partir de medidas elétricas no transistor em vários circuitos. porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de condições de funcionamento.Eletrônica II Configuração de coletor comum Configuração de coletor comum é a denominação dada à forma de ligação na qual o coletor do transistor é comum a entrada e a saída do circuito. Parâmetros elétricos nas curvas características Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais como por exemplo.

IB. podem ser levantadas uma série de curvas características que expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condições. Nessa configuração. fornecidas pelos fabricantes. VCE e IC. Por essa razão.Eletrônica II • • • VBE: tensão de base a emissor. Os valores de VBE e IB são denominados parâmetros de entrada e os valores VCE e IC. tais como a temperatura. A figura que segue ilustra a representação esquemática de um transistor ligado em emissor comum. VCE: tensão de coletor a emissor. Curvas características na configuração de emissor comum A configuração de ligação do transistor mais utilizada é a de emissor comum. 162 SENAI . Com base nesses valores e em outros. VCB: tensão de coletor a base. as curvas características dos transistores. Veja esses parâmetros na figura a seguir. são relativas a essa forma de ligação. quatro parâmetros são fundamentais: VBE.

IC e VCE. A curva característica de saída é a curva de maior importância. curva característica de saída. são necessárias duas curvas características: • • uma que expressa o comportamento dos parâmetros de entrada do transistor. Nos manuais. Entretanto. pois expressa os parâmetros de saída do transistor. sabe-se que os valores de VCE e IC dependem do valor de IB. as correntes IB e IC saem do transistor. A curva característica de saída permite que se relacionem as grandezas IC. Portanto. outra que expressa o comportamento dos parâmetros de saída.IB e -IC. O gráfico que segue mostra a característica de saída do transistor BC547. SENAI 163 . essa curva é indicada como IC = f (VCE e IB).Eletrônica II parâmetros de saída da configuração emissor comum. denominada de denominada de curva característica de entrada. ou seja. É lida da seguinte maneira: corrente de coletor em função da tensão coletor-emissor para valores fixos de corrente de base. As curvas mostram a dependência da corrente de coletor (IC) em função da tensão coletor-emissor. Observação Nos transistores PNP. mantendo a corrente de base em um valor constante. para representar o comportamento do transistor na configuração de emissor comum através de gráficos. VCE e IB em um único gráfico. os parâmetros nas curvas são negativos: . e o coletor é negativo em relação ao emissor.

Eletrônica II . isso significa que o comportamento pode apresentar alguma diferença em relação à curva. em função da corrente de base atual. o ponto quiescente fornece o valor de IC no circuito e no plano vertical. Essa reta é denominada reta de carga. Ela permite que se determine graficamente a tensão entre coletor e emissor (VCE) e a corrente de coletor (IC). A reta de carga é traçada sobre a curva característica de saída do transistor. 164 SENAI . presente no transistor naquele momento.IC As curvas características fornecidas pelo fabricante representam o comportamento médio de um grande número de transistores usados. traça-se uma reta que permitirá determinar graficamente o comportamento do transistor em um circuito. Aplicação da curva característica A curva característica é aplicada na determinação das condições de funcionamento de um transistor em um circuito. A intersecção da reta de carga com o valor de IB no circuito é denominado ponto quiescente (Q). Na prática. No plano horizontal. Dispondo dos valores da tensão de alimentação (VCC) e da corrente de coletor (IC). o valor de VCE.

VCE = VCC . Para traçar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situações do transistor: • • ponto de corte. para cada transistor e em cada circuito. valor do resistor de coletor.VRC e VRC = 0 Desta forma temos VCE = VCC. existe uma reta de carga específica. VRC = IC . Como IB = 0. Então. Isso significa que. RC. Usando as equações do transistor. IC = 0 VRC = 0. SENAI 165 . Como IC = 0. verifica-se seu comportamento nessa situação: IC = IB . O ponto de corte é a situação em que o transistor está sem corrente de base. β. ponto de saturação.Eletrônica II Traçado da reta de carga O traçado da reta de carga leva em conta dois fatores: • • a tensão de alimentação do circuito.

temos: VCE = VCC . a corrente de coletor assume o seu valor máximo como se 166 SENAI . O ponto de saturação é a situação em que se aplica ao transistor uma corrente de base suficiente para fazer com que a tensão de coletor/emissor caia praticamente a zero. o ponto de corte também será alterado. são representados por um ponto na curva característica de saída. Esse é o primeiro ponto da reta de carga. Observação O ponto de corte depende fundamentalmente da tensão de alimentação. Considerando a tensão de coletor/emissor como zero. Tomando como exemplo o circuito a seguir. VRC = VCC Como IC = VRC RC e VRC = VCC . VCE = VCC e IC = 0. Como VCE = 0. IC = VCC RC Na situação de saturação. o ponto de corte fica na posição mostrada no gráfico que segue.VRC. Se o valor da tensão for alterado.Eletrônica II Esses dois valores.

a corrente de saturação é: IC = 30 V = 0. Esse valor de corrente de coletor é denominado de corrente de saturação. O ponto de saturação. é aquele no qual: IC = VCC RC e VCE = 0 No circuito tomado como exemplo. o ponto de saturação tem sua posição alterada na curva característica.0638 A 470Ω IC = 63. Unindo os dois pontos encontrados no gráfico. SENAI 167 .Eletrônica II o resistor de coletor estivesse ligado diretamente à fonte de alimentação. a tensão de alimentação é de 30V. Caso esses valores sejam mudados. tem-se a reta de carga do circuito conforme gráfico que segue. por sua vez. Portanto. O ponto de saturação depende fundamentalmente da tensão de alimentação e do valor do resistor de coletor. e o resistor de coletor é de 470 Ω.8 mA Esses valores dão origem ao segundo ponto sobre a curva característica do transistor.

Caso o transistor. a alimentação (VCC) ou o valor do resistor de coletor (RC) sejam modificados. 0. VCC = 30V e RC = 470 Ω). 168 SENAI .10 mA. deve-se traçar outra reta de carga de acordo com os novos dados. Aplicação da reta de carga Uma vez traçada a reta de carga. da tensão sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor para cada valor de corrente de base. Tomando-se o circuito do exemplo. pode-se determinar as tensões e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for.Eletrônica II Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado (transistor BC547. por exemplo. A resposta é obtida através do ponto quiescente (Q) que é o ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de corrente de base conforme gráfico a seguir. pode-se determinar graficamente os valores da tensão VCE.

Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo horizontal. Encontra-se. também. SENAI 169 . o valor da tensão sobre o resistor de coletor do circuito (VRC = 17 V). encontra-se o valor de VCE (13V).

encontra-se o valor da corrente de coletor (IC = 36 mA). Exemplo 1 170 SENAI . Veja a seguir dois exemplos de reta de carga e determinação de parâmetros de um circuito através da curva característica de saída.Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo vertical.

representado pela letra Q. SENAI 171 . é a denominação dada ao conjunto de valores de tensão e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir de sua alimentação.Eletrônica II Ponto de corte: VCE = VCC = 6 V IC = 0 A Ponto de saturação: VCE = 0 V IC = 6V = 50mA 120Ω Exemplo 2 Ponto de operação Ponto de operação ou ponto quiescente. A figura a seguir mostra um circuito com um transistor no ponto de operação (Q): VCE = 10V. VRC = 14V. IC = 52 mA.

172 SENAI . A partir do momento em que o ponto de operação é localizado sobre a reta de carga. da tensão de alimentação (VCC). O ponto de operação (Q) de um circuito com um transistor estará sempre sobre a reta de carga desse circuito. Observação Na maioria dos circuitos eletrônicos. os valores permanecerão constantes. pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende dos fatores que determinam a reta de carga. Logo. Influência do ponto de operação no circuito O ponto de funcionamento determina a condição normal de funcionamento de um circuito que se estabelece a partir da alimentação. o ponto de operação está localizado na região central da reta de carga. se nenhuma modificação for realizada no circuito. De acordo com a função que o circuito desempenhará. todo o funcionamento do circuito estará prejudicado. na medida em que todo o funcionamento do circuito será baseado nas condições estabelecidas por este ponto. o ponto de operação pode se situar em qualquer posição sobre a reta de carga do circuito. A escolha correta do ponto de operação é fundamental.Eletrônica II Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operação. ou seja: • • • do transistor utilizado. do resistor de coletor (RC). Se o ponto de operação for mal posicionado.

esses valores são: VCEQ = 10. No exemplo usado.5 V. ICQ: corrente de coletor no ponto de operação. A partir desse ponto de operação obtém-se os seguintes valores: • • • tensão entre coletor e emissor. VRCQ: queda de tensão no resistor de coletor no ponto de operação. Veja no exemplo a seguir um circuito no ponto de operação. queda de tensão ao resistor de coletor. ICQ = 50 mA SENAI 173 .5 V. Esses valores são denominados respectivamente: VCEQ: tensão coletor-emissor no ponto de operação. Observe que ele se situa na região central da reta de carga.Eletrônica II ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor (saída). corrente de coletor. VRCQ = 13.

Eletrônica II Observação Pequenas diferenças devido à imprecisão gráfica e espessura dos traços no desenho não são significativas. PC = 0.5 = = 0. Exemplo Transistor BC547. temos: PCmáx = ICmáx . obtêm-se os valores de ICmáx. O valor dessa corrente é obtida no circuito. ICmáx = PC 0. o ponto de operação está colocado sobre a curva de IB = 0.5 W. IC. Para obter os valores quiescente (VCEQ. No gráfico usado como exemplo. VRCQ e ICQ). Esta é a corrente necessária para obter as condições desejadas. Conhecendo-se o valor de PC.1A VCE 5 ou 100 mA Ponto 2: 174 SENAI . denominado curva (ou hipérbole) de dissipação de máxima potência. pode-se traçar sobre a curva de saída do transistor o limite de dissipação ponto a ponto. 10 V.2 mA. Curva de dissipação máxima Utilizando o valor de potência de dissipação máxima do transistor e a expressão PC = VCE . 40 V. PC = 300 mW a 25 oC Escolhendo alguns valores para VCE. tais como: 5 V. VCE PC = 0. pela malha de base.5 W Ponto 1: VCE = 5 V. que é dado pelo fabricante e escolhendo diversos valores para VCE. 20 V. é necessário aplicar ao transistor uma determinada corrente de base quiescente (IBQ).

5 = = 0.5 = = 0. tem-se a curva de dissipação máxima no transistor a 25 0C (300 mW).5 W ICmáx = PC 0. PC = 0.Eletrônica II VCE = 10 V. A região da curva característica de saída acima da curva traçada é denominada de região de dissipação excessiva e a região abaixo da curva traçada é a região de SENAI 175 .5 W PC 0.5 W.0125 A VCE 40 ou 12.025 A VCE 20 ICmáx = ou 25 mA Ponto 4: VCE = 40V. PC = 0. PC = 0.5 mA Colocando-se os pontos em dois eixos IC e VCE.5 = = 0.05 A VCE 10 ou 50 mA Ponto 3: VCE = 20 V. ICmáx = PC 0.

é necessário que a reta de carga. realiza-se o traçado sobre a característica de saída utilizando o valor encontrado. usa-se o gráfico Ptot (Tamb). Os resistores de coletor RC e as tensões de alimentação VCC devem ser selecionados de modo a darem origem a retas de carga que se situem sempre abaixo da curva de limite de dissipação. qualquer ponto de operação escolhido poderá ser utilizado sem o risco de provocar aquecimento excessivo no transistor. Relação reta de carga X curva de dissipação máxima A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor para um determinado valor de resistor de coletor e de tensão de alimentação. para o funcionamento em temperaturas maiores que 25 0C.Eletrônica II funcionamento. ou pelo menos o ponto Q. Quando a reta de carga está abaixo da curva-limite de dissipação. 176 SENAI . Se for necessário determinar a redução da potência de dissipação máxima. Em seguida. esteja sempre situada abaixo desta curva. Como a curva de dissipação de potência máxima estabelece o limite da região de funcionamento para um transistor.

Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as configurações em que o transistor pode ser ligado? b) Qual é a principal função de uma curva característica de um transistor? c) O que é ponto quiescente? 2. SENAI 177 . b) Configuração base comum. Faça esquema de um transistor ligado nas seguintes configurações: a) Configuração emissor comum.Eletrônica II Exercícios 1. c) Configuração coletor comum.

1 mA b) Determine. 0. está trabalhando abaixo da curva de dissipação excessiva. Resolva os seguintes exercícios: a) Determine as tensões VCE. através do gráfico. utilizando o gráfico do transistor.Eletrônica II 3. VRC e a corrente IC do circuito apresentado. se o transistor utilizado no item anterior (a). 178 SENAI .

Por meio do traçado da reta de carga e da determinação da corrente de base (IB) na malha de base. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. as condições previstas através das curvas características. SENAI 179 . curvas características. Polarização de base por corrente constante Polarização de base é o processo de obtenção da corrente de base necessária para levar o transistor ao ponto de operação. e divisor de tensão. você deverá ter conhecimentos anteriores sobre as relações entre parâmetros. O processo de polarização de base mais simples é o de polarização por corrente constante. reta de carga e ponto de operação do transistor. ou polarização fixa. com exatidão em um circuito real. por meio da polarização do transistor. Este capítulo tratará dos métodos mais simples de obtenção do ponto de operação em um circuito transistorizado de modo a fornecer. obtém-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente (Q).Eletrônica II Polarização do Transistor Uma das condições mais importantes para que um circuito eletrônico transistorizado funcione adequadamente é estabelecer corretamente o ponto de operação.

denominado de resistor de base (RB). Análise do circuito de base O circuito de base. a corrente de base quiescente (IQB) é obtida através de um resistor.Eletrônica II No método de polarização por corrente de base constante. Considerando que a junção base-emissor do transistor se comporta como um diodo. compõe-se do resistor de base (RB) e da junção base-emissor ligados em série e aplicados à tensão de alimentação. também denominado malha de base. que é ligado entre a base e a tensão de alimentação (VCC). verifica-se que o “diodo base-emissor” é polarizado diretamente e permite a circulação da corrente através do resistor. 180 SENAI . Essa corrente é a corrente de base. em um circuito equivalente.

Operando essa expressão. VCC é a tensão de alimentação. Determinar o valor do resistor de base necessário para obter um VCEQ = -3 V em um circuito com um transistor de silício BC200 (silício). tensão de alimentação (já definida).Eletrônica II Determinação do resistor de base A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes valores: • • • valor do resistor (elemento de controle). Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base é dada pela expressão: IBQ = VCC − VBE RB Nessa igualdade. SENAI 181 . cuja reta de carga já está traçada na curva. VBE é a ddp na junção base-emissor e RB é o resistor de base. do tipo de transistor utilizado (já definido). obtém-se a fórmula para determinar o resistor de base: VCC − VBE IBQ RB = Um exemplo completo de determinação do resistor de base para a obtenção de um ponto de operação desejado é apresentado a seguir.

Eletrônica II Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80µA. Considerando que a diferença de 0. verifica-se que esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3. aplica-se a equação: VCC − VBE 7.00008 RB = 182 SENAI .6 = = 86250Ω IBQ 0. o valor de IBQ necessário é -80 µA.2 V é admissível.5 − 0.2 V. Para determinar o valor de RB.

O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte superior da reta de carga. 220k.Eletrônica II Observação O resistor de base utilizado para a polarização por corrente de base constante normalmente é de valor elevado (por exemplo. Estabilidade térmica dos circuitos transistorizados A corrente de coletor dos transistores está sujeita a variações de valor em função da temperatura. pode-se fazer também: IC = βIB + ICEO A corrente de coletor é responsável pela tensão no resistor de coletor (VRC = RC ⋅ IC) e. Assim. VCE = VCC . 68k. conseqüentemente . da ordem de micro ou miliampères. a equação que determina IC deve levar em conta essas correntes de fuga: IC = β ⋅ IB + ICBO ⋅ (β + 1) Como ICEO = ICBO (β + 1). modificam a forma como as tensões se dividem entre o transistor e o resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento. Assim. as variações da corrente de coletor. ocasionadas pelas variações de temperatura. devido às correntes de fuga ICBO e ICEO. 470k) porque as correntes de base dos transistores são baixas.VRC. SENAI 183 . pela tensão VCE pois.

Eletrônica II A diminuição da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior da reta de carga. o circuito tem pouca estabilidade térmica. Esse fator corresponde ao quociente entre a variação da corrente de coletor (∆IC) e a variação da corrente de fuga (∆ICBO) responsável pelo fenômeno. o fator S = β + 1 indica que quanto maior for o β do transistor. Isso significa que quanto menor for o resultado da divisão ∆IC/∆ICBO. Observação Todo o circuito eletrônico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade térmica. ou seja: S= ∆IC ∆ICBO Quanto menor for a variação de (∆IC) em função da variação de ICBO (∆ICBO) melhor será a qualidade do estágio transistorizado. Fator de estabilidade (S) O fator de estabilidade (S) é um coeficiente utilizado para avaliar o grau de estabilidade térmica de um estágio transistorizado. Por outro lado. maior será sua instabilidade. O fator de estabilidade térmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante é dado pela expressão: S = β + 1. Circuitos com polarização por corrente de base constante O método de polarização por corrente de base constante não deve ser empregado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variações térmicas. A estabilidade térmica admissível depende fundamentalmente da aplicação à qual o circuito se destina. 184 SENAI . Esse tipo de polarização propicia uma estabilidade térmica muito pequena. Com valor de S elevado. mais estável é o circuito.

Eletrônica II Correção do ponto de funcionamento Devido a diferenças existentes no processo de fabricação. pode apresentar um ganho de corrente (β) situado entre 60 e 630. fornecida pelo fabricante. variando em uma ampla faixa. Como na polarização por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende diretamente do ganho de corrente do transistor. representa a característica média para um tipo de transistor. é comum ocorrer uma diferença entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto. os transistores de um mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes. O transistor BC337. SENAI 185 . por exemplo. A curva característica de saída. No exemplo apresentado. o transistor apresenta um ganho de corrente superior à média resultando em uma modificação do ponto de funcionamento.

podem ocorrer três situações: VCEQ do transistor próximo ao valor desejado. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser alterado. VCEQ do transistor muito acima do valor desejado.Eletrônica II Neste caso. VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado. não é necessário realizar uma correção. VCEQ próximo ao valor desejado O funcionamento do circuito se situa próximo ao ponto desejado quando o ganho real do transistor é aproximadamente igual ao ganho médio. Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relação ao ganho médio. 186 SENAI . é necessário corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento seja o desejado. Nesse caso. fornecido pela curva característica. a correção é feita através do resistor de base. porque as diferenças entre os valores desejados e os valores reais são pequenas.

o maior ganho de corrente é compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga. Com a SENAI 187 .Eletrônica II VCEQ muito abaixo do valor desejado Quando o ganho real do transistor é maior que o valor médio. o mesmo circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do desejado. Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica (média). devido ao maior ganho de corrente do transistor. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser modificado. vemos que.

Para reduzir a corrente de base IBQ. o ponto de funcionamento do circuito é muito diferente do desejado.Eletrônica II redução da corrente de base (IBQ). aumenta-se o valor do resistor RB. Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica. 188 SENAI . a corrente de coletor se reduz. e uma correção é necessária. VCEQ muito acima do valor desejado Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho médio. retornando ao valor desejado. o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga.

Região de corte Um transistor está na região de corte quando as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas inversamente. região de saturação. Com base na expressão para cálculo de IC e na corrente IB = 0. o valor de RB deve ser reduzido. região ativa.Eletrônica II O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado através de um aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ). tem-se: IC = β ⋅ IB + b ⋅ ICBO SENAI 189 . De acordo com a posição em que o ponto de operação se situa na reta de carga. Regiões de operação de um transistor O ponto de operação de um transistor pode ser localizado em qualquer posição ao longo da reta de carga. Para aumentar IBQ. diz-se que o transistor está operando em uma destas três regiões: • • • região de corte. A polarização inversa na junção BE torna a corrente de base nula.

O circuito transistorizado a seguir apresenta as junções BE e BC polarizadas inversamente (em corte). Isso ocorre quando as junções BE e BC estão polarizadas diretamente. basta cortar a corrente de base para levar o transistor ao corte. e o VCE é o próprio valor da tensão de alimentação do circuito. ou seja. ou seja. Região de saturação Um transistor está na região de saturação. nos transistores de silício. VRC = RC . a corrente de coletor é apenas de fuga (corrente de saturação inversa ICEO) e seu valor é da ordem de microampères. A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte sobre o eixo horizontal. não há queda no resistor de coletor. sendo desnecessário polarizar inversamente a junção BE. Veja 190 SENAI . temos: IC = β ⋅ 0 + β ⋅ ICBO. IC. IC = β ⋅ ICBO Nos transistores de silício. Observação Em geral. Com corrente de coletor praticamente nula. quando a tensão VBE é maior que a tensão VCE. VCE = VCC (na região de corte).Eletrônica II Como β ⋅ ICBO = ICEO.

Eletrônica II figura a seguir. SENAI 191 . Por isso. Na curva característica de saída. alguns manuais trazem uma segunda curva característica de saída somente para a região de saturação. Nas curvas características de saída normais. O que caracteriza a região de saturação é o fato de que a junção coletor-base também fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE. onde os valores de VCE são mínimos e os valores de IC são máximos. a região de saturação corresponde a uma faixa muito estreita. a região de saturação fica próxima ao eixo vertical.

192 SENAI .Eletrônica II Região ativa A região ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regiões de corte e de saturação.

ou seja. Nela. fora das regiões de saturação e corte. funciona como amplificador. Polarização de base por divisor de tensão A polarização de base pode ser feita a partir de um divisor de tensão. SENAI 193 .Eletrônica II O transistor quando polarizado na região ativa. através do qual se aplica uma tensão VBE entre a base e emissor do transistor. Em resumo. pode-se dizer que um transistor estará na região ativa sempre que VCE for maior que VBE e menor que VCC. O circuito da figura que segue mostra o emprego desse tipo de polarização. a junção BE é polarizada diretamente e a junção BC é polarizada inversamente. O gráfico e o circuito apresentados a seguir mostram a característica de saída e as tensões elétricas de um transistor polarizado na região ativa.

O valor da corrente IBQ é ajustado aumentando ou diminuindo a tensão VBE. 194 SENAI .Eletrônica II O divisor de tensão aplica uma tensão à base (VB) que polariza diretamente a junção base-emissor. Esse tipo de polarização. Outra característica importante é a menor variação dos valores de polarização quando o transistor é substituído. Normalmente. acrescido do resistor de emissor. provocando a circulação da corrente IBQ. que é fornecida pelo divisor. pois VRB2 = VB = VBE. os circuitos polarizados por divisor de tensão têm ainda um resistor de emissor RE cuja função é melhorar a estabilidade térmica do circuito. Como o emissor está aterrado. é o mais empregado porque propicia um alto grau de estabilidade térmica ao circuito. a tensão de base VB é a própria tensão VBE aplicada ao transistor e também é a própria ddp sobre RB2.

costuma-se considerar IE = IC. As quedas de tensão no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE) dependem da corrente no circuito de coletor: VRC = RC ⋅ IC e VRE = RE ⋅ IE A diferença entre IC e IE é muito pequena. A tensão fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor. a malha de coletor se compõe de: • • • • fonte de alimentação. Assim. resistor de coletor. a expressão da queda de tensão no resistor de emissor pode ser reescrita da seguinte maneira: VRE = Re ⋅ IC. transistor. Segundo a Lei de Kirchoff para circuitos série. ou seja: VRC + VCE + VRE = VCC.Eletrônica II Análise do circuito de coletor Nos circuitos polarizados por divisor de tensão. a soma das tensões eqüivale à tensão de alimentação. resistor de emissor. As equações do circuito de coletor são: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = RC ⋅ IC SENAI 195 . pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB). Por isso.

VRE e VCE no circuito a seguir.004 = 4 V VRE = RE .08) = 10 . ou seja. tem a função de polarizar diretamente a junção base-emissor do transistor. IC = 1000 ⋅ 0. VCE = VCC . que se comporta como um diodo em 196 SENAI .(VRC + VRE) VCE = 10 .004 = 1.92 V O circuito de base O circuito de base. provocando a circulação da corrente IBQ. que corresponde ao divisor de tensão.5. VBE = VB . VRC = RC .Eletrônica II VRE = RE ⋅ IC Exemplo Determinar os valores de VRC.VRE. VRC e VRE.0 + 1.08 V Dispondo de VCC.08 = 4. pode-se determinar o VCE do transistor: VCC = VRC + VCE + VRE Portanto. A tensão VBE aplicada à junção base-emissor. Quando o circuito de polarização utiliza um resistor de emissor.(4. a tensão aplicada entre base e emissor (VBE) corresponde à diferença entre a tensão de base e a tensão de emissor. IC = 270 ⋅ 0.

adota-se normalmente uma tensão no SENAI 197 . dá origem a uma corrente de base. isso se torna um problema quando se faz a análise gráfica através da reta de carga. A própria curva característica da junção base-emissor é. por exemplo. A tensão sobre o resistor de coletor (VRC) e a tensão de alimentação estão relacionadas entre si. Determinação analítica dos componentes polarizadores Embora a inclusão do resistor de emissor torne o circuito mais estável termicamente. a curva característica de um diodo em condução. essencialmente. Por isso. tensão sobre o resistor de coletor (VRCQ). toma-se como pontos de partida os seguintes valores: • • • tensão alimentação (VCC). a determinação dos valores dos resistores de polarização é feita matematicamente. Na determinação dos valores dos elementos polarizadores. Nesse tipo de estágio. corrente de coletor (ICQ). Para simplificar a análise matemática podem ser consideradas algumas aproximações e estimativas que não prejudique os resultados obtidos. ou seja.Eletrônica II condução. obtém-se a condição de funcionamento desejada para o circuito. a pequena diferença existente entre IC e IE (corrente de base) que não representa erro. como. Através da aplicação do valor correto de VBE. IC ≅ IE. se comparada com a tolerância dos resistores (5 ou 1%).

ICQ e VRCQ. pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor. valores que variam entre 1 e 10 mA. RC = VRCQ ICQ Adotando para o resistor de emissor uma queda de tensão de 10% da tensão de alimentação (VRE = 0. entre10 e 15Ω.1 .VCC ICQ RE = O divisor de tensão formado pelos resistores de base tem a função de fornecer a tensão VB à base do transistor. Desta forma. Para que a junção base-emissor conduza. VCC).1 . Dispondo-se de valores VCC. O resistor de coletor é calculado através da Lei de Ohm. obtém-se um fator de estabilidade ótimo. ou seja. nos estágios transistorizados polarizados por divisor. a tensão fornecida à base deve ser a tensão de condução de junção mais VRE.1. VCC e IE ≅ ICQ 0. aplicada aos valores do transistor. o resistor de emissor é determinado pela equação: RE = VRE IE Como VRE ≅ 0. 198 SENAI .Eletrônica II resistor de coletor igual ou próxima à metade da tensão de alimentação: VRCQ = VCC 2 A corrente de coletor (ICQ) assume.

Eletrônica II A tensão de saída do divisor é a própria queda de tensão no resistor RB2 de forma que: VRB2 = VBE + VRE A tensão sobre RB1 é a tensão de alimentação menos a parcela que cabe a RB2. adota-se ID = 10 . Para que o circuito tenha um fator de estabilidade ótimo. podemos dizer: IBQ = ICC β SENAI 199 .VRB1 Dispondo dos dois valores de tensão sobre os resistores. ID >> IBQ Em função dessa necessidade. deve-se escolher um valor para a corrente de funcionamento do divisor. a corrente do divisor (ID) deve ser suficientemente alta para que pequenas variações na corrente absorvida pela base não alterem significativamente a proporção da tensão sobre os resistores. IBQ Como: IBQ = ICC β e considerando-se que o transistor tenha β mínimo de 100. VRB2 = VCC .

VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles.1 . RE.1ICC VRB1 = VCC –VRB2 RB2 = VRB2 V = RB 2 ID 0.1ICC RB2 = Exemplo Determinar os valores de RC. VCC = 0. pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm. Assim. RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na região ativa. RC = VRCQ ICQ = 10 = 1724Ω 0.1 . 20 = 2 V 200 SENAI . I BQ = 10 I CC I ⇒ I D = CC ⇒ I D = 0. temos: R B1 = VRB1 0.1ICC VRE + VBE 0.Eletrônica II I D = 10.0058 Cálculo de RE: VREQ = 0.1 I CC 100 10 Com os valores de tensão dos resistores.

2.0058 Cálculo de RB2 VRB2 = VBE + VREQ = 0.6 + 2 = 2.00058 Cálculo de RB1 VRB1 = VCC . Modificação do ponto de operação Os estágios transistorizados polarizados por divisor de tensão.VRB2 = 20 .48 kΩ ID 0.4 = = 30000Ω ID 0. o circuito seria montado conforme mostra a figura que segue.4 V R B1 = VRB1 17.1 IC = 0.1 ⋅ 5. não necessitam de correções em função de variações de temperatura.6 V ID = 0.58 mA RB2 = VRB 2 2.8 mA = 0. SENAI 201 .6 = 17.Eletrônica II RE = VREQ 2 = = 344Ω ICQ 0.6 = = 4482Ω ou 4.00058 ou 30 kΩ Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerância. por possuírem ótima estabilidade térmica.

Como a corrente IC é diretamente proporcional a IB. por exemplo. Portanto. é necessário reduzir a queda de tensão nos resistores RE e RC. a corrente IB é determinada pela tensão VBE. 202 SENAI . para reduzir IB.VRE. um estágio polarizado por divisor de tensão com os valores indicados no circuito a seguir. para reduzir IC se reduz IB. VBE = VB . Vamos supor como condição inicial. deve-se reduzir a tensão VBE que corresponde à diferença de tensão entre a base (VB) e o emissor (VRE). Situação 1: deseja-se aumentar o VCE do transistor. Para isso. As tensões VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC ⋅ IC e VRE ≅ RE ⋅ IC). Nesse tipo de polarização. A redução nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela redução de IC.Eletrônica II A modificação do ponto de funcionamento nestes estágios acontece apenas quando é necessário alterar o ponto de funcionamento. ou seja.

utilizando setas para indicar os valores que aumentam (↑) ou diminuem (↓). resistor de base RB1 e resistor de base RB2.Eletrônica II A tensão VB é fornecida pelo divisor de tensão. Para isso. SENAI 203 . A seqüência de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito. deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2. Resumindo o processo de correção. alterando os valores dos resistores que compõem o divisor de tensão. reduz-se VB. Para reduzir VBE. tem-se: Situação 2: Deseja-se reduzir o VCE do transistor.

fator de estabilidade S.Eletrônica II Fator de estabilidade Os circuitos polarizados por divisor de tensão se caracterizam por apresentar um ótimo. β varia com a temperatura A parcela da corrente de coletor que é provocada pela corrente de fuga ICBO . (β + 1) não pode ser alterada porque se deve a fenômenos internos do transistor. β é o ganho de corrente de base para o coletor do transistor. RE é o valor do resistor de emissor e RB é o valor equivalente de Thévenin dos dois resistores divisores de tensão da base: RB = R B1.R B 2 R B1 + R B 2 Princípio de funcionamento da estabilização térmica As variações de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC). A equação da corrente de coletor mostra a dependência térmica: IC = β . ICBO aumenta ICBO diminui IB é reduzida na mesma proporção pelo circuito IB é aumentada na mesma proporção pelo circuito Essa correção automática pode ser facilmente compreendida analisando-se o comportamento de um circuito sujeito a variações térmicas. 204 SENAI . Isso faz as variações na corrente de fuga serem compensadas por variações opostas na corrente IB: IC ≅ β (IB + ICBO) Ou seja. ou bom. IB + ICBO . A polarização por divisor de tensão atua na parcela de IC que é provocada pela corrente de base. Este fator é dado pela equação: S= RE + RB  R  RE +  B   β + 1   Nessa igualdade.

a corrente de coletor IC tende a aumentar como conseqüência do aumento da corrente de fuga.Eletrônica II A partir do momento em que a temperatura aumenta. IE aumenta também (IE = IC + IB): IC⇑ IE⇑ O aumento em IE provoca a existência de uma queda de tensão maior em RE: VRE = IE . RE IE ⇑ à VRE ⇓ Como a tensão VBE depende da tensão fornecida pelo divisor de tensão (fixa) e de VRE. VBE = VB . a corrente de base IB diminui. SENAI 205 . A partir do momento em que IC aumenta. Condição inicial T⇑ ICBO⇑ IC⇑ A modificação de IC provoca uma mudança indesejável no ponto de operação. observa-se que o seu valor decresce.VRE VB é fixo VBE diminui VRE aumenta VRE ⇑ VBE ⇓ Diminuindo o VBE do transistor.

o circuito é praticamente insensível às variações de temperatura. Condição Final IB⇓ à IC⇓ (Volta ao valor original) Com esse processo de correção. Responda às seguintes perguntas: a) O que significa polarizar um transistor? b) O que expressa o fator de estabilidade em um circuito? c) O que deve ser feito se a tensão VCEQ estiver muito abaixo do valor desejado ? d) Qual é a principal vantagem na utilização da polarização por divisor de tensão? 206 SENAI . Exercícios 1.Eletrônica II VBE⇓ IB⇑ A redução em IB ocorre na proporção correta para reduzir a corrente de coletor ao seu valor original.

VCE = 11.Eletrônica II 2. sabendose que VB = 3 V. b) Circuito com um transistor polarizado por divisor de tensão. RE. b) Faça o esquema e determine os valores de RC. Faça o esquemas solicitados: a) Circuito com um transistor com polarização da base por corrente constante.6 V e IE = 10 mA. Resolva os seguintes exercícios: a) Determinar os valores dos resistores de polarização no circuito a seguir. 3. RB1 e RB2 para que o circuito funcione com um transistor de silício com os seguintes dados • • • • β = 200 ICQ = 12 mA VRCQ = 20 V VCC = 40 V SENAI 207 .

Relacione a segunda coluna com a primeira. ) Funcionamento dos estágios amplificadores. ) Polarização por divisor de tensão. Região ativa d. 208 SENAI . ) Junção base emissor polarizada inversamente. Região de saturação ( ( ( ( ( ( ) Tensão VBE maior que a tensão VCE. Polarização fixa e. Resistor de emissor c. a.Eletrônica II 4. ) Polarização por corrente de base constante. Região de corte b. ) Região de portadores neutros.

Eletrônica II Características do Transistor Bipolar O transistor. como é mostrada em um folheto técnico. Neste capítulo serão estudadas algumas dessas características. Identificação dos Terminais A identificação dos terminais do transistor deve ser feita com o auxílio de um manual ou folheto técnico específico fornecido pelo fabricante ou com o multímetro analógico. por ser um componente muito versátil. SENAI 209 . Com o auxílio do multímetro analógico. apresenta diversas características técnicas e construtivas que devem ser conhecidas pelo usuário. A figura a seguir mostra a posição dos terminais de um transistor. também é possível identificar os terminais e o tipo de transistor em perfeito estado de que se dispõe.

em seqüência.Eletrônica II Assim. c) Inverte-se os terminais das pontas de prova. se ele é NPN ou PNP. outro terminal deverá ser escolhido e nova seqüência de medições deverá ser realizada. duas medidas simétricas. b) Liga-se o terminal + da bateria do aparelho no terminal do transistor que se supõe ser a base e o terminal − nos outros dois terminais do transistor. procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 10 K. nas quatro medições feitas. ou seja. realmente o é. ou seja. duas resistências altas (baixas). isto é. Para identificar o tipo de transistor. 210 SENAI . para identificar a base do transistor. se a resistência for infinita (∞). Caso contrário. foram encontrados valores simétricos. Observação Se não se puder obter. Dois valores de resistência mais ou menos iguais são obtidos: resistência infinita (∞) ou resistência baixa (aproximadamente 30 Ω). ao inverter as polaridade das pontes de prova. em relação aos outros (emissor e coletor) fornece duas medidas simétricas: inicialmente duas resistências baixas (ou altas) e. d) Se nas quatro medições feitas anteriormente. Caso contrário. de maneira alguma. Para realizar a identificação. duas a duas. o transistor é PNP. coloca-se o pólo positivo da bateria do ohmímetro na base (anteriormente identificada) e o pólo negativo em qualquer um dos outros dois terminais. Dois valores de resistência mais ou menos iguais serão obtidos: resistência baixa (aproximadamente 30 Ω) ou resistência infinita (∞). isso significa que o transistor está danificado. Se o aparelho indicar resistência baixa. procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 1. coloca-se o terminal − da bateria do aparelho na suposta base e o terminal + nos outros dois. em seqüência. Para identificar o coletor e o emissor do transistor. o transistor é NPN. o terminal que se supõe ser a base. deve-se lembrar que ela é aquele terminal que.

após ligar os terminais da bateria conforme o item b. o transistor está em boas condições. Se o transistor for PNP e o valor infinito estiver no terminal negativo. o valor de resistência encontrado for baixo. Faz-se o oposto se o transistor for PNP. SENAI 211 . Através das leituras é possível detectar se a junção PN está em curto ou aberta. o terminal positivo da bateria estará conectado no coletor do transistor. ou seja: • • primeiro. O teste é realizado da mesma forma utilizada com um diodo. Teste do transistor bipolar Existem equipamentos destinados especificamente ao teste de transistores. se o transistor for NPN. e se for encontrado um valor de resistência infinita (∞). ao colocar o dedo entre a base e o coletor do transistor. o terminal positivo da bateria do ohmímetro. usando-se um multímetro. a resistência lida passar a apresentar um valor baixo. é possível testar o transistor e detectar seus defeitos mais comuns. c) Se o transistor for NPN.Eletrônica II b) Liga-se o terminal + da bateria do ohmímetro no terminal do transistor que se supõe ser o coletor e o terminal − no que se supõe ser o emissor. identifica-se o tipo do transistor. d) Se. no caso de um transistor NPN (ou negativo. Porém. se o transistor for PNP) estará ligado ao emissor do componente. que são: o curto e a abertura na junção PN. este será o coletor. após a identificação. realiza-se o teste como mostra a figura a seguir. Observação Se.

também para fins de teste. ponta de prova preta (+) e ponta de prova vermelha (-). observa-se que entre a base e o coletor forma-se uma junção PN que. Os testes apresentados a seguir têm como base um transistor NPN. é possível afirmar que: testar um transistor é verificar se existe curto-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC. pode-se afirmar que não existe junção aberta (BC ou BE). ou seja. para fins de teste. Testes das junções Estes testes indicam se há curto-circuito ou abertura das junções PN entre base-emissor e base-coletor. A partir desse dado. Nesta indicação. Da mesma forma. forma-se outra junção PN que. Observação A polaridade apresentada nas pontas de prova das próximas figuras corresponde à polaridade real do instrumento. o instrumento deve indicar que existe continuidade entre base-coletor e base-emissor. Teste de Abertura das Junções Com potencial positivo aplicado à base (anodo dos "diodos"). o transistor pode ser tratado como dois diodos ligados em oposição.Eletrônica II Ao analisar a estrutura dos transistores. entre base e emissor. BE. Portanto. 212 SENAI . pode ser tratada como um diodo. pode ser tratada como um diodo. CE). para fins de teste.

pode-se afirmar que não existe curto entre base-coletor e base-emissor. Para testar as condições entre os terminais coletor-emissor procede-se conforme figuras a seguir : SENAI 213 . o instrumento indicará baixa resistência. Teste de curto-circuito nas junções A polaridade aplicada aos "diodos" é tal que deve fazer com que eles bloqueiem.Eletrônica II Se houver uma junção aberta (BC ou BE). Se houver uma junção em curto. o instrumento indicará resistência altíssima ou infinita. indicando alta resistência. Se isso ocorrer.

Eletrônica II Este teste deve apresentar alta resistência nas duas medições. 214 SENAI . devem indicar condução em um sentido e bloqueio no outro. Defeitos comuns nos transistores As junções base-coletor e base-emissor. quando se invertem as pontas de prova sobre os terminais do transistor. Observação Todos os testes devem ser feitos na escala R x 10 e o transistor deve estar desconectado de qualquer circuito. As partes metálicas das pontas de prova não devem ser tocadas para evitar erros no teste. nos testes são consideradas como diodos. Assim.

O curto-circuito em uma junção é detectado quando o teste de uma das junções mostra condução nos dois sentidos. O curto ou a fuga entre coletor e emissor são detectados quando qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provoca um movimento do ponteiro do ohmímetro (em escala R x 10). que apresentam diversos formatos. como mostram as figuras a seguir. O teste com o multímetro não permite detectar alterações das características no transistor. Os encapsulamentos. é possível garantir que ele está danificado.Eletrônica II Quando se realiza um teste com multímetro. abertura de uma junção. são fabricados de epoxi ou metal. devidamente isolados. Todavia. os defeitos detectados nos transistores são: • • • curto-circuito em uma junção. SENAI 215 . Ele tem a função de garantir resistência mecânica ao componente. Encapsulamento Encapsulamento é o nome dado ao invólucro dos materiais semicondutores. curto ou fuga entre coletor e emissor. se o transistor passar no teste. se o transistor não passar no teste com o multímetro. o transistor está danificado. A abertura de uma junção é detectada quando o teste em uma das junções indica bloqueio nos dois sentidos. Isso significa que houve rompimento na ligação entre as duas pastilhas semicondutoras. há ainda a possibilidade de que existam alterações nas suas características que não podem ser detectadas no teste e que o torna impróprio para funcionar no circuito. inclusive para os transistores. pois o cristal semicondutor é muito frágil e apresenta dimensões muito pequenas. Porém.

• Encapsulamento TO-126 Características: corpo plástico com uma placa metálica em uma das faces. totalmente metálico. Resistência térmica: Rthja 110o C/W. • Encapsulamento TO-1: Características: corpo cilíndrico. Exemplo típico: transistor AC188. Resistência térmica: Rthja 60oC/W. Exemplo típico: transistor BD135. 216 SENAI . tipo de montagem.Eletrônica II Para os transistores de potência. A seguir são mostrados alguns tipos de encapsulamentos com suas características físicas e térmicas. • Encapsulamento TO-3 Características: corpo totalmente metálico eletricamente ligado ao coletor. o encapsulamento metálico apresenta ainda a função de permitir a transferência de calor do cristal para o exterior. função da montagem. capacidade de dissipar calor. Tipos de encapsulamento Os tipos de encapsulamento (formatos) dos transistores variam de acordo com os seguintes fatores: • • • • fabricante. Resistência térmica da junção até o ambiente: Rthja = 290o C/W. Exemplo típico: transistor 2N3055.

A maneira mais simples para se determinar esses terminais é por meio de uma tabela de especificações ou ficha técnica. potência total. corrente máxima. Os códigos usados pelos fabricantes nacionais são baseados em códigos de fabricantes europeus. SENAI 217 . aplicação. Significado dos símbolos VCEO: Tensão coletor-emissor (base aberta) IC: Corrente contínua de coletor (emissor aberto) Ptot: Potência dissipada total Tmb: Temperatura da base de montagem hFE: Ganho em corrente contínua fhfe: Freqüência na qual hfe cai de 3dB IDSS: Corrente de dreno VCBO: Tensão base-coletor ICM: Valor de pico da corrente de coletor Tamb: Temperatura ambiente f T: Freqüência de transição hfe ou β: Ganho em corrente alternada VDS: Tensão dreno-fonte Códigos de designação de semicondutores Os diversos tipos de dispositivos semicondutores (dentre eles os transistores) são identificados por meio de códigos compostos por letras e números. é possível existir vários posicionamentos dos terminais. deve-se conhecer os símbolos mostrados na tabela a seguir. ganho. freqüência máxima. Os códigos que apresentam três letras e dois algarismos (de 10 a 99) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente utilizados em equipamentos industriais e profissionais de alta confiabilidade. Os códigos que apresentam duas letras e três algarismos (de 100 a 999) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente empregados em aparelhos eletrônicos domésticos. em um único tipo de encapsulamento. Para interpretar esses dados com mais facilidade.Eletrônica II É importante observar que. Tabela de especificações As tabelas fornecem uma série de dados sobre os transistores tais como: polaridade. tensão máxima entre coletor e emissor. Constituem-se de duas ou três letras seguidas por um número de dois ou três algarismos.

diodos de capacidade variável (VARICAP). R . Isso torna as especificações de temperatura muito importantes. Observação Após o código de identificação de um transistor.germânio (Ge). baixo sinal. N – fotoacopladores.tiristores para comutação de alta potência.arseneto de gálio (GAAS) ou arseneto de fósforo e gálio (GAASP).transistores para RF (rádio-freqüência).materiais para células fotocondutoras.tiristores para comutação de alta potência. A segunda letra do código indica o tipo de dispositivo e sua aplicação: • • • • • • • • • • • • • • • • • A . U .diodos zener. Z .tiristores para comutação de baixa potência.diodos retificadores.LED (dispositivo gerador de radiação). X . T . Q .tiristores de alta potência. pode aparecer mais uma letra maiúscula.transistores para AF de potência. D .diodo-túnel. baixo sinal. B .transistores para RF de potência. Y . C . Dissipador de calor O transistor é sensível à variação de temperatura. Essa letra indica que este componente apresenta características diferentes daqueles sem a letra ou com letra diferente. F . A terceira letra e os algarismos indicam apenas a série de fabricação.silício (Si).diodos multiplicadores de potência. 218 SENAI .fotodiodos e fototransistores (dispositivos sensíveis à radiação). D . S . E . B .antimoneto de índio (Inse).transistores para AF (áudio-freqüência). C . ou seja: • • • • • A . L . P . R .Eletrônica II A primeira letra do código indica o material semicondutor do qual o componente é fabricado.diodos detetores de comutação e misturadores.

Isso é obtido. é necessário que o dissipador tenha uma área que permita o máximo de transferência de calor com o mínimo de consumo de material. do invólucro e da junção. é preciso considerar as temperaturas do ambiente. o terminal do coletor é ligado ao invólucro que é SENAI 219 . Para evitar que o transistor seja destruído. O dissipador de calor é ligado ao encapsulamento do transistor. o calor produzido na junção deve ser dissipado. Nos transistores de potência. Seu formato pode ser observado nas figuras a seguir. Isso permite que o calor circule por ele e saia para o ar ambiente. para aumentar sua eficiência. por exemplo. construindo os dissipadores com aletas que permitem uma área maior em espaço reduzido.Eletrônica II No caso específico desse componente. que permite a troca de calor entre o transistor e o meio ambiente. Os dissipadores são construídos com materiais que conduzem bem o calor como o alumínio. Em transistores de média e alta potência. diminuindo a temperatura do componente. Além disso. esse trabalho é realizado por um dispositivo denominado de dissipador de calor.

o transistor não deve ter contato elétrico com o dissipador porque este está ligado à carcaça e esta. os parafusos devem ser muito bem apertados para que a transferência de calor seja adequada. Quando é executada a montagem do tipo mostrado na ilustração anterior. são usadas buchas isoladoras para que os parafusos de fixação também não estabeleçam contato elétrico entre o transistor e o dissipador. Uma possível disposição para essa montagem é ilustrada na figura que segue. o contato nunca é perfeito. à terra. Além da mica. Para evitar o contato elétrico. Todavia. Esses isoladores são feitos geralmente de mica.Eletrônica II metálico. por mais lisas que as superfícies sejam. Esses parafusos também permitem que neles se fixe o terminal onde está soldado o fio de conexão do coletor. são usados isoladores entre o transistor e o dissipador. 220 SENAI . Devido ao coletor apresentar tensão diferente do terra.

é boa condutora de calor. Exercícios 1. a graxa deve ser espalhada uniformemente sobre todas as superfícies a serem postas em contato.Eletrônica II Para maximizar a transferência de calor. utiliza-se a graxa de silicone (ou pasta térmica) que preenche as irregularidades das superfícies. Na aplicação. d) Qual é a função do encapsulamento em um semicondutor? SENAI 221 . não reage com o transistor nem com o dissipador. completamente inerte. Além disso. não evapora e não se torna fluída quando aquecida. pode-se afirmar que não existem alterações nas suas características? Justifique sua resposta. Observação Sempre que uma montagem é terminada. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são os defeitos mais comuns em um transistor bipolar? b) Qual é a indicação que comprova que o transistor está com uma junção aberta? c) Após testar um transistor utilizando um multímetro. é recomendável que se teste a isolação dos terminais do transistor em relação à carcaça e ao dissipador. Essa graxa é isolante.

hFE IC hfe Ptot VCBO β 222 SENAI . Complete a tabela que segue com os significados das notações apresentadas.Eletrônica II e) Qual é a função do dissipador de calor? 2.

o transistor popularizou-se muito rapidamente como substituto da válvula e passou a ser empregado na grande maioria dos circuitos eletrônicos. Uma destas aplicações é a construção de fontes de alimentação reguladas à base de transistores que hoje são utilizadas na maioria dos circuitos eletrônicos. regulação de tensão com diodo zener e relações entre parâmetros do transistor bipolar. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. novas aplicações foram descobertas para o transistor.Eletrônica II Reguladores de Tensão A partir de sua descoberta. Existem duas razões para isso: • • regulação pobre e estabilização pobre. SENAI 223 . Paralelamente à substituição das válvulas. Regulação de tensão em fontes de alimentação A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade provém do fato que as fontes não-reguladas nem sempre atendem aos requisitos necessários para todos os usos. você deverá ter conhecimentos relativos a fontes de alimentação com filtro. Este capítulo tratará do princípio de funcionamento das fontes reguladas a transistores e o uso de transistores em configuração darlington.

embora 224 SENAI . independentemente das variações que ocorrem na corrente de carga na tensão da linha de alimentação CA. Normalmente. Veja gráficos comparativos a seguir. fornecendo um valor preestabelecido de tensão de saída. as variações de tensão de entrada (na rede CA) provocam variações proporcionais na tensão de saída e o resultado é uma estabilização pobre.Eletrônica II Como resultado de uma regulação pobre. Nas fontes não-reguladas. tem-se uma variação na tensão de saída quando a carga varia. Circuitos reguladores de tensão Existem circuitos eletrônicos cuja finalidade é melhorar o desempenho das fontes de alimentação. estes circuitos são denominados de reguladores de tensão.

segundo a posição do elemento regulador em relação à carga: • • regulador paralelo. Na prática. na realidade. regulador série. Observação Deve-se sempre considerar que não existe um sistema regulador de tensão perfeito. esse tipo de circuito só é utilizado quando a corrente SENAI 225 . Um circuito regulador é considerado paralelo quando o elemento regulador é colocado em paralelo com a carga. Um exemplo típico de regulação paralela é aquela que utiliza o diodo zener como elemento regulador. reguladores e estabilizadores de tensão. As variações na tensão de entrada sempre provocam pequenas alterações na tensão de saída. Classificação dos circuitos reguladores Os circuitos reguladores são classificados em dois grupos.Eletrônica II sejam. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variações na tensão de saída sejam as menores possíveis.

ligada à tensão de entrada. Regulação série com transistor Os reguladores de tensão do tipo série com transistor são largamente empregados na alimentação de circuitos eletrônicos devido a sua boa capacidade de regulação. Nesse tipo de circuito. apenas o elemento regulador dissipa potência. Na regulação série.Eletrônica II de carga é bastante reduzida. as variações de tensão da entrada são absorvidas pelo elemento regulador. Um circuito regulador é classificado como sendo série quando o elemento regulador é colocado em série com a carga. permite a obtenção de 226 SENAI . A associação diodo zener-resistor. e uma tensão de saída praticamente constante é entregue à carga.

VCE Observe que qualquer variação da tensão de entrada não é transferida para a saída. sendo VZ = VB Como a carga está ligada ao emissor do transistor.Eletrônica II uma tensão constante (VZ).VBE ou VS = VZ . A tensão aplicada à base pode ser considerada constante (mantida pelo diodo zener) de forma que a tensão sobre a carga também se mantém constante (0. pois a tensão de base do transistor está estabilizada pelo zener. a tensão de base do transistor é estabilizada no valor VZ. As variações nas tensões de entrada são assimiladas pelo transistor através de uma modificação na tensão entre o coletor e o emissor (VCE).VBE A diferença entre a tensão de entrada (VENT) e a tensão de carga (VRL) fica entre coletor e emissor do transistor (VCE) que atua como elemento regulador. SENAI 227 .3 V menor que VZ). No exemplo a seguir. A tensão constante do diodo zener é aplicada à base do transistor. VS = VENT . a tensão sobre ela (VRL) será a tensão aplicada à base (VZ) menos a queda na junção base-emissor (VBE): VRL = VB . é apresentada a análise do comportamento das tensões no regulador com transistor. ou seja. Análise do circuito No circuito regulador série com transistor pode ser analisado sob dois pontos de vista: o das tensões e o das correntes. independentemente das variações da tensão de entrada.7 V ou 0.

Isto é necessário para que a tensão coletor-emissor (VCE) varie sem provocar alteração na saída do circuito. ou seja. com uma carga estabelecida. desde que VCE seja maior do que 3 V. Outra análise que se pode fazer nesse circuito é a análise do comportamento das correntes que mostra a forma como o circuito regulador reage às modificações da corrente de carga. Tomando como base uma condição inicial. A corrente de base. necessária para que o transistor forneça a corrente de carga. a tensão de entrada sempre é maior que a tensão de saída. Como IB é desprezível. as correntes do circuito são as mostradas na figura a seguir. é 228 SENAI . a tensão de entrada deve ser aproximadamente 50% maior do que a tensão regulada necessária na saída. a corrente de coletor é praticamente igual à corrente de carga. Em geral. pode-se considerar IRL ≅ IE ≅ IC.Eletrônica II Nesses circuitos.

IB ⇓IC Como IC = β . a corrente de coletor se modifica.5 A em relação ao valor de referência de 1 A e no qual IZ = 30 mA. IZ aumenta. IZ diminui. conforme a situação de carga do circuito.Eletrônica II proveniente do circuito resistor-zener (R – DZ). De forma que IB + IZ tenha um valor constante. se IB diminui. IRL⇑ IRL⇓ → → ⇑IC Como IC = β . IB → → ⇑IB ⇓IB Considerando a corrente do resistor R (IR = IB + IZ) com valor constante. Quando a carga varia (exigindo maior ou menor corrente). Na figura a seguir é apresentada a análise das correntes do regulador série com transistor com β = 100. Observe que a tensão de entrada do regulador é constante (16 V) SENAI 229 . Com a modificação na corrente de coletor. Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra à base do transistor. nos casos em que a corrente de carga aumenta e diminui 0. verifica-se que: • • se IB aumenta. a base passa a absorver outro valor de corrente.

V Z 230 SENAI . Utilizando um diodo de mesmo tipo do transistor (germânio ou silício). obtém-se: VS = VZ + VD1 . Compensação da tensão VBE A tensão de saída dos circuitos reguladores tipo série é dada pela expressão VS = VZ . pode-se acrescentar um diodo (no sentido da condução) em série com o diodo zener.VBE. Essa configuração com o diodo de compensação é apresentada na figura que segue. Para compensar esta perda de tensão na junção base-emissor. Isto significa que a tensão de saída sempre é um pouco menor que a tensão do diodo zener.Eletrônica II Nos circuitos reguladores série.VBE VS . a condição fundamental para que a tensão de saída permaneça constante é a regulação de tensão no diodo zener.VBE Como VD1 tem o mesmo valor de VBE. o acréscimo de tensão na base compensará a queda de tensão na junção base-emissor: VS = (VZ + VD1) . a tensão aplicada à base do transistor passa a ser VB = VZ + VD1. Com a colocação do diodo. A tensão zener não deve variar com as modificações da carga ou da tensão de entrada.

Configuração darlington A configuração darlington corresponde a uma forma de ligação entre dois transistores que adquire características singulares. dimensionados de forma que a dissipação real não provoque o disparo térmico e a inutilização do componente. Veja circuito a seguir. A corrente IE1 é aplicada à base de (IE1 = IB2). A potência dissipada no transistor é o produto da corrente de coletor pela diferença de tensão entre a entrada e a saída: PT = IC . PT = IC .Eletrônica II Dissipação de potência no circuito regulador série Os circuitos reguladores de tensão sempre apresentam componentes que dissipam potências elevadas em forma de calor. Nele. ou seja: SENAI 231 . Essa corrente é amplificada por T1 e gera uma corrente de coletor (IC1) com valor igual a IB1 ⋅ β1. VCE Em geral. Admitindo-se que IE1 ≅ IC1. conclui-se que IE1 ≅ IB1⋅ β1. o componente sujeito à dissipação elevada é o transistor. (VENT – VS) Como VENT – VS = VCE. o resistor R1 fornece uma corrente de base IB1 ao transistor T1. os transistores usados nos circuitos reguladores são de potência. Nos circuitos reguladores série. O transistor T2 amplifica esta corrente de base gerando uma corrente na carga que corresponde a IC2 = IB2 ⋅ β2.

tem-se: IB1 = IRL β1. A seguir são apresentados dois exemplos de acionamento de uma carga de 2 A através de: • • um transistor com β = 50.β2 Operando a equação de tal forma a obter IB1. dois transistores de β = 50 em configuração darlington. 232 SENAI . tem-se: IRL = Iβ1β1 .β 2 Isso significa que uma carga de grande corrente pode ser controlada através de uma corrente centenas ou milhares de vezes menor.Eletrônica II IC2 = IB2 ⋅ β2 IC2 = IE1 ⋅ β2 IC2 = (IB1⋅ β1) ⋅ β2 Como a corrente de carga (IRL) é a soma das correntes dos coletores: IRL = IC1 + IC2 IRL = IB1 ⋅ β1 + (IB1⋅ β1) ⋅ β2 IRL = IB1β1 (1 + β2) Considerando 1 + β2 ≅ β2.

Eletrônica II Pelos resultados. SENAI aumenta a estabilidade da tensão de saída. temos: • • as variações de corrente no zener em função da carga são menores. 233 . o que menor dissipação no zener. Como vantagens fundamentais dessa configuração. A figura a seguir mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que usa transistores ligados na configuração darlington com os diodos de compensação VBE. verifica-se que a corrente de base na entrada do regulador é muito menor com a configuração darlington.

(VBE1 + VBE2). área de segurança de compensação de temperatura e proteção contra curto-circuito na saída. Se for usado com dissipador de calor adequado.Eletrônica II Deve-se levar em conta que se não houver os diodos de compensação (D1 e D2). e a única forma de identificar transistores com essa configuração é através da consulta ao manual do fabricante. a tensão de saída será: VS = VZ . pode fornecer à carga corrente superior a 1 A. Ele possui limitação interna de corrente. Os dados sobre esses componentes são encontrados nos data books e manuais dos respectivos fabricantes. O regulador de tensão de saída variável mais popular é o LM 317. O prefixo 78 indica regulador de tensão positiva e o 79 identifica o regulador de tensão negativa. A configuração darlington também está disponível no mercado em um único encapsulamento de transistor. Reguladores em circuitos integrados Existem circuitos integrados que fazem toda a regulação da tensão de saída de uma fonte de CC de forma simples e muito eficiente. Observação Alguns desses transistores possuem um diodo entre emissor e coletor. 234 SENAI . O regulador de tensão com saída fixa mais utilizado é o de três terminais com encapsulamento TO-220 da família 78XX e 79XX. Esses circuitos integrados reguladores ou estabilizadores de tensão podem fornecer uma tensão de saída fixa ou variável.

SENAI 235 .Eletrônica II Exercícios 1. b) Qual é a função de um circuito regulador de tensão? c) Quais são os dois grupos de reguladores usados. e qual é o mais usado? d) Qual é a vantagem da utilização de uma configuração darlington em transistores? 2. Responda às seguintes perguntas: a) Cite duas razões pelas quais se deve usar regulação em uma fonte de tensão. Faça os esquemas citados: a) Circuito regulador série.

A potência dissipada no transistor em um circuito regulador série é o produto da corrente zener pela tensão VCE. as variações na corrente de entrada são assimiladas pelo diodo zener. 3. Os circuitos integrados reguladores são fabricados para fornecer somente tensões fixas. 236 SENAI . 4. com os dizeres “dn”. por uma marca no seu encapsulamento. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) Em um circuito regulador a transistor. Em um circuito regulador a transistor.Eletrônica II b) Configuração darlington. Um transistor darlington difere de outros transistores. Resolva o seguinte exercício: a) Calcule a corrente de base no circuito apresentado. Escreva nos parênteses V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. as variações na tensão de entrada são assimiladas pelo transistor.

estes reguladores de três terminais tornaram-se populares por serem baratos e fáceis de serem usados. a proteção contra curto e a regulação ficam independentes da fonte principal. Os novos dispositivos podem fornecer corrente de carga de 100 mA a mais de 3A. SENAI 237 . sendo um terminal de entrada. Apresentado em encapsulamento plástico ou metálico com 3 terminais externos. Além de um par de capacitores de passagem.Eletrônica II Regulador Monolítico O regulador de tensão serial monolítico é um componente que veio facilitar muito a implementação de fontes de alimentação. Assim. A pastilha semicondutora interna congrega todos circuitos necessários à regulação da tensão. pois é facilmente ligado ao circuito. os novos reguladores de tensão monolíticos não necessitam de componentes externos. um terminal terra e um terminal de saída. Este regulador constitui um componente de grande robustez mecânica e elétrica. sendo ainda encontrado para várias tensões de regulação. São largamente aplicados na regulação local de tensões de cartões de circuitos eletrônicos. Disponíveis em embalagens (encapsulamentos) plásticas ou metálicas.

Regulador fixo O LM340-5 tem uma tensão de saída de 5V ± 2 %. às vezes. É por isso que se vê freqüentemente um capacitor de passagem C1 no pino. Figura: LM340-5 ligado com um regulador de tensão fixo. uma regulação da fonte de 3 mV. 238 SENAI . um capacitor de passagem C2.5 A. Com impedância de saída de aproximadamente 0. a indutância do cabo condutor pode produzir oscilações no C1. Para melhorar a resposta a transientes (ruídos elétricos) da tensão de saída regulada. Quando o C1 estiver a alguns centímetros de distância do capacitor de filtro da fonte de alimentação não regulada.01Ω. como se vê na figura abaixo. uma corrente de carga máxima de 1.Eletrônica II Figura: diagrama de blocos (funcional) de um regulador de tensão em CI com três terminais típico. uma regulação de carga de 10 mV. é usado. o LM340-5 é uma fonte de tensão estável para cargas dentro da especificação de corrente.

um gerador de corrente (sistema capaz de sustentar uma corrente constante na carga. A resistência de carga RL assume o lugar de R2. a equação mostra que Vsaída é regulada e ajustável. Isto significa que a saída regulada Vreg se dá através de R1. enquanto o LM340-24 regula dentro de uma faixa de 27 a 38 V.22µF para o capacitor de entrada e 0. O terminal comum do LM340 não é “aterrado” (ligado ao comum). a tensão de saída do pino 2 ao comum é: A Corrente em R1 (Ireg) é constante porque o regulador sustenta a queda de tensão Vreg (VR1) sobre o resistor. ele pára de regular (às vezes chamado de “brownout” – termo parecido com “blackout”. caso contrário. Como IQ apresenta pouca variação com as variações da linha e da carga (garantida pelo fabricante). aproximadamente 7 a 20 V. uma corrente quiescente IQ flui através do pino 3 e através de R2. IQ tem um valor máximo de 8 mA e varia somente 1 mA para todas as variações de linha e da carga). esta ligado ao topo de R2. a SENAI 239 .Eletrônica II Valores típicos para o capacitor de passagem são de 0. (Para a série LM340. portanto. até determinado valor limite de carga máxima). Aplicações dos reguladores fixo A figura abaixo mostra componentes externos adicionados a um LM340 para se obter uma tensão de saída ajustável.1µF para o capacitor de saída). o LM340-5 regula ao longo de uma faixa de entrada de. há um limite para a tensão de entrada devido a dissipação excessiva de potência. Além disso. A figura a seguir é outra aplicação. escurecimento). Como no caso anterior. mas ao contrario. Por exemplo. desta vez. Qualquer dispositivo da série LM340 precisa de uma tensão de entrada de pelo menos 2 a 3 V maior que a tensão de saída regulada.1 a 1µF (a folha de dados da série LM340 sugere 0. aproximadamente.

Isto significa que podemos variar RL e ainda ter uma corrente de saída fixa. A regulação da linha é de 0. Reguladores de tensão ajustáveis Um grande número de reguladores em CI como o LM317. suponha que Vreg = 5V e R1 = 10Ω então Isaída é de aproximadamente 500 mA.Eletrônica II corrente quiescente IQ e a corrente de R1 fluem através de RL.01% para cada volt de variação da entrada. Em outras palavras. Por exemplo o LM317 é um regulador de tensão positiva de faixa ajustável de 1. Portanto a corrente na carga é: Como exemplo. suficiente grande para encobrir as pequenas varições em IQ. Eles têm correntes de carga máxima de 1.25 V a 37 V. A folha de dados de um LM317 dá esta fórmula para a tensão de saída: 240 SENAI . isto significa que a tensão de saída somente varia 0. Isaída é essencialmente constante e independente de RL.1%.5 A a 5 A. LM338 e o LM350 são ajustáveis.001%. A regulação de carga é de 0. A figura a seguir mostra uma fonte de alimentação não regulada alimentando um circuito típico de LM317.

2 a 32 V Positivo fixo Positivo fixo Ajustável: 241 LM 317 LM 320-5 LM320-15 LM 338 LM 340-5 LM340-15 LM 350 .5 2.2 a 32 V Negativo fixo Negativo fixo Ajustável: 1.5 3 15 0.7 2.5 A de corrente de carga. A pastilha pode aceitar mais de 1. 8. A estabilização térmica desliga automaticamente se a temperatura se tornar alta. em torno de 175 °C. 6.Saída mV Rej. os dispositivos da série LM340 são praticamente indestrutíveis. Devido a estabilização térmica e a limitação de corrente. Número Vsaída Imáxima Reg.Eletrônica II A série LM340 A série LM 340 é típica da linha de reguladores de tensão.Ripple dB Desligamento Comentários V +5 -5 -15 +5 +15 - 1 1.2% 10 5 0. Também estão incluídos um estabilizador térmico e um limitador de corrente.5 1. O diagrama em blocos é o mesmo.1% 4 0.1% SENAI 75 65 65 80 60 80 80 65 2 2. 18 e 24 V. 10. 12.1% 50 30 0. o regulador LM340-5 produz uma tensão de saída regulada de 5 V.5 1.Linha V LM 309 A mV Reg.1% 3 4 0. desde que seja usado um dissipador de calor.5 5 1.5 1.3 2.1% 10 12 0. A tensão de realimentação negativa provém de um divisor de tensão interno previamente ajustado para fornecer uma determinada tensão de saída como: 5. 15. A tensão de referência intrínseca (interna) alimenta a entrada não-inversora de um amplificador. o LM340-18 produz uma saída de 18 V.5 2 2 2.5 Positivo fixo Ajustável: 1. Por exemplo.

por exemplo. A figura abaixo apresenta o diagrama de blocos funcional do dispositivo.15 0. O sufixo XX corresponde à tensão de saída. refere-se a corrente máxima que eles podem fornecer em sua saída: 1. são especificados para uma corrente máxima de 1 A.5 A. enquanto na linha 79XX o terminal massa é o primeiro da esquerda. conforme quadro seguinte da Texas Instruments TM: A letra “C” no final dos tipos.2 a 32 V RC 4194 ±15 0.15 0. Os tipos comuns desta série. sem a letra final. da ordem de 1 A a 1. 242 SENAI . sendo o 7805.2% 2 75 70 3 3 Duas vias: 0 a 32 V Duas vias RC 4195 Quadro: alguns reguladores de tensão monolíticos. Os fabricantes desta família oferecem um gama grande de valores de saída.5 A normalmente são obtidos em invólucros TO-220 para montagem em dissipador de calor.2% 2 0. conforme a figura a seguir. Estes componentes que operam com estas correntes algo elevadas. um regulador de 5V.Eletrônica II 1. A série 78XX Na linha 78XX o terminal central é o massa.

é trabalhar com uma tensão pouco acima do mínimo necessário. quanto maior a diferença de tensão. As características principais desta família são as seguintes: • • • • • Possuem três terminais. O ideal. Possuem limitação interna de corrente em caso de curto-circuito. Corrente de saída varia entre 100 Ma e 1.Eletrônica II Figura: regulador 78XX de 3 terminais em encapsulamento TO-220 Existem. sendo também indicada para equivalentes de outros fabricantes: Outro ponto importante a ser considerado no projeto é o desacoplamento da saída que exige o emprego de um capacitor de valor conveniente (de 10µF a 100µF). Não necessitam de nenhum componente externo. assim. mais o circuito tende a aquecer. SENAI 243 . ainda a série MC78M00 para 500 mA e a série 78L00 de 100 mA.5 A conforme série. Exemplos de aplicações Para que o regulador funcione bem. ambas da Motorola. numa aplicação prática. No entanto. Possuem proteção térmica interna em caso de sobrecarga. é preciso uma diferença de tensão mínima entre a entrada e a saída de pelo menos 2 V. depende desta diferença de tensão multiplicada pela corrente. A tabela abaixo dá a tensão máxima e mínima entre a entrada e a saída para diversos reguladores da série µA 7800 da Texas Instruments.I. a geração de calor no C.

O valor do resistor Rx é calculado pela equação: Onde XX é o valor de tensão do regulador. como circuitos digitais de alta velocidade. A corrente de saída (I saída) é o resultado da soma da corrente IRx e a corrente quiescente (4 mA) como na equação: I saída = IRx + IQ A carga máxima (RL máxima) será calculada por: B) – Estabilizador de tensão ajustável O valor da tensão de saída pode ser ajustado para valores não programados pelo fabricante com a utilização de artifícios no terminal de ajuste de reguladores fixos.Fonte de corrente constante O gerador de corrente apresentado na figura abaixo é capaz de manter a corrente de saída na carga constante mesmo que a carga varie de valor (de 0 Ω até RL máxima).Eletrônica II Este capacitor deve ser ligado o mais próximo possível do terminal de saída. dando-se preferência aos tipos de tântalo nas aplicações críticas. Alguns exemplos podem ser apreciados nas figuras a seguir: 244 SENAI . Como o fabricante garante que a corrente quiescente (IQ) é praticamente constante. A) . então pode ser utilizado para provocar uma queda de tensão que será aplicada no terminal comum (ou ajuste) de modo a aumentar a tensão de saída.

Além disso.1 V Figura: +Vs= 5 V + 2. Reguladores negativos de tensão Os mesmos fabricantes dos reguladores de tensão da série 7800 e 78XX também oferecem uma linha de reguladores negativos de tensão denominada família 79XX que seguem as mesmas especificações dos reguladores positivos com a principal diferença na pinagem do encapsulamento. SENAI 245 .Eletrônica II Figura: a tensão de saída pode ser ajustada de 5 V á 5+ (IQ × P1).1 V com a vantagem de obter o led aceso. a corrente quiescente é menor. Figura: a saída será de +Vs= 5 V + (3 × 0. demonstrada no exemplo das figuras abaixo (7805 e 7905 respectivamente). da ordem de 3.1 V= 7.7)= 7.5 mA.

Eletrônica II Exercícios 1) Sabendo-se que o LM 317 é um regulador ajustável de 1. com a ajuda de um resistor e um potenciômetro construa um regulador variável de 1.5 A 7805 → I quiescente = 4 mA VES mínimo= 2V VES máximo= 20 V 246 SENAI . no resistor e no potenciômetro que você adicionou. Lembre-se: a corrente quiescente flui do terminal comum do CI para o terra. 3) R1= 830 Ω VSC= 5 V R2= 1k Ω R3= 100 Ω P1= 760 Ω E= 22 V I máxima= 1. Determine a corrente na carga.2 V e corrente quiescente de 1 mA. 2) Desenhe seu circuito do exercício anterior e conecte a ele uma carga de 600 Ohms.2 a 10 V.

B) a faixa de variação (através de P1) da corrente na carga. SENAI 247 .Eletrônica II Calcule: A) o valor da tensão de saída do gerador de tensão (ponto A). C) A carga máxima admissível pelo gerador de corrente.

.

relação de fase entre sinais. você deverá ter conhecimentos anteriores sobre circuito integrado. SENAI 249 . também chamado de AO. suas características e modo de utilização. você terá informações detalhadas sobre os amplificadores operacionais. é um CI com características que o aproximam a de um amplificador ideal. circuitos aplicativos que utilizam amplificadores operacionais e que são muito usados em equipamentos industriais. Características do amplificador operacional O amplificador operacional. Serão apresentados. Neste capítulo. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. Com essas informações. também. além das leis de Ohm e de Kirchoff. você será capaz de utilizar e reparar equipamentos que os empreguem.Eletrônica II Amplificador Operacional Os amplificadores operacionais são um exemplo característico de circuito eletrônico fornecido sob a forma de circuito integrado.

250 SENAI . ou seja. subtração e multiplicação. circuitos de áudio. eles são alimentados por duas tensões simétricas (por exemplo: +15 e –15 V). um terminal de saída. um terminal de entrada não-inversora. Ao triângulo são acrescentados terminais que apresentam os pontos de conexão com o circuito externo. Veja a distribuição desses pinos na ilustração a seguir. circuitos eletrônicos para cálculo e filtros de sinais. Existem fundamentalmente 5 terminais que fazem parte de todos os tipos de amplificadores operacionais: • • • • dois terminais para alimentação.Eletrônica II É um circuito versátil. Terminais do amplificador operacional O símbolo utilizado para representar o amplificador operacional é um triângulo que aponta no sentido do fluxo de sinal. um terminal de entrada inversora. Terminais de alimentação Os amplificadores operacionais apresentam uma característica singular em relação às tensões de alimentação. A denominação "amplificador operacional" deve-se ao fato de que estes circuitos foram utilizados inicialmente para realizar operações matemáticas como adição. aplicável em muitas áreas específicas da eletrônica tais como: instrumentação. circuitos industriais.

SENAI 251 . Veja na ilustração a seguir um exemplo de um circuito onde existem componentes externos ligados ao terra. O próprio circuito interno do componente obtém o terra. Isso não significa que os outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao amplificador operacional não necessitem de terra.Eletrônica II A figura a seguir ilustra a forma comum de alimentação de um amplificador operacional a partir de uma fonte simétrica. O terra para o circuito externo é fornecido no terminal 0 da fonte simétrica. Observe que os amplificadores operacionais não são ligados diretamente ao "terra" ou 0 V da fonte simétrica.

ou seja.Eletrônica II Terminais de entrada A finalidade de um amplificador operacional é realizar uma amplificação tanto de tensões contínuas quanto alternadas. o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 180o entre saída e entrada. se o sinal aplicado na entrada "+" torna-se mais positivo. se o sinal aplicado na entrada não-inversora ( .) torna-se mais positivo. Assim. indicada pelo sinal . 252 SENAI .no símbolo do componente. Para os sinais aplicados à entrada não-inversora ( + ). Isso acontece de tal forma que a relação de fase depende da maneira como são ligadas as suas entradas. Para os sinais ou tensões aplicadas na entrada inversora ( . os amplificadores operacionais possuem duas entradas de sinal: • • uma entrada inversora. o sinal de saída torna-se mais negativo. o sinal de saída torna-se mais positivo.). o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 0o entre a saída e a entrada. ou seja. uma entrada não-inversora indicada pelo sinal +.

Nesse caso. operando apenas com tensão. banda de passagem. Elas possibilitam ao usuário determinar entre diversos AOs aquele que se aplica a sua necessidade. Um amplificador operacional ideal deve apresentar impedância de entrada infinita (ZEnt = ∞). Parâmetros do amplificador operacional Os parâmetros de um amplificador operacional são informações fornecidas pelos fabricantes. rejeição de modo comum. ganho de tensão diferencial em malha aberta. as características a seguir serão analisadas segundo uma comparação entre o ideal e o real. Impedância de entrada A impedância de entrada é aquela que existe entre os terminais de entrada do amplificador operacional. o amplificador operacional atua como amplificador diferencial. tensão offset de saída. as entradas de sinal não absorvem corrente. IEnt = VEnt . IEnt = VEnt Z Ent Como ZEnt = ∞. IEnt = 0 SENAI 253 . É denominada ZEnt . Os parâmetros mais importantes são: • • • • • • impedância de entrada. Por isso.Eletrônica II Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e outra. Essas características podem ser analisadas segundo dois pontos de vista: considerando o amplificador operacional como ideal ou considerando-o como real. amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada. impedância de saída.

ou seja. sendo independente da corrente solicitada pela carga. Impedância de saída A impedância de saída é a impedância do estágio de saída do amplificador operacional (ZS). sem resistência interna. Um aplificador operacional ideal deve apresentar impedância de saída nula (zero Ω). Isso permite que a tensão na saída de um AO ideal dependa apenas dos sinais de entrada e da amplificação. Devido a esse alto valor de ZEnt . Essa aproximação do ideal permite que se admita que as entradas de um AO real não absorvem corrente. a impedância de saída pode ser representada como um resistor em série com o terminal de saída (ZO). 254 SENAI . Em um circuito equivalente. os amplificadores operacionais reais podem ser considerados como ideais em relação à impedância de entrada. comporta-se como uma fonte de tensão ideal para a carga.Eletrônica II Os amplificadores operacionais reais têm uma impedância de entrada da ordem de vários megaohms (MΩ).

o ganho obtido entre saída e entrada é denominado de ganho de tensão diferencial e pode ser de dois tipos: em malha aberta ou em malha fechada. Ganho de tensão diferencial O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de três maneiras: • • • entre entrada inversora (-) e terra. a impedância de saída existe e pode variar desde poucos ohms (5 Ω. Nos "databooks" de circuitos lineares. amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada. a tensão VS na saída de um amplificador operacional real depende: • • • das tensões nas entradas. do ganho do amplificador operacional. Portanto. Essa impedância atua como uma resistência interna e provoca uma queda na tensão de saída.Eletrônica II Em um amplificador operacional real. o amplificador atua como amplificador diferencial. os fabricantes fornecem o ganho de tensão diferencial em malha aberta (Ad). entre entrada não-inversora (+) e terra. da corrente solicitada pela carga. que é a amplificação fornecida pelo amplificador operacional quando não há ligação externa entre o terminal de saída e entrada (sem SENAI 255 . e em alguns casos. entre as duas entradas. pode-se reduzir a impedância de saída para menos de 1 Ω. por exemplo) até valores como 1000 Ω. Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e a outra. Observação Através de recursos externos ao amplificador operacional. Nessa condição.

Em um AO ideal. ou seja. Tensão offset de saída A tensão offset de saída é qualquer valor de tensão que esteja presente na saída de um AO que tem as entradas aterradas (a zero volts). Essa redução é obtida pela realimentação fornecida por componentes externos ao AO e que interligam a saída com a entrada. 256 SENAI . se necessário. Observação Esta é uma das características mais importantes de um AO: o ganho em malha fechada definido somente pelos componentes externos que fazem a realimentação. Veja a seguir o circuito amplificador com AO e com componentes para realimentação (malha fechada). a saída deve estar a "zero volt" se ambas as entradas forem levadas ao potencial de terra.Eletrônica II realimentação). No manuais. este ganho normalmente é expresso em decibéis: db = 20 ⋅ log VS VEnt O ganho fornecido por um AO pode ser diminuído desde o valor Ad (ganho diferencial em malha aberta) até o valor 1. a tensão offset é da ordem de poucos milivolts. O ganho de tensão diferencial em malha aberta em um AO real varia entre 103 e 109. a tensão offset de saída é nula. O ganho de tensão diferencial em malha aberta de um AO ideal deve ser infinito (Ad = ∞). No AO real.

Um amplificador operacional real amplifica também as tensões comuns aos dois terminais de entrada. A rejeição de modo comum também é conhecida como ganho de modo comum (AVCM). denomina-se banda de passagema faixa de freqüências em que o ganho do circuito se mantém até 70% do ganho máximo (que corresponde a -3db em relação ao máximo). mas com ganho muito menor (centenas de vezes menor). mostra o ganho de um AO em função da freqüência amplificada. através de circuitos externos. Como o ganho diferencial não é constante ao longo de todas as faixas de freqüências amplificadas. ajustar a tensão de saída para zero quando as entradas forem levadas ao potencial de terra. é a capacidade que um amplificador operacional tem de não amplificar tensões que sejam comuns às duas entradas SENAI 257 . amplificando apenas a diferença entre a tensão das duas entradas. Um amplificador operacional ideal deve ter uma rejeição de modo comum infinita (CMRR = ∞ ). Veja a seguir símbolo de um AO com dois terminais específicos para esse ajuste.Eletrônica II Alguns amplificadores operacionais têm terminais que possibilitam. O gráfico a seguir. Este ajuste normalmente é denominado de “offset null”. Rejeição de modo comum A rejeição de modo comum (CMRR) porque não há diferença a ser amplificada.

atingindo valores da ordem de 10 000 ou mais. Existem configurações de ligação do AO que permitem estender a banda de passagem para até centenas de quilohertz e até mesmo megahertz no caso de alguns amplificadores operacionais especiais. o ganho do AO é constante (106dB = 20000). A partir de 5Hz.01 ⋅ 10 000 = 100 V Portanto. a tensão de saída nunca sobe além do valor de alimentação. o ganho é igual a 1. o ganho decresce com aumento da freqüência até que em 1Mhz. Característica de transferência de um AO O ganho de um AO em malha aberta (sem realimentação) é altíssimo. por exemplo). se uma diferença de 10 milivolts for aplicada entre as duas entradas de um AO com um ganho de 10 000. Assim. VS = 0. 258 SENAI . VS = 100 V Entretanto. a tensão de saída será: VS = (VA – VB ) ⋅ Ad Como VA – VB = 10m V. por exemplo.Eletrônica II Por esse gráfico se observa que até 5Hz. como a maioria dos AOs é alimentada a partir de fontes de baixa tensão (+15V.

a saturação pode ocorrer tanto para a tensão de saída positiva quanto para a negativa. diz-se que ele atingiu a saturação. menor será a tensão entre as entradas para levá-lo à saturação. SENAI 259 . obtém-se o resultado mostrado a seguir. Como um AO é alimentado por tensões simétricas. Característica de transferência do AO Colocando-se o comportamento do AO em um gráfico.Eletrônica II Quando a tensão de saída de um AO atinge um valor igual (ou próximo) à tensão de alimentação. Essas situações são chamadas de saturação positiva e saturação negativa. Quanto maior for o ganho em malha aberta (Ad) de um AO.

na qual a tensão VO é uma réplica amplificada da tensão VEnt . Nele. A figura abaixo mostra a característica de transferência de um AO com as três regiões de funcionamento. Devido à linearidade da tensão de saída em função da tensão de entrada. 260 SENAI .Eletrônica II Esse gráfico é denominado gráfico de característica de transferência do AO. a tensão de saída obedece à equação VS = VEnt ⋅ Ad e corresponde a uma versão amplificada do sinal VEnt . essa região é denominada de região linear. enquanto a tensão entre as entradas está abaixo de 15mV (positivos ou negativos). Um AO funcionando com amplificador deve trabalhar somente na região linear. Essa equação resulta em um comportamento linear (reta inclinada) na região central da característica de transferência.

Isso significa. por exemplo. a região linear de operação de um AO pode ser ampliada através da redução do ganho. SENAI 261 . através de um circuito externo. situando-se entre alguns milivolts positivos e negativos.Eletrônica II Ampliação da região de operação linear Devido ao alto ganho de malha aberta. Com a utilização da realimentação negativa. a região linear do amplificador operacional é muito estreita. Veja na ilustração a seguir um amplificador operacional com um divisor de tensão externo (R1 e R2) que faz a realimentação negativa. o sinal de entrada teria que estar limitado a poucos milivolts. A realimentação negativa consiste em fazer retornar uma parte do sinal de saída para a entrada inversora. que se um AO em alimentação fosse usado como amplificador de sinais.

estabelecido por R1 e R2 e com alimentação de +15 VCC. um circuito com ganho de tensão AV = 100.0.Eletrônica II Supondo-se. no exemplo. Para que se obtenha +13 V na saída com um circuito com ganho 100. a ampliação da região linear de alguns milivolts até 13 mV. verifica-se. Os gráficos mostram como a redução do ganho permite um aumento da região linear.13 ⋅ 100 = + 13 V VS = VEnt ⋅ AV . por exemplo. é necessário aplicar + 0.13 V ⋅ 100 = . 262 SENAI .13 V Comparando-se as características de transferência de um AO em malha aberta e em malha fechada com ganho 10. 0. A tensão VO está limitada aos valores +13 V aproximadamente.13 V à sua entrada.

SENAI 263 . Amplificador inversor O amplificador operacional possui uma entrada inversora de sinal que permite sua utilização como amplificador de sinal com inversão de fase de 180o entre saída e entrada. somador. amplificador não-inversor. podemos citar: • • • amplificador inversor. Como exemplo desse tipo de circuito. A figura a seguir mostra a configuração de um amplificador inversor com AO. Para que o AO opere na região linear. é necessário acrescentar a malha de realimentação negativa ao circuito.Eletrônica II Circuitos lineares Os circuitos que usam AOs na região linear são chamados de circuitos lineares.

foram omitidos os terminais de alimentação e offset. Desse modo. V2 = 0 V1 = IEnt ⋅ ZEnt Como IEnt = 0. Ganho do amplificador inversor O ganho (Ad) do amplificador inversor depende apenas dos componentes da malha de realimentação. Essa dependência pode ser comprovada com base em uma análise do circuito.Eletrônica II Observação Para maior clareza da figura. a queda de tensão na impedância de entrada é nula. vamos considerar a impedância de entrada como ideal (infinita). Uma vez que não há circulação de corrente na entrada do AO. Para isso. V1 = 0 V 264 SENAI . a entrada do sinal não absorve corrente do circuito externo.

Esse ponto é denominado de terra virtual.) não esteja ligada fisicamente ao terra. Embora a entrada inversora ( . Quando se aplica uma tensão à entrada do amplificador inversor. o valor desta corrente é dado pela lei de Ohm. uma corrente circula no resistor R1. I= VEnt R1 VEnt = I ⋅ R1 SENAI 265 . seu potencial é nulo. Como se considera o terra virtual a 0 V.Eletrônica II Tanto a entrada não-inversora (aterrada) como a inversora têm potencial de 0 V.

a mesma corrente que circula no resistor R1 passa através de R2 . O resistor R2 está ligado entre a saída do circuito e o terra virtual (0 V) de forma que a queda de tensão em R2 é igual à tensão de saída VS essa tensão pode ser calculada pela lei de Ohm. tem-se a equação pronta: Ad = R2 R1 A equação mostra que o ganho do circuito depende apenas dos componentes que compõem a malha de realimentação.Eletrônica II Uma vez que a entrada do amplificador operacional não absorve corrente. 266 SENAI . pode-se determinar a equação do ganho do circuito amplificador inversor: Ad = VS I ⋅R2 ⇒ Ad = VEnt I ⋅ R1 Observação O sinal negativo (-) na frente da expressão indica a inversão de fase (180o). VS = I ⋅ R2 Como dispomos das equações de VS e VEnt. comum ao denominador e ao numerador. Simplificando o termo I.

R3 = R1 ⋅ R 2 R1 + R 2 Impedância de entrada do amplificador inversor Admitindo-se que o terminal de entrada inversora é um terra virtual. Os valores típicos de ZS são menores que 1Ω. Impedância de saída do amplificador inversor A impedância de saída (ZS) do amplificador inversor é sempre muito menor que a impedância de saída do próprio AO. ZEnt = R1.Eletrônica II A figura a seguir mostra um amplificador inversor com ganho -10 (10 com inversão de fase). ou seja. O resistor R3 não influencia no ganho e seu valor deve ser igual ao paralelo R1 e R2. a impedância de entrada do circuito (ZEnt) será o próprio valor de resistor sobre o qual se aplica o sinal. SENAI 267 .

que não prejudicam o resultado prático. Ganho do amplificador não-inversor O ganho (AV) do amplificador não-inversor normalmente é determinado considerandose o AO como ideal.Eletrônica II Amplificador não-inversor Para a obtenção de um amplificador não-inversor. a equação do ganho do amplificador não-inversor é:  R  A d = 1 + 2   R1    Nessa equação dois aspectos são importantes: • • a ausência do sinal negativo. que indica que o sinal de saída está em fase com o sinal de entrada. utiliza-se a entrada não-inversora do AO. ou seja.. apresentando os seguintes valores: • • • impedância de saída (ZS) = 0 impedância de entrada (ZEnt) = ∞ ganho diferencial (Ad) = ∞ Com essas aproximações. a equação pode ser simplificada para 268 SENAI . se R2 for muito maior que R1. o que resulta em VS em fase com VEnt. A malha de realimentação (R2 e R1) é necessária para manter o AO na sua região linear de funcionamento.

pode-se analisar o comportamento do somador. Desta forma. Considerando-se que a entrada inversora não absorve corrente e que o ponto A no circuito é um terra virtual. o sinal de entrada é aplicado diretamente à entrada nãoinversora. Circuito somador O circuito somador é aquele capaz de fornecer na saída uma tensão igual à soma das tensões aplicadas nas entradas. Impedância de saída A impedância de saída ZS do amplificador não-inversor também é sempre menor que a impedância de saída do próprio AO (ZS). Circuitos aritméticos com AO Circuitos aritméticos com AO são circuitos capazes de realizar operações aritméticas como soma e subtração. a impedância de entrada (ZEnt) é a própria impedância de entrada. SENAI 269 .Eletrônica II Ad = R2 R1 Impedância de entrada No amplificador não-inversor. Os valores típicos são menores que 1 Ω.

circularão as correntes I1 e I2. 270 SENAI . tem-se: VS = −(I1 ⋅ R) + (I2 ⋅ R) Como I1 ⋅ R = V1 e I2 ⋅ R = V2.Eletrônica II Aplicando-se duas tensões (V1 e V2) nas entradas. porém o sinal é negativo devido ao uso da entrada inversora. R2 e R3 são iguais. então: VS = −(V1 + V2) A tensão de saída é numericamente igual à soma de V1 e V2. uma vez que a entrada do AO não absorve corrente. A tensão de saída é dada pela lei de Ohm: VS = (I1 + I2) R3 ou VS = −(I1 ⋅ R3) + (I2 ⋅ R3) Se os valores de R1. cujos valores são: I1 = V1 V e I2 = 2 R1 R2 As correntes I1 e I2 se somam no nó A e circulam através do resistor R3.

Deve-se tomar cuidado quando uma das tensões a ser somada for negativa. O circuito somador pode ser constituído com qualquer número de entradas. SENAI 271 .Eletrônica II Se for necessário obter as somas de V1 e V2 com o sinal correto. pode-se usar um amplificador inversor com ganho 1 após o somador. pois a corrente desta entrada será diminuída das demais.

Eletrônica II Exercícios 1. desenhe os sinais de entrada para que o sinal de saída esteja correto. d) Nos amplificadores operacionais representados a seguir. 272 SENAI . a) Desenhe o símbolo do amplificador operacional. Resolva as seguintes questões. b) Normalmente. como são alimentados os amplificadores operacionais? c) Identifique a função dos terminais do amplificador operacional representado a seguir.

a) Na curva de transferência mostrada a seguir.Eletrônica II e) Defina. o que se pode afirmar sobre as correntes absorvidas por essas entradas? g) Qual é a função dos terminais de offset null de um AO? 2. Resolva as questões apresentadas a seguir. em relação ao amplificador operacional: • Impedância de entrada (ZEnt) • Impedância de saída (ZS): • Ganho de tensão em malha aberta (Ad): f) Considerando a alta impedância de entrada de um amplificador operacional. identifique: • região de saturação positiva SENAI 273 .

.. Se for aplicada uma tensão de entrada de – 250 mV.. a tensão de pico a pico será ........e o ganho será .......................... Se for aplicado um sinal de 0... qual é o valor máximo de tensão de entrada que pode ser aplicado ao amplificador operacional sem que ele atinja a saturação? c) Como se pode ampliar a região linear de funcionamento de um AO? d) No circuito representado pelo gráfico mostrado a seguir: • • • • A máxima tensão de saída possível é ......... a tensão de saída será ..........5 VPP (de + 250 mV a – 250 mV) à entrada do circuito..........................Eletrônica II • • região de saturação negativa região linear b) Na curva acima.................. Se for aplicada uma tensão de entrada de + 250 mV.......................................... a tensão de saída será ................. 274 SENAI .....................

Eletrônica II 3. Responda às seguintes perguntas.5 VPP na entrada do circuito mostrado a seguir? c) No circuito da questão anterior. qual é o sinal (pico a pico) de entrada necessário para obter 3 VPP de saída? SENAI 275 . a) Qual é a característica fundamental de um amplificador inversor? b) Qual é a tensão pico a pico de saída se for aplicado um sinal de 0.

quais deveriam ser os valores de R2 e R3 para se obter um ganho de 18? f) Qual é a impedância de entrada do circuito mostrado na questão b? g) Projete um amplificador inversor com amplificador operacional cujo ganho seja 12 e a impedância de entrada seja maior do que 8 kΩ h) Por que as entradas de um AO são consideradas um “terra virtual”? 4. qual deve ser o valor de R3? e) No circuito da questão b. a) Qual é a característica fundamental de um amplificador não-inversor? As próximas questões referem-se ao circuito que se segue: 276 SENAI .Eletrônica II d) No mesmo circuito. Responda às seguintes questões.

c) Qual é o ganho do circuito mostrado? d) Admitindo-se que o amplificador operacional do circuito esteja alimentado com ±15V e a saturação ocorra em ±13V.Eletrônica II b) Localize a malha de realimentação do circuito. qual é o máximo sinal de entrada que pode ser aplicado ao circuito? SENAI 277 .

Eletrônica II e) Desenhe o sinal de entrada correspondente. f) Mantendo R1 = 1 kΩ. Qual deverá ser o valor de R2 para que se obtenha um ganho de 7.8. 278 SENAI .

e Vin será aterrado. Rf/Ri+ Vref ou simplesmente Vout = (1+ Rf/Ri) . Analise o circuito da figura a seguir e responda: SENAI 279 . Entretanto. Repare: Vout = (Vref – Vin) . Vin Exercícios 1. o valor de Vin agora é o valor de Offset.Eletrônica II Amplificador Não-Inversor Esta configuração permite a multiplicação de um sinal de entrada pelo ganho. sem inverter o sinal de saída. Repare que neste circuito o terminal do resistor de entrada é conectado diretamente ao terra. Lembre-se que poderia ser usada a equação do amplificador com offset.

Eletrônica II Dados: R1=47kΩ A.2V R5=250kΩ a) Qual a função do circuito? b) Qual o valor do ganho do amplificador? 280 SENAI . Resistor de realimentação... Ideal R2=3k3Ω Vcesat=0.O. Ideal R2=33kΩ +V=+12V R3=20kΩ -V=-12V R4=pot.O... Resistor de entrada..7V +V=+15V -V=-15V R3=330kΩ R4=12Ω Vbe=0. Ganho menor.50kΩ R5=100Ω a) Qual a classificação do amplificador? b) Qual a equação de ganho? c) Qual o valor (em Ω) do: • • Ganho maior. 2. Analise o circuito da figura abaixo e responda: Dados: R1=1kΩ T1: β=50 A. Resistor de realimentação.7V E1=1.. Resistor de entrada.

Eletrônica II c) Qual o valor da corrente de saída? 3. para o circuito Amplificador abaixo: Dados: R1=220kΩ +Vcc=+10V R2=330kΩ -Vdd=-10V 4. Analise o circuito da figura abaixo e responda: SENAI 281 . Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada.

multiplica a diferença de tensão entre as entradas pela relação dos resistores de realimentação e de entrada.Eletrônica II Dados: E1=13V R5=100Ω E2=13V R6=80Ω R1=1k8Ω P1=50Ω β2=20 R2=1kΩ D1=0.7V Vbe=0. Rf/Ri 282 SENAI . Rf/Ri + Vin Vout = (Vin2 – Vin1) .7V R3=5k6Ω R4=1kΩ Transistores: β1=200 a) Calcule a faixa de variação da corrente de saída Is = de a mA b) Qual a função do resistor R3? Amplificador diferencial O amplificador operacional usado na configuração amplificador diferencial. A exigência é a repetição dos valores de resistências dos pares de resistores. Sempre: ou apenas: Vout = (Vref – Vin) .

V2=1Vdc. se e + < e . e também: Vout = Vsat -. com realimentação positiva. a saída do amplificador estará saturada positiva ou negativamente. Determine a Vout para os casos: a) V1=-3Vdc. Determine a V1 do circuito acima caso: c) Vout=-5Vdc. V2=1Vdc. Os amplificadores operacionais usados nos comparadores operam em malha aberta ou fechada. duas tensões. O comparador diz apenas se um sinal Ei é maior que outro Eref. Conseqüentemente. mais especificamente. se e + > e -. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ 2. tomado como referência. Vout = Vsat +. Rf=12kΩ e Ri=12kΩ Amplificador operacional II Comparadores A função de um comparador é comparar duas grandezas elétricas. Comparador simples Um comparador simples tem a função de comparar dois valores de tensão e fornecer uma saída saturada (+Vcc ou –Vcc). Será positiva se o potencial da entrada não inversora (+) for mais positivo que a entrada inversora (-). V2=1Vdc. V2=1Vdc.. SENAI 283 .Eletrônica II Exercícios 1. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ b) V1=4Vdc. Rf=12kΩ e Ri=24kΩ d) Vout=10Vdc.

Estes comparadores podem ser inversores ou não. dependendo da adaptação do sinal de entrada.Eletrônica II Obviamente o valor de saída dependerá da alimentação do CI. Exercícios 1. Explique o funcionamento do circuito abaixo. Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico de entrada para o amplificador em malha aberta da figura. a) Qual a diferença entre +Vcc e Vsat+ ? b) Desenhe a função de transferência do circuito proposto. 2. 284 SENAI .

Exercício 1. A A = ganho em malha aberta Comparador regenerativo (Schimitt Trigger) Também chamado de comparador com histerese. para a mudança de estado possui uma faixa na qual. enquanto os valores comparados ali estiverem.Eletrônica II Dados: +Vcc=+10V -Vdd=-10V Vs= (Va – Vb) . nenhuma alteração ocorrerá. pode apresentar também saída saturada em função da comparação dos valores de entrada. Entretanto. Analise o circuito Schimitt Trigger da figura e complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada: Dados: R1=20kΩ +Vcc=+10V R2=10kΩ -Vdd=-10V Vref=2V SENAI 285 .

Usado nos controladores eletrônicos analógicos. 286 SENAI .Eletrônica II Integrador inversor O integrador inversor executa a integral da função de variação da tensão de entrada Vin. Determine o tempo necessário para que Vout apresente –10Vdc caso em Vin for aplicado 1mVdc.Ri Vin(t) Exercícios 1. independente desta função. Vout(t) = -1/Cf. permitindo a formação da ação integral destes.

Construa um circuito diferenciador Não Inversor de forma que aplicando 1mV/s possa gerar um sinal de saída de 1 a 10 Vdc. Diferenciador inversor Circuito que executa a derivada da função de variação de tensão de entrada (Vin). – Ci. Usado também nos controladores eletrônicos analógicos permitindo a composição da ação derivativa.Eletrônica II 2.Rf Exercício 1. Vout(t) = d (Vin)/dt. Determine Vin (Vdc) para o circuito abaixo. SENAI 287 . a Vout apresentar –12Vdc. a) Faça um gráfico relacionando entrada e saída deste circuito aplicando 1mV/s. caso após 20 segundos de Vin conectado.

288 SENAI .

Por isso. Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor PNPN de quatro camadas. O DIAC é um diodo bidirecional constituído por quatro regiões estruturadas como mostra a figura a seguir. iniciaremos o estudo dos dispositivos retificadores mais comumente empregados em eletrônica.Eletrônica II Tiristores Neste capítulo. DIAC DIAC é um dispositivo semicondutor de dois terminais. é desejável um prévio conhecimento sobre diodos e transistores. Neste capítulo inicial sobre os tiristores. conhecido também como diodo de comutação. Essa característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados no controle eletrônico de potência e na conversão de energia. Seu nome é uma sigla extraída da expressão em inglês "diodo AC". vamos nos deter na constituição. Eles recebem o nome genérico de tiristores. Esses dispositivos podem pertencer a dois grupos: o do DIAC e o dos SCR e TRIAC. ou diodo de corrente alternada. a utilização e o funcionamento do DIAC. A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. Observe também seu símbolo. SENAI 289 .

ID é a corrente do DIAC. O circuito a seguir mostra um DIAC alimentado por uma corrente alternada onde UE é a tensão de alimentação. tem essa impedância reduzida ao mínimo. URL é a tensão sobre o resistor de carga. A tensão de disparo para a maioria dos DIACs pode variar entre 28V (mínimo) e 42V (máximo). não é necessário saber de que lado a tensão é positiva (em relação ao outro lado). o DIAC entra em condução. Nesse instante. À medida que a tensão sobre o DIAC aumenta. ou seja. o componente. e UD é a tensão do DIAC. Esse efeito cessa quando a corrente que circula no componente (ou a tensão sobre ele) se aproxima de zero.Eletrônica II A região P externa é chamada ânodo 2. Essa corrente é limitada apenas pela resistência do circuito externo. não há circulação de corrente por ele até que a tensão de disparo seja atingida. Utilização O DIAC é utilizado basicamente na eletrônica de potência para disparar SCRs e TRIACs. A região N externa é chamada de ânodo 1. Quando isso acontece. o que permite uma intensa circulação de corrente. 290 SENAI . que apresentava altíssima impedância. para que ele dispare. Funcionamento O DIAC é um componente bidirecional.

Eletrônica II Observe que no gráfico de UD. ela é crescente (positiva ou negativa). enquanto a tensão de alimentação não atinge a tensão de disparo. A partir da tensão de disparo. Curva característica do DIAC A figura a seguir mostra a curva característica de um DIAC. SENAI 291 . a tensão sobre o DIAC é zero e toda a tensão fica sobre a carga.

292 SENAI .

Retificador controlado de silício O SCR (do inglês. com quatro camadas e três terminais: ânodo (A). no entanto. Para compreender com mais facilidade os mecanismos de seu funcionamento. cátodo (K) e gatilho ou "gate" (G). Atualmente. É através do gate (ou gatilho) que esse tiristor controla os altos níveis de corrente do ânodo e da carga. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. A figura a seguir mostra o símbolo e a representação esquemática da estrutura de um SCR. "silicon controlled rectifier"). é o tiristor comumente empregado no controle de altas potências. estudaremos as características e o funcionamento deste componente. constante RC. constituído por quatro camadas (PNPN) e por três terminais: o ânodo (A). diodos e transistores. unidirecional. SENAI 293 . dispositivo semicondutor. o cátodo (K) e o gate (G). tiristor é mais empregado para designar dispositivos de três terminais. junção PN. ou retificador controlado de silício. como é o caso do SCR. o termo tiristor foi empregado para denominar qualquer dispositivo semicondutor de quatro camadas. Neste capítulo. CA e CC. É um tiristor unidirecional.Eletrônica II SCR Como já vimos no capítulo anterior.

Há SCRs de várias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de ânodo menor que 1 A. O SCR de alta corrente parece-se com o retificador de potência de silício. Com baixos níveis de corrente de gate. 294 SENAI . O SCR de baixa corrente é parecido com um tiristor cujos três terminais estão contidos em um invólucro hermeticamente fechado. Trata-se de um eletrodo conectado a uma das regiões semicondutoras para controle de corrente. e os de alta corrente que permitem corrente de ânodo de centenas de ampères. em inglês) é o terceiro terminal do SCR.Eletrônica II O gatilho ou "gate" (portão. pois também é montado em invólucro metálico para facilitar a dissipação de calor. é possível controlar altos níveis de corrente de ânodo.

SENAI 295 . Porém enquanto o DIAC dispara quando atinge a tensão de disparo. Isto permite a passagem da corrente através do coletor NPN (base do PNP). e este ponto não é controlado. O funcionamento do SCR é melhor compreendido a partir da análise do circuito equivalente montado com dois transistores. Uma vez que existe a circulação de corrente ânodo-cátodo.Eletrônica II Funcionamento O SCR funciona de modo idêntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC). esta só cessará a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da corrente mínima de manutenção (próxima de zero) ou a tensão ânodo-cátodo VAK estiver próxima de zero. o SCR permite o disparo no instante em que isso é necessário. como mostra a figura a seguir. Isso acontece por meio de um pulso de corrente aplicado ao gate. Uma tensão positiva no gate polariza diretamente a junção base-emissor do transistor NPN e satura-o.

296 SENAI .Eletrônica II Se o ânodo do SCR for positivo (emissor PNP). a junção emissor-base PNP será diretamente polarizada e saturará o transistor PNP.

As características dos tiristores são especificadas em catálogos ou manuais fornecidos pelo fabricante. Removidas a tensão e a corrente de gate. Isso ocorre em duas situações: • • quando a tensão ânodo-cátodo (VAK) é gerada. O SCR continua operando até que a corrente anodo-catodo seja interrompida. k = cátodo G. o transistor PNP supre o NPN com corrente de base. "trigger") H. ele necessita de pouco tempo para que a temperatura da junção atinja valores de fusão. g = gate (porta) D. o SCR estará ainda em condução devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente de base e. "non-trigger") T. A. ou quando a corrente ânodo-cátodo (IAK) desce a valores inferiores ao da corrente de manutenção (IH). o PNP supre o NPN com corrente de base.Eletrônica II Depois de ligado. Como exemplo. h = sustentação do estado ("holding") SENAI 297 . citamos alguns índices característicos que comumente aparecem nos textos e catálogos dos fabricantes. d = estado bloqueado ("off-state". a = ânodo K. A maioria dos parâmetros é dada em termos de tensão ou de correntes. t = estado de condução ("on-state". por sua vez. Regime de Trabalho O SCR é um tiristor extremamente sensível e pode ser facilmente danificado se um de seus limites característicos for ultrapassado. Como é constituído por junções semicondutoras.

Neste ponto. 298 SENAI . ruptura ("breakover") Q. ocorre uma pequena corrente de fuga denominada corrente inversa de bloqueio (IDR). danificando o SCR. Quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado.Eletrônica II (BO) = mudança de estado. inicia-se a região de avalanche inversa e a corrente aumenta rapidamente. g = bloqueante ("turn-off") (TO) = limiar ("threshold") Curvas características A figura a seguir mostra uma curva característica de um SCR com o gate aberto. Essa corrente permanece assim até que a tensão inversa de pico (VRM) seja ultrapassada.

A resistência ânodo-cátodo torna-se pequena e o SCR atua como uma chave interruptora fechada. a avalanche direta. SENAI 299 . permanece com baixo valor até que a tensão de ruptura direta (VBO) seja alcançada. Na região de condução direta. Inicia-se. a tensão no SCR é muito baixa. uma pequena corrente direta de fuga (ou corrente direta de bloqueio – ID). a corrente atinge o nível de alta condução. pois quase toda a tensão da fonte fica sobre a carga sem série com o retificador controlado de silício.Eletrônica II Quando o SCR está diretamente polarizado. então. Isso acontece mesmo sem a presença de uma corrente de gate. Nesse ponto.

Nesta situação. O SCR ficará em condução durante o tempo em que a corrente permanecer acima do valor da corrente de manutenção IH.respeitados os limites máximos especificados pelo fabricante . Controle de tensão de ruptura direta O SCR pode ser disparado mesmo com uma tensão ânodo-cátodo abaixo da tensão de ruptura. ele não conduz. Quanto maior o valor da corrente do gate . é suficiente aplicar um pulso de gate. No circuito em que é empregado.menor será o valor da tensão de ruptura direta. o SCR se comporta como um retificador simples de silício. Para isso. polarizando diretamente a junção gate-cátodo. 300 SENAI . o SCR deve ser disparado por meio de um pulso de gate. o SCR será acionado. Os dois estados de operação do SCR correspondem aos estados ligado e desligado do interruptor. Quando a tensão aplicada ao SCR fica abaixo do ponto de ruptura (VBO).Eletrônica II Observação É a resistência de carga que limita a corrente através do SCR a valores adequados a sua especificação. E deixará de conduzir quando a tensão sobre o SCR cair para um valor insuficiente para manter esse valor de corrente. Se a tensão atingir um valor igual ou maior que o ponto de ruptura.

SENAI 301 . na prática. Esse circuito permite controlar as tensões de anodo e do gate através das fontes variáveis G1 e G2. Se o SCR opera com corrente alternada. Para se verificar. as características de controle do SCR. O SCR continua em condução até que a tensão de alimentação de anodo seja removida e se interrompa a corrente de anodo-catodo (IAK). vamos analisar o circuito a seguir. Deve-se também utilizar um resistor para limitar o valor da tensão do gate a um valor inferior ao especificado pelo fabricante. substituindo-se a fonte G2 por um divisor resistivo com potenciômetro.Eletrônica II Quando o SCR é levado ao estado de condução. ele será levado ao corte durante a alternância negativa de cada ciclo. a corrente do gate deixa de ter efeito sobre a corrente de anodo. Uma variação desse circuito pode ser obtida. quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado. É possível determinar também o ponto do SCR referentes às várias correntes de gate.

mas suficientes para disparar o SCR cujo gate permanece desenergizado o restante do ciclo. O SCR também pode ser disparado por controle de corrente por deslocamento de fase. Isso é possível porque o UJT fornece pulsos de curta duração. A figura a seguir mostra um circuito básico do UJT provocando o disparo de um SCR. Controle do SCR por UJT O SCR disparado a qualquer instante no ciclo com o auxílio do UJT. Os pulsos de tensão gerados pela oscilação do UJT atuam no gate. empregado como oscilador de relaxação. 302 SENAI . empregado como oscilador de relaxação é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais. constitui-se na vantagem de se disparar um SCR com um UJT.Eletrônica II Outros métodos de disparo O SCR pode ser disparado a qualquer instante do ciclo da CA com o auxílio de um UJT (ou transistor de unijunção). Este é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais. A baixa dissipação de potência no gate.

A tensão responsável pelo disparo do gate é gerada pela corrente desenvolvida sobre o resistor R1.Eletrônica II Esses pulsos são sincronizados com a tensão de entrada e permitem um perfeito controle do semiciclo positivo variando o ângulo de disparo de zero a 180o. A freqüência de oscilação do circuito é variável através de R4. SENAI 303 . Para entender o que ocorre no circuito. é proveniente da descarga do capacitor. que é o potenciômetro responsável pela alteração da constante de tempo RC (R3 + R4 e C). que. Já que é possível controlar os pulsos no tempo. basta observar as variações das formas de onda em vários pontos do circuito em função de dois ajustes diferentes do potenciômetro R4. Ela é formada por um pulso de curtíssima duração que. é possível também controlar o instante de disparo do SCR em diferentes pontos da forma de onda que alimenta o ânodo. no osciloscópio assemelha-se a uma agulha. conforme mostra a figura a seguir. por sua vez.

quando recebe um pulso no gate. 304 SENAI . passa a conduzir entre ânodo e cátodo e só deixará de conduzir se IAK = 0 ou VAK = 0. Caso contrário. ficará em constante estado de condução. e está funcionando com corrente contínua.Eletrônica II SCR em CA O SCR. Isto acontece porque a cada ciclo. a corrente elétrica alternada passa duas vezes pelo ponto zero e o componente é polarizado inversamente em meio ciclo. Na aplicação em corrente alternada. o SCR não poderá receber um pulso e ficar permanentemente conduzindo.

onde é necessário exercer uma variação da tensão média sobre a carga. SENAI 305 . Isso permite que essa forma de onda possa variar de zero ao máximo valor. o controle por UJT. Esse pulso deve ser fornecido por um circuito de disparo sincronizado com a CA de alimentação. Como podemos observar na figura a seguir. quando alimentado por CA. pode-se exercer um controle da forma de onda sobre a carga. a corrente de manutenção IAK fica abaixo do valor mínimo. os métodos de disparo mais usados são o controle por deslocamento de fase e. caso o SCR esteja conduzindo no meio ciclo positivo. Para que o SCR permaneça sempre conduzindo. levando o SCR ao corte. Nesse caso. como já vimos. o gate receba um pulso de disparo. uma rede para deslocamento de fase é constituída por um resistor variável (potenciômetro) e por um capacitor ligados em série. Deslocamento de Fase O controle do SCR por deslocamento de fase é um tipo de circuito que emprega uma malha de defasagem com resistor e capacitor (RC). Em função do sincronismo desse pulso. é necessário que a cada meio ciclo positivo. no circuito RC série em CA.Eletrônica II Observe que. na mudança para o meio ciclo negativo.

a tensão de saída (VS) será a mesma tensão de entrada (VE). Nesse caso. o circuito apresentará a configuração mostrada a seguir. dependendo do valor ajustado para o resistor R. Considerando-se o valor do potenciômetro igual a zero. Portanto. A figura a seguir mostra a forma de onda do circuito onde VC está em fase e com o mesmo valor de VE. uma forma de onda está sobreposta em relação à outra. 306 SENAI . e a defasagem entre ambas é de 0o (zero grau).Eletrônica II A tensão de saída (VS) varia em relação à tensão de entrada (VE) de zero até aproximadamente 90o.

a tensão total também vai se dividir numa proporção muito maior para o potenciômetro do que para o capacitor. tem-se o circuito elétrico e as formas de onda por ele geradas. Quando o valor do potenciômetro for 20 vezes maior que a reatância capacitiva (XC). Na figura a seguir. Isso provoca uma defasagem na tensão sobre o capacitor. variando o valor do potenciômetro de zero ao máximo. teremos uma defasagem da tensão de saída variando de zero até próximo de 90o. adotamos a tensão do capacitor (VC) como tensão de saída (VS). Quanto maior a resistência do potenciômetro. a defasagem será próxima de 90o. Como o valor ôhmico do potenciômetro é maior do que XC. Para concluir.Eletrônica II À medida que a resistência do potenciômetro é aumentada. Então. SENAI 307 . maior a defasagem. insere-se mais resistência em série com o capacitor. Pode-se observar que a tensão EC está defasada (em atraso) com relação à tensão de entrada.

O gráfico a seguir mostra o gate alimentado com a tensão VGK em fase com a tensão VAK. provocando com isso o disparo. há necessidade de uma tensão mínima de ânodo-cátodo para que. então. No momento "t".Eletrônica II Controle do SCR por deslocamento de fase Como vimos anteriormente. sob uma determinada tensão de gate. a tensão de alimentação do gate ultrapassa o valor mínimo de VG. Sobre a carga obtém-se. Mostra também a tensão mínima do gate necessária para dispará-lo. a seguinte forma de onda: 308 SENAI . o SCR dispare.

a tensão mínima do gate VGmin será ultrapassada em momentos diferentes dentro dos 180o do semiciclo positivo. No circuito a seguir. cria condições para alterar o momento de disparo do SCR. Com isso. Esse circuito permite um deslocamento da tensão do gate VG em relação à tensão ânodo-cátodo (VAK). Através do circuito de deslocamento de fase que supre o gate do SCR.Eletrônica II Muitas vezes. temos um controlador de disparo do SCR por deslocamento de fase com um circuito RC. Esse circuito apresenta a desvantagem de controlar apenas até 90o do semiciclo positivo. utiliza-se um circuito deslocador de fase. Além disso. Nesse caso. SENAI 309 . é necessária uma faixa maior de controle do ponto de disparo do SCR dentro de todo o semiciclo positivo (0 a 180o). é possível fazer com que VG se atrase em relação a VAK.

só pode ser exercido até 90o. por causa dessas características esse controle. Para uma carga que necessite funcionar com onda completa. ao se variar o valor do potenciômetro. é necessária a introdução de um DIAC no circuito. utiliza-se o artifício de retificar a tensão alternada através de uma ponte retificadora e entregar esta corrente contínua ao circuito do SCR e da carga. Porém. 310 SENAI . É um circuito retificador de meia onda.Eletrônica II A malha RC propicia a tensão de disparo do gate do SCR e permite que. haja um atraso da tensão presente no gate com relação à tensão de entrada. Esse circuito permite controlar cargas alimentadas por CC com tensão variável. Sua otimização é obtida acrescentando-se ainda mais um resistor e um capacitor que permitem a estabilização do circuito. Para que se controle os 180o do semiciclo positivo.

é necessário ter conhecimentos anteriores sobre: CA. Neste capítulo. Sua principal característica é possibilitar um controle mais perfeito e econômico da corrente alternada. cuja denominação provém de uma sigla inglesa que significa triodo de corrente alternada. estudaremos as características e empregos desse componente. o TRIAC é um tiristor bidirecional. O TRIAC conduz corrente em ambos os sentidos. DIAC e UJT. tal qual o SCR. TRIAC Assim como o DIAC.Eletrônica II TRIAC O TRIAC é um dispositivo semicondutor. possui um terceiro terminal. A figura a seguir mostra a representação esquemática de um TRIAC e seu respectivo símbolo. Para estudar esse conteúdo com mais facilidade. através do qual se faz o controle da corrente. A diferença entre um e outro é que o TRIAC. É um comutador de corrente alternada com três eletrodos. conforme a polaridade positiva ou negativa no gate. SENAI 311 . SCR.

Nesse circuito. enquanto V2 permanece em corte. desde que receba um pulso em seu gate. 312 SENAI . ele é usado para substituir o SCR em situações em que se necessita um aplicação de baixa potência. Nessa condição. A figura a seguir mostra o circuito equivalente a um TRIAC. montado a partir de dois SCRs. o SCR V1 está em condição de conduzir. controle de iluminação ou de temperatura.Eletrônica II A potência do TRIAC é menor que 100 A e 1kV. inversamente. quando o terminal T2 é mais positivo que T1. o SCR V1 fica diretamente polarizado e V2. Por isso. tais como controle de velocidade de pequenos motores.

a situação se inverterá. Nesse caso. Observação Aos terminais (T) do TRIAC não se aplicam as denominações ânodo e cátodo. por sua vez. a construção do TRIAC difere do modelo. mas usam-se os coeficientes 1 e 2 (T1 e T2) para designá-los. e V1. à condução. estará inversamente polarizado ou em corte. o SCR passará à condição de polarização direta e. portanto. Os terminais não podem ser invertidos porque.Eletrônica II Se a polaridade da tensão aplicada for invertida. SENAI 313 . O terminal T1 serve como referência para aplicações de pulsos de gate. apesar de o circuito equivalente apresentar dois SCRs.

Para estas modalidades (.T2 positivo e gate negativo (Quadrante I) + III . Essa propriedade torna-o imune aos transientes elétricos. A corrente que flui através dele é limitada apenas pela resistência do circuito externo.I e muito pequena para a + III.I e + III). 314 SENAI .Eletrônica II Curvas características do TRIAC As curvas características do TRIAC apresentam um aspecto simétrico. o TRIAC entra em estado de condução. vemos que a condução do TRIAC ocorre nos quadrantes I e III.III . se a tensão entre T1 e T2 não ultrapassar a tensão de ruptura (VBO).III. No esquema das curvas características. dispensando o uso de dispositivos de proteção. A eficiência é menor para a modalidade .T2 negativo e gate positivo (Quadrante III) .T2 negativo e gate negativo (Quadrante III) Os dispositivos fabricados atualmente são mais eficientes para as modalidades + I e . desde que ao seu gate sejam aplicados sinais disparadores.I . Quando a tensão de ruptura é ultrapassada. e não conduz. Funcionamento O TRIAC permanece em bloqueio enquanto não houver sinal no gate. o que torna possível as seguintes modalidades de funcionamento: + I . Estes sinais são positivos ou negativos.T2 positivo e gate positivo (Quadrante I) . o TRIAC não deve ser usado.

então. ligado a um capacitor carregado. de comando a distância. com duração de microssegundos. Assim. ou seja. de controle de temperatura. o TRIAC é disparado por um relé reed. ser feito por termostato. por corrente contínua. SENAI 315 . ele pode ser usado em circuitos: • • • • comutadores estáticos para corrente alternada. Comutador estático para corrente alternada Nesse circuito. ou. interruptor a pressão. O TRIAC pode ser acionado por corrente alternada. que pode ser substituído por outros elementos de controle. Variações: a) circuito disparado por uma fonte CC em qualquer polaridade. por fontes de pulsos. O controle do circuito pode. comutador para controle de fase.Eletrônica II O disparo do TRIAC ocorre pela aplicação de sinal positivo ou negativo no gate. uma vez que a corrente que atravessa os contatos do interruptor é mínima. microrrelês etc. lâmpadas néon ou diodos de disparo (DIAC). o que constitui excelente fonte de pulsos. Aplicações do TRIAC O TRIAC é utilizado em circuito com aplicações variadas. aparece uma resistência negativa que provoca a descarga repentina do capacitor. No DIAC. transistor de unijunção.

Assim. Comando a distância O circuito a seguir pode ser usado em sistemas que necessitem de pouca potência e de baixa tensão no circuito de controle.Eletrônica II b) circuito disparado por sinal elétrico alternado de qualquer freqüência. por exemplo. Ele permite ligar. se o transformador T1 for sintonizado para responder apenas a determinadas freqüências. a distância equipamentos ou conjuntos de lâmpadas como os usados para evitar choques ou prevenir incêndios. o circuito pode ser usado em sistemas de controle remoto. 316 SENAI . O circuito acima pode ser aperfeiçoado.

estufas. e o enrolamento N2. depósitos de líquidos. o que provoca um aumento de corrente. É um circuito de baixo custo e de alta precisão.Eletrônica II Esse circuito utiliza um pequeno transformador para isolar magneticamente o circuito de potência do TRIAC do circuito de disparo do gate. mantendo o TRIAC em corte S1 aberta. de maior tensão. Circuito de controle de temperatura O circuito a seguir serve para controlar temperatura automaticamente. de menor tensão. deve-se ajustar R1 para o valor máximo. Quando S1 é fechado. uma baixa impedância é refletida no enrolamento N1. O aumento de corrente provoca também aumento de tensão sobre R1 que. ao interruptor S1. fica ligado ao gate do TRIAC. SENAI 317 . ao atingir o ponto de comutação do TRIAC. Para evitar disparos acidentais. aquecedores. dispara-o e alimenta a carga. O enrolamento N1. empregado para regular a temperatura de fornos. Observação R1 deve ser ajustável.

qualquer que seja a temperatura desse dispositivo. A tensão sobre o capacitor C1 cai rapidamente até zero. Neste circuito. variações contínuas entre as temperatura máxima e mínima. Ao disparar. o DIAC leva o TRIAC à condução. Ao ligar o circuito. desse modo. R3 incorpora o circuito como dispositivo de controle de estabilidade. No semiciclo seguinte. é necessário elevar gradativamente o valor de R1 até que a corrente que circula por ele seja suficiente para carregar o capacitor C1 ao ponto de disparo do DIAC. 318 SENAI . evitando. Comutador por controle de fase Outro exemplo de aplicação do TRIAC é em um circuito de um comutador de CA por controle de fase.Eletrônica II O termistor R2 é o elemento sensor de temperatura e deverá apresentar resistência de 5 kM na temperatura de operação. o controle de fase é realizado pelo resistor R1 com o capacitor C1. o capacitor começa a se carregar no sentido contrário para disparar o DIAC e o TRIAC. O ajuste de R3 proporciona satisfatória estabilidade.

