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3 SEMICONDUTORES, COMPONENTES ATIVOS E CIRCUITOS ELETRNICOS Atualmente a microeletrnica tem aplicao multidisciplinar, e a sua importncia tanta que podemos

os dizer que estamos vivendo a idade do silcio. Pois uma grande variedade de componentes eletrnicos so fabricados tendo este material como principal elemento qumico. Neste tpico vamos estudar os materiais semicondutores, e conhecer seus comportamentos quando submetidos a uma tenso eltrica. Vamos analisar componentes fabricados a partir desses materiais como diodo, diodo zener, diodo LED e transistores. Na sequncia veremos algumas aplicaes destes componentes em circuito eltricos especficos como retificadores de tenso e amplificadores.

3.1. MATERIAIS SEMICONDUTORES Existe uma classe de materiais que tm condutividade intermediria dos condutores e isolantes denominados semicondutores. Na verdade eles so os semimetais da tabela peridica como o silcio, germnio, telrio, selnio e algumas substncias compostas como arseneto de glio e seleneto de zinco. So materiais que apresentam resistividade eltrica intermediria temperatura ambiente e comportam-se de maneira contrria dos condutores. O aumento da temperatura aumenta a sua condutividade e diminui sua resistividade. Isto significa que os semicondutores aumentam a sua condutividade com o aumento da temperatura. n=5 E5 Esse comportamento ocorre porque o aumento da energia cintica provoca a quebra de algumas ligaes covalentes produzindo eltrons livres. n=4 E4 Na sua forma cristalina pura eles no apresentam eltrons livres. Entretanto, podem-se conseguir eltrons livres em condies especiais, e deste modo um semicondutor pode ser capaz de conduzir corrente eltrica. Isso possvel quando adicionamos apenas um tomo de material condutor em cada dez milhes de tomos do semicondutor. Essa tcnica conhecida como dopagem e funciona como impureza que tem capacidade de adicionar ou retirar eltrons da estrutura cristalina do material semicondutor. Estes materiais tm uma importncia fundamental na fabricao de diodos, transistores e circuitos integrados indispensveis na fabricao de aparelhos eletrnicos, sistemas de comunicao, equipamentos mdicos, sistemas de automao entre outros.
E3 E2 E1 n=3 n=2 n=1 x

Bandas permitidas

Bandas proibidas

0
a)

2 a

3 a

b)

Figura 3.1. a) Os cinco primeiros nveis de energia de um tomo segundo Bohr; b) bandas permitidas e bandas proibidas de um slido.

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A condutividade eltrica dos diversos materiais pode ser compreendida a partir do conceito de bandas de energia e o princpio de excluso de Pauling, que a regra da distribuio dos eltrons nas bandas. Tais bandas so conhecidas como banda de valncia e bandas de conduo, separadas por bandas proibidas tambm chamadas gap. A banda de valncia aquela que cede os eltrons para a banda de conduo, e a banda proibida a regio na qual os eltrons no sero encontrados. Quando um eltron da banda de valncia recebe energia suficiente e cuja onda tem uma freqncia equivalente freqncia da onda do eltron, este salta para a banda de conduo onde livre para participar da conduo eltrica. Este eltron deixa uma vaga na banda de valncia que tambm contribui para a conduo eltrica. O que diferencia um condutor de um isolante a largura da banda proibida. Quanto mais estreita for esta banda, menos energia o eltron precisa Superposio das bandas receber para alcanar a banda de conduo e melhor a sua condutividade eltrica e Banda de conduo trmica. Quanto mais larga for a banda Banda de valncia proibida, mais energia o eltron precisa receber a) Bons condutores para alcanar a banda de conduo, assim o material apresenta propriedades de um Banda de conduo semicondutor. E se a banda proibida for muito Banda de conduo larga, dificilmente os eltrons alcanaro a Gap largo Gap estreito banda de conduo e o material considerado um isolante ou mau condutor de eletricidade e Banda de valncia Banda de valncia calor. Veja o esquema da figura 3.2.
b) Semicondutores

c) Maus condutores

Os tomos de um semicondutor no estado Figura 3.2. Estrutura de banda de bons condutores, semicondutores e maus condutores de eletricidade. cristalino puro esto ligados pela associao dos eltrons de valncia. Assim as bandas de valncia esto preenchidas e as bandas de conduo vazias, portanto funcionam como maus condutores. Mas a dopagem, ou seja, a introduo de tomos de algum material condutor doador tambm denominados de impurezas libera eltrons para a banda de conduo. importante saber que a intensidade da dopagem influencia diretamente na condutibilidade do material. Uma das tcnicas utilizada na dopagem consiste em inserir um pequeno bloco de silcio ou germnio (substrato) em um forno com uma atmosfera controlada de tomos dopantes ou impureza que se incorporam pelo material do bloco a partir da superfcie. A concentrao e a profundidade atingida pelo material dopante no substrato depende da temperatura do forno, do tempo de exposio, da impureza utilizada e do material usado como substrato. Se a impureza doadora de eltrons, que tem carga
Figura 3.3. Estrutura cristalina de semicondutor tipo N. material

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negativa n, ela disponibiliza eltrons para a banda de conduo e o material conhecido como semicondutor do tipo N. Se a impureza aceitadora de eltrons, ocorre a captura de eltrons da banda de valncia dotada de carga positiva p, assim tem-se um semicondutor do tipo P. A juno de materiais semicondutores do tipo P e N usada na fabricao de diodos, transistores e circuitos integrados. MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO N Quando no processo de dopagem introduz ,na estrutura cristalina formada por tomos tetravalentes, tomos pentavalentes, formado material semicondutor tipo N. Um exemplo de um tomo pentavalente o fsforo (P). Quando usado para dopar um cristal de silcio, que tetravalente, apenas quatro eltrons tero par para formar ligaes covalentes, o quinto eltron do fsforo pode se liberar facilmente passando para a banda de conduo. Portanto, no material semicondutor tipo N, os portadores de carga so os eltrons livres. O material tipo N conduz corrente eltrica independentemente da polaridade da fonte.

MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO P Quando a dopagem realizada com tomos trivalentes, uma nova estrutura qumica formada, chamada de material semicondutor tipo P. Um exemplo ocorre quando a dopagem de um cristal de silcio feita com tomo trivalente ndio (In). Neste caso falta um eltrons para completar as ligaes covalentes chamada de lacuna.

Figura 3.4. Estrutura cristalina de material


semicondutor tipo P.

A conduo da corrente eltrica neste tipo de semicondutor feita pela movimentao de lacunas. Assim, os portadores de carga nos semicondutores tipo P so lacunas.

DIODOS SEMICONDUTORES Um diodo nada mais do que a juno entre um material semicondutor N com outro semicondutor do tipo P. Aps a juno dos dois materiais
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Figura 3.5. a) Dois materiais dos tipos P e N separados; b) juno entre os materiais semicondutores tipos P e N faz com que eltrons do material N comecem a migrar para o material semicondutor tipo P; c) diodo formado por materiais semicondutores tipo P e N mostrando a regio de depleo formada por lacunas.

semicondutores dos tipos P e N, ocorre uma recombinao na regio da juno. Eltrons do material N tendem a difundirem para a regio P, criando lacunas ou regio de depleo. Antes da recombinao, os materiais do tipo P e N esto em equilbrio eltrico, ou seja, tem o mesmo nmero de prtons e eltrons. A recombinao das cargas na regio de depleo provoca um desequilbrio de cargas eltrinas nos dois materiais, surgindo assim uma diferena de potencial nesta regio, chamada barreira de potencial. A tenso gerada depende do tipo de material usado na fabricao do diodo. Se for silcio a barreira de potencial ser de 0,7 V, e se for germnio a barreira de 0,3 V. Estes so os potenciais mnimos que devem ser aplicados sobre um diodo para vencer a barreira e estabelecer corrente eltrica atravs dele. Acrescentando terminais A (nodo) ao cristal tipo P e K (ctodo) ao cristal tipo N temos o diodo. A figura 3.6 mostra um diodo, seu smbolo e a aparncia.

