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Universidade Tecnolgica Federal do Paran.

DAELN Depto Acadmico de Eletrnica

Curso Superior de Tecnologia em RADIOLOGIA

ELETRNICA COMP. & CIRC.

- EL 52Z

PARTE II - ELETRNICA
(COMPLETA, abril/2011)

Prof. Srgio Francisco Pichorim, D.Sc.

Pgina na Internet

pessoal.utfpr.edu.br/pichorim/AULA pichorim@utfpr.edu.br

e-mail :

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Resistncia Eltrica R () = Resistividade (.cm) x Comprimento l (cm) / rea da seo transversal A (cm)

Material Prata Cobre Ouro Ferro Germnio (puro) Silcio (puro) Vidro Parafina Teflon

Resistividade (.cm) a 20 C 1,6 106 1,7 106 2,5 106 10 106 46 64000 100 1012 10 1018 10 1024

Semicondutores Isolantes

TOMOS DE GERMNIO E DO SILCIO (TETRAVALENTE 4A)

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Condutores

ESTRUTURA NO CRISTAL SEMICONDUTOR INTRNSECO (PURO)

Presena de portadores minoritrios no cristal: Impurezas na construo do cristal Efeito da borda (extremidade) Fatores de rompimento das ligaes covalentes: Efeito da temperatura Incidncia de fton com energia Alto campo eltrico (efeito Zener) Coliso de eltron acelerado EFEITO DA TEMPERATURA

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CRISTAL EXTRNSECO TIPO N (Dopagem com tomos pentavalente)

CRISTAL EXTRNSECO TIPO P (Dopagem com tomos trivalente)

A CONDUO DA CORRENTE NO CRISTAL DOPADO

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JUNO PN

(DIODO Semicondutor)

POLARIZAO INVERSA (aumento da regio de Depleo)

POLARIZAO DIRETA Diminuio da Depleo Depleo colapsada

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CURVA DO DIODO

EXEMPLO DE DIODO COMERCIAL

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DIODO IDEAL
De maneira simplificada e idealizada, refere-se a um diodo que em polarizao inversa no permite a circulao de nenhuma corrente (ou seja resistncia infinita) e quanto em polarizao direta apresenta resistncia nula e nenhuma barreira de potencial. EXERCICIO: A) Nos circuitos seguintes, considerando diodos ideais, quais as lmpadas que acendero?

B) No primeiro circuito, se a bateria for invertida as polaridades, quais lmpadas acendero? CURIOSIDADE:

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APS 3 - Questes sobre a teoria de Semicondutores


1. 2. 3. 4. 5. 6. Qual a principal caracterstica de um diodo ideal ? Desenhe a curva Id x Vd de um diodo ideal. Um material com resistividade de 12nm dito ______________ Um material com resistividade de 10Gm dito ______________ Um material com resistividade de 1 m dito ______________ Quais os dois principais semicondutores utilizados na eletrnica? Quantos so os seus eltrons e como esto dispostos no tomo ? 7. Determine a valncia dos seguintes elementos. Al, P, B, Si, Sb, As, Ge e Ga. 8. Como esto interligados os tomos de silcio no cristal ? 9. O que um cristal intrnseco ? 10. Como se obtm um cristal extrnseco ? 11. Por que um cristal de silcio dopado com fsforo chamado Cristal Tipo N ? 12. Que cristal formado pela adio de um elemento trivalente ao germnio ? 13. Desenhe a estrutura cristalina do germnio dopado com glio (Ga) 14. O que uma lacuna ? 15. Qual o efeito causado na condutividade pelos eltrons livres em um cristal N ? 16. E as lacunas em um cristal P ? 17. O que um portador de corrente ? 18. Qual o portador majoritrio do cristal P ? E do cristal N ? 19. Por que existem portadores minoritrios ? 20. Qual o portador minoritrio do cristal P ? E do cristal N ? 21. Quantas lacunas tem um condutor na temperatura ambiente ? 22. O que ocorre quando um cristal N unido a um cristal P ? 23. O que regio de depleo ? 24. O que barreira de potencial ? 25. O que recombinao ? 26. Na polarizao inversa o que ocorre com a regio de depleo ? 27. Existe corrente circulando pela juno na polarizao inversa ? Explique. 28. Para uma pequena polarizao direta, o que ocorre com a regio de depleo? 29. O que necessrio para que uma juno PN conduza diretamente ? 30. Desenhe o smbolo do diodo e indique: Anodo e Catodo, Cristal P e N, sentido da corrente direta, e polarizao direta. 31. Desenhe a curva Id x Vd de um diodo real e indique o ponto Vj. 32. Quais os valores de Vj para um diodo de silcio e germnio na temperatura ambiente ? 33. Quais os valores aproximados da corrente reversa Is dos diodos de Si e Ge em 25C ? 34. Quais os limites de um diodo retificador (exemplificar com o 1N4007) ? 35. O que e quando ocorre o efeito avalanche ? 36. O que o efeito Zener ? Porque ele ocorre em baixa tenso ? 37. Cite 4 fatores que provocam o aparecimento de um par eltron-lacuna em um cristal intrnseco (ou na regio de depleo).

