Patrick Momoli

Eletricidade e Lgica Digital - ELD

POSSE-GO 2011

Patrick Momoli

Eletricidade e Lgica Digital - ELD

Trabalho apresentado disciplina Eletricidade e Lgica Digital - ELD, como requisito parcial de obteno de nota bimestral, apresentado a Universidade estadual de Gois, unidade Universitria de Posse.

Prof. Orientador: Dorival Pereira de Souza Filho

POSSE- GO 2011

Semicondutores
Semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria entre condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Possuem em sua composio o silcio e o germnico, alm do glio, do cdmio, arsnio e telrio, que formam ligaes covalentes semelhantes a dos materiais cermicos, podendo ser considerados como uma subclasse da cermica. Possuem propriedades eltricas que so intermediarias entre aquelas apresentadas pelos condutores eltricos e pelos isolantes. Seu emprego importante na fabricao de componentes eletrnicos tais como diodos, transstores e outros de diversos graus de complexidade tecnolgica,microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. Portanto atualmente o elemento semicondutor primordial na indstria eletrnica e confeco de seus componentes. Em 1874, Braun descobriu o efeito semicondutor em alguns sulfetos metlicos. Os primeiros elementos estudados foram o sulfeto de chumbo e o sulfeto de ferro. Em 1878 e 1879 David E. Hughes iniciou pesquisas no efeito semicondutor, a princpio como curiosidade, pois foi percebido ao acaso pelo cientista. Embora Hughes no conhecesse o trabalho de James Clerk Maxwell, descobriu uma maneira de emitir ondas eletromagnticas a partir de semicondutores. Em funo de suas experincias acabou por inventar o detector eletromagntico por efeito semicondutivo, o diodo. De uma maneira geral, semicondutores so slidos nos quais temperatura de 0 K (zero Kelvin)ou (-273,15 C) seus eltrons preenchem todos os estados disponveis na banda de energia mais alta, isto a banda de valncia. Um facto conhecido na fsica do estado slido que a condutividade eltrica devida somente aos eltrons em bandas parcialmente cheias. Portanto a condutividade dos semicondutores temperatura ambiente causada pela excitao de uns poucos eltrons da banda de valncia para a banda de conduo. A quantidade de energia necessria para tirar um eltron da banda de valncia e 'liberta-lo' na banda de conduo que determina se um slido ser um condutor, semicondutor ou isolante. Para um semicondutor esta energia em torno de 1 eV (eltron-volt), para isolantes esta energia dezenas de vezes maior. Nos condutores existem sempre bandas de

energia semi preenchidas, portanto no existe uma quantidade mnima de energia necessria para se 'libertar' seus eltrons. Nos semicondutores a condutividade no causada apenas pelos eltrons que conseguiram pular para a banda de conduo. Os buracos tambm chamados de lacunas que eles deixaram na banda de conduo tambm do contribuio importante. To importante que este buracos so tratados como partculas normais com carga positiva, oposta do eltron, e-. A principal diferena entre os condutores slidos o chamado gap de energia. Ele define qual material um condutor. Considerando que o gap a energia necessria para a transio da banda de valncia para a banda de conduo, quanto menor o gap, mais fcil de promover um eltron de uma banda para a outra e com isso aumentar a conduo desse material. Os metais possuem sobreposio de suas bandas, o que permite a livre passagem de eltrons (os chamados, eltrons livre), isso , no h o gap impedindo a corrente eltrica (O que explica o porqu da temperatura alta atrapalhar a passagem de corrente). J os semicondutores, possuem um gap grande quando comparados aos metais, portanto a conduo nesses materias fica condicionada energia de excitao dos eltrons, ou seja, quanto maior a temperatura maior ser a energia trmica dos eltrons e com isso mais eltrons sero promovidos banda de conduo, aumentando assim a condutividade do material. Cada um dos tipos conhecidos de semicondutores possui um Gap caracteristico. Esta diferena nos gaps permite, atravs do uso de semicondutores diferentes, criarse corredores onde possvel prender os eltrons e restringir seus movimentos. Isto feito atravs de sanduchesde semicondutores. Um fatia muito fina (da ordem de algunas dezenas de angstrons) prensada entre dois 'pes' de material semicondutor com Gap de energia maior que o suficiente para pular para a banda de conduo dos 'pes'. Portanto na direo perpendicular ao 'recheio' eles ainda esto confinados banda de valncia. As propriedades destes eltrons, devido restrio de movimento ao plano do 'recheio' e ao tamanho da fatia, podem ser bastante diferentes do semicondutor original. A estrutura obtida desta forma chamada de poo quntico, apesar de na verdade ser um planoquntico. A idia do plano foi estendida para uma verdadeira geometria quntica com retas e pontos. Um semicondutor tambm conduzir eletricidade quando luz de cor apropriada incidir nele. Uma placa de selnio puro normalmente um bom isolante, e qualquer carga eltrica colocada sobre sua superfcie ali permanecer por longos perodos, desde

que esteja escuro. Se a placa for exposta luz, entretanto, a carga escapar para fora da placa quase que imediatamente. Os fios qunticos so formados da mesma maneira que os poos. Para isto removida um fatia muito fina do 'sanduche' (levando o 'po' e recheio) e prensando-a novamente entre outros semicondutores de forma a confinar o movimento dos eltrons a apenas uma direo. Isto cria uma fio quntico. Se agora o processo for novamente repetido, removendo-se um pedao do fio de prensado-o entre novas camadas de semicondutores, o que temos no final uma pequena caixa de eltrons, chamada de ponto quntico. O termo quntico usado para descrever estes dispositivos porque a dimenso da largura de confinamento causa uma re-discretizao dos nveis de energia criando bandas de energia artificiais e controlveis em laboratrio. E neste controle fino dos novos nveis de energia que reside toda a importncia destes dispositivos. As propriedades eletrnicas dos eltrons nestas estruturas podem ser construdas e os dispositivos planejados como uma projeto de engenharia. As propriedades destes dispositivos so ainda objeto de estudo e provavelmente estes sero os componentes da eletrnicado futuro.