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25/04/2011

INSTITUTO FEDEREAL DE MINAS GERAIS


Campus Ouro Preto

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO - JFET


Prof. Mrio Cupertino

Ouro Preto, 19 de abril de 2011

JFET
Transistores bipolares dispositivos controlados por corrente (corrente do coletor controlada pela corrente da base). base). Transistores de efeito de campo (FET Field Effect Transistor) tipo de transistor o qual a corrente controlada pela tenso. tenso. A grande vantagem do FET sobre o TBJ: altssima TBJ: impedncia de entrada (Megaohms) e baixo Megaohms) rudo. rudo.

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ASPECTOS CONSTRUTIVOS DO JFET


O JFET um dispositivo unipolar :
apenas um tipo de portador (eltron ou lacuna) responsvel pela corrente controlada. controlada.

Existem dois tipos de JFET: JFET:


JFET Canal N e JFET Canal P

ASPECTOS CONSTRUTIVOS DO JFET


O JFET formado por trs terminais: terminais:
Fonte (source) por onde os eltrons entram; entram; Dreno (drain) de onde os eltrons saem; drain) saem; Porta (gate) que faz o controle da passagem dos gate) eltrons. eltrons.

Ser abordado nesta aula o JFET Canal N, pois o JFET Canal P complementar, ou seja, considerar as correntes e tenses de forma inversa. inversa.

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FUNCIONAMENTO DO JFET
O objetivo: controlar a corrente ID que circula objetivo: entre a fonte e o dreno, aplicando-se uma tenso aplicandona porta; porta; Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VGS = 0, aplicando-se uma tenso entre o dreno aplicandoe a fonte VDS, surge uma corrente ID. ID.

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FUNCIONAMENTO DO JFET

CURVAS DE DRENO DO JFET


Com uma pequena tenso entre dreno e fonte (VDS), a regio N funciona como uma resistncia, com a corrente ID aumentando linearmente com VDS. VDS. Conforme a tenso VDS aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e a regio de porta, polarizando reversamente essa juno. juno. Isso faz com que a camada de depleo aumente, estreitando o canal, o que aumenta a resistncia da regio N, fazendo com que diminua a taxa de crescimento de ID. ID.

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CURVAS DE DRENO DO JFET

CURVAS DE DRENO DO JFET


A partir de um certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal (estreitamento mximo), fazendo com que a corrente ID permanea praticamente constante. constante. Essa tenso chamada de tenso de estrangulamento (pinch off - Vpo) e corresponde Vpo) tenso mxima de saturao do JFET. JFET. A corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto mximo, denominada corrente de curtocurtocircuito entre dreno e fonte (drain-source drainshorted current - IDSS) e corresponde corrente mxima de dreno que o JFET pode produzir. produzir.

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Curva caracterstica de sada de um JFET para VGS = 0V

Curva caracterstica de sada de um JFET


AplicandoAplicando-se entre porta e fonte uma tenso de polarizao reversa (VGS1 < 0), haver um (VGS1 aumento na camada de depleo, fazendo com que o estrangulamento do canal ocorra para valores menores de VDS e ID. ID.

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Curva caracterstica de sada de um JFET


Para cada valor de VGS obtm-se uma curva obtmcaracterstica de dreno, at que ele atinja a tenso de corte = VP, na qual ID praticamente zero. zero. importante observar que, para qualquer JFET, a tenso de corte VP igual, em mdulo, tenso de estrangulamento do canal (Vpo). Vpo) Vpo = VP

Curva caracterstica de sada de um JFET


O fato de VGS ser negativo faz com que a corrente atravs da porta (IG) seja desprezvel, garantindo uma altssima impedncia de entrada (ZE). Essa resistncia pode ser calculada atravs da tenso mxima VGS que causa o corte do JFET (com VDS = 0) e da corrente de porta de corte IGSS. ZE = VGS/ IGSS

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Curva caracterstica de sada de um JFET


EXEMPLO: EXEMPLO: No JFET BF245, para VGS = 20V, com BF245, 20V, VDS = 0, tem-se IGSS = 5 nA. temnA. Logo: Logo: ZE = VGS/ IGSS = 20/5nA = 4G 20/ Note que h uma grande semelhana entre as curvas de dreno do JFET e a curva caracterstica de sada do transistor bipolar, tendo, inclusive, as mesmas regies: corte, saturao, ativa e regies: ruptura. ruptura.

Parmetros dos manuais tcnicos de um JFET

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Curva de Transferncia ou Transcondutncia


Mostra como ID varia em funo da tenso VGS aplicada porta; porta;

Curva de Transferncia ou Transcondutncia


Note que um de seus pontos IDSS, isto , esta curva obtida para o maior valor de VDS indicado na curva de dreno. dreno. Porm, como na regio ativa da curva de dreno a variao de VDS causa uma variao muito pequena em ID, esta curva pode ser considerada vlida para qualquer valor de VDS nesta regio. regio.

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Curva de Transferncia ou Transcondutncia


Esta curva um trecho da parbola que tem como equao: equao:

VGS 2 I D = I DSS (1 ) VP
Esta equao vlida para qualquer JFET, pois , deduzida a partir das caractersticas fsicas de funcionamento do dispositivo. dispositivo.

Curva de Transferncia ou Transcondutncia


O JFET um dispositivo com tolerncia muito elevadas. elevadas. Por isso os manuais fornecem as curvas tpicas (ou mdias) de dreno e de transferncia, ou valores mximos e mnimos para o par IDSS e VP, o que resultaria numa curva de transferncia com duas parbolas, sendo uma para valores mximos e outra para valores mnimos. mnimos.

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Exemplo: Exemplo:

Para o JFET BF245A, o manual do BF245A,

fabricante fornece as seguintes curvas e dados:

Com os dados mximos e mnimos de IDSS e VP e atravs da equao da curva de transferncia, as duas parbolas podem ser traadas:

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Obrigado !!! Perguntas ???

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