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RETIFICADORES
O diodo ideal com polarizao direta comporta como uma chave fechada e com polarizao reversa comporta como uma chave aberta. O diodo tem resistncia direta muito baixa e resistncia reversa muito alta. Assim possvel converter um sinal Alternado em Contnuo. 1) Retificador de meia onda

Formas de onda:

Tenso mdia ou Contnua na carga VP o valor de pico da tenso sendo

VCC = VP / ou VCC = 0,45 . Vef .

Vef o valor eficaz ou RMS da tenso alternada de entrada. ID = IL , Imed = VCC / RL e IP = VP / RL.

Tenso eficaz em RL VP/2 mas a tenso eficaz na entrada A freqncia de ondulao na sada igual freqncia de entrada.

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2) Retificador de onda completa - Derivao central.

Formas de onda

VCC = 2.VP / ou VCC = 0,9.Vef e Vef o valor eficaz de um dos secundrios.

A freqncia de ondulao na sada o dobro da freqncia de entrada.

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3) Retificador em ponte

Formas de onda

Como apresenta a mesma forma de onda do outro retificador onda completa as equaes so as mesmas. Observao: Visto que 2 diodos conduzem ao mesmo tempo em cada semi-ciclo, tem-se uma queda de 1,4 V entre o secundrio e a carga. Em algumas situaes pode-se desprezar esta queda de tenso nos diodos.

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4) Retificador de meia onda com Filtro a capacitor.

O capacitor carrega de Vmin at VP e neste intervalo de tempo ( ) o diodo conduz. No restante do perodo o diodo no conduzir e o capacitor descarregar de VP at Vmin. Forma de onda na sada.

Equaes Importantes:

Vond = VCC / (f. RL. C)

VCC = VP Vond/2

Ripple (%) a relao entre a potncia perdida no rudo de sada (causado por Vond) e a potncia til da sada (atravs de VCC). Quanto menor r(%) mais contnua a sada e melhor a filtragem.

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5) Retificador de onda completa com Filtro a capacitor

As equaes para onda completa so as mesmas utilizadas para meia onda, no entanto, o capacitor ser recarregado 120 vezes por segundo. Assim, ATENO, a freqncia de ondulao para onda completa de f = 120 Hz. Compare as formas de onda na sada para filtragem em meia onda e em onda completa.

6) Fonte de Alimentao Linear Abaixo, tem-se o diagrama em blocos de uma fonte de alimentao com tenso de sada regulada.

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Exemplo de uma fonte regulada com uma tenso de +5V na sada.

Exemplo de uma fonte com tenso de +12V na sada.

Exemplo de uma fonte simtrica com tenso de sada no-regulada.

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EXERCICIOS
1) Em um Retificador meia onda. Sendo o valor eficaz da tenso no secundrio do transformador VAB = 18 V e a carga RL = 470 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a corrente de pico. 2) Em um retificador Derivao central. Sendo o secundrio do transformador 9 + 9 V (valor eficaz da tenso VAB = 18V) e a carga RL = 470 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a corrente de pico. 3) Em um retificador Ponte. Sendo o valor eficaz da tenso no secundrio do transformador VAB = 30 V e a carga RL = 820 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a corrente de pico. 4) Em um retificador de meia onda com Filtro, sendo VAB =18 Vef, C=1000 F, corrente mdica na carga IL = 180 mA, , determine: Vond, VP, Vmin, VCC e o ripple. 5) Em um retificador de meia onda com Filtro, sendo VCC = 12 Volts, IL = 300 mA, Vond = 2 V, determine: o capacitor e o valor eficaz do secundrio do transformador. 6) Em um retificador onda completa com Filtro, sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200 F, determine: Vond, VCC e ripple. 7) Em um retificador onda completa com Filtro, sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V, determine: o valor do capacitor e da tenso de sada do transformador. 8) No circuito abaixo, sabendo que o transformador 127/9+9 e a carga RL vale 100, determinar: Vond, VCC e o ripple.

RESPOSTAS 1) VCC = 8,1 V ; Imed = ID = 17,2 mA ; IP = 54 mA ; 2) VCC = 8,1 V ; Imed = 17,2 mA ; ID = 8,6 mA ; IP = 27 mA ; 3) VCC = 27 V ; Imed = 33 mA ; ID = 16,5 mA ; IP = 51,6 mA ; 4) Vond = 3 V ; VP=25,4 V ; Vmin = 22,4 V ; VCC = 23,9 V ; r=3,6% ; 5) C = 2500 F ; VAB = 9,2 Vef ; 6) Vond = 5,7 V ; VCC = 39,5 V ; r=4,2% ; 7) C = 2083 F ; VAB = 9,2 Vef ; 8) Vond=1,02V; VCC=12,2 V ; r=2,4%.

REFERENCIA: Ivair Jos de Souza - Circuitos retificadores - ivairsouza.com/circuitos_retificadores.html acessado em outubro de 2009. Compilao e organizao: Srgio Francisco Pichorim, 2009.
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RETIFICADORES PARA RAIO-X


Circuito para tubo de Raio-X com Retificador Meia-onda.

Circuito Retificador Onda-completa (tipo Ponte).

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Retificador Trifsico. Na carga (tubo de raio-x) existem 6 cristas (picos) a cada ciclo de onda.

