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ESTRUTURA E PROPRIEDADES DOS MATERIAIS ESTRUTURA CRISTALINA

Prof. Rubens Caram

POR QUE CRISTAL?


Antigos gregos: pedaos de quartzo encontrados em regies frias era um tipo especial de gelo - Krystallos Kristallos eram congelados de maneira to forte que no se fundiam mais

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CRISTAL x ESTRUTURA INTERNA


Termo cristal: tambm aplicado a outros minerais com caractersticas geomtricas definidas. Diversas substncias formadas por cristais, com faces planas e ngulos definidos entre uma face e outra. 1660, Nicolaus Steno: cristais preservam tais ngulos ao crescerem e tal crescimento ocorre com a adio de camadas externas de tomos ou molculas e no atravs de um crescimento interno. Forma geomtrica externa: conseqncia do arranjo interno dos tomos ou molculas.

Vanadinita

Rutilo

Magnetita
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ARRANJO CRISTALINO EXISTE?


Estrutura atmica pode ser observada atravs de microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo Experimento com folha delgada de ouro no LNLS
Feixe de eltrons Buracos

Nanofio Folha delgada de ouro (3-5 nm)

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ARRANJO CRISTALINO EXISTE?


1,0 nm

[100]

[100]

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ARRANJO CRISTALINO EXISTE?


1,0 nm

[110]

[110]

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EMPACOTAMENTO EM SLIDOS
Dois tipos de ligao: Direcionais e No-direcionais Direcionais: Covalentes e Dipolo-Dipolo Arranjo deve satisfazer os ngulos das ligaes direcionais Slidos Covalentes No-direcionais: Metlica, Inica, van der Walls Arranjo depende de aspectos geomtricos e da garantia de neutralidade eltrica Slidos Metlicos Slido Inicos
Metlicos Ex.: Pb, Ni Inicos Ex.: NaCl Covalentes/Moleculares Ex.: Diamante, Gelo

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SISTEMAS CRISTALINOS
Estruturas Cristalinas so formadas por unidades bsicas e repetitivas denominadas de Clulas Unitrias Clula Unitria - menor arranjo de tomos que pode representar um slido cristalino Existem 7 sistemas cristalinos bsicos que englobam todas as substncias cristalinas conhecidas

SISTEMAS

EIXOS

NGULOS ENTRE OS EIXOS


0 0 0

CBICO TETRAGONAL ORTORRMBICO MONOCLNICO TRICLNICO HEXAGONAL ROMBODRICO

a=b=c a=b c abc abc abc a1=a 2=a3c a=b=c

Todos os ngulos = 90 Todos os ngulos = 90 Todos os ngulos = 90

2 ngulos = 90 0 e 1 ngulo 90 0 Todos ngulos diferentes e nenhum igual a 90 2 ngulos = 90 e 1 ngulo = 120
0 0 0 R. Caram - 8 0

Todos os ngulos iguais, mas diferentes de 90

CLULAS UNITRIAS DE BRAVAIS


Classificao das 14 Clulas Unitrias de Bravais, baseada nos 7 Sistemas Cristalinos

Cbico (a=b=c e ===90o)

Monoclnico (abc e ==90o e 90o)

Triclnico (abc e 90o)

Tetragonal (a=bc e ===90o)

Rombodrico (a=b=c e == 90o)

Hexagonal (a1=a2=a3c e ==90o e =120o

Ortorrmbico

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PRINCIPAIS ESTRUTURAS CRISTALINAS


Maioria dos elementos metlicos (90%) cristaliza-se com estruturas altamente densas: Cbica de Corpo Centrado (CCC) Cbica de Face Centrada (CFC) Hexagonal Compacta (HC) Dimenses das clulas cristalinas metlicas so pequenas: Aresta de uma clula unitria de Fe temperatura ambiente igual a 0,287 nm Slidos Cristalinos de 1 nico elemento: 52% - estrutura cbica 28% - estrutura hexagonal 20% - outros 5 tipos estruturais
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CRISTAIS COMPACTOS
Cristais Cbicos Cbico simples (CS) Cbico de corpo centrado (CCC) Cbico de face centrada (CFC)

Cristais Hexagonais Hexagonal simples (HS) Hexagonal compacto (HC)


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FATOR DE EMPACOTAMENTO
Fator de Empacotamento (F.E.): nvel de ocupao por tomos de uma estrutura cristalina,

F.E. =

N VA VC

N = Nmero de tomos que efetivamente ocupam a clula; VA = Volume do tomo (4/3..r3); r = Raio do tomo; VC = Volume da clula unitria.

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ESTRUTURA CS - Po
No de tomos dentro da clula unitria 1/8 de tomo em cada vrtice: 8x1/8=1 tomo Volume da clula
VC = a 3 = (2r )3 = 8r 3

Fator de Empacotamento
F .E . = 1 4 r3 3 = 0 , 52 3 8r

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ESTRUTURA CCC - Fe, Nb, Cr


No de tomos dentro da clula unitria 1/8 de tomo nos vrtices e 1 no centro: 8x1/8+1=2 tomos Volume da clula
VC = a
3

4r 3 64 r 3 ) = = ( 3 3 3

Fator de Empacotamento
8 r3 F .E . = 3 = 0 , 68 3 64 r 3 3

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ESTRUTURA CFC - Al, Cu, Au, Ag


No de tomos dentro da clula unitria 1/8 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces: 8x1/8+3=4 tomos Volume da clula
VC = a 3 = (2 2 r ) 3 = 16 2r 3

Fator de Empacotamento
16 r3 F .E . = 3 = 0 , 74 3 16 2 r

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ESTRUTURA HS

No de tomos dentro da clula unitria 1/6 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces: 12x1/6+1=3 tomos Volume da clula
V HS 6a2 3 = S He H = a = 12 4 3 r3

Fator de Empacotamento
12 r3 F .E . = 3 = 0 , 60 3 12 3 r

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ESTRUTURA HC - Ti, Mg, Zn


No de tomos dentro da clula unitria 1/6 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces e 3 no interior: 12x1/6+1=3 tomos Volume da clula
V HC 6a2 3 2 = S He H = 4 2a = 24 3 2 r3

Fator de Empacotamento
24 r3 F .E . = 3 = 0 , 74 3 24 2 r

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SEQNCIA DE EMPILHAMENTO
Fator de Empacotamento das estruturas cbicas e hexagonais: CS - 052 CCC - 0,68 CFC - 0,74 HS - 0,60 HC - 0,74

HC CFC
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ESTRUTURA HC

HC

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ESTRUTURA CFC

CFC
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ALOTROPIA OU POLIMORFISMO
Fenmeno onde uma substncia apresenta variaes de arranjos cristalinos em diferentes condies Dos elementos qumicos conhecidos, 40 % apresentam variaes alotrpicas
METAL Ca Co Hf Fe Li Na Sr Tl Ti Y Zr ESTRUTURA NA TEMP. AMBIENTE CFC HC HC CCC CCC CCC CFC HC HC HC HC EM OUTRAS TEMPERATURAS CCC (>4470C) CFC (>4270C) CFC (>1.7420C) CFC (912-1.3940C) CCC (>1.3940C) HC (<-1930C) HC (<-2330C) CCC (>5570C) CCC (>2340C) CCC (>8830C) CCC (>1.4810C) CCC (>8720C)
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POLIMORFISMO DO Fe
Ferro Puro
1.500 1.400 1.300 1.200 1.100 1.000 900 Ferro
912 C
o

Lquido Ferro

1.539 C

1.394 C

Ferro

Temperatura oC

800 700 -

Ferro Lquido

768 C

Tempo

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Fe-C

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MARTENSITA

CFC

Carbono

TCC CFC

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POLIMORFISMO DO C
Carbono
DIAMANTE GRAFITE

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EXERCCIO
TEMPERATURA AMBIENTE, O ESTRNCIO EXIBE ESTRUTURA CFC. AO SER AQUECIDO ACIMA DE 557 OC, ESSE ARRANJO ATMICO TRANSFORMA-SE EM CCC. DETERMINE A VARIAO DE VOLUME QUE ENVOLVE ESSA TRANSFORMAO ALOTRPICA. CONSIDERE QUE O RAIO ATMICO PERMANECE CONSTANTE. Antes da transformao:

