INTRODUO AOS SEMICONDUTORES

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Extrato do captulo 2 de (Malvino, 1986).

2.1. TEORIA DO SEMICONDUTOR

ESTRUTURA ATMICA Modelo de Bohr para o tomo (Figura 2.1 (a)) o Ncleo rodeado por eltrons em rbita. o Ncleo com carga positiva associada aos prtons. o O eltron descreve uma rbita estvel com exatamente a velocidade certa para que a fora centrfuga equilibre a atrao nuclear. tomo isolado de Silcio (Figura 2.1 (b)) o 14 prtons e 14 eltrons. o rbitas estveis Primeira: 2 eltrons. Segunda: 8 eltrons. Terceira (rbita externa ou rbita de valncia): 4 eltrons . o Eletricamente neutro. o tomo tetravalente, isto , 4 eltrons na rbita de valncia. o Ncleo e eltrons internos rbita de valncia so denominados mago do tomo.

[Figura 2.1 (a) Modelo de Bohr (b) tomo de Silcio]

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NVEIS DE ENERGIA Somente certas dimenses de rbita so permitidas (Figura 2.2 (a)). Quanto maior a rbita do eltron, mais alto o seu nvel de energia potencial em relao ao ncleo (Figura 2.2 (b)). Se o tomo for bombardeado por energia externa (calor, luz ou outra radiao), um dos eltrons pode ser elevado a um nvel de energia mais alto (rbita maior). O tomo est ento no estado de excitao. Este estado no dura muito porque o eltron energizado logo volta ao seu nvel de energia original, devolvendo a energia adquirida na forma de calor, luz ou outra radiao.

[Figura 2.2 (a) Detalhamento das rbitas (b) Nveis de energia] CRISTAIS Um tomo de silcio isolado possui quatro eltrons na sua rbita de valncia, porm para ser quimicamente estvel, precisa de oito eltrons. Combina-se ento com outros tomos de forma a completar os outros eltrons na sua rbita de valncia.

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Quando os tomos de silcio se combinam entre si para formar um slido, eles se arranjam numa configurao ordenada denominada cristal. As foras que mantm os tomos unidos so denominadas ligaes covalentes (Figura 2.3 (a)). No cristal, o tomo de silcio posiciona-se entre outros quatro tomos de silcio, cada vizinho a compartilhar um eltron com o tomo central. O tomo central passa a possuir ento oito eltrons na rbita de valncia. Os oito eltrons no pertencem ao tomo central, so compartilhados pelos quatro tomos em volta.

[Figura 2.3 (a) Ligaes covalentes (b) Lacuna] LACUNAS Quando a energia externa eleva o eltron de valncia a um nvel energtico mais alto (rbita maior), o eltron que sai deixa uma vacncia na rbita mais externa (Figura 2.3 (b)). Esta vacncia denominada lacuna.

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BANDAS DE ENERGIA Quando os tomos de silcio se combinam para formar um cristal, a rbita de um eltron sofre a influncia das cargas dos tomos adjacentes. Como cada eltron tem uma posio diferente dentro do cristal, nenhum v exatamente a mesma configurao de cargas vizinhas. Assim a rbita de cada eltron modificada. Os nveis de energia associados s rbitas formam nuvens ou bandas (Figura 2.4).

[Figura 2.4 Bandas de Energia]

2.2. CONDUO EM CRISTAIS

A conduo num fio de cobre: o Cada tomo de cobre possui um eltron livre. o Como o eltron percorre uma rbita extremamente grande (alto nvel de energia), o eltron mal pode sentir a atrao do ncleo. o Num pedao ou fio de cobre, os eltrons livres esto contidos numa banda de energia denominada banda de conduo.
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o Esses eltrons livres so capazes de produzir correntes altas. A conduo num cristal de silcio: o A Figura 2.5 (a) mostra uma barra de silcio com extremidades metlicas e uma tenso externa estabelece um campo eltrico entre as extremidades do cristal.

[Figura 2.5 (a) Circuito (b) Bandas de energia temperatura de zero absoluto.] ZERO ABSOLUTO No zero absoluto, todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos tomos de silcio, a participar das ligaes covalentes entre os tomos. A banda de conduo est vazia e no h corrente no silcio (Figura 2.5 (b)). ACIMA DO ZERO ABSOLUTO A energia trmica quebra algumas ligaes covalentes, isto , envia alguns eltrons da banda de valncia para a banda de conduo. Sob ao do campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e estabelecem uma corrente (Figura 2.6 (a)). Cada vez que um eltron bombeado para a banda de conduo, cria-se uma lacuna na banda de valncia.
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A banda de valncia j no se encontra saturada ou preenchida, cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel. Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia empurrados para a banda de conduo e maior a corrente. temperatura ambiente (25C) a corrente pequena demais para ser utilizvel. essa temperatura um pedao de silcio no bom isolante nem bom condutor, por esta razo chamado semicondutor.

[Figura 2.6 (a) Fluxo de eltrons (b) Faixas de energia temperatura ambiente] SILCIO VERSUS GERMNIO O germnio, um outro elemento tetravalente, foi amplamente usado no incio do estudo dos semicondutores. temperatura ambiente, um cristal de silcio no possui praticamente eltrons livres, quando comparado a um cristal de germnio sob as mesmas condies. CORRENTE DE LACUNAS Um semicondutor oferece dois trajetos para corrente, um associado a eltrons na banda de conduo e outro associado a eltrons na banda de valncia. Observe o mecanismo de conduo na banda de valncia ilustrado na figura 2.7 (a).
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o A lacuna na extremidade direita da figura 2.7 (a) atrai o eltron em A. o Apenas com uma pequena variao de energia o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna. o A lacuna inicial ento desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A. o A nova lacuna em A atrai o eltron de valncia em B, e quando o eltron desloca-se para A, a lacuna desloca-se para B. o Os eltrons de valncia podem continuar a deslocar-se ao longo do trajeto mostrado pelas setas, enquanto as lacunas deslocam-se no sentido oposto. Pelo fato de haver lacunas nas rbitas de valncia, h um segundo percurso ao longo do qual os eltrons podem se deslocar dentro do cristal. Na Figura 2.7 (b) ilustra-se a conduo de lacunas em termos de nvel de energia: o A energia trmica bombeia um eltron da banda de valncia para a banda de conduo, abrindo-se uma lacuna. o Com uma pequena variao de energia, o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna. o Quando isto ocorre, a lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece em A. o A seguir, um eltron de valncia em B pode se deslocar para a nova lacuna com uma pequena variao de energia. Com pequenas variaes de energia os eltrons de valncia podem se deslocar ao longo do trajeto indicado pelas setas. Isso equivale a um movimento da lacuna atravs da banda de valncia ao longo do trajeto ABCDEF.

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[Figura 2.7 (a) Corrente de lacunas (b) Diagrama de energia para a corrente de lacunas.] PARES ELTRON-LACUNA A aplicao de uma tenso externa ao cristal fora os eltrons a deslocarem-se. Na figura 2.8 (a) h dois tipos de eltrons mveis, os eltrons da banda de conduo e os eltrons da banda de valncia. O movimento para a direita dos eltrons de valncia indica que as lacunas esto a se deslocar para a esquerda. Num semicondutor puro, a existncia de cada eltron na banda de conduo garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo. Pode-se dizer que a energia trmica produz pares eltrons-lacuna. As lacunas agem como se fossem cargas positivas e por esta razo so indicadas pelo sinal de mais na figura 2.8 (b). O Efeito Hall confirma o comportamento das lacunas como cargas positivas.

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[Figura 2.8 Dois trajetos para a corrente.] RECOMBINAO Na Figura 2.8 (b) ocasionalmente a rbita da banda de conduo de um tomo pode interceptar a rbita da lacuna de um outro. freqente ento que um eltron da banda de conduo passe para uma lacuna. Este desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado recombinao. Quando ocorre a recombinao a lacuna desaparece. A recombinao ocorre constantemente num semicondutor. A energia trmica incidente mantm a produo de novas lacunas a elevar os eltrons de valncia banda de conduo. O tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de um par eltron-lacuna chamado meia vida, que varia de poucos nanosegundos at vrios microsegundos, dependendo de quo perfeita a estrutura do cristal, dentre outros fatores.

2.3. DOPAGEM
Um cristal de silcio puro um semicondutor intrnseco.

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Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficiente num semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel. A dopagem significa introduzir tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas. Com a dopagem, o cristal passa a se chamar semicondutor extrnseco. SEMICONDUTOR TIPO-N Para se conseguir eltrons da banda de valncia a mais, podem-se acrescentar tomos pentavalentes. O tomo pentavalente possui inicialmente 5 eltrons na rbita de valncia. Depois de formar ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos, o tomo pentavelente central possui um eltron a mais que sobra. Como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo. Na figura 2.9 (b), h um grande nmero de eltrons da banda de conduo produzido principalmente pela dopagem. H tambm algumas lacunas criadas pela energia trmica. O silcio dopado dessa forma denominado semicondutor tipo-n, onde n significa negativo. Num semicondutor tipo-n, os eltrons so denominados portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios. Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem eltrons de banda de conduo. Exemplos: arsnio, antimnio e fsforo.

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[Figura 2.9 Dopagem com impureza doadora.] SEMICONDUTOR TIPO-P Ao se utilizar uma impureza trivalente (3 eltrons na camada de valncia), apenas 7 eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia, e aparece uma lacuna em cada tomo trivalente. Um semicondutor dopado com uma impureza trivalente conhecido como semicondutor do tipo-p, onde a letra p significa positivo. Na figura 2.10 (b), as lacunas de um semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de conduo. Num semicondutor do tipo-p, as lacunas so os portadores majoritrios enquanto que os eltrons da banda de conduo so os portadores minoritrios. tomos trivalentes so tambm conhecidos como tomos aceitadores porque cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao. Exemplos: Alumnio, boro e glio.

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[Figura 2.10 Dopagem com impureza aceitadora] RESISTNCIA DE CORPO Um semicondutor dopado ainda possui resistncia eltrica, denominada resistncia de corpo. Quando levemente dopado, possui resistncia de corpo alta, a medida que a dopagem aumenta, a resistncia de corpo diminui. A resistncia de corpo tambm chamada resistncia hmica, uma vez que obedece a lei de Ohm.

2.4. O DIODO NO POLARIZADO

possvel produzir um cristal com dopagem parte tipo-p e parte tipo-n, denominado cristal pn ou diodo (Figuras 11 (a) e (b)). A figura 11 (a) mostra o cristal pn no instante de sua formao. O lado p possui vrias lacunas (portadores majoritrios) e o lado n possui vrios eltrons livres (tambm portadores majoritrios).

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[Figura 11 (a) Antes da difuso (b) Depois da difuso] CAMADA DE DEPLEO Devido repulso mtua, os eltrons livres no lado n difundem-se (espalhamse) em todas as direes, sendo que alguns atravessam a juno. Quando um eltron livre sai da regio n, a sua sada cria um tomo carregado positivamente (um on positivo) na regio n. O eltron, como um portador minoritrio na regio p, possui uma vida mdia curta. Logo aps penetrar na regio preenche uma lacuna. Quando isso acontece, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo). Cada vez que um eltron difunde-se atravs da juno, ele cria um par de ons (Figura 11 (b)). Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente e no podem se deslocar livremente como os eltrons livres e as lacunas. medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima a juno fica totalmente esgotada de eltrons livres ou lacunas. A regio criada na juno chama-se camada de depleo. BARREIRA DE POTENCIAL Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira a impedir o prosseguimento da difuso de eltrons livres atravs da juno.
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A intensidade da camada de depleo continua a aumentar com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. Nesse ponto, a repulso interna da camada de depleo interrompe a difuso dos eltrons livres atravs da juno. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25C, esta barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7V para os diodos de silcio (0,3V para os diodos de germnio).

2.5. POLARIZAO DIRETA

A figura 12 (a) mostra um diodo ligado a uma fonte de tenso cc em polarizao direta, isto , com o terminal positivo da fonte ligado regio p e o lado negativo da fonte ligado regio n.

[Figura 12 (a) Polarizao direta (b) Bandas] CORRENTE DIRETA ALTA A polarizao direta produz uma alta corrente direta. O terminal negativo da fonte repele eltrons livres da regio n em direo juno.

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Estes eltrons, com energia adicional, podem atravessar a juno e encontrar as lacunas. A recombinao ocorre em distncias variveis a partir da juno, dependendo de at onde um eltron livre possa evitar o encontro com uma lacuna. As chances de recombinao so maiores perto da juno. medida que os eltrons encontram as lacunas, eles se tornam eltrons de valncia, e continuam a se deslocar para a esquerda atravs das lacunas do material p. Quando os eltrons de valncia atingem a extremidade esquerda do cristal, eles abandonam o cristal e escoam para o terminal positivo da fonte. A histria de vida de um nico eltron que se desloca do terminal negativo para o terminal positivo da fonte ento: o Depois de deixar o terminal negativo, entra pela extremidade direita do cristal. o Atravessa a regio n como um eltron livre. o Prximo juno, recombina-se e torna-se um eltron de valncia. o Atravessa a regio p com um eltron de valncia. o Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, segue para o terminal positivo da fonte. BANDAS DE ENERGIA A Figura 12 (b) mostra como visualizar o fluxo em termos de bandas de energia. A barreira de potencial d s bandas p um pouco mais de energia do que para as bandas n. Um fluxo estvel de eltrons de banda de conduo desloca-se em direo juno e preenche as lacunas prximas juno.

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Os eltrons capturados, agora eltrons de valncia, movem-se para a esquerda a formar um fluxo estvel atravs das lacunas na regio p. Dessa forma obtm-se um fluxo contnuo de eltrons atravs do diodo. medida que os eltrons livres desaparecem ao longe dos trajetos A e B, eles descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo, a irradiar energia na forma de calor ou luz.

2.6. POLARIZAO REVERSA

Na polarizao reversa o terminal positivo da fonte ligado regio n e o terminal negativo ligado regio p (Figura 13 (a)).

[Figura 13 (a) Polarizao reversa (b) Bandas de energia] CAMADA DE DEPLEO A polarizao reversa fora que os eltrons livres da regio n se afastem da juno em direo ao terminal positivo da fonte, as lacunas da regio p tambm se deslocam da juno para o terminal negativo. O afastamento dos eltrons e das lacunas deixam mais ons positivos e negativos prximos juno, respectivamente. Portanto, a camada de depleo fica mais larga. Quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a camada de depleo.
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A camada de depleo pra de aumentar quando sua diferena de potencial se iguala tenso da fonte. CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS A energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons livres e de lacunas de ambos os lados da juno. Por causa dos portadores minoritrios aparece uma pequena corrente no circuito. A corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada corrente de saturao e designada por IS. O nome saturao relaciona-se ao fato de que no h mais corrente que a produzida pela energia trmica. Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS. Possui o seu valor dobrado para cada aumento de 10C na temperatura. Um diodo de silcio possui um valor de IS muito maior que um diodo de germnio. uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos componentes semicondutores. CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL Alm da corrente reversa h uma pequena corrente na superfcie do cristal. Esta outra componente da corrente reversa denominada corrente de fuga superficial, simbolizada por IFS. produzida por impurezas na superfcie do cristal que criam trajetos hmicos para a corrente. Da mesma forma que a corrente produzida termicamente, a corrente de fuga superficial extremamente pequena. CORRENTE REVERSA Os datasheets dos fabricantes de diodos costumam englobar IS e IFS numa nica corrente reversa IR, geralmente especificada para um dado valor de tenso reversa VR e de temperatura ambiente TA. Exemplo: para o Diodo 1N914 IR = 25nA para VR = 20V e TA=25C.

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TENSO DE RUPTURA Se a tenso reversa for aumentada at certo ponto, atinge-se a tenso de ruptura do diodo. Para diodos retificadores, a tenso de ruptura geralmente maior que 50V. Atingida a tenso de ruptura, o diodo passa a conduzir intensamente. o A Figura 14 (a) mostra um eltron produzido termicamente, e uma lacuna na camada de depleo. o Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita, ganhando velocidade. o Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron. o O eltron pode colidir com um eltron de valncia, e se estiver com energia o suficiente, formam-se dois eltrons livres. o Os dois eltrons livres podem se acelerar e desalojar outros eltrons de valncia at ocorrer a maior avalanche possvel. o Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduz intensamente.

[Figura 14 Ruptura (a) portadores minoritrios na camada de depleo (b) eltron livre atinge eltron de valncia (c) Dois eltrons livres]

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No se permite na maioria dos diodos que se chegue ao rompimento. Um projeto conveniente mantm a tenso reversa do diodo sempre abaixo da tenso de ruptura. No h nenhum smbolo padro para a tenso de ruptura reversa, podendo haver diversas verses: o V(BR): tenso de ruptura. o BV: tenso de ruptura. o PRV: tenso reversa de pico. o PIV: tenso inversa de pico. o VRWM: tenso reversa mxima de trabalho. o VRM: tenso reversa mxima. o entre outras. Alguns fabricantes informam especificaes da tenso reversa para cc e ca.

REFERNCIAS
Malvino, P. Eletrnica, volume 1, McGraw-Hill, So Paulo, 1986.

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