Retificador Trifsico Duplo. Na carga (tubo de raio-x) existem 12 cristas (picos) a cada ciclo de onda. Cada pico est defasado de 30 devido ao segundo transformador (delta-estrela)

Sinal Retificado com 6 Cristas (ou picos) e com 12 Cristas (ou picos) por ciclo. Elaborao: Prof. Srgio Francisco Pichorim, figuras de: Physics of Radiology, Anthony B. Wolbarst, Appleton & Lange, March 1993; e Fsica e tecnologia dos equipamentos de diagnstico e de radioterapia, J. Conceio Mealha, Lisboa: Universitria, 2000.
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RETIFICADORES POLIFSICOS TABELA RESUMO -Ripple (r) -Freqncia -Tenso Mdia ou Contnua (Vcc) -Tenso Ondulao
12 10 8 6 4 2 0 0 12 10 8 6 4 2 0 0 30 60 90 120 150 30 60 90 120 150

15 10 5 0 0 -5 -10 -15 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

12 10 8 6 4 2 0 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

Trifsico 3 Diodos 3 picos por ciclo 3 x a freq. da rede Vcc = 0,827.Vp Vond = Vp / 2 r = 50 %

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Meia Onda 1 pico por ciclo freqncia = rede Vcc = Vp / Vcc = 0,318.Vp
180 210 240 270 300 330 360

10 8 6 4 2 0 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

Trifsico 6 Diodos 6 picos por ciclo 6 x a freq. da rede Vcc = 3 . Vp / Vcc = 0,955.Vp Vond = 0,134.Vp r = 13,4 % Trifsico Y-Y Y- com 12 Diodos 12 picos por ciclo 12x a freq. da rede Vcc = 0,987.Vp Vond = 0,034.Vp r = 3,4 %
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

Onda Completa 2 picos por ciclo 2 x a freq. da rede Vcc = 2 . Vp / Vcc = 0,637.Vp Vond = Vp r = 100 %

12 10 8 6 4 2 0

180

210

240

270

300

330

360

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DIODO EMISSOR DE LUZ LED


O LED (Light Emitting Diode) um diodo semicondutor (juno P-N) que quando polarizado diretamente emite ftons (luz). Esta luz no monocromtica (como em um LASER), mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita. O processo de emisso de luz ocorre pelas recombinaes de lacunas e eltrons quando a juno P-N est polarizada diretamente.

Nas junes de silcio e germnio a maior parte da energia liberada na forma de calor. No entanto, outros materiais, como por exemplo o Arseneto de Glio (GaAs), o Fosfeto de Glio (GaP) ou o Fosfeto Arseneto de Glio (GaAsP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes nas cores, infravermelha, verde ou vermelha, respectivamente. Em geral, os LEDs operam com tenses de juno entre 1,6 a 3,3 V. interessante notar que esta tenso dependente do comprimento da onda (cor) emitida. Assim, os LEDs infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5 V, os vermelhos com 1,7 V, os amarelos com 2 V, os verdes entre 2 V e 3 V, enquanto os LEDs azuis, violeta e ultra-violeta geralmente precisam de mais de 3 V. A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, ou seja, o brilho do LED est diretamente relacionado com a corrente direta que circula pela juno. A seguir so apresentados os dados do LED 62000 (GaAs Infravermelho) fabricado pela Mii Optoelectronic Products.

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DIODO ZENER
A seguir a curva do diodo Zener.

Como exemplo, uma famlia de diodos Zener com 500 mW de potncia e tenso de 3,3 a 33 V:

A principal aplicao dos Zeners a regulao de tenso, ou seja, eles podem manter a tenso quase constante entre seus terminais. A seguir um regulador paralelo com zener. A carga RL recebe uma tenso constante (Vo=Vz) para uma corrente de sada (Io) que varie de zero at Izo, onde Izo a corrente no Zener quando a sada est em aberto.

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BREVE HISTRICO SOBRE O TRIODO


O triodo um dispositivo eletrnico de amplificao comumente conhecido como tubo de vcuo (vacuum tube) ou vlvula. composto por trs eletrodos: Catodo aquecido (via um filamento incandescente), Anodo (ou placa) e a Grade de controle. O dispositivo original foi patenteado em 1908 por Lee De Forest.

O aquecimento do catodo faz com que este libere eltrons, formando uma nuvem eletrnica ao redor do mesmo. Aplicando no catodo uma polaridade negativa, este funciona como um Emissor de eltrons. Os eltrons so acelerados em direo ao anodo ou placa com tenso positiva elevada (centenas de volts), que funciona como um Coletor de eltrons. A funo principal da grade (ou grelha) de controle controlar a passagem do fluxo de eltrons (corrente entre o catodo e o anodo). Ela construda com fios em forma de grade para facilitar a passagem da corrente, porm conforme sua polarizao pode reduzir e at bloquear totalmente a corrente.

Exemplo de um Amplificador de Sinal com Triodo.

