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ELECTRICA
2-1 Tipos de diodos, conexin de diodos ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

DIODOS Y RECTIFICADORES NO CONTROLADOS

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Los diodos semiconductores, son dispositivos de dos terminales, denominados nodo y ctodo. Se los utiliza como interruptores, permitiendo la conduccin elctrica en un solo sentido. Tiene aplicaciones en los convertidores de ca a cc(rectificadores), diodo de marcha libre, reguladores conmutados, inversor de carga de capacitores, transferencia de energa entre componentes, aislamientos de voltajes, retroalimentacin de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa atrapada. Los diodos de potencia, bsicamente son de tres tipos: De propsito gral, de alta velocidad, y de Schottky. Se los construye en silicio, de masiva aplicacin comercial y carburo de silicio, todava con aplicaciones comerciales limitadas

Diodos semiconductores

silicio

Carburo De silicio

Diodo Schottky Diodo Epitaxial (PIN) Diodo doble difusin (PIN)

Diodo Schottky Diodo JBS

Diodo PIN

En los diodos de potencia, entre otros, tres son los parmetros que influyen en mayor medida, cuando es necesario realizar su seleccin, para su uso en un convertidor de potencia: La mxima tensin inversa, la mxima corriente directa y el tiempo de recuperacin inversa. La mxima tensin inversa esta relacionada a la tensin inversa que soporta el diodo, en determinado tiempo dentro del ciclo de conversin, si que provoque su destruccin. La mxima corriente directa, es la corriente que circula por el diodo, en condiciones que su valor promedio o pico, no supere la temperatura mxima permitida en su juntura. Finalmente el tiempo de recuperacin inversa, esta relacionado a la mxima frecuencia de conmutacin que puede soportar un diodo en un circuito convertidor, limitada, por exceso de temperatura y corriente pico inverso. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

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Caracterstica tensincorriente de los diodos

nodo

Ctodo

Smbolo

V+

V+

i -VBR v 0

Caractersticas. V-I real

Caractersticas. V-I ideal

El diodo es un dispositivo de unin pn, con dos terminales (nodo y ctodo), La unin pn se puede formar por tres mtodos: Aleacin, Difusin y crecimiento epitaxial. En los diodos de potencia se utilizan los dos ltimos mtodos. Cuando el Terminal de nodo esta polarizado positivamente, respecto al ctodo, se dice que esta polarizado en directo y puede circular una gran corriente con una cada de tensin baja. El valor de esta cada de tensin depender del mtodo de construccin de la juntura y de su temperatura. Cuando al diodo se lo polariza en inversa, nodo negativo, respecto al ctodo, la corriente que circula es muy baja (corriente de fuga o de perdidas) del orden de los micro o miliamperes. Si se aumenta la tensin inversa aplicada, la corriente de fuga comienza a incrementarse, hasta que se llega a un voltaje de avalancha o zener, que puede destruir la unin pn. La caracterstica tensin .corriente, se puede expresar por medio de la ecuacin de Schockley: ID = IS.( eVD/n.VT-1) VD = tensin aplicada en los terminales del diodo ID = corriente que circula por el diodo IS = corriente inversa, de fuga o perdida, del orden de 10-6 a 10-15 Amper n = constante emprica, llamadacoeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo valor varia de 1 a 2. Para diodos de Ge, su valor es 1 y para los de Si, su valor terico es 2. Para los diodos prcticos de Si, su valor esta comprendido entre 1,1 y 1,8. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2

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VT = K.T / q se le denomina voltaje trmico donde: K = Cte. De Boltzman = 1,3806 x 10-23 joules / grados Kelvin q = carga del electrn = 1,6022 x 10-19 Culombios T = temperatura absoluta en grados Kelvin ( 273 + C) Por ejemplo a 25C VT = 25.8 mv. La caracterstica V-I del diodo, permite distinguir tres zonas: Zona de polarizacin directa (para VD >0), zona de polarizacin inversa (para VD < 0) y zona de ruptura para (para -VD <-VBR). Polarizacin directa: En esta zona, la corriente del diodo es muy pequea, si la tensin en sus extremos no supera un determinado valor, denominado tensin umbral (0,5 a 0,65 volt).Por ejemplo si en la ecuacin anterior, hacemos VD = 0,1 volt, n = 1 y VT = 25.8 mv la corriente del diodo resulta ID = 48,23 IS . De all que para valores superiores a 0.1 volt la ecuacin anterior se puede aproximar a: ID = IS.( eVD/n.VT ) Para valores de la tensin del diodo superiores a la tensin umbral, la corriente crece rpidamente haciendo que la cada de tensin del diodo, vari entre 0,7 a 1,2 voltios En conduccin directa la cada de tensin del diodo varia en forma inversa con la temperatura en aproximadamente dv/dt -2,5 mv/C Polarizacin inversa: En esta zona, la tensin del diodo es negativa VD < 0, e ID = -IS. cte. La corriente inversa que es prcticamente constante hasta casi la tensin de ruptura VBR, varia aproximadamente 7%/C, tanto para los diodos de Si. como Ge. Esto nos dice que la corriente inversa se duplica con cada 10C de aumento de la temperatura. Zona de ruptura: La corriente inversa IS , esta formada por los portadores minoritarios generados trmicamente, y la corriente superficial. Con tensin inversa elevada, los portadores de esta corriente son acelerados a gran velocidad, adquiriendo suficiente energa como para provocar impactos ionizantes. Esto da lugar a un aumento de portadores, con un efecto multiplicador que provoca un aumento de la corriente inversa en forma casi ilimitada y que puede provocar la ruptura de la juntura, si no se toman limitaciones. Este proceso se denomina ruptura por avalancha. La tensin inversa a la cual comienza a producirse este fenmeno, se denomina VBR. A partir de este valor, la corriente inversa crece rpidamente. La operacin del diodo en la zona de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de potencia este dentro de ciertos limites seguros, dados por el fabricante. En los diodos de potencia, para aumentar esta tensin de ruptura, se los construye en tres capas n+p p+ , y la pastilla, a los efectos de mejorar la distribucin del potencial elctrico en la superficie, se la construye con los bordes biselados (estos diodos se les llama "de avalancha controlada"). n
+

p+ p n+

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Caracterstica de recuperacin inversa Cuando un diodo tiene polarizacion directa, se produce una gran concentracin de portadores minoritarios, a ambos lados de la juntura y en el material del cuerpo semiconductor. Cuando el diodo esta con polarizacion inversa, los portadores de carga minoritarios, se alejan de la juntura, dejando la denominada regin de la carga espacial no neutralizada (iones de la estructura cristalina de los tomos). Por lo tanto, cuando un diodo esta en conduccin directa y su corriente se reduce a cero ( debido al comportamiento del circuito externo o a la aplicacin de un voltaje externo), el diodo continua conduciendo, debido a los portadores almacenados en la juntura pn y el material. Semiconductor, requirindose un tiempo para que estos se recombinen con cargas opuestas y desaparezcan. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo, trr.

IF ta t1 0,25 Irr Irr

trr

trr IF t2 t tb tb ta t

Recuperacin suave

Recuperacin abrupta

Las graficas muestran la variacin de la corriente del diodo para dos diferentes tipos de juntura, donde se definen las siguientes corrientes y tiempos: trr : Tiempo de recuperacin inversa. Se mide desde el momento que la corriente pasa por cero hasta el 25% de la corriente inversa mxima Irr. Su valor, esta dado por dos tiempos parciales trr = ta + tb donde: ta: Esta originado por el almacenamiento de cargas en la zona de la juntura. tb: Es el tiempo de almacenamiento en el cuerpo del semiconductor tb/ta: se le denomina factor de suavidad. Vamos a relacionar a continuacin la relacin entre estos parmetros. Si tenemos en cuenta la variacin de la corriente durante el tiempo ta, podemos expresar como: di/dt= Irr / ta despejando la corriente resulta: Irr = ta. di/dt trr. di/dt (1) si hacemos trr = ta+tb ta 4

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La carga de recuperacin inversa Qrr es la cantidad de portadores de carga que fluye a travs del diodo, en direccin inversa, debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso. Este valor, queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa: t2 Qrr = i(t) dt rea encerrada de un triangulo de base trr y altura Irr : t1 Qrr 1/2 . Irr . trr despejando Irr nos queda. Irr = 2. (Qrr/trr) (2) Igualando (1) y (2) 2. (Qrr/trr) =trr. di/dt despejando el tiempo trr tenemos: ____________ trr = (2.Qrr) / di/dt Si a este valor lo reemplazamos en la expresin (1) tenemos: __________ Irr = 2.Qrr. di/dt El tiempo de recuperacin inversa trr y la corriente de recuperacin inversa de picoIrr dependen de la carga almacenada Qrr y de la variacin de la corriente inversa.. Por otro lado, la carga almacenada, depende del tipo de diodo y de la corriente directa IF en el momento previo a la conmutacin. Los fabricantes de diodos, suministran curvas que muestran la dependencia de Qrr y trr con di/dt y la corriente directa IF. La energa puesta en juego en la recuperacin vale: W = Qrr.Vr, donde Vr es la tensin inversa despus de la recuperacin En rgimen peridico de conmutacin la potencia consumida vale: P = W / T = Qrr . Vr . f Esta potencia es importante tenerla en cuenta a los efectos de su disipacin. Tiempo de recuperacin directa de los diodos Si un diodo esta polarizado inversamente, fluye una corriente de fuga debido a los portadores minoritarios. Al polarizar directamente, el diodo conduce la corriente directa. Este cambio, requiere un tiempo para producirlo que se denomina tiempo de recuperacin directa. Es el tiempo necesario para que todos los portadores mayoritarios de toda la juntura puedan contribuir al flujo de la corriente. Si la velocidad de crecimiento de la corriente es muy elevada, ocurre que la corriente directa se concentra en una zona pequea de la superficie de la juntura; el diodo puede fallar por un exceso de temperatura puntual. El tiempo de recuperacin directa de un diodo, limita la velocidad de crecimiento y con ello la velocidad de conmutacin. Los fabricantes de diodos, suministran los valores limites mediante la expresin di/dt.

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Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa A los efectos de interpretar los efectos que producen los tiempos de recuperacin directa e inversa, y las medidas preventivas que es necesario tomar, analizaremos un circuito de conmutacin con diodos sencillo, como se muestra en el siguiente circuito:

IL 0 I1 t

t1

t2

I2

Corriente de pico Inverso de Dv por recuperacin. inversa

t Irr Si cerramos el interruptor P en t = 0, se establece una corriente a travs del inductor Ly resistencia R que tomara el valor final, (al finalizar el transitorio) de: IL = ve / R. . Con la polaridad de la tensin de entrada, el diodo Dv, esta polarizado inversamente. Si abrimos P en el tiempo t1, al disminuir la corriente IL, se induce una tensin en la inductancia L , para evitar que disminuya, y esta tensin inducida polariza ahora al diodo Dv directamente, lo que hace que fluya la corriente i2. Mientras conduzca Dv, la tensin sobre la carga RL queda limitada a la cada de tensin del diodo y con valor negativo (0,7 volt). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6

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Si ahora en el tiempo t2 cerramos el interruptor P, el diodo Dv cambia su polaridad y pasa de la conduccin directa a la inversa, producindose durante esa transicin , el fenmeno de recuperacin inversa, lo que hace que Dv este prcticamente en cortocicuito, dado que no tiene prcticamente limitacin de corriente. En esta situacin, la velocidad de crecimiento de la corriente i1 (dv1/dt) y la corriente del diodo D1, como asi tambin la velocidad de decrecimiento de la corriente de Vd., serian muy elevados, tendiendo a infinito. Esto hace que la corriente de recuperacin inversa del diodo Dv sea muy elevada, dado que esta dado por la expresin deducida : _________ Irr = 2.Qrr.di/dt Con estas corrientes elevadas, los diodos D1 y Dv podran daarse si di1/dt del circuito, supera el tiempo de recuperacin directa del diodo D1 y la mxima Irr de Dv. Una solucin es incorporar una inductancia Le limitante, en serie con el diodo D1

0 IL 0 I1 Irr t1 IL=Ve/R 0 Corriente de pico Inverso de Dv por Recup. inversa t t t2 t

I2

Con esta inductancia incorporada, la elevacin de la corriente del diodo D1y reduccin de Dv, quedara limitada a la de la inductancia, cuyo valor se podra determinar, ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7

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fcilmente, considerando que en el tiempo t2 el diodo Dv esta en corto. Para esta situacin vale: di/dt = ve / Le. De esta forma la corriente de recuperacin inversa de Dv quedara limitada a : Irr = trr.di/dt = trr.ve/Le La corriente pico del inductor Le vale: Ip = IL + Irr = IL + trr.ve/Le Cuando el diodo Dv se recupera (Irr 0), la corriente Ip para a valer rpidamente IL. Como la corriente de la carga no puede pasar rpidamente de Ip a = IL , entonces se induce una sobre tensin alta , debido a la energa almacenada que podra daar a Dv. El excedente de energa almacenada por Le (durante el tiempo de recuperacin) vale: Wr = 1/2. [(IL + Irr)2 - IL2] = 1/2. [(IL + ve.trr/Le)2 - IL2] Una solucion para descargar este excedente de energa, es agregar un capacitor C1 en paralelo con Dv para que pueda absorber esa energa y evitar la sobre tensin. El valor del capacitor se puede determinar como: Wr = 1/2. C1. Vc2 despejando C1 resulta: C1 = 2.Wr / Vc2 El valor de Vc corresponde a la mxima tensin inversa repetitiva que puede soportar el diodo Dv (VRWM) que es un dato dado por el fabricante. La resistencia en serie con C1, se coloca para disipar esta energa y evitar un tiempo prolongado del transitorio (amortiguamiento). Problema: El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr = 3,5 seg. Y la velocidad de reduccin de la corriente del diodo, cuando esta conmutando de conduccin a bloqueo, es de di/dt = 27 Amper/seg. Determinar: a) La carga de almacenamiento Qrr. b) La corriente inversa de pico Irr. RESUMEN DE USO Y CARACTERISTICAS TECNICAS DE LOS DIODOS 1) Diodos estndar o de uso gral: Se los utiliza en rectificadores y convertidores de frecuencia hasta 1 Khz., incluyendo los conmutados por lnea (50 o 60 Hz). Se fabrican por proceso de difusin. Existen diodos para soldaduras elctricas fabricados por aleacin hasta 300 amperes y 1000 volt (son econmicos). Corrientes : 1 hasta 4500 amperes Tensiones inversas: 50 hasta 6000 volt. trr tipico: 25 seg. 2) Diodos de recuperacin rpida: Se los utiliza en convertidores de CC a CC y CC a CA, donde la velocidad de recuperacin inversa es critica. Se fabrican por difusin y tcnica epitaxial. Por encima de los 400 volt, se fabrican por difusin, donde el tiempo de recuperacin, es controlada, mediante la difusin de oro o platino. Por debajo de 400volt , los diodos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8

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epitaxiales, tienen una base angosta lo que le permite tiempos de recuperacin inversa del orden de los 50 nseg. Frecuencias de funcionamiento: hasta 10 KHz. Corrientes : 1 hasta 1000 amperes. Tensiones inversas: 50 a 3000 volt. trr : 0,1 a 5 seg. 3) Diodos Schottky: Son diodos donde se logra la barrera de potencial con un contacto metalsemiconductor. Se logra, depositando sobre una capa epitaxial n de silicio, una capa de metal. La accin rectificadora se logra por la accin de los portadores mayoritarios y como resultado no tienen portadores en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe solamente a la capacitanca de la unin. La cada de tensin directa es mas baja que los diodos de silicio pn (0,2 a 0,3 volt). La carga almacenada, depende de la capacitancia y no depende de la di/dt. La corriente inversa o de fuga, es mayor que la de un diodo de Silicio pn y por lo tanto el voltaje inverso mximo, esta limitado a 100 volt. Las corrientes varan de 1 a 300 amperes. Son ideales para fuentes de alimentacin de alta corriente y bajo voltaje. Tienen buena eficiencia o sea pocas prdidas en conduccin directa. Frecuencias de funcionamiento: 20 KHz. Corrientes: 1 a 300 amperes. Tensiones inversas: 100 volt trr : 1nseg. 4) Diodos de carburo de silicio (SiC): El SiC. Es un nuevo material que se esta utilizando en la electronica de potencia. Sus propiedades mejoran a las de silicio (Si.) y de Arseniuro de galio (GaSi). Tenemos tres variantes para este tipo de diodos: diodos Schottky, diodos JBS, diodos PIN. Los diodos Schottky fabricados en SiC, tienen prdidas de potencia muy bajas, gran fiabilidad, no tienen tiempo de recuperacin inversa lo cual los hace ultrarrpidos en la conmutacin y la temperatura, no influye sobre la misma. 5) Otros diodos que se utilizaron como rectificadores de potencia: a) Diodos de germanio: Soportan temperatura de juntura hasta 100C, lo que limita su corriente directa a un valor mximo de 25 amperes. Soportan una tensin inversa mxima de 400volt y tienen una cada de tensin directa de aprox. 0,4 a 0,5volt. b) Diodos de Selenio: Soportan una temperatura mxima de juntura de 120C. Tiene menor capacidad de corriente que los diodos de Ge. Soportan una tensin inversa mxima de 60 volt. Tienen poca sensibilidad a los transitorios, por lo que se lo ha usado en aplicaciones como protector contra sobre tensiones. Es un dispositivo que sufre envejecimiento con el uso. c) Diodos de oxido de cobre: Soporta temperaturas mximas de 70C; Su capacidad para la tensin inversa estaba alrededor de los 6 volt. Solamente se lo utilizaba en aplicaciones de baja tensin. Es el mas antiguo rectificador solid. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9

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d) Diodos de vlvula de vaco: Los 1 convertidores (rectificadores Ca a CC) se construyeron con estas vlvulas. Soportan altas corrientes y altas tensiones inversas. Necesitan para su funcionamiento, un circuito auxiliar para calentamiento del ctodo para que pueda emitir electrones y conduzca la corriente hacia el nodo. ESPECIFICACIONES ELECTRICAS Y TERMICAS SUMINISTRADAS POR LOS FABRICANTES DE DIODOS SEMICONDUCTORES Tensiones de bloqueo inversa VR: Mxima tensin inversa aplicable en corriente continua VRWM : Mxima tensin de pico inversa excluyendo transitorios (onda senoidal 180) VRRM : Mxima tensin de pico inversa incluyendo transitorios repetitiva (onda senoidal 180). VRSM: Mxima tensin transitoria de pico inversa de modo no repetitivo. Cadas de tensin del diodo VFM: Cada de tensin de pico directa para onda senoidal, frecuencia y corriente pico especificada. VF : Cada de tensin promedio para la potencia promedio especificada. Corrientes directas IF(AV) : Corriente promedio mxima para 180 de conduccin senoidal (con especificacin de temperatura de carcaza o juntura). IF(RMS) : Corriente eficaz mxima para 180 de conduccin senoidal (con especificacin de temperatura de carcaza o juntura). IFSM : Sobrecorriente transitoria mxima no repetitiva (con especificaciones) IFRM(rep) : Corriente de pico mximo repetitiva. Corrientes inversas IRM : Corriente de pico inversa IR(AV) : Corriente inversa promedio. Caractersticas de cortocircuito i2.t [KA2/seg.] : Energa de ruptura del dispositivo con especif. de tiempo de ciclo (8,3 o 10 mseg), temperatura y tensin VRRM. _ _ i2.t [KA2/seg.] : Valor que se utiliza para calcular i2.t para 0< tx > 8,3 o 10 mseg _ _ i2.t = i2.t . i2.tX ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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Potencias de prdidas PRRM : Potencia disipada mxima de pico inverso PRSM: Potencia mxima de pico inverso no repetitivo P(AV) : Potencia promedio disipada por la corriente media y eficaz para onda senoidal 180 de conduccin con frecuencia especificada PC : Potencia promedio disipada durante la conmutacin con especif. De frecuencia Caractersticas de conmutacin trr : Tiempo de recuperacin inversa = (ta+tb) S : Factor de suavidad = tb/ta IRM : Corriente inversa mxima de recuperacin (Irr ) QRR : Carga almacenada o carga de recuperacin inversa Resistencia del diodo rf : Resistencia dinmica del diodo con especif de corriente directa. Resistencia al paso del calor disipado RthJC : Resistencia trmica juntura carcaza RthCD : Resistencia trmica carcaza disipador RthD : Resistencia trmica disipador [C/W] (valores promedio)

RthJ-mb : Resistencia trmica juntura- medio ambiente (sin disipador) Zth : Impedancia trmica transitoria del diodo [C/W] Temperaturas Tj : Temperatura mxima de juntura. Tc : Temperatura de carcaza Ta : Temperatura ambiente Tstg : Temperatura de almacenamiento Caractersticas mecnicas Fuerza para ajustar a la base de montaje; Peso ; Tipo de encapsulado.

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AGRUPACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES Conexin paralelo de diodos Cuando la corriente promedio, por cada rama de un rectificador, supera a la mxima promedio de un solo diodo, de los disponibles en el mercado, resulta conveniente la conexin en paralelo de varios diodos. En este caso es necesario asegurar una adecuada distribucin de las corrientes. Tomemos el caso de la conexin de dos diodos en paralelo, como se muestra la figura:

D1

D2

Caractersticas directas despus de un aumento de temperatura

id1 id1 iT/2 id2 id2 v vd vd Debido a las diferentes caractersticas tensin-corriente de los diodos, las corrientes circulantes en cada uno de ellos, sern diferentes. De all que si iT/2 es la mxima corriente de cada diodo, el D1 estar soportando una corriente superior a ese valor y D2 un valor menor. En estas condiciones, D1 se destruir por exceso de temperatura y mas tarde ocurrir con D2 que tiene que asumir la corriente total. Este diferente reparto de corrientes se agrava ms, con el aumento de temperatura. En el grafico se observa que la corriente del diodo D1 aumenta y la de D2 disminuye. Existen varios mtodos para obtener una ecualizacin de las caractersticas VI de los diodos, que permita conectarlos en paralelo, de tal forma que no se superen las condiciones mximas de conduccin de cada uno de ellos. Estos mtodos son:

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Colocacin de resistores de equilibrio en serie, Apareamiento de las caractersticas directas del diodo y Equilibrio de las corrientes con reactores. 1) Colocacin de resistencia de equilibrio en serie i D1 D2

Caractersticas directas de la combinacin resistor +diodo

id1 id1 id2 id2

v vd vd+vR

Con esta solucin podemos observar que las corrientes en los diodos toman valores bastantes similares. Este mtodo se utiliza para diodos de pequea capacidad, dado el consumo de energa en los resistores. Estos ltimos, eligen de tal manera que la cada de tensin en ellos, sea del orden de la cada de tensin de los diodos. Otro inconveniente de este mtodo, es que se incrementa la cada de tensin que produce el circuito rectificador. 2) Apareamiento de las caractersticas directas de los diodos Este mtodo se utiliza para el caso de diodos con alto grado de apareamiento, logrado en base a una seleccin adecuada. Se realiza en esta forma, una conexin directa, usando para ello un factor de reduccin de corriente. Si suponemos que D = Im / IM es el desequilibrio de corriente, entonces si conectamos n diodos en paralelo y suponiendo que (n-1) tengan el mximo desequilibrio y el restante soporta la corriente mxima IM, entonces la corriente total de los n diodos la podemos expresar como: IM +( n-1). Im =n . I siendo I la corriente en el supuesto de que todos los diodos fuesen iguales y n.I representa la corriente total de una rama del rectificador. Operando tenemos: IM +( n-1).D.IM =n . I Operando nuevamente y considerando la relacin fd = I / IM como el factor de reduccin, este vale: fd =D + (n-1).D / n ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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El valor de D se toma como valor practico 0,85 si los diodos tienen fusibles conectados en serie y si no lo tienen , se toma un valor de 0,8. Reemplazando resulta: fd = (0,85 + 0,15 / n) con fusibles en serie. fd = (0,85+ 0,2 / n) sin fusibles en serie. En esta condicin, se supone que la mxima corriente que puede soportar el diodo resulta: I = fd . IM Entonces la corriente total que puede circular por n diodos vale: IT = n . I n . fd . IM = (n.0,85 + 0,15). IM (con fusibles en serie) Problema: Calcular la corriente mxima tolerable por 10 diodos conectados en paralelo y funcionando a mxima temperatura de juntura. Los diodos estn protegidos por fusibles en serie y tienen una corriente mxima promedio de IFAVmax =30 amperes. IT = (n.0,85 + 0,15). IFAVmax = (0 . 0,8 + 0,15).30 = 259,5 amperes 3) Equilibrio de corrientes con reactores inductivos

Es el mtodo preferido para el equilibrado de grandes corrientes, dado que se tienen menos perdidas de potencia. El circuito trabaja de la siguiente manera: Si el diodo D1 tiene menor tensin umbral, este ser el primero en conducir. La corrientei1, produce una tensin inducida en los bobinados L1 y L2 de manera tal que obliga a conducir a D2. Cuando cesa el periodo de conduccin, i2 disminuye en primer termino, porque D2 tiene mayor tensin umbral; esto crea una nueva Fem., que hace que aumente el periodo de conduccin de D2 y disminuya el de D1. El resultado, es que por los diodos D1 y D2, circulen corrientes prcticamente iguales. ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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El valor de la inductancia ptima se determina por la siguiente formula emprica: L = 20.000 / w. IFRM donde w es la pulsacin y . IFRM es la mxima corriente de pico del diodo. Las exigencias ms importantes de la reactancia son elevada densidad de flujo de saturacin y baja densidad de flujo remanente, para obtener el mayor cambio total. Cuando tenemos que conectar varios diodos en paralelo, se recurre al siguiente circuito:

El circuito muestra la conexin de cuatro diodos en paralelo con reactancias de equilibrado. Cuando un diodo comienza a conducir, genera una tensin inducida en las reactancias, que obliga al resto a conducir. Por ejemplo, si el diodo D1 es el primero en conducir (por tener menor tensin umbral), los diodos D2 y D4 comienzan a conducir a travs de T2 y T1 respectivamente. Las tensiones generadas por T3 y T4, hacen iniciar la conduccin de de D3. Este sistema, es el ms satisfactorio a pesar de su costo y de los transitorios que se producen durante la conmutacin. CONEXIN SERIE DE DIODOS En los equipos convertidores donde la tensiones inversas del circuito, superan las mximas admisibles de los diodos (VRW max.), la solucin puede consistir en la conexin en serie de dos o mas diodos. Con tal conexin, surge el problema de asegurar una distribucin suficientemente uniforma de la tensin inversa en cada uno de los diodos, tanto en el rgimen estacionario, como durante la conmutacin. La aparicin aunque sea en un solo de los diodos de una tensin superior a la disruptiva, motiva no solo la ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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ruptura del diodo determinado, sino tambin de todos los restantes componentes de la cadena que se exponen al rgimen de sobre tensin. El la siguiente figura muestra una cadena de diodos en serie con la probable distribucin de tensin inversa, tanto en el rgimen estacionario, como en el transitorio de la conmutacin

Rgimen estacionario El origen de una distribucin irregular en este rgimen, se debe a la divergencia en la pendiente de las porciones rectilneas, en las caractersticas VI inversa, de cada uno de los diodos conectados en la cadena. La figura muestra la distribucin de la tensin inversa para dos diodos conectados en serie, con una corriente inversa comn de 5 MA:

Vi

-800 v

-400 v 0 5 ma

-IR

La poca pendiente da lugar a una divergencia considerable en la magnitud de las tensiones aplicadas a cada una de los diodos, dado que a travs de cada uno de ellos. circula la misma corriente inversa. La solucin para este rgimen, consiste en distribuir en forma ms o menos uniforme la tensin inversa, colocando para ello resistencias en paralelo con cada uno de ellos. El dibujo muestra el circuito de ecualizacin del rgimen estacionario: ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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2-1 Tipos de diodos, conexin de diodos ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Para la determinacin del valor del resistor R y la cantidad de diodos, se parte de considerar la situacin mas desfavorable que se va a dar cuando solo uno de los diodos de la cadena tiene una cierta corriente inversa y el resto despreciable (ver. Circuit. rect. Fapesa o Proyectos de fuentes de alimentacin Ing, Villamill). El desarrollo, nos lleva a una expresin que me da la cantidad de diodos a conectar en la cadena cuando tienen que soportar una determinada tensin inversa de la aplicacin: n 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5 Vi : Mxima tensin inversa de trabajo impuesta por la aplicacin. VRWM :Mxima tensin inversa de pico inversa que soporta cada uno de los diodos Para el clculo del resistor se aplica la siguiente formula: R Vpi / .IR Vpi = Vi / n : Mxima tensin inversa de trabajo que soporta cada diodo en condiciones de trabajo. : Coeficiente de distribucin ; valor variable entre 2 10. Para una alta confiabilidad, se adopta =10 , que seria el caso de diodos de gran potencia. IR : Mxima corriente inversa. La potencia disipada por los resistores vale: PR = Vi(RMS)2 / R El valor Vi(RMS) corresponde a la tensin eficaz inversa que soportan los diodos. Como este valor no es senoidal, se pueden adoptar las siguientes formulas para su clculo: PR = 0,25. Vi(RMS)2 / R para circuitos monofasicos de media onda y onda completa. PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R Para circuitos rectificadores trifsicos. Ejemplo: Calcular la cantidad de diodos en serie a colocar para soportar una tensin inversa mxima Vi = 2000 volt, con diodos de potencia que presentan la siguiente caracterstica: VRWM = 600 volt IR = 0,05 ma Soluc. n 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5 1,5.(2000 / 600) - 0,5 = 4,5; adopto n=5 R Vpi / .IR 2000 / 10.0,05 = 800 K

PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R = 0,4. 6002 / 800. 103 = 0,18 w ; se adopta un resistor de w ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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2-1 Tipos de diodos, conexin de diodos ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Rgimen transitorio En rgimen transitorio, cuando los diodos conmutan del estado de conduccin al de bloqueo, tambin es posible que se produzca una irregularidad en las tensiones transitorias que soportan los diodos de la cadena, causado por las diferentes cargas acumuladas en la zona de la juntura, y a su diferente velocidad de recuperacin. Esto es motivado por la completa identidad en las dimensiones geomtricas de las capas de las junturas como as tambin por las distintas capacidades interdiodicas y tiempo de vida de los portadores. En esta condicin, los diodos que tengan menor tiempo de recuperacin, bloquearan la tensin inversa. Adems de absorber dicha tensin, los diodos recuperados, prolongaran el tiempo de recuperacin de los diodos ms lentos al impedir la circulacin de la corriente inversa que elimina el exceso de carga almacenada. Para mejorar la distribucin de tensiones inversa en estas condiciones, es preciso disponer capacitores en paralelo con cada diodo, como muestra el siguiente circuito:

Estos capacitores, presentan fuentes de baja impedancia que absorben el exceso de carga almacenada, con lo que reducen al mnimo el tiempo de recuperacin de todos los diodos y se evita la aparicin de sobre tensiones en los diodos mas rpidos. El valor de la capacidad, se puede calcular con las siguientes formulas: C 5.trr . n / RT n : numero de diodos de la cadena. RT : resistencia total en serie trr : tiempo mximo de recuperacin inversa. Tambin se puede aplicar la siguiente formula para calcular el valor del capacitor: C = ( Qmax. Omin.) / VRRM Qmax y Qmin. : Mxima dispersin esperada en la carga almacenada en la juntura de los diodos. VRRM : Mxima tensin inversa de pico repetitivo. Si los valores de Qmax y Qmin. No se conocen, se los puede calcular aproximadamente con la siguiente expresin: Qmax. (C) = 2. IFAV (A) Qmin. = Qmax / 4

___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli