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DIAC
O DIAC é basicamente uma combinação paralela inversa de camadas semicondutoras com dois terminais, permitindo disparo em qualquer direção características do As dispositivo mostram a existência de tensões de ruptura em ambas as direções (VBR1 e VBR1) Essa possibilidade de uma condição ligado em qualquer direção pode ser usada com grandes vantagens em aplicações CA

DIAC
As tensões de ruptura são muito próximas em amplitude, mas podem variar de um mínimo de 28 V a um máximo de 42 V Estão relacionadas pela seguinte equação fornecida pelas folhas de especificação

VBR1 = VBR2 ± 0,1 VBR2

as camadas semicondutoras de interesse particular são p2n2p1 e n1 . as camadas semicondutoras de interesse particular são p1n2p2 e n3 Quando o Anodo 2 é positivo em relação ao Anodo 1.DIAC Configuração Básica das Camadas Semicondutoras Os terminais são chamados de Anodo 1 e Anodo 2 Quando o Anodo 1 é positivo em relação ao Anodo 2.

DIAC Estrutura Básica Simbologias .

a corrente de porta pode controlar a ação do dispositivo de uma forma muito semelhante àquela demonstrada para um SCR As características do TRIAC no primeiro e terceiro quadrantes são um pouco diferentes do DIAC.TRIAC O TRIAC é basicamente um DIAC com terminal de porta para controlar as condições de condução do dispositivo bilateral em qualquer direção Qualquer que seja a direção. A corrente de retenção está ausente no DIAC .

com corrente nos dois sentidos. SCR’s em antiparalelo (paralelo inverso) Símbolo . pode ser usado o circuito visto com dois SCR’s em antiparalelo ou usar um TRIAC O TRIAC desta forma pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR’s ligados em anti-paralelo(paralelo inverso).TRIAC Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC.

TRIAC Curva Característica Simbologia .

TRIAC Curva Característica Simbologia .

P. dispara o gate do TRIAC e este acende a lâmpada .APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Dimmer de controle de brilho de lâmpada incandescente Quando o ponto "A" do circuito fica positivo e "B" negativo. R1 e R2 carregam C1 e C2 com tensão positiva  Quando C1 e C2 atingem 30 V nos terminais. o DIAC entra em condução.

.APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Dimmer de controle de brilho de lâmpada incandescente Quando o ponto "A" fica negativo. ativa o gate do TRIAC e este acende a lâmpada outra vez . o TRIAC para de conduzir e apaga a lâmpada.. o DIAC conduz novamente.  Porém C1 e C2 começam a se carregar com tensão negativa e quando atingem -30 V..

O resultado é que a lâmpada fica acendendo e apagando. o DIAC demora mais para disparar o TRIAC e este mantém a lâmpada mais tempo desligada . porém a vemos acesa o tempo todo  Quando aumentamos a resistência de P. os capacitores demoram mais para carregar.APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Dimmer de controle de brilho de lâmpada incandescente Este ciclo se repete 60 vezes por segundo.

o DIAC aciona o TRIAC mais rápido e este mantém a lâmpada mais tempo ligada  O brilho que enxergamos agora é muito mais forte. os capacitores carregam mais rápidos. .APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Dimmer de controle de brilho de lâmpada incandescente O brilho resultante enxergamos é mais fraco que  Quando a resistência de P é menor.

APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Controle de Fase (Potência) .

APLICAÇÕES TRIAC e DIAC Controle de Fase (Potência) O TRIAC Controla a potência ca para a carga ligando e desligando durante as regiões positivas e negativas do sinal de entrada senoidal Variando o resistor R. o ângulo de condução pode ser controlado No exemplo. o ângulo de disparo é de θd = 90° .

aumenta a uma taxa exponencial O baixo custo por unidade. garantiu seu uso em uma ampla variedade de aplicações. como no caso do SCR.TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) O recente interesse no TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT). entre elas: • Osciladores • Circuitos de Disparo • Geradores de dente de serra • Controle de fase • Circuitos de Temporização • Circuitos Biestáveis • Fontes reguladas de tensão e corrente . combinando às excelentes características do dispositivo.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) O UJT é um dispositivo de três terminais: E (emissor). uma fatia de material de silício do tipo n levemente dopada (proporciona uma resistência elevada) Tem dois contatos de base unidos a ambas as extremidades de uma superfície E uma haste de alumínio fundida à superfície oposta Construção Básica do UJT . B2 (base 2) e B1 (base 1) O UJT é formado por...

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) A junção p-n do dispositivo é formada entre a extremidade da base de alumínio e a fatia de silício do tipo n A única junção p-n contribui para a terminologia unijunção A haste de alumínio é fundida à placa de silício em um ponto mais próximo ao contato da base 2 do que da base 1 O terminal de base 2 é feito positivo em relação ao terminal de base 1 por VBB volts Construção Básica do UJT .

o UJT não possui a mesma configuração dos demais membros. e como o nome sugere possui apenas uma junção semicondutora Símbolo do UJT Configuração de Polarização Básica do UJT .TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) Apesar de ser membro da família dos TIRISTORES.

ativo ou em estado de condução Configuração de Polarização Básica do UJT . representando a placa de material do tipo n A ponta da seta está apontando na direção do fluxo de corrente funcional (lacunas) quando o dispositivo está polarizado diretamente.TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) Em relação ao símbolo do UJT O braço emissor é desenhado inclinado em relação à linha vertical.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) O Circuito Equivalente do UJT é formado por um diodo e dois resistores (um fixo e um variável) A resistência RB1 é mostrada como um resistor variável. RB1 pode variar de 5 KΩ até 50 Ω. para uma variação correspondente de IE 0 µA a 50 µA Circuito Equivalente do UJT . uma vez que sua amplitude variará com a corrente IE Para um transistor de unijunção representativo.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT)
A resistência interbase RBB é a resistência do UJT entre os terminais B1 e B2 quando IE = 0

RBB = (RB1 + RB 2 ) I E =0
RBB está normalmente dentro da faixa de 4 kΩ a 10 kΩ

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT)
A amplitude de VRB1 (com IE = 0) é determinada pela regra do divisor de tensão da seguinte maneira

VRB1

RB1 VBB = ηVBB = (RB1 + RB 2 )

I E =0

A letra grega η (eta) é chamada a relação intrínseca do UJT e é definida por....

RB1 η= (RB1 + RB 2 )

I E =0

RB1 = RBB

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT)
Para potenciais de emissor aplicados (VE) maiores do que VRB1 (=ηVBB) pela queda de tensão direta do diodo, VD (0,35→0,70 V), o diodo conduzirá, assumindo uma representação de curto circuito (no caso ideal), e IE começará a fluir através de RB. Na forma da equação, o POTENCIAL DE DISPARO DO EMISSOR é dado por:

VP = ηVBB + VD

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) CURVA CARACTERÍSTICA do UJT .

para potenciais de emissor à esquerda do ponto de pico. a amplitude de IE jamais é maior que IEO (medida em µA) A corrente IEO pode ser comparada à corrente de fuga reversa ICO do transistor bipolar convencional .TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) REGIÃO DE CORTE Observe que.

o potencial de emissor VE diminuirá com o aumento de IE Isso corresponde ao decréscimo da resistência RB1 pelo aumento da corrente IE .TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) REGIÃO DE RESISTÊNCIA NEGATIVA Quando a condução é estabelecida em VE = VP.

portanto. uma região de resistência negativa que é ESTÁVEL o suficiente para ser usada com muita segurança nas áreas de aplicações já listadas .TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) REGIÃO DE RESISTÊNCIA NEGATIVA Esse dispositivo tem.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) REGIÃO DE SATURAÇÃO A certa altura. O PONTO DE VALE será atingido. e qualquer aumento posterior em IE colocará o dispositivo na região de saturação .

produzindo um aumento na condutividade (G) e uma correspondente queda na resistência (R↓=1/G ↑) . quando a condução é estabelecida O elevado conteúdo de lacunas no material do tipo n resulta em aumento do número de elétrons livres na fatia.TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) A diminuição da resistência na região ativa deve-se as lacunas injetadas dentro da fatia do tipo n. proveniente da haste de alumínio do tipo p.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) Três outros parâmetros importantes para o transistor de unijunção são:  Corrente de Pico (IP) Corrente de Vale (IV) Tensão de Vale (VV) .

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) Curvas Características Típicas do Emissor .

ou seja: VP ↑= η ( fixo)VBB ↑ +VD ( fixo) . pois a escala horizontal está em mA A intersecção de cada curva com o eixo vertical é o valor correspondente de VP Para valores fixos de η e VD a amplitude VP varia de acordo com VBB.TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) Curvas Características Típicas do Emissor Observe que IEO (µA) não aparece.

TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) .

APLICAÇÕES COM O UJT Disparo de SCR .

o dispositivo não poderá ligar Uma equação para R1 que assegurará a condição de condução pode ser estabelecida se considerarmos o ponto de pico em IR1 = IP e VE = VP . isto é. porém.APLICAÇÕES COM O UJT O Resistor R1 deve ser escolhido para assegurar que a reta de carga do circuito intercepte a curva do dispositivo na região de resistência negativa. à direita do ponto de pico. à esquerda do ponto de vale Se a reta de carga deixar de passar à direita do ponto de pico.

desde que a corrente de carga do capacitor. isto é. passando do estado de carregamento para o estado de descarregamento Então. nesse instante seja zero. o capacitor está.APLICAÇÕES COM O UJT A igualdade IR1 = IP é válida.. nesse instante em particular. no ponto de pico. V − VE V − I R1 R1 = VE ∴ R1 = I R1 V − VP R1 = IP ..

IE = IV e VE = VV. tal que: V − I R1 R1 = VE ∴V − IV R1 = VV Torna-se: V − VV R1 = IV .APLICAÇÕES COM O UJT Para assegurar o disparo V − VP R1 〈 IP No ponto de vale.

APLICAÇÕES COM O UJT Para assegurar o desligamento: V − VV R1 〉 IV A faixa de R1 é. limitada por: V − VV V − VP 〈 R1 〈 IV IP . portanto.

dada por: R2V VR2 ≅ R2 + RBB I E =0 A . A tensão é. portanto.APLICAÇÕES COM O UJT A resistência R2 deve ser escolhida pequena o suficiente para garantir que o SCR não seja ligado pela tensão VR2 quando IE ≈ 0 A.

7 ) V1 = VR2 ≅ R2 + RB1 R2V V2 = VR2 ≅ R2 + RBB I E =0 A .APLICAÇÕES COM O UJT O capacitor C determina o intervalo de tempo entre os pulsos de disparo e o tempo de duração de cada pulso R2 (VP − 0.

APLICAÇÕES COM O UJT No instante em que a fonte de tensão dc V é aplicada. a tensão vE = vC muda para V volts a partir de VV de acordo com a figura a seguir. com uma constante de tempo τ = R1C A equação geral para o período de carga é: vC = VV + (V − VV ) 1 − e − t / R1C A equação geral para o período de descarga é: ( ) vC ≅ VP e − t / ( RB 1 + R2 )C .

e o capacitor descarrega através de RB1 e R2 a uma taxa determinada pela constante de tempo τ = (RB1 + R2)C R2 (VP − 0.7 ) V1 = VR2 ≅ R2 + RB1 .APLICAÇÕES COM O UJT Como podemos observar a tensão em R2 é determinada pela equação que dá o valor de V1 durante o período de carga. o UJT entra no estado de condução. Quando vC = vE = VP.

T = t1 + t 2 .APLICAÇÕES COM O UJT O período de carga t1 pode ser determinado pela equação a seguir V − VV t1 = R1C log e V − VP O período de descarga t2 pode ser determinado pela equação a seguir VP t 2 = (RB1 + R2 )C log e VV O período T para completar um ciclo é dado por….

7 ) VR2 = R2 + RB1 .APLICAÇÕES COM O UJT Circuito equivalente quando o UJT está no estado ligado O circuito equivalente reduzido quando o UJT está no estado ligado Com o circuito equivalente reduzido para a fase de descarga resulta na aproximação para o valor de pico de VR2 R2 (VP − 0.

Oscilador de Relaxação com o UJT Retirando o SCR do circuito ao lado… …Esse circuito se transforma no OSCILADOR DE RELAXAÇÃO apresentado no circuito abaixo .