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FUNDAMENTOS DO TRANSISTOR E AMPLIFICADORES


O transistor foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone por Bardeen e Brattain em 1947. Tambm, em 1948, Shockley desenvolveu pesquisas sobre semicondutores e o transistor. Os trs foram laureados com o Nobel de Fsica em 1956. O termo TRANS-ISTOR vem de transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. Transistor Bipolar (ou de Duas Junes) Tipo NPN

Outra possibilidade a construo PNP que produz um transistor de funcionamento idntico ao NPN, apenas observando que todas as tenses devem ter polaridades invertidas e as correntes circulam em sentido contrrio. Duas equaes elementares: IC + IB = IE VCB + VBE = VCE

Para o funcionamento do Transistor como Amplificador a juno Base-Emissor deve ser polarizada Diretamente, ou seja, VBE=0,7V para o transistor de silcio. No entanto, a juno Coletor-Base deve estar sempre polarizada INVERSAMENTE! Relao Sada / Entrada A figura ao lado mostra a relao de IC e VCE para alguns valores fixos de IB. Efeito Transistor Observa-se que uma pequena corrente de Base (IB na ordem de dezenas de A) controla uma grande corrente de Coletor (IC na ordem de mA)! Fator de Amplificao da Corrente HFE ou = IC / IB Alguns Multmetros fazem a medio direta deste parmetro nos transistores. No grfico ao lado, por exemplo, para VCE=5V e IB=20A, IC ser 2,2 mA e = 110.
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O Transistor como Chave Eletrnica

Na saturao (linha em vermelho) tem-se altos valores de IC e baixos de VCE, ou seja, baixas resistncias (reta quase vertical). Aqui o transistor se comporta como uma chave ligada. No corte (linha em azul) tem-se baixos valores de IC e altos de VCE, ou seja, altas resistncias (reta quase horizontal). Aqui o transistor se comporta como uma chave desligada. CORTE Quando VBE << 0,7 V (IB=0) a chave est Desligada (transistor em Corte). Assim, IC = 0 e VCE mximo (=VCC). SATURACAO Quando VBE 0,7 V a chave est Ligada (transistor Saturado). Assim, IC mximo e VCE 0. Para tal, IB ICMXIMO / HFE Exemplo: Acionamento do LED Infra-Vermelho de um Controle Remoto.

Sada dos Dados Chaveamento do LED

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AMPLIFICADOR GENRICO Todo amplificador tem dois terminais de entrada, onde aplica-se o sinal (Vi e Ii) que se deseja amplificar, e dois terminais de sada, onde obtm-se o sinal (Vo e Io) j amplificado. A procedncia do sinal na entrada genericamente representada por uma fonte de sinal (Vs) com sua resistncia interna Rs. O destino do sinal amplificado ser consumido pela carga (load) resistiva RL. Alm disso, todo o amplificador necessita obrigatoriamente de uma fonte de alimentao (bateria ou CC) que fornece energia para seu funcionamento. FONTE C.C.

FONTE DE SINAL

Rs Vs

Ii Vi Entrada Zi

Zo Avo . Vi AMPLIFICADOR Vo Sada

Io Carga RL

Parmetros internos de um amplificador: Impedncia de entrada (Zi), impedncia de sada (Zo) e a amplificao ou ganho de tenso Avo (sada em aberto, open). Uma fonte de sinal na entrada (Vs e Rs) determina a tenso e a corrente na entrada (Vi e Ii). Uma carga na sada (RL) determina a tenso e a corrente na sada (Vo e Io). Eis as equaes: Ii = Vi / Zi Vi = Vs . Zi / (Rs+Zi) Ganho de Tenso com Carga Ganho de Corrente com Carga Av = Vo / Vi Ai = Io / Ii ou ou Av = Avo . RL / (Zo+RL) Ai = Av . Zi / RL Io = Vo / RL

UM EXEMPLO DE AMPLIFICADOR COM TRANSISTOR


+ Vcc RB Vi RC Vo

Alimentao Sada

Entrada
Ci RE

Co

Atravs dos resistores RB e RE tem-se a polarizao adequada das junes C-B e B-E. O resistor de coletor determina a tenso no coletor (ou VCE). Os capacitores Ci e Co permitem a entrada e sada do sinal alternado (Vi e Vo) no transistor. Entretanto eles bloqueiam a sada ou entrada da tenso contnua (CC).
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Anlise de Corrente Contnua. Para a corrente contnua os capacitores podem ser considerados como circuito em aberto. Assim, a corrente IB contnua passa por RB: IB = Vcc Vbe RB + .RE lembrando que Vbe 0,7 V para o transistor de silcio.

A corrente IC contnua passa por RC, como

IC = .IB

tem-se:

VRE + VCE + VRC = Vcc VCE = Vcc IC.RC IE.RE . Considerando ICIE VCE = Vcc IC.( RC + RE ) .

Tendo sido determinados os valores de IC, VCE e IB contnuos pode-se consultar as Folhas de Dados Tcnicos (Datasheet) do fabricante do transistor para conhecer seus parmetros de sinais. Os dois parmetros principais so o hfe e o hie, ganho de corrente e a impedncia entre base-emissor, respectivamente. Estes parmetros compem o modelo Hbrido Simplificado do transistor na configurao EC (Emissor-Comum), conforme figura abaixo.

Exemplo de valores dos parmetros de sinal (H) para um transistor comercial:

Anlise de Corrente Alternada (Pequenos Sinais). Para sinais alternados os capacitores podem ser considerados aproximadamente como curtocircuito (suas reatncias Xc devem se muito menores que as resistncias do circuito). Assim, o sinal de entrada Vi chega base do transistor e o sinal do coletor chega sada Vo.

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Desta forma as impedncias de entrada e sada e o ganho de tenso sem carga so:

Zi = RB //[hie + (hfe.RE )]
Avo = RC . R E + (hie / hfe)

Zo = RC

O ganho apresenta valor negativo, ou seja, quando o sinal Vi est no semi-ciclo positivo o sinal Vo est no negativo e vice-versa. Assim este amplificador dito Inversor de Fase. O ganho negativo no significa perda ou atenuao. Isso ocorre apenas quando o ganho (em mdulo) menor que UM! Por exemplo, na figura a seguir tem-se um sinal de entrada Vi em um amplificador de 10 mV de pico e um sinal de sada de 70 mV de pico com uma inverso de fase. Ou seja, o ganho de tenso vale 7.
80 70 60 50 40 30 20 10 0 -10 0 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 Vo

Tenso (mV)

Vi 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4

Tempo (ms)

A utilizao do capacitor de desacoplamento do emissor - CE Uma forma de aumentar o ganho do amplificador em anlise colocar um capacitor (CE) em paralelo com o resistor de emissor RE. Este capacitor no ir alterar em nada a Anlise de Corrente Contnua j apresentada, no entanto, ir curto-circuitar o resistor RE na Anlise de Corrente Alternada. Assim, os novos valores de impedncias e ganho ficam:

Zi = RB // hie

Zo = RC

Avo =

RC (hie / hfe)

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A deduo completa destas equaes e o desenvolvimento das equaes de outras configuraes de amplificadores com transistor podem ser encontradas em detalhes em: Captulos 4, 7 e 8 de Dispositivos Eletrnicos, Boylestad & Nashelsky. Captulo 10 de Eletrnica, A. P. Malvino, volume 1. Captulo 4 de Microeletrnica, Sedra & Smith.

A tabela seguinte apresenta um resumo com algumas configuraes mais utilizadas. Os valores de re e podem calculados por:

= hfe

re = hie / hfe

ALGUMAS CONFIGURAES DE AMPLIFICADORES COM TRANSISTOR BIPOLAR Configurao Emissor Comum com pol. divisor de tenso e com CE Ganho de Tenso Impedncia de Entrada Impedncia de sem Carga (Avo) (Zi) Sada (Zo) Mdia Alto Mdia

RC re

R1 // R2 // .re

RC

O mesmo circuito anterior mas SEM o Baixo capacitor CE

Alta
R1 // R2 // .(re + RE )

Mdia RC Mdia

RC ( RE + re)

Base Comum

Alto

Baixa

RC re

RE // re

RC

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EXERCCIOS 1 No circuito (a), sabendo que o transistor de silcio com Beta (HFE) de 100, quanto deve ser a tenso VBB para o transistor saturar? E qual o valor de VBB para o transistor cortar? 2 No circuito (b), sabendo que o transistor de silcio com HFE de 300 e o LED tem tenso de juno de 2,2V, quanto deve ser a corrente IB para o LED apagar? Quanto deve ser IB para o LED ter o mximo brilho?

3 Para o amplificador com polarizao estvel de emissor abaixo (circuito (c)), calcular: IB, IC, IE, VCE, VCB e VBE.

(c) 4 Repetir o exerccio anterior se o transistor tivesse seu Beta alterado para 200.

(d)

5 Para o amplificador emissor-comum acima (circuito (d)), sabendo que hie e hfe do transistor so, 3000 e 250, respectivamente, calcular: ganho de tenso e as impedncias de entrada e sada. 6 Para o mesmo circuito (d), se uma carga de 3 k for conectada sada, quais os ganhos de tenso e corrente do amplificador? 7 Comente o que aconteceria com o ganho e impedncias se o amplificador (circuito (d)) tivesse um capacitor de desacoplamento conectado em paralelo ao resistor de emissor. Respostas: 1) VBB>1,64V; VBB<0,7V. 2) IB=0; IB>49A. 3) 38,1A; 3,81mA; 3,85mA; 11V; 10,3V; 0,7V. 4) 32,8A; 6,55mA; 6,58mA; 1,7V; 1,0V; 0,7V. 5) 17,85; 26,36k; 2k. 6) 10,71; 94,1. 7) Av aumentaria de -17,85 para -167, e Zi diminuiria de 26,36k para 2,98k.

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AMPLIFICADOR OPERACIONAL
um Amplificador Completo construdo em Circuito Integrado (surgiram na dcada de 1960). Exemplo:

Conexes:

Entradas -IN e +IN Sada Vout Alimentao +Vs e Vs Uma tenso em 1, entrada inversora (-IN), altamente amplificada e invertida (sinal em vermelho) para produzir a sada o. Uma tenso em 2, a entrada no-inversora (+IN), altamente amplificada para produzir uma sada o em fase (sinal em azul).

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Principais caractersticas: Alimentao contnua simtrica +V e -V, eliminando a necessidade de capacitores de acoplamento. Alta Amplificao (Alto Ganho). Duas entradas diferenciais. Uma entrada inversora de fase do sinal e a outra no-inversora.

ALIMENTAO: A tenso de sada (o) positiva (vermelha) obtida a partir da alimentao positiva ou +Vcc (+Io) e a tenso de sada (o) negativa (azul) obtida a partir da alimentao negativa ou Vcc (-Io).

Circuito Equivalente do Amp. Op.

As duas entradas so 1 e 2. A diferena entre elas multiplicada pelo ganho A do amp. op. para gerar a tenso de sada vo. A resistncia Rd representa a impedncia de entrada do circuito. Qualquer corrente na sada deve passar pela impedncia de sada, representado por Ro. Um amp. op. apresenta alto ganho A (cerca de 100.000 ou mais), uma alta impedncia de entrada e uma baixa impedncia de sada (idealmente, Rd e Ro 0).

O Amplificador Operacional IDEAL apresenta: Impedncia de entrada Rd Corrente de entrada Ganho de tenso (A) Impedncia de sada Ro Desequilbrio (off-set) das entradas Resposta em freqncia = = = = = = infinita zero infinito zero zero largura da banda infinita.
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Um Amplificador Operacional REAL (comercial) apresenta: Ganho de tenso (A) = entre centenas de milhares a milhes Impedncia de entrada = entre centenas de k a 1012 Impedncia de sada = algumas dezenas de Correntes de entrada = entre alguns pA a dezenas de nA Tenso de off-set = entre dezenas de nV a alguns mV Rejeio de modo comum = entre 80 dB a 120 dB Rejeio a fonte = entre 80 dB a 120 dB Variao da sada (slew rate) = entre alguns V/s a kV/s Produto ganho banda = entre algum MHz a GHz

CURIOSIDADES: Desenho do Circuito Interno do C.I. Amp.Op. 741. Em verde os blocos: diferencial da entrada, amplificao intermediria e sada, em vermelho os PINOS do C.I.

Exemplo de Ampl. Operacional Comercial que contm 1, 2 ou 4 Amp. Op. no mesmo C.I.

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Um Amplificador Inversor construdo com um Amp.Op.

A corrente flui pelo resistor Ri e pelo resistor de realimentao Rf. Um sistema de alavanca ajuda a explicar a relao entre entrada e sada.
GANHO DE TENSO Av = vo/vi = Rf / Ri

Um Amplificador No-Inversor construdo com um Amp.Op.

A tenso vi aparece sobre Ri e produz uma corrente que tambm flui pelo resistor de realimentao Rf. Um sistema de alavanca ajuda a explicar a relao entre entrada e sada.
GANHO DE TENSO Av = vo/vi = (Rf+Ri) / Ri

Um Conversor Corrente em Tenso (V I) construdo com um Amp.Op.

A corrente da entrada (Ii) flui apenas pelo resistor Rf. Aplicando a lei de Ohm, tem-se na sada uma tenso Vo = Rf. Ii . Este conversor, tambm chamado de Amplificador de Transimpedncia, muito utilizado com sensores pticos, onde a entrada Ii o sensor (foto-diodo).

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EXERCICIOS DE AMPLIFICADOR OPERACIONAL 1) No circuito abaixo, calcular o ganho e a tenso de sada Vo. 36k 750k Vo 150mV S 2) No circuito abaixo, calcular os ganhos de cada Amp. Op., o ganho total do circuito e a tenso de sada Vo. 33k 12mV 470k 12k 1k 330k 47k d) Vi Vo 47k S 10k 3,3k 22 k c) Vi Vo

Vo

4) Utilizando dois Amp. Op. 741 faa o desenho do circuito prtico (incluindo a pinagem do CI) de dois amplificadores com ganhos de +15 e 30. 5) Calcular os ganhos de cada Amp. Op. e as tenses V1 e V2.

3) Para os circuitos abaixos determinar o Ganho de Tenso (Av) quando a chave S est em aberto e quando a chave S est fechada. a) 10k 22k 3,3k Vi Vo b) Vi S 10k 47k 3,3k Vo S

12k 0,5V

56k V1 180k

33k V2 6) No circuito abaixo, calcular Vo: 0,8mA 10k Vo Respostas ____________________________


1) +21,83 e 3,275V; 2)10, 10, +100 e 1,2 Vcc; 3a) 6,7 e 9,7, b) 3,5 e 14,2, c) 1,3 e 3,5, d) 4,6 e 48; 5) 4,67, 5,45, 2,33V e 12,7V; 6) +8 V.

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SENSORES PTICOS
Para medir sinais pticos necessrio transduzi-los para sinais eltricos atravs de sensores optoeletrnicos. As principais caractersticas a se considerar so a sensibilidade espectral, o ganho interno e o tempo de resposta. Os dispositivos mais comumente utilizados em sistemas de fotometria so os de estado slido (fotodiodos, fototransistores etc) e as vlvulas fotomultiplicadoras (PMT - photo multiplier tube). Entre os fotodiodos semicondutores destacam-se o fotodiodo PIN (P-dopado, I-intrnseco, N-dopado) e o fotodiodo de avalanche APD.
1. FOTODIODO

So dispositivos semicondutores que realizam a transduo fotoeletrnica e apresentam menor sensibilidade que as vlvulas fotomultiplicadoras. So baseados na formao de pares eltrons-lacunas proporcionais incidncia de ftons na regio sensvel energia radiante. Cada um desses portadores de carga eltrica deslocam-se para o terminal de carga oposta resultando num fluxo de corrente se existir um caminho eltrico para isto. Podem ser utilizados em casos de deteco para maiores intensidades de radiao.

Para a escolha do fotodiodo, considera-se principalmente: a) A capacitncia de juno formada na juno P-N, principal fator na determinao da velocidade de resposta do fotodiodo. Deve ser a menor possvel para que se tenha tempos de transio menores possibilitando sua utilizao em anlise de sinais na faixa de microsegundos; b) A rea ativa que se relaciona com a sensibilidade. Uma rea maior significa um ganho maior, e em contrapartida, aumenta a capacitncia, portanto, diminui a velocidade de resposta do dispositivo; c) A resistncia de juno. O fotodiodo pode ser utilizado no modo fotovoltaico (lado direito do grfico) apresentando corrente de saturao reversa igual a zero (menor nvel de rudo) e, em contrapartida, maiores tempos de transio. Outra maneira de utiliz-lo no modo fotocondutivo (lado esquerdo do grfico) que apresenta respostas mais rpidas. A polarizao reversa diminui a capacitncia de transio mas, em contrapartida, diminui a relao sinal/rudo devido a existncia da corrente de saturao reversa alm da decorrente dos ftons incidentes no dispositivo.

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Um exemplo de circuito de deteco de radiao mostrado na figura abaixo. No circuito, a corrente no diodo (MRD-500 com tempo de resposta de 1 ns para tenso reversa de 20V) decorrente da radiao incidente neste monitorada na forma de uma tenso sobre um resistor em srie.

Para o mesmo propsito pode-se utilizar amplificadores de transimpedncia, conforme mostrado abaixo o qual converte a corrente que flui pelo fotodiodo em uma tenso.

2. FOTODETETOR PIN

Consiste em um semicondutor PN com uma camada de cristal intrnseco (I) como nos mostra a figura abaixo. Ele tambm deve ser polarizado inversamente.

Na regio de depleo no existem cargas livres e a sua resistncia alta. Quando um feixe de luz incide no semicondutor, os ftons tm mais probabilidades de serem absorvidos na regio de depleo devido ao seu campo eltrico ser elevado. Assim, os pares eltron-lacuna so gerados na regio de depleo e originam uma corrente. Por ter uma regio de depleo alargada, este diodo apresenta uma maior sensibilidade e uma menor capacitncia interna, ou seja, apresenta tempos de resposta menor (maior velocidade) e consequentemente uma largura de banda maior.
3. FOTODIODOS DE AVALANCHE (APDs)

Um APD um fotodiodo com um ganho de corrente interna, devido ao elevado valor de tenso na polarizao inversa. A figura mostra o esquema de um fotodetetor APD:

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Em um APD a absoro de um fton incidente produz um par eltron-lacuna, como nos PIN. No entanto, o grande campo eltrico que existe na regio de depleo faz com que as cargas sejam rapidamente aceleradas. Esta propagao das cargas a altas velocidades vo dar uma parte de sua energia a eltrons em estado de valncia, passando ao estado de excitado. Este resultado causa um par eltron-lacuna adicional. A este processo de criar mais pares de eltron-lacunas chama-se multiplicao por avalanche. Para que exista multiplicao por avalanche o diodo tem de ser submetido a grandes campos eltricos, assim, os APDs utilizam tenses de polarizao inversa da ordem das dezenas a centenas de volts. A construo de um APD difere do PIN devido existncia de um nvel adicional do tipo P, entre a regio intrnseca e a regio N. Os pares eltron-lacuna so gerados na regio intrnseca, no entanto, a multiplicao por avalanche ocorre na regio tipo P adicionada.
4. FOTOTRANSISTOR

Semelhante ao fotodiodo, mas com uma maior sensibilidade dada pelo ganho de corrente HFE (ou beta), j que, Iceo = .Icbo. A corrente Icbo a mesma corrente reversa do fotodiodo (aqui a juno PN da base-coletor). Portanto a corrente do fototransistor (Ic) beta vezes superior do fotodiodo.

O circuito ao lado um par LED e Fototransistor, chamado de Fotoacoplador. O circuito sensvel obstruo do feixe luminoso entre os dois componentes. Quando existe o acoplamento ptico entre eles o fototransistor satura e a sada (out) est prximo a zero volt. Quando o feixe ptico bloqueado o fototransistor vai ao corte (Ic=0) e a sada tende ao valor da fonte V.

