Instituto Tecnolgico de Ciudad Cuauhtmoc, Chih.

Ingeniera en Mecatrnica Control de mquinas elctricas

INVERSOR CONMUTADO POR CAPACITOR EN PARALELO

CATEDRTICO: Ing. Jos Humberto Gonzlez Reyna INTEGRANTES: Prez Zamarrn Jazmn Anglica Cota Rodrguez Luis Alberto Vega Lpez Jos Ramn Sosa Simental Viridiana Delgado Barrera Edgar Abdeel Snchez Navarro Juan Manuel Gonzlez Enrquez Csar Villarreal Alderete Hugo Alejandro

NDICE
TEMA Introduccin Objetivo Funcionamiento Marco terico Material utilizado Procedimiento Conclusiones PGINA 3 3 4 5 8 8 10

INTRODUCCIN
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pncon la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

OBJETIVO
Lograr la carga de algn dispositivo electrnico, como un foco, una radiograbadora o algo similar, mediante un circuito de disparo y carga elaborado a partir de UJT s y/o SCR s

FUNCIONAMIENTO
El circuito operar adecuadamente cuando se observe en el osciloscopio las formas de onda en los puntos que se sealan en la siguiente figura:

MARCO TERICO
CARACTERSTICAS DE CONTROL DEL SCR

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:

-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT

Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

rea de disparo seguro

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

MTODOS DE DISPARO Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de

valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

- Por puerta. - Por mdulo de tensin. - Por gradiente de tensin (dV/dt) - Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR. Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH.

MATERIAL UTILIZADO
Tablillas protoboard 1 potencimetro de 10K 1 potencimetro de 500K Circuito integrado 555 Resistencias (2) 470 Ohms, (2) 10KOhms, (2) 1KOhm Capacitores; (1) 0.047microF, (1) 0.022 microF, (2) 100microF Compuerta Nand CD4011 Bobina 50mH SCR C106B Transformador 110/24V Foco 25w

PROCEDIMIENTO
Se arm el circuito de disparo y carga en la tablilla protoboard y despus de hacer las conexiones correspondientes, se procedi a checar y validar el circuito mediante una fuente regulable de 12V y un osciloscopio, pudiendo observarse la generacin de ondas cuadradas tomando lecturas desde los lugares indicados.

CIRCUITO DE DISPARO

CIRCUITO DE CARGA

CONCLUSIONES
Se observ que se puede generar un circuito de carga, mediante un circuito de disparo generado mediante SCR s y un circuito integrado 555