Oscilador de Relaxação com o UJT A frequência de oscilação é dada por… f osc 1 = T .

Oscilador de Relaxação com o UJT Em muitos sistemas t1>>t2 e… V − VV T ≅ t1 = R1C log e V − VP .

Oscilador de Relaxação com o UJT Uma vez que V >> VV em muitos casos V 1 T ≅ t1 = R1C log e = R1C log e VP V − VP 1− V .

Oscilador de Relaxação com o UJT Como sabe-se que η = VP / V se ignorarmos os efeitos de VD na equação VP = ηVBB + VD e o período T e a frequência f são dados por… 1 1 ∴f = T ≅ R1C log e 1 1 −η R1C log e 1 −η .

1 Dado o oscilador de relaxação a seguir.Oscilador de Relaxação com o UJT Exemplo 20. determine: .

Oscilador de Relaxação com o UJT Continuação do Exemplo 20.1. a tensão necessária para ligar o UJT c) Determine se R1 está dentro da faixa de valores permissíveis determinada pela equação 20.8 para garantir o disparo do UJT d) Determine a frequência de oscilação de RB1 = 100 Ω durante a fase de descarga e) Esboce a forma de onda de vC para um ciclo completo f) Esboce a forma de onda de vR2 para um ciclo completo . determine: a) Determine RB1 e RB2 para IE = 0 A b) Calcule VP.

1: a) Determine RB1 e RB2 para IE = 0 A RB1 η= (RB1 + RB 2 ) I E =0 RB1 = 0.6 RBB RB 2 = RBB − RB1 = 5kΩ − 3kΩ = 2kΩ .6(5kΩ ) = 3kΩ RB1 = = 0.Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.6 RBB = 0.

1kΩ VP = 0.7V + (RB1 + R2 )12V .7V + 7. obteremos. a tensão necessária para ligar o UJT No ponto em que vC = VP.294V ≅ 8V (RB1 + RB 2 + R2 ) (3kΩ + 0.Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20. se continuarmos com IE = 0 A.1: b) Calcule VP.1kΩ )12V = 0. a partir do circuito a seguir VP = 0.7V + VP 5kΩ + 0.

Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.1: c) Determine se R1 está dentro da faixa de valores permissíveis determinada pela equação 20.8 para garantir o disparo do UJT V − VV V − VP 〈 R1 〈 IV IP 12V − 1V 12V − 8V 〈 R1 〈 10mA 10 µA 1.1kΩ〈 R1 〈 400kΩ A resistência R1 = 50kΩ cai dentro dessa faixa .

05ms + 0.1 pF ) log e 12V − 8V V − VP VP 8V t 2 = (RB1 + R2 )C log e = (0.1kΩ )(0.0416ms = 5.1kΩ + 0.05ms t1 = R1C log e = (50kΩ )(0.1: d) Determine a frequência de oscilação de RB1 = 100 Ω durante a fase de descarga V − VV 12V − 1V = 5.6 µs VV 1V T = t1 + t 2 = 5.092ms .Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.1 pF ) log e = 41.

1 pF log e 1 − 0.092ms ou f = 1 1 R1C log e 1 −η = 1 1 50kΩ0.1: d) Determine a frequência de oscilação de RB1 = 100 Ω durante a fase de descarga 1 1 ∴ f = 196 Hz T = 5.6 ∴ f = 218 Hz .Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.092ms ∴ f = = T 5.

Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.1: e) Esboce a forma de onda de vC para um ciclo completo .

1kΩ + 5kΩ  Cálculo do valor de pico de VR2 R2 (VP − 0.1: a) Esboce a forma de onda de vR2 para um ciclo completo  Cálculo de VR2 para IE = 0A R2V 0.1kΩ R2 + RB1 .Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.1kΩ12V VR2 = = = 0.7 ) 0.235V R2 + RBB 0.1kΩ(8V − 0.1kΩ + 0.65V = VR2 = 0.7V ) = 3.

Oscilador de Relaxação com o UJT Solução do Exemplo 20.1: a) Esboce a forma de onda de vR2 para um ciclo completo .

Oscilador de Relaxação com o UJT para Disparo do TRIAC .

Oscilador de Relaxação com o UJT para Disparo do TRIAC .