VI = VCFC = a3 = (2 2 R ) = 16 2 R3 = 22,62R3
3

Aps a transformao:

128 3 4R VF = 2VCCC = 2a = 2 R = 24,63 R3 = 3 3 3


3
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EXERCCIO
A VARIAO DE VOLUME DADA POR: 24,63 R3 22,62 R3 V = = 0,089 ou 8,9% 3 22,62 R OCORREU EXPANSO VOLUMTRICA EQUIVALENTE A: 8,9% DO VOLUME INICIAL.

T
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POLIMORFISMO DO Ti
Titnio Baixa densidade, boa resistncia mecnica, alta resistncia fadiga e corroso; Modificao do comportamento mecnico obtido com a adio de elementos de liga ao titnio; Elementos de liga podem mudar a estabilidade das estruturas cristalinas.

T
CCC ()

883 oC HC ()

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LIGAS DE Ti
Liga Ti-6Al-4V: definida como tipo +, boa conformabilidade mecnica, elevada resistncia fadiga e excelente resistncia corroso.

Liga Ti-6Al-4V: fase de estrutura CCC estabilizada pela presena do V


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APLICAO: PRTESE TOTAL DE QUADRIL


Conceitos da estrutura interna do materiais podem ser aplicados na otimizao de propriedades mecnicas, em aplicaes especficas

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ARTROPLASTIA DO QUADRIL

Remoo da cabea do fmur

Preparao de cavidade no acetbulo

Exame da forma da cavidade

Preparao da cavidade no fmur

Insero da haste metlica

Insero da cabea do haste


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REQUISITOS DE IMPLANTES
Alta resistncia mecnica, elevada biocompatibilidade e alta resistncia corroso, implante ortopdico deve simular o comportamento elstico do tecido sseo prximo Mdulo de elasticidade a propriedade de maior interesse nesse caso: E osso: 10 - 40 GPa E ao inox: 200 GPa E Ti puro: 100 GPa E Ti-6Al-4V: 110 GPa E ligas : 50 GPa
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MDULO DE ELASTICIDADE E ESTRUTURA


Estruturas menos compactas exibem menor mdulo de elasticidade

FA

FA FT

Distncia entre tomos ou ons, a

FR
FR

ao=rction + rnion

ao
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EFEITO DO MDULO DE ELASTICIDADE


Liga de Ti Tipo E 52 GPa

Liga de Ti Tipo + E 110 GPa

Ao Inox 316L E 200 GPa


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EFEITO DO MDULO DE ELASTICIDADE

Fratura ssea (fmur)


Ao Inox 316L E 200 GPa

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DIREES E PLANOS EM CRISTAIS


FREQUENTEMENTE NECESSRIO IDENTIFICAR DIREES E PLANOS ESPECFICOS EM CRISTAIS POR EXEMPLO PROPRIEDADES MECNICAS X DIREES E PLANOS: MDULO DE ELASTICIDADE (direes mais compactas maior mdulo) DEFORMAO PLSTICA (deslizamento de planos planos compactos)
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DIREES E PLANOS EM CRISTAIS

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DIREES E PLANOS EM CRISTAIS


INDICAO DE DIREES E PLANOS ENVOLVE O ESTABELECIMENTO DE POSIES NO CRISTAL, DAS POR SUAS COORDENADAS
z
(0,0,1) (1,0,0)
(1,0,1)

z
(0,0,1) (0,1,1) (1,1,1)

(0,-1,0) (1,0,0)

(0,0,0)

(0,1,0)

(0,0,0) (1,0,0)

(0,1,0) (1,1,0)

(0,0,-1)