A diminuição dessa tensão só ocorrerá se o valor do resistor R1 for reduzido. no momento em que é ligado. devido a rapidez de comutação do TRIAC.Eletrônica II A partir do segundo ciclo. Variações do circuito por controle de fase O circuito a seguir é o chamado circuito com duas constantes de tempo. largamente empregado no controle de iluminação ("dimmer") ou no controle de velocidade de pequenos motores (furadeiras. Isso se deve a assimetria dos disparos do DIAC e do TRIAC. com a descarga rápida do capacitor e a inversão da polaridade da fonte. Esse circuito apresenta o inconveniente de. C2 e R1. Observe que foi colocado um resistor em série com o DIAC para evitar descarga rápida do capacitor. C4 descarrega-se rapidamente. como também pelo efeito de histerese do capacitor. C1. pois o resistor R4 dificulta sua descarga instantânea e aumenta a constante de tempo RC. C3 mantémse carregado. R4 e C4 têm a função de diminuir o efeito da histerese. Em conseqüência.Com o disparo do DIAC. haverá maior queda de tensão sobre a carga. liqüidificadores). colocados à entrada do circuito. Colocou-se também um segundo capacitor. não permitir a obtenção de níveis baixos de tensão. Funcionamento . SENAI 319 . constituem um filtro que evita as interferências na rede. ventiladores. L1. o disparo do DIAC acontece com um ângulo menor.

Em conseqüência disso. varia a resistência de acordo com a intensidade da luz do ambiente. ou seja.Eletrônica II Quando o DIAC deixa de conduzir. por ser um sensor de luz. que quer dizer resistor que depende da luz). Através dele. obtém-se níveis baixos de tensão na carga. Quando o ambiente fica claro.carregado com tensão maior que C4 . O LDR (do inglês "light dependent resistor". não aciona o TRIAC. uma lâmpada com luminosidade mínima. Este.transfere parte de sua carga para C4 e a simetria dos disparos do TRIAC permanece constante em todos os ciclos. o capacitor C3 . Com este circuito é possível ligar. a resistência diminui e não permite que o capacitor C se carregue o suficiente para disparar o DIAC. 320 SENAI . No escuro. por sua vez. Com uma pequena alteração desse circuito é possível fazer também um controle automático de iluminação. Observação A presença do LDR quase não altera o funcionamento do circuito. a lâmpada é desligada ou a luminosidade por ele emitida é reduzida. regula-se a intensidade luminosa de uma lâmpada conforme a luminosidade do ambiente. a resistência é elevada. por exemplo.

que pode ser P ou N. Seu princípio de funcionamento e métodos de polarização se assemelham muito aos da válvula.Transistor de Efeito de Campo O transistor de efeito de campo(FET). Para caracterizá-los faz-se referência ao canal. IGFET (ou MOS-FET) de porta isolada.Eletrônica II FET . Assim temos: • • FET de junção (ou JFET). Transistores de efeito de campo Os transistores de efeito de campo ou FETs (do inglês field effect transistor) são transistores especiais que têm a capacidade de exercer o controle sobre um fluxo de corrente através de tensão aplicada em um terminal de comando. é controlado por tensão e caracteriza-se pela alta impedância de entrada e baixo ruído interno. Eles são usados principalmente em estágios iniciais de instrumentos de medição (osciloscópios. constituído de material semicondutor. A designação FET se aplica a toda uma família de componentes que funcionam pelo mesmo princípio. voltímetros eletrônicos) onde são necessárias altas impedâncias de entrada. O FET é o assunto deste capítulo. SENAI 321 . Observação O JFET e o IGFET podem ser produzidos na forma complementar do mesmo modo que os transistores.

Eletrônica II FET de junção (JFET) O JFET é constituído por um bloco de material tipo P ou N (também chamado de substrato). O canal pode ser do tipo P ou N e o bloco necessariamente será de um material oposto. formando um canal. Eles são fabricados em invólucros semelhantes aos transistores bipolares e seus símbolos são os mostrados a seguir. 322 SENAI . no qual é fundida uma barra de outro tipo de material semicondutor levemente dopada. fortemente dopado.

O substrato em torno do canal é chamado porta (em inglês "gate") e é representado pela letra G. designada pela letra S. pois o material do canal é menos dopado. representadas por G1 e G2. Nessa camada de óxido de silício são deixadas três janelas a fim de que sejam formados os contatos ôhmicos nas regiões N e P. SENAI 323 . A região do bloco é eletricamente ligada entre si e uma película de material isolante (óxido de silício) é depositada sobre ele. Essa região é maior dentro do canal. Uma das extremidades do canal é chamada de fonte (em inglês "source"). forma-se uma região de depleção (como nos diodos). A outra extremidade do canal é chamada de dreno (em inglês "drain") e é designada pela letra D.Eletrônica II Quando os dois materiais são unidos. Existem alguns FETs que apresentam duas portas.

há um alargamento dessa região e conseqüente estreitamento do canal.Eletrônica II Funcionamento Para compreender como o JFET opera. conectadas internamente e para entendermos o funcionamento do FET. As duas portas são. Se a tensão aumenta em sentido positivo. Quando VSG = 0. aparece a região de depleção. observe a representação esquemática do componente mostrada a seguir. vamos supor que essa é sua condição. na maioria das vezes. que tem sua condutividade diminuída. 324 SENAI . A figura a seguir mostra a conexão em curto entre a fonte e o dreno e um potencial ajustável entre fonte e porta (VSG ajustável).

uma vez que temos apenas uma junção PN inversamente polarizada e. portanto. Isso quer dizer que o canal apresenta resistência infinita. O gráfico a seguir mostra um gráfico da condutância do canal fonte-dreno (GSD) em função de VSG.Eletrônica II Observação A corrente da porta será desprezível. Este ponto é chamado de pinch-off ou pinçamento. que é então anulado. alta impedância de entrada. a camada de depleção ocupará todo o canal. quando VSD = 0. Se VSG continuar a aumentar. Observe que quando VSG é igual a Vp. GSD é igual a 0. SENAI 325 .

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Quando VSG se torna negativa, a condutância do canal aumenta consideravelmente. Todavia, a junção PN da porta fica polarizada diretamente e a impedância de entrada fica relativamente baixa. Região Ôhmica Agora deixaremos VSG = 0 e estudaremos o efeito de VSD sobre ID (corrente de dreno).

À medida que VSD aumenta em sentido negativo, a fim de garantir a polarização inversa na junção da porta, ID começa a aumentar. O aumento de VSD, aumenta a polarização inversa e faz a região de depleção se alargar mais na extremidade do dreno por causa da queda de tensão ao longo do canal. Para entender isso, vamos comparar o JFET com o circuito equivalente a seguir.

Os diodos D1, D2 e D3 representam a junção PN da porta, e a resistência, o canal. Se impusermos uma circulação de corrente pela resistência, haverá uma queda de tensão ao longo dela, de tal forma que D3 terá uma polarização inversa maior que D2 e esta maior que D1. 326
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Apesar do estreitamento do canal, a corrente de dreno é praticamente proporcional à tensão VSD. Essa região de operação é chamada de região ôhmica. Saturação Continuando com o aumento de VSD, a corrente do dreno e a queda de tensão interna também aumentam. A polarização inversa da porta, imposta pela queda de tensão do canal aumenta a camada de depleção até que a condição de pinçamento (pinch-off) seja atingida.

No ponto em que as regiões de depleção quase se tocam, a tensão VSD se iguala ao valor negativo da tensão de pinçamento (VSD = - VP). Nesse ponto, o valor da corrente de dreno é chamado de IDSS (ou ID-ON). Nesse ponto, pode-se dizer também que o JFET atingiu a saturação porque, mesmo se o valor de VSD continuar a ser aumentado, as regiões de depleção continuarão a crescer juntas, mantendo a corrente de dreno quase constante.

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Essa região de corrente de dreno é chamada de região saturada ou de corrente constante. Veja no gráfico a seguir a relação entre corrente de dreno e tensão fonte-dreno.

No gráfico, o ponto BVDSS representa o ponto que é atingido quando há um aumento muito grande de VSD. Ele é determinado pela tensão inversa máxima que a porta pode suportar e que não deve ser ultrapassada, pois isso provocaria uma avalanche e a corrente de dreno aumentaria consideravelmente. Para que isso não ocorra e não haja dano no componente, a corrente deve ser limitada com o auxílio de um resistor. O gráfico a seguir mostra as curvas características de um JFET de canal P para a corrente de dreno em função de VSD com diferentes valores de VSG.

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No gráfico pode-se observar que à medida que o valor de VSG aumenta, diminui o valor do pinçamento (pinch-off). Observação A tensão de pinçamento (pinch-off) é a tensão que deve ser aplicada entre fonte e porta para cortar a corrente de dreno.

Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOS-FET) Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (MOS), assim como os FETs de junção, são componentes unipolares cuja operação se baseia no controle da corrente por meio de campos eletrostáticos. Os MOS-FETs, também conhecidos como IG-FET diferem dos J-FETs pelo fato de apresentarem a porta isolada do canal através de um película de óxido de silício. Esses componentes são largamente empregados na construção de circuitos integrados devido a sua facilidade de integração. Como os J-FETs, o MOS-FETs apresentam três terminais: dreno, fonte e porta. A porta é constituída por um eletrodo metálico separado do canal por uma camada isolante de óxido metálico, formando a seqüência que deu origem à designação MOS: Metal - Óxido - Silício.

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Observação O substrato serve como base de montagem para o FET e pode ser usado em algumas aplicações especiais. Um quarto terminal ligado ao substrato pode ser usado como outra porta. A colocação da camada isolante entre porta e canal mantém a porta totalmente isolada. Isso confere aos MOS-FETs sua característica mais importante: a impedância de entrada extremamente alta (da ordem de 1015 Ω) sem a preocupação com a polaridade da porta. Existem dois tipos de MOS-FETs: depleção e enriquecimento.

MOSFET Tipo Depleção O MOSFET tipo depleção é um FET de porta isolada no qual o princípio de controle da corrente é semelhante ao J-FET, ou seja, por meio da depleção no canal. 330
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Esse FET é constituído por um substrato (bloco de sustentação), uma barra de material semicondutor (canal) e uma camada de depósito metálico isolada do canal, usada como elemento de controle (porta ou gate). Os MOS-FETs depleção podem ser de dois tipos: canal P ou canal N.

Seus símbolos diferem apenas no sentido da seta no terminal ligado ao substrato. A situação de isolamento entre porta e canal também está expressa graficamente no símbolo.

Funcionamento O princípio de funcionamento do MOS-FET é o mesmo do J-FET. Quando o terminal de porta não tem polarização, o movimento de portadores é livre no canal, propiciando o aparecimento de uma corrente entre fonte-dreno.

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332 SENAI . reduzindo a corrente IDS. Esse aspecto é expresso graficamente no símbolo pela linha cheia que liga dreno e fonte. normalmente condutor. A região de depleção tem comportamento igual à do J-FET: produz uma largura maior na camada de depleção junto ao dreno devido à queda de tensão provocada pela passagem da corrente.Eletrônica II O MOS-FET depleção é. A aplicação de uma tensão positiva à porta do MOS-FET tipo P (negativa no MOS-FET N) provoca o aparecimento de uma região de depleção no canal que reduz a sua área útil. portanto.

Eletrônica II O contato metálico da porta. porém. através do controle do potencial positivo da porta (MOS-FET P). bem como uma queda acentuada na impedância de entrada. O aumento do potencial positivo da porta provoca um estreitamento na área útil do canal. reduzindo a corrente IDS. Existe. Nos MOS-FETs depleção tipo P. Nos FETs de porta isolada não ocorre este problema porque o terminal porta é isolado do canal. a aplicação de um potencial negativo a porta provoca uma aumento de corrente IDS. SENAI 333 . Nos J-FETs. pois o efeito da porta se soma ao de potencial negativo do dreno. independentemente da polaridade dos terminais. o material isolante e o substrato P formam um capacitor cujo dielétrico é o óxido de silício. uma diferença singular entre os J-FET e os MOS-FET depleção. Desta forma. pode-se controlar a corrente no canal. a junção PN formada entre canal e porta não deve ser polarizada diretamente porque isso provocaria o aparecimento de uma corrente de porta.

a outra placa. 334 SENAI .Eletrônica II A figura a seguir mostra a curva característica de saída do MOS-FET P na qual se verifica que a porta pode receber tanto potencial positivo quanto negativo. Funcionamento Para facilitar a compreensão do funcionamento desse tipo de FET. o óxido de silício o isolante e o canal. Veja representação esquemática e símbolos a seguir. Sobre este conjunto estão depositadas uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta de controle. MOS-FET tipo enriquecimento O MOS-FET tipo enriquecimento é composto por duas pastilhas semicondutoras "isoladas" entre si pelo material semicondutor do substrato. vamos comparar esse componente a um capacitor no qual a porta seria uma das placas.

Eletrônica II Se a placa/porta for polarizada com tensão negativa. diminuindo a condutividade do canal. aumentando assim a condução do canal. Esta carga positiva induzida criará lacunas entre o dreno e a fonte. SENAI 335 . haverá um enriquecimento do canal e nele será induzida uma carga positiva (como no capacitor). Observe que o controle da corrente pode ser efetuado em ambas as polaridades de VSG. Por outro lado. O gráfico a seguir mostra a característica do dreno de um MOS-FET tipo P. receptores e voltímetros? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Quais são os dois tipos de FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Desenhe as baterias de polarização nos circuitos com J-FET. diminui o valor da corrente do canal até que a condutividade se torne zero (ponto de pinçamento ou pinch-off). Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a característica dos FETs que os torna ideais para a aplicação em estágios de entrada de osciloscópio. se a porta for polarizada com tensão negativa. haverá um enfraquecimento de campo. À medida que a tensão positiva é aumentada. fato que não ocorre com o J-FET Exercícios 1.

se o resistor é de 470 Ω e sua queda de tensão é de 6 V. qual é a corrente ID? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ g) Ainda considerando o circuito da questão f. se a tensão da bateria B2 for ajustada para – 5 V. o que acontecerá com os valores de: ID _____________________ VRD ____________________ VDS ____________________ 2.Eletrônica II d) Qual é a condição fundamental de polarização da junção porta-fonte dos J-FETs? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) Por que se forma uma região de depleção do canal quando o terminal porta está ligado ao terminal fonte? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando-se o circuito da questão f. Responda: a) Identifique com as notações adequadas a corrente de dreno e tensão dreno-fonte do ponto indicado na curva a seguir. 336 SENAI .

Assinale. d) O que é tensão de pinçamento? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 337 . a região na qual existe a maior linearidade no comportamento do FET como resistor controlado por tensão. também.Eletrônica II b) Como se comportam a resistência interna do canal e a corrente de dreno do J-FET quando a polarização inversa porta-fonte é aumentada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Identifique as regiões das curvas características mostradas a seguir.

Eletrônica II e) O que é IDSS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 3. qual é a diferença fundamental entre os J-FETs e os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Por que os FETs de porta isolada recebem a designação MOS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ d) O que se pode afirmar sobre a impedância de entrada dos MOS-FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) O que acontece com a corrente ID no MOS-FET tipo depleção canal N quando a tensão de porta é cada vez mais negativa? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando a corrente ID no mesmo tipo de MOS-FET da questão anterior. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as abreviaturas usadas normalmente para identificar os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Em termos de estrutura. o que acontece quando a tensão da porta é cada vez mais positiva? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 338 SENAI .

________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 339 .Eletrônica II ________________________________________________________________ g) Um MOS-FET tipo enriquecimento bloqueia ou permite a passagem de corrente (ID) com tensão de porta VGS = 0 V? Justifique sua resposta.

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________. São Paulo : 1993.Referências Bibliográficas SENAI-SP. São Paulo : 1993. Rio de Janeiro : 1984. Eletricista de Manutenção Il – Eletrotécnica. Eletrônica básica. SENAI-DN. SENAI 341 . Eletricista de Manutenção I – Eletricidade básica.

342 SENAI .

SENAI 343 . S. e outros. São Paulo : Editora Makron Books. U. MILLMAN. Robert e NASHELSKY. São Paulo : Editora Érica. Eletricidade Básica. Halkias. Dispositivos semicondutores. Eletrônica l.Bibliografia Indicada • Estes livros complementam os conteúdos da apostila. Navy. 1985. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 1994. Milton. Eletricidade Básica. São Paulo : Editora Hemus. BOYLESTAD. 1996. Não deixe de ler! MARQUES. Angelo. Louis. Rio de Janeiro : Editora PHB. GUSSOW. 1981. 1985. São Paulo : Editora Makron Books.

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