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5. VLVULA FOTOMULTIPLICADORA (PMTs)

Uma vlvula fotomultiplicadora composta, basicamente, de um catodo fotoemissivo, uma sequncia de dinodos internos para multiplicao eletrnica e um anodo coletor de eltrons, conforme a figura a seguir.

fton

Vlvula fotomultiplicadora. (prof. FKS) Os dinodos so mantidos a uma diferena de potencial que proporciona a acelerao de um eltron de um dinodo para o seu dinodo posterior. O primeiro dinodo (coberto por BeO, GaP ou CsSb) ao ser atingido por fotoeltrons, provenientes do catodo, emite eltrons que sero acelerados em direo ao segundo dinodo. A energia cintica tal que ao se chocar com o prximo dinodo um eltron proporciona a liberao de vrios outros eltrons. Isto permite uma grande multiplicao da corrente ao longo da vlvula. Os tempos de resposta para vlvulas fotomultiplicadoras (0,5 ns para GaP e entre 1 e 2 ns para outros materiais) aliados ao ganho interno elevado (o que as tornam sensveis a uma energia radiante incidente de um ou poucos ftons) caracterizam-nas como um detector de grande utilidade para sinais de baixa intensidade de radiao e curtos tempos de durao. Este o caso da emisso de fosforescncia (de intensidade pequena e durao da ordem de microsegundos a segundos). Para se polarizar uma vlvula fotomultiplicadora utiliza-se um divisor resistivo para fornecer as diferenas de potenciais desejadas entre os dinodos. A tenso entre o primeiro dinodo e o catodo uma caracterstica fundamental e aconselha-se, neste ponto, o uso de um diodo zener com a tenso sugerida pelo fabricante da vlvula. Outro cuidado a se tomar que os dinodos se deterioram quando sobreaquecidos, devendo-se limitar a corrente no anodo para um valor abaixo do mximo recomendado pelo fabricante. Os resistores utilizados no divisor resistivo, em geral, devem possuir valores idnticos para proporcionar ganhos iguais entre os diversos dinodos evitando-se distoro do sinal.
Catodo D1 Vzener - HV (Alta Tenso)
R

Anodo D2
R

I anodo RL

D3
R

D4
R

D5
R

D6
R

D7
R C

D8
R C

D9
R C

0V

V (D1-catodo)=Vzener

Esquema de polarizao de uma vlvula fotomultiplicadora com 9 dinodos. (prof. FKS)

6. Dispositivo CCD ou Charged-Coupled Device

Leitura Recomendada: 1) "How It Works: The Charged-Coupled Device, or CCD", Courtney Peterson 2) "Image Sensor Architectures for Digital Cinematography" 3) "Charge-coupled device area x-ray detectors" Pode-se acess-los em: http://pessoal.utfpr.edu.br/pichorim/AULA/Radiologia/Extras/
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Transdutor Piezoeltrico
Utilizados, de forma geral, na transmisso e recepo de sinais de ultra-som, microfones, converses de energia mecnica em eltrica (ou vice-versa) e em osciladores de preciso (por exemplo, relgios de Quartzo).

Seu princpio de funcionamento est baseado no efeito piezoeltrico, isto , quando um cristal assimtrico (materiais piezoeltricos ou ferroeltricos) destorcido, acontece internamente uma reorientao de cargas eltricas causando deslocamentos relativos de cargas positivas e negativas. Este deslocamento induz cargas de polaridades opostas na superfcie do cristal. Tal efeito, chamado de efeito piezoeltrico foi descoberto pelos irmos Pierre e Jacques Curie em 1880. Tal cristal, quando colocado num campo eltrico, sofre deformaes mecnicas causadas pela interao das cargas internas com o campo eltrico. Isto significa que o efeito bidirecional, ou seja: Deformao Mecnica Modificao da Distribuio de Cargas

Quartzo e turmalina, naturais, e sulfato de ltio, fosfato hidrogenado de amnia, titanato de brio, artificiais, so alguns exemplos de materiais piezoeltrico. A densidade de carga induzida total (Q/rea) diretamente proporcional presso (P) aplicada. Lembrando que presso fora por rea (P=F/A), pode-se escrever: Q = k.F onde k a constante piezoeltrica dada em [C/N] (coulombs por newton). Para o quartzo k vale 2,3 pC/N, para Titanato de brio 140 pC/N e para cermicas de Titanato-zirconato de chumbo (PZT ou Pb[ZrXTiY]O3) pode chegar a 800 picocoulombs por newton. Assumindo duas faces paralelas, pode-se utilizar um modelo de capacitor C. A tenso entre as faces (V) pode ser escrita como:

Existem vrios modos de operao que dependem da orientao cristalogrfica e do material do cristal. Como exemplos de modos, pode-se citar: compresso longitudinal, transversal, de espessura, cisalhamento em espessura e cisalhamento de face.
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Modelo:

Rt a resistncia de fuga do transdutor, Ct a capacitncia do transdutor, Cc a capacitncia do cabo, Ca a capacitncia do amplificador, Ra a resistncia do amplificador, G o gerador de cargas proporcional ao esforo (G=k.Y) e Y o deslocamento relativo das faces.
G Ct Cc Ca

Rt

Ra

Vo

A Y

A figura seguinte mostra o modelo do cristal para altas freqncia, onde Lm representa a massa do cristal, Cm sua elasticidade e Rm as perdas mecnicas no cristal. Este conjunto RLC forma o ressonador mecnico do cristal.

C do transdutor Lm R de fuga

Cm

Rm

A curva genrica a seguir mostra a resposta da Sensibilidade (V/F) de um cristal piezoeltrico em funo da freqncia. Pode-se verificar que existe uma freqncia de corte inferior (fc), uma faixa com sensibilidade constante (faixa utilizada para transduo) e um pico em fo, correspondente a ressonncia mecnica (freqncia utilizada em osciladores a cristal).

(PICHORIM_abril_2011)
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