Polarizacao DC - TE] Substituindo: R2 :s lo(80)(O,2 k!

1)

125

= 1,6 kG
V
B,

= 2 7 V = --'----'------'R, + 1,6 kil

(1,6 k!1)(20 V)

2,7R1 e

+ 4,32

= 32 kfl 2,7R1 = 27,68 kfl R, = 10,25 kG
kil

(use 10 kil)

4.9

CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR

A aplicacao do transistor nao esta limitada somente a amplifica~ao de sinais. Atraves de urn projeto apropriado, 0 transistor pode

ser utilizado como chave em computadores e aplicacoes de controle. 0 circuito da Fig. 4.52a pode ser empregado como urn inversor em circuito de logica computacional. Observe que a tensao de safda Ve e oposta aquela aplicada na base ou terminal de entrada. Alem disso, note que nao ha uma fonte de conectada ao circuito de entrada. A iinica fonte de e conectada ao coletor, ou circuito de saida, para aplicacoes em computadores, e tipicamente igual a amplitude da porcao "alta" do sinal aplicado - neste caso 5 V. Urn projeto apropriado para que 0 transistor atue como urn inversor exige que 0 ponto de operacao chaveie do corte para saturacao, ao longo da reta de carga mostrada na Fig. 4.52b. Para o nosso caso, assumiremos que Ie = IeEo = rnA, quando IE = /LA (uma excelente aproximacao, se considerarmos que tecnicas cada vez melhores de fabricacao de transistores estao sendo utilizadas), como mostrado na Fig. 4.52b. Alem disso, assurniremos que VCE = VCEsa, = V, ao inves do valor normalmente adotado de 0,1 V a 0,3 V. Quando Vi = 5 V, 0 transistor estara "ligado", e 0 projeto deve assegurar que 0 transistor esta saturado para urn valor de IE maior do que 0 associado a curva de 18 situada proxima ao nivel de

°

°

°

Vee =5 V

Vi

Ve 5V 5V

OV

OV

(a) Ie (mA) 60 J.LA

50 j.lA

4OJ.LA 30 J.LA 20 J.LA

1OJ.LA

2 VeEs.ts OV lCEOsOmA

3 Vee =5V

VeE

(b) Fig. 4.52 Transistor invasor.

Verificando a Eq. se comporta como um circuito aberto. 125 = 48 . isto significa que IB deve ser maior do que 50 /LA.46) Para 0 circuito da Fig. em muitas situacoes. IB = 0 /LA. relativamente. se lesat que e satisfeita. a corrente Ic e muito alta e a tensao VeE muito baixa..54 Condicoes de corte e resistencia resultante entre os terminais. 0 transistor inversor da Fig.45) de IB. o transistor tambem pode ser empregado como uma chave em urn circuito digital. as condicoes de corte resultarao em urn valor de resistencia ca1culado abaixo: Rcor•e = -- Vee lceo = --- 5V 0 mA = 00 0 valor resul- que perrnite considerar 0 transistor como um circuito-aberto equivalente. utilizando as mesmas extremidades da reta de carga. qualquer valor de IB maior do que 60 /LA interceptara a reta de carga em urn ponto Q bern proximo ao eixo vertical. resulta 18 = 63 r: IIA >~ Ie f3dc = 6. pode ser aproximado pela seguinte equacao: I Bmax ICEO + Vee ~ L ~ R=oon r Fig.52a.1 rnA =246u' - 0.. 4. e ~ 00 quando colocado em serie com resistores na faixa de kiloohm.. 0 nfvel de saturacao para a corrente de coletor.82 kO que certamente. 4.15 V n • lie c E lOY lOY OY Fig. tante de IB e 0 seguinte: 5 V .52b.8 /LA .55.53 Condicoes de saturacao c rcsistcncia rcsultantc entre os terminals. . na regiao ativa. 4. e definido por (4. I Csut hFF e mostrado na Fig. Utilizando urn valor medio tfpico de VCEsat' como por exemplo 0. 0 resultado e urn valor de resistencia entre os dois terrninais determinado por R sat VI lOY 1_Q_Y OY lIec= 10 Y = VeE. a queda de ten sao atraves de Rc e determinada por VRC = leRe = 0 V.126 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos saturacao. Vee Re 5V ---~61mA 0. 4. Certamente. o valor = - Ie. 4. f3dc Para 0 nivel de saturacao. como mostrado na Fig.1 rnA . 4. 4.55 Inversor para 0 Exemplo 4. Para urn valor tfpico de ICEO = 10 /LA.54. Na saturacao. 4. portanto. resulta = 250 R---'"' sat I VeE C$~t . Para Vi = 0 V. (4. quando Vi = 5 V. ' EXEMPLO 4. e urn baixo valor. devemos assegurar que a seguinte condicao e satisfeita: (4.7 V -----= 68 kO e I =0 que.15 V. Para Vi = 0 V.24 Determine R8 e Rc para = 10 rnA. urn pouco antes da saturacao. para o circuito da Fig. e ja que estamos assumindo que Ic = I CEO = 0 rrtA. 0 valor da resistencia equivalente no corte e Rcor•e 6 = -- Vee 311A r: lceo 5 = --- V 10 /LA = 500 kO . 4. 4. a Fig.0.6.52b.53. Fig. C".52a.46). resultando em Vc = +5V para a resposta indicada na Fig..24.

Devemos suspeitar de qualquer leitura tota1mente divers a do esperado. -I 1 I I --+1 I I I 1 -I Is I""_ I I ~ I 'r t off I 1 I I 1.23c. 0 tempo total para que 0 transisTransistor ligado Transistor desligado Fig.47) e portanto. __ 10 rnA ---= 250 e: 40 JLA 60 JLA para garantir a saturacao. + tf= 120 ns + 12 ns = 132 ns 150 kn e Rc 1 kn. Para 0 transistor sem aplicacao especifica da Eq. f3dc = = 40 JLA e = 25 ns t...0.7 V. temos Vi . 4. Para um transistor ligado. e possibilitar a identificacao de uma solucao. Obviamente. Para 0 transistor na regiao ativa.0. e usando IB Vi . o tempo total exigido para que urn transistor chaveie do estado "ligado" para 0 estado "desligado" e mencionado como Toff. os perfodos de tempo definidos como t. 4. e tf sao apresentados versus a corrente de coletor. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do medidor esta conectada no terminal de base para urn transistor npn.56 Definindo os intervalos de tempo de urn pulso. e ter alguma ideia dos niveis de tensao e corrente existentes. que e urn valor-padrao.10 TECNICAS DE SOLuc:Ao DE PROBLEMAS EM CIRCUITOS 100% 90% A arte de contornar problemas e urn t6pico bern abrangente.TBJ 127 Solucao Na saturacao: I e. ou ate mesmo valor negativo. t.48) onde t. 4. 4. As conexoes apropriadas para a medicao de VBE aparecem na Fig. 3. 3. = 13 ns tf = 12 ns ton = t. Seus efeitos na velocidade de resposta do sinal de safda no coletor sao definidos na Fig.-1 I - . podem ser utilizadas as mesmas conexoes.23c.7 V = ----IB = RB 62 JLA -----= 10 V . e a ponta de teste preta (negativa) no terminal de emissor. em Z. use RB = :> Ie. td. 0 nivel de mais importante a ser medido e a tensao base-emissor.57.. e definido por (4.0. =-- tor chaveie do estado "desligado" para signado como ton e definido por Vee Re 10 0 estado "ligado" e de(4. 4 V. Na saturacao: 18 Fazendo IB = 10 rnA Re V Re = 10 V = 1 kfl 10 rnA com 0 retardo de tempo td sendo 0 intervalo entre 0 in stante da mudanca de estado e 0 inicio da resposta na saida. mas as leituras serao negativas. como 0 V. devido a velocidade com que conseguem chavear de urn nfvel para outro.. de forma que todas as alternativas e tecnicas existentes nao podem ser abordadas completamente nas poucas secoes de urn 1ivro.7 V = 10 V . A comparacao dos valores acima com os parametres do transistor de chaveamento BSV52L mostrados abaixo revela uma das razoes para a escolha deste tipo de transistor. Entretanto. 0 primeiro passo para a identificacao do problema e entender bern 0 comportamento do circuito.. 0 tecnico deve conhecer alguns "macetes" e medidas basicas que consigam iso1ar a area do problema. 0 elemento de tempo t.7 V 150 kfl 6 2JLA e tal que e Portanto. devendo-se verificar as conexoes do dispositivo ou circuito. a tensiio VBE deve ser aproximadamente 0. Para urn transistor pnp..56.0.0.Polarizacao DC .. Na Fig.7 = __:_---- V RB obtemos RB = Vi . = 10 rnA. ton= 12 ns e toff= 18 ns Ha transistores mencionados como transistores de chaveamento.7 V = 155 kfl IB = 120 ns 60 JLA Escolhendo RB IB 150 kfl. e 0 tempo de armazenamento e t( 0 tempo de queda de 90% para 10% do valor inicial. achamos ts td = =_ Ie". e 0 intervalo no qual a resposta se situa entre 10% e 90% do seu valor final. + td = 13 ns + 25 ns = 38 ns toff = t. ou 12 V.

NaFig. a ponta de teste preta do voltfrnetro e conectada ao terra comum da fonte. .59. VCE Ii normalmente 25% a 75% de VeePara Vee = 20 V. Urn dos erros mais comuns de ocorrerem em praticas de laboratories e 0 uso de val ores errados de resistencia para urn determinado projeto. Se VCE = 20 V (com Vee = 20 V). e a queda resultante atraves 0.ja que 0 circuito tern urn terra comum a fonte e aos dispositivos empregados no circuito.60 Verificando os niveis de tensao em relacao ao terra. as conexoes estao solidas. e talvez danificasse 0 dispositivo.5S Vcrific. Fig. Ja que. que valores de Vel: em tome de 0. e alguma garantia de que 0 valor de resistencia correto esta sendo empregado. e tudo the pareceu correto. e certamente urn resultado estranho.uulo o nivel de V. Voce verificou 0 dispositivo em urn tracador de curvas ou em outro medidor para transistor.. 4.59 Efeito de uma conexao imperfeita ou dispositivo defeituoso. como mostra a Fig. ao inves do valor desejado de 28. ha. ao inves do valor de projeto de 680 kn. privando 0 circuito de urn nfvel de corrente adequado.3 V sugerem urn dispositivo saturado . estabelecendo Z. Com isto. Na Fig. '--1' / . Ha vezes em que nos frustramos.. uma leitura de 1 a 2 V ou 18 a 20 V para VCEo como medido na Fig.4 rnA certamente situaria 0 projeto . 4. Em todo caso. mas 0 botao de ajuste do nivel de corrente foi deixado na posicao zero. A ausencia de uma corrente de coletor. quanta mais sofisticado 0 sistema. Para isso./ \ Fig.. maior a faixa de possibilidades. duas possibilidades .128 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuit os == 0./. Todos os valores das resistencias foram conferidos.0.4 /LA. e. \ \ \ \ \ \ \ \ . Se 0 medidor e conectado ao terminal de coletor do TBJ. ou uma conexao na malha coletor-emissor ou base-ernissor esta aberta.4 rnA Urn nfvel de tensao de igual importancia e a tensao coletoremissor.7 V Si == 0/3 V Ge de Reo resulta em uma leitura de 20 V. a corrente de base resultante seria Fig.58.59. = OmAe VRe = OV. 4.3 V oV = Saturacao = Estado de curto-circuito ou falha de conexao Norrnalrnente alguns volts ou um poueo mais Fig. Lembre das caracterfsticas gerais de urn TBJ. Poderia ser uma solda imperfeita entre a placa de circuito impresso e 0 dispositivo? 0 quanto realmente prejudica 0 funcionamento de urn circuito. os valores reais dos resistores sao diferentes dos valores nominais indicados pelo codigo de cores (lembre dos nfveis de tolerancia para os elementos resistivos). em geral. uma conexao malfeita entre a placa e 0 dispositivo? Talvez a fonte tenha sido ligada com urn valor de tensao apropriado. na regiao de saturacao. e a tensao de fonte apropriada foi aplicada . 0 projeto e operacao devem ser investigados. Vee '0' -. urn dos metodos mais eficientes de verificacao da operacao do circuito e checar os varies niveis de tensao relative ao terra.. Obviamente. Vee =20V -.7 V 680 n = 28.uma diferenca significativa! Uma corrente de base de 28. e a ponta vermelha ao terminal inferior do resistor.ou 0 dispositivo (TBJ) esta danificado e comporta-se com urn circuito-aberto entre os terminais de coletor e emissor. Imagine 0 efeito da utilizacao de urn resistor de 680 n para RE. consegue-se obter niveis de tensoes e corrente na pratica proximos aos valores teoricos.57 Yerificando 0 nfvel de IB VB£' = 20 V .60. 4. 4. 4. a menos que tenha sido projetado para estes niveis. ja que Vee nao esta em contato com 0 dispositivo devido ao circuito-aberto. Entretanto: Para 0 transistor tipico na regiiio ativa.condicao que nao deveria existir. 4. 4.0 que mais? Agora 0 tecnico que busca uma solucao deve esforcar-se para atingir urn nfvel mais elevado de sofisticacao. no mmimo. Para Vee = 20 V e uma configuracao com polarizacao fixa. se a ponta vermelha for conectada diretamente a Veo deve-se obter a leitura de Vee volts. coloca-se a ponta preta (negativa) do voltfrnetro no terra e "troca-se" a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado. a menos que 0 transistor esteja sendo utilizado no modo de chaveamento. recomenda-se medir o resistor antes de inseri-lo no circuito. a leitura sera 0 V.

