TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

O transistor de juno um dispositivo que atua como amplificador de corrente; Consiste em duas junes PN colocadas em oposio; O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de corrente ;

transistor PNP
EMISSOR

P
N

COLETOR

B C

Simbologia

BASE

transistor NPN
EMISSOR

C
COLETOR

N P

B E

Simbologia

BASE

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Podemos representar o transistor como um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos.

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Transistor no polarizado:
-

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo;
Cada camada tem uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25 C; Formao das camadas: os eltrons livres da regio N se difundem atravs da juno e se combinam com as lacunas na regio P.

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Polarizao do transistor NPN:

1) Junes com polarizao DIRETA:

Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para a bateria;

O fluxo de eltrons, corrente eltrica, alto nas duas junes;

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Polarizao do transistor NPN:

2) Junes com polarizao REVERSA:

Os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizados;

A corrente que circula pequena (corrente de fuga);

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Polarizao do transistor NPN:

3) Junes com polarizao DIRETA - REVERSA:

A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isso no ocorre, nos dois diodos a corrente alta; Se a tenso entre a base e o emissor Vbe > 0,7V, muitos eltrons do E penetram na B. Esses eltrons pode retornar ao plo da bateria B1 (corrente de recombinao pequena porque a base pouco dopada) ou atravessar a juno base-coletor passando para a regio do coletor; A polarizao reversa da juno base-coletor dificulta a passagem dos portadores majoritrios da base ( lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo, atrados pelo plo positivo da bateria B2. Em suma,com a polarizao direta do emissor, injetado uma alta corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela de corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo da bateria B1 e o restante flui para o coletor e da para o plo positivo de B2;

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Polarizao do transistor NPN:

3) Junes com polarizao DIRETA - REVERSA:

Em suma, com a polarizao direta do emissor, injetado uma alta corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela de corrente, por recombinao, retorna ao plo da bateria B1 e o restante flui para o coletor e da para o plo positivo de B2;

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FLUXO DE CORRENTE:
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn, atravs de uma outra forma de representao

Observa-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor. Verifica-se ainda que a corrente de base (IB) formada por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) so formadas por eltrons.

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FLUXO DE CORRENTE:

Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO). Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:

IE = IC + IB, onde:

IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)

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FLUXO DE CORRENTE:
A relao entre a corrente contnua do coletor e a corrente contnua da base chamado de ganho de corrente cc:

Em geral mais de 95% do eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual a de coletor. O parmetro cc de um transistor indica a relao entre a corrente de emissor e coletor.

Quanto mais fina a base e menos dopada, mais alto o valor de cc. Na prtica esse valor varia de 0,9 a 0,998.
Podemos relacionar cc e cc atravs das equaes abaixo:

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FLUXO DE CORRENTE:

Exemplo 1

Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a corrente de emissor 2mA? Soluo:

IC = IE

IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA

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FLUXO DE CORRENTE:

Exemplos 2 e 3

a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ? Soluo:

0,92 0,92 11,5 1 0,92 0,08

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?

Soluo:

100 0,99 101

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Consideraes finais:

Temos ento:

I C IB

IC IE

O ganho assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1. Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar para fins prticos:

IC = IE

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Configurao Emissor Comum

O emissor comum ao terra ou plo negativo da fonte; O circuito constitudo de 2 malhas: circuito da base e circuito do coletor;

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Relao IB versus VBE

Curva semelhante a curva do diodo; Para clculos, podemos utilizar VBE = 0,7V

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Relao Ic versus VCE

A partir de Vcc e Vs possvel obter diversos valores de Ic e VCE. A figura mostra essa relao para um IB fixo. VCE = 0, diodo coletor no est reversamente polarizado, Ic = 0; Para VCE entre 0 a 1V, Ic aumenta a uma taxa muito maior que VCE, depois pra e fixa constante ( isso porque so necessrios 0,7V para polarizar reversamente o diodo coletor, de maneira que ele capture todos os eltrons que chegue camada de depleo); Se VCE for maior que Vrup ( ex. BJT para 2N3904, V = 40 V ) o diodo atingir a ruptura;

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Curvas do Coletor

Regio 1: saturao diodo diretamente polarizado, Ic *Ib; Regio 2: ativa diodo reversamente polarizado, Vbe = 0,7V na regio ativa, precisamos de Vce > 1V; Regio 3: ruptura Regio 4: corte Ib = 0 ( terminal base aberto). A corrente de coletor com a base aberta Iceo, que muito pequena. Logo se Ib = 0 temos Ic = 0;

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Ganho cc
O ganho cc no constante na regio ativa, varia de acordo com a temperatura ambiente e mesmo com Ic;

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Regies de Operao do diodo

Corte e Saturao: simulam uma chave controlada pela corrente de base, amplamente utilizada em circuitos digitais; Regio ativa: usada como amplificador, pois a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada); Regio de ruptura: no deve operar pois pode destruir o transistor

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Tenso e Potncia no coletor

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Folha de dados do transistor exemplo: 2N3904

Valores nominais de ruptura: - Vcb = 60 V: tenso mxima entre coletor e base; - Vceo = 40 V: tenso emissor coletor com a base aberta; - Veb = 6V: tenso mxima de emissor para a base;

Corrente e Potncia nominais: (Outros valores nominais Mximos) - Ic = 200 mA dc; - Pd = 250 mW ( para Ta = 60 C); - Pd = 350 mW ( para Ta = 25 C);
Ganho de corrente: cc = hFE - Para 2N3904, melhor faixa de funcionamento Ic prximo de 10mA, onde o ganho hFE varia entre 100 e 300;

Ic (mA) hFE min hFE max 0,1 40 1 70 10 100 300 50 60 100 30 -