Figura 3.6. Esquema de um diodo, sua polaridade, seu smbolo e a aparncia do componente real.

POLARIZAO DO DIODO Diz-se que o diodo est diretamente polarizado quando um potencial positivo aplicado no polo positivo (A). E est reversamente polarizado quando um potencial positivo aplicado no polo negativo (K) do diodo. Na polarizao direta, o polo negativo da fonte faz com que os eltrons livres do cristal N sejam repelidos em direo a juno. Se o potencial aplicado for maior que da barreira de potencial (0,7V Si ou 0,3V Ge) os eltrons livres adquirem energia suficiente para atravessar a regio de depleo, se recombinam com as lacunas e so atrados pelo polo positivo da fonte. Nesse caso diz-se que o diodo est em conduo e Figura 3.7. Diodo diretamente funciona como uma chave aberta. A figura 3.7 mostra um polarizado permite passagem da circuito em que o diodo est diretamente polarizado com uma corrente eltrica. fonte de 9V e em srie com uma lmpada. Veja que a tenso aplicada sobre a lmpada prxima de 8,3 V. Isso significa que o diodo est consumindo aproximadamente 0,7 V. Pois somando as tenses aplicadas na lmpada e no diodo obtemos a tenso da fonte. Deixo uma questo para discusso: o que aconteceria com o diodo se ele fosse ligado diretamente na fonte de 9 V sem a presena da lmpada mostrada na figura? Enquanto a polarizao reversa de diodo ocorre quando o polo positivo da fonte for ligada no polo negativo (K) do diodo, ou ctodo. Neste tipo de polarizao, as cargas negativas do cristal N do
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diodo so atradas pelo polo positivo da fonte, e as cargas positivas do cristal P so atradas pelo polo netativo da fonte. Com isso a regio de depleo aumenta, impedindo o fluxo de corrente. Neste caso o diodo funciona como uma chave aberta. Na polarizao reversa uma pequena corrente, chamada corrente de fuga, circula pelo diodo. Mas seu valor no suficiente para o funcionamento do diodo, pois fica na ordem de micro ampres. O comportamento de um diodo pode ser representado graficamente, conhecido como curva caracterstica. A figura 3.8 mostra um esquema eltrico com ligao verversa de um diodo e a curva caracterstica. Neste tipo de polarizao a carga positiva do gerador atrai eltrons libres do material semicondutor tipo N. Enquanto que os eltrons livres do polo negativo da fonte so atrados pelas lacunas do semicondutor tipo P. Assim a camada de depleo, ou barreira de potencial aumenta impendindo a passagem de corrente eltrica. Na polarizao reversa o diodo funciona como uma chave aberta em circuitos eletrnicos. Figura 3.8. a) circuito diodo-fonte com regio de depleo alargada; b) circuito lmpada-fonte com diodo invertido.

CURVA CARACTERSTICA O comportamento de um diodo pode ser representado por uma curva no linear como mostra a figura 3.9. Observe que a curva pode ser dividida em trs regies principais. Regio de plarizao direta, com . Inicialmente a corrente pequena, mas quando a tenso de juno ( ), ou barreira de potencial superada, o diodo parra a se comportar como um condutor. Regio de polarizao reversa, com ou aplicao da tenso reversa produz um aumento na barreira de potencial, mantendo a corrente praticamente nula. Regio de ruptura, na qual a tenso reversa alta o suficiente e rompe a juno, Figura 3.9. Curva caracterstica de diodos. e neste caso normalmente inutiliza o diodo. Porm, existe um tipo de componente chamado diodo Zener, que se valem da ruptura, ou aumento em avalance da corrente, a fim de manterem a tens constante sobre a juno, funcionando como um retulador de tenso. Uma anlise da curva caracterstica permite dizer que na tenso reversa a corrente praticamente
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nula, e se a polarizao direta e a tenso aplicada maior que a barreira de potencial (0,7V ou 0,3V dependendo do diodo) o diodo comporta-se como um condutor. Observa-se que na condio de conduo ocorre uma quedca de potencial sobre o diodo que equivalente a tenso da barreira de potencial. CARACTERSTICAS DE DIODOS Os diodos possuem caractersticas que devem ser observadas na escolha para aplicar em circuitos eletrnicos. Esto disponveis comercialmente diodos com diversas especificaes para atender as diferentes aplicaes necessrias. Para saber escolher o diodo correto necessrio conhecer tais caractersticas que so: Corrente direta mxima (If) Esta caracterstica indica a corrente mxima suportada pelo diodo quando polarizado diretamente. Tenso reversa mxima (Vr) Esta caracterstica indica a tenso mxima que o diodo suporta sem conduzir corrente quando ligado reversamente. Tenso de juno Indica a queda de tenso sobre a juno, quando o diodo est polarizado diretamente. Para diodos a base de silcio esta tenso vale aproximadamente 0,7 V, enquanto para diodos a base de germnio a tenso de juno da ordem de 0,3 V. Potncia mxima a potncia associada ao produto da corrente mxima com a tenso de juno. A energia dissipada por efeito Joule, aumenta a temperatura do componente, mudando suas caractersticas e, eventualmente, queimando o diodo.

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) O LED um diodo feito com arseniete de glio (GaAs), que emite luz quando polarizado diretamente. A energia da corrente eltrica (eltrons) que atravessam o gs GaAs promove a transio de estado dos eltrons nas molculas do gs, com emisso de ftons (luz). Os ftons emitidos pode ser de diversos comprimentos de onda, o que determina a cor da luz que caracterstica dos componentes. Atualmente os LEDs so usados como fonte de luz e sinalizao, e possuem diversas vantagens quando comparados com lmpadas convencionais, que so: baixo custo; baixo consumo de energia; baixa dissipao de calor e alta durabilidade. A figura 3.10 mostra o smbolo, a aparncia e um circuito eltrico que possui um LED. Qando polarizado reversamente o LED no emite luz, pos bloqueia a passagem da corrente da mesma maneira como um diodo convencional. Quando polarizado diretamente emite luz com uma queda de tenso de aproximadamente 1,6 V.

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Para calcular o valor do resistor que deve ser colocado em srie com o LED para garantir o seu funcionamento pode-se usar a equao abaixo:

Onde a tenso da fonte que alimenta o circuito, a queda de tenso no LED com valor tpico de 1,6 V e a corrente mxima no LED que normalmente 20 mA.

Figura 3.10. Mostra o smbolo, a aparncia e um circuito eltrico com fonte, resistncia e LED.

DIODO ZENER O diodo zener um diodo especial utilizado como regulador de tenso. O seu funcionamento depende da forma como ele ligado no circuito. Quando diretamente polarizado funciona como qualquer outro diodo normal. Mas, quando reversamente polarizado o diodo zener atua como regulador de tenso. Quando o valor de ruptura, a tenso nos seus terminais permanece praticamente constante passando a conduzir corrente em avalanche. O grau de dopagem e o tamanho fsico do diodo zener definem a tenso ( ) e a corrente reversa mxima ( ). No mercado so encontrados diodos zener com potncias que variam desde 400 mW a 1 W. Outra caracterstica importante desse tipo de componente eletrnico o coeficiente de temperatura dada em , ou seja, a sua tenso zener pode variar com a temperatura. A forma como essa variao ocorre depende do processo de fabricao. A variao pode ser positiva, se a tenso aumenta com o aumento da temperatura; e negativa, se a tenso diminui com o aumento da temperatura, caractersitica que informada pelo fabricante. Assim como ocorre com outros componentes, como nos resistores, o diodo zener tambm tem uma tolerncia com relao a variao da tenso zener. Essa tensopode variar entre 5% a 10% da tenso informada. Outra caracterstica importante a corrente zener mxima ( ). a corrente mxima que o diodo suporta quando reversamente polarizado. Ela pode ser obtida pela expresso:

Onde

a potncia zener, informada pelo fabricante, e

a tenso zener quando reversamente


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polarizado. Por questes de segurana recomenda-se que a corrente no diodo zener no ultrapasse 70% do valor mximo admitido. Existe tambm uma caracterstica importante que a corrente zener mnima ( ), que o valor mnimo de corrente para a que a tenso zener se mantenha estvel. Esse valor equivale a 10% da corrente mxima, ou seja:

TRANSISTORES Neste tpico vamos estudar a estrutura de um transistor, o seu funcionamento, correntes no transistor, ganho, polarizao, estados e seu funcionamento como chave. O tipo mais comum de transistor um transistor de juno bipolar. Este constitudo por trs camadas de um material semi-condutor em um sanduche. Os cristais que formam o transistor so chados de base (B), coletor (C) e emissor (E), e podem ser de dois tipos NPN ou PNP como mostra a figura 3.11.
Figura 3.11. Partes que formam transistores NPN e PNP. No tipo NPN sobram eltrons nas duas camadas externas (C e E), e faltam eltrons na camada intermediria (B). Enquanto no tipo PNP essa condio inverte, ou seja, na camada B sobram e nas camadas C e E faltam eltrons.

SIMBOLOGIA A figura 3.12 mostra a estrutura interna de dois transsistores, um NPN e outro PNP com seus respectivos simbolos.

Figura 3.12. Estrutura interna de transistores NPN e PNP, seus respectivos smbolos e uma foto mostrando a aparncia de um transistor real.

Para saber como descobrir quem B, C ou E de um transistor, consulte a pgina:


http://www.ebah.com.br/content/ABAAAeqOIAG/manual-pratico-teste-componentes-semicondutores
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FUNCIONAMENTO Nos transistores existem trs terminais a ele conectados que recebem o nome das regies com as quais tem contato. A funo desses terminais possibilitar a interligao da estrutura do componente com os circuitos eletrnicos. Para que o transistor seja percorrido por corrente eltrica, com movimento de eltrons ou lacunas no interior do transistor necessrio a aplico de tenses externas nos terminais do coletor, base e emissor. O movimento destes portadores de carga depende da polaridade, que diferente para um transistor NPN do transistor PNP. A juno de trs cristais nos transistores NPN e PNP forma duas regies de depleo, ou barreiras de potencial, onde uma atua no sentido da conduo e a outra no sentido do bloqueio. Tais junes so chamadas base-coletor, que a juno do material da base com o material semicondutor do coletor; e juno base-emissor, que a juno do cristal da base com o do emissor. Assim, um transistor funciona como dois diodos interligados. Para que um transistor NPN funcione necessrio considerar duas condies: 1) a juno base-emissor devem estar diretamente polarizadas; 2) a juno base-coletor devem estar inversamente polarizadas. Quando aplicada uma pequena corrente base (B) produz uma grande corrente ao longo do transistor todo. Para um melhor entendimento sobre o funcionamento de um transistor, vamo fazer uma analogia usando gua no lugar de eletricidade. A figura 3.13 mostra um sistema hidrulico com trs tubos simulando a base (B), o coletor (C) e o emissor (E) de um transistor. O reservatrio (C) simboliza a tenso aplicada no transistor, porm a gua impedida de circular em direo a E, pois a vlvula se mantm fechada, assim como acontece com a corrente num transistor. Fazendo um pouco de gua circular por (B), a vlvula se abre e a gua pode circular de C para E. Figura 3.13. Analogia entre fluxo de De forma anloga, fazendo uma pequena corrente circular pela gua num sistema hidrulico com o base (B) do transistor, permite a corrente percorrer o transistor funcionamento de um transistor. de C para E. E quanto mais gua for injetada em B, mais a vlvula se abre e maior ser o fluxo de C para E. Assim, quanto maior a corrente que percorre a base do transistor, maior ser a corrente que flui do coletor para o emissor. GANHO DO TRANSISTOR O ganho num transistor diz quanto a corrente de coletor ( ) ser maior que a corrente de base ( ). Este parmetro informado pelo fabricante como beta do transistor ( ) quando o transistor est trabalhando em corrente contnua, e dado pela relao:

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Para transistores que trabalham em corrente alternada o nome dado ao ganho hfe. Outra relao de ganho importante aquela estabelecida ente emissor e coletor, denominada coeficiente alfa ( ). A equao para determinar dada por:

Onde

a corrente de coletor e

a corrente de emissor.

POLARIZAO DE UM TRANSISTOR Polarizar um transistor significa garantir os limites de correntes e tenses preestabelecidos. Para tal utiliza-se resistores, que so os elementos que garantem essas condies. Os tipos de polarizao mais usados so: da base por correntes constantes e da base por divisor de tenso. E para fazer a polarizao de um transistor, em primeiro lugar precisamos conhecer algumas denominaes e informaes importantes, fornecidas pelo fabricante. 1) Corrente de Coletor-Base com Emissor aberto (Icbo) a corrente, na ordem de microampres, estabelecida entre a base-coletor, ligados reversamente, mas com o emissor em aberto. Essa corrente precisa ser considerada, pois a variao da temperatura a cada 10C ela dobra seu valor. 2) Corrente de Coletor-Emissor com a Base aberta (Iceo) a corrente estabelecida entre o coletor e o emissor com a base em aberta. Mesmo sabendo que existem duas barreiras de potencial que impedem a passagem da corrente, se a tenso subir a certos nveis que estabelece uma corrente atravs das junes. Tambm preciso levar em considerao os limites das tenses para as polarizaes corretas, para os dois casos citados, que no devem atingir os nveis de ruptura da juno, o que pode destruir o componente. Essas tenses recebem o nome de Vcbo ou tenso de ruptura entre base-coletor com emissor aberto; e Vceo, que a tenso de ruptura entre coletor-emissor com base aberta.

POLARIZAO DA BASE POR CORRENTE CONSTANTE o processo mais simples de polarizao, e que tem como objetivo principal fornecer uma corrente para a base que faz o transistor atingir o ponto ideal de trabalho. Ao analisar um circuito transistorizado, e verificar que no existe corrente entre coletoremissor, diz-se que est em estado de corte, ou seja, o circuito est desligado. O transistor est em ponto de saturao quando h corrente de base, e como conseguncia corrente entre coletor-emissor, ou seja, o circuito est ligado. Nesse caso a corrente entre coletoremissor mxima e a tenso entre eles (Vce) prxima de zero.

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Observe os valores das resistncias Rb nos dois circuitos mostrados na figura 3.14. Agora olhe para as tenses nos dois circuitos. O que podemos concluir?

Figura 3.14.a. Circuito com transistor polarizao de base por corrente constante. b) o mesmo circuito com Rb de valor mnimo e Ice de valor mximo.

Veja no grfico da figura 3.15, que o ponto de corte o ponto de saturao, o corrente mxima pelo transistor dada por:

localizado sobre o eixo x; e

Que est localizado no eixo y do grfico. Aps localizar esses dois pontos, devemos un-los por uma reta. Essa reta denominada reta de carga que defino as tenses e correntes que o transistor pode assumir em funo da corrente de base dadas pelo grfico da corrente de coletor ( ) em funo da tenso coletor-emissor ( ) os quais so dependentes da corrente de base. Os valores da corrente do coletor ( ) e da tenso coletor-emissor ( ) so determinados a partir do cruzamento da reta de carga com a curva da corrente de base ( ). Esse ponto conhecido como ponto quiescente (Q) e, a partir dele so Figura 3.15. Curva caracterstica de funcionamento de um transistor bipolar. projetadas as componentes que determinam a tenso quiescente entre coletor e emissor ( ) e a corrente de coletor quiescente ( ). Para se conseguir o ponto quiescente (ponto ideal de trabalho) do transistor, necessrio determinar o valor adequado para o resistor da base ( ), e isso se consegue pela anlise do circuito. Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff do circuito da figura 3.14.a, escolhendo a malha abcdef, como mostra a figura 3.16. Assim, podemos escrever que a soma das tenses nesta malha :

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Onde a tenso da fonte, a tenso sobre o resistor da base ( ) e a tenso da juno baseemissor do transistor. Considerando um transistor de silcio assim como no diodo de silcio a queda de tenso da juno 0,7 V e a tenso da fonte 24 V, teno a tenso sobre o resistor da base :
Figura 3.16. Circuito transistor bipolar. de polarizao de

Escolhendo a corrente da base como a partir da curva do fabricante, podemos determinar o valor do resistor aplicando a equao da lei de Ohm.

POLARIZAO DA BASE POR DIVISOR DE TENSO A polarizao da base do transistor por divisor de tenso o mais usual que resolve a instabilidade com a variao da temperatura. A determinao dos valores dos resistores do circuito feita a partir de algumas consideraes. O circuito projetado de maneira que mantenha fixo o valor da tenso sobre o segundo resistor de base ( ). Observa-se que a tenso base-emisor ( ) se mantm praticamente constante com a temperatura, e como consequncia a tenso sobre o resistor que protege o emissor ( ) tambm constante. Este comportamento garante a estabilizao das correntes do coletor ( ) e emissor ( ) do transistor independente da variao do ganho.

Figura 3.17. Circuito de polarizao de um transistor por divisor de tenso.

As equaes para calcular o valor dos resistores no circuito derivam das leis de Kirchhoff, e podem ser escritas como:

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Para transistores com ganho

podemos considerar que:

Para facilitar a compreenso e aprender a dimensionar a polarizao de transistores, vamos resolver o exemplo que segue. 1) Dado o circuito calcule os resistores de polarizao , , e .

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EXERCCIOS TRANSISTORES 1) Desenhe o smbolo de um transistor tipo NPN, um PNP e diga o que indicam as setas.

2) Para que o transistor funcione, como devem ser polarizadas as junes base-emissor e basecoletor?

3) Quais so os tipos mais comuns de polarizao de transistores? Desenhe um circuito correspondente.

4) O que define a reta de carga sobre as curvas caractersticas de um transistor?

5) Sabendo-se que um transistor tem seu ganho o valor de sua corrente de coletor?

e sua corrente de base igual a

, qual

6) Esquematize o circuito de polarizao da base por corrente constante, e calcule o resistor da base para que esse circuito funcione com um transistor de silcio com os seguintes dados: , , , . 7) Faa o esquema do circuito de polarizao de um transistor por divisor de tenso, e determine os valores de , , , para que o circuito funcione com um transistor de silcio com os seguintes dados: , ,

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DIODOS 8) Quais so os tipos de polarizao possveis de um diodo? E quais so os respectivos efeitos num circuito eletrnico? 9) Desenhe um circuito contendo uma fonte de corrente contnua, um resistor e um diodo polarizado diretamente. 10) Desenhe o mesmo circuito da questo 9, porm com o diodo reversamente polarizado. 11) Quais so as caractersticas eltricas que devem ser consideradas na escolha do diodo? 12) Calcule o valor do resistor limitador de corrente para um LED alimentado em 15 esquema do circuito. . Desenhe o

13) Qual a aplicao mais adequada para um diodo zener? E qual deve ser o tipo de polarizao para que ele funcione como tal? 14) Calcule a corrente a) b) c) d) e) Caractersticas 12V, 1 W 6,8 V, 400 mW 24 V, 1 W 10 V, 1 W 18 V, 400 mW e dos diodos abaixo.

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