COORDENADAS SO EXPRESSAS EM TERMOS DOS PARMETROS DE REDE DA CLULA CRISTALINA (NO SO USADAS UNIDADES cm OU )
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DIREES EM CRISTAIS CBICO


r r r A PARTIR DOS VETORES a , b E c, PODE-SE
REPRESENTAR QUALQUER VETOR NO SISTEMA CRISTALINO UM VETOR DA ORIGEM AT OrPONTO (X,Y,Z) r r r REPRESENTADO POR: v = xa + yb + zc
z z

r c
r a
x

r c
r b
y

r a
x

r b

r v
y

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DETERMINAO DE UMA DIREO


Uma direo dada pelas componentes do vetor que a escreve no sistema ortogonal x,y,z, partindo da origem, at o ponto (x,y,z); As coordenadas so reduzidas ao menor conjunto de nmeros inteiros; A unidade de medida de cada eixo funo do parmetro de rede de cada eixo e assim, no representa valores reais de distncia; A notao empregada [u v w] (entre colchetes) e representa uma linha que vai da origem at um ponto de coordenadas (u,v,w);

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DETERMINAO DE UMA DIREO


Os ndices negativos so representados por uma barra sobre os mesmos: [u vw ] ; Quaisquer direes paralelas so equivalentes; Um vetor que passa na origem, em (1,1,1), em (2,2,2), e em (3,3,3) pode ser identificado pela direo [111]; Em cristais, uma famlia de direes est associada a um conjunto de direes com caractersticas equivalentes. A notao empregada para representar uma famlia de direes <uvw>, que contm as direes: [uvw ], [u vw ] , [uv w ] , [uvw ], [u vw ] ...

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DETERMINAO DE DIREES
DA ORIGEM AT O PONTO EM QUESTO

[0 1 1]
[010]
y

[001]

[111] [100]
x

[100] [110]
x

[110]

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DIREES

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EXERCCIOS
DETERMINE AS DIREES A SEGUIR:

Cbico

b=1,5a c=0,5a

a
1/3

c y

k y i x
1/2

d x

1/2

g h

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PLANOS EM CRISTAIS CBICO


PLANOS SO IDENTIFICADOS PELOS NDICES DE MILLER. UM PLANO DEVE SATISFAZER A EQUAO:

x y z + + =1 a b c

EQUAO DO PLANO

ONDE a, b E c SO OS PONTOS DE INTERCEPTAO DO PLANO COM OS EIXOS x, y E Z. COMO a, b E c PODEM SER MENORES QUE 1 OU INFINITO NO CASO DO PLANO SER PARALELO A UM EIXO, ADOTASE O INVERSO DOS VALORES DE a, b E c:

h=1/a; k=1/b; l=1/c

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PLANOS EM CRISTAIS CBICOS


NDICES DE MILLER h, k E l

hx + ky + lz = 1
z c

EQUAO DO PLANO

I.M.:(hkl)
b a x y

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DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem origem (0,0,0); Planos paralelos so eqivalentes; Obteno dos pontos de interceptao do plano com os eixos x, y e z; Obteno dos inversos das interceptaes: h=1/a, k=1/b e l=1/c; Obteno do menor conjunto de nmeros inteiros; ndices obtidos devem ser apresentados entre parnteses: (hkl);

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DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem origem (0,0,0); ndices negativos so representados por uma barra sobre os mesmos: (h kl ) ; Em cristais, alguns planos podem ser equivalentes, o que resulta em uma famlia de planos. A notao empregada para representar uma famlia de planos {hkl}, que contm os planos (hkl ), (h kl ) , (h k l), (hk l ), (h k l) ...

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PLANOS

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EXERCCIO
DETERMINE OS I.M. NA ESTRUTURA CBICA, DO PLANO QUE PASSA PELAS POSIES ATMICAS (1,1,3/4); (1,1/2,1/4) E (0,1,0). PONTOS PERMITEM ESTABELECER O PLANO MOSTRADO. UMA LINHA UNINDO OS PONTOS (1,1,3/4) E (1,1/2,1/4) POSSIBILITA ENCONTRAR O PONTO (1,1/4,0). DESLOCANDO A ORIGEM, POSSVEL NOTAR QUE O PLANO INTERCEPTA O EIXO X EM X=1, O EIXO Y EM Y=-3/4 E O EIXO Z EM Z=3/4. ISSO CONDUZ AOS I.M.= (3 4 4 )
z
(1,1,3/4) (0,1,0)

y x
(1,1/4,0) (1,1/2,1/4)

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EXERCCIOS
DETERMINE OS NDICES DE MILLER DOS PLANOS A SEGUIR
z Cbico z Cbico z c=1,5a

a
1/2 1/3

c d y x
1/3 1/2

e
1/3

1/4

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RELAOES MATEMTICAS
NGULOS ENTRE DUAS DIREES SUPONHA DUAS DIREES REPRESENTADAS POR SEUS RESPECTIVOS VETORES:

r r r r (x1,y1,z1) A = x1a + y1b + z1c r r r r r r B = x 2 a + y 2b + z 2 c B-A r r r2 r2 r2 r r A B A = B + A 2 B A cos r r r2 r r A.B cos = r r (x2,y2,z2) A = A .A r A .B B (0,0,0) r 1/2 A = x12 + y12 + z12 r 2 2 2 1/2 x1x 2 + y1y 2 + z1z2 B = x 2 + y 2 + z2 cos = 2 (x1 + y12 + z12 )1/2 (x 22 + y 22 + z22 )1/2 r r A.B = x1x 2 + y1y 2 + z1z2

( (

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EXERCCIO
DETERMINE O NGULO ENTRE AS DIREES [111] E [110].
cos = (x12 + y12 + z12 )1/2 (x 22 + y 22 + z22 )1/2 x1x 2 + y1y 2 + z1z2

1.1 + 1.1 + 1.0 (1+ 1 + 1)1/2 (1+ 1 + 0)1/2

2 6

IGUAL A: 35,2O

[111]

y
[110]

x
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RELAES MATEMTICAS
DIREO RESULTANTE DA INTERSECO DE DOIS PLANOS SUPONHA DOIS PLANOS A E B, REPRESENTADOS PELOS I.M. (h1 k1 l1) E (h2 k2 l2): INTERSECO DE A E B SER A DIREO C PRODUTOrVETORIAL DE A E B r r SER C: A B = C
r r A X B = hA hB r a r b kA kB r c lA lB

z Plano A

r C
r r A B

y x Plano B

r r r = a(k AlB kBlA ) + b(lAhB lBhA ) + c(hAkB hBk A )

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EXERCCIO
DETERMINE A DIREO DA INTERSECO DOS PLANOS (111) E (001). O produto vetorial entre os planos A e B produz o vetor (direo de interseco):
r r r r r r C = 1 1 1 = a(1 0) + b(0 1) + c(0 0) = a b 0 0 1 r r r a b c

A direo de interseco [1 1 0].

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EXERCCIO
DETERMINE O PLANO QUE PASSA PELAS POSIES a: (1,01); b(1/2,1,0); c:(1,1/2,0)

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DIREES EM CRISTAIS HEXAGONAIS


DIREES SO INDICADAS POR QUATRO NDICES: NDICES: u, v, t E w, APRESENTADOS ENTRE COLCHETES +c SISTEMA DE QUATRO EIXOS: NDICES u, v E t ESTO ASSOCIADOS AOS EIXOS a1, a2, E a3 c NDICE w REFERE-SE AO +a3 EIXO c CONDIO: -a2 u+v=-t -c
+a1 a -a3

-a1

+a2

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IDENTIFICAO DE DIREES
a3

2 -1 -1

[ 1 2 1 0]

a2

a1

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IDENTIFICAO DE DIREES
a3

[0 1 10]
2 1 1 1 -1 -1 -1 -1 -1

[ 1 2 1 0]

a2

[1 1 00]

a1

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EXEMPLO DE DIREES
[0001]

+c
[ 1 2 1 0] [ 2 1 1 0]

[ 1 1 20]

c +a3 -a1

-a2 -c +a1 a -a3

+a2

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PLANOS EM CRISTAIS HEXAGONAIS


PLANOS SO INDICADOS POR QUATRO NDICES: NDICES: h, k, i E l, APRESENTADOS ENTRE PARNTESES +c SISTEMA DE QUATRO EIXOS: NDICES h, k E i ESTO ASSOCIADOS AOS EIXOS a1, a2, E a3 c NDICE l REFERE-SE AO +a3 EIXO c CONDIO: -a2 h+k=-i -c
+a1 a -a3

-a1

+a2

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EXEMPLO DE PLANOS
(0001)

+c

(01 1 0)

c +a3
(2 1 1 0)

-a1

-a2 +a1 -c a -a3

+a2

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EXERCCIO
IDENTIFIQUE OS NDICES DE MILLER-BRAVAIS DOS PLANOS A E B E DAS DIREES C E D.
D c C B A

a3

a2

a1
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SOLUO
PLANO A: A1=1; A2=1; A3=-1/2 E C=1. INVERTENDO TAIS VALORES, POSSVEL OBTER 1; 1; -2 E 1, RESPECTIVAMENTE. LOGO, O PLANO A TEM NDICES (11 2 1) . PLANO B: A1=1; A2=-1; A3= E C=. INVERTENDO TAIS VALORES, POSSVEL OBTER 1; -1; 0 E 0, RESPECTIVAMENTE. LOGO, O PLANO A TEM NDICES (1 1 00 ) .

c C

B A

a3

a2

a1

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SOLUO
DIREO C TOMANDO-SE UMA DIREO PARALELA (QUE PASSA PELA ORIGEM), TEM-SE UM VETOR DA ORIGEM AT O PONTO DE COORDENADAS (1,-1,0,0). LOGO, A DIREO SER [1 1 00 ] DIREO D TOMANDO-SE UMA DIREO PARALELA (QUE PASSA PELA ORIGEM), TEM-SE UM VETOR DA ORIGEM AT O PONTO DE COORDENADAS (1,-2,1,1). LOGO, A DIREO SER [ 1 2 11 ]

c C

B A

a3

a2

a1

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DENSIDADE DE TOMOS
z

DENSIDADE LINEAR
1 1 + no de atomos 2 2 1 = = Dlinear = comprimento a a
(100) [100]

a DENSIDADE PLANAR
1 1 1 1 + + + n de atomos 4 4 4 4 1 = = 2 Dplanar = 2 rea a a
o

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EXERCCIO

A ESTRUTURA DO CDMIO TEMPERATURA AMBIENTE HC. CONSIDERANDO QUE SEUS PARMETROS DE REDE SO a=0,2973nm E c=0,5618nm, DETERMINE AS DENSIDADES ATMICAS: (A) NA DIREO [2 1 1 0] ; (B) NO PLANO (0001).

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SOLUO
DENSIDADE NA DIREO [2 1 1 0] OBTIDA DETERMINANDO-SE O NMERO DE TOMOS DENTRO DE UMA DISTNCIA CONHECIDA. TOMANDO-SE, NA DIREO MECIONADA, A DISTNCIA EQIVALENTE A UM PARMETRO DE REDE a, TEM-SE NMERO DE TOMOS = 2 X 1/2 = 1 TOMO DISTNCIA = 0,2973X10-9 m
1 1 + n de atomos 2 2 1 1 = = = = = 3,36 x10 9 tomos / m Dlinear compriment o a a 0,2973 x10 9 m
o

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SOLUO
O PLANO (0001) DENOMINADO DE PLANO BASAL. A DENSIDADE DE TAL PLANO PODE SER OBTIDA ATRAVS DA RAZO ENTRE NMERO DE TOMOS PRESENTES EM UMA REA DETERMINADA E O VALOR DE TAL REA. TOMANDO-SE COMO REFERNCIA UM DOS TRINGULOS EQILTEROS DO PLANO HEXAGONAL, TEM-SE: NMERO DE TOMOS = 3 X 1/6 = 1/2 TOMO REA = 3,8X10-20 m2
1 1 1 + + n o de atomos 6 6 6 = = 1,31x10 19 tomos/m 2 Dplanar = rea 3,8x10 -9 m

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EXERCCIO
DETEMINE A DENSIDADE DO FERRO TEMPERATURA AMBIENTE. DADOS: RAIO ATMICO: 0,123 nm MASSA ATMICA: 56 g/mol ESTRUTURA CCC

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