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PROJECTE FI DE CARRERA
TTOL:
AUTOR: Vzquez Labrador, Fernando L. TITULACI: ENGINYERIA TCNICA DE TELECOMUNICACIONS DIRECTOR: Jos Matas Alcal DEPARTAMENT: E.E.L. DATA: 27 de Junio del 2008
1:48 1:48
TTOL:
COGNOMS: Vzquez Labrador TITULACI: Eng. Tc. Telecomunicacions ESPECIALITAT: Sistemes Electrnics
NOM: Fernando L.
PLA: 95
TRIBUNAL
No
1:48 1:48
PROJECTE FI DE CARRERA
Estudiar, disear e implementar un convertidor de medio puente con control complementario (Half Bridge with Complementary Control). Se quiere disear este convertidor para tensiones continuas elevadas de entrada, del orden de 150V, 200V o 400V, y tensiones continuas de salida aplicables a sistemas de Telecomunicacin, con valores del orden de 15V, 24V 48V. La regulacin del convertidor se realiza mediante un control en modo deslizamiento donde se comparan las tensiones de error (la tensin de salida menos un valor de referencia) con el valor medio de la tensin de salida de los diodos rectificadores del convertidor. Este valor medio se obtiene de forma sencilla por medio de un simple filtro paso bajos realizado con un condensador y una resistencia. Para llevar a cabo este proyecto se han tenido que realizar diversos prototipos en placas de circuito impreso y realizar un buen nmero de pruebas en el laboratorio.
Paraules clau (mxim 10): Convertidor Mosfets Control Half-Bridge Complementario Potencia
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A mi familia, y en especial a mis padres, por su apoyo, comprensin y paciencia. Os quiero A mis amigos, Manuel,
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INDICE
INTRODUCCIN .............................................................................................. 5 ANTECEDENTES ........................................................................................... 6-7 OBJETIVOS....................................................................................................... 8 COMPARATIVA DE LAS DIFERENTES TOPOLOGAS ................................... 9 Convertidor Flyback ....................................................................................... 9-10
EL CONVERTIDOR HBCC .......................................................................... 14 Tendencia en los convertidores de bajo consumo .......................................... 14 Anlisis y estudio del convertidor HBCC ................................................. 15-16 5.2.1. Estructura del convertidor HBCC .......................................................... 17 5.2.2. Anlisis matemtico ........................................................................ 17 a 19 5.2.3. Ecuaciones de estado ....................................................................... 19 a 21 5.2.4. Aplicacin del modelo bilineal .......................................................... 21-22 5.2.5. Rgimen estacionario ........................................................................ 22-24
CONSTRUCCION DEL CONVERTIDOR ........................................................ 25 Rectificacin y Filtro de salida. ..................................................................... 25-26 Circuito de control. Driver. .......................................................................... 26-27
6. 6.1. 6.2.
6.2.1. Circuito de Boostrap ........................................................................ 27 a 30 6.2.2. Tiempo muerto o Blank Time ......................................................... 31 a 33 6.3. Eleccin de los transistores del Puente ...................................................... 34-35 6.3.1. Prdidas en los semiconductores ....................................................... 36-37 6.4. Circuito de ayuda a la conmutacin. ....37-38 6.4.1. Diseo de la Red Snubber..38 a 41 Diseo y construccin del Transformador................................................. 41-42 6.5. 6.5.1. Diseo del ncleo ............................................................................ 42 a 44 6.5.2. Clculo de los devanados ................................................................ 44 a 47 6.5.3. Seccin del hilo para bobinar .......................................................... 47 a 51 6.6. Diodos rectificadores. ..................................................................................... 51 6.7. Diseo del inductor de salida ......................................................................... 52 6.8. Condesandor del filtro de salida. ............................................................... 52-53 6.9. Sistema de cargas..................................................................................... 53 a 55
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6.10.
Lazo de control. .............................................................................................. 55 6.10.1. Descripcin del sistema ................................................................... 56 a 60 6.10.2. Control en modo deslizamiento ....................................................... 60 a 62 6.10.3. Simulacin del convertidor.............................................................. 62 a 64 6.10.4. Realizacin de la superficie de control ............................................ 65 a 76 PLANOS Y DISEO DE LA PCB.77 a 85 RESULTADOS EXPERIMENTALES ......86 a 98
7. 8. 9.
10. 11.
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1.
INTRODUCCIN.
Las fuentes de alimentacin conmutada son aquellos sistemas de alimentacin cuyos componentes activos trabajan en rgimen de conmutacin, generando seales variables en el tiempo. Estos sistemas absorben energa de la red cuando sta es requerida por el circuito de utilizacin y siempre en la cantidad solicitada por dicho circuito. Adems, por emplear altas frecuencias de conmutacin, el tamao del transformador de potencia y los componentes asociados al filtrado en la fuente de alimentacin conmutada son drsticamente reducidos en comparacin con la fuente de alimentacin lineal. Esto significa que un diseo de fuente de alimentacin conmutada presenta una compactacin y ligereza de peso en la fuente, debido a que el elemento que mayor volumen y peso posee es el transformador.
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2.
ANTECEDENTES.
El compromiso de las nuevas tecnologas y de los sistemas de informacin respecto a lo que nos demanda la sociedad actual y el cuidado y respeto al medio ambiente y a nuestro entorno urbano hacen de sta, que se lleve a una electrnica de bajo consumo. Sin duda, eso repercutir tambin en una disminucin de la potencia, pero los nuevos sistemas de Telecomunicacin requieren de sus fuentes de alimentacin, en cambio, que stas les entreguen una alta corriente, una regulacin firme y una respuesta transitoria rpida. Las consecuencias de esta reduccin en la potencia consumida influirn negativamente en el rendimiento y prestacin de los convertidores. El principal problema que se nos plantea es la disminucin de la eficiencia asociada a la reduccin de la tensin de salida. Adems, en este tipo de convertidores de alta frecuencia, la eficiencia juega un papel importante en las dimensiones finales y la densidad de potencia, mientras que las prdidas y la disipacin trmica son la mayor limitacin que determina el resultado final.
En un equipo alimentado por bateras, la energa almacenada est limitada, y por tanto, la eficiencia es la caracterstica principal del convertidor. La eficiencia repercute directamente sobre la temperatura del convertidor: a menor eficiencia, mayor prdida de potencia, y por tanto, ms grande tendr que ser el sistema de disipadores de calor. En la actualidad los nuevos circuitos integrados precisan de fuentes de alimentacin que sean capaces de suministrar bajas tensiones con una regulacin muy fina y una respuesta transitoria rpida frente a corrientes con slew-rates elevados. Para dichas cargas, existen dos grandes grupos de topologas, dependiendo de la tensin de entrada del convertidor: Pgina6
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1) Topologas no aisladas para tensiones de entrada reducidas (alrededor de 5V), tales como bucks sncronos. 2) Topologas con aislamiento galvnico para tensiones de entrada elevadas (alrededor de 48V), tales como el push-pull, el flyback, el puente completo o Full Bridge, el medio puente o Half Bridge, etc.
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3.
OBJETIVOS.
El objetivo de este proyecto es el diseo y construccin de un convertidor de medio puente con control complementario y conmutado a alta frecuencia, es lo que llamaremos como HBCC (Half Bridge Control Complementary). Partiremos de un estudio previo de los diferentes convertidores y su funcionamiento con especial nfasis a aquellos sistemas con aislamiento galvnico, ya que nos proporcionan tensiones de entrada mucho ms elevadas. A continuacin nos centraremos en el estudio y simulacin del convertidor HBCC, explicando sus ventajas y desventajas, y seguidamente a su posterior diseo y realizacin. Para el diseo del lazo de control, hemos optado por uno de tipo PID analgico formado por operacionales que actuar sobre un modulador de ancho de pulso PWM que controlar el driver que activar la entrada del semi-puente del convertidor. Se ha intentado priorizar ante todo, aumentar la eficiencia del convertidor y a partir de esta premisa evolucionar a un diseo de ste mucho ms reducido y compacto.
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4.
El convertidor DC-DC se constituye, en primer trmino de una fuente de tensin continua, compuesta, por ejemplo, por un variador de tensin junto a un puente rectificador y un condensador de filtrado de la seal de rizado, que proporciona al equipo la potencia a transferir, un elemento almacenador de energa, que ser el transformador, que junto a un modulador de anchura de pulsos PWM a travs de un control (digital o analgico) son los elementos que nos permiten la regulacin de la tensin, un filtro para reducir el rizado de salida, la carga a la cual queremos suministrar la energa y finalmente un elemento de control que regular el funcionamiento de todo el circuito. A continuacin haremos un breve repaso a las diferentes tipos de topologa existentes, explicando sus ventajas y su configuracin tpica.
4.1.
Convertidor Flyback.
Dada su sencillez y bajo costo, es la topologa preferida en la mayora de los convertidores de baja potencia (hasta 100 W). En la figura se muestra la topologa de esta fuente conmutada.
