Cincia dos Materiais II

Professora: Adriana Amaro Diacenco

REVISO COMPLEMENTAR DE ALGUNS TPICOS

Slidos Cristalinos (conceitos de impurezas, solues slidas, difuso) uma abordagem microscpica)
Os materiais denominados de cristalinos possuem uma ordenao atmica, isto , os tomos esto dispostos de maneira regular formando uma estrutura, tal estrutura denomina de cristalina. Esta ordenao atmica se repete a longas distncias atmicas, formando um arranjo tridimensional e repetido ao longo de toda a estrutura. Ao menor arranjo tridimensional, denomina-se de clula primria. A clula primria contm todas as caractersticas geomtricas do cristal inteiro, isto , o conhecimento da estrutura cristalina se d atravs da clula unitria, pois a repetio desta clula nas trs dimenses nos d a estrutura cristalina completa. Frequentemente, no arranjo cristalino existe a presena de imperfeies e impurezas que podem ser desenvolvidas, por exemplo, durante o processo de resfriamento do material ou durante o seu processamento. A presena destas imperfeies altera as propriedades dos materiais e, imperfeies geradas de maneira controlada favorecem muitas necessidades de projeto. Por impurezas denomina-se um pequeno conjunto de tomos adicionados intencionalmente a um dado material com uma constituio atmica diferente aos tomos deste material, originando o que chamamos de soluo slida substitucional ou intersticial. O objetivo da adio de impurezas melhorar algumas propriedades dos materiais. O estudo das impurezas tambm nos propicia um melhor embasamento terico para o entendimento do endurecimento por substituio slida e da difuso atmica. Os tomos que esto sendo adicionados a um dado componente, so

tambm conhecidos como tomos do soluto, para indicar que as impurezas esto em menor quantidade. Existem dois mecanismos para a adio de impurezas, o primeiro quando as impurezas substituem os tomos do material, a presena de lacunas (originadas por vibraes trmicas) favorece este tipo de mecanismo, e deve-se observar que para tais impurezas serem adicionadas certas condies devem ser satisfeitas, ou seja, para que haja substituio os tomos de impurezas devem ter valores dos raios atmicos prximos aos valores dos raios atmicos do material a que os tomos de impurezas esto sendo adicionados (a diferena entre o raios atmicos deve ser no mais do que 15%), eles tambm devem possuem eletronegatividades prximas e mesma estrutura cristalina (Fig. 1).

Fig. 1. tomos de impurezas e tomos do solvente.

E o segundo quando tais impurezas se encontram nos interstcios da rede cristalina, isto , se acomodam entre os espaos vagos dos tomos de solvente. Notar que neste caso, os tomos de impurezas que esto se acomodando nos interstcios devem possuir raios atmicos comparativamente menores que os tomos do solvente (Fig. 2.)

Fig. 2. Movimentao de tomos no interstcio.

Quando se leva em considerao os fatores temperatura, tempo e a taxa de mobilidade dos tomos durante a formao da soluo slida ou de uma liga deve-se referenciar ao conceito de difuso, que definido como sendo o transporte de um material atravs do movimento dos tomos, onde o nmero de lacunas e os espaos vazios na rede cristalina (os interstcios) so relevantes durante o processo de difuso. As figuras 3 e 4, ilustram respectivamente os dois mecanismos de difuso.

Fig.3. Difuso por lacunas

Fig. 4. Difuso Intersticial

A difuso se encontra presente em vrios tpicos do estudo da cincia dos materiais, como por exemplo, na oxidao de um metal no estado slido depende da difuso do oxignio sendo mais efetiva a altas temperaturas. Alm dos conhecidos processos de cementao e nitretao aplicados em peas com o objetivo de se obter um endurecimento superficial, protegendo a pea contra o desgaste ou abraso, por exemplo. As ilustraes abaixo representam de um esquema representativo para o entendimento do processo de difuso.

Fig. 5. Representao esquemtica do processo de difuso.

Referncias Bibliogrficas:

Callister Jr., W. D., 2002, Cincia e Engenharia dos Materiais: Uma Introduo

Obs.: As figuras do texto foram extradas de arquivos da internet.