os 20 V no coletor revelam que Ie = 0 rnA. em certas ocasioes. Existem duas possibilidades . ja que uma tensao de 20 V aparece no coletor do dispositivo.TBJ 129 Em Vo a leitura deve fomecer urn valor menor.Polarizacao DC . Concluindo. verifique a continuidade entre 0 coletor e 0 resistor. 20V EXEMPLO 4. 4. Como observado anteriormente. os nfveis de corrente sao calculados a partir de nfveis de tensao. obtemos a seguinte corrente atraves de RH• IR8 = Vee RB 0 + RE = 20 V 252 kil = 79 4 f. mas VeE for de 0 V. determinados pelos potenciais apJicados e operacao do circuito.3 V no emissor indicam que ha uma queda de 0. 0 processo de correcao de defeitos revela-se urn teste verdadeiro sobre os seus conhecimentos acerca do comportamento correto de urn circuito.85V 250 kn Fig.7 V 250 kil + (01)(2 kil) 19. para "ligar" 0 transistor e fornecer alguma tensao para VE• Na verdade.61 Circuito do EXC111pio -us. portanto. EXEMPLO 4. devido a urn circuito aberto ou nao-operacao do transistor. Solucao Os 20 V no coletorrevelamimediatamente que Ic = o rnA. na verdade. De qualquer mane ira.85 V 250 kil = 79.4 f. deve ficar claro da discus sao acima que o MMD ou MOV funcionando como voltfmetro e muito importante no processo de verificacao de problemas. Via de regra. mas. Fig. uma vez que a diferenca Vec ~ VR" = 0. 0 circuito pode estar saturado com urn dispositivo que pode ser ou nao defeituoso.3 V 452 kil = 42. para os circuitos abordados neste capitulo. e um transistor defeituoso com urn curtocircuito entre a base e 0 emissor.62. aponte a causa. ou 0 transistor tern umajun<. Entretanto. deve-se apenas conhecer os niveis tfpicos dentro do sistema. 4.25 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 0 transistor deve ser testado atraves de urn dos metodos descritos no Cap. determine se 0 transistor esta "ligado" e se 0 circuito esta operando corretamente. base seria I~ B~ RB Vee ~ VBE + (f3 + 1)RE 20 V ~ 0.aobase-coletor aberta. lnicialmente. e.85 V revelaque 0 transistor esta desligado. e provavel que 0 TBJ esteja com defeito. Se VRe e VRE apresentarem valores aceitaveis. e se estiver certa.26 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 20V + 19.3 V. determine se 0 circuito esta operando adequadamente. resultando em urn curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor.62 Circuito do Exemplo 4. em geral sao fornecidos niveis de ten sao especfficos. 4. e nao podemos afirmar que a conexao da fonte ao circuito seja falha. definido por VCE = Ve ~ VE (a diferenca entre os dois niveis medidos acima). ja que ha uma queda de tensao atraves de Rc e VE deve ser menor do que Ve devido a tensao coletor-emissor VeE' Algum valor nao esperado para urn destes pontos pode ser aceitavel. 0 valor de VR• = 19. Solucao Baseado nos valores de R) e R2 e no valor de Veo a tensao VB = 4 V parece ser apropriada (e.7 V atraves da juncao baseemissor do transistor.LA a corrente de Se 0 circuito estivesse operando apropriadamente. 4. 3. Os 3. Naturalmente.7 /LA o resultado. e). utilizando urn ohmfrnetro. se assumirmos uma condicao de curto-circuito da base para 0 emissor.LA ' que esta de acordo com resultado obtido de 19.26.15 V e menor do que a exigida . pode representar conexao falha ou dispositivo defeituoso. se VCH registra urn valor de mais ou menos 0. e tambem mostra sua habilidade de isolar regioes problematicas com 0 auxflio de poucas medidas e medidores apropriados. sugerindo urn transistor "ligado".pode haver uma conexao imperfeita entre Re e o terminal de coletor do transistor. nao necessitando da insercao no circuito de urn multfrnetro com a funcao de miliamperimetro.61. facilitando a identificacao e verificacao de possiveis pontos problematicos. Para esquemas de circuitos extensos. se nao estiver.

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