Cuando T1 conduce, la corriente crece linealmente en el primario del transformador, diseado con una alta inductancia para almacenar energa a medida que el flujo magntico aumenta. Pgina9
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La disposicin del devanado asegura que el diodo D est polarizado en sentido inverso durante este perodo, por lo que no circula corriente en el secundario. Cuando T1 se bloquea, el flujo en el transformador cesa generando una corriente inversa en el secundario que carga el condensador a travs del diodo alimentando la carga. Es decir, en el campo magntico del transformador se almacena la energa durante el perodo ON del transistor y se transfiere a la carga durante el perodo OFF (FLYBACK). El condensador mantiene la tensin en la carga durante el perodo ON. La regulacin de la tensin en la salida se obtiene mediante comparacin con una referencia fija, actuando sobre el tiempo ON del transistor, por tanto la energa transferida a la salida mantiene la tensin constante independientemente del valor de la carga o del valor de la tensin de entrada. La variacin del perodo ON se controla por modulacin de ancho de pulso (PWM) a frecuencia fija, o en algunos sistemas ms sencillos por auto-oscilacin variando la frecuencia en funcin de la carga. Caractersticas principales: Disparo sencillo del transistor de potencia. Diseo Simple. Elevado rizado a la salida. Utilizacin no optimizada del transformador Proteccin ante el c.c. de salida inherente. VT 1 > E + ( N P / N S ) VOUT , para:
VT 1 = Tensin en el interruptor
E = Tensin de entrada
N P = N de espiras del devanado primario
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4.2.
Convertidor Forward.
la corriente crece en el primario del transformador transfiriendo
Cuando los conmutadores T1 y T2, que estn controlados por el mismo driver, estn en conduccin ON, energa al devanado secundario. Como quiera que el sentido de los devanados el diodo
el transformador se
desmagnetiza mediante los diodos D1 y D2, devolviendo la energa a la entrada. Contrariamente al mtodo Flyback, la inductancia cede energa a la carga durante los perodos ON y OFF, esto hace que los diodos soporten mitad de la corriente y los niveles de rizado de salida sean ms bajos.
D1
T1
TRAFO
D3
L1
+
D4
+ C1
Rc
D2
Vout -
T2
LO
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Caractersticas principales: Disparo sencillo del transistor de potencia. Simple. Bajo rizado a la salida. Utilizacin no optimizada del transformador Mala respuesta dinmica. VT > 2 E , para:
VT = Tensin en el interruptor E = Tensin de entrada
Se utiliza para corrientes elevadas de salida y poca potencia. El transformador no necesita devanado desmagnetizador.
4.3.
Convertidor Push-Pull.
Esta topologa se desarroll para aprovechar mejor los ncleos magnticos. En esencia consisten en dos convertidores Forward controlados por dos entradas en contrafase. Los diodos D1 y D2 en el secundario, actan como dos diodos de recuperacin. Idealmente los perodos de conduccin de los transistores deben ser iguales, el transformador se excita simtricamente y al contrario de la topologa Forward no es preciso prever entrehierro en el circuito magntico, ya que no existe asimetra en el flujo magntico y por tanto componente continua. Ello se traduce en una reduccin del volumen del ncleo del orden del 50% para una misma potencia.
Una precaucin que debe tenerse en cuenta en este tipo de circuitos es que las caractersticas de conmutacin de los transistores deben ser muy similares, y los
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devanados tanto en primario como en secundario han de ser perfectamente simtricos, incluso en su disposicin fsica en el ncleo. Tambin se ha de tener en cuenta, que los transistores conmutadores soportan en estado OFF una tensin doble de la tensin de entrada.
Simple. Posible desbalance del flujo Riesgo de asimetra. Buena utilizacin del transformador. Buen filtrado a la salida. Se utiliza para potencias elevadas.
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5.
EL CONVERTIDOR HBCC.
5.1.
Buscar compromisos de diseo, como reducir su volumen y el nmero de elementos magnticos y disipadores es la tendencia en la realizacin de convertidores de hoy. Para reducir el nmero de de elementos magnticos y su tamao, se tiende a dos objetivos: aumentar la frecuencia de conmutacin y aplicar tcnicas de integracin magntica. Tericamente la frecuencia de conmutacin se puede incrementar sin lmites con la idea de conseguir bajos perfiles en los componentes magnticos. Pero los componentes parsitos de estos elementos y del trazado de las pistas del circuito, no permiten obtener conversiones de potencia suficientemente eficientes y frecuencias altas de conmutacin. Los temas de integracin magntica han avanzado mucho estos ltimos aos. La bsqueda de estructuras que integren los diversos elementos magnticos de un convertidor (tpicamente transformador y bobina con tecnologa planar) y la posibilidad de realizar estos elementos con formas y perfiles a gusto del usuario, hacen que se consigan densidades de potencia elevadas. Con los bajas tensiones y elevadas corrientes solicitadas a estos convertidores, la potencia de prdidas en los diodos rectificadores supone un 20-30% de la potencia de entrada y del 50-60% de la potencia total disipada para el convertidor. Adems, este porcentaje aumenta a medida que disminuye la tensin de salida.
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5.2.
El convertidor de medio puente con control complementario (HBCC) es un convertidor de los habitualmente llamados de onda cuadrada, que se utiliza en aplicaciones de baja tensin y elevada corriente, destinadas a la alimentacin de sistemas de telecomunicacin principalmente, elevada tensin de entrada y que requiere de una tensin continua de salida que suele ser de 48V, o bien tambin para microprocesadores y sistemas digitales, donde se dispone de una tensin continua ms baja (5V). El hecho de que se haya escogido este tipo de convertidor y no otro responde a un planteamiento de reduccin de: Volumen Nmero de elementos magnticos Disipadores Una de las grandes ventajas de este convertidor es la reduccin de las dimensiones de la bobina del filtro de salida si este opera con ciclos de trabajo cercanos al 50% o ciclos de trabajo complementarios. Cuando hablamos de control complementario nos referimos al control de los transistores S1 y S2 que nos permite una conmutacin suave sin tener que utilizar inductancias auxiliares en el primario del transformador, ni redes de conmutacin adicionales. Respecto a sus inconvenientes, destacaramos principalmente, que la tensin de entrada ha de presentar pocas variaciones. Esto hace que su uso sea aconsejable en sistemas de alimentacin distribuida donde existe una etapa previa que proporciona una tensin de bus bastante estable y que corrige el factor de potencia. En este proyecto, se ha solucionado este inconveniente con un transformador para aislarlo de la red, conectado a un autotransformador a la entrada y una etapa rectificadora a la salida. De todas formas, el hecho de que tenga un rendimiento elevado y sumado al hecho de que cada vez ms, las etapas primarias de conversin en sistemas distribuidos son cada vez mejores y ms estables, lo hacen que sea una solucin atractiva para este proyecto. Pgina15
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Otro de los inconvenientes son los tiempos muertos que aparecen en las formas de tensin en el secundario de los devanados. Esto es debido a su estructura, donde los transistores MOSFETS estn conectados en serie a la rama de alimentacin, con lo que, a altas frecuencias, corremos un serio riesgo de poder cortocircuitar la lnea. Para tal caso, existen circuitos llamados de blank time con el que solventaremos este problema, en parte, pero que contrapartida nos incidir en un menor rendimiento de nuestro convertidor. Respecto a la frecuencia de conmutacin, nos vendr limitada por los elementos parsitos de los componentes magnticos que componen el sistema, por lo que tendremos que buscar un compromiso de trabajo entre la frecuencia de conmutacin y las prdidas por conversin de potencia. Hay que recordar que a mayor frecuencia, menor volumen de los componentes, pero menor rendimiento del convertidor. Como hemos sealado anteriormente, un aspecto que afecta profundamente al convertidor, es la tensin de entrada de la fuente de alimentacin. En nuestro caso ser elevada y tendremos que utilizar una topologa aislada galvnicamente para convertir 200 400 V (tensin de entrada) a 24V 48 V (tensin de salida).
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5.2.1. Estructura del convertidor HBCC. En la figura 5.2. nos muestra el esquema del convertidor HBCC. Los interruptores S1 y S2 conducen durante un tiempo DT y (1-D)T respectivamente, siendo T el periodo de conmutacin y D el valor en rgimen permanente del ciclo de trabajo.
5.2.2. Anlisis matemtico. El convertidor trabaja en modo de conduccin continuo, en consecuencia las reas tanto positivas como negativas de la variable VM (tensin inductancia magnetitzante) tendran que ser iguales
[1] [2]
VC1 + VC 2 = E
VC1 D T = VC 2 (1 D) T
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[3] [4]
VC1 = E (1 D)
VC 2 = E D
Que resultan ser las cadas de tensin en los condensadores C1 y C2 y que tienen gran relevancia, ya que al estar relacionadas con la relacin del transformador
[5]
n1 V1 = n 2 V2
nos permiten tener el valor medio de VF y por consiguiente obtener tambin el valor de tensin de salida:
[6]
Vo = (n1 + n2 ) D (1 D) E
A continuacin se muestran las principales formas de onda que aparecen en el convertidor HBCC, y que corresponden a la tensin y corriente en el inductor primario V L y i L , a la tensin y corriente en la entrada del filtro de salida VF y
i F , y a la corriente en la inductancia magnetizante i M .
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Fig 5.3.
conduccin continuo.
5.2.3. Ecuaciones de estado Tomaremos las ecuaciones de estado considerando S1 en conduccin y definiendo el dutty cycle como D =
TON . T
Llamamos TON al tiempo en que S1 est en estado ON. una mejor comprensin del anlisis
Definiremos las
corrientes tal y como estn dibujadas en la fig. 5.2 y dibujaremos el circuito para
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C1
n
LF
Lm
1
E
C2
CF
RL
Por tanto, aplicando Kirchoff sacamos las ecuaciones diferenciales que buscamos para el tiempo comprendido entre 0 < t < D T
[10]
Lm
dim = vC1 = E v C 2 dt
[11]
LF
di L = n ( E vC 2 ) vO dt
[12]
C eq
dvC 2 dE = im1 + n1 i L + C1 dt dt
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[13]
CO
dvO v = iL O dt R
Procedemos de forma anloga cuando S2 es el que est en conduccin y S1 en corte, es decir, el intervalo de tiempo que va desde D T < t < T
[14]
Lm
dim = (vC 2 ) dt
[15]
LF
di L = ( n vC 2 vO ) dt
[16]
C eq
dvC 2 dE = im1 + n2 i L + C1 dt dt
[17]
CO
dvO v = iL + O dt R
5.2.4. Modelo Bilineal A partir de las ecuaciones anteriores y considerando la u como una variable de entrada del sistema, conseguiremos agrupar los cuatro pares de ecuaciones en un modelo bilineal del convertidor HBCC, vlido cuando el sistema est en modo de conduccin continua. La variable u , ser discreta y solamente puede tomar valores de 0 1, en los intervalos de tiempo D T y (1 u ) respectivamente.
De esta manera, los trminos que aparecen en el intervalo temporal D T , estarn multiplicados por u , mientras que los que aparecen en el intervalo
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(1 D) T , lo estarn por el trmino (1 u ) . Para simplificar, los dos secundarios sern simtricos, es decir, tendrn la misma relacin de espiras n respecto al primario. El modelo ser por tanto el siguiente:
[18]
dim 1 = (u E vC 2 ) dt Lm di L 1 = [u n E + (1 2u ) n vC 2 vO ] dt LF
[19]
[20]
[21]
A partir de las ecuaciones diferenciales, podemos obtener las condiciones en rgimen estacionario, igualando a cero las derivadas temporales:
v 1 (u E vC 2 ) u = C 2 Lm E
[22]
0=
[23]
0 = (im + n iL ) im = iL n
v v 1 (iL O ) iL = O R R CO
[24]
0=
[25]
0 = (u n1 E n1 u vC 2 + (1 u ) n2 vC 2 vO )
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E E (E
[26]
VC 2 =
4v O ) n1 + n 2
[27]
E=
y lo sustituimos en la ecuacin
[28]
VC 2 =
E 2
esta ser la condicin lmite. Razonable, teniendo en cuenta el divisor capacitivo que realiza con el condensador C1. Si analizamos la solucin de la ecuacin, encontramos 2 casos:
4v O n1 + n 2
1. Si
E<
2. Si E
convertidor regular.
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E . 2
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6.
6.1.
El primer obstculo ante el cual nos encontramos a la hora de realizar nuestro diseo es la tensin de alimentacin desde donde alimentaremos nuestro convertidor, que al ser este un DC/DC, la tensin de red debe ser previamente elevada, rectificada y posteriormente filtrada con una amplitud de rizado aceptable. Para ello utilizaremos un VARIAC de 0 a 500 V, compuesto por un autotransformador con el que variaremos la tensin de entrada y un transformador (relacin de transformacin 1:1) con el que aislaremos nuestra tensin de alimentacin de la red convencional.
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A continuacin dispondremos de un puente rectificador que nos rectificar la seal alterna. Como filtro de salida colocaremos un condensador electroltico de baja ESR (baja resistencia interna) y de la tensin adecuada.
6.2.
El circuito de manejo o driver es la parte del convertidor que controla la conmutacin de los MOSFETS del semi puente. Hay diversas formas de implementarlo, pero en la actualidad existen ya chips que realizan esta funcin de una forma sencilla, prctica y econmica, reduciendo el nmero de componentes utilizados para el cometido. Dentro del mercado existen varios tipos, con algunas pequeas diferencias. En nuestro caso, hemos elegido el IR21094, que se particulariza del resto de los que existen, en que tiene la posibilidad de implementar el tiempo muerto o Blank Time de conmutacin de los
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Otra de las caractersticas importantes, es que es muy utilizado para conmutar transistores MOSFETS de canal N o IGBTS con tensiones flotantes elevadas, de hasta 600V, parmetro que cumple con las especificaciones requeridas en nuestro caso.
La tensin de alimentacin del circuito de control de los transistores MOSFETS del puente estar en funcin de la tensin que necesitan estos. Hemos de tener en consideracin que para reducir las prdidas de potencia en conduccin de los transistores es ms conveniente que trabajen en la zona hmica que no en la de saturacin por lo que hemos de intentar que VGS sea lo ms grande posible sin que lleguemos a superar la tensin de ruptura. Una caracterstica importante de los circuitos driver es la tensin que aguanta el pin VS (ver fig. 4.2). Cuando el transistor Q1 de la figura est en ON y el transistor Q2 est en OFF en este terminal se tiene con respecto a masa la tensin del puente +VPOT.
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La tensin VBS ( V B VS ) alimenta al driver que excita el transistor de la parte alta del semipuente. La tensin VBS es una tensin flotante, que se expresa tomando como referencia
El mtodo ms utilizado para conseguir esta tensin y ms utilizado en los circuitos integrados comerciales es mediante la tcnica del bootstrap, que normalmente suele salir especificado ya en las diferentes aplicaciones de los circuitos driver. Es el ms simple y barato a nivel de coste y complejidad de diseo.
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El circuito boostrap opera de la siguiente forma: Cuando el transistor T1 est en corte y T2 en conduccin, el condensador C BS se carga a travs del diodo DBS llegando aproximadamente a la tensin de alimentacin de la fuente externa, en nuestro caso +15V. Es necesario que la carga del condensador sea bastante rpida y que se produzca antes de la conmutacin del semi-puente, por ello, hemos incluido en el diseo un diodo shottky (MUR1520-D).
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Cuando T2 (Q2) pasa a corte y T1 (Q1) a ON, el diodo queda polarizado en inversa (ver Fig.4.4.) por lo que evita la descarga del condensador hacia la fuente y polariza el driver con el cual alimenta al transistor T1, con lo cual este puede pasar a estado ON.
El compromiso de diseo del condensador de bootstrap consiste entre ser suficientemente pequea como para cargarse rpidamente a travs del diodo y muy grande como para que tarde tiempo en descargarse y suministrar una tensin estable al driver durante el bloqueo de T1. Una buena aproximacin es tomar una solucin de compromiso en el cual el condensador CBS sea una 10 veces superior a la capacidad de entrada que presenta la puerta del MOSFET. [29]
De todas formas, hemos de tener en cuenta que este valor depender tambin de la frecuencia de trabajo del convertidor y del margen de funcionamiento del dutty cycle.
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En el medio puente, en el cual hay dos transistores conectados en serie, es importante reservar un tiempo muerto entre seales de activacin de los transistores del puente, para asegurar que los MOSFETS no conmuten a la vez, si no que lo hagan simultneamente, evitando as que se produzca un cortocircuito. Teniendo en cuenta que estamos trabajando con tensiones de entrada elevadas (400 VDC) y frecuencias de trabajo del orden de los 100 kHz, este aspecto es importante para evitar males mayores y asegurar que los dos transistores no coincidan nunca en conduccin.
La idea es retardar el tiempo de subida de los dos drivers. De esta manera ganamos un tiempo muerto, que evita los posibles solapamientos entre ambos. Con el driver IRF21094 tenemos la posibilidad integrada dentro de la misma circuitera de poder variar y ajustar esta variable.
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Se ha de buscar un compromiso para ajustar lo mximo posible este tiempo muerto en el cual ninguno de los dos transistores est en conduccin, ya que influir fuertemente en el rendimiento final del convertidor. Un tiempo muerto demasiado grande nos generar grandes prdidas ya que introduce mucho ruido a la seal de entrada del transformador.
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6.3.
En la electrnica de potencia, los semiconductores modifican de forma peridica la configuracin de un circuito, comportndose como interruptores que se abren y cierran segn una secuencia determinada. Los semiconductores controlados, tales como transistores MOSFET, tiristores, IGBTS, etc., permiten controlar el momento en que se requiere cambiar de estado (ventaja respecto al diodo). Ese control a pesar de ser origen de dificultades, aporta una mayor versatilidad. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere slo de una pequea corriente de entrada para cargar y descargar la puerta. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Destaca su alta impedancia de entrada, buena estabilidad trmica, alta velocidad de conmutacin y facilidad de poderlos paralelizar. Con el transistor se pueden hacer las conmutaciones mucho ms rpidas y por lo tanto se pueden conseguir funcionamientos a frecuencias mucho ms elevadas. Sin embargo, si no se toman precauciones las prdidas en la conmutacin pueden ser muy importantes, tiene poca ganancia con v/i grandes, su tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha de secundaria. Los IGBTs combinan ventajas tanto del MOSFET como del transistor BJT, aprovecha la facilidad de disparo del MOSFET y el tipo de conduccin del BJT, adems de poder controlar grandes corrientes con poca cada de tensin. Como contrapartida, el
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poco, lo que facilita la obtencin y control de la saturacin. La frecuencia de trabajo se puede elegir libremente y cuanto mayor es resulta ms fcil de conseguir el alisado de corriente. Todo este razonamiento lleva a elegir el transistor MOSFET como semiconductor a emplear en el convertidor HALF BRIDGE. Lo primero que debemos hacer para disear el convertidor es elegir un par de transistores MOSFET que sean capaces de gobernar el puente. La tensin nominal de entrada es de 400Vdc . Es tambin importante la corriente mxima de drenador, que en nuestro caso ser de 8A mximo. Deseamos tambin una resistencia en on (RDS on) y una capacidad Puerta-
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6.3.1. Prdidas en los semiconductores El uso de transistores MOSFETS supone que se haya de llevar un control de las
prdidas. Estas prdidas ocasionan estrs o fatiga en los semiconductores que a la larga tienen un efecto negativo en la fuente conmutada. Los transistores MOSFETS presentan dos tipos de prdidas: Prdidas de conduccin: se producen durante el tiempo que el MOSFET permanece en saturacin, debido al continuo paso de corriente por el transistor durante ton . [30]
P = RDSon I RMS
2
Prdidas de conmutacin: se producen en las transiciones entre los estados de corte y saturacin.
Las prdidas totales en los MOSFETS responden a la suma de ambas. Debido a las prdidas por conduccin y conmutacin, dentro del MOSFET se genera calor. El calor producido por las prdidas debe disiparse de forma suficiente y eficaz, a fin de que este opere por debajo de su lmite superior de temperatura. Este calor debe transferirse del MOSFET a un medio ms fro, a fin de mantener la temperatura de operacin de la unin dentro de un rango especificado. Esta transferencia de calor puede llevarse a cabo mediante conduccin, conveccin o radiacin, ya sea natural o de aire forzado (ventiladores), en las aplicaciones industriales es comn utilizar el enfriamiento por conveccin. El calor debe fluir lejos del dispositivo hacia su carcasa y de ah hacia el disipador de calor en el medio enfriador. El anlogo elctrico de un es el siguiente:
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[31]
PT = prdida de potencia total del mosfet RJC = resistencia trmica de la unin a la carcasa (C /W) RCS = resistencia trmica de la carcasa al disipador (C /W) RSA = resistencia trmica del disipador al ambiente (C /W) TA = temperatura ambiente (C) Hay una amplia variedad de disipadores de calor de aluminio disponibles, que utilizan aletas de enfriamiento a fin de aumentar la capacidad de transferencia de calor.
6.4.
La funcin principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutacin es absorber la energa procedente de los elementos parsitos del circuito durante el proceso de conmutacin, controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor; limitando as los valores mximos de las pendientes de tensin o corriente que han de soportar los semiconductores. Este tipo de circuitos de proteccin,
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de los que existen varios tipos, se denominan Redes Snubber. Tenemos varias formas de reducir o limitar el stress elctrico en los semiconductores. Si es durante el paso a conduccin del transistor (turn-on), se genera un pico de corriente a travs de este, que debemos limitar o en su defecto limitar la pendiente de de la corriente (di/dt). Si es durante el proceso de apagado o paso a corte (turn-off), entonces el parmetro a limitar es el pico de tensin generado o la pendiente de la tensin (dv/dt).
Si analizamos nuestro circuito de la figura, observamos que el momento ms crtico lo tenemos en el proceso de conmutacin de turn-off del transistor Q1. En esta situacin el transistor Q2 pasa de corte a conduccin y el transistor Q1 de conduccin a corte, por lo que este ltimo soportor entre terminales Vds los 400V de entrada de la fuente. Como el proceso de conmutacin no es ideal, en el instante en que conmuta el transistor de conduccin a corte, sigue circulando corriente por el drenador del MOSFET. Por ello, la energa disipada por el transistor sera tan grande que llegara a destruir nuestro dispositivo, de ah la necesidad de incorporar un mecanismo que libere de esta carga al transistor.
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De entre los diferentes tipos de redes snubber que existen, la RCD (Resistencia, Condensador y diodo) es la ms idnea para el problema expuesto. Para calcular la potencia mxima disipada por el transistor, esta dada por la siguiente frmula:
1 2 VDS C f 2
[32]
PT =
donde f es la frecuencia de trabajo del convertidor. Particularizando el diseo en nuestro caso: En el clculo de la resistencia snubber interviene la constante de tiempo del condensador. Teniendo en cuenta que este almacena carga durante el intervalo
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ton ,
No es necesario que el
condensador se descargue totalmente para obtener resultados. Clculo del condensador I D (t r + t f VDS
[33]
C=
Clculo de la resistencia
t on 0,5s = = 166 3C 3 1nF
[34]
Rmx =
[35]
PT =
[36]
I desv = I desc
Con la impedancia de 220 (condensador de 0.75 nF) el transistor disipara una potencia de 6 W. Con una impedancia de 270 (condensador de 0.61 nF) el transistor no llega a disipar ms de 5 W.
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El snubber del circuito consta de una red RC que ser colocada con el dispositivo conmutador. A pesar de su sencillez esta permite amortiguar las posibles resonancias parsitas y controlar la pendiente de tensin del semiconductor, adems permite reducir sobretensiones que pueden causar la destruccin del semiconductor.
6.5.
El transformador desempea la funcin de aislar galvnicamente la entrada y la salida del convertidor. Adems de ello, acta tambin en nuestro diseo como reductor de la alimentacin. A la hora de construir un trafo, se nos plantean varias cuestiones a considerar:
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El ncleo a utilizar La frecuencia de trabajo del trafo Clculo de los bobinados. La seccin del hilo para bobinar Efectos inherentes al propio transformador: Prdidas por Corrientes Eddy, Focault, Histresis, etc.
Todas ellas son de igual importancia y los tendremos que tener en cuenta a la hora de su diseo.
6.5.1.
Lo primero que nos planteamos en la eleccin de un transformador es qu material haremos servir para el ncleo. Los materiales estn normalmente en coherencia con la frecuencia de conmutacin de los dispositivos. dos: 1) Ferrita 2) Polvo de Hierro Los materiales de ferritas son bsicamente una mezcla de oxido de hierro y otros materiales magnticos apilados por chapas y que suelen adoptar varias formas de tipo convencional. El ms conocido y utilizado son los ncleos de tipo E. Estos deben sus propiedades magnticas sin que se sature ni se caliente en exceso. Para frecuencias de entre 1kHz y 100kHz, los materiales con menores prdidas son
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Las ferritas presentan una alta resistividad elctrica pero con un rango pequeo de saturacin por la densidad de flujo. Las ferritas slo presentan perdidas por histresis. Ellas son los materiales elegidos para trabajar a altas frecuencias (superiores a 10kHz) debido a las bajas perdidas por las corrientes de eddy. En electrnica de potencia la condicin necesaria para conseguir el punto de trabajo ptimo es encontrar el punto de temperatura de la ferrita que nos de su mxima potencia, esperando encontrar la mejor variacin de sta. Por encima de los 100kHz, debido a la alta resistividad de las stas, las convierte en el nico material razonable, a pesar de que tienen gran facilidad de saturarse con una pequea densidad de flujo, 0.3 Teslas en los de ferrita y 1 Tesla en los de polvo de Hierro. La frecuencia de trabajo de nuestro transformador es de 100kHz, esto significa que utilizaremos un ncleo de ferrita, del cual tenemos varios tipos a escoger segn a la frecuencia. En las fuentes conmutadas, es habitual el uso de materiales de saturacin elevada y bajas prdidas como son los materiales del tipo 3C81, 3C90, 3F3 o N27. De todos ellos, y por precio y caractersticas hemos considerado coger el 3E25N27 donde podemos ver sus caractersticas en la figura siguiente:
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Segn las especificaciones del fabricante, averiguaremos la densidad de flujo magntico de trabajo ( BMAX ).
BMAX = 200mT
B = 100mT .
Para calcular el devanado (nmero de vueltas) del primario y del secundario, nos basaremos en la ecuacin (3), (4) y (5) relacionadas con la cada de tensin en los condensadores a la entrada del convertidor y relacionadas directamente con la relacin de trasformacin del trafo:
[3]
VC1 = E (1 D)
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[4]
VC 2 = E D
N1 V1 = N 2 V2
[5]
Atendiendo a estos datos, y a que la tensin de entrada es de 400V, en los bornes del primario nos aparecer una onda cuadrada de 200 V de amplitud. Desarrollando la ecuacin (5), con una tensin de salida de 48 V, obtenemos una relacin de transformacin de 1/4 que nos dar un tensin de salida ligeramente superior al valor deseado ( 50V ). Buscamos el producto del rea del ncleo x rea de la ventana
[37]
AC W A =
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Donde:
POUT = Potencia mxima de salida del transformador, 500W D = Densidad de corriente en ( cm ). Generalmente est sobre los 200 A cm A
.
AC W A = 0,136 cm 4
Calculando el nmero de espiras a partir de la siguiente ecuacin, en la cual se tiene en cuenta que el D.C.mx = 0,5:
[38]
NP =
VP AC m f DC MAX BMAX [T ]
[ ]
2
Por defecto le
Para calcular las espiras del secundario aplicaremos, aplicaremos la relacin de transformacin: 1 = 25 vueltas 4
NS = NP
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Le daremos 24 vueltas y no 25 para ser rigurosos en las especificaciones del convertidor. 6.5.3. Seccin del hilo para bobinar.
Un aspecto importante en la construccin del transformador, es el tipo de hilo que elegiremos y su seccin, ya que ste depender fuertemente de la frecuencia de trabajo del dispositivo. Si hacemos circular una corriente alterna i (t ) por un hilo conductor, se crear un campo magntico H (t ) que producir una corriente parsita en direccin opuesta a la anterior. Este fenmeno, llamado Efecto Skin provoca que la corriente original tienda a circular por la superficie del conductor y decrece a medida que nos acercamos hacia el centro. Si la frecuencia aumenta y la seccin del hilo es considerable, prcticamente toda la densidad de corriente circular por la capa superficie.
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El efecto pelcular o Skin depende adems de la resistividad del conductor y es mayor para los conductores de material magntico. La profundidad de penetracin de la densidad de corriente ser un factor que a posteriori nos determinar la seccin del propio cable y que debe cumplir la siguiente relacin:
2 > 2
La solucin adoptada y que aplicaremos ser la de emplear hilos de cobre de pequea seccin, recubiertos por un barniz aislante, y trenzados de forma que los pequeos campos magnticos que se vayan creando entre los conductores, se vayan anulando.
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Fig.6.20. Tabla de secciones de hilo de cobre y la corriente que puede circular por l.
Teniendo en cuenta que a la salida del convertidor son de 48V/5A, hemos elegido 5 hilos de cobre con una seccin de cable de 0,810 mm de dimetro cada uno, que nos permite una circulacin de corriente de 1 A por hilo. Aunque se puede calcular de forma matemtica hemos cogido una tabla (figura 6.20) donde se indican diferentes tipos de seccin de cable en funcin de la corriente que debe soportar el conductor.
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En nuestro prototipo, el resultado final ser el que se muestra en la fotografa de la figura 6.21.
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Vout = 44.2V fconmutacin = 75.6kHz T = 820ns V = 72mV diL 375 L1 = = 427'083H diL / dt = 878048'78 VL = L Vp1 = 400V dt 0.75 Vp2 = 25V Vp1 2 = 375V RL = 33 Sonda = 100mV / A
Vin = 400Vdc
6.6.
Diodos rectificadores.
Hemos utilizado diodos Shottky Ultrafast (MUR1540) debido a la elevada tensin que soporta y la elevada corriente que soporta. De igual forma que hemos hecho con los transistores MOSFETS los protegeremos con una red de ayuda Snubber.
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6.7.
6.8.
La finalidad del condensador del filtro de salida es la de atenuar al mximo el rizado de la tensin de salida del transformador producido por la conmutacin y tiene que ser dimensionado en funcin del rizado del inductor de salida. Para calcular el valor del condensador he fijado un valor mximo en la tensin de rizado de conmutacin a la salida y que este rizado se deba a la variacin de su carga. De esta forma tenemos: [39]
Vo = fC VS (1 D) 8C L 1
Donde:
Vo
VS
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fC
6.9.
Sistemas de cargas.
El sistema de cargas utilizado para poner en marcha el convertidor sern 7 impedancias de 33 ohms / 30W:
R L1 = RL 2 = RL 3 = R L 4 = RL 5 = RL 6 = RL 7 = 33
El esquema de conexionado ser el siguiente:
stas se activarn mediante interruptores y con los que tendremos la posibilidad de irlas paralelizando una a una. Es decir tendremos un rango de cargas que irn desde:
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Nmero de Cargas
RL1 RL1 // RL 2
Impedancia total
33
16,5
R L1 // RL 2 // R L 3 RL1 // RL 2 // RL 3 // RL 4 RL1 // RL 2 // RL 3 // RL 4 // RL 5 R L1 // RL 2 // RL 3 // RL 4 // RL 5 // R L 6 R L1 // RL 2 // RL 3 // RL 4 // RL 5 // RL 6 // RL 7
11 8,25
6,6 5,5
4,71
Otra alternativa a este sistema fue la de colocar conectada 1 carga y el resto (las 6 restantes) conectarlas de golpe. De esta manera se podra visualizar claramente por pantalla los saltos de cargas en los arranques del convertidor
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El diseo del convertidor mostrado en la fig.6.26, incluimos la tensin de alimentacin E, el transformador, los interruptores de potencia S1 y S2, el puente de condensadores C1 y C2, los diodos rectificadores D1 y D2, el filtro LF y CF y la resistencia de carga RL, todos ellos asumiendo que son componentes ideales y que el convertidor trabaja tal y como hemos comentado en apartados anteriores en modo de conduccin continuo.
C1
S1
n 1
D1
LF
E
C2
D2
CF
RL
S2
Seguidamente mostramos los dos circuitos equivalentes del convertidor adaptados a cada periodo de operacin.
C1
n
LF
Lm
1
E
C2
CF
RL
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C1
E
Lm
1
n
LF
C2
CF
RL
El principal propsito a la hora de disear el control de la planta, es conseguir una tensin de salida Vo, lo ms fiable al valor final que nosotros queremos obtener. Para ello, nos haremos servir de una tensin de referencia que el control utilizar como gua para posteriormente poder corregir el error que pudiera ocasionar la planta. Analizando el circuito de la figura 6.26, asumiendo que C1 y C2 son de igual valor, que los transistores o interruptores trabajan de forma complementaria y que el dutty cycle es del 50%, obtenemos una tensin en bornes del devanado del primario equivalente a E/2 de amplitud. Si esto no fuera as, el balance tiempo-tensin del transformador, hara que el puente capacitivo se desequilibrara.
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En funcin del dutty cycle obtenemos los tiempos de conmutacin: [40] y [41]
t ON = D T t OFF = (1 D) T
A partir de la forma de onda del primario, podemos sacar la forma de onda del secundario:
En el secundario, para un correcto balance tensin, el producto entre la tensin y el tiempo ha de ser igual para tON (Von) como para tOFF (Voff):
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[42]
La tensin media de salida Vo, ser la media ponderada entre las dos tensiones: [43]
VO = VON t ON + VOFF t OFF T
[44] y [45]
t D = ON T 1 D = t OFF T
VON D = VOFF (1 D )
2 y adems podemos deducir
Aislando Vo:
[49]
VON = n (1 D) E
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Esta ltima expresin nos da una idea de la tensin mxima de salida del convertidor y que esta la tendremos para un ciclo de trabajo del 50%. EN nuestro caso, para unas especificaciones tcnicas de:
[52]
im =
iL =
1 (u E vC 2 ) Lm
1 [u n E + (1 2u ) n vC 2 vO ] LF
dE 1 [im + n u i L + C1 ] dt C equ
[53]
[54]
vC 2 =
vO =
[55]
v 1 [i L O ] R CF
6.10.2. Control en modo deslizamiento. El control en modo deslizante trata de aplicar una seal de alta frecuencia para llevar al sistema hacia una regin de espacios de estado denominada superficie de deslizamiento. Como hemos mencionado anteriormente, este tipo de control es de gran robustez ante las diferentes perturbaciones de la planta. Cabe destacar que este tipo de control no es de fcil diseo y su implementacin depende de la ley de control resultante.
[56]
X = f ( x) + B( x) u
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S ( x) = K T ( x X O )
donde X O es un vector constante y K T son coeficientes escalares constantes. La funcin S ( x) se asocia al error de las variables de estado y se ha de asegurar que esta alcance el valor S ( x) = 0 desde una condicin inicial distinta de cero y que posteriormente la accin de control lo mantenga en ese valor. Estas condiciones matemticamente se pueden expresar como:
dS ( x) dS ( x) < 0 cuando S ( x) > 0 y > 0 cuando S ( x) < 0 dt dt es decir, cuando el sistema est fuera de la superficie, el movimiento del sistema respecto al tiempo dS ( x) es en tal direccin que se dirige hacia la superficie, ver dt
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Se trata de un control PID donde a travs de la simulacin hemos obtenido los valores de los parmetros de las ganancias respectivas. A travs del programa de simulacin de Matlab, presentamos los resultados, que ponen de manifiesto la robustez del sistema y la buena dinmica del convertidor:
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ARRANQUES
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Fig.6.34. Tensin en IM
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Partiremos de la ecuacin:
[59]
S i = k P < vO > + k i (VOref < vO > )d k d
t
que desglosaremos en dos partes: 1. La seal PID. Que constar del diseo de los controles proporcional, integral y derivativo (kp, ki, kd) y que estar formada por la ecuacin
[60]
t d < vO > ~ e = f (vO ) = k P < vO > + k i (VOref < vO > )d k d dt
2. La seal < vFi > que Para realizar la superficie de control dibujaremos antes un diagrama de bloques donde queda reflejado ms claramente cmo funcionar el lazo, de qu partes estar formada y que variables entrarn en juego. De teora de control, llegamos a la conclusin de implementar la superficie a travs de un PID analgico.
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El lazo de control PID, estar formado por amplificadores operacionales. Para ello, hemos elegido el TL074 por tener un elevado Slew-Rate (13V/s) y una alta inmunidad al ruido. Lo primero que nos hemos planteado a la hora del diseo, es que debido a la tensin de salida elevada que tendremos de la planta, superior a la alimentacin interna de los operacionales, tendremos que sensarla para no daar la circuitera. En este caso, lo hemos dispuesto de forma que a travs de simple divisor resistivo a la entrada de un A.O. en configuracin seguidor, para elevar la impedancia de entrada y asegurar este nivel de tensin. En la rama resistiva colocaremos un potencimetro para regular esta tensin sensada ( ver fig.6.36 ):
Sensado de Vo
+48V
<Vo>
R4 10K
U1A
Como el objetivo es eliminar las posibles variaciones de la planta, tendremos que obtener una tensin de referencia con la que compararemos la seal y as eliminar el error. El esquema circuital ser idntico al anterior slo que esta vez utilizaremos la misma tensin de alimentacin que utilizan los operacionales.
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Voref
TL074
Como tercera variable a sensar, ser la seal VF . Aqu hemos de tener en cuenta exactamente lo mismo que con Vo, es decir, una seal elevada, del orden de unos 50V, sumado al hecho de que esta seal esta justo a la salida de los devanados secundarios del trafo, y que debido a la conmutacin, nos puede originar picos realmente elevados, adems de los consecuentes armnicos, que adems de saturarnos los operacionales nos puedo daar el circuito. Procederemos de la misma forma que los dos anteriores circuitos. Adems de eso, colocaremos un filtro pasa-bajos a la salida del operacional para eliminar estos picos y los harmnicos originados. Para el clculo del filtro de primer orden, nos basaremos de la teora clsica:
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-15V U2D 13 12 TL074 1 +15V R17 10K Vref _VF 4 + R15 10K\0,5W
J7
Seal VF
S-VF
JUMPER1
<VF>
TP4
TP5 out_VF
En el diseo, hemos aadido una entradas jumpers, para ir habilitando cada una de las variables que vamos aadiendo al sistema. De esta forma tambin nos ser ms sencillo detectar cualquier posible anomala que se produzca. Una vez diseada la circuitera referida al ajuste de variables, nos adentraremos en el lazo. Como hemos mencionado, estar compuesto por una parte proporcional, que ser la que nos da el valor de ganancia necesario para llegar al valor final, pero que si no lo ajustamos correctamente se nos puede hacer inestable el sistema, para ello recurriremos al integrador, que nos corregir el margen de error entre el valor final terico y el que nos da el proporcional, y que nos tender a estabilizar el sistema y una parte derivativa, no necesario en un principio, pero que, como veremos ms adelante nos ayudar a que la respuesta sea mucho ms estable. Para el clculo de valores de los componentes utilizados, nos hemos basado en los resultados de la simulacin hecha por Matlab. Con esos valores y a
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travs de potencimetros y zcalos en los condensadores para poder jugar con diversos valores de ganancias de kp, ki y kd, hemos conseguido ajustar la seal que queramos conseguir.
R1 -15V
R3 <Vo>
10K 5 6
11
U1B J1 7 1 1 2
0
+15V
Control integral
-kp x V o
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R29
1Mohm
JP5
C8
<Vo>
Voref
4 2
3 1
R18
R19
TP6
JUMPER2
JP6
<Vo>
10K
10K -15V
11
[<Vo> - <Voref>]
1
U2B
7
1uF
-15V
11
R21
9
R20
2 4
10K
JUMPER2
R23 10K
TL074
+15V
0
+15V
Anotar, que diseamos el integrador de forma que podamos cambiar el signo de la respuesta. Esto lo hace ms polivalente y que podamos probar diversos tipos de respuesta, as como poder habilitar tanto un proporcional, un integrador o un derivador de forma totalmente individual, sin que para ello tengamos que conexionar ninguno de los otros controles. De ah que tanto las entrada inversora y no inversora tengan disponibles tanto la variable Vo como la Vref.
Control Derivativo
Voref
1 3
J9
1
50K
10
TL074
JUMPER1
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DISEOYCONTROLDELCONVERTIDORHBCC
C5
1nF
0
+15V
El esquema definitivo con las 3 partes sumadas, quedarn de siguiente manera tal y como muestra la figura siguiente:
+ TL074
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10K 100K
R1 -15V
R3 10K C5 <Vo>
11
U1B J1 5 6 R5 7 1 + 1 2 10K 4
S
0
TL074 TP1 +15V JUMPER1
1nF
R9 2Mohms -15V TP2 R11 1 <Vo> 8 10K 4 + 100nF TL074 +15V 10 9 11 CAP NP U1C
-kp x V o
R12
10K
1Mohm JP5 C8 <Vo> 4 2 JUMPER2 JP6 <Vo> 1 3 2 4 10K JUMPER2 R23 10K 10K 3 1 R18 R19 TP6 10K -15V 11 U2B R20 6 5 7 + 50K 4 TL074 +15V
Voref
R22
Voref
10K 4
0
+15V
TL074
JUMPER1
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En este ltimo diseo, lo que tenemos es la seal ~ = f (VO ) , pero aun e ~ nos falta aadir la seal VF para completar la superficie e = f (VO ) VF . Esto lo implementamos con un simple restador de ganancia 1
R31
3 + 2 R33 10k 11
Seal a PWM
TL074 -15V
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Por ltimo, nos faltara discretizar la seal de la superficie y sta conectarla directamente a la entrada PWM del driver IR2109. Aqu decidimos en primera instancia utilizar el SG3524, que mediante los operacionales internos que utilizaba y mediante una tensin de rampa comparaba la seal de control y esta la conectaba a la base de un transistor que trabajaba en conmutacin. La frecuencia de conmutacin, se ajustaba a travs de una red RC. Finalmente descartamos esta opcin, ya que la alimentacin de los operacionales internos del SG3524, estaban alimentados a 5V, y eso nos tenda a saturar la seal de control, con lo que a partir de cierta tensin de entrada (sobre unos 100V) no obtenamos ms de 12 V a la salida del convertidor. Llegamos a la conclusin que los picos de tensin en la conmutacin del trafo provocaban tensiones en las variables sensadas VO y
VF superiores a la alimentacin interna del modulador SG3524.
La segunda opcin, era bsicamente igual que la primera, con el cambio que utilizamos operacionales alimentados a 15V , de esta forma el rango que conseguamos era mucho mayor. Por tanto, como tenemos que discretizar la salida, utilizaremos un comparador de Histresis con el que saturaremos tanto positiva como negativamente la salida dependiendo del signo de la superficie, tal y como vimos en la fig.6.31. En este caso nos hicimos valer de un LM311 en ~ colector abierto, donde conectbamos la funcin e = f (VO ) VF a la entrada inversora y la salida a la base de un transistor Darlington que posteriormente como veremos a continuacin atacar a una bscula.
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DISEOYCONTROLDELCONVERTIDORHBCC
+15V
+15V
0
-15V
El ciclo de histresis variar su trayectoria entre +Vcc y Vcc. La frecuencia de conmutacin depender de VF . La salida del colector del transistor Darlington ir conectada a una bscula D (4513). La frecuencia mxima la limitaremos a travs de un reloj que lo implementaremos por un 555, configurado como oscilador astable, al doble de la frecuencia a la cual nosotros queremos trabajar (100kHz), ya que la bscula coger slo los flancos de subida. variar esta frecuencia. De todas formas, hemos decidido implementar en el oscilador astable, un par de potencimetros con los que poder
U2
R2 10k
R1 220ohms
Q1 BC618
LM311/TO
R3 560ohms
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DISEOYCONTROLDELCONVERTIDORHBCC
+15V
+15V
U3A
+15V
R2 10k
R1 220ohms
14
5
7
VDD
D
Al Driv er IR21094
U2
GN D 7
0
-15V
R3 560ohms
R4 10k
8
VC C
C2 1n
TR
GN D
+ LM311/TO
Q1 BC618
+15V
Q
CLK
4013/FP
0
4
5
2
R
DIS
CV
R5
7
D2 1n4148
THR 6
10k
D1 1n4148
U1 LM555
C1 10n
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7.
El diseo de los diferentes circuitos impresos que componen el proyecto se ha realizado con el programa de diseo de circuitos electrnicos OrCAD 10.3.
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8.
RESULTADOS EXPERIMENTALES.
Se han graficado los resultados a medida que hemos ido subiendo en tensin. El objetivo ha sido buscar aquel valor de ganancia en el control que nos regulara todas las cargas disponibles, aunque con ello perdiramos algo de eficiencia, como veremos seguidamente.
Fig 8.1. Salida de la bscula y tensin de salida del convertidor Vo [Vin=168V ; <Vo>=151V; f=100kHz; RL1 =33]
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Fig 8.2. Salida de la bscula y tensin de salida del convertidor Vo a plena carga [Vin=162V ; <Vo>=152V; f=100kHz; RL1 = 4,71 ]
Fig 8.3. Conmutacin en la puerta de los transistores Q1 y Q2 [Vin=168V ; <Vo>=151V; f=100kHz; RL1 =33]
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Fig 8.4. Conmutacin en la puerta de los transistores Q1 y Q2 a plena carga [Vin=162V ; <Vo>=152V; f=100kHz; RL1 = 4,71 ]
Fig 8.5. Tensiones en el primario del trafo. [Vin=168V ; <Vo>=151V; f=100kHz; RL1 =33]
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Fig 8.6. Tensiones en el primario del trafo a plena carga [Vin=162V ; <Vo>=152V; f=100kHz; RL1 = 4,71 ]
Fig 8.7. Tensiones a la salida del secundario del trafo. [Vin=168V ; <Vo>=151V; f=100kHz; RL1 =33]
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Fig 8.8. Tensiones a la salida del secundario del trafo a plena carga [Vin=162V ; <Vo>=152V; f=100kHz; RL1 = 4,71 ]
Fig 8.9. Arranque del convertidor en la tensin de salida. [Vin=168V ; <Vo>=151V; f=100kHz; RL1 =33]
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Fig 8.10. Arranque del convertidor en la tensin de salida a plena carga. [Vin=162V ; <Vo>=152V; f=100kHz; RL1 = 4,71 ]
Fig 8.11. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF. [Vin=202V ; <Vo>=21,5V; f=100kHz; RL1 = 33 , Io=0.65A, = 88'68% ]
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Fig 8.12. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF a plena carga [Vin=202V ; <Vo>=20,7V; f=100kHz; R L1 = 4,71 , Io=4.39A, = 85'39% ]
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Fig 8.14. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF con el derivador conectado. [Vin=202V ; Vo=20,8V; f=100kHz; RL1 = 33 , Io=0.63A, = 85'8% ]
Fig 8.15. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF con el derivador conectado. [Vin=202V ; <Vo>=19,7V; f=100kHz; RL1 = 4,71 , Io=4.18A, = 81'27% ]
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Fig 8.16. Comparativa de las puertas de los Mosfets Q1 y Q2 con baja carga y plena carga
Se observa claramente el rizado de alta frecuencia provocado por las capacidades internas de los transistores conmutacin, capacidad de Miller entre puerta y drenador, y que recibe el nombre de ringing. Los dos transistores trabajan de forma complementaria, aunque no simtricamente. Los valores de los componentes del control ajustados a este nivel de tensin son:
Kp R1 ( pot ) = 95k Ki C = 8,2nF ; R = 1,7 M i i K d Rd = 1,57 M
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Fig 8.17. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF a baja carga [Vin=305V ; <Vo>=33,9V; f=100kHz; R L1 = 16.5 , Io=2.054A, = 92'62% ]
8.18. Rizado de la tensin de salida y seal sensada VF a plena carga [Vin=305V ; <Vo>=32,8V; f=100kHz; R L1 = 6.6 , Io=4.96A, = 89'62% ]
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8.21. Seales en el primario del trafo y punto medio del puente a plena carga
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Los valores de los componentes del control ajustados a este nivel de tensin son:
Kp R1 ( pot ) = 97 k Ki C = 8,2nF ; R = 197 k i i K d Rd = 1,88M
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9.
9.1.
ASPECTOS TECNOLOGICOS.
Todos los equipos electrnicos generan en mayor o menor medida interferencias electromagnticas. Las fuentes de alimentacin conmutadas no son una excepcin, y por su tipo de funcionamiento, en rgimen transitorio y por su constitucin (elementos electromagnticos), generan armnicos y picos de corriente que dan lugar a interferencias (EMI) que afectan a la misma lnea de alimentacin, a los equipos que posteriormente alimentan o a las mimas personas o seres vivos que se encuentran prximos a ellos. Las interferencias generadas por las fuentes de alimentacin conmutadas adquieren mayoritariamente tres formas: Interferencias conducidas a travs de los conductores de salida Interferencias conducidas a travs de su carcasa a tierra. Interferencias radiadas. La carga y descarga rpida de los condensadores provocan picos de corriente bruscos y exactamente igual pasa con la conmutacin sobre los bobinados que provocan grandes cambios en la tensin de sus terminales. Principalmente estas son las causas bsicas de radiacin electromagntica en las fuentes de alimentacin conmutada, pero tambin existen otros motivos, como es el propio diseo de las pistas de la PCB que pueden llegar a crear bucles que facilitan el acoplamiento de campos magnticos o las mismas capacidades parsitas inherentes a los propios componentes como es el caso claro del transformador, entre sus propios bobinados, entre los mismo componentes, entre la masa del circuito y las pistas que lo rodean, o los mismo cables que conectan las cargas, etc.
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La totalidad de los bucles internos capaces de acoplar EMI deberan estar construidos idealmente de manera que las corrientes de interferencia slo circularan dentro de ellos mismos, pero ello es complejo. Las impedancias y capacidades de bucles irregulares causan que, tanto la interferencia de modo diferencial como la de modo comn, circulen dentro de todo el sistema formado por la carga, la lnea de alimentacin y la fuente conmutada. A pesar de que habitualmente se ignoran las EMI de modo comn en las especificaciones de las fuentes conmutadas, son tambin un problema. Estas EMI, comunes a los dos conductores de la entrada o de las salidas, se acoplan a travs de capacidades parsitas en la alimentacin y es difcil eliminarlas si el resto del diseo ya se ha ultimado. A veces, stas se intentan eliminar con condensadores de relativa alta capacidad entre los conductores de entrada o de salida y la carcasa de la fuente conmutada; no obstante, esto frecuentemente conlleva dificultades en el sistema de masa y tierra, debiendo tener en cuenta adems que el valor de la capacidad est limitado por los reglamentos de seguridad (mximo 4,7nF). Por esta razn el prototipo diseado, no utiliza la tierra, ya que uno de los objetivos a cumplir era el gran aislamiento galvnico, de esta manera el prototipo se pude considerar un sistema flotante. El sistema utilizado para eliminar, mejor dicho atenuar, las EMI con modo comn es el choque inductivo en modo comn. El choque inductivo es un transformador de banda ancha bobinado de forma bifilar que permite la circulacin de corrientes igual y opuestas a travs de sus devanados, mientras suprime las corrientes desiguales y opuestas, tal como las debidas a las EMI en modo comn. A causa del devanado bifilar, no se crea flujo magntico neto en el choque para corrientes simtricas (iguales y de sentido opuesto); entonces, las seales simtricas no encuentran inductancia cuando pasa a travs de l. Para corrientes de moco comn (asimtricas), el choque inductivo acta como una inductancia y atena la corriente. Las EMI diferenciales dependen de los componentes pasivos. El choque inductivo del filtro determina el rizado de corriente de los condensadores, los cuales, a su vez,
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determinan la tensin de rizado generada por su ESR, ESL y, en menor grado, su capacidad. Los transitorios inductivos y los efectos normales de los campos magnticos que se anulan bruscamente, pueden llegar a los megahercios, dependiendo de las inductancias y las capacidades efectivas que se hallen en el camino de la corriente producida por el campo que se anula. La resistencia del conductor controla la amortiguacin que, a su vez, controla la envolvente de su espectro. La amplitud del espectro de EMI depende fundamentalmente del nivel de redondeo que se puede conseguir en los flancos de la onda cuadrada. La pendiente de la envolvente del contenido armnico de una onda rectangular real e slo de 20dB/dcada, mientras que la transicin menos aguda de una onda trapezoidal es de 49dB/dcada y para un impulso totalmente redondeado es de unos 80dB/dcada, por tanto, simplemente redondeando lozanitos de la onda cuadrada bsica se puede reducirle nivel de EMI generadas en la banda de las altas frecuencias. Esto exige que los diseos de los convertidores incorporen sencillas redes para redondear y alisar los cantos de las ondas cuadradas. Por el contrario, se necesitan ondas cuadradas con altas pendientes para minimizar la disipacin de potencia en el transistor y aumentar el rendimiento. Por tanto, se debe llegar al compromiso de minimizar las EMI y maximizar el rendimiento. Las transiciones abruptas (dv/dt) tambin tienden a provocar la aparicin de rizado u oscilaciones en las capacidades parsitas en los devanados de los transformadores y bobinas de los convertidores. El rizado se produce en las bajas frecuencias, donde se pone de manifiesto el acoplamiento con circuitos adyacentes Este rizado se puede amortiguar con el uso de pequeas redes RC en paralelo con los devanados. Del nico parmetro de diseo que se controla es el mximo rendimiento, se puede hacer poco para evitar la generacin abundante de los armnicos que estn presentes en
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una onda cuadrada. Puede usarse la simetra del ciclo ventajosamente para suprimir los efectos de ciertos armnicos en el transformador de salida. Sin embargo, la cancelacin de armnicos seleccionados no resolver totalmente el problema EMI, aunque puede tener como resultado ventajas e filtrado, al desplazar la frecuencia de rechazo del filtro hacia un valor ms alto, proporcionando el uso de componentes algo ms pequeos. El uso de una frecuencia de troceado fija facilita tambin el filtrado. La emisin total de interferencias puede reducirse optimizando la simetra de los impulsos, con lo que se reduce la intensidad media que circula a travs de los bucles radiantes internos. Con una metdica seleccin del material del ncleo y un buen diseo del transformador se puede reducir el nivel de los picos de tensin e intensidad. El tiempo de ascenso de la corriente depende de la forma de la curva de histresis magntica del material (curva BH). Si se alcanza bruscamente la saturacin o hay cambios bruscos del flujo magntico, aumentara la amplitud de los picos. El tiempo de descenso de la corriente depende de la velocidad de conmutacin de los transistores y de las reactancias del circuito. Las redes de ayuda a la conmutacin, snubbers, permiten reducir las interferencias generadas gracias a la reduccin de los dv/dt y di/dt, adems de permitir utilizar transistores con reas de seguridad ms reducidas y disminuir las prdidas, aumentando el rendimiento. La reduccin de dv/dt disminuye la emisin de interferencias elctricas y los acoplamientos capacitivos. La reduccin de di/dt reduce la emisin de EMI y los acoplamientos inductivos, reducindolos transitorios di/dt tambin se reducen los acoplamientos debidos a masas o conductores comunes. Resumiendo, para controlar el nivel de EMI se puede: aumentar el tiempo ascenso y descenso de los bordes de las ondas cuadradas de conmutacin, conectar pequeos condensadores en los extremos de los diodos rectificadores o usar diodo de alta velocidad con recuperacin suave, mantener las conexiones los ms cortas que sea posible, trenzar fuertemente los cales de seal con sus retornos. Cuando se concibe la disposicin de los componentes del convertidor hay que tener presente:
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Mantener las lneas de alta corriente, di/dt lo ms cortas que sea posible para reducir el rea efectiva del transmisor de interferencias, mantener los conductores de entrada y salida tan lejos como sea posible de los generadores de EMI, mantener sencillos caminos de corriente conmutada para evitar crear bucles de masa.
La compatibilidad electromagntica se define como la aptitud de un dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar en un entorno electromagntico, de forma satisfactoria y sin producir en l mismo perturbaciones electromagnticas intolerables para todo lo que se encuentre en dicho entorno. Se define como perturbacin electromagntica aquellos fenmenos electromagnticos que puedan crear problemas de funcionamiento de un dispositivo, de un aparato o de un sistema. Una perturbacin electromagntica puede consistir en un ruido electromagntico, una seal no deseada o una modificacin del propio medio de propagacin. La inmunidad es la aptitud de un dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar sin prdida de calidad en presencia de una perturbacin electromagntica. Las normas bajo las cuales se deben disear este tipo de prototipos son: EN 50081-2 Norma genrica de emisin. Parte 2: Entorno industrial EN 50083-2 Norma genrica de inmunidad. Parte 2: Entorno industrial EN 55011 Limites y mtodos d medida de las caractersticas relativas a las perturbaciones radioelctricas de los aparatos industriales, cientficos y mdicos (ICM) que producen energa en radiofrecuencia. Cabe destacar que existen dos clases de equipos con relacin a los lmites perturbacin que son:
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Clase B. Equipos destinados primordialmente a ser utilizados en entornos domsticos. Clase A. Equipos destinados a entornos industriales. La clase B e ms restrictiva que la A. Por ejemplo, el lmite de las perturbaciones conducidas en los bornes de alimentacin para la clase A es de 60dBV en la banda de frecuencias de 0,5 a 6MHz y en clase B es de 46dBV.
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10. CONCLUSIONES.
El objetivo fundamental del proyecto ha sido el diseo e implementacin de una fuente de alimentacin conmutada HBCC, desarrollado totalmente de forma manual, desde el diseo y construccin del transformador pasando por el filtro de salida, lazo de control, etc. Es obvio decir, que el resultado a nivel de rendimiento no es el mismo, ni el volumen de este tampoco, tanto en que si la construccin de estos bobinados se hubieran hecho de forma ms profesional hubieran repercutido en una leve mejora de sus prestaciones y voluminosidad. Podemos llegar a afirmar, que la tecnologa planar en la construccin del devanado para este tipo de convertidores sera ideal, y pueden llegar a reducir el volumen de este en casi una tercera parte. Si atendemos a la comparativa con el resto de convertidores, podemos afirmar una de sus ventajas respecto a los Flyback, Push-Pull y Forward, y es que a tensiones elevadas, con este tipo de convertidor nos es suficiente utilizar transistores de potencia que soporten 400V 500V mientras que el resto utiliza transistores que soportan el doble y que tambin su coste en el mercado es mayor. La parte correspondiente al lazo de control, con el doble bucle de realimentacin, el tpico con el amplificador de error comparado con una muestra de la corriente del filtro de salida, nos facilita la estabilidad del sistema y su control, pasando de un sistema de 4 orden a uno de primer orden. Sin este tipo de control, cuando el sistema est sometido a transitorios importantes, las prestaciones dinmicas del convertidor son bastante bajas, pero tal y como vemos en los resultados experimentales, el rendimiento del convertidos oscila entre el 80% y el 85%, lo cual a estas altas frecuencias ya se puede considerar un logro importante. Uno de los aspectos importantes de este tipo de control, aunque nosotros no hemos podido comprobar con resultados, es que reduce el problema de las Interferencias Electromagnticas (EMI).
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Durante el ajuste del control, se ha comprobado, la poca variacin que sufre el sistema por el hecho de aplicar el derivador y que la nica diferencia observada entre colocarlo o no, es el hecho en que el rizado de salida es ligeramente ms suave al conectarlo, pero por el contrario, aumentamos muchsimo la sensibilidad a cualquier ruido externo. Al subirlo por encima de los 250V, por el contrario, hemos tenido que tirar del derivador, ya que facilitaba la regulacin de la planta. Respecto al diseo y puesta en marcha de la planta, destacar la fuerte dependencia de la seal de salida, respecto al diseo del filtro. Un condensador demasiado pequeo nos genera un rizado muy acusado en la seal. Anotar al respecto del diseo del lazo, que en una primera instancia, se opt por utilizar el modulador PWM (SG3524), pero que una vez diseado, configurado y puesto en marcha, no podamos regular a partir de 100V, por lo que tuvimos que descartarlo posteriormente.
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11. BIBLIOGRAFIA.
Referencias
[1] N. Mohan, T.M. Underland, W.P. Robbins "Power Electronics: Converters, Applications and Design". John Willey & Sons, 1.989. Rashid, M. (1995) Electrnica de Potencia; Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones, 2 edicin Pearson Education. "Redes de Proteccin para MOS-FET de Potencia". Revista de Electrnica Actual. Ao 2, n 8, 1.987.
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Paresh, Sen C. 1997. "Principles of Electric Machines and Power Electronics. U.S. John Wiley and Sons. Huelsman, Lawrence P. 1991. "Basic Circuit Theory, 3rd edition. U.S. Prentice Hall.
P.L. Dowell. Effects of Eddy Currents in Transformer Windings Proc. IEE.vol 113 n8 pp.1387-1394. Agosto 1966.
Revistas cientficas
[7] J.Matas , Luis Garca de Vicua, Josep MGuerrero, Jaume Miret, Miguel Castilla, Non linear Control of a Paralleled Half Bridge Complementary Control Converter System with a Single-Wire Current Sharing. Ao 2001 J. Sebastian, J.A. Cobos, O. Garca, J. Uceda. An Overall Study of the Half-Bridge Complementary-Control DC-to-DC Converter, in Proc. IEEE PESC95, pp.1229-1235, 1995. FF.Linera, J.Sebastian, J.Diaz, F.Nuo, A novel Feedforward loop Implementation for de Half-Bridge Complementary-Control Converter, in Proc. IEEE PESC, 1998. Martn, R, Azpiazu, I, Nuez, I. y Feli, V.(1999) Sliding control of a buck converter with variable load, Proc. IASTED Intl. Conf.Control and applications, Banff (Canada), pp.194-198
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[9]
[10]
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[11]
Tomado de Torres, H., Barreto, L Las perturbaciones electromagnticas Revista Innovacin y Ciencia, Volumen V, No. 2, 1996, pp. 30-37, Bogot. Fundamentos de compatibilidad Electromagntica,Jose Luius Sebastin. Ed. Addison-Wesley
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Links relacionados
[13] [14] http://www.voltimum.es/page.jsp?id=/content/reglamentos/NuevaDirectivaCEM&fullsi ze=yes&universe=rebt.ndc.nueva_directiva_CEM http://www.dbup.com.ar/tutorial_fuentes_conmutadas.htm
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A N E X O S
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ANEXO 1:
DATASHEETS
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ANEXO 2:
FOTOGRAFIAS
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