Energa Solar Fotovoltaica ESF

MDULO ?: PRINCIPIOS FSICOS DE LA CELDA SOLAR

Rafael Martn Lamaison Urioste Dept. dEnginyeria Electrnica-UPC

Principio fsico de la celda solar

Introduccin: conceptos bsicos
tomos Electrones Tipos de materiales

Semiconductores
Modelo de bandas de energa Tipos de semiconductores Semiconductor intrnseco Semiconductor Extrnseco Ley de accin de masas

La unin PN
Unin PN en circuito abierto

Principio fotovoltaico
Principio fsico de funcionamiento de la celda solar

Introduccin: Introduccin: Conceptos bsicos

tomo y electrones Fsica Clsica la matria est constituida por tomos
Electrones (presentan una carga negativa muy
pequea) Ncleo
protones y neutrones

Unidad de carga: Culombio 1C la carga de 6,24.1018 e-

Capa N de electrones K -------------- 02 L -------------- 08 M --------------18 N ---------------32 O -------------- 32 P ---------------18 Q -------------- 08

K LM NO P Q

Introduccin: Introduccin: Conceptos bsicos La ltima capa (tambin denominada capa de valencia), presenta cuando completa un total de 08 electrones, que reciben la denominacin de electrones de valencia Los electrones de valencia son los nicos en condiciones de participar en fenmenos qumicos o mismo elctricos.

Introduccin: Introduccin: Conceptos bsicos

Los tomos de los elementos simples, cuando estn completos son neutros (electrones y protones en igual cantidad); pero dado que los electrones de valencia son los ms alejados del ncleo y por tanto perciben menos su fuerza de atraccin, pueden salirse de dicha orbita dejando el tomo cargado positivamente (iones positivos). tomos estables e inestables: Se llama tima tomo estable al que tiene completa de electrones su ltima orbita o al menos dispone en ella de 8 electrones. Los tomos inestables, que son los que no tiene llena su orbita de valencia ni tampoco 8 electrones en ella, tienen una gran propensin a convertirse en estables, bien desprendindose de los electrones de valencia o bien absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la ltima orbita, en cada caso realizan lo que menos energa suponga.

Introduccin: Introduccin: Conceptos bsicos

Tipos de semiconductores Segn la fuerza en que los electrones de valencia estn ligados al ncleo y, por tanto, segn la facilidad con que se pueden desplazar de un tomo al contiguo, los materiales se pueden clasificar en 3 clases: conductores, semiconductores y aislantes

Conductores
Los conductores como los metales (p.e. cobre y aluminio), estn formados por tomos en los que los electrones no estn muy ligados al ncleo y fcilmente se desplazan al otro con tal que exista una pequea diferencia de potencial, por tanto, apenas necesitan energa para conducir.

Introduccin: Introduccin: Conceptos bsicos

Semiconductores
A muy bajas temperaturas, los semiconductores tienen la propiedad de un aislante; sin embargo, a temperaturas ms altas algunos electrones tienen libertad de movimiento y los materiales adoptan las propiedades de un conductor, si bien de un conductor pobre. No obstante, los semiconductores tienen algunas caractersticas tiles que lo hacen distintos tanto de los aislantes como de los conductores.

Aislantes
En los materiales aislantes, como el polietileno y el vidrio, los electrones de valencia estn ligados con firmeza a los ncleos de los tomos y muy pocos pueden liberarse para conducir electricidad. La aplicacin de un campo elctrico no causa un flujo de corriente pues no hay portadores mviles de carga. Por tanto, la energa necesaria para conducir es muy elevada.

Semiconductores
Modelo de bandas de energa
Se trata de un modelo para explicar como funcionan los materiales. Los electrones dentro de un material se pueden desplazar nicamente a niveles de energa permitidos. En la figura siguiente se muestra dicho modelo de bandas de energa.

Ec
Nivel prohibido

Banda de conduccin

Banda prohibida

Ev

Banda de Valencia

Semiconductores
El ancho de la banda prohibida o gap de energa (Eg) es la diferencia entre la energa de conduccin (Ec) y la energa de valencia (Ev), como se indica en la siguiente ecuacin:

Eg = Ec Ev

Ec

Eg 1ev

Eg

Ev

Conductores

Semicon ductores

Aislantes

Ec >> Ev

Semiconductores
Tipos de semiconductores

Los semiconductores se pueden presentar de dos maneras: Elementos simples: Elementos de la columna 4 de la tabla peridica de los elementos, como pueden ser el Silicio (Si) y el Germanio (Ge). Compuestos qumicos complejos: Arseniuro de Galio (GaAs), Fsforo de Indio, Teluro de Cadmio, Sulfuro de Cadmio.

Semiconductores

Semiconductores
Semiconductor intrnseco: Es un cristal puro que no est dopado
(no contiene impurezas). A la temperatura de 0 K, los electrones estn en los menores estados de energa disponibles, con lo cual los enlaces no se rompen. En estas condiciones el material se comporta como un aislante elctrico. Si Si Si

Si Si

Si Si

Si Si

En un cristal intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una especie de retcula, con cuatro tomos cercanos. Cada par de tomos cercanos forma lo que se denomina enlaces covalente. stos enlaces estn formados por los 4 electrones de la capa de valencia.

Semiconductores

Semiconductores

Semiconductores
Material semiconductor intrnseco sometido a una fuente de energa Si al semiconductor intrnseco se le aplica una fuente de energa como luz, calor, campo elctrico, campo magntico, etc., algunos enlaces covalentes se rompen por ionizacin trmica, con lo cual se generan electrones libres (generacin de electrones libres) y huecos en igual nmero. Para la generacin de electrones libres, el silicio necesita una energa de 1,1 ev y el germanio 0,8 ev. Cuando el cristal puro se somete a una fuente de energa, se puede romper un enlace, creando un hueco y un electrn libre que pueden moverse con libertad por todo el cristal. Incluso a temperatura ambiente (aproximadamente 300 K), algunos electrones alcanzan la suficiente energa trmica como para liberarse de sus enlaces.

Semiconductores
Hueco Radiacin

Si

Si
e-

Si
e-

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

El hueco pude entenderse como la carga ideal positiva (carga igual a la del e- pero de signo negativo)

Semiconductores

Semiconductores

Semiconductores
En los semiconductores la conduccin de electricidad es debida tanto los electrones como a los huecos que se mueven en sentido contrario. - - - - - - - Sentido de movimiento de los electrones

Sentido de movimiento de los huecos

En un semiconductor intrnseco, existe un nmero igual de huecos y electrones libres que pueden moverse con facilidad por el cristal. As, podemos decir que en un material puro:

n = p = ni

n -> concentracin de los electrones p -> concentracin de los agujeros ni -> constante de cada material a una
temperatura: concentracin intrnseca de e- o h+.

Semiconductores

Semiconductores
Semiconductor extrnseco (tipo n y p)
Se trata de un semiconductor al cual se le aaden impurezas para aumentar el nmero de portadores libres. Tipos de impurezas utilizadas:
Semiconductor tipo n Para formar un semiconductor tipo n se aaden impurezas donadoras, ND, con lo cual, se aumenta el nmero de electrones: los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Las impurezas donadoras son tomos pertenecientes a la columna 5 de la tabla peridica de los elementos (tomos pentavalentes), como pueden ser el arsenio, antimonio y fsforo. Semiconductor tipo p Para formar un semiconductor tipo p se aaden impurezas aceptadoras, NA, con lo cual, se aumenta el nmero de huecos: los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son los portadores minoritarios. Las impurezas aceptadoras son tomos pertenecientes a la columna 3 de la tabla peridica de los elementos (tomos trivalentes), como pueden ser el boro, indio o galio.

Semiconductores

Semiconductores
Semiconductor tipo n

Si Si Si

Si Si Si
eee-

Si F Si
ee-

Si Si Si

Electrn poco ligado al ncleo

Red cristalina del silicio con un tomo de fsforo

tomo de fsforo con los 5 electrones de su ltima capa.

Semiconductores

Semiconductores
Semiconductor tipo p

Si Si Si
e-

Si Si Si
e-

Si B Si B
e-

Si Si Si

Enlace covalente incompleto

Red cristalina del silicio con un tomo de boro

tomo de Boro con los 3 electrones de su ltima capa.

Semiconductores

Semiconductores
Ley de accin de masas
Al aadir impurezas donadoras a un semiconductor provoca una disminucin de agujeros. Por otro lado, al aadir impurezas aceptadoras a un semiconductor provoca una disminucin de electrones por debajo del nivel del intrnseco. Se puede demostrar que en un semiconductor extrnseco o dopado, el producto de la concentracin de agujeros y electrones es una constante independiente de la cantidad de impurezas aceptadoras o donadoras que se aaden:

n . p = ni

Como ya se ha mencionado, ni es la concentracin de electrones o huecos en el semiconductor intrnseco.

Concentracin de portadores

Tipo n n ND n . p = n i

ni p= N A
2

Tipo p p NA n . p = n i

ni n = ND

La unin PN: conceptos bsicos PN:

La unin PN consta de un nico cristal de material semiconductor, que est dopado para producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden aadir impurezas al cristal a medida que va creciendo, o aadirlas ms tarde, ya sea por difusin de tomos de impurezas en el cristal, ya sea por implantacin de iones. Antes de unir las dos mitades de la unin, el lado N tiene una alta concentracin de electrones libres y una baja concentracin de huecos. En la mitad de tipo p tenemos la condicin inversa. Debido al alto gradiente de concentracin de portadores de un mismo tipo a cada lado de la unin (en un lado son mayoritarios y en el otro minoritarios), tienden a pasar por difusin desde el lado donde son mayora al lado donde son minora. Al ocurrir esto, dejan en las proximidades de la unin una zona de cargas fijas (negativas en la zona P y positivas en la N) producindose a ambos lados de la unin un dipolo elctrico que crea un campo elctrico dirigido de la zona N a la zonas P que tiende a compensar esta difusin de portadores, llegndose as a una situacin de equilibrio.

La unin PN: conceptos bsicos PN:

As cuando tenemos un semiconductor tipo p en contacto con un semiconductor tipo n, como se muestra en la siguiente figura:

Podemos resumir lo que se ha expuesto anteriormente con los pasos que se describen a seguir: 1. Se produce una difusin de huecos de la regin P a la regin N y una difusin de electrones de la regin N a la regin P. 2. Al haber difusin algunos huecos que pasan de la regin P a la regin N y algunos electrones que pasan de la zona N a la zona P, se recombinan hasta alcanzar el equilibrio. 3. Tal como se muestra en la siguiente figura, despus del proceso de difusin y recombinacin, se produce en la unin una zona de deplexin (tambin llamada zona de carga espacial zona de vaciamiento) formada por las cargas estticas (iones) de la estructura cristalina.

La unin PN: conceptos bsicos PN:

Zona de vaciamiento o zona de deplexin
+ + + + ++ + + + + + +
Vaciada de

portadores libres

-E -

+ + + + + + + +

-- - - ---- - --

Pierden huecos

Pierden electrones

Iones o cargas estticas No se pueden mover 4. En esa zona de deplexin que se ha formado se crea un campo elctrico E (de la
regin N a la regin P o de los iones + a los iones -) con lo cual se produce una cada de potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto o potencial de unin (Vo). Su magnitud es del orden de 0,3 a 0,7 voltios, dependiendo del tipo de semiconductor, germanio o silicio, respectivamente. En la siguiente figura se puede ver la distribucin de potencial a lo largo del eje perpendicular de la unin.

La unin PN: conceptos bsicos PN:

Potencial Vo

x
5. El campo elctrico impide que ms portadores atraviesen la unin. 6. Existen dos tipos de corriente:
Corriente de difusin (ID) debida a los portadores mayoritarios. Electrones de la regin N a la regin P y huecos de la regin P a la regin N. Cuanto mayor es el potencial de unin, menor es la corriente de difusin ID. Corriente de arrastre, deriva o saturacin inversa (IS) debida a los portadores minoritarios. Algunos huecos (generados trmicamente) en la regin N se mueven por difusin hacia la unin. All experimentan el campo elctrico que los arrastra hacia la regin P. Por otro lado, algunos electrones (generados trmicamente) en la regin P se mueven por difusin hacia la unin. All experimentan el campo elctrico que los arrastra hacia la regin N. Ambos procesos (los huecos de la regin N a la regin P y los electrones de la regin P a la regin N) forman la corriente de saturacin inversa IS, la cual depende bsicamente de la temperatura y del potencial de la unin.

La unin PN: conceptos bsicos PN:

En condiciones de circuito abierto, no existe corriente externa y por tanto ID = IS (equilibrio). En circuito abierto, la tensin es nula, con lo cual la tensin o potencial de unin se compensa con la tensin de las uniones METAL-SEMICONDUCTOR (ver figura siguiente). Por tanto, ocurre, como es de esperar, el principio de conservacin de energa. metal contactos ohmicos

Principio fotovoltaico
Principio de funcionamiento de la celda solar Las clulas solares estn constituidas por materiales semiconductores, principalmente silicio, y son elementos que transforman directamente parte de la energa solar que reciben en energa elctrica. Los electrones de valencia del material semiconductor de la clula, que estn ligados dbilmente al ncleo de sus tomos, son arrancados por la energa de los fotones de la radiacin solar que inciden sobre ella. Este fenmeno se denomina efecto fotovoltaico.

Principio fotovoltaico
Principio de funcionamiento de la celda solar El proceso del principio fsico de la celda solar se puede resumir en los siguientes pasos:
Los fotones incidentes son absorbidos y se generan pares electrnhueco, tanto en la regin P de la unin como en la regin N. Supondremos que se genera una pareja por fotn. Los electrones y huecos generados a una distancia inferior a Lp o Ln (longitud de difusin del hueco y electrn) de la zona de vaciamiento, llegan a ella por difusin. En la zona de vaciamiento tambin se generan pares electrn-hueco debido a la radiacin que incide. En la zona de vaciamiento, cada miembro de la pareja es separado por el campo elctrico presente: los huecos se dirigen a la regin P y los electrones a la regin N. ste proceso se puede observar en la siguiente figura:

Principio fotovoltaico
Separacin de portadores por el campo de la unin P-N PZona de vaciamiento Azul Rojo Infrarrojo

E
P

Principio fotovoltaico
Celda en circuito abierto
Si la celda est en circuito abierto, la acumulacin de cargas de signos diferentes en los 2 costados de la unin genera una tensin de circuito abierto Voc, tal como se muestra en la figura siguiente:

Voc
N P

Principio fotovoltaico
Celda en corto circuito
Si la celda est cortocircuitada se genera una corriente de corto circuito Isc. Observar que el sentido de la corriente es el mismo que el de la corriente inversa de saturacin de la unin PN (diodo). La figura siguiente ilustra sta situacin:

N P

Isc

Principio fotovoltaico
Intensidad de corriente de la celda
Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la corriente fotovoltaica generada (I) sale de la clula hacia el circuito exterior por la regin P, atraviesa la carga y entra de nuevo a la clula por la regin N. Esto que se acaba de mencionar se puede observar en la figura siguiente